JPH0625263B2 - 導電性高分子フイルムの処理方法 - Google Patents
導電性高分子フイルムの処理方法Info
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- JPH0625263B2 JPH0625263B2 JP18213287A JP18213287A JPH0625263B2 JP H0625263 B2 JPH0625263 B2 JP H0625263B2 JP 18213287 A JP18213287 A JP 18213287A JP 18213287 A JP18213287 A JP 18213287A JP H0625263 B2 JPH0625263 B2 JP H0625263B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ ベンゼンなどの芳香族化合物，複素六員環化合物，複素
五員環化合物，アニリンなどの芳香族アミン化合物など
は、電解酸化重合により容易に導電性高分子フイルムを
与えるものとして最近特に注目を集めている。これらは
電解重合時に同時にドーピングが起こり、高い電導度を
示す重合体フイルムが直接得られ、また、その安定性も
良好である。これら重合体は電気化学的にドーパント量
を出し入れすることも可能であり、広い範囲で導電性を
コントロールすることが出来る。従ってこれらの性質を
利用して、各種センサー，電池，エレクトロクロミック
材料，電子デバイスなどの種々の用途が得られる。
五員環化合物，アニリンなどの芳香族アミン化合物など
は、電解酸化重合により容易に導電性高分子フイルムを
与えるものとして最近特に注目を集めている。これらは
電解重合時に同時にドーピングが起こり、高い電導度を
示す重合体フイルムが直接得られ、また、その安定性も
良好である。これら重合体は電気化学的にドーパント量
を出し入れすることも可能であり、広い範囲で導電性を
コントロールすることが出来る。従ってこれらの性質を
利用して、各種センサー，電池，エレクトロクロミック
材料，電子デバイスなどの種々の用途が得られる。
これら電解酸化重合で得られる導電性高分子は高い電導
度と機械的強度の点で優れている。しかしながら電導度
については未だ十分とは言い難い。この電導度を向上さ
せる手段として我々は先に、ピロール重合体の延伸配向
処理方法を見いだした。
度と機械的強度の点で優れている。しかしながら電導度
については未だ十分とは言い難い。この電導度を向上さ
せる手段として我々は先に、ピロール重合体の延伸配向
処理方法を見いだした。
しかるに更に電導度を向上させる方法について鋭意研究
した結果、電解酸化重合して得られる導電性高分子フイ
ルムを超音波処理することにより電導度が更に向上する
ことを見いだし、本発明を完成するに至った。
した結果、電解酸化重合して得られる導電性高分子フイ
ルムを超音波処理することにより電導度が更に向上する
ことを見いだし、本発明を完成するに至った。
＜発明の構成＞ 本発明は電解酸化重合して得られる導電性高分子フイル
ムを超音波処理することにより電導度を向上させること
を特徴とする導電性高分子フイルムの処理方法である。
ムを超音波処理することにより電導度を向上させること
を特徴とする導電性高分子フイルムの処理方法である。
以下、本発明の具体的な内容について詳細に説明する。
本発明の導電性高分子フイルムは電解質存在下に芳香族
化合物や複素環化合物，芳香族アミン化合物を電解酸化
重合することにより重合物を陽極板上に析出させること
により得られる。しかも、この方法によると反応系に共
存する陰イオンがドーパントとして取り込まれるため、
新たに電子受容性化合物とドーピングしなくても高い導
電性が発現する。
化合物や複素環化合物，芳香族アミン化合物を電解酸化
重合することにより重合物を陽極板上に析出させること
により得られる。しかも、この方法によると反応系に共
存する陰イオンがドーパントとして取り込まれるため、
新たに電子受容性化合物とドーピングしなくても高い導
電性が発現する。
上記の芳香族化合物としてはベンゼン，アズレンなどが
挙げられ、複素六員環化合物としてはピリダジンなどが
挙げられる。複素五員環化合物としては下記の一般式Ｉ
で表わされる化合物およびこれらのオリゴマーが挙げら
れる。
挙げられ、複素六員環化合物としてはピリダジンなどが
挙げられる。複素五員環化合物としては下記の一般式Ｉ
で表わされる化合物およびこれらのオリゴマーが挙げら
れる。
［ここで、ＸはＳ，Ｏ，ＮＲ（Ｒは水素，低級アルキル
基又はフェニル基を表わす。）を表わし、Ｒ１及びＲ２
は互いに独立に水素原子，アルキル基又はアルコキシ基
を表わす。］ 具体的には、チオフェン、 2,2′−ビチオフェン、 3−
メチルチオフェン、 3−エチルチオフェンなどの 3−ア
ルキルチオフェン、 3,4−ジメチルチオフェン、 3,4−
ジエチルチオフエンなどの 3,4−ジアルキルチオフェ
ン、 3−メトキシチオフェンなどの 3−アルコキシチオ
フェン、 3,4−ジメトキシチオフェンなどの 3,4−ジア
ルコキシチオフェンなど；また、フラン、 3−メチルフ
ランなどの 3−アルキルフラン， 3,4−ジメチルフラン
などの 3,4−ジアルキルフランなど；ピロール、Ｎ−メ
チルピロール、Ｎ−メチルピロールなどのＮ−アルキル
ピロールやＮ−フェニルピロール， 3−メチルピロール
などの 3−アルキルピロール、 3,4−ジメチルピロール
などの 3,4−ジアルキルピロールなどが挙げられる。し
かし、これに限定されるものではない。
基又はフェニル基を表わす。）を表わし、Ｒ１及びＲ２
は互いに独立に水素原子，アルキル基又はアルコキシ基
を表わす。］ 具体的には、チオフェン、 2,2′−ビチオフェン、 3−
メチルチオフェン、 3−エチルチオフェンなどの 3−ア
ルキルチオフェン、 3,4−ジメチルチオフェン、 3,4−
ジエチルチオフエンなどの 3,4−ジアルキルチオフェ
ン、 3−メトキシチオフェンなどの 3−アルコキシチオ
フェン、 3,4−ジメトキシチオフェンなどの 3,4−ジア
ルコキシチオフェンなど；また、フラン、 3−メチルフ
ランなどの 3−アルキルフラン， 3,4−ジメチルフラン
などの 3,4−ジアルキルフランなど；ピロール、Ｎ−メ
チルピロール、Ｎ−メチルピロールなどのＮ−アルキル
ピロールやＮ−フェニルピロール， 3−メチルピロール
などの 3−アルキルピロール、 3,4−ジメチルピロール
などの 3,4−ジアルキルピロールなどが挙げられる。し
かし、これに限定されるものではない。
また、電解酸化重合においては下記の電解質が用いられ
る。即ち、無機，有機の酸およびこれらのテトラアルキ
ルアンモニウム塩，無機，有機の酸のアルカリ金属塩な
どが挙げられる。具体的には、塩酸，過塩素酸，ホウフ
ッ化水素酸，フッ化水素酸，臭化水素酸，リン酸などの
無機酸、酢酸，シュウ酸，トリフルオロメタンスルホン
酸，ノナフルオロブタンスルホン酸，オクタンスルホン
酸，p −トルエンスルホン酸，ベンゼンスルホン酸など
の有機酸、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、ホウフ
ッ化テトラエチルアンモニウム、テトラメチルアンモニ
ウムヘキサフルオロホスフェート、テトラメチルアンモ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、テトラブチルアン
モニウムスルホネート、テトラエチルアンモニウムトリ
フルオロメチルスルホネート、テトラエチルアンモニウ
ムp −トルエンスルホネート、リチウムトリフルロメチ
ルスルホネート、過塩素酸リチウム、p −トルエンスル
ホン酸ナトリウムなどが挙げられる。
る。即ち、無機，有機の酸およびこれらのテトラアルキ
ルアンモニウム塩，無機，有機の酸のアルカリ金属塩な
どが挙げられる。具体的には、塩酸，過塩素酸，ホウフ
ッ化水素酸，フッ化水素酸，臭化水素酸，リン酸などの
無機酸、酢酸，シュウ酸，トリフルオロメタンスルホン
酸，ノナフルオロブタンスルホン酸，オクタンスルホン
酸，p −トルエンスルホン酸，ベンゼンスルホン酸など
の有機酸、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、ホウフ
ッ化テトラエチルアンモニウム、テトラメチルアンモニ
ウムヘキサフルオロホスフェート、テトラメチルアンモ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、テトラブチルアン
モニウムスルホネート、テトラエチルアンモニウムトリ
フルオロメチルスルホネート、テトラエチルアンモニウ
ムp −トルエンスルホネート、リチウムトリフルロメチ
ルスルホネート、過塩素酸リチウム、p −トルエンスル
ホン酸ナトリウムなどが挙げられる。
重合溶媒としては、水や有機溶媒が用いられる。有機溶
媒としては、アセトニトリル，ベンゾニトリル，ニトロ
ベンゼン，テトラヒドロフラン，ニトロメタン，プロピ
レンカーボネート，エチレンカーボネート，スルホラ
ン，ジメトキシエタン等の前記電解質を溶解し易いもの
が好ましいが、必ずしもこれに限定されない。
媒としては、アセトニトリル，ベンゾニトリル，ニトロ
ベンゼン，テトラヒドロフラン，ニトロメタン，プロピ
レンカーボネート，エチレンカーボネート，スルホラ
ン，ジメトキシエタン等の前記電解質を溶解し易いもの
が好ましいが、必ずしもこれに限定されない。
モノマーは溶媒に対して 0.0001 モル／リットル〜１モ
ル／リットル、好ましくは、 0.001モル／リットル〜
0.5モル／リットルで用いられて重合が行なわれる。
ル／リットル、好ましくは、 0.001モル／リットル〜
0.5モル／リットルで用いられて重合が行なわれる。
電解質は溶媒に対して0.0001 モル／リットル〜１モル
／リットル、好ましくは、 0.001モル／リットル〜 0.5
モル／リットルが用いられる。
／リットル、好ましくは、 0.001モル／リットル〜 0.5
モル／リットルが用いられる。
重合温度は−50℃〜 100が採用される。好適には−50℃
から50℃が採用される。重合時間は、所望とする膜厚の
フイルムが生成するために通電量と通電時間の関係から
適宜選ばれる。
から50℃が採用される。重合時間は、所望とする膜厚の
フイルムが生成するために通電量と通電時間の関係から
適宜選ばれる。
尚、この重合反応時に超音波処理すると更に好ましい。
前記条件により生成した導電性高分子フイルムはそれ自
体高い導電性を示すが、超音波処理することにより更に
電導度が向上する。超音波処理は、重合して得た未延伸
のものを直接行ってもよく、延伸配向処理時に超音波照
射を行ってもよい。また、延伸配向処理を行った後に超
音波照射を行ってもよい。更には、これらの処理は組み
合わせて用いることが可能である。
体高い導電性を示すが、超音波処理することにより更に
電導度が向上する。超音波処理は、重合して得た未延伸
のものを直接行ってもよく、延伸配向処理時に超音波照
射を行ってもよい。また、延伸配向処理を行った後に超
音波照射を行ってもよい。更には、これらの処理は組み
合わせて用いることが可能である。
本発明の超音波処理に用いる超音波発生器としては、超
音波洗浄のもの、生化学用に主として用いられる細胞破
砕機用のもの等が手軽に用いられる。超音波の周波数
は、特に限定されないが20ＫＨz 以上のものが主として
用いられる。超音波発生源のパワーは用いる装置との関
係、用いる導電性高分子との関係から適宜選ばれる。
音波洗浄のもの、生化学用に主として用いられる細胞破
砕機用のもの等が手軽に用いられる。超音波の周波数
は、特に限定されないが20ＫＨz 以上のものが主として
用いられる。超音波発生源のパワーは用いる装置との関
係、用いる導電性高分子との関係から適宜選ばれる。
超音波照射は好適に水や有機溶剤が媒体として用いられ
る。有機溶剤としては、前記反応溶媒の他、アルコール
類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミドなどのアミド系溶剤、ジメチルスルフェキ
シド、クロロホルム四塩化炭素、ジクロロメタン、トリ
クロロエタンなどのハロゲン系溶剤、エーテル、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等
の炭化水素系溶剤が挙げられるが、超音波の振動を該導
電性高分子に伝えるもので且つ導電性高分子を劣化させ
ないものであれば特に限定を受けない。
る。有機溶剤としては、前記反応溶媒の他、アルコール
類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミドなどのアミド系溶剤、ジメチルスルフェキ
シド、クロロホルム四塩化炭素、ジクロロメタン、トリ
クロロエタンなどのハロゲン系溶剤、エーテル、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等
の炭化水素系溶剤が挙げられるが、超音波の振動を該導
電性高分子に伝えるもので且つ導電性高分子を劣化させ
ないものであれば特に限定を受けない。
超音波処理における媒体の温度は−50℃から 100℃が好
ましい。
ましい。
超音波照射時間は、超音波発生源のパワーに依存するが
１分から２時間、好ましくは２分から１時間が採用され
る。
１分から２時間、好ましくは２分から１時間が採用され
る。
以下、実施例により本発明を詳述する。但し、本発明は
これに限定されない。電導度は銀ペーストを用いた四端
子法により測定した。
これに限定されない。電導度は銀ペーストを用いた四端
子法により測定した。
重合例１ 500mlのセパラブルフラスコに陽極として白金板、陰極
として白金ホイルを用いて、蒸留したてのプロピレンカ
ーボネート 400ml，水４mlの混合溶液、テトラメチルア
ンモニウムヘキサフルオロホスフェート 5.26 ｇ（ 0.0
24モル）を入れ、窒素ガスを導入し脱酸素を行った。そ
の後ピロール 1.61 ｇ（ 0.024モル）を入れた。−20℃
に冷却し窒素気流下、電流密度 0.125 mＡ／cm2で24時
間、電解酸化重合を行った。重合終了後生成した30μｍ
のフイルムを陽極板から剥離し、アセトニトリルで洗浄
し、乾燥した。このものの電導度は 380Ｓ／cmであっ
た。
として白金ホイルを用いて、蒸留したてのプロピレンカ
ーボネート 400ml，水４mlの混合溶液、テトラメチルア
ンモニウムヘキサフルオロホスフェート 5.26 ｇ（ 0.0
24モル）を入れ、窒素ガスを導入し脱酸素を行った。そ
の後ピロール 1.61 ｇ（ 0.024モル）を入れた。−20℃
に冷却し窒素気流下、電流密度 0.125 mＡ／cm2で24時
間、電解酸化重合を行った。重合終了後生成した30μｍ
のフイルムを陽極板から剥離し、アセトニトリルで洗浄
し、乾燥した。このものの電導度は 380Ｓ／cmであっ
た。
重合例２ 500mlのセパラブルフラスコに陽極としてガラス状カー
ボン板、陰極として白金ホイルを用いて、蒸留したての
プロピレンカーボネート 400ml，水４mlの混合溶液、過
塩素酸テトラエチレンアンモニウム 9.18 ｇ（ 0.024モ
ル）を入れ、窒素ガスを導入し脱酸素を行った。その後
ピロール 1.61 ｇ（ 0.024モル）を入れた。−40℃に冷
却し窒素気流下、電流密度 0.125 mＡで24時間、電解酸
化重合を行った。重合終了後生成した30μｍのフイルム
を陽極板上から剥離し、アセトニトリルで洗浄し、乾燥
した。このものの電導度は 320Ｓ／cmであった。
ボン板、陰極として白金ホイルを用いて、蒸留したての
プロピレンカーボネート 400ml，水４mlの混合溶液、過
塩素酸テトラエチレンアンモニウム 9.18 ｇ（ 0.024モ
ル）を入れ、窒素ガスを導入し脱酸素を行った。その後
ピロール 1.61 ｇ（ 0.024モル）を入れた。−40℃に冷
却し窒素気流下、電流密度 0.125 mＡで24時間、電解酸
化重合を行った。重合終了後生成した30μｍのフイルム
を陽極板上から剥離し、アセトニトリルで洗浄し、乾燥
した。このものの電導度は 320Ｓ／cmであった。
重合例３ 500mlのセパラブルフラスコに陽極として白金板、陰極
として白金ホイルを用いて、蒸留したてのプロピレンカ
ーボネート 400ml，ホウフッ化テトラエチルアンモニウ
ム 8.68 ｇ（ 0.024モル）を入れ、窒素ガスを導入し脱
酸素を行った。その後 3,4−ジメトキシチオフェン 3.4
6 ｇ（ 0.024モル）を入れた。15℃で窒素気流下、電流
密度0.25 mＡで８時間、電解酸化重合を行った。重合終
了後生成した17μｍのフイルムを陽極板上から剥離し、
アセトニトリルで洗浄し、乾燥した。このものの電導度
は50Ｓ／cmであった。
として白金ホイルを用いて、蒸留したてのプロピレンカ
ーボネート 400ml，ホウフッ化テトラエチルアンモニウ
ム 8.68 ｇ（ 0.024モル）を入れ、窒素ガスを導入し脱
酸素を行った。その後 3,4−ジメトキシチオフェン 3.4
6 ｇ（ 0.024モル）を入れた。15℃で窒素気流下、電流
密度0.25 mＡで８時間、電解酸化重合を行った。重合終
了後生成した17μｍのフイルムを陽極板上から剥離し、
アセトニトリルで洗浄し、乾燥した。このものの電導度
は50Ｓ／cmであった。
重合例３ 実施例１−５ 重合例１で得たピロール重合体フイルムを各種媒体中に
浸漬し、ブランソンＢ220Ｈ型（45ＫＨz ， 180Ｗ）超
音波発信器を用いて超音波照射を所定時間行い、ついで
超音波を照射しながら５分間かけて延伸処理を行った。
延伸処理後フイルムをアセトニトリルで洗浄し、 150℃
で５分間緊張下で熱固定を行い冷却後、電導度を測定し
た。尚以下の実施例，比較例においても延伸加工後同様
の処理を行った。
浸漬し、ブランソンＢ220Ｈ型（45ＫＨz ， 180Ｗ）超
音波発信器を用いて超音波照射を所定時間行い、ついで
超音波を照射しながら５分間かけて延伸処理を行った。
延伸処理後フイルムをアセトニトリルで洗浄し、 150℃
で５分間緊張下で熱固定を行い冷却後、電導度を測定し
た。尚以下の実施例，比較例においても延伸加工後同様
の処理を行った。
比較例１ 重合例１で得たピロール重合体フイルムをプロピレンカ
ーボネート中に浸漬し、超音波照射しないで延伸処理を
行った。このとき延伸倍率 2.0倍で、電導度は1,125Ｓ
／cmであった。
ーボネート中に浸漬し、超音波照射しないで延伸処理を
行った。このとき延伸倍率 2.0倍で、電導度は1,125Ｓ
／cmであった。
超音波を照射しながら延伸することの効果が認められ
た。
た。
実施例６−８ 重合例２で得られたフイルムを前記超音波発振器を用い
て超音波を10分間照射後、更に超音波を照射しながら５
分かけて延伸処理した。
て超音波を10分間照射後、更に超音波を照射しながら５
分かけて延伸処理した。
比較例２ 重合例２で得たピロール重合体フイルムをプロピレンカ
ーボネート中に浸漬し、超音波照射をしないで延伸処理
を行った。このとき延伸倍率 2.0倍で、電導度は 856Ｓ
／cmであった。
ーボネート中に浸漬し、超音波照射をしないで延伸処理
を行った。このとき延伸倍率 2.0倍で、電導度は 856Ｓ
／cmであった。
実施例９ 重合例３で得られたフイルムを実施例１の超音波発振器
を用いて超音波を10分間照射後、更に超音波を照射しな
がら５分間かけて延伸処理した。
を用いて超音波を10分間照射後、更に超音波を照射しな
がら５分間かけて延伸処理した。
比較例３ 重合例３で得た 3,4−ジメトキシチオフェン重合体フイ
ルムをプロピレンカーボネート中に浸漬し、超音波照射
をしないで延伸処理を行った。このとき延伸倍率 1.4倍
で電導度は 109Ｓ／cmであった。
ルムをプロピレンカーボネート中に浸漬し、超音波照射
をしないで延伸処理を行った。このとき延伸倍率 1.4倍
で電導度は 109Ｓ／cmであった。
実施例10−15 重合例１で得たピロール重合体フイルムをそのまま各種
媒体中に浸漬し、実施例１の超音波発振器を用いて超音
波照射を行った。
媒体中に浸漬し、実施例１の超音波発振器を用いて超音
波照射を行った。
以上のように明らかに超音波処理により電導度の向上が
認められた。
認められた。
実施例16−18 重合例２で得られたフイルをそのまま実施例１の超音波
発振器を用いて超音波処理した。
発振器を用いて超音波処理した。
以上のように明らかに電導度の向上が認められた。
実施例19−20 重合例２で得られたフイルをそのまま、実施例１の超音
波発振器を用いて超音波処理した。
波発振器を用いて超音波処理した。
以上のように明らかに電導度の向上が認められた。
実施例21−26 重合例１で得られたフイルムを延伸配向処理したものは
延伸倍率 2.0倍で電導度 1,125Ｓ／cmであった。このも
のを実施例１の超音波発振器を用いて超音波処理を行っ
た。この結果を以下に示す。
延伸倍率 2.0倍で電導度 1,125Ｓ／cmであった。このも
のを実施例１の超音波発振器を用いて超音波処理を行っ
た。この結果を以下に示す。
以上のように延伸配向処理後の超音波処理でも明らかに
電導度の向上が認められた。
電導度の向上が認められた。
実施例27 500mlのセパラブルフラスコに陽極として表面研磨した
ガラス状カーボン板（東海カーボン製ＧＣ−20）、陰極
として白金ホイルを用いて、蒸留したてのプロピレンカ
ーボネート 400ml，水４mlの混合溶液、テトラメチルア
ンモニウムヘキサフルホスフェート 5.26 ｇ（0.024モ
ル）を入れ、窒素ガスを導入し脱酸素を行った。その後
ピロール 1.61 ｇ（ 0.024モル）を入れた。−20℃に冷
却し窒素気流下、ブランソン製Ｂ 220Ｈ型（45ＫＨz ，
180Ｗ）超音波発振器を用いて超音波を照射しながら電
流密度 0.125 mＡ／cm2で８時間、電解酸化重合を行っ
た。重合終了後生成した８μｍのフイルムを陽極板から
剥離し、アセトニトリルで洗浄し、乾燥した。このもの
の電導度は 610Ｓ／cmであった。このものは 2.7倍の延
伸が可能であり、超音波下での延伸後の電導度は 2,340
Ｓ／cmに達した。
ガラス状カーボン板（東海カーボン製ＧＣ−20）、陰極
として白金ホイルを用いて、蒸留したてのプロピレンカ
ーボネート 400ml，水４mlの混合溶液、テトラメチルア
ンモニウムヘキサフルホスフェート 5.26 ｇ（0.024モ
ル）を入れ、窒素ガスを導入し脱酸素を行った。その後
ピロール 1.61 ｇ（ 0.024モル）を入れた。−20℃に冷
却し窒素気流下、ブランソン製Ｂ 220Ｈ型（45ＫＨz ，
180Ｗ）超音波発振器を用いて超音波を照射しながら電
流密度 0.125 mＡ／cm2で８時間、電解酸化重合を行っ
た。重合終了後生成した８μｍのフイルムを陽極板から
剥離し、アセトニトリルで洗浄し、乾燥した。このもの
の電導度は 610Ｓ／cmであった。このものは 2.7倍の延
伸が可能であり、超音波下での延伸後の電導度は 2,340
Ｓ／cmに達した。
Claims (7)
- 【請求項１】電解酸化重合して得られる導電性高分子フ
イルムを超音波処理することを特徴とする導電性高分子
フイルムの処理方法。 - 【請求項２】超音波処理を、延伸配向処理前、及び／ま
たは延伸配向処理時、及び／または延伸配向処理後に行
なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の導電
性高分子フイルムの処理方法。 - 【請求項３】複素五員環化合物をモノマーとして用いて
電解酸化重合して得られる導電性高分子フイルムを用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の導電性高分子フイルムの処理方法。 - 【請求項４】複素五員環化合物がピロール，ピロール誘
導体及び／またはチオフェン，チオフェン誘導体である
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の導電性高
分子フイルムの処理方法。 - 【請求項５】複素五員環化合物がピロール，ピロール誘
導体であることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第
４項記載のいずれかの導電性高分子フイルムの処理方
法。 - 【請求項６】有機溶媒及び／または水中で処理すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項〜第５項記載のいず
れかの導電性高分子フイルムの処理方法。 - 【請求項７】−50℃− 100℃で処理することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項から第６項記載のいずれかの導
電性高分子フイルムの処理方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP18213287A JPH0625263B2 (ja) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | 導電性高分子フイルムの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18213287A JPH0625263B2 (ja) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | 導電性高分子フイルムの処理方法 |
Publications (2)
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| JPH0625263B2 true JPH0625263B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=16112892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18213287A Expired - Lifetime JPH0625263B2 (ja) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | 導電性高分子フイルムの処理方法 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH0625263B2 (ja) |
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-
1987
- 1987-07-23 JP JP18213287A patent/JPH0625263B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JPS6426648A (en) | 1989-01-27 |
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