JPH0625385A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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Abstract
の発生が少なく成形性に優れ、ガラス転移温度が高い上
に伸びが大きく、接着性が良好であり、かつ低吸湿性の
硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及びこの硬化物で封
止された半導体装置を提供する。 【構成】 〔1〕(a)ナフタレン環含有エポキシ樹脂
と(b)ビフェニル型エポキシ樹脂とを重量比で(a)
成分/(b)成分が0.1〜1の割合で含有するエポキ
シ樹脂、 〔2〕(c)多官能フェノール樹脂と(d)ジシクロペ
ンタジエン型フェノール樹脂とを重量比で(c)成分/
(d)成分が0.5〜3の割合で含有するフェノール樹
脂、 〔3〕無機質充填剤を配合する。このエポキシ樹脂組成
物の硬化物で半導体装置を封止する。
Description
共に、内部ボイド等の発生が少なく成形性に優れ、ガラ
ス転移温度が高い上に伸びが大きく、接着性が良好であ
り、かつ低吸湿性の硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物
及びこの硬化物で封止された半導体装置に関する。
半導体産業の中で樹脂封止型のダイオード、トランジス
タ、IC、LSI、超LSIが主流となっており、なか
でもエポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤を配合
したエポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂に
比べ成形性、接着性、電気特性、機械的特性、耐湿性等
に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を
封止することが多く行われている。しかし最近において
はこれらの半導体装置は集積度が益々大きくなり、それ
に応じてチップ寸法も大きくなりつつある。一方、これ
に対してパッケージ外形寸法は電子機器の小型化、軽量
化の要求に伴い、小型化、薄型化が進んでいる。さら
に、半導体部品を回路基板へ取り付ける方法も、基板上
の部品の高密度化のため半導体部品の表面実装がよく行
われるようになってきた。
場合、半導体装置全体を半田槽に浸漬するか又は半田が
溶融する高温ゾーンを通過させる方法が一般的である
が、その際の熱衝撃により封止樹脂層にクラックが発生
したり、リードフレームやチップと封止樹脂との界面に
剥離が生じたりする。このようなクラックや剥離は、表
面実装時の熱衝撃以前に半導体装置の封止樹脂層が吸湿
していると更に顕著なものとなるが、実際の作業工程に
おいては、封止樹脂層の吸湿は避けられず、このため実
装後のエポキシ樹脂で封止した半導体装置の信頼性が大
きく損なわれる場合がある。
流動性が良好であると共に、内部ボイド等の発生が少な
く成形性に優れ、ガラス転移温度が高い上に伸びも大き
く、接着性が良好であり、かつ低吸湿性の硬化物を与え
るエポキシ樹脂組成物、及び当該エポキシ樹脂組成物の
硬化物で封止された表面実装時の熱衝撃後においても高
い信頼性を有する半導体装置を提供することを目的とす
る。
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、エポキシ樹
脂として(a)下記一般式(1)で示されるナフタレン
環含有エポキシ樹脂と(b)下記一般式(2)で示され
るビフェニル型エポキシ樹脂とを重量比で(a)成分/
(b)成分が0.1〜1となる割合で併用すると共に、
これに硬化剤として(c)下記一般式(3)で示される
多官能フェノール樹脂と(d)下記一般式(4)で示さ
れるジシクロペンタジエン型フェノール樹脂とを重量比
で(c)成分/(d)成分が0.5〜3となる割合で併
用し、更にはこれらに無機質充填剤を組み合わせて配合
した場合、流動性が良好である上、従来のビフェニル型
エポキシ樹脂を主成分とする組成物に比べて成形性に優
れ、内部ボイド等の不良発生が著しく少なく、更にガラ
ス転移温度が高い上にそのガラス転移温度以上の温度領
域で弾性率が低下して伸びが大きくなり、低応力性に優
れ、しかも接着性が良好で、かつ低吸湿性の硬化物を与
えるエポキシ樹脂組成物が得られること、更にこの組成
物の硬化物で封止すると表面実装時の熱衝撃においても
高い信頼性を有する半導体装置を得ることができること
を知見し、本発明をなすに至った。
含有エポキシ樹脂と(b)下記一般式(2)で示される
ビフェニル型エポキシ樹脂とが重量比として(a)成分
/(b)成分=0.1〜1の割合であるエポキシ樹脂、 〔2〕(c)下記一般式(3)で示される多官能フェノ
ール樹脂と(d)下記一般式(4)で示されるジシクロ
ペンタジエン型フェノール樹脂とが重量比として(c)
成分/(d)成分=0.5〜3の割合であるフェノール
樹脂、 〔3〕無機質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物、及
びこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体
装置を提供する。
と、本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、上述したよう
にエポキシ樹脂として(a)ナフタレン環含有エポキシ
樹脂及び(b)ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノール
樹脂として(c)特定の構造を有する多官能フェノール
樹脂及び(d)ジシクロペンタジエン型フェノール樹
脂、更に無機質充填剤を含有してなるものである。
る(a)成分のナフタレン環含有エポキシ樹脂は、下記
一般式(1)で示されるものである。
脂の具体例としては下記の化合物を挙げることができ
る。。
樹脂は下記一般式(2)で示されるもので、これを上述
したナフタレン環含有エポキシ樹脂と併用することによ
り、硬化物の吸湿性と接着性を大幅に改善することがで
きる。
具体的には下記化合物を挙げることができる。
の中では、エポキシ樹脂組成物を低粘度にし、かつエポ
キシ樹脂組成物中の全塩素量を500ppm以下と少な
くする上で上記式(5)で示される化合物が好ましい。
式(1)のナフタレン環含有エポキシ樹脂と式(2)の
ビフェニル型エポキシ樹脂とをナフタレン環含有エポキ
シ樹脂/ビフェニル型エポキシ樹脂の重量比が0.1〜
1、好ましくは0.2〜0.8の割合で使用するもので
ある。重量比が0.1未満では粘度が低くなりすぎ内部
ボイドが発生しすぎる上、ガラス転移温度も低くなる。
重量比が1を超えると接着性が発現しにくくなると共
に、エポキシ樹脂の溶融粘度が高くなりすぎて多ピンの
パッケージや薄型のパッケージを封止する場合、成形性
に問題があり、信頼性の低下につながる。
述したビフェニル型エポキシ樹脂とナフタレン環含有エ
ポキシ樹脂以外にそのほかのエポキシ樹脂を併用して用
いることができる。このようなエポキシ樹脂の中で代表
的なものとしては、1分子中にエポキシ基を少なくとも
2個以上有するエポキシ樹脂があり、具体的にはビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂,フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂,トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂及
びその重合体、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、
フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エ
ポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。
ポキシ樹脂は、エポキシ樹脂全体の50%(重量%、以
下同様)以上、特に70〜85%の割合で使用すること
が好ましい。
硬化剤として作用するフェノ−ル樹脂として後述する特
定構造の多官能フェノール樹脂(c)とジシクロペンタ
ジエン型フェノール樹脂(d)とを併用するもので、こ
れにより組成物の従来にない高ガラス転移温度化と低吸
湿化、高接着化が可能となるものである。
脂としては、下記一般式(3)で示されるものが使用さ
れる。
して具体的には次の化合物を挙げることができる。
型フェノール樹脂としては、下記一般式(4)で示され
るものを使用する。
して具体的には次の化合物を挙げることができる。
た式(3)の多官能フェノール樹脂と式(4)のジシク
ロペンタジエン型フェノール樹脂とを多官能フェノール
樹脂/ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂の重量比
が0.5〜3、好ましくは1〜2の割合で使用する。重
量比が0.5未満ではガラス転移温度が低下してしま
い、3を超えると吸水率の増加、高粘度、接着力の低下
が生じる。
上記多官能フェノール樹脂とジシクロペンタジエン型フ
ェノール樹脂以外にその他のフェノール樹脂として公知
のものを添加することができる。その他のフェノール樹
脂としてはノボラック型フェノ−ル樹脂、レゾ−ル型フ
ェノ−ル樹脂、トリフェノ−ルアルカン型樹脂、ナフタ
レン環含有フェノ−ル樹脂、フェノールアラルキル樹脂
が挙げられ、更にはアミン系硬化剤や酸無水物系硬化剤
等を配合することもできる。中でもナフタレン環含有フ
ェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好適であ
る。
ェノール樹脂は、フェノール樹脂全体の10%以上、特
に40〜100%となるように配合することが好まし
く、とりわけ式(4)のフェノール樹脂が全体の30〜
80%となるように配合することが好ましく、これによ
り高ガラス転移温度、高接着、低吸湿化を図ることがで
きる。
ール樹脂とをエポキシ樹脂中のエポキシ基の量とフェノ
ール樹脂中のフェノール性水酸基の量との比が0.5〜
2、特に0.8〜1.5の範囲にあるように配合するこ
とが好ましく、配合比が上記範囲外になると未反応のエ
ポキシ樹脂もしくはフェノール樹脂が残り十分な強度が
得られなかったり、耐湿性が低下する。
ては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用
することができる。具体的には、例えば溶融シリカ、結
晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化ア
ルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス
繊維等が挙げられる。これらの中でも溶融シリカが望ま
しく、その平均粒径は3〜15ミクロンのものが成形性
の面から望ましい。また、溶融シリカの形状は、高充填
化やチップ表面に対する応力を小さくするため球状のも
のが望ましい。なお、無機質充填剤は、樹脂と無機質充
填剤表面の結合強度を強くするため、予めシランカップ
リング剤などで表面処理したものを配合することが好ま
しい。
用でき、また2種以上を併用するようにしてもよく、そ
の配合量は特に制限されないが、エポキシ樹脂及びフェ
ノール樹脂の合計量100重量部に対して100〜10
00重量部、特に200〜700重量部の範囲とするこ
とが好ましい。
硬化触媒を配合することができる。この硬化触媒として
はイミダゾール化合物、三級アミン化合物、リン系化合
物等が例示される。触媒量としては特に制限されない
が、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計量100重
量部に対し0.1〜2重量部、特に0.4〜1.5重量
部とすることが望ましい。
種の添加剤を配合することができる。例えば熱可塑性樹
脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン
系等の低応力剤、カルナバワックス等のワックス類、ス
テアリン酸等の脂肪酸及びその金属塩、カーボンブラッ
ク、コバルトブルー、ベンガラ等の顔料、酸化アンチモ
ン、ハロゲン化合物等の難燃化剤、グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、アル
キルチタネート類等の表面処理剤、老化防止剤、ハロゲ
ントラップ剤等の添加剤を配合することができる。
に際して上述した成分の所定量を均一に撹拌、混合し、
予め70〜95℃に加熱してあるニーダー、ロール、エ
クストルーダーなどにより混練、冷却し、粉砕するなど
の方法で得ることができる。ここで、成分の配合順序に
特に制限はない。
成物はSOP、SOJ、TSOP、TQFPなどの半導
体装置の封止用に有効に使用でき、この場合、成形は従
来より採用されている成形法、例えばトランスファ成
形、インジェクション成形、注型法などを採用して行う
ことができる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成物の成
形温度は150〜180℃で30〜180秒、ポストキ
ュアーは150〜180℃で2〜16時間行うことが望
ましい。
が良好である上、成形性に優れ、ガラス転移温度が高い
上に伸びが大きく、低応力性に優れ、しかも接着性が良
好で、かつ低吸湿性の硬化物を与えるもので、この組成
物の硬化物で封止することにより、表面実装時の熱衝撃
においても高い信頼性を有する半導体装置を得ることが
できる。
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において部はいずれも重量
部である。なお、実施例及び比較例については次に示す
諸試験を行った。
g/cm2の条件で測定した。
2、成形時間2分の条件で10×4×100mmの曲げ
試験片を成形し、180℃で4時間ポストキュアーした
ものについて215℃で測定した。
により毎分5℃の速さで昇温したときの値を測定した。
kg/cm2、成形時間2分で成形し、180℃で4時
間ポストキュアーした。これを85℃/85%RHの雰
囲気に168時間放置した後、IRリフローを30秒間
行いパッケージクラック数を測定した。
成形し、180℃で4時間ポストキュアーした直径50
mm、厚さ2mmの円板を121℃/100%RHの雰
囲気に24時間放置し、吸水率を測定した。
0kg/cm2、成形時間2分で成形し、180℃で4
時間ポストキュアーした後成形物と42アロイとの接着
力を測定した。
すエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を表1に示す割合で
使用し、かつ下記に示す硬化触媒0.6部、トリフェニ
ルホスフィン0.7部、平均粒径が10ミクロンの溶融
球状シリカ(1)580部、平均粒径が1ミクロンの溶
融球状シリカ(2)120部、三酸化アンチモン8部、
カーボンブラック1.5部、カルナバワックス1部及び
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン3部を熱
2本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して9種
類のエポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ
樹脂組成物について上記方法で諸試験を行った。結果を
表1に併記する。
4.0)ウンデセン−7とフェノールノボラック樹脂
(TD2131,大日本インキ社製)とを20/80
(重量比)の割合で使用し、これらを130℃で30分
加熱溶融混合した後、50ミクロン以下に粉砕したも
の。
成物(実施例)は、流動性が良好な上、成形性に優れ、
ガラス転移温度が高く、かつ伸びも大きく、しかも接着
性が良好で低吸湿性の硬化物を与えることが確認され
た。
Claims (2)
- 【請求項1】 〔1〕(a)下記一般式(1)で示され
るナフタレン環含有エポキシ樹脂と(b)下記一般式
(2)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂とが重量比
として(a)成分/(b)成分=0.1〜1の割合であ
るエポキシ樹脂、 【化1】 〔2〕(c)下記一般式(3)で示される多官能フェノ
ール樹脂と(d)下記一般式(4)で示されるジシクロ
ペンタジエン型フェノール樹脂とが重量比として(c)
成分/(d)成分=0.5〜3の割合であるフェノール
樹脂、 【化2】 〔3〕無機質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項2】 請求項1記載のエポキシ樹脂組成物の硬
化物で封止された半導体装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP20434592A JP2658755B2 (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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Cited By (4)
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1992
- 1992-07-08 JP JP20434592A patent/JP2658755B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1993
- 1993-07-02 EP EP93305194A patent/EP0578446A2/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06256627A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| KR100504289B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-07-27 | 제일모직주식회사 | 고온 내크랙성이 우수한 에폭시 몰딩 컴파운드 조성물 |
| CN100478920C (zh) | 2003-04-28 | 2009-04-15 | 夏普株式会社 | 信息处理装置 |
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|---|---|
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| EP0578446A2 (en) | 1994-01-12 |
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