JPH06254520A - 液化ガス内でのキャビテーションによる洗浄 - Google Patents
液化ガス内でのキャビテーションによる洗浄Info
- Publication number
- JPH06254520A JPH06254520A JP5197402A JP19740293A JPH06254520A JP H06254520 A JPH06254520 A JP H06254520A JP 5197402 A JP5197402 A JP 5197402A JP 19740293 A JP19740293 A JP 19740293A JP H06254520 A JPH06254520 A JP H06254520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pressure
- chamber
- temperature
- cavitation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- D06F—LAUNDERING, DRYING, IRONING, PRESSING OR FOLDING TEXTILE ARTICLES
- D06F19/00—Washing machines using vibrations for washing purposes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/02—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
- B08B7/026—Using sound waves
- B08B7/028—Using ultrasounds
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- D06F—LAUNDERING, DRYING, IRONING, PRESSING OR FOLDING TEXTILE ARTICLES
- D06F43/00—Dry-cleaning apparatus or methods using volatile solvents
- D06F43/007—Dry cleaning methods
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- D06F—LAUNDERING, DRYING, IRONING, PRESSING OR FOLDING TEXTILE ARTICLES
- D06F43/00—Dry-cleaning apparatus or methods using volatile solvents
- D06F43/08—Associated apparatus for handling and recovering the solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Extraction Or Liquid Replacement (AREA)
- Medicines That Contain Protein Lipid Enzymes And Other Medicines (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
めの単純で安価な、また無害で再生可能な洗浄媒体を使
用する洗浄システム及び装置を得る。 【構成】超音波ノズル等のキャビテーション発生器付の
洗浄室内の洗浄媒体の温度及び圧力の両方を夫々の臨界
値より少し下に制御してキャビテーションを発生させて
洗浄する。またその前または後に媒体を夫々の臨界値よ
りも高い温度と圧力の稠密相のガスにして固化した可溶
性の汚染物を取除く。使用されるガスは、CO2 が最適
であるが、亜酸化窒素、六弗化硫黄、及びキセノンも使
用できる。
Description
キャビテーションの使用、特にキャビテーションを有す
る液体二酸化炭素の様な液化ガスを採り入れて、複雑な
材料及びハードウエアを含む、広範囲に亘る色々な基体
の洗浄度を高める処理に関する。
てきた。従来の工程では、超音波処理をする媒体(soni
cating media)は、有機溶剤、水、或いは水溶液であ
り、超音波エネルギーがその媒体に加えられてキャビテ
ーションを、即ち気泡の形成及び続くそれらの潰壊を促
進する。超音波処理の洗浄に適してはいるが、両方の種
類の溶剤は欠点を有する。多くの基体は水性媒体への晒
しに続く過酷な乾燥工程を必要とし、これはしばしば時
間を消費する熱の移動(excursion )である。超音波処
理の媒体としての有機溶剤の使用は化学薬品処理の問題
を提示し、厳しい規制の管理を受ける。他の欠点は有機
物か或いは微粒子かの取り除かれた汚染物の取扱いに関
する。汚染物が放射性の粒子の様な管理材料(controll
ed material)である時、溶液或いは懸濁液内でその量
がかなり増加すると、これは更なる前処理/廃棄の問題
を提示する。
ーン(sonic horn)はしばしば音波のエネルギーを生成
するのに使用される。別の工程では、キャビテーション
・ノズルが使用され得る。例えば1990年3月6日出
願のピサニ氏(J.Pisani)による、“冷却塔と一緒に使
用される冷却水内の酸化し得る汚染物を取り除くための
方法”という標題の米国特許第 4,906,387号明細書と、
1991年2月5日出願のピサニ氏(J.Pisani)によ
る、“水中の酸化し得る汚染物を取り除いて工業用の高
純度の水を得るための方法及び装置”という標題の米国
特許第 4,990,260号明細書とが、水中のキャビテーショ
ンを誘起して水を解離させ、酸化剤として働く水酸遊離
基(hydroxyl free-radical )を生成するための方法を
開示する。ピサニ氏の製法では、紫外線放射がキャビテ
ーションと組合せて利用されて、水酸遊離基によって始
められる酸化工程を続ける。ピサニ氏の工程に於けるキ
ャビテーションは“臨界流れ(critical flow )”のノ
ズルによって生成される。
相を利用する他のタイプの洗浄工程が、ジャクソン氏
(D.P.Jacson)他、によって出願された米国特許第 5,0
13,366号明細書によって開示且つ権利請求され、本出願
と同じ出願人に譲渡された。その工程は臨界圧で或いは
それ以上で稠密な相のガスを使う。それから稠密な相の
ガスの相は、臨界値より高い圧力を維持しつつ、一連の
ステップで稠密な流体の臨界温度より高い温度と低い温
度との間で稠密な流体の温度を変化させることによって
液体の状態と超臨界状態との間をシフトさせられる。流
体の例は、(1)メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘクサン、エチレン、及びプロピレンの様な
炭化水素;(2)四弗化メタン、クロロ二弗化メタン、
及び過弗化プロパンの様なハロゲン化炭化水素;(3)
二酸化炭素、アンモニア、ヘリウム、クリプトン、アル
ゴン、六弗化硫黄、及び亜酸化窒素の様な無機物;及び
(4)それらの混合物を含む。代りの実施例で、稠密な
相のガスは洗浄工程の間、紫外線(UV)の放射に晒さ
れ得るか、或いは超音波のエネルギーが洗浄工程の間加
えられて稠密な相のガスと基体の表面とを揺り動かし得
る。
れる目的に良く適しているが、単純化された工程で手頃
な値段の、無毒性の洗浄媒体を採用する洗浄工程の様に
更に向上させることが望ましい。
と、選ばれた基体から望ましくない材料は、(a)キャ
ビテーション生成手段を具備する洗浄室内に望ましくな
い材料を含む基体を配置すること;(b)約50゜C未
満の温度で約100気圧(103.3kg/cm2 )或
いはそれ以下の圧力を選択されたガスに加える事によっ
て作られる液化ガスを洗浄室内に導き入れ、望ましくな
い材料を含む基体にその臨界温度より低い温度で液化ガ
スを接触させる事によって;且つ(c)望ましくない材
料を基体から取り除くのに十分な時間の間、液化ガスを
キャビテーション生成手段に晒すこと;とのステップを
具備する工程によって取り除かれる。
で無毒性の物質である。液体CO2を使用する洗浄工程
は比較的単純で、液体CO2 内に取り上げられる汚染物
は、例えば液体の減圧によって、或いは濾過によって、
或いはその2つの組合わせによって、そこから容易に取
り除かれる。他の適切な液化可能なガスが使用され得
る。
ビテーションを利用することによって固体表面から取り
除かれ得る。ここでキャビテーションとは液体内での気
泡即ち空洞の形成と、これに続くこれ等の気泡の潰壊を
意味するのに使用される。この工程の斬新な態様は、使
用される媒体:その臨界温度より低い温度で使用される
選択された液化ガス、の特性である。
は、温度及び圧力の適度な状態、即ち通常、実際的な目
的のために約100気圧(103.3kg/cm2 )以
下の圧力と、約50゜C未満の温度で液化されることが
できるガスが選択される。更に実際的な目的のために、
ガスは無毒性で、不燃性で、環境に何等の害ももたらさ
ないことも望ましい。本発明を実施するのに適切なガス
は、これ等に限定されないが、二酸化炭素、亜酸化窒素
(N2 O)、六弗化硫黄(SF6 )、及びキセノンを含
む、しかし最も好ましいのは二酸化炭素である。下記の
説明で、二酸化炭素は本発明を実施する際に使用され得
る1つのガスの例として使われるが、本発明はそれに限
定されないことが理解されるべきである。
無毒性で、且つ容易に液化可能な天然の資源である。そ
れは、液化されると、比較的低い圧力(1平方インチ当
り約600乃至1、040ポンド、即ち約42.2乃至
73.1kg/cm2 )と適度な温度(約10゜乃至3
0゜C)で、良好な低い粘性の超音波処理の媒体とな
る。これ等の値はCO2 の臨界圧力75.3kg/cm
2 及び臨界温度32゜Cより低い。
ーション作用は、好ましくは5乃至100キロヘルツの
周波数を持つエネルギーを生成する変換器の様な手段に
よってもたらされ得る。その様な変換器の1つの例は、
図1及び2を参照して更に詳細に説明される様な超音波
処理ホーンである。本発明の代りの実施例で、キャビテ
ーションは例えばピサニ氏によって米国特許第 4,990,2
60号で開示された公知のキャビテーション“臨界流れ”
ノズルを使用することによって生成されることができ、
その内容はここで参考として採り入れられる。その様な
キャビテーション・ノズル内で、気泡は液体の流体動力
圧(hydrodynamic pressure )を液体の蒸気圧より低く
低めることによって液体内に作られる。気泡はその様に
形成されて、圧力が釣り合う時に潰壊する。この潰壊は
非常に高い圧力を生じ、続いて衝撃波を生じる。本発明
のこの代りの実施例は、キャビテーション・ノズルのア
レイを示す図3を参照して更に説明される。代りに、本
発明の実施の際に必要とされるキャビテーション作用
は、当業者に公知の様にプロペラ手段、或いは羽根によ
ってもたらされ得る。
れる抽出器/洗浄容器10を示す。洗浄容器10は、ステン
レス鋼の様な適切な材料で作られる壁付き洗浄室12を具
備し、工程中に使用される圧力に耐えるのに十分な厚さ
の壁を備える。洗浄室12は、同じくその様に十分な厚さ
の蓋14を具備する。洗浄室12は更に、変換器18(ブース
タを持つものと持たないものがある)によって作動させ
られる超音波処理ホーン16を具備するキャビテーション
手段を更に具備する。超音波処理をするホーン16はその
節点で洗浄室12に装着されて、超音波エネルギーの液体
CO2 への効率的な移動を可能にする。ホーン16は洗浄
室12の図1に示される様に上部か、図2に示される様に
上部及び底部の両方か底部かに、或いは(両)側部上か
に装着され得る。その代りにホーン16及び変換器18は両
方共、完全に洗浄室12内に配置され得る。変換器は、パ
ワー手段(図示されていない)によってパワーが与えら
れる発振器20によってエネルギーを与えられる。
面積、基体からのホーンの距離、更に加えて発振器のパ
ワーと変換器の作動周波数は、工程される個々の汚染物
及び基体によって決まる。通常、基体の近くにホーンを
置くこととホーンの面積を減らすことすことによってよ
り激しく音波の揺り動かしが行われるという結果になる
であろう。ホーンの面積を増やすことによってより大き
い領域に広げられるより低い揺り動かしのレベルをもた
らすであろう。
段24とを更に具備する。随意で、攪拌器26はほぼ均一な
温度を、また平衡状態では、その圧力はその温度によっ
て決定されるのでほぼ均一な圧力を維持するために超音
波処理の間、液体CO2 を攪拌するのに使用されること
ができる。
プルは、バッスケット30の様な基体ホールダ内に吊され
て、望ましくない素材の除去のためにCO2 によって接
触させられ得る。
と、外部の冷却ジャケット32と、冷却室内で必要とされ
る温度を維持するために使用される熱電対用の窪み(we
ll)33とを組入れ得る。更に圧力ゲージ(或いは圧力変
換器)が洗浄室12内の圧力を測定して制御するのに使用
され得る。洗浄室12は、随意でポート(図示されていな
い)を有して、外置きの液体レベル指標器(図示されて
いない)を取付けて、隔室12内の液体CO2 のレベルを
示させ得る。
温度及び圧力と超音波処理の条件(周波数、超音波処理
の時間、等)を含む。二酸化炭素或いは他のガスは液体
状でなければならない。従って、温度及び圧力は三重点
(例えば、CO2 の場合、−57゜Cと、平方インチ当
り75ポンド即ち5.3kg/cm2 )より高くなけれ
ばならない。更に温度は臨界温度よりも低くなければな
らない。圧力は臨界圧力よりも高いか或いは低いかの何
れかであり得るが、音波利用のキャビテーションが邪魔
される程高くはない。キャビテーションは与えられる温
度での平常の蒸気圧(natural vapor pressure)より約
200psi(14.1kg/cm2 )高い圧力で妨害
されるであろう。
と洗浄能力が下がるので、好ましくは、温度は約18゜
C乃至臨界値より少し低い範囲にあることが好ましい。
平衡状態の下では圧力は温度によって決められ、従って
二酸化炭素に対しては好ましくは平方インチ当り約82
0ポンド(約57.7kg/cm2 )乃至その臨界値よ
りも少し低い点までの範囲にあることが好ましい。
て行われるわけではなく、何等かの市販の装置が使用さ
れ得る。通常、市販の超音波発振器は約20乃至90キ
ロヘルツの周波数で作動し、これ等の発生器は本発明の
実施の際に上手く使用される。
イクロメータの範囲に亘り得る。振幅がより大きくなれ
ば、取り除き難い微粒子のための洗浄力がより大きくな
るであろう。より低い振幅は、壊れやすい基体の破損を
防ぐのに必要とされ得る。
12内へ導き入れられる。それから液体CO2 は、当業者
に公知である様に、流れ率、温度、及び圧力とが制御さ
れた状態で源(図示されていない)から取入れ口22を通
って洗浄室12内へ導き入れられる。液体CO2 は、上記
で示された様にCO2 の臨界値よりも低い温度で導き入
れられる。温度は予め加熱された或いは冷却されたCO
2 でその室を満たす事によってか、或いはその室を加熱
或いは冷却することによってか、の何れかで制御される
事ができる。通常、圧力は与えられる温度でのCO2 の
蒸気圧によって決められるであろう。場合によっては、
高くされた圧力を供給してより強いキャビテーション生
じさせる事が好ましくあり得る。この付加圧力を提供す
るために窒素の様な不可凝縮ガス(即ち本発明の工程が
実施される温度で液化されないガス)が、圧縮機或いは
高圧のガス・シリンダによって室へ導き入れられる事が
出来る。付加圧力は、液体CO2 で完全に満たされた室
を満たし、取入れ或いは排出の流れの圧力を制御する事
によっても提供される事ができる。
び振幅で適用される。超音波処理の時間は、洗浄される
個々のサンプル、及び取り除かれる望ましくない物質即
ち汚染物の性質によって決まる。幾つかのサンプルは、
長い時間の間、超音波処理に晒され得ない。他方、幾つ
かの望ましくない物質は他の物よりも取り除くのにより
長い時間がかかる。単純な実験により、ほぼ全ての汚染
物質を取除くための音波処理に対する最良の時間が決め
られるであろう。一般に、少なくとも約30秒間、場合
によっては恐らく最大約5分間が必要とされる、音波処
理が、かなりの量の汚染物質を取除くのに期待される。
しかしある環境の下では、上記で説明された理由のため
に、更にずっと長い音波処理さえもが必要とされ得る。
2 の除去が始められる。除去ステップに続いて、必要と
される様に室はサンプルの取出しのために減圧され得る
か、或いは、洗浄ステップが繰り返され得る。サンプル
が十分にきれいであるかどうかを決定するために、基体
の視覚的検査、或いは微粒子の濃度、及び/或いは有機
物膜の存在の測定が適切に行われ得る。
プル28は、洗浄室12内に積まれ、それからそれは閉鎖さ
れて予め決められた時間の間CO2 で浄化される。室
は、個々の汚染物及び基体によって決められる適切な超
臨界レベルまで圧力を加えられ加熱されて、大部分の有
機汚染物を取除く。特に、圧力及び温度の両方はCO2
の臨界値を越える様に調整される。サンプルは、超臨界
のCO2 内で可溶性の汚染物(ここでは“可溶性汚染
物”と記される)を溶解するのに十分な時間の間、稠密
な、或いは超臨界の、相で、CO2 に晒される。
て、CO2 を液化する。液体CO2 の音波処理が始めら
れて、上で説明された様に取除き難い微粒子及び/或い
は有機物膜の汚染物を取除く。超音波処理による処理及
び超臨界のCO2 による処理のステップは、サンプルを
洗浄するのに必要とされるだけの回数繰り返され得る。
プルは本発明の工程に従って処理され、その後で、CO
2 を超臨界状態へ再加圧及び再加熱することによって稠
密な相のガスの洗浄を受けさせる。この2つのステップ
の工程は、例えば微粒子と可溶性汚染物との凝固した混
合物を取除くのに有用である。
物(有機物或いは微粒子)がキャビテーション媒体から
容易に分離され得る、閉鎖ループの再循環CO2 再生シ
ステムが採用される。これは減圧、濾過、或いは両方の
組合わせの何れかによって達成され得る。液体CO2 の
減圧によって、ガス状のCO2 が形成されて、汚染物が
容易な処分を可能にする濃縮された形で分離する。従っ
て残りの清浄なガス状CO2 の部分は液体状に再圧縮さ
れ、清浄な液体CO2 は洗浄室12へ再循環される。この
工程を完了するために、汚染物を含む液化ガスは排出手
段24を通って室12から処理装置(図示されていない)へ
運ばれる。処理装置内で、汚染物を含んだ液化ガスは、
上記で説明された様に減圧及び/或いは濾過される。そ
れから清浄な液体CO2 は、配管(図示されていない)
によって取入れ手段22を通って室12内へ運ばれる。
で、色々な表面が本発明の工程によって洗浄され得る。
本発明の工程は色々な材料から形成される広範囲に亘る
色々な基体を洗浄するのに使用される。本工程は、解体
を必要とせずに複雑なハードウエアを洗浄するのに特に
上手く取入れられる。幾つかの例示的な洗浄の応用は;
ハンダ付けされたコネクタ、ケーブル、及び普通の回路
板のフラックスの除去;基板からの感光レジストの除
去;先端に綿或いは発泡材を付けた塗布器(cotton or
form-tipped applicator)、ワイパ、グローブ、等;複
雑なハードウエアのグリース除去;及びポンプ、変圧
器、リベット、絶縁物、ハウジング、線形ベアリング、
光学台組立て、加熱パイプ、スイッチ、ガスケット、及
び活性金属ケーシングを含む電気光学の、レーザの、及
び宇宙船の複雑なハードウエアの汚れを落とすこと;を
含む。本発明に従って基体から取除かれ得る汚染素材
は、油、グリース、潤滑剤、ハンダ・フラックス残留
物、感光レジスト、無機材料或いは有機材料を含む微粒
子、接着剤残留物、可塑剤、未反応モノマ、染料、及び
誘電体流体を含むが、それらに限定されない。本工程に
よって汚染物が取除かれ得る通常の基体は、金属、ゴ
ム、プラスチック、綿、セルロース、セラミックス、及
び他の有機或いは無機の化合物を含むが、それらに限定
されない。基体は単純な或いは複雑な形状を有し得て、
他の公知の方法によっては洗浄し難い隙間の空間を具備
し得る。更に、基体は微粒子体の或いは他の細かく分割
された素材の形状であり得る。本発明は、グリースの除
去、テープ残留物の除去、及び機能的流体(functional
fluid)の除去の様な粗清浄化工程への応用を有し、更
に高レベルの清浄度の複雑なハードウエアの精清浄化に
特に上手く適応する。
ている、本発明を実施するのに採用され得る第1の代り
の洗浄容器の切取り図である。図2で使用される参照記
号は、図1で使用されるものと同じである。図2では、
洗浄室12は図1のシステムに於ける様に、蓋14内に音波
処理ホーンを装着する事によって、変換器(ブースタを
持つものと持たないものがある)によって作動させられ
る音波処理ホーン16を具備する。図2では、洗浄室12は
室の底壁40に第2の音波処理ホーン36と第2の変換器38
とを更に具備する。2つの音波処理ホーンを使用する、
図2で示される形状は、室12全体に亘って均一な音波処
理を提供する。この形状の変形実施例は、室12の上及び
側壁、底及び側壁、或いは両側壁内の色々な位置に音波
処理ホーンを付けて使用され得る。図を平明にするため
に、加熱要素31、冷却ジャケット32、熱電対の窪み33、
圧力計34、及び攪拌器26とは図2から省かれているが、
図1で示されたのと同じ様に本発明のこの実施例内に含
まれる。
が使用されている、本発明を実行するのに採用され得る
第2の代替洗浄容器のための洗浄室の一部分の切取り図
である。本発明のこの実施例では、音波処理ホーン18が
取り除かれ、図1の洗浄室12が図3に示される洗浄室50
に置き換えられる事を除いて、図1と同じ構成要素が使
用される。室50の各壁は、例えば室の壁内の適切な寸法
の孔を空けることによって、室の壁と統合して形成され
るキャビテーション・ノズルのアレイ52を具備する。流
れ率、温度、及び圧力の制御された状態の下で、液化ガ
スは源(図示されていない)から取入れ手段54、56、及
び58を通って室50内へ導き入れられる。液化ガスは空間
60内へ、それからノズル52を通って、洗浄される基体
(図示されていない)を保持する洗浄領域62内へ流れ
る。当業者に公知の様に、源の圧力は、必要とされる圧
力の低下をもたらしてキャビテーションを生じさせるで
あろうノズルでの流速を起こすのに十分に高くなければ
ならない。随意で、室50は4つ目の(即ち上部の)壁内
にキャビテーション・ノズルのアレイ52を更に具備し得
る。作業時に図3の洗浄容器は、キャビテーション・ノ
ズルが第1回での超音波処理ホーンに置き換わっている
ことを除いて図1の洗浄容器と同じ様に使用される。適
切なキャビテーション・ノズルは例えばコネチカット州
ニューヨーク市のソニック・エンジニアリング・コーポ
レーション(Sonic Engineering Corporation,Norwalk,
Connecticut )より市販されている。
汚染されたプラスチック(アクリル)部品が、図1を参
照して説明された型の洗浄容器を使って、液体CO2 に
浸して超音波処理する事によって洗浄された。下の表1
は、超音波変換器18に印加されるパワー、液体CO2 の
温度、CO2 の公称圧力(ポンド/平方インチ、psi
で、及びKg/cm2 で)、超音波処理時間、及び洗浄
率を表にしたものである。部品は視覚的に検査され、5
が最少の汚染状態である1乃至5の値を割り当てられ
た。特に、値1はアルミナ粒子の汚染の結果としてプラ
スチック部品上の僅かな曇りを示し;値5は粒子が殆ど
全く無い事を示す。
20は、20キロヘルツの周波数でオハイオ州シンシナテ
ィ市のテクマ社(Tekmar)より購入されたテクマ・ソニ
ック・ディスラプタ(Tekmer Sonic Disruptor)であっ
た。超音波処理ホーン16は、5インチ(12.7cm)
のエキステンダを具備する0.50インチ(1.27c
m)であった。
より高い温度及び圧力と、より高いパワー及び超音波処
理時間とで獲得されることを立証する。音波エネルギー
の入力部上の液体CO2 の温度の影響が研究された。下
記の表IIは液体CO2 の超音波に対するエネルギー入力
データを表にしたものである。各場合のCO2 の量は
5.7リットルであった。表IIで、Tは温度、Pは圧力
である。
られる結果として、液体CO2 内で如何に上手くキャビ
テーションが起るかの尺度を提供する。特に、より低い
温度でパワー出力はかなり下がる。
ら汚染物を取除くための工程が開示された。色々な変形
実施例及び明白な特性の変更実施例が、本発明の範囲を
逸脱する事なしに作られ得て、その様な変形実施例及び
変更実施例の全てが、請求の範囲によって規定される様
に、本発明の範囲内に入る様に意図される事はこの技術
の当業者によって理解されるであろう。
ている超音波処理をするホーンである本発明の実施の際
に採用される1つの洗浄容器の切取り図。
上部及び底部の置かれている、本発明の実施の際に採用
され得る第1の代りの洗浄室の切取り図。
ン・ノズルを具備する、本発明の実施の際に採用され得
る第2の代りの洗浄室の一部分の切取り図。
…超音波処理ホーン、18、38…変換器、20…発生器、2
2、54、56、58…取入れ手段、24…排出手段、26…攪拌
器、28…サンプル、30…バスケット、31…加熱要素、32
…冷却ジャケット、33…熱電対の窪み、34…圧力計、40
…底壁、52…キャビテーション・ノズル、60…空間、62
…洗浄領域。
Claims (10)
- 【請求項1】 (a)キャビテーション生成手段(16,3
6,52)を具備する洗浄室(12)内に好ましくない素材を
含む基体を配置することと; (b)約50゜Cより低い温度で約100気圧(10
3.3Kg/cm2)か或いはそれよりも低い圧力を選
択されたガスに加えることによって形成される液化ガス
を前記洗浄室内に導き入れることと、前記ガスの臨界温
度よりも低い温度で前記液化ガスを前記望ましくない素
材を含む前記基体と接触させることと; (c)前記洗浄室内の前記液化ガスを、前記望ましくな
い素材を前記基体から取除くのに十分な時間の間前記キ
ャビテーション生成手段に晒すこと:とのステップを具
備する前記選択された基体(28)から望ましくない前記
素材を取除くための工程。 - 【請求項2】 前記ガスが、二酸化炭素、亜酸化窒素、
六弗化硫黄、及びキセノンから構成されるグループから
選択される請求項1の工程。 - 【請求項3】 以下のステップ:(1)前記望ましくな
い素材を含む基体を前記液化ガスに接触させるのに先立
って、前記ガスの臨界圧力よりも高い圧力と、前記ガス
の臨界温度よりも高い温度の稠密な相の前記ガスを、前
記稠密な相の前記ガス内で可溶性である前記望ましくな
い素材を取除くのに十分な時間の間、前記基体に接触さ
せること、或いは(2)前記晒しのステップの後、前記
基体を前記ガスの臨界圧力よりも高い圧力と、前記ガス
の臨界温度よりも高い温度の稠密な相の前記ガスと、前
記稠密な相の前記ガス内で可溶性である前記望ましくな
い素材を取除くのに十分な時間の間、接触させること:
の中の少なくとも1つの実行を更に含む請求項1の工
程。 - 【請求項4】 前記晒しのステップの後に、前記望まし
くない素材を含む前記液化ガスを処理して前記望ましく
ない素材を取除き、前記処理された液化ガスを前記洗浄
容器へ戻すステップを更に具備する請求項1の工程。 - 【請求項5】 前記ガスが二酸化炭素であり、前記温度
が約−57゜C乃至32゜C未満の範囲にあって、前記
圧力が約75ポンド/平方インチ(約5.3Kg/cm
2 )乃至前記温度でのCO2 の蒸気圧よりも高い、約2
00ポンド/平方インチ(約14.1Kg/cm2 )の
範囲にある請求項1の工程。 - 【請求項6】 前記晒しが少なくとも約30秒の時間の
間行われる請求項1の工程。 - 【請求項7】 前記キャビテーション生成手段が、超音
波揺り動かし手段(16、36)、キャビテーション・ノズ
ル手段(52)、及びキャビテーション・プロペラ手段か
ら構成されるグループから選択される請求項1の工程。 - 【請求項8】 少なくともステップ(c)が少なくとも
1回は繰返される請求項1の方法。 - 【請求項9】 以下のステップ:(1)不可凝縮性のガ
スを加えること、或いは(2)前記液化ガスの平常の蒸
気圧よりも高い圧力の液化ガスで前記容器を完全に満た
すこと、の中の1つによって前記洗浄容器内の圧力が、
前記平常の蒸気圧よりも高く上げられる請求項1の工
程。 - 【請求項10】 (a)前記液化ガスと、前記望ましく
ない素材を含む前記基体とを入れるための前記洗浄室
と; (b)前記液化ガス内にキャビテーションを生成するた
めに、前記室内に配置される、前記キャビテーション生
成手段と; (c)前記室内の圧力を制御するために前記室に連結さ
れる圧力制御手段(34)と; (d)前記室内の温度を制御するために前記室に連結さ
れる温度調節手段(31,32,33)と; (e)前記液化ガスを前記室内へ導き入れるための前記
室の取入れ手段(22)と; (f)前記液化ガスを前記室から取除くための前記室の
排出手段(24):とを具備し前記基体から前記望ましく
ない素材を取除くための請求項1の工程を採用するシス
テム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/927,443 US5316591A (en) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | Cleaning by cavitation in liquefied gas |
| US927443 | 1997-09-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06254520A true JPH06254520A (ja) | 1994-09-13 |
| JP2644169B2 JP2644169B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=25454731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5197402A Expired - Lifetime JP2644169B2 (ja) | 1992-08-10 | 1993-08-09 | 液化ガス内でのキャビテーションによる洗浄 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5316591A (ja) |
| EP (1) | EP0583653B2 (ja) |
| JP (1) | JP2644169B2 (ja) |
| KR (1) | KR940003623A (ja) |
| CA (1) | CA2101142A1 (ja) |
| DE (1) | DE69305800T3 (ja) |
| TW (1) | TW233272B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022507790A (ja) * | 2018-11-19 | 2022-01-18 | センス マテリアルズ リミテッド | キャビテーションによる微小材料の分散 |
Families Citing this family (127)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5339844A (en) † | 1992-08-10 | 1994-08-23 | Hughes Aircraft Company | Low cost equipment for cleaning using liquefiable gases |
| US5456759A (en) * | 1992-08-10 | 1995-10-10 | Hughes Aircraft Company | Method using megasonic energy in liquefied gases |
| CA2120537A1 (en) * | 1993-04-12 | 1994-10-13 | Thomas B. Stanford, Jr. | Megasonic cleaning system using compressed, condensed gases |
| US5456758A (en) * | 1993-04-26 | 1995-10-10 | Sematech, Inc. | Submicron particle removal using liquid nitrogen |
| EP0741637B1 (en) | 1994-01-31 | 1999-07-28 | Bausch & Lomb Incorporated | Treatment of contact lenses with supercritical fluid |
| EP0681317B1 (en) * | 1994-04-08 | 2001-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Method for cleaning semiconductor wafers using liquefied gases |
| KR0137841B1 (ko) * | 1994-06-07 | 1998-04-27 | 문정환 | 식각잔류물 제거방법 |
| DE69521267T2 (de) * | 1994-11-08 | 2002-03-07 | Raytheon Co., Lexington | Trockenreinigung von Kleidungstücken unter Verwendung von Gasstrahlverwirbelung |
| EP0791093B1 (en) * | 1994-11-09 | 2001-04-11 | R.R. STREET & CO., INC. | Method and system for rejuvenating pressurized fluid solvents used in cleaning substrates |
| US5711820A (en) * | 1994-12-20 | 1998-01-27 | Allied Signal, Inc. | Method to separate and recover oil and plastic from plastic contaminated with oil |
| JPH08238463A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Ebara Corp | 洗浄方法及び洗浄装置 |
| US6148644A (en) | 1995-03-06 | 2000-11-21 | Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. | Dry cleaning system using densified carbon dioxide and a surfactant adjunct |
| US5676705A (en) * | 1995-03-06 | 1997-10-14 | Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. | Method of dry cleaning fabrics using densified carbon dioxide |
| DE19509573C2 (de) | 1995-03-16 | 1998-07-16 | Linde Ag | Reinigung mit flüssigem Kohlendioxid |
| US5783082A (en) * | 1995-11-03 | 1998-07-21 | University Of North Carolina | Cleaning process using carbon dioxide as a solvent and employing molecularly engineered surfactants |
| DE19618974A1 (de) * | 1996-05-10 | 1997-11-13 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial |
| US5756657A (en) * | 1996-06-26 | 1998-05-26 | University Of Massachusetts Lowell | Method of cleaning plastics using super and subcritical media |
| US5868856A (en) * | 1996-07-25 | 1999-02-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing inorganic contamination by chemical derivitization and extraction |
| US5868862A (en) * | 1996-08-01 | 1999-02-09 | Texas Instruments Incorporated | Method of removing inorganic contamination by chemical alteration and extraction in a supercritical fluid media |
| US5881577A (en) * | 1996-09-09 | 1999-03-16 | Air Liquide America Corporation | Pressure-swing absorption based cleaning methods and systems |
| US6039059A (en) * | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
| US5822818A (en) * | 1997-04-15 | 1998-10-20 | Hughes Electronics | Solvent resupply method for use with a carbon dioxide cleaning system |
| TW539918B (en) | 1997-05-27 | 2003-07-01 | Tokyo Electron Ltd | Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
| US6306564B1 (en) | 1997-05-27 | 2001-10-23 | Tokyo Electron Limited | Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide |
| US6500605B1 (en) | 1997-05-27 | 2002-12-31 | Tokyo Electron Limited | Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process |
| US5904156A (en) * | 1997-09-24 | 1999-05-18 | International Business Machines Corporation | Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's |
| US6012307A (en) * | 1997-12-24 | 2000-01-11 | Ratheon Commercial Laundry Llc | Dry-cleaning machine with controlled agitation |
| US5850747A (en) * | 1997-12-24 | 1998-12-22 | Raytheon Commercial Laundry Llc | Liquified gas dry-cleaning system with pressure vessel temperature compensating compressor |
| US6070440A (en) * | 1997-12-24 | 2000-06-06 | Raytheon Commercial Laundry Llc | High pressure cleaning vessel with a space saving door opening/closing apparatus |
| US5858107A (en) * | 1998-01-07 | 1999-01-12 | Raytheon Company | Liquid carbon dioxide cleaning using jet edge sonic whistles at low temperature |
| US6426136B1 (en) | 1998-02-10 | 2002-07-30 | R & D Technology, Inc. | Method of reducing material size |
| US5977045A (en) * | 1998-05-06 | 1999-11-02 | Lever Brothers Company | Dry cleaning system using densified carbon dioxide and a surfactant adjunct |
| US6113708A (en) * | 1998-05-26 | 2000-09-05 | Candescent Technologies Corporation | Cleaning of flat-panel display |
| US6048369A (en) * | 1998-06-03 | 2000-04-11 | North Carolina State University | Method of dyeing hydrophobic textile fibers with colorant materials in supercritical fluid carbon dioxide |
| US5996155A (en) * | 1998-07-24 | 1999-12-07 | Raytheon Company | Process for cleaning, disinfecting, and sterilizing materials using the combination of dense phase gas and ultraviolet radiation |
| US6343609B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Cleaning with liquified gas and megasonics |
| US6277753B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-08-21 | Supercritical Systems Inc. | Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
| US7064070B2 (en) * | 1998-09-28 | 2006-06-20 | Tokyo Electron Limited | Removal of CMP and post-CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
| JP2000263337A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-09-26 | Japan Science & Technology Corp | 金属部品等の表面改質および洗浄方法およびその装置 |
| US6630032B2 (en) | 1999-02-26 | 2003-10-07 | Prowell Technologies, Ltd. | Method and apparatus for dislodging accrued deposits from a vessel |
| US6212916B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-04-10 | Sail Star Limited | Dry cleaning process and system using jet agitation |
| US6260390B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-07-17 | Sail Star Limited | Dry cleaning process using rotating basket agitation |
| US6766179B1 (en) * | 1999-10-04 | 2004-07-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Cross-shape layout of chinese stroke labels with lyric |
| US6355072B1 (en) | 1999-10-15 | 2002-03-12 | R.R. Street & Co. Inc. | Cleaning system utilizing an organic cleaning solvent and a pressurized fluid solvent |
| US6558432B2 (en) | 1999-10-15 | 2003-05-06 | R. R. Street & Co., Inc. | Cleaning system utilizing an organic cleaning solvent and a pressurized fluid solvent |
| US6755871B2 (en) * | 1999-10-15 | 2004-06-29 | R.R. Street & Co. Inc. | Cleaning system utilizing an organic cleaning solvent and a pressurized fluid solvent |
| US7097715B1 (en) | 2000-10-11 | 2006-08-29 | R. R. Street Co. Inc. | Cleaning system utilizing an organic cleaning solvent and a pressurized fluid solvent |
| US6748960B1 (en) | 1999-11-02 | 2004-06-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces |
| CA2387341A1 (en) | 1999-11-02 | 2001-05-10 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces |
| KR100566032B1 (ko) * | 1999-11-11 | 2006-03-30 | 휴글엘렉트로닉스가부시키가이샤 | 제진장치 |
| US6776801B2 (en) | 1999-12-16 | 2004-08-17 | Sail Star Inc. | Dry cleaning method and apparatus |
| SE515491C2 (sv) * | 1999-12-27 | 2001-08-13 | Electrolux Ab | Förfarande och anordning för rengörning av porösa material medelst koldioxid |
| US6663954B2 (en) | 2000-01-03 | 2003-12-16 | R & D Technology, Inc. | Method of reducing material size |
| US6261326B1 (en) | 2000-01-13 | 2001-07-17 | North Carolina State University | Method for introducing dyes and other chemicals into a textile treatment system |
| US6890853B2 (en) * | 2000-04-25 | 2005-05-10 | Tokyo Electron Limited | Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module |
| JP2001313317A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Ando Electric Co Ltd | プローブの清掃方法及び清掃装置 |
| JP4724353B2 (ja) | 2000-07-26 | 2011-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体基板のための高圧処理チャンバー |
| US6676710B2 (en) | 2000-10-18 | 2004-01-13 | North Carolina State University | Process for treating textile substrates |
| CN100392796C (zh) * | 2001-04-10 | 2008-06-04 | 东京毅力科创株式会社 | 包含流量增强特征的半导体衬底高压加工室 |
| US6616769B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-09-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Systems and methods for conditioning ultra high purity gas bulk containers |
| US20030062071A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Sorbo Nelson W. | Dense-phase fluid cleaning system utilizing ultrasonic transducers |
| US20040040660A1 (en) * | 2001-10-03 | 2004-03-04 | Biberger Maximilian Albert | High pressure processing chamber for multiple semiconductor substrates |
| TW497494U (en) * | 2001-12-28 | 2002-08-01 | Metal Ind Redearch & Amp Dev C | Fluid driven stirring device for compressing gas cleaning system |
| US20040016450A1 (en) * | 2002-01-25 | 2004-01-29 | Bertram Ronald Thomas | Method for reducing the formation of contaminants during supercritical carbon dioxide processes |
| US7138014B2 (en) * | 2002-01-28 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition apparatus |
| US6924086B1 (en) * | 2002-02-15 | 2005-08-02 | Tokyo Electron Limited | Developing photoresist with supercritical fluid and developer |
| WO2003070846A2 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-28 | Supercritical Systems Inc. | Drying resist with a solvent bath and supercritical co2 |
| US7387868B2 (en) | 2002-03-04 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2 |
| US7270941B2 (en) * | 2002-03-04 | 2007-09-18 | Tokyo Electron Limited | Method of passivating of low dielectric materials in wafer processing |
| US6953654B2 (en) | 2002-03-14 | 2005-10-11 | Tokyo Electron Limited | Process and apparatus for removing a contaminant from a substrate |
| CN1642665A (zh) * | 2002-03-22 | 2005-07-20 | 东京毅力科创株式会社 | 用超临界工艺清除杂质 |
| US7169540B2 (en) * | 2002-04-12 | 2007-01-30 | Tokyo Electron Limited | Method of treatment of porous dielectric films to reduce damage during cleaning |
| FR2838658B1 (fr) * | 2002-04-17 | 2005-01-28 | Dehon Sa | Produit pour le nettoyage d'installations frigorifiques, procede et dispositif pour sa mise en oeuvre |
| JP3949504B2 (ja) * | 2002-04-25 | 2007-07-25 | 英夫 吉田 | 母材表面の活性化処理方法および活性化処理装置 |
| DE10236485B4 (de) * | 2002-08-09 | 2012-10-11 | Air Liquide Deutschland Gmbh | Reinigung von Substratoberflächen mittels CO2 und N2O |
| US6880560B2 (en) * | 2002-11-18 | 2005-04-19 | Techsonic | Substrate processing apparatus for processing substrates using dense phase gas and sonic waves |
| US20040177867A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-09-16 | Supercritical Systems, Inc. | Tetra-organic ammonium fluoride and HF in supercritical fluid for photoresist and residue removal |
| US20040112409A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-06-17 | Supercritical Sysems, Inc. | Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal |
| US7798159B2 (en) * | 2002-12-19 | 2010-09-21 | Valerie Palfy | At-home integrated cleaning and disinfection system and method for dental hardware |
| US7191787B1 (en) * | 2003-02-03 | 2007-03-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning using high-frequency acoustic energy with supercritical fluid |
| US20040154647A1 (en) * | 2003-02-07 | 2004-08-12 | Supercritical Systems, Inc. | Method and apparatus of utilizing a coating for enhanced holding of a semiconductor substrate during high pressure processing |
| US7237564B1 (en) | 2003-02-20 | 2007-07-03 | Lam Research Corporation | Distribution of energy in a high frequency resonating wafer processing system |
| US20040198066A1 (en) * | 2003-03-21 | 2004-10-07 | Applied Materials, Inc. | Using supercritical fluids and/or dense fluids in semiconductor applications |
| US20040231707A1 (en) * | 2003-05-20 | 2004-11-25 | Paul Schilling | Decontamination of supercritical wafer processing equipment |
| US6938439B2 (en) * | 2003-05-22 | 2005-09-06 | Cool Clean Technologies, Inc. | System for use of land fills and recyclable materials |
| US7163380B2 (en) | 2003-07-29 | 2007-01-16 | Tokyo Electron Limited | Control of fluid flow in the processing of an object with a fluid |
| US7250374B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-07-31 | Tokyo Electron Limited | System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
| US7307019B2 (en) | 2004-09-29 | 2007-12-11 | Tokyo Electron Limited | Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films |
| US20060065288A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Darko Babic | Supercritical fluid processing system having a coating on internal members and a method of using |
| US7491036B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-02-17 | Tokyo Electron Limited | Method and system for cooling a pump |
| US20060130966A1 (en) * | 2004-12-20 | 2006-06-22 | Darko Babic | Method and system for flowing a supercritical fluid in a high pressure processing system |
| US7434590B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system |
| US20060135047A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Alexei Sheydayi | Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system |
| US7140393B2 (en) * | 2004-12-22 | 2006-11-28 | Tokyo Electron Limited | Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems |
| US20060134332A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Darko Babic | Precompressed coating of internal members in a supercritical fluid processing system |
| US7291565B2 (en) | 2005-02-15 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid |
| US7435447B2 (en) * | 2005-02-15 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system |
| US20060185693A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Richard Brown | Cleaning step in supercritical processing |
| US20060186088A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Gunilla Jacobson | Etching and cleaning BPSG material using supercritical processing |
| US7550075B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-06-23 | Tokyo Electron Ltd. | Removal of contaminants from a fluid |
| US7442636B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-10-28 | Tokyo Electron Limited | Method of inhibiting copper corrosion during supercritical CO2 cleaning |
| US7399708B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-07-15 | Tokyo Electron Limited | Method of treating a composite spin-on glass/anti-reflective material prior to cleaning |
| US7253253B2 (en) * | 2005-04-01 | 2007-08-07 | Honeywell Federal Manufacturing & Technology, Llc | Method of removing contaminants from plastic resins |
| US20070228600A1 (en) * | 2005-04-01 | 2007-10-04 | Bohnert George W | Method of making containers from recycled plastic resin |
| US7789971B2 (en) | 2005-05-13 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide |
| US7524383B2 (en) * | 2005-05-25 | 2009-04-28 | Tokyo Electron Limited | Method and system for passivating a processing chamber |
| US20080060685A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Novak John S | Pulsed-gas agitation process for enhancing solid surface biological removal efficiency of dense phase fluids |
| KR20080065751A (ko) * | 2007-01-10 | 2008-07-15 | 엘지전자 주식회사 | 복합 의류 처리 장치 |
| US20100236580A1 (en) * | 2007-05-15 | 2010-09-23 | Delaurentiis Gary M | METHOD AND SYSTEM FOR REMOVING PCBs FROM SYNTHETIC RESIN MATERIALS |
| US8043557B2 (en) * | 2007-08-15 | 2011-10-25 | American Air Liquide, Inc. | Methods and systems for sanitizing or sterilizing a medical device using ultrasonic energy and liquid nitrogen |
| US20090044828A1 (en) * | 2007-08-15 | 2009-02-19 | Brahmbhatt Sudhir R | Methods and Systems for Debonding an Undesirable Material from a Device Using Ultrasonic Energy and Liquid Nitrogen |
| WO2009076576A2 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Eco2 Plastics | Continuous system for processing particles |
| CN101740337B (zh) * | 2008-11-19 | 2012-03-28 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机 |
| US7980494B2 (en) * | 2008-12-08 | 2011-07-19 | Jorge Zapp | System for recycling of HDPE from motor-oil containers |
| US20100143265A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Green Source Automated, Llc | System and method for the delivery of a sanitizing foam |
| EP2315235B1 (en) * | 2009-10-21 | 2019-04-24 | IMEC vzw | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
| US9004086B2 (en) * | 2010-11-04 | 2015-04-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for displacing fluids from substrates using supercritical CO2 |
| US10569309B2 (en) * | 2015-12-15 | 2020-02-25 | General Electric Company | Equipment cleaning system and method |
| CN109019752A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-12-18 | 江苏大学 | 一种利用激光空化处理有机废水的装置和方法 |
| CN111618036B (zh) * | 2020-06-28 | 2023-10-03 | 华东交通大学 | 一种两步法线缆超声自动清洗设备 |
| CN112404045B (zh) * | 2020-11-04 | 2022-01-28 | 山东西海建设集团有限公司 | 一种钢板桩冻土清理设备 |
| CN112642797B (zh) * | 2020-12-04 | 2022-12-09 | 天津市晟昇钢结构有限公司 | 一种h型钢表面除锈处理工艺 |
| US12269070B2 (en) | 2020-12-16 | 2025-04-08 | The Boeing Company | Flexible cavitation apparatus |
| US12485517B2 (en) | 2021-12-02 | 2025-12-02 | The Boeing Company | Automated cavitation processing |
| US12296431B2 (en) | 2021-12-02 | 2025-05-13 | The Boeing Company | Automated cavitation processing |
| US12466028B2 (en) | 2022-07-01 | 2025-11-11 | The Boeing Company | Damage tolerant cavitation nozzle |
| WO2025222150A1 (en) * | 2024-04-19 | 2025-10-23 | Alterra Energy, Llc | Online cleaning and fouling prevention in vapor transfer lines and industrial processes |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2828231A (en) * | 1954-03-31 | 1958-03-25 | Gen Electric | Method and apparatus for ultrasonic cleansing |
| US3058014A (en) * | 1958-09-08 | 1962-10-09 | Bendix Corp | Apparatus for generating sonic vibrations in liquids |
| US4012194A (en) * | 1971-10-04 | 1977-03-15 | Maffei Raymond L | Extraction and cleaning processes |
| JPS55119181A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-12 | Nippon Steel Corp | Cleaning of steel plate surface by laser irradiation |
| WO1984002291A1 (en) * | 1982-12-06 | 1984-06-21 | Hughes Aircraft Co | Method of cleaning articles using super-critical gases |
| US4692982A (en) * | 1986-05-22 | 1987-09-15 | Rice Norman B | Lining removal process |
| US4797178A (en) * | 1987-05-13 | 1989-01-10 | International Business Machines Corporation | Plasma etch enhancement with large mass inert gas |
| US4906387A (en) * | 1988-01-28 | 1990-03-06 | The Water Group, Inc. | Method for removing oxidizable contaminants in cooling water used in conjunction with a cooling tower |
| US4990260A (en) * | 1988-01-28 | 1991-02-05 | The Water Group, Inc. | Method and apparatus for removing oxidizable contaminants in water to achieve high purity water for industrial use |
| US5013366A (en) * | 1988-12-07 | 1991-05-07 | Hughes Aircraft Company | Cleaning process using phase shifting of dense phase gases |
| US5068040A (en) * | 1989-04-03 | 1991-11-26 | Hughes Aircraft Company | Dense phase gas photochemical process for substrate treatment |
| US5062898A (en) * | 1990-06-05 | 1991-11-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Surface cleaning using a cryogenic aerosol |
-
1992
- 1992-08-10 US US07/927,443 patent/US5316591A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-07-22 CA CA002101142A patent/CA2101142A1/en not_active Abandoned
- 1993-07-26 EP EP93111936A patent/EP0583653B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-26 DE DE69305800T patent/DE69305800T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-09 KR KR1019930015393A patent/KR940003623A/ko not_active Ceased
- 1993-08-09 JP JP5197402A patent/JP2644169B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-10 TW TW082106412A patent/TW233272B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022507790A (ja) * | 2018-11-19 | 2022-01-18 | センス マテリアルズ リミテッド | キャビテーションによる微小材料の分散 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940003623A (ko) | 1994-03-12 |
| DE69305800T3 (de) | 2005-03-31 |
| EP0583653B2 (en) | 2004-07-21 |
| EP0583653B1 (en) | 1996-11-06 |
| EP0583653A1 (en) | 1994-02-23 |
| US5316591A (en) | 1994-05-31 |
| DE69305800D1 (de) | 1996-12-12 |
| DE69305800T2 (de) | 1997-06-12 |
| TW233272B (ja) | 1994-11-01 |
| CA2101142A1 (en) | 1994-02-11 |
| JP2644169B2 (ja) | 1997-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2644169B2 (ja) | 液化ガス内でのキャビテーションによる洗浄 | |
| US5456759A (en) | Method using megasonic energy in liquefied gases | |
| US5215592A (en) | Dense fluid photochemical process for substrate treatment | |
| US6143087A (en) | Methods for treating objects | |
| JP2922791B2 (ja) | 液化ガスを使用した安価な洗浄装置 | |
| EP0726099B1 (en) | Method of removing surface contamination | |
| JPH03123604A (ja) | 濃縮相ガスの相変化を用いる洗浄プロセス | |
| EP1402963A2 (en) | Processing of semiconductor components with dense processing fluids and ultrasonic energy | |
| JP2005246376A (ja) | 加圧流体への超音波エネルギーの伝達 | |
| KR930023072A (ko) | 초음파 세척방법 | |
| US20030062071A1 (en) | Dense-phase fluid cleaning system utilizing ultrasonic transducers | |
| EP0624405B1 (en) | Megasonic cleaning system using compressed, condensed gases | |
| GB2237504A (en) | Ultrasonic cleaning | |
| JPH0547732A (ja) | 精密洗浄方法および精密洗浄装置 | |
| EP1429875A1 (en) | Dense-phase fluid cleaning system utilizing ultrasonic transducers | |
| JPH03217285A (ja) | 超音波洗浄方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090502 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100502 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110502 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110502 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120502 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130502 Year of fee payment: 16 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |