JPH0625831A - 赤外薄膜蒸着方法 - Google Patents
赤外薄膜蒸着方法Info
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- JPH0625831A JPH0625831A JP20602792A JP20602792A JPH0625831A JP H0625831 A JPH0625831 A JP H0625831A JP 20602792 A JP20602792 A JP 20602792A JP 20602792 A JP20602792 A JP 20602792A JP H0625831 A JPH0625831 A JP H0625831A
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Landscapes
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 赤外透過光学材からなる基板に対するＧｅ膜
の付着強度を向上させて、その剥離を防止することが可
能な赤外薄膜蒸着方法をうる。 【構成】 真空チャンバ２内に設けられた基板ホルダ7
a,7b に、Ｓｉからなる基板10をセットする。一方、真
空チャンバ２外で膜材料Ｇｅをあらかじめ加熱溶融し、
その脱ガス・溶かし込みをして形成したＧｅのインゴッ
ト９を、真空チャンバ２内の電子銃を備えた加熱蒸発機
構３のハース４に収容する。そして、加熱蒸発機構３で
前記インゴット９を加熱蒸発させて、それを基板10の表
面に付着させてＧｅ膜を形成する。
の付着強度を向上させて、その剥離を防止することが可
能な赤外薄膜蒸着方法をうる。 【構成】 真空チャンバ２内に設けられた基板ホルダ7
a,7b に、Ｓｉからなる基板10をセットする。一方、真
空チャンバ２外で膜材料Ｇｅをあらかじめ加熱溶融し、
その脱ガス・溶かし込みをして形成したＧｅのインゴッ
ト９を、真空チャンバ２内の電子銃を備えた加熱蒸発機
構３のハース４に収容する。そして、加熱蒸発機構３で
前記インゴット９を加熱蒸発させて、それを基板10の表
面に付着させてＧｅ膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外透過光学材からな
る基板の表面にＧｅの薄膜を真空蒸着する方法に関す
る。
る基板の表面にＧｅの薄膜を真空蒸着する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉまたはサファイアその他の赤外透過
光学材からなる基板の表面にＧｅの薄膜を真空蒸着した
ものとして、所定の波長域を透過し、他の波長域を反射
してカットする多層膜光学フイルタまたはビームスプリ
ッタ、アッテネータその他がある。例えば、前記多層膜
光学フイルタとして、図２に示したように、Ｓｉなどか
らなる基板10の表面に、先ずＧｅ膜11を真空蒸着で形成
して、その表面に重ねてＺｎＳ膜12を蒸着し、さらに所
要数のＧｅ膜とＺｎＳ膜とを組合わせて多層膜13を形成
したものが知られている。14は多層膜光学フイルタであ
る。
光学材からなる基板の表面にＧｅの薄膜を真空蒸着した
ものとして、所定の波長域を透過し、他の波長域を反射
してカットする多層膜光学フイルタまたはビームスプリ
ッタ、アッテネータその他がある。例えば、前記多層膜
光学フイルタとして、図２に示したように、Ｓｉなどか
らなる基板10の表面に、先ずＧｅ膜11を真空蒸着で形成
して、その表面に重ねてＺｎＳ膜12を蒸着し、さらに所
要数のＧｅ膜とＺｎＳ膜とを組合わせて多層膜13を形成
したものが知られている。14は多層膜光学フイルタであ
る。
【０００３】前記基板10に対するＧｅ膜11の蒸着は、真
空チャンバ内の所定位置に基板10をセットする。そし
て、電子銃などを備えた加熱蒸発機構のハースに、膜材
料としての顆粒状などのＧｅを収容して、その膜材料Ｇ
ｅを前記電子銃などで加熱溶融して、その膜材料Ｇｅに
付着するなどしたＨ2 Ｏその他をガスとして除去し、か
つその膜材料Ｇｅを前記ハースに溶かし込む膜材料Ｇｅ
の調製を行う。この膜材料Ｇｅの調製工程を終わってか
ら、そのＧｅを電子銃などで加熱蒸発させて、それを前
記基板10の表面に付着させてＧｅ膜11を形成するもので
ある。このようにして蒸着したＧｅ膜11の表面に、抵抗
加熱機構にセットした膜材料ＺｎＳを蒸着してＺｎＳ膜
12を形成し、さらに、Ｇｅ膜とＺｎＳ膜とを所定数組合
わせて蒸着して多層膜13を形成するものである。
空チャンバ内の所定位置に基板10をセットする。そし
て、電子銃などを備えた加熱蒸発機構のハースに、膜材
料としての顆粒状などのＧｅを収容して、その膜材料Ｇ
ｅを前記電子銃などで加熱溶融して、その膜材料Ｇｅに
付着するなどしたＨ2 Ｏその他をガスとして除去し、か
つその膜材料Ｇｅを前記ハースに溶かし込む膜材料Ｇｅ
の調製を行う。この膜材料Ｇｅの調製工程を終わってか
ら、そのＧｅを電子銃などで加熱蒸発させて、それを前
記基板10の表面に付着させてＧｅ膜11を形成するもので
ある。このようにして蒸着したＧｅ膜11の表面に、抵抗
加熱機構にセットした膜材料ＺｎＳを蒸着してＺｎＳ膜
12を形成し、さらに、Ｇｅ膜とＺｎＳ膜とを所定数組合
わせて蒸着して多層膜13を形成するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、Ｇｅ膜
11とＺｎＳ膜12とからなる多層膜13を基板10に蒸着で形
成してなる多層膜光学フイルタについては、前記基板10
に対するＧｅ膜11の付着強度が比較的低いことがすでに
知られている。したがって、前記多層膜光学フイルタな
どの製品の歩留まりが低下する課題がある。また、この
多層膜光学フイルタを、例えば、人体検出器や放射温度
計その他の赤外線検出計に組込んで使用している間に、
前記基板10からＧｅ膜11が部分的などに剥離することが
生じて、その多層膜光学フイルタの分光特性に影響を与
えるおそれがある。そして、多層膜光学フイルタの分光
特性に影響が生じると、前記のような赤外線検出計の赤
外線検出精度に影響が生じて、その信頼性を低下させ、
かつ寿命を短くするなどの課題が発生する。このため、
多層膜光学フイルタの基板10に対するＧｅ膜11の付着強
度を高くして、そのＧｅ膜11が基板10から剥離するおそ
れをなくすることが求められている。これらの課題は、
前記ビームスプリッタ、アッテネータなどにも生じるも
のである。
11とＺｎＳ膜12とからなる多層膜13を基板10に蒸着で形
成してなる多層膜光学フイルタについては、前記基板10
に対するＧｅ膜11の付着強度が比較的低いことがすでに
知られている。したがって、前記多層膜光学フイルタな
どの製品の歩留まりが低下する課題がある。また、この
多層膜光学フイルタを、例えば、人体検出器や放射温度
計その他の赤外線検出計に組込んで使用している間に、
前記基板10からＧｅ膜11が部分的などに剥離することが
生じて、その多層膜光学フイルタの分光特性に影響を与
えるおそれがある。そして、多層膜光学フイルタの分光
特性に影響が生じると、前記のような赤外線検出計の赤
外線検出精度に影響が生じて、その信頼性を低下させ、
かつ寿命を短くするなどの課題が発生する。このため、
多層膜光学フイルタの基板10に対するＧｅ膜11の付着強
度を高くして、そのＧｅ膜11が基板10から剥離するおそ
れをなくすることが求められている。これらの課題は、
前記ビームスプリッタ、アッテネータなどにも生じるも
のである。
【０００５】前記基板10の表面に対するＧｅ膜11の蒸着
強度を高くするために、基板10に対するＧｅの蒸着につ
いて種々検討した。その結果、前記従来例の蒸着方法
は、顆粒状などの膜材料Ｇｅの所要量を真空チャンバの
ハースに収容した状態で、その膜材料Ｇｅの脱ガス・溶
かし込みの調製工程を行うため、このときに膜材料Ｇｅ
に付着するなどしていたＨ2 Ｏその他が気化して、それ
がその真空チャンバ内にセットされた基板10の表面に付
着し、その基板10の表面を汚染することが判明した。こ
のように、Ｈ2 Ｏその他のガスが付着した基板10の表面
に膜材料Ｇｅを蒸着するから、蒸着されたＧｅ膜11は前
記付着物質の表面にも付着し、基板10の表面に直接に付
着する部分が減少することなどが生じる。すなわち、基
板10の表面とＧｅ膜11との間に前記付着物が介在するこ
とに起因して、そのＧｅ膜11の基板10に対する付着強度
が低下すると考えられる。
強度を高くするために、基板10に対するＧｅの蒸着につ
いて種々検討した。その結果、前記従来例の蒸着方法
は、顆粒状などの膜材料Ｇｅの所要量を真空チャンバの
ハースに収容した状態で、その膜材料Ｇｅの脱ガス・溶
かし込みの調製工程を行うため、このときに膜材料Ｇｅ
に付着するなどしていたＨ2 Ｏその他が気化して、それ
がその真空チャンバ内にセットされた基板10の表面に付
着し、その基板10の表面を汚染することが判明した。こ
のように、Ｈ2 Ｏその他のガスが付着した基板10の表面
に膜材料Ｇｅを蒸着するから、蒸着されたＧｅ膜11は前
記付着物質の表面にも付着し、基板10の表面に直接に付
着する部分が減少することなどが生じる。すなわち、基
板10の表面とＧｅ膜11との間に前記付着物が介在するこ
とに起因して、そのＧｅ膜11の基板10に対する付着強度
が低下すると考えられる。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決するものであ
って、赤外透過光学材からなる基板に対するＧｅ膜の付
着強度を高くして、その剥離を防止することが可能な赤
外薄膜蒸着方法をうることを目的とする。
って、赤外透過光学材からなる基板に対するＧｅ膜の付
着強度を高くして、その剥離を防止することが可能な赤
外薄膜蒸着方法をうることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の赤外薄膜蒸着方
法は、赤外透過光学材からなる基板を真空チャンバ内に
セットし、その基板にＧｅ膜を蒸着する赤外薄膜蒸着方
法において、前記真空チャンバ外で膜材料Ｇｅを加熱溶
融して、その脱ガス・溶かし込みをあらかじめ行ってか
ら、その膜材料Ｇｅを真空チャンバ内にセットすること
を特徴とするものである。
法は、赤外透過光学材からなる基板を真空チャンバ内に
セットし、その基板にＧｅ膜を蒸着する赤外薄膜蒸着方
法において、前記真空チャンバ外で膜材料Ｇｅを加熱溶
融して、その脱ガス・溶かし込みをあらかじめ行ってか
ら、その膜材料Ｇｅを真空チャンバ内にセットすること
を特徴とするものである。
【０００８】前記赤外透過光学材としては任意のものを
使用することが可能であるが、例えば、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｇｅ、サファイアなどを挙げることができる。
使用することが可能であるが、例えば、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｇｅ、サファイアなどを挙げることができる。
【０００９】
【作用】前記本発明の赤外薄膜蒸着方法は、膜材料Ｇｅ
を真空チャンバ外であらじめ加熱溶融して、そのＧｅに
付着するなどしたＨ2 Ｏその他の脱ガスと溶かし込みを
行う。このように、真空チャンバ外で脱ガスと溶かし込
みの調製工程を終了した膜材料Ｇｅのインゴットを真空
チャンバ内にセットする。このようにして真空チャンバ
内にセットした膜材料Ｇｅを加熱蒸発させて、それを真
空チャンバ内にセットした基板表面に付着させてＧｅ膜
を形成する。したがって、前記真空チャンバ内にセット
した膜材料Ｇｅのインゴットを加熱溶融した場合に、そ
の膜材料ＧｅからのＨ2 Ｏその他のガス発生はなく、基
板表面の汚染はない。このため、前記Ｇｅ膜は、そのほ
ぼ全面が基板表面に直接に付着するから、その付着強度
が高くなる。
を真空チャンバ外であらじめ加熱溶融して、そのＧｅに
付着するなどしたＨ2 Ｏその他の脱ガスと溶かし込みを
行う。このように、真空チャンバ外で脱ガスと溶かし込
みの調製工程を終了した膜材料Ｇｅのインゴットを真空
チャンバ内にセットする。このようにして真空チャンバ
内にセットした膜材料Ｇｅを加熱蒸発させて、それを真
空チャンバ内にセットした基板表面に付着させてＧｅ膜
を形成する。したがって、前記真空チャンバ内にセット
した膜材料Ｇｅのインゴットを加熱溶融した場合に、そ
の膜材料ＧｅからのＨ2 Ｏその他のガス発生はなく、基
板表面の汚染はない。このため、前記Ｇｅ膜は、そのほ
ぼ全面が基板表面に直接に付着するから、その付着強度
が高くなる。
【００１０】
【実施例】本発明の赤外薄膜蒸着方法の実施例を、図１
に示した真空蒸着装置による多層膜光学フイルタの薄膜
蒸着について説明する。図１において、１は真空蒸着装
置で、その真空チャンバ２内の下部に、電子銃を備えた
加熱蒸発機構３が配置されている。４は加熱蒸発機構３
のハース、５は抵抗ヒータを備えた抵抗加熱機構であ
る。そして、加熱蒸発機構３と抵抗加熱機構５のそれぞ
れ上側に、シャッタ6a,6b 及び基板ホルダ7a,7b とマイ
クロヒータ8a,8b が、この順序で配置されている。
に示した真空蒸着装置による多層膜光学フイルタの薄膜
蒸着について説明する。図１において、１は真空蒸着装
置で、その真空チャンバ２内の下部に、電子銃を備えた
加熱蒸発機構３が配置されている。４は加熱蒸発機構３
のハース、５は抵抗ヒータを備えた抵抗加熱機構であ
る。そして、加熱蒸発機構３と抵抗加熱機構５のそれぞ
れ上側に、シャッタ6a,6b 及び基板ホルダ7a,7b とマイ
クロヒータ8a,8b が、この順序で配置されている。
【００１１】前記のように構成された真空蒸着装置の基
板ホルダ7a,7b にＳｉからなる基板10，10をセットす
る。一方、真空チャンバ２の外部で顆粒状に形成された
膜材料Ｇｅを、前記加熱蒸発機構３のハース４とほぼ同
形で同大のルツボ内で加熱溶融させて、その膜材料Ｇｅ
の脱ガスと溶かし込みを行って、前記ハース４に入れる
ことが可能なＧｅのインゴット９を形成する。この膜材
料Ｇｅのインゴット９を熱蒸発機構３のハース４に収容
する。一方、膜材料ＺｎＳの適量を抵抗加熱機構５に供
給する。次に、シャッタ6aを開き、かつ加熱蒸発機構３
で、そのハース４の膜材料Ｇｅのインゴット９を加熱蒸
発させて、それを基板ホルダ7a,7b の基板10,10 に付着
させて、その基板10,10 の各表面にＧｅ膜を形成する。
板ホルダ7a,7b にＳｉからなる基板10，10をセットす
る。一方、真空チャンバ２の外部で顆粒状に形成された
膜材料Ｇｅを、前記加熱蒸発機構３のハース４とほぼ同
形で同大のルツボ内で加熱溶融させて、その膜材料Ｇｅ
の脱ガスと溶かし込みを行って、前記ハース４に入れる
ことが可能なＧｅのインゴット９を形成する。この膜材
料Ｇｅのインゴット９を熱蒸発機構３のハース４に収容
する。一方、膜材料ＺｎＳの適量を抵抗加熱機構５に供
給する。次に、シャッタ6aを開き、かつ加熱蒸発機構３
で、そのハース４の膜材料Ｇｅのインゴット９を加熱蒸
発させて、それを基板ホルダ7a,7b の基板10,10 に付着
させて、その基板10,10 の各表面にＧｅ膜を形成する。
【００１２】前記Ｇｅ膜が所定の厚さに達すると、加熱
蒸発機構３によるＧｅのインゴット９の加熱を中断し、
シャッタ6aを閉じる。そして、シャッタ6bを開き、かつ
抵抗加熱機構５で、その膜材料ＺｎＳを加熱蒸発させ
て、それを前記Ｇｅ膜の表面に付着させてＺｎＳ膜を形
成する。このようにして、図２に示したように、基板10
の表面にまずＧｅ膜11を形成し、かつそのＧｅ膜11に重
ねてＺｎＳ膜12を設けることを反復して、このＧｅ膜11
とＺｎＳ膜12とを所定数重ねて多層膜13を構成して、多
層膜光学フイルタ14を形成する。
蒸発機構３によるＧｅのインゴット９の加熱を中断し、
シャッタ6aを閉じる。そして、シャッタ6bを開き、かつ
抵抗加熱機構５で、その膜材料ＺｎＳを加熱蒸発させ
て、それを前記Ｇｅ膜の表面に付着させてＺｎＳ膜を形
成する。このようにして、図２に示したように、基板10
の表面にまずＧｅ膜11を形成し、かつそのＧｅ膜11に重
ねてＺｎＳ膜12を設けることを反復して、このＧｅ膜11
とＺｎＳ膜12とを所定数重ねて多層膜13を構成して、多
層膜光学フイルタ14を形成する。
【００１３】前記のように、加熱蒸発機構３のハース４
にセットした膜材料Ｇｅのインゴット９は、真空チャン
バ２外であらかじめ顆粒状の膜材料Ｇｅを加熱溶融し形
成したものである。このため、前記インゴット９を真空
チャンバ２内で加熱溶融しても、Ｈ2 Ｏその他のガスの
発生はなく、基板ホルダ7a,7b にセットした各基板10の
表面が汚染されるおそれはない。したがって、ハース４
に収容したＧｅのインゴット９を加熱蒸発機構３で加熱
蒸発させると、それは基板10の全表面に直接強固に付着
して、図２に示したＧｅ膜11を形成するから、このＧｅ
膜11全面の基板10に対する付着強度が高くなり、Ｇｅ膜
11が基板10から部分的などに剥離するおそれはほぼなく
なる。
にセットした膜材料Ｇｅのインゴット９は、真空チャン
バ２外であらかじめ顆粒状の膜材料Ｇｅを加熱溶融し形
成したものである。このため、前記インゴット９を真空
チャンバ２内で加熱溶融しても、Ｈ2 Ｏその他のガスの
発生はなく、基板ホルダ7a,7b にセットした各基板10の
表面が汚染されるおそれはない。したがって、ハース４
に収容したＧｅのインゴット９を加熱蒸発機構３で加熱
蒸発させると、それは基板10の全表面に直接強固に付着
して、図２に示したＧｅ膜11を形成するから、このＧｅ
膜11全面の基板10に対する付着強度が高くなり、Ｇｅ膜
11が基板10から部分的などに剥離するおそれはほぼなく
なる。
【００１４】前記のように、基板10の全面に多層膜13を
強固に付着させて多層膜光学フイルタ14を形成すること
が可能であるから、その多層膜光学フイルタ14の歩留ま
りを大巾に向上させることが可能であって、コストを引
き下げることが可能である。また、前記のように、基板
10に多層膜13を形成した多層膜光学フイルタ14は、その
用途などに対応して、基板10と多層膜13とを同時に所定
の大きさにダイシングして使用されることもあるが、前
記のように、基板10の全表面にＧｅ膜11が強固に付着し
ているから、前記ダイシング時に基板10から多層膜13が
部分的などに剥離することも防止することが可能であっ
て、その多層膜光学フイルタ14の信頼性を向上させると
ともに、その歩留まりを高くすることが可能である。
強固に付着させて多層膜光学フイルタ14を形成すること
が可能であるから、その多層膜光学フイルタ14の歩留ま
りを大巾に向上させることが可能であって、コストを引
き下げることが可能である。また、前記のように、基板
10に多層膜13を形成した多層膜光学フイルタ14は、その
用途などに対応して、基板10と多層膜13とを同時に所定
の大きさにダイシングして使用されることもあるが、前
記のように、基板10の全表面にＧｅ膜11が強固に付着し
ているから、前記ダイシング時に基板10から多層膜13が
部分的などに剥離することも防止することが可能であっ
て、その多層膜光学フイルタ14の信頼性を向上させると
ともに、その歩留まりを高くすることが可能である。
【００１５】そして、前記多層膜光学フイルタ14は多層
膜13が剥離して、その分光特性に変化が生じるおそれが
ないから、この多層膜光学フイルタ14を人体検出器や放
射温度計その他の赤外線検出計に組込んだ場合には、そ
の赤外線検出精度を高く維持することが可能であり、そ
の赤外線検出計の信頼性を高くすることができる。
膜13が剥離して、その分光特性に変化が生じるおそれが
ないから、この多層膜光学フイルタ14を人体検出器や放
射温度計その他の赤外線検出計に組込んだ場合には、そ
の赤外線検出精度を高く維持することが可能であり、そ
の赤外線検出計の信頼性を高くすることができる。
【００１６】なお、前記Ｇｅのインゴット９を形成する
ルツボは、加熱蒸発機構３のハース４を使用するなど任
意であって、前記ハース４に収容可能なインゴット９を
形成することが可能なものを使用する。前記実施例の多
層膜光学フイルタ14の多層膜13は、ＧｅとＺｎＳとの組
合わせで構成しているが、この多層膜13はＧｅとＳｉＯ
との組合わせで構成するなど任意である。そして、真空
チャンバ２内に対するＧｅのインゴット９及び基板10の
セット順序は任意である。
ルツボは、加熱蒸発機構３のハース４を使用するなど任
意であって、前記ハース４に収容可能なインゴット９を
形成することが可能なものを使用する。前記実施例の多
層膜光学フイルタ14の多層膜13は、ＧｅとＺｎＳとの組
合わせで構成しているが、この多層膜13はＧｅとＳｉＯ
との組合わせで構成するなど任意である。そして、真空
チャンバ２内に対するＧｅのインゴット９及び基板10の
セット順序は任意である。
【００１７】
【発明の効果】本発明の赤外薄膜蒸着方法は、上記のよ
うに、真空チャンバ外であらかじめ膜材料Ｇｅを加熱溶
融して、その脱ガス・溶かし込みを行ったＧｅのインゴ
ットを真空チャンバ内にセットして、このＧｅのインゴ
ットを加熱蒸発させて、それを真空チャンバ内にセット
した基板に付着させて、その基板表面にＧｅ膜を形成す
るもものである。したがって、真空チャンバ内にセット
した前記Ｇｅのインゴットを加熱したときに、前記従来
例のように、Ｈ2 Ｏその他のガスが発生し、それが前記
基板に付着して、その表面が汚染されることをなくする
ことができる。このため、前記Ｇｅのインゴットを加熱
蒸発させると、それは常に基板表面の全面に直接強固に
付着してＧｅ膜を形成するから、そのＧｅ膜全体の付着
強度が大きく向上し、それが基板から剥離するおそれを
ほとんどなくすることが可能であって、信頼性の高い製
品をうることができるとともに、その製品の歩留まりを
向上させて、そのコストを引き下げることが可能であ
る。
うに、真空チャンバ外であらかじめ膜材料Ｇｅを加熱溶
融して、その脱ガス・溶かし込みを行ったＧｅのインゴ
ットを真空チャンバ内にセットして、このＧｅのインゴ
ットを加熱蒸発させて、それを真空チャンバ内にセット
した基板に付着させて、その基板表面にＧｅ膜を形成す
るもものである。したがって、真空チャンバ内にセット
した前記Ｇｅのインゴットを加熱したときに、前記従来
例のように、Ｈ2 Ｏその他のガスが発生し、それが前記
基板に付着して、その表面が汚染されることをなくする
ことができる。このため、前記Ｇｅのインゴットを加熱
蒸発させると、それは常に基板表面の全面に直接強固に
付着してＧｅ膜を形成するから、そのＧｅ膜全体の付着
強度が大きく向上し、それが基板から剥離するおそれを
ほとんどなくすることが可能であって、信頼性の高い製
品をうることができるとともに、その製品の歩留まりを
向上させて、そのコストを引き下げることが可能であ
る。
【図１】本発明実施例の真空蒸着装置の構成図である。
【図２】多層膜光学フイルタの要部の構成図である。
１：真空蒸着装置、２：真空チャンバ、３：加熱蒸発機
構、４：ハース、7a・7b：基板ホルダ、９：インゴッ
ト、10：基板、11：Ｇｅ膜。
構、４：ハース、7a・7b：基板ホルダ、９：インゴッ
ト、10：基板、11：Ｇｅ膜。
Claims (1)
- 【請求項１】 赤外透過光学材からなる基板を真空チャ
ンバ内にセットし、その基板にＧｅ膜を蒸着する赤外薄
膜蒸着方法において、前記真空チャンバ外で膜材料Ｇｅ
を加熱溶融して、その脱ガス・溶かし込みをあらかじめ
行ってから、その膜材料Ｇｅを真空チャンバ内にセット
することを特徴とする赤外薄膜蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20602792A JPH0625831A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 赤外薄膜蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20602792A JPH0625831A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 赤外薄膜蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625831A true JPH0625831A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16516686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20602792A Pending JPH0625831A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 赤外薄膜蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6529332B2 (en) | 1999-03-29 | 2003-03-04 | Minolta Co., Ltd. | Color integrating optical device and display optical system |
| WO2018165055A1 (en) * | 2017-03-06 | 2018-09-13 | Csub Auxiliary For Sponsored Programs Administration | Vapor-phase deposition of germanium nanostructures on substrates using solid-phase germanium sources |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP20602792A patent/JPH0625831A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6529332B2 (en) | 1999-03-29 | 2003-03-04 | Minolta Co., Ltd. | Color integrating optical device and display optical system |
| WO2018165055A1 (en) * | 2017-03-06 | 2018-09-13 | Csub Auxiliary For Sponsored Programs Administration | Vapor-phase deposition of germanium nanostructures on substrates using solid-phase germanium sources |
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