JPH06258368A

JPH06258368A - 表面電位計測装置

Info

Publication number: JPH06258368A
Application number: JP4955693A
Authority: JP
Inventors: Koji Furukawa; 川弘司古
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1993-03-10
Filing date: 1993-03-10
Publication date: 1994-09-16

Abstract

(57)【要約】【目的】電気光学効果を有する光学素子を利用した表面
電位計測装置において、分解能、感度および精度共によ
り良好な表面電位の計測を実現できる表面電位計測装置
を提供する。【構成】電気光学効果を有する光学素子と、前記光学素
子に接触して、かつ電気的に被測定物に近接する電極
と、前記光学素子に入射する光ビームを射出する光源
と、前記光学素子より射出した光ビームの光量を測定す
る計測手段と、前記計測手段で測定された光量より得ら
れた前記被測定物の表面電位をフーリエ変換し、フーリ
エ変換した結果を計測系の有する計測領域の広がり関数
によって補正した後、これを逆フーリエ変換して表面電
位の計測結果とする算出部とを有することにより前記目
的を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真静電潜像が形
成された電子写真感光体等、帯電体の表面電位の計測装
置に関する。詳しくは、高分解能および高感度な表面電
位計測を高精度に行うことができる表面電位計測装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】製版装置、複写装置、レーザープロッタ
等の各種の画像記録用途において、電子写真方式の画像
記録が行われている。

【０００３】周知のように、電子写真方式による画像記
録は光半導体層と導電性支持体層とを有する電子写真感
光体を用い、この電子写真感光体の光半導体層をコロナ
帯電等により一様帯電した後、光ビーム走査や、原稿か
らの反射光等によって画像露光を行って光半導体上の露
光部分の帯電電荷を逃がして電子写真潜像（以下、静電
潜像とする）を形成し、この静電潜像と逆極性に帯電し
たトナーによって現像を行い、前記静電潜像を可視像化
する。

【０００４】このような電子写真方式の画像記録におい
て、その形成画像の基礎となるのは前述の静電潜像であ
り、この静電潜像の状態を知ることは電子写真感光体
や、印写プロセス（帯電、露光、現像）の個々の評価や
解析、さらには記録システム全体の評価や解析を行う上
で重要なことである。また、近年は電子写真方式の画像
記録でも高画質化が進んでおり、高精細（高分解能）で
の静電潜像の測定を行う必要が高まっている。

【０００５】このような静電潜像等の表面電位分布の計
測は、従来、誘導電流による表面電位計によって行われ
ている。ところが、このような従来の計測方法による表
面電位分布計測では分解能が低く、１〜２mm四方の範囲
の全面の電位しか計測することができない。これに対
し、光ビーム走査による画像記録では、一走査線（１ラ
スター）は通常１０〜１００μm 程度であるため、この
ような微小部分における表面電位分布の計測が必要とな
るが、前述の装置ではこのような計測を行うことは出来
ず、十分な計測結果を得ることができない。

【０００６】また、高精細な表面電位分布の測定方法と
して電子ビームを利用する方法が知られているが、この
方法は空気中で測定を行うことができない上に、静電潜
像の破壊検査となってしまうという欠点があり、さらに
は電子写真感光体の帯電から測定までの時間が長く、酸
化亜鉛や有機感光物を適用する、暗減衰の比較的大きな
電子写真感光体では測定が困難であるという問題点もあ
る。

【０００７】このような問題点に対し、本出願人は、高
分解能かつ高精度な表面電位の計測が可能な装置とし
て、電気光学効果を有する光学素子を利用した表面電位
計測装置を発明し、先にこれを提案している。例えば、
特願平２−２２４８６０号においては、非線形光学結晶
を対向電極で挟持してなる計測ヘッドと、計測に供され
る対向電極と被測定物との間に微細孔を有する静電遮蔽
板を配し、他方の対向電極にはバイアス電源を設けた構
成を有し、非線形光学結晶の、好ましくは対向電極の対
向方向に対して直交する方向に、直線偏光の光ビームを
入射させ、非線形光学結晶を通過した光ビームの偏光の
変化より、被測定物の表面電位を計測する表面電位計測
装置を提案している。

【０００８】また、特願平４−２８１２２４号において
は、電気光学効果を有する光導波路と、この光導波路上
に形成された格子状電極と、この格子状電極に対応する
部分を通って導波する光ビームを光導波路内に入射させ
る光源と、一端側が格子状電極に接続され、他端側が被
測定物に近接して配される導電性プローブと、格子状電
極に対応する部分を通過した後の、回折した光ビームま
たは回折しなかった光ビームの光量を検出する光検出器
とからなる表面電位計を提供している。

【０００９】これらの表面電位計測装置は、対向電極に
近接あるいは密着され微細な孔を有し被測定物に近接す
る遮蔽板、対向電極に接続されるプローブ等を被測定物
に近接して、この測定領域の表面電位に対応した電位を
電気光学効果を有する結晶に誘起することにより、この
結晶を通過する光ビームの偏光や位相、屈折率を変化さ
せ、これを検出することにより被測定物の表面電位を計
測する。

【００１０】このような電気光学効果を利用した表面電
位計測装置においては、プローブの先端サイズや遮蔽板
の微細孔サイズによって表面電位計測の分解能を調整す
ることができ、数μｍ四方程度の高分解能での表面電位
の計測を行うことが可能である。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところが、プローブの
先端サイズや遮蔽板の微細孔サイズ等を小さくすること
により分解能は高くすることはできるが、それに応じて
表面電位計測の感度も低下してしまうため、両者を両立
して高分解能かつ高感度な表面電位計測を実現するため
には、プローブの先端サイズ等の微細化にも限界があ
る。

【００１２】また、このような表面電位計測装置におい
ては、高分解能での表面電位の計測を行うためには、被
測定物とプローブ等とを可能な範囲で近接して配置する
のが好ましい。しかしながら、両者をあまり近づける
と、非接触であっても被測定物の表面電位がリークして
しまうため、被測定物を非破壊で、例えば電子写真感光
体等に形成された静電潜像の計測等を非破壊で行うため
には、被測定物とプローブ等との間には若干の距離が必
要である。特に、電子写真感光体に形成された静電潜像
では、表面電位は数百Ｖ程度になるため、被測定物とプ
ローブ等との距離を所定以上に保たないと、静電潜像が
破壊されるばかりか、電気光学効果を有する結晶を用い
た計測ヘッドまで破壊されてしまう。

【００１３】そのため、被測定物とプローブ等とは所定
の間隙を有した状態で計測が行われるが、両者に距離を
有するために、被測定物からプローブに検出される電場
に広がりを生じて表面電位分布の計測値がボケてしま
い、表面電位分布の計測結果に誤差を生じ、分解能を低
下させる結果となっている。

【００１４】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決することにあり、従来の誘導電流等を利用した表面
電位計測装置に比べ、極めて高分解能、高感度および高
精度な計測が実現できる、電気光学効果を有する光学素
子を利用した表面電位計測装置において、分解能、感度
および精度共により良好な表面電位の計測を実現できる
表面電位計測装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、電気光学効果を有する光学素子と、前記
光学素子に電気的に接触して、かつ電気的に被測定物に
近接する電極と、前記光学素子に入射する光ビームを射
出する光源と、前記光学素子より射出した光ビームの光
量を測定する計測手段と、前記計測手段で測定された光
量より得られた前記被測定物の表面電位分布をフーリエ
変換し、フーリエ変換した結果を計測系の有する計測領
域の広がり関数によって補正した後、これを逆フーリエ
変換して表面電位分布の計測結果とする算出部とを有す
ることを特徴とする表面電位計測装置を提供する。

【００１６】

【発明の作用】本発明は、非線形光学結晶等の電気光学
効果を有する光学素子を利用し、この光学素子に帯電体
の被検出部分に応じた電荷を誘起して、この光学素子を
通過した光ビームの偏光、位相、屈折率等の変化を計測
することにより、帯電体の表面電位を計測する表面電位
計測装置であって、得られた表面電位分布の計測結果を
フーリエ変換し、フーリエ変換した結果を計測系による
計測領域の広がり関数によって補正した後、これを逆フ
ーリエ変換して表面電位分布の計測結果とする。

【００１７】電気光学効果を有する光学素子を利用した
表面電位計測装置は、電極に接続され被測定物である帯
電体に対面するプローブ等のサイズや被測定物との距離
等を調節することにより、従来の誘導電流による表面電
位計に比べて極めて高分解能、高感度および高精度での
表面電位の計測を実現できる。しかしながら、これらの
調整による高分解能化や高感度化等には限界があり、ま
た、帯電体とは非接触での計測であるために、プローブ
等が検出する電場に広がりが生じて、表面電位分布の計
測結果にボケを生じ、分解能や感度低下の原因となって
いるのは前述のとおりである。

【００１８】これに対して、本発明の表面電位計測装置
は、前記電場の広がり、すなわちプローブ等による計測
領域の広がりを関数化して、この関数およびフーリエ変
換を利用して計測結果の補正を行う。そのため、電場の
広がりによるボケのない、高分解能で高感度、かつ高精
度な表面電位分布の計測を行うことができ、電子写真感
光体に形成された静電潜像の計測等を高精度に行うこと
ができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の表面電位計測装置について、
添付の図面に示される好適実施例をもとに詳細に説明す
る。

【００２０】図１に、本発明の表面電位計測装置の一例
の側面図を、図２に同平面図をそれぞれ概念的に示す。
図１および図２に示される表面電位計測装置１０（以
下、計測装置１０とする）は、基本的に、測定光として
の光ビームＬを射出する光源２６と、電気光学効果を有
する光学素子を用いて形成された計測ヘッド３０と、計
測ヘッド３０を通過して屈折した光ビームＬ₁ の光量を
計測する計測手段を構成する光電変換素子３２および電
圧計３４、および電圧計３４の出力より表面電位を算出
する算出部３６等を有する制御部３８とより構成され
る。

【００２１】計測ヘッド３０は、基本的に、図２に示さ
れる結晶方位で配置された、電気光学効果を有するLiNb
O₃（ニオブ酸リチウム）基盤１２上部に形成されたプロ
トン交換光導波路１４（以下、光導波路１４とする）
と、光導波路１４上に形成されたSiO₂膜からなるバッフ
ァ層１６と、バッファ層１６上に形成された格子状電極
１８と、光導波路１４上に光ビームＬの進行方向で格子
状電極１８を挟むように配備された光入力用線状回折格
子（以下、入力用ＬＧＣとする）２０および光出力用線
状回折格子（以下、出力用ＬＧＣとする）２２と、格子
状電極１８に一端が接続され、他端側が電子写真感光体
等の帯電体である被測定物Ｓに近接して配置される導電
性プローブ２４とより構成される。なお、本実施例にお
いては、格子状電極１８の導電性プローブ２４（以下、
プローブとする）に接続しない側の端部は接地されてい
るが、測定目的に応じてバイアス電位を印加してもよ
い。

【００２２】図示例の計測装置１０において、光ビーム
Ｌを射出する He-Neレーザ等の光源２６は、平行光であ
る光ビームＬが基盤１２の斜めにカットされた端面１２
ａを通過し、光導波路１４を透過して入力用ＬＧＣ２０
に入射するように配置されている。従って、光源２６よ
り射出された光ビームＬは、入力用ＬＧＣ２０で回折し
て光導波路１４内に入射し、この光導波路１４を矢印Ａ
方向に進行する。

【００２３】この進行に伴い、光ビームＬ（導波光）は
光導波路１４内の格子状電極１８に対応する部分を通過
して導波するが、格子状電極１８に電圧が印加されてい
ない状態では、光ビームＬは光導波路１４内を屈折する
ことなく直進して、図２のレーザ光Ｌ₂ に示されるよう
に計測ヘッド３０より射出する。一方、被測定物Ｓの表
面電位の計測時にプローブ２４の一端が被測定物Ｓに近
接されている際には、被測定物Ｓの帯電電位に応じた電
圧が格子状電極１８に印加され、光導波路１４にはこれ
に応じた電圧が印加される。光導波路１４に電圧が印加
されると、電気光学効果を有する光導波路１４は印加さ
れた電圧に応じて屈折率が変化して格子状電極１８に応
じた回折格子が形成され、光ビームＬはこの回折格子に
よって回折される。

【００２４】このようにして、光導波路１４内で回折さ
れた（屈折した）光ビームＬ₁ 、および回折されず直進
した光ビームＬ₂ （０次光）は、出力用ＬＣＧ２２によ
って下方に回折され、基板１２の斜めにカットされた端
面１２ｂを経て計測ヘッド３０より射出される。

【００２５】計測ヘッド３０より射出した光ビームＬ₁
は制御部３８によって計測され、被測定物Ｓの表面電位
計測結果として出力される。制御部３８は、基本的に、
フォトダイオード等の光電変換素子３２、電圧計３４、
算出部３６、電源４０、および抵抗４２より構成され
る。

【００２６】制御部３８において、計測ヘッド３０より
射出した光ビームＬ₁ は光電変換素子３２に受光され
る。光電変換素子３２の一端側は電源４０に接続され、
他端側は光電変換素子３２と共に計測手段を構成する電
圧計３４、および抵抗４２に接続されている。この電圧
計３４は、光電変換素子３２と抵抗４２との間の電圧を
計測する。この電圧は、回折された光ビームＬ₁ の光量
に対応し、この光量は格子状電極１８に印加された電圧
すなわち被測定物Ｓの表面電位に対応する。従って、こ
の電圧計３４による計測結果より、被測定物Ｓの表面電
位を計測することができる。

【００２７】電圧計３４による計測結果は、算出部３６
に転送される。算出部３６は、電圧計３４からの測定値
より被測定物Ｓの表面電位分布を算出し、計算した表面
電位分布を、補正関数とフーリエ変換とを利用して補正
し、被測定物Ｓの表面電位分布として出力する。なお、
本発明においては、電圧計３４において被測定物Ｓの表
面電位分布を算出し、これを算出部３６に転送するもの
であってもよい。

【００２８】本発明の計測装置１０のように、被測定物
Ｓとプローブ２４とを非接触で表面電位の計測を行う計
測系においては、プローブ２４と被測定物Ｓとの間隙に
おいて電場の広がり、つまりプローブ２４による計測領
域に広がりを生じてしまい、完全な線を計測しても、線
巾に若干の広がりが生じてしまう。本発明においては、
計測装置１０の計測系における線像の広がり関数（図
３）より補正関数を作成し、計測結果の補正を行う。図
３に示されるような計測装置１０の計測系の広がり関数
は、印刷物等におけるＭＴＦ（Modulation Transfer Fa
nction）と同様に得ることができる。

【００２９】補正関数は、この広がり関数をフーリエ変
換して図４に示されるような関数を得、その逆数を取る
ことによって作成される。図３の広がり関数をフーリエ
変換すると、図４に示されるようなこの計測系の各（空
間）周波数における応答性を示す、つまりどの周波数ま
で分離することが可能かを示す関数となるが、このよう
な非接触での計測系では、前記電場の広がりによって、
ある周波数以上の領域は全く計測できない（伝達されな
い）。つまり、ある線巾より狭い領域（周波数の高い領
域）は計測できない。

【００３０】ここで、前述のように図４の関数はこの計
測系における周波数に対する応答性を示し、すなわち、
全周波数領域に均一な信号を入力しても、各周波数にお
いては、このような出力信号になることが示される。従
って、この関数の逆数は元の入力信号となるはずである
ので、この関数の逆数をとることにより、この計測系に
おける計測領域の広がりに対応する補正関数を作成する
ことができる。

【００３１】本発明の計測装置１０において、このよう
な補正関数を用いた表面電位の計測結果の補正は、下記
のようにして行われる。前述のように、算出部３６にお
いては、電圧計３４による電圧の計測結果より、補正前
の表面電位分布の計測結果を得る。ここで、被測定物Ｓ
が図５に示されるような表面電位分布を有するもので、
計測された補正前の計測結果が図６のようなものであっ
た場合に、算出部３６においては、この結果をフーリエ
変換して、図７に示されるような、横軸が周波数となっ
た関数を得る。この図７に示される関数に、前述の補正
関数を掛け合わせて、図８に示されるような補正データ
１を得る。

【００３２】ここで、図４に示される関数は、ある周波
数以上は０となっているので、これより得られた補正関
数を掛け合せた図８に示される補正データ１は、高周波
数領域のノイズが大幅に増大されてしまっている。この
ノイズの補正を行うために、補正データ１に図１１に示
されるような（ローパス）フィルタを掛け合わせ、図９
に示される補正データ２を得る。

【００３３】本発明の計測装置１０において、補正デー
タ１を修正するためのフィルタの形状は基本的には矩形
であるが、これではノイズ等を好適にカットすることが
できない場合が多いので、 cut＆error 等によって良好
な形状を検討して、良好なフィルタを作製すればよい。
また、副数種のフィルタを用意して、目的等に応じて適
宜選択して使用するものであってよい。

【００３４】このようにして得られた補正データ２を逆
フーリエ変換することにより、図１０に示されるよう
な、補正された表面電位分布の計測結果（最終出力）を
得る。

【００３５】本発明の計測装置１０において、補正関数
は表面電位の計測毎に毎回作成する必要はなく、被測定
物Ｓとプローブ２４との距離の変更、プローブ２４の変
更等、計測系に変更があった場合に新規な補正関数を作
成すればよい。また、補正関数の作成や計測結果の補正
を行う際のフーリエ変換におけるフーリエ級数は、フー
リエ変換を行うコンピュータの能力等に応じて適当なも
のを適宜決定すればよい。

【００３６】以上説明した計測装置１０は、電気光学効
果を有する光導波路に光ビームＬを入射して、その屈折
（回折）を調べることによって被測定物Ｓの表面電位を
計測するものであったが、本発明の表面電位計測装置は
上記態様に限定はされず、電気光学効果を有する光学素
子に被測定物Ｓの被検出部分の表面電位に応じた電荷を
印加し、これに光ビームを入射して、屈折率、位相、偏
光等の変化を調べることにより表面電位を計測する各種
の装置を代表として、各種の表面電位計測装置に利用可
能である。

【００３７】具体的には、特開平４−１０５０７２号公
報に開示される、非線形光学結晶と、この非線形光学結
晶を両側からはさみ、その一方が被測定物である帯電体
と対面して配置され、他方に前記帯電体に対するバイア
ス電源が配備される対向電極と、この対向電極の対面配
置された一方と前記帯電体との間に配置された微細な開
口を有する静電遮蔽板と、非線形光学結晶に直線偏光の
光ビームを射出する手段と、非線形光学結晶を通過した
光ビームの偏光の測定手段とを有して構成される表面電
位計測装置；

【００３８】本出願人による特願平３−２１１９８８号
明細書に開示される、電気光学効果を有する結晶を、い
ずれか一方が被測定物である帯電体に対面して配される
対向電極で挟持してなる計測ヘッドと、この結晶の屈折
率変化の温度依存性が小さい結晶軸方向と同方向の直線
偏光の光ビームを射出する光源と、この光源より射出さ
れた光ビームを、計測ヘッドを通過する計測光と通過し
ない参照光とに分離し、前記計測光が計測ヘッドを通過
した後に再度この計測光と参照光とを合成し干渉させる
干渉計（マッハツェンダー干渉計）と、干渉計によって
合成され干渉する光ビームの光量計測手段（位相検波）
と、光量計測手段によって得られた測定結果より被測定
物の表面電位を算出する演算手段とを有して構成される
表面電位計測装置；

【００３９】本出願人による特願平３−２２５９４６号
明細書に開示される、直線偏光の光ビームを射出する光
源と、電気光学効果を有する結晶をいずれか一方が被測
定物である帯電体に対面して配される対向電極で挟持し
てなる計測ヘッドと、反射面を計測ヘッドに向け光ビー
ムの進行方向に計測ヘッドを挟んで配される２枚の半透
鏡によって構成される共振器（ファブリ・ペロ共振器）
と、光ビームの進行方向の下流側に配される半透鏡を透
過した光ビームの光量を測定する手段と、得られた光量
測定結果より、被測定物の表面電位を算出する演算手段
とを有して構成される表面電位計測装置；

【００４０】本出願人による特願平３−２３０３０６号
明細書に開示される、背面電極、および互いに電気的に
絶縁される計測電極と接地される接地電極とによって、
非線形光学結晶を挟持してなる計測ヘッドと、直線偏光
の計測光および補償光を射出し、計測光を非線形光学結
晶の計測電極に対応して、補償光を非線形光学結晶の接
地電極に対応して入射せしめる光ビーム光学系と、非線
形光学結晶を通過した計測光および補償光の光量をそれ
ぞれ測定する光量測定手段と、両者の光量差より、被測
定物の表面電位を算出する演算手段とを有して構成され
る表面電位計測装置；同明細書に開示される、背面電
極、および互いに電気的に絶縁される計測電極と接地さ
れる接地電極とによって、非線形光学結晶を挟持してな
る計測ヘッドと、直線偏光の計測光および補償光を射出
し、計測光を非線形光学結晶の計測電極に対応して、補
償光を非線形光学結晶の接地電極に対応して入射せしめ
る光ビーム光学系と、非線形光学結晶を通過した計測光
および補償光の光量をそれぞれ測定する光量測定手段
と、補償光の光量が常に一定値となるように背面電極に
電圧を印加する電圧印加手段と、計測光の光量より被測
定物の表面電位を算出する演算手段とを有して構成され
る表面電位計測装置；同明細書に開示される、被測定物
と対面する計測電極、および背面電極によって非線形光
学結晶を挟持してなる計測ヘッドと、計測電極と背面電
極とをショートかつ接地自在とする手段と、非線形光学
結晶に直線偏光の光ビームを射出する光ビーム光源と、
非線形光学結晶を通過した光ビームの光量を測定する光
量測定手段と、ショート時と非ショート時との光ビーム
の光量差より、非検体の表面電位を算出する演算手段と
を有して構成される表面電位計測装置；同明細書に開示
される、被測定物と対面する計測電極、および背面電極
によって非線形光学結晶を挟持してなる計測ヘッドと、
計測電極と背面電極とをショートかつ接地自在とする手
段と、非線形光学結晶に直線偏光の光ビームを射出する
光ビーム光源と、非線形光学結晶を通過した光ビームの
光量を測定する光量測定手段と、ショート時の光ビーム
の光量が常に一定値となるように背面電極に電圧を印加
する電圧印加手段と、非ショート時の光ビームの光量よ
り被測定物の表面電位を算出する演算手段とを有して構
成される表面電位計測装置；等が好適に例示される。

【００４１】以上、本発明の表面電位計測装置について
説明したが、本発明は上記実施例に限定はされず、本発
明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および
変更を行ってもよいのはもちろんである。

【００４２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の表
面電位計測装置によれば、誘導電流等を利用した従来の
表面電位計測装置に比べ、極めて高分解能、高感度およ
び高精度な計測が実現できる、電気光学効果を有する光
学素子を利用した表面電位計測装置において、分解能、
感度および精度共により良好な表面電位分布の計測を実
現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表面電位計測装置の一例の側面を概念
的に示す図である。

【図２】図１に示される表面電位計測装置の平面を概念
的に示す図である。

【図３】図１に示される表面電位計測装置の広がり関数
のグラフである。

【図４】図３に示される関数をフーリエ変換して得られ
る関数のグラフである。

【図５】被測定物の表面電位分布の一例である。

【図６】図１に示される表面電位計測装置において図５
に示される被測定物の表面電位分布を計測した際の補正
前の計測結果である。

【図７】図６に示される計測結果をフーリエ変換して得
られる関数のグラフである。

【図８】図７に示される関数に補正関数を掛け合せて得
られる関数のグラフである。

【図９】図８に示される関数にフィルタを掛けて得られ
る関数のグラフである。

【図１０】図１に示される表面電位計測装置における補
正後の表面電位計測結果の一例である。

【図１１】図１に示される表面電位計測装置に利用され
るフィルタの一例である。

【符号の説明】

１０表面電位計測装置１２基板１４光導波路１６バッファ層１８格子状電極２０光入力用線状回折格子（入力用ＬＧＣ）２２光出力用線状回折格子（出力用ＬＧＣ）２４導電性プローブ２６光源３０計測ヘッド３２光電変換素子３４電圧計３６算出部３８制御部４０電源４２抵抗Ｌ光ビームＳ被測定物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気光学効果を有する光学素子と、前記光学素子に電気的に接触して、かつ電気的に被測定
物に近接する電極と、前記光学素子に入射する光ビームを射出する光源と、前記光学素子より射出した光ビームの光量を測定する計
測手段と、前記計測手段で測定された光量より得られた前記被測定
物の表面電位分布をフーリエ変換し、フーリエ変換した
結果を計測系の有する計測領域の広がり関数によって補
正した後、これを逆フーリエ変換して表面電位分布の計
測結果とする算出部とを有することを特徴とする表面電
位計測装置。