JPH06259157A - 自己組織化パターン学習システム - Google Patents
自己組織化パターン学習システムInfo
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- JPH06259157A JPH06259157A JP5048432A JP4843293A JPH06259157A JP H06259157 A JPH06259157 A JP H06259157A JP 5048432 A JP5048432 A JP 5048432A JP 4843293 A JP4843293 A JP 4843293A JP H06259157 A JPH06259157 A JP H06259157A
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- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/88—Image or video recognition using optical means, e.g. reference filters, holographic masks, frequency domain filters or spatial domain filters
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数の異なったパターンを学習する自己組織
化パターン学習システムにおいて、自己組織化学習を行
うためのシステムをコンパクトにし、かつ高速処理を行
う。 【構成】 入力されたパターンxij(t) を記憶し、この
パターンxij(t) に応じて別に入力された光を変調する
光変調素子2A,2B,2Cを1次元または2次元状に
配した光変調素子群と、各光変調素子に入力パターンを
入力する光入力素子1A,1B,1Cと、各光入力素子
に入力された光パターンと各光変調素子に記憶されてい
るパターンとの相関度を検出する相関検出素子3A,3
B,3Cからなる相関検出素子群より光学系を構成す
る。各相関検出素子3A,3B,3Cにより検出された
相関度により入力パターンに重み付けをして学習パター
ンを作成し、各光変調素子2A,2B,2Cに記憶され
ている記憶パターンに重ねて記憶し、自己組織化学習を
行う。
化パターン学習システムにおいて、自己組織化学習を行
うためのシステムをコンパクトにし、かつ高速処理を行
う。 【構成】 入力されたパターンxij(t) を記憶し、この
パターンxij(t) に応じて別に入力された光を変調する
光変調素子2A,2B,2Cを1次元または2次元状に
配した光変調素子群と、各光変調素子に入力パターンを
入力する光入力素子1A,1B,1Cと、各光入力素子
に入力された光パターンと各光変調素子に記憶されてい
るパターンとの相関度を検出する相関検出素子3A,3
B,3Cからなる相関検出素子群より光学系を構成す
る。各相関検出素子3A,3B,3Cにより検出された
相関度により入力パターンに重み付けをして学習パター
ンを作成し、各光変調素子2A,2B,2Cに記憶され
ている記憶パターンに重ねて記憶し、自己組織化学習を
行う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、自己組織化パターン学
習システム、とくに詳細には入力された複数の光パター
ンを自己組織化学習させる自己組織化パターン学習シス
テムに関するものである。
習システム、とくに詳細には入力された複数の光パター
ンを自己組織化学習させる自己組織化パターン学習シス
テムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】画像処理におけるパターン認識において
は、マッチングによる手法が広く行われている。その中
でも代表的な手法は、あらかじめ人間の手で選んでおい
た画像パターンのモデルを知識として蓄え、マッチング
により対象物の識別を行う方法である。しかし、識別対
象物のモデルが固定されているため、対象物のさまざま
な変化(大きさ、方向、形の変化など)に対応できない
など、多くの問題点がある。また、画像パターンのモデ
ルが多くなると、パターンの序列化がなされていないた
め、識別を行うためにパターンの抜けがあるかどうか
が、把握しにくいという問題点もある。
は、マッチングによる手法が広く行われている。その中
でも代表的な手法は、あらかじめ人間の手で選んでおい
た画像パターンのモデルを知識として蓄え、マッチング
により対象物の識別を行う方法である。しかし、識別対
象物のモデルが固定されているため、対象物のさまざま
な変化(大きさ、方向、形の変化など)に対応できない
など、多くの問題点がある。また、画像パターンのモデ
ルが多くなると、パターンの序列化がなされていないた
め、識別を行うためにパターンの抜けがあるかどうか
が、把握しにくいという問題点もある。
【0003】このような問題点を解決するための手法と
して、近年、人間の脳の情報処理原理を模擬したニュー
ラルネットワークによる手法が提案されている。本実施
例で使用している方法は、画像パターンのモデルをニュ
ーラルネットワークの学習モデルを用いて学習し、その
結果を用いて識別を行う試みである。これは、ニューラ
ルネットワークの持つ柔軟性を、学習段階でテンプレー
トに持たせ、対象物のさまざまな変化にも対応できるよ
うにさせようとする試みである。
して、近年、人間の脳の情報処理原理を模擬したニュー
ラルネットワークによる手法が提案されている。本実施
例で使用している方法は、画像パターンのモデルをニュ
ーラルネットワークの学習モデルを用いて学習し、その
結果を用いて識別を行う試みである。これは、ニューラ
ルネットワークの持つ柔軟性を、学習段階でテンプレー
トに持たせ、対象物のさまざまな変化にも対応できるよ
うにさせようとする試みである。
【0004】例えば、学習モデルとして、コホーネンの
自己組織化マッピング(T.Kohonen Self-Organization a
nd Associative Memory,Spriger-Verlag 1984)が挙げら
れる。コホーネンの自己組織化マッピングとはトポロジ
カルなマッピングを自己組織化で学習するモデルであ
る。ここでトポロジカルなマッピングとは、例えば、人
間が外界から受け取ったさまざまな信号、すなわち、あ
るパターン群を、その序列を反映しながらある種の規則
に従って、皮質上の神経細胞に割り当てていることを意
味している。
自己組織化マッピング(T.Kohonen Self-Organization a
nd Associative Memory,Spriger-Verlag 1984)が挙げら
れる。コホーネンの自己組織化マッピングとはトポロジ
カルなマッピングを自己組織化で学習するモデルであ
る。ここでトポロジカルなマッピングとは、例えば、人
間が外界から受け取ったさまざまな信号、すなわち、あ
るパターン群を、その序列を反映しながらある種の規則
に従って、皮質上の神経細胞に割り当てていることを意
味している。
【0005】コホーネンの自己組織化を用いたパターン
学習法を適用したシステムは、提示されたさまざまな外
界パターン情報をランダムに学習するのではなく、情報
を自分で分類しながら、整理整頓した形でニューラルネ
ットワーク内に学習(記憶)していく。これは容量の限
られたシステム内部に、できるだけたくさんの有効な情
報を記憶することを可能にするため、近年、非常に注目
を集めている。
学習法を適用したシステムは、提示されたさまざまな外
界パターン情報をランダムに学習するのではなく、情報
を自分で分類しながら、整理整頓した形でニューラルネ
ットワーク内に学習(記憶)していく。これは容量の限
られたシステム内部に、できるだけたくさんの有効な情
報を記憶することを可能にするため、近年、非常に注目
を集めている。
【0006】このコホーネンの自己組織化を利用して文
字認識の際の、前処理でのおおまかな分類にコホーネン
の自己組織化を利用している報告としては(當麻 岩田
他2名 Comb NETによるJIS 第1.2水準印刷文字の
識別 名工大 1990 電子情報通信学会秋期予稿集)が
ある。
字認識の際の、前処理でのおおまかな分類にコホーネン
の自己組織化を利用している報告としては(當麻 岩田
他2名 Comb NETによるJIS 第1.2水準印刷文字の
識別 名工大 1990 電子情報通信学会秋期予稿集)が
ある。
【0007】また、コホーネンの自己組織化学習を、光
学素子、ビデオ素子およびコンピュータを使用すること
により並列処理として実行する方法がすでに報告されて
いる(Taiwei Lu etc. Self-organizing optical neural
network for unsupervisedlearning,Optical Engineer
ing Vol.29 No.9 ,1107-1113,1990)図37はTaiweiらが行
った自己組織化の実験系を表す図である。
学素子、ビデオ素子およびコンピュータを使用すること
により並列処理として実行する方法がすでに報告されて
いる(Taiwei Lu etc. Self-organizing optical neural
network for unsupervisedlearning,Optical Engineer
ing Vol.29 No.9 ,1107-1113,1990)図37はTaiweiらが行
った自己組織化の実験系を表す図である。
【0008】図37に示すようにこの実験系は拡散板114
と、偏光子101 ,103 によりk×l個(図では3×1
個)並んで配されたi×j個の画素を有する記憶/表示
ライトバルブ 102A, 102B, 102Cを挟み、各記憶/
表示ライトバルブ 102A, 102B, 102Cに記憶パター
ン行列mklij(t-1) が表示された記憶/表示ライトバル
ブ層104 と、多重結像レンズ105 と、偏光子106 ,107
によりライトバルブ108を挟み、時刻tにおける入力パ
ターンxij(t) が表示される入力ライトバルブ層109
と、結像レンズ110 と、相関出力検出器アレイ111 とか
ら光学系を構成し、相関出力検出器アレイ111 より出力
された値ykl(t) と入力パターンxij(t) とにより、時
刻tにおける記憶/表示ライトバルブ層104 の記憶パタ
ーンmklij(t) を演算するコンピュータ113 を有する処
理系とからなるものである。
と、偏光子101 ,103 によりk×l個(図では3×1
個)並んで配されたi×j個の画素を有する記憶/表示
ライトバルブ 102A, 102B, 102Cを挟み、各記憶/
表示ライトバルブ 102A, 102B, 102Cに記憶パター
ン行列mklij(t-1) が表示された記憶/表示ライトバル
ブ層104 と、多重結像レンズ105 と、偏光子106 ,107
によりライトバルブ108を挟み、時刻tにおける入力パ
ターンxij(t) が表示される入力ライトバルブ層109
と、結像レンズ110 と、相関出力検出器アレイ111 とか
ら光学系を構成し、相関出力検出器アレイ111 より出力
された値ykl(t) と入力パターンxij(t) とにより、時
刻tにおける記憶/表示ライトバルブ層104 の記憶パタ
ーンmklij(t) を演算するコンピュータ113 を有する処
理系とからなるものである。
【0009】まず入力ライトバルブ層109 にカメラ112
により撮影された入力パターンxij(t) がコンピュータ
113 を介して表示される。次いで読出し光115 が拡散板
114を通して記憶/表示ライトバルブ層104 に照
射される。記憶/表示ライトバルブ層104 にはすでに時
刻t-1 までに呈示されたパターンがある規則をもって各
記憶/表示ライトバルブ 102A, 102B, 102Cに記憶
パターン群mklij(t-1) として記憶されており、読出し
光115 により各記憶/表示ライトバルブ 102A, 102
B, 102Cに記憶されている記憶パターンmklij(t-1)
が光の強度のパターンとして読み出される。読み出され
たパターン116 は多重結像レンズ105 により各記憶/表
示ライトバルブ 102A, 102B, 102C毎の出力として
入力ライトバルブ層109 に結像され、入力ライトバルブ
層109 を透過し、この透過光117 は集光レンズ110 によ
り、入力パターンと、各記憶/表示ライトバルブ 102
A, 102B,102Cに記憶されている記憶パターンとの
相関値として、相関出力検出器アレイ111 の各検出器に
各々集光され検出される。
により撮影された入力パターンxij(t) がコンピュータ
113 を介して表示される。次いで読出し光115 が拡散板
114を通して記憶/表示ライトバルブ層104 に照
射される。記憶/表示ライトバルブ層104 にはすでに時
刻t-1 までに呈示されたパターンがある規則をもって各
記憶/表示ライトバルブ 102A, 102B, 102Cに記憶
パターン群mklij(t-1) として記憶されており、読出し
光115 により各記憶/表示ライトバルブ 102A, 102
B, 102Cに記憶されている記憶パターンmklij(t-1)
が光の強度のパターンとして読み出される。読み出され
たパターン116 は多重結像レンズ105 により各記憶/表
示ライトバルブ 102A, 102B, 102C毎の出力として
入力ライトバルブ層109 に結像され、入力ライトバルブ
層109 を透過し、この透過光117 は集光レンズ110 によ
り、入力パターンと、各記憶/表示ライトバルブ 102
A, 102B,102Cに記憶されている記憶パターンとの
相関値として、相関出力検出器アレイ111 の各検出器に
各々集光され検出される。
【0010】ここで入力ライトバルブ層109 には入力パ
ターンxij(t) が表示されているため、入力ライトバル
ブ層109 を透過した直後の光117 は記憶/表示ライトバ
ルブ層104 における記憶パターン群mklij(t-1) とxij
(t) と入力パターンを重ね合わせた光パターン、すなわ
ち mklij(t-1) ×xij(t) …(1) なる積の演算がなされたk×l個の光パターンとなって
いる。
ターンxij(t) が表示されているため、入力ライトバル
ブ層109 を透過した直後の光117 は記憶/表示ライトバ
ルブ層104 における記憶パターン群mklij(t-1) とxij
(t) と入力パターンを重ね合わせた光パターン、すなわ
ち mklij(t-1) ×xij(t) …(1) なる積の演算がなされたk×l個の光パターンとなって
いる。
【0011】また、相関出力検出器アレイ111 の各検出
アレイには、透過光117 が集光されるため、相関出力検
出器アレイ111 では、式(1) の演算の結果の各々の光パ
ターンの総和が明暗の情報として検出される。すなわち
アレイには、透過光117 が集光されるため、相関出力検
出器アレイ111 では、式(1) の演算の結果の各々の光パ
ターンの総和が明暗の情報として検出される。すなわち
【0012】
【数1】
【0013】なる演算の結果が検出される。この結果は
すなわち、記憶パターン群mklij(t-1) と入力パターン
xij(t) との相関度ykl(t) を意味する。検出された相
関度ykl(t) はコンピュータ113 に入力される。
すなわち、記憶パターン群mklij(t-1) と入力パターン
xij(t) との相関度ykl(t) を意味する。検出された相
関度ykl(t) はコンピュータ113 に入力される。
【0014】コンピュータ113 においては、相関度ykl
(t) に基づいて重み付けをしながら、記憶/表示ライト
バルブ層104 の記憶パターン群の更新(学習)を行う。
例えば、記憶/表示ライトバルブ層104 の記憶/表示ラ
イトバルブ 102AにはアルファベットのAが、記憶/表
示ライトバルブ 102BにはBが、記憶/表示ライトバル
ブ 102CにはCがそれぞれパターンとして記憶されてい
ると仮定すると、入力パターンxij(t) がAである場
合、相関出力検出器アレイ111 において検出される相関
度ykl(t) は記憶/表示ライトバルブ 102Aと対応した
ものが大きく、記憶/表示ライトバルブ 102B, 102C
と対応したものが小さな値をとる。このため、記憶/表
示ライトバルブ 102Aには新たな重みとしてパターンA
が強く重ねて書き込まれ、記憶/表示ライトバルブ 102
B, 102CにはパターンAは書き込まれないかもしくは
弱く書き込まれる。なお、入力ライトバルブ層109 に入
力されたパターンがBならば記憶/表示ライトバルブ 1
02Bに、入力されたパターンがCならば記憶/表示ライ
トバルブ 102CにそれぞれパターンB,パターンCが強
く書き込まれるような、記憶パターン群の更新(学習)
がなされる。
(t) に基づいて重み付けをしながら、記憶/表示ライト
バルブ層104 の記憶パターン群の更新(学習)を行う。
例えば、記憶/表示ライトバルブ層104 の記憶/表示ラ
イトバルブ 102AにはアルファベットのAが、記憶/表
示ライトバルブ 102BにはBが、記憶/表示ライトバル
ブ 102CにはCがそれぞれパターンとして記憶されてい
ると仮定すると、入力パターンxij(t) がAである場
合、相関出力検出器アレイ111 において検出される相関
度ykl(t) は記憶/表示ライトバルブ 102Aと対応した
ものが大きく、記憶/表示ライトバルブ 102B, 102C
と対応したものが小さな値をとる。このため、記憶/表
示ライトバルブ 102Aには新たな重みとしてパターンA
が強く重ねて書き込まれ、記憶/表示ライトバルブ 102
B, 102CにはパターンAは書き込まれないかもしくは
弱く書き込まれる。なお、入力ライトバルブ層109 に入
力されたパターンがBならば記憶/表示ライトバルブ 1
02Bに、入力されたパターンがCならば記憶/表示ライ
トバルブ 102CにそれぞれパターンB,パターンCが強
く書き込まれるような、記憶パターン群の更新(学習)
がなされる。
【0015】以上の動作を繰り返して、入力ライトバル
ブ層109 に次々と入力される様々なパターンを記憶/表
示ライトバルブ層104 内に記憶し、学習していくのであ
る。
ブ層109 に次々と入力される様々なパターンを記憶/表
示ライトバルブ層104 内に記憶し、学習していくのであ
る。
【0016】このようにしてTaiweiらの実験系において
は記憶/表示ライトバルブ層104 において、入力ライト
バルブに入力されるパターンの自己組織化を進めること
ができる。
は記憶/表示ライトバルブ層104 において、入力ライト
バルブに入力されるパターンの自己組織化を進めること
ができる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】ところが、Taiweiらの
実験系においては、記憶/表示ライトバルブと入力ライ
トバルブ間の光学的演算を多重結像レンズを用いて行っ
ており、記憶/表示ライトバルブと入力ライトバルブと
の間にある程度の距離が必要であるため、この自己組織
化を行うための装置が大がかりなものとなっていた。
実験系においては、記憶/表示ライトバルブと入力ライ
トバルブ間の光学的演算を多重結像レンズを用いて行っ
ており、記憶/表示ライトバルブと入力ライトバルブと
の間にある程度の距離が必要であるため、この自己組織
化を行うための装置が大がかりなものとなっていた。
【0018】また、Taiweiらの実験系においては、上述
したコホーネンの自己組織化に従って、各ニューロン
(記憶/表示ライトバルブ層)の出力と入力パターンと
の相関値を光学的に検出しているが、この相関値に基づ
く記憶パターンの更新をコンピュータで行うようにして
いるため、相関値の算出を光学系を使用して並列・高速
に実行しているにもかかわらず、自己組織化学習処理の
全体をさほど高速に行うことはできなかった。
したコホーネンの自己組織化に従って、各ニューロン
(記憶/表示ライトバルブ層)の出力と入力パターンと
の相関値を光学的に検出しているが、この相関値に基づ
く記憶パターンの更新をコンピュータで行うようにして
いるため、相関値の算出を光学系を使用して並列・高速
に実行しているにもかかわらず、自己組織化学習処理の
全体をさほど高速に行うことはできなかった。
【0019】一方、上述したTaiweiらの実験系において
は、8×8個の相関度検出器が使用されている。したが
って、上述した実験系ににおいて検出される相関度の数
は64個であり、検出された相関度は、相関出力器アレイ
から64本の結線によりコンピュータに入力されることと
なる。
は、8×8個の相関度検出器が使用されている。したが
って、上述した実験系ににおいて検出される相関度の数
は64個であり、検出された相関度は、相関出力器アレイ
から64本の結線によりコンピュータに入力されることと
なる。
【0020】このように相関度検出器の数が8×8個程
度であれば、相関度をコンピュータに入力する結線の数
は少なくてもよいが、より多くの相関度検出器を使用し
(例えば64×64個)、複雑な演算処理を行う場合には、
前述した結線の数は莫大なもの(例えば64×64=4096
本)となり、結果としてシステムの大型化、制作コスト
の上昇等の問題が生じることとなる。
度であれば、相関度をコンピュータに入力する結線の数
は少なくてもよいが、より多くの相関度検出器を使用し
(例えば64×64個)、複雑な演算処理を行う場合には、
前述した結線の数は莫大なもの(例えば64×64=4096
本)となり、結果としてシステムの大型化、制作コスト
の上昇等の問題が生じることとなる。
【0021】本発明は上記事情に鑑み、自己組織化学習
を行うためのシステムの全信号系列の並列伝送化、並列
演算化を行うことで、装置をコンパクトにすることがで
きるとともに、低コスト化および高速処理が可能な自己
組織化パターン学習システムを提供することを目的とす
るものである。
を行うためのシステムの全信号系列の並列伝送化、並列
演算化を行うことで、装置をコンパクトにすることがで
きるとともに、低コスト化および高速処理が可能な自己
組織化パターン学習システムを提供することを目的とす
るものである。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の自己
組織化パターン学習システムは、多数の異なったパター
ンを学習する自己組織化パターン学習システムにおい
て、多数のパターンを記憶するパターン群記憶手段と、
入力されたパターンを表示する入力パターン表示手段
と、光検出手段とからなり、該入力パターン表示手段、
該パターン群記憶手段、該光検出手段のすべてまたはい
ずれか2つの手段が隣接して配置され、前記パターン群
記憶手段に記憶されている各記憶パターンと、前記入力
パターン表示手段に表示された入力パターン群とのパタ
ーン相関度を、前記光検出手段により光学的に検出する
光学的パターン相関度検出手段と、該光学的パターン相
関度検出手段により検出された光学的パターン相関度と
前記入力パターンとに応じて、学習パターン群を作成す
る学習パターン群作成手段と、該学習パターン群作成手
段により作成された学習パターン群に応じて、前記パタ
ーン群記憶手段に記憶されている記憶パターン群を更新
する記憶パターン更新手段とからなることを特徴とする
ものである。
組織化パターン学習システムは、多数の異なったパター
ンを学習する自己組織化パターン学習システムにおい
て、多数のパターンを記憶するパターン群記憶手段と、
入力されたパターンを表示する入力パターン表示手段
と、光検出手段とからなり、該入力パターン表示手段、
該パターン群記憶手段、該光検出手段のすべてまたはい
ずれか2つの手段が隣接して配置され、前記パターン群
記憶手段に記憶されている各記憶パターンと、前記入力
パターン表示手段に表示された入力パターン群とのパタ
ーン相関度を、前記光検出手段により光学的に検出する
光学的パターン相関度検出手段と、該光学的パターン相
関度検出手段により検出された光学的パターン相関度と
前記入力パターンとに応じて、学習パターン群を作成す
る学習パターン群作成手段と、該学習パターン群作成手
段により作成された学習パターン群に応じて、前記パタ
ーン群記憶手段に記憶されている記憶パターン群を更新
する記憶パターン更新手段とからなることを特徴とする
ものである。
【0023】また、本発明による第2の自己組織化パタ
ーン学習システムは、本発明による第1の自己組織化パ
ターン学習システムにおいて、前記光学的パターン相関
度検出手段が、入力パターン表示手段、パターン群記憶
手段、光検出手段の順に配置されてなることを特徴とす
るものである。
ーン学習システムは、本発明による第1の自己組織化パ
ターン学習システムにおいて、前記光学的パターン相関
度検出手段が、入力パターン表示手段、パターン群記憶
手段、光検出手段の順に配置されてなることを特徴とす
るものである。
【0024】さらに、本発明による第3の自己組織化パ
ターン学習システムは、本発明による第1の自己組織化
パターン学習システムにおいて、前記光学的パターン相
関度検出手段が、パターン群記憶手段、入力パターン表
示手段、光検出手段の順に配置されてなることを特徴と
するものである。
ターン学習システムは、本発明による第1の自己組織化
パターン学習システムにおいて、前記光学的パターン相
関度検出手段が、パターン群記憶手段、入力パターン表
示手段、光検出手段の順に配置されてなることを特徴と
するものである。
【0025】さらに、本発明による第4の自己組織化パ
ターン学習システムは、本発明による第1の自己組織化
パターン学習システムにおいて、前記学習パターン群作
成手段が、前記光学的パターン相関度検出手段により検
出される前記パターン相関度に応じて、電気的な演算に
より重みの付けられた学習パターン群を作成する学習パ
ターン群演算手段と、前記学習パターン群を表示する学
習パターン群表示手段とからなることを特徴とするもの
である。
ターン学習システムは、本発明による第1の自己組織化
パターン学習システムにおいて、前記学習パターン群作
成手段が、前記光学的パターン相関度検出手段により検
出される前記パターン相関度に応じて、電気的な演算に
より重みの付けられた学習パターン群を作成する学習パ
ターン群演算手段と、前記学習パターン群を表示する学
習パターン群表示手段とからなることを特徴とするもの
である。
【0026】また、本発明による第5の自己組織化パタ
ーン学習システムは、本発明による第1の自己組織化パ
ターン学習システムにおいて、前記学習パターン群作成
手段が、前記光学的パターン相関度検出手段により検出
されるパターン相関度に応じて、相関度光群を出力する
相関度光群出力手段と、該相関度光群出力手段により出
力された相関度光群の各相関度光を入力パターンに応じ
たパターン光に変調する入力パターン表示手段とからな
ることを特徴とするものである。
ーン学習システムは、本発明による第1の自己組織化パ
ターン学習システムにおいて、前記学習パターン群作成
手段が、前記光学的パターン相関度検出手段により検出
されるパターン相関度に応じて、相関度光群を出力する
相関度光群出力手段と、該相関度光群出力手段により出
力された相関度光群の各相関度光を入力パターンに応じ
たパターン光に変調する入力パターン表示手段とからな
ることを特徴とするものである。
【0027】また、本発明による第6の自己組織化パタ
ーン学習システムは、本発明による第1の自己組織化パ
ターン学習システムにおいて、前記学習パターン群作成
手段が、入力パターンに応じたパターン光群を出力する
入力パターン出力手段と、前記光学的パターン相関度検
出手段により検出される前記パターン相関度に応じて、
前記入力パターン出力手段から出力される前記入力パタ
ーン光群を変調する相関度光群変調手段とからなること
を特徴とするものである。
ーン学習システムは、本発明による第1の自己組織化パ
ターン学習システムにおいて、前記学習パターン群作成
手段が、入力パターンに応じたパターン光群を出力する
入力パターン出力手段と、前記光学的パターン相関度検
出手段により検出される前記パターン相関度に応じて、
前記入力パターン出力手段から出力される前記入力パタ
ーン光群を変調する相関度光群変調手段とからなること
を特徴とするものである。
【0028】また、本発明による第7の自己組織化パタ
ーン学習システムは、本発明による第1の自己組織化パ
ターン学習システムにおいて、前記記憶パターン更新手
段が、前記学習パターン群作成手段によって作成された
前記学習パターン群に応じて、前記パターン群記憶手段
に記憶されている前記記憶パターン群を光学的に更新す
ることを特徴とするものである。
ーン学習システムは、本発明による第1の自己組織化パ
ターン学習システムにおいて、前記記憶パターン更新手
段が、前記学習パターン群作成手段によって作成された
前記学習パターン群に応じて、前記パターン群記憶手段
に記憶されている前記記憶パターン群を光学的に更新す
ることを特徴とするものである。
【0029】さらに、本発明による第8の自己組織化パ
ターン学習システムは、本発明による第1の自己組織化
パターン学習システムにおいて、前記記憶パターン更新
手段が、前記学習パターン群作成手段によって作成され
た前記学習パターン群に応じて、前記パターン群記憶手
段に記憶されている前記記憶パターン群を電気的に更新
することを特徴とするものである。
ターン学習システムは、本発明による第1の自己組織化
パターン学習システムにおいて、前記記憶パターン更新
手段が、前記学習パターン群作成手段によって作成され
た前記学習パターン群に応じて、前記パターン群記憶手
段に記憶されている前記記憶パターン群を電気的に更新
することを特徴とするものである。
【0030】また、本発明による第9の自己組織化パタ
ーン学習システムは、本発明による第1の自己組織化パ
ターン学習システムにおいて、前記記憶パターン更新手
段が、前記光学的パターン相関度検出手段を構成する前
記パターン群記憶手段からなることを特徴とするもので
ある。
ーン学習システムは、本発明による第1の自己組織化パ
ターン学習システムにおいて、前記記憶パターン更新手
段が、前記光学的パターン相関度検出手段を構成する前
記パターン群記憶手段からなることを特徴とするもので
ある。
【0031】なお、本発明の自己組織化パターン学習シ
ステムの各種具体的な態様は、請求項2から43に記載し
た通りのものであり、課題を解決するための手段として
ここにその内容を繰返すのは冗長となるので、ここでは
省略する。
ステムの各種具体的な態様は、請求項2から43に記載し
た通りのものであり、課題を解決するための手段として
ここにその内容を繰返すのは冗長となるので、ここでは
省略する。
【0032】
【作用】本発明による自己組織化パターン学習システム
は、基本的には、パターン群記憶手段、入力パターン群
表示手段および光検出手段のすべてあるいはいずれか2
つの手段が隣接して配置されてなる光学的パターン相関
度検出手段において、パターン群記憶手段に記憶されて
いる記憶パターン群と入力パターン群表示手段に表示さ
れている新たな光パターンである入力パターン群との相
関度を、光検出手段により光学的に得、学習パターン群
作成手段においてこの相関度と入力パターン群とに応じ
て学習パターン群を作成し、記憶パターン更新手段にお
いて、この学習パターン群に応じて、パターン群記憶手
段に記憶されている記憶パターン群の更新を行うように
したものである。
は、基本的には、パターン群記憶手段、入力パターン群
表示手段および光検出手段のすべてあるいはいずれか2
つの手段が隣接して配置されてなる光学的パターン相関
度検出手段において、パターン群記憶手段に記憶されて
いる記憶パターン群と入力パターン群表示手段に表示さ
れている新たな光パターンである入力パターン群との相
関度を、光検出手段により光学的に得、学習パターン群
作成手段においてこの相関度と入力パターン群とに応じ
て学習パターン群を作成し、記憶パターン更新手段にお
いて、この学習パターン群に応じて、パターン群記憶手
段に記憶されている記憶パターン群の更新を行うように
したものである。
【0033】このため、Taiweiらの実験系のように相関
度を伝達するための多数の結線を用いる必要がなく、新
たなに入力された入力パターン群によりパターン群記憶
手段における記憶パターンの更新すなわち自己組織化学
習を行うことができる。さらに、多数の相関度の情報を
並列に伝達し、同様に記憶更新のための学習パターンを
並列に作成し、さらに記憶更新(書き込み)までも並列
に行なうため、計算機によって記憶の更新を行うTaiwei
らの実験系よりも高速に自己組織化学習を行うことがで
きる。また、相関度を伝達するための多数の結線を用い
る必要がないため、システムのコンパクト化を実現する
ことができ、さらにシステムの低コスト化を実現するこ
とができる。
度を伝達するための多数の結線を用いる必要がなく、新
たなに入力された入力パターン群によりパターン群記憶
手段における記憶パターンの更新すなわち自己組織化学
習を行うことができる。さらに、多数の相関度の情報を
並列に伝達し、同様に記憶更新のための学習パターンを
並列に作成し、さらに記憶更新(書き込み)までも並列
に行なうため、計算機によって記憶の更新を行うTaiwei
らの実験系よりも高速に自己組織化学習を行うことがで
きる。また、相関度を伝達するための多数の結線を用い
る必要がないため、システムのコンパクト化を実現する
ことができ、さらにシステムの低コスト化を実現するこ
とができる。
【0034】また、Taiweiらの実験系のように各層間す
べてに、入力パターン、学習パターン等を伝達するため
のレンズ結像系を用いる必要がなく、入力パターンに応
じた学習パターンを作成し、パターン群記憶手段におけ
る記憶パターン群の自己組織化学習を行うことができ
る。また、レンズ結像系を用いる必要がないため、シス
テムのコンパクト化を実現することができ、さらにはレ
ンズ結像系におけるレンズ収差や外部からの光ノイズ、
またレンズの位置精度やアライメントを考慮する必要が
なく、システムの低コスト化を実現することができる。
また、レンズ結像系が不要なため、振動に強く光の伝達
効率の優れたシステムを構築することができる。
べてに、入力パターン、学習パターン等を伝達するため
のレンズ結像系を用いる必要がなく、入力パターンに応
じた学習パターンを作成し、パターン群記憶手段におけ
る記憶パターン群の自己組織化学習を行うことができ
る。また、レンズ結像系を用いる必要がないため、シス
テムのコンパクト化を実現することができ、さらにはレ
ンズ結像系におけるレンズ収差や外部からの光ノイズ、
またレンズの位置精度やアライメントを考慮する必要が
なく、システムの低コスト化を実現することができる。
また、レンズ結像系が不要なため、振動に強く光の伝達
効率の優れたシステムを構築することができる。
【0035】また、本発明の第2の自己組織化パターン
学習システムは、本発明による第1の自己組織化パター
ン学習システムにおいて、光学的パターン相関度検出手
段が入力パターン群表示手段、パターン群記憶手段、光
検出手段の順に配置され、本発明による第3の自己組織
化パターン学習システムは、光学的パターン相関度検出
手段がパターン群記憶手段、入力パターン群表示手段、
光検出手段の順に配置されてなるものである。この場合
も、本発明の第1の自己組織化パターン学習システムと
同様に、パターン群記憶手段において自己組織化学習を
行うことができる。なお、この場合、パターン群記憶手
段および入力パターン群表示手段間のパターンの伝達を
光の強度パターン、あるいは偏光パターンのいずれにお
いても行うことができる。
学習システムは、本発明による第1の自己組織化パター
ン学習システムにおいて、光学的パターン相関度検出手
段が入力パターン群表示手段、パターン群記憶手段、光
検出手段の順に配置され、本発明による第3の自己組織
化パターン学習システムは、光学的パターン相関度検出
手段がパターン群記憶手段、入力パターン群表示手段、
光検出手段の順に配置されてなるものである。この場合
も、本発明の第1の自己組織化パターン学習システムと
同様に、パターン群記憶手段において自己組織化学習を
行うことができる。なお、この場合、パターン群記憶手
段および入力パターン群表示手段間のパターンの伝達を
光の強度パターン、あるいは偏光パターンのいずれにお
いても行うことができる。
【0036】また、学習パターン群作成手段を、パター
ン相関度に応じて、電気的な演算により重み付けられた
学習パターン群を作成する学習パターン群演算手段と、
学習パターン群を表示する学習パターン群表示手段とか
ら構成し、この学習パターン群表示手段に表示された学
習パターン群を記憶パターン更新手段によりパターン群
記憶手段の記憶パターン群を更新させるようにしてもよ
い。
ン相関度に応じて、電気的な演算により重み付けられた
学習パターン群を作成する学習パターン群演算手段と、
学習パターン群を表示する学習パターン群表示手段とか
ら構成し、この学習パターン群表示手段に表示された学
習パターン群を記憶パターン更新手段によりパターン群
記憶手段の記憶パターン群を更新させるようにしてもよ
い。
【0037】さらに、学習パターン群作成手段を、パタ
ーン相関度に応じて、相関度光群を出力する相関度光群
出力手段と、この相関度光群の各相関度光を入力パター
ンに応じたパターン光に変調する入力パターン表示手段
とから構成すれば、相関度光群に応じた入力パターンが
求められ、これをパターン群記憶手段の記憶パターン群
の更新に用いることができる。
ーン相関度に応じて、相関度光群を出力する相関度光群
出力手段と、この相関度光群の各相関度光を入力パター
ンに応じたパターン光に変調する入力パターン表示手段
とから構成すれば、相関度光群に応じた入力パターンが
求められ、これをパターン群記憶手段の記憶パターン群
の更新に用いることができる。
【0038】また、学習パターン群作成手段を、入力パ
ターンに応じたパターン光群を出力する入力パターン出
力手段と、パターン相関度に応じて入力パターン光群を
変調する相関度光群変調手段とから構成するようにして
もよい。
ターンに応じたパターン光群を出力する入力パターン出
力手段と、パターン相関度に応じて入力パターン光群を
変調する相関度光群変調手段とから構成するようにして
もよい。
【0039】また、パターン群記憶手段に記憶されてい
る記憶パターン群を学習パターン群に応じて、光学的に
または電気的に更新するようにしてもよい。さらに、パ
ターン群記憶手段に記憶されている記憶パターン群のす
べてまたはその一部を消去する消去手段を設ければ、自
己組織化学習途中にパターン群記憶手段に現れる不要な
パターンを消去することができ、より良好な自己組織化
学習を行うことができる。
る記憶パターン群を学習パターン群に応じて、光学的に
または電気的に更新するようにしてもよい。さらに、パ
ターン群記憶手段に記憶されている記憶パターン群のす
べてまたはその一部を消去する消去手段を設ければ、自
己組織化学習途中にパターン群記憶手段に現れる不要な
パターンを消去することができ、より良好な自己組織化
学習を行うことができる。
【0040】さらに、光学的パターン相関度検出手段の
入力パターン群表示手段と、学習パターン群作成手段の
入力パターン群表示手段とを共通の手段とすれば、シス
テムをよりコンパクトに構成することができ、好まし
い。また、記憶パターン更新手段と、光学的パターン相
関度検出手段のパターン群記憶手段とを共通の手段とし
てもよい。
入力パターン群表示手段と、学習パターン群作成手段の
入力パターン群表示手段とを共通の手段とすれば、シス
テムをよりコンパクトに構成することができ、好まし
い。また、記憶パターン更新手段と、光学的パターン相
関度検出手段のパターン群記憶手段とを共通の手段とし
てもよい。
【0041】また、光検出手段により検出する光とパタ
ーン群記憶手段により記憶パターン群が更新されると光
を、記憶パターン群の光学的特性に応じた異なる波長の
光とするようにしてもよい。この場合、相関度の検出記
憶パターン群の更新とを同時に行うことができるため、
より高速処理が可能となる。
ーン群記憶手段により記憶パターン群が更新されると光
を、記憶パターン群の光学的特性に応じた異なる波長の
光とするようにしてもよい。この場合、相関度の検出記
憶パターン群の更新とを同時に行うことができるため、
より高速処理が可能となる。
【0042】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
【0043】図1は図37に示したTaiweiらの自己組織化
パターン学習システムにおいて、コンピュータ113 で実
行していた部分を、エレキハードウェアの機能ブロック
の表示手法を用いて、詳細に記述し直した機能概念図で
ある。
パターン学習システムにおいて、コンピュータ113 で実
行していた部分を、エレキハードウェアの機能ブロック
の表示手法を用いて、詳細に記述し直した機能概念図で
ある。
【0044】なお、図1に示すシステムの光学系は図37
に示した装置と略同一であるため、対応する番号
に「′」を付し、詳細な説明は省略する。
に示した装置と略同一であるため、対応する番号
に「′」を付し、詳細な説明は省略する。
【0045】図1に示すように、時刻tにおいて記憶バ
ッファB123 には、時刻t-1 までに学習した記憶パター
ン群mklij(t-1) が記憶されている。また、記憶/表示
ライトバルブ104 ′にはその記憶パターン群の内容が表
示されている。また、同じ時刻tにおいて、入力ライト
バルブ109 ′には時刻tにおける入力像xij(t) が表示
されている。このとき相関出力検出器アレイ111 ′に
は、記憶/表示ライトバルブ104 ′と入力ライトバルブ
109 ′とを通過してきた相関出力読出し光115 ′が集光
レンズ110 ′によって集光され、相関出力検出器アレイ
111 ′は記憶パターン群mklij(t-1) と入力パターンx
ij(t) との相関値ykl(t) を出力する。その相関出力y
kl(t) は、学習許可パターンバッファ120 に入力され、
一旦記憶される。
ッファB123 には、時刻t-1 までに学習した記憶パター
ン群mklij(t-1) が記憶されている。また、記憶/表示
ライトバルブ104 ′にはその記憶パターン群の内容が表
示されている。また、同じ時刻tにおいて、入力ライト
バルブ109 ′には時刻tにおける入力像xij(t) が表示
されている。このとき相関出力検出器アレイ111 ′に
は、記憶/表示ライトバルブ104 ′と入力ライトバルブ
109 ′とを通過してきた相関出力読出し光115 ′が集光
レンズ110 ′によって集光され、相関出力検出器アレイ
111 ′は記憶パターン群mklij(t-1) と入力パターンx
ij(t) との相関値ykl(t) を出力する。その相関出力y
kl(t) は、学習許可パターンバッファ120 に入力され、
一旦記憶される。
【0046】一方で、入力像マルチパターンバッファ12
1 には、時刻tにおける入力パターンxij(t) のマルチ
パターン像であるxklij(t) が一旦記憶されている。マ
ルチ像の数は記憶/表示ライトバルブ層104 ′における
記憶/表示ライトバルブ 120A′, 120B′, 120C′
と対応する数だけ存在する。
1 には、時刻tにおける入力パターンxij(t) のマルチ
パターン像であるxklij(t) が一旦記憶されている。マ
ルチ像の数は記憶/表示ライトバルブ層104 ′における
記憶/表示ライトバルブ 120A′, 120B′, 120C′
と対応する数だけ存在する。
【0047】学習許可パターンバッファ120 に相関値y
kl(t) が記憶されると、入力像マルチパターンバッファ
121 に記憶されている入力パターンxklij(t) よりバイ
アス成分kが減算される。その後、学習許可パターンバ
ッファ120 に記憶された各相関値ykl(t) と、マルチパ
ターンxklij(t) からバイアス成分kが減算されたマル
チパターンxklij(t) −kとのスカラー乗算が行われ、
次いで、この乗算がなされた各マルチパターンに係数α
がスカラー乗算される。その後、記憶パターンバッファ
B123 に記憶されている記憶パターン群mklij(t-1) と
係数αが乗算されたマルチパターンα×(xklij(t) −
k)とが加算され新たな記憶パターン群mklij(t) が算
出される。すなわち、以上なされる演算を式で表わす
と、
kl(t) が記憶されると、入力像マルチパターンバッファ
121 に記憶されている入力パターンxklij(t) よりバイ
アス成分kが減算される。その後、学習許可パターンバ
ッファ120 に記憶された各相関値ykl(t) と、マルチパ
ターンxklij(t) からバイアス成分kが減算されたマル
チパターンxklij(t) −kとのスカラー乗算が行われ、
次いで、この乗算がなされた各マルチパターンに係数α
がスカラー乗算される。その後、記憶パターンバッファ
B123 に記憶されている記憶パターン群mklij(t-1) と
係数αが乗算されたマルチパターンα×(xklij(t) −
k)とが加算され新たな記憶パターン群mklij(t) が算
出される。すなわち、以上なされる演算を式で表わす
と、
【0048】
【数2】
【0049】となる。新たな記憶パターン群mklij(t)
は、記憶パターンバッファA122 に記憶され、さらに記
憶パターンバッファB123 にも同じものが記憶される。
は、記憶パターンバッファA122 に記憶され、さらに記
憶パターンバッファB123 にも同じものが記憶される。
【0050】次いで、新たな入力パターンxij(t+1) が
入力カメラ112 ′より入力されると、入力ライトバルブ
層109 ′に入力パターンxij(t+1) が表示され、同時に
記憶パターンバッファB123 から時刻tまでに学習した
記憶パターン群mklij(t) が記憶/表示ライトバルブ層
104 ′に読み出されて表示され、かつ、入力像マルチパ
ターンバッファ121 には、新たな入力パターンxij(t+
1) のマルチパターン像であるxklij(t+1) が一旦記憶
される。
入力カメラ112 ′より入力されると、入力ライトバルブ
層109 ′に入力パターンxij(t+1) が表示され、同時に
記憶パターンバッファB123 から時刻tまでに学習した
記憶パターン群mklij(t) が記憶/表示ライトバルブ層
104 ′に読み出されて表示され、かつ、入力像マルチパ
ターンバッファ121 には、新たな入力パターンxij(t+
1) のマルチパターン像であるxklij(t+1) が一旦記憶
される。
【0051】その後、再び相関出力読み出し光115 ′が
照射され、相関出力検出器アレイ111 から上記と同様に
して新たな相関値ykl(t+1) が検出され、式(6) に従う
同様の演算がなされ、また新たな記憶パターンが算出さ
れる。
照射され、相関出力検出器アレイ111 から上記と同様に
して新たな相関値ykl(t+1) が検出され、式(6) に従う
同様の演算がなされ、また新たな記憶パターンが算出さ
れる。
【0052】以上の動作を繰り返して、記憶/表示ライ
トバルブ層104 ′における各ライトバルブと対応する記
憶パターンバッファA122 、B123 の重みの更新、すな
わち学習がなされるのである。
トバルブ層104 ′における各ライトバルブと対応する記
憶パターンバッファA122 、B123 の重みの更新、すな
わち学習がなされるのである。
【0053】次いで本発明の実施例について説明する。
【0054】図2は本発明の自己組織化パターン学習シ
ステムの第1の基本的概念を表す図である。
ステムの第1の基本的概念を表す図である。
【0055】図2に示すように、本発明の第1の基本的
概念における自己組織化パターン学習システムは、入力
されたパターンを記憶し、この記憶されたパターンに応
じて別に入力された光を変調する光変調素子2A,2
B,2Cが1次元または2次元状に複数配列されてなる
(本実施例においては、1次元状に3個)、パターン群
記憶手段である光変調素子群2と、各光変調素子2A,
2B,2Cにそれぞれ隣接して配された、各光変調素子
2A,2B,2Cに新たなパターンである入力パターン
xをそれぞれ入力する多数の光入力素子1A,1B,1
Cと、該各光入力素子1A,1B,1Cに入力パターン
xを入力する入力手段5とを含む、入力パターン群表示
手段であるパターン入力手段1と、各光変調素子2A,
2B,2Cにそれぞれ隣接して配された、各光入力素子
1A,1B,1Cに入力されたパターンxと光変調素子
群2に記憶されている記憶パターンとの相関度yを各光
変調素子2A,2B,2C毎に検出する多数の相関検出
素子3A,3B,3Cからなる、光検出手段である相関
検出素子群3と、各相関検出素子3A,3B,3Cによ
り検出された各相関度yと、入力されているパターンx
とに応じて学習パターンを作成する学習パターン群作成
手段と、この学習パターンにより、各光変調素子2A,
2B,2Cに記憶されているパターンを更新する記憶パ
ターン更新手段とを内包する演算手段4とからなるもの
である。
概念における自己組織化パターン学習システムは、入力
されたパターンを記憶し、この記憶されたパターンに応
じて別に入力された光を変調する光変調素子2A,2
B,2Cが1次元または2次元状に複数配列されてなる
(本実施例においては、1次元状に3個)、パターン群
記憶手段である光変調素子群2と、各光変調素子2A,
2B,2Cにそれぞれ隣接して配された、各光変調素子
2A,2B,2Cに新たなパターンである入力パターン
xをそれぞれ入力する多数の光入力素子1A,1B,1
Cと、該各光入力素子1A,1B,1Cに入力パターン
xを入力する入力手段5とを含む、入力パターン群表示
手段であるパターン入力手段1と、各光変調素子2A,
2B,2Cにそれぞれ隣接して配された、各光入力素子
1A,1B,1Cに入力されたパターンxと光変調素子
群2に記憶されている記憶パターンとの相関度yを各光
変調素子2A,2B,2C毎に検出する多数の相関検出
素子3A,3B,3Cからなる、光検出手段である相関
検出素子群3と、各相関検出素子3A,3B,3Cによ
り検出された各相関度yと、入力されているパターンx
とに応じて学習パターンを作成する学習パターン群作成
手段と、この学習パターンにより、各光変調素子2A,
2B,2Cに記憶されているパターンを更新する記憶パ
ターン更新手段とを内包する演算手段4とからなるもの
である。
【0056】まず、入力手段5によりパターン入力手段
1の各光入力素子1A,1B,1Cに入力パターンxが
入力される。入力されたパターンxは、各光入力素子1
A,1B,1Cに光が照射される等して出力され、光変
調素子群2の各光変調素子2A,2B,2Cに入力され
る。各光変調素子2A,2B,2Cには今までに入力さ
れたパターンによって学習がなされたパターンが記憶さ
れており、ここで各光入力素子1A,1B,1Cにより
出力された光6A,6B,6Cは、各光変調素子2A,
2B,2Cを透過することにより、入力パターンxと各
光変調素子2A,2B,2Cに記憶されている各記憶パ
ターンとの重ね合せの光パターン7A,7B,7Cとし
て出力され、相関検出素子群3の各相関検出素子3A,
3B,3Cによりそれぞれの光パターンの光量の総和が
検出される。各相関検出素子3A,3B,3Cによりそ
れぞれ検出された光パターン7A,7B,7の光量の総
和は相関度yとして出力され、演算手段4に入力され
る。演算手段4には入力手段5より入力パターンxが入
力されており、各相関検出素子3A,3B,3Cにより
検出された相関度yにより、入力パターンxに重み付け
をして学習パターンを作成し、この学習パターンによっ
て光変調素子群2における各光変調素子2A,2B,2
Cに記憶されている記憶パターンの更新を行うものであ
る。
1の各光入力素子1A,1B,1Cに入力パターンxが
入力される。入力されたパターンxは、各光入力素子1
A,1B,1Cに光が照射される等して出力され、光変
調素子群2の各光変調素子2A,2B,2Cに入力され
る。各光変調素子2A,2B,2Cには今までに入力さ
れたパターンによって学習がなされたパターンが記憶さ
れており、ここで各光入力素子1A,1B,1Cにより
出力された光6A,6B,6Cは、各光変調素子2A,
2B,2Cを透過することにより、入力パターンxと各
光変調素子2A,2B,2Cに記憶されている各記憶パ
ターンとの重ね合せの光パターン7A,7B,7Cとし
て出力され、相関検出素子群3の各相関検出素子3A,
3B,3Cによりそれぞれの光パターンの光量の総和が
検出される。各相関検出素子3A,3B,3Cによりそ
れぞれ検出された光パターン7A,7B,7の光量の総
和は相関度yとして出力され、演算手段4に入力され
る。演算手段4には入力手段5より入力パターンxが入
力されており、各相関検出素子3A,3B,3Cにより
検出された相関度yにより、入力パターンxに重み付け
をして学習パターンを作成し、この学習パターンによっ
て光変調素子群2における各光変調素子2A,2B,2
Cに記憶されている記憶パターンの更新を行うものであ
る。
【0057】例えば、図3に示すように、各光入力素子
1A,1B,1Cには入力パターンとしてアルファベッ
トの「A」が表示されており、各光変調素子2A,2
B,2Cにはアルファベットの「A」,「B」,「C」
がそれぞれ記憶されている場合、各相関検出素子3A,
3B,3Cには、図3に示すように、「A」と「A」,
「B」,「C」との重ね合せのパターンが相関度として
それぞれ検出されることとなる。したがって、相関検出
素子3Aには「A」と「A」との重ね合せのパターンが
検出されるため、相関度は大きく、相関検出素子3B,
3Cに検出される相関度はそれぞれ「A」と「B」、
「A」と「C」との重ね合せのパターンであるため相関
検出素子3Aに検出される相関度と比べて小さなものと
なる。このため、光変調素子2Aには、パターンAが強
い重みで書き込まれ、光変調素子2B,2CにはAは新
たに書き込まれないか、もしくは弱い重みでしか書き込
まれない。なお、入力パターンがBならば光変調素子2
Bの、入力パターンがCならば光変調素子2Cにそれぞ
れB,Cが強い重みで書き込まれ、記憶パターン群の更
新 (学習)がなされる。すなわち相関度の大きさに応
じた重みで記憶パターン群の更新がなされるのである。
1A,1B,1Cには入力パターンとしてアルファベッ
トの「A」が表示されており、各光変調素子2A,2
B,2Cにはアルファベットの「A」,「B」,「C」
がそれぞれ記憶されている場合、各相関検出素子3A,
3B,3Cには、図3に示すように、「A」と「A」,
「B」,「C」との重ね合せのパターンが相関度として
それぞれ検出されることとなる。したがって、相関検出
素子3Aには「A」と「A」との重ね合せのパターンが
検出されるため、相関度は大きく、相関検出素子3B,
3Cに検出される相関度はそれぞれ「A」と「B」、
「A」と「C」との重ね合せのパターンであるため相関
検出素子3Aに検出される相関度と比べて小さなものと
なる。このため、光変調素子2Aには、パターンAが強
い重みで書き込まれ、光変調素子2B,2CにはAは新
たに書き込まれないか、もしくは弱い重みでしか書き込
まれない。なお、入力パターンがBならば光変調素子2
Bの、入力パターンがCならば光変調素子2Cにそれぞ
れB,Cが強い重みで書き込まれ、記憶パターン群の更
新 (学習)がなされる。すなわち相関度の大きさに応
じた重みで記憶パターン群の更新がなされるのである。
【0058】以上の動作を繰り返して光変調素子群の各
光変調素子2A,2B,2Cに入力される様々なパター
ンを、相関度に応じた重みを加えてそれぞれの光変調素
子に記憶し、各光変調素子における記憶パターン群の更
新を行うことによって、次々と入力されるパターンの自
己組織化学習を行うのである。
光変調素子2A,2B,2Cに入力される様々なパター
ンを、相関度に応じた重みを加えてそれぞれの光変調素
子に記憶し、各光変調素子における記憶パターン群の更
新を行うことによって、次々と入力されるパターンの自
己組織化学習を行うのである。
【0059】次いで、上述した第1の基本的概念からな
る本発明の実施例について説明する。
る本発明の実施例について説明する。
【0060】図4は上述した第1の基本的概念からなる
本発明の第1実施例を表す図である。
本発明の第1実施例を表す図である。
【0061】図4に示すように本発明の第1実施例によ
る自己組織化パターン学習システムは、図示しない光源
より発せられた読出し光18を受光して偏光する偏光子11
と、この偏光子11に隣接しk×l個(本実施例において
は3×1個)並んで配されたi×j個の画素を有する入
力ライトバルブ12A,12B,12Cと、この入力ライトバ
ルブ12A,12B,12Cに隣接した偏光子13と、この偏光
子13に隣接し、入力ライトバルブ12A,12B,12Cと対
応するようにk×l個(本実施例においては3×1個)
並んで配された、i×j個の画素を有する記憶/表示ラ
イトバルブ14A,14B,14Cと、この記憶/表示ライト
バルブに隣接した偏光子15と、この偏光子15に隣接し、
記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cと対応するよ
うにk×l個(本実施例においては3×1個)並んで配
された、相関出力検出器アレイ16A,16B,16Cとによ
り光学系を構成してなるものである。
る自己組織化パターン学習システムは、図示しない光源
より発せられた読出し光18を受光して偏光する偏光子11
と、この偏光子11に隣接しk×l個(本実施例において
は3×1個)並んで配されたi×j個の画素を有する入
力ライトバルブ12A,12B,12Cと、この入力ライトバ
ルブ12A,12B,12Cに隣接した偏光子13と、この偏光
子13に隣接し、入力ライトバルブ12A,12B,12Cと対
応するようにk×l個(本実施例においては3×1個)
並んで配された、i×j個の画素を有する記憶/表示ラ
イトバルブ14A,14B,14Cと、この記憶/表示ライト
バルブに隣接した偏光子15と、この偏光子15に隣接し、
記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cと対応するよ
うにk×l個(本実施例においては3×1個)並んで配
された、相関出力検出器アレイ16A,16B,16Cとによ
り光学系を構成してなるものである。
【0062】なお、本実施例においては、各ライトバル
ブにLCD(液晶ディスプレイ)を用いるものとする。
ブにLCD(液晶ディスプレイ)を用いるものとする。
【0063】また、記憶パターンバッファA122 、記憶
パターンバッファB123 および学習許可パターンバッフ
ァ120 から構成される記憶パターン群の更新を行うため
の処理系は図1に示した実施例と略同一であるため詳細
な説明は省略するが、本実施例においては入力パターン
xij(t) を多重結像カメラ17より入力するものとする。
パターンバッファB123 および学習許可パターンバッフ
ァ120 から構成される記憶パターン群の更新を行うため
の処理系は図1に示した実施例と略同一であるため詳細
な説明は省略するが、本実施例においては入力パターン
xij(t) を多重結像カメラ17より入力するものとする。
【0064】まず、入力ライトバルブ12A,12B,12C
に、多重結像カメラ17により撮影された入力パターンx
ij(t) がそれぞれ表示され、次いで読出し光18が偏光子
11を通じて入力ライトバルブ12A,12B,12Cに照射さ
れる。入力ライトバルブ12A,12B,12Cに照射された
読出し光18は、入力ライトバルブ12A,12B,12Cに表
示されている入力パターンxij(t) により変調されて、
さらに偏光子13を通じて光の強度のパターンとして記憶
/表示ライトバルブ14A,14B,14Cに照射される。記
憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cには、時刻t−
1までに入力されたパターンをある規則で記憶パターン
群mklij(t-1) として記憶している記憶パターンバッフ
ァB123 の内容が表示されており、この記憶/表示ライ
トバルブ14A,14B,14Cにおいて、入力ライトバルブ
12A,12B,12Cを通ってきた読出し光18の光パターン
と、各記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cに表示
されている記憶パターンとが重ね合せられる。すなわ
ち、前述した図3に示すように、入力ライトバルブ12
A,12B,12CにはアルファベットのAのパターンが表
示されており、記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14
Cそれぞれには、アルファベットのA,B,Cのパター
ンが記憶パターンとして表示されている場合、これらの
パターンの重ね合せパターンは、図3の3A,3B,3
Cに示すような光パターンとなる。
に、多重結像カメラ17により撮影された入力パターンx
ij(t) がそれぞれ表示され、次いで読出し光18が偏光子
11を通じて入力ライトバルブ12A,12B,12Cに照射さ
れる。入力ライトバルブ12A,12B,12Cに照射された
読出し光18は、入力ライトバルブ12A,12B,12Cに表
示されている入力パターンxij(t) により変調されて、
さらに偏光子13を通じて光の強度のパターンとして記憶
/表示ライトバルブ14A,14B,14Cに照射される。記
憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cには、時刻t−
1までに入力されたパターンをある規則で記憶パターン
群mklij(t-1) として記憶している記憶パターンバッフ
ァB123 の内容が表示されており、この記憶/表示ライ
トバルブ14A,14B,14Cにおいて、入力ライトバルブ
12A,12B,12Cを通ってきた読出し光18の光パターン
と、各記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cに表示
されている記憶パターンとが重ね合せられる。すなわ
ち、前述した図3に示すように、入力ライトバルブ12
A,12B,12CにはアルファベットのAのパターンが表
示されており、記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14
Cそれぞれには、アルファベットのA,B,Cのパター
ンが記憶パターンとして表示されている場合、これらの
パターンの重ね合せパターンは、図3の3A,3B,3
Cに示すような光パターンとなる。
【0065】このように重ね合せられた光パターンの光
量の総和は、偏光子15を通じて相関出力用検出器アレイ
16A,16B,16Cに検出される。この相関出力用検出器
アレイ16A,16B,16Cには入力パターンxij(t) と記
憶パターン群mklij(t-1) とを重ね合せたパターンの全
体の明るさの情報すなわち、
量の総和は、偏光子15を通じて相関出力用検出器アレイ
16A,16B,16Cに検出される。この相関出力用検出器
アレイ16A,16B,16Cには入力パターンxij(t) と記
憶パターン群mklij(t-1) とを重ね合せたパターンの全
体の明るさの情報すなわち、
【0066】
【数3】
【0067】なる積の演算がなされた結果が各パターン
毎の相関度ykl(t) として検出される。
毎の相関度ykl(t) として検出される。
【0068】相関出力用検出器アレイ16A,16B,16C
により検出された各相関度ykl(t)は、処理系の学習許
可パターンバッファ120 に入力され、ここに一旦記憶さ
れる。一方、この処理系においては多重結像カメラ17よ
り入力された入力パターンxij(t) よりバイアス成分k
が減算され(xij(t) −k)、これと学習許可パターン
バッファ120 に記憶されている相関度ykl(t) とのスカ
ラー乗算(ykl(t) ×(xij(t) −k))が行われ、さら
にこれに収係数αがスカラー乗算される(α×(y
kl(t) ×(xij(t) −k))) 。次いで、この値と記憶パ
ターンバッファB123 に記憶されている記憶パターン群
mklij(t-1) との加算がそれぞれ対応するライトバルブ
毎に行われ、新たな記憶パターンとしての学習パターン
mklij(t)が算出される。以上なされる演算を式で表す
と、 mklij(t) =mklij(t-1) +α×((xij(t) −k) ×ykl(t))) …(5) となる。新たな記憶パターンmklij(t) は記憶パターン
バッファA122 に記憶され記憶パターン群の更新(学
習)がなされる。次いで記憶パターンバッファA122 の
内容は記憶パターンバッファB123 にも複写される。
により検出された各相関度ykl(t)は、処理系の学習許
可パターンバッファ120 に入力され、ここに一旦記憶さ
れる。一方、この処理系においては多重結像カメラ17よ
り入力された入力パターンxij(t) よりバイアス成分k
が減算され(xij(t) −k)、これと学習許可パターン
バッファ120 に記憶されている相関度ykl(t) とのスカ
ラー乗算(ykl(t) ×(xij(t) −k))が行われ、さら
にこれに収係数αがスカラー乗算される(α×(y
kl(t) ×(xij(t) −k))) 。次いで、この値と記憶パ
ターンバッファB123 に記憶されている記憶パターン群
mklij(t-1) との加算がそれぞれ対応するライトバルブ
毎に行われ、新たな記憶パターンとしての学習パターン
mklij(t)が算出される。以上なされる演算を式で表す
と、 mklij(t) =mklij(t-1) +α×((xij(t) −k) ×ykl(t))) …(5) となる。新たな記憶パターンmklij(t) は記憶パターン
バッファA122 に記憶され記憶パターン群の更新(学
習)がなされる。次いで記憶パターンバッファA122 の
内容は記憶パターンバッファB123 にも複写される。
【0069】上述した実施例の場合、時刻tにおける入
力パターンはAであり、図3に示したように記憶/表示
ライトバルブ14AにはA、記憶/表示ライトバルブ14B
にはB、記憶/表示ライトバルブ14CにはCがそれぞれ
記憶パターンとして記憶されているため、入力パターン
Aと記憶/表示ライトバルブ14Aに記憶されている記憶
パターンとの相関度は大きく、記憶/表示ライトバルブ
14B,14Cにそれぞれ記憶されている記憶パターンと入
力パターンAとの相関度は小さなものとなる。このた
め、記憶/表示ライトバルブ14Aには、新たな記憶パタ
ーンとしてパターンAが強い重みで書き込まれ、記憶/
表示ライトバルブ14B,14CにはパターンAは新たに書
き込まれないかもしくは弱い重みでしか書き込まれな
い。なお、入力パターンがBならば記憶/表示ライトバ
ルブ14Bの、入力パターンがCならば記憶/表示ライト
バルブ14CにそれぞれパターンB,Cが強い重みで書き
込まれ、記憶パターン群の更新(学習)がなされる。す
なわち相関度の大きさに応じて記憶パターン群の更新が
なされるのである。
力パターンはAであり、図3に示したように記憶/表示
ライトバルブ14AにはA、記憶/表示ライトバルブ14B
にはB、記憶/表示ライトバルブ14CにはCがそれぞれ
記憶パターンとして記憶されているため、入力パターン
Aと記憶/表示ライトバルブ14Aに記憶されている記憶
パターンとの相関度は大きく、記憶/表示ライトバルブ
14B,14Cにそれぞれ記憶されている記憶パターンと入
力パターンAとの相関度は小さなものとなる。このた
め、記憶/表示ライトバルブ14Aには、新たな記憶パタ
ーンとしてパターンAが強い重みで書き込まれ、記憶/
表示ライトバルブ14B,14CにはパターンAは新たに書
き込まれないかもしくは弱い重みでしか書き込まれな
い。なお、入力パターンがBならば記憶/表示ライトバ
ルブ14Bの、入力パターンがCならば記憶/表示ライト
バルブ14CにそれぞれパターンB,Cが強い重みで書き
込まれ、記憶パターン群の更新(学習)がなされる。す
なわち相関度の大きさに応じて記憶パターン群の更新が
なされるのである。
【0070】以上の動作を繰り返して入力ライトバルブ
12A,12B,12Cに入力される様々なパターンと、記憶
パターンバッファA122 ,B123 の内容を表示する記憶
/表示ライトバルブ14A,14 B,14 Cとの相関度に応じ
た重みで、記憶パターン群mklij(t-1) の更新を行うこ
とによって、自己組織化学習を行うのである。
12A,12B,12Cに入力される様々なパターンと、記憶
パターンバッファA122 ,B123 の内容を表示する記憶
/表示ライトバルブ14A,14 B,14 Cとの相関度に応じ
た重みで、記憶パターン群mklij(t-1) の更新を行うこ
とによって、自己組織化学習を行うのである。
【0071】なお、上述した実施例は、レンズ結像系を
用いる必要がないため、システムのコンパクト化を実現
することができ、さらにはレンズ結像系におけるレンズ
収差や外部からの光ノイズ、またレンズの位置精度やア
ライメントを考慮する必要がなく、システムの低コスト
化を実現することができる。また、レンズ結像系が不要
なため、振動に強く光の伝達効率の優れたシステムを構
築することができる。
用いる必要がないため、システムのコンパクト化を実現
することができ、さらにはレンズ結像系におけるレンズ
収差や外部からの光ノイズ、またレンズの位置精度やア
ライメントを考慮する必要がなく、システムの低コスト
化を実現することができる。また、レンズ結像系が不要
なため、振動に強く光の伝達効率の優れたシステムを構
築することができる。
【0072】上述した実施例においては、入力パターン
と記憶パターン群との相関度を式(4) に示すように
と記憶パターン群との相関度を式(4) に示すように
【0073】
【数4】
【0074】なる積による相関を入力ライトバルブ12
A,12B,12Cと記憶/表示ライトバルブ14A,14B,
14Cとにより行っているが、光学系に変更を加えること
により、差分による相関度を求めることも可能である。
A,12B,12Cと記憶/表示ライトバルブ14A,14B,
14Cとにより行っているが、光学系に変更を加えること
により、差分による相関度を求めることも可能である。
【0075】図5は入力パターンと記憶パターンとの差
分による相関度を求めるための本発明の第2実施例によ
る光学系を表す図である。
分による相関度を求めるための本発明の第2実施例によ
る光学系を表す図である。
【0076】図5に示すように本発明の第2実施例によ
るパターン学習装置の光学系は、図4に示す本発明の第
1実施例におけるパターン学習装置の光学系において、
入力ライトバルブ12A,12B,12Cと記憶/表示ライト
バルブ14A,14B,14Cとの間に配置された偏光子13を
取り外したものである。本発明の第1実施例における光
学系においては、入力ライトバルブ12A,12B,12Cを
透過した読出し光18は偏光子13により光の強度のパター
ンとして記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cに入
力されるものであるが、本発明の第2実施例において
は、偏光された光パターンとして入力されるものであ
る。すなわち、本発明の第1実施例においては、各相関
出力用検出器アレイ16A,16B,16Cに入力パターンx
ij(t) と各記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cに
記憶されている記憶パターンmklij(t-1) との積x
ij(t) ×mklij(t-1) の総和が入力されるが、本発明の
第2実施例においては入力パターンxij(t) と記憶パタ
ーンmklij(t-1) との差の絶対値|xij(t) −mklij(t
-1) |の総和が入力されるのである。
るパターン学習装置の光学系は、図4に示す本発明の第
1実施例におけるパターン学習装置の光学系において、
入力ライトバルブ12A,12B,12Cと記憶/表示ライト
バルブ14A,14B,14Cとの間に配置された偏光子13を
取り外したものである。本発明の第1実施例における光
学系においては、入力ライトバルブ12A,12B,12Cを
透過した読出し光18は偏光子13により光の強度のパター
ンとして記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cに入
力されるものであるが、本発明の第2実施例において
は、偏光された光パターンとして入力されるものであ
る。すなわち、本発明の第1実施例においては、各相関
出力用検出器アレイ16A,16B,16Cに入力パターンx
ij(t) と各記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cに
記憶されている記憶パターンmklij(t-1) との積x
ij(t) ×mklij(t-1) の総和が入力されるが、本発明の
第2実施例においては入力パターンxij(t) と記憶パタ
ーンmklij(t-1) との差の絶対値|xij(t) −mklij(t
-1) |の総和が入力されるのである。
【0077】すなわち、図6(a) に示すように、本発明
の第1実施例による自己組織化パターン学習システムの
場合、入力ライトバルブ12に入力される光90は図示の矢
印方向に偏光されたものとなっているが、この光90が入
力ライトバルブ12に表示されている入力パターンにより
変調されて光91に示す矢印方向に偏光方位が回転した光
91となる。この光91が、光90とは直交する方位の光成分
のみ透過する偏光子13を通過すると、透過できる光92の
強度は入力ライトバルブ12により回転された偏光方位角
に応じた光強度パターンを持ち、しかもその偏光方位は
光90と直交するものとなる。したがって、さらにつづい
て記憶/表示ライトバルブ14に入力される光92は、入力
ライトバルブ12に表示されている入力パターン情報を乗
せた光の強弱のパターンである。この光92が記憶/表示
ライトバルブ14を透過する際に、記憶/表示ライトバル
ブ14に記憶されている記憶パターンに応じて部分的に偏
光方位が回転された光93となり、記憶/表示ライトバル
ブ14を出射後、光90と平行な方位の光成分のみ透過する
偏光子15によって光90と平行な方位の光成分のみが透過
されて、光92に乗っているパターン情報に、記憶/表示
ライトバルブ14に記憶されている記憶パターン情報が乗
算された光の強弱のパターンを乗せた光94が偏光子15を
透過し、その光94が集光されて、光パターンの光量の総
和が相関検出素子16に検出されるのである。
の第1実施例による自己組織化パターン学習システムの
場合、入力ライトバルブ12に入力される光90は図示の矢
印方向に偏光されたものとなっているが、この光90が入
力ライトバルブ12に表示されている入力パターンにより
変調されて光91に示す矢印方向に偏光方位が回転した光
91となる。この光91が、光90とは直交する方位の光成分
のみ透過する偏光子13を通過すると、透過できる光92の
強度は入力ライトバルブ12により回転された偏光方位角
に応じた光強度パターンを持ち、しかもその偏光方位は
光90と直交するものとなる。したがって、さらにつづい
て記憶/表示ライトバルブ14に入力される光92は、入力
ライトバルブ12に表示されている入力パターン情報を乗
せた光の強弱のパターンである。この光92が記憶/表示
ライトバルブ14を透過する際に、記憶/表示ライトバル
ブ14に記憶されている記憶パターンに応じて部分的に偏
光方位が回転された光93となり、記憶/表示ライトバル
ブ14を出射後、光90と平行な方位の光成分のみ透過する
偏光子15によって光90と平行な方位の光成分のみが透過
されて、光92に乗っているパターン情報に、記憶/表示
ライトバルブ14に記憶されている記憶パターン情報が乗
算された光の強弱のパターンを乗せた光94が偏光子15を
透過し、その光94が集光されて、光パターンの光量の総
和が相関検出素子16に検出されるのである。
【0078】一方、図6(b) に示すように、本発明の第
2実施例による自己組織化パターン学習システムの場
合、入力ライトバルブに入力される光95A,95Bは図6
(a) の光90と同様に、図示の矢印方向に偏光されたもの
となっている。
2実施例による自己組織化パターン学習システムの場
合、入力ライトバルブに入力される光95A,95Bは図6
(a) の光90と同様に、図示の矢印方向に偏光されたもの
となっている。
【0079】入力ライトバルブ12に表示されている入力
パターンにより、光95A,95Bは偏光方位が回転されて
光96A,96Bのような偏光となる。続いて、この光96
A,96Bが記憶/表示ライトバルブ14に入力されると、
記憶/表示ライトバルブ14に記憶されている記憶パター
ン群によりさらに偏光方位が回転され光97A,97Bとな
り、さらに光95A,95Bと直交する方位の光成分のみ透
過する偏光子15によって、光97A,97Bのうちの光95
A,95Bと直交する方位の光成分のみが透過し、光98
A,98Bとなる。
パターンにより、光95A,95Bは偏光方位が回転されて
光96A,96Bのような偏光となる。続いて、この光96
A,96Bが記憶/表示ライトバルブ14に入力されると、
記憶/表示ライトバルブ14に記憶されている記憶パター
ン群によりさらに偏光方位が回転され光97A,97Bとな
り、さらに光95A,95Bと直交する方位の光成分のみ透
過する偏光子15によって、光97A,97Bのうちの光95
A,95Bと直交する方位の光成分のみが透過し、光98
A,98Bとなる。
【0080】ここで入力ライトバルブ12が偏光を回転す
る方位と、記憶/表示ライトバルブ14が偏光を回転する
方位とは逆方向になるように、各ライトバルブは配置さ
れている。したがって入力ライトバルブ12に表示されて
いる入力パターンと記憶/表示ライトバルブ14に記憶さ
れている記憶パターンとが略同一の場合は、一旦回転さ
れた光96Aの偏光方位が、逆方向に再び回転されて光97
Aとなり、結果として偏光方位はもとに戻るため光95A
と平行になり、光95A,95Bと直交する方位の光成分の
み透過する偏光子15によって透過される光98Aの光量は
ほとんど零となる。
る方位と、記憶/表示ライトバルブ14が偏光を回転する
方位とは逆方向になるように、各ライトバルブは配置さ
れている。したがって入力ライトバルブ12に表示されて
いる入力パターンと記憶/表示ライトバルブ14に記憶さ
れている記憶パターンとが略同一の場合は、一旦回転さ
れた光96Aの偏光方位が、逆方向に再び回転されて光97
Aとなり、結果として偏光方位はもとに戻るため光95A
と平行になり、光95A,95Bと直交する方位の光成分の
み透過する偏光子15によって透過される光98Aの光量は
ほとんど零となる。
【0081】逆に入力ライトバルブ12に表示されている
入力パターンと記憶/表示ライトバルブ14に記憶されて
いるパターンとが異なる場合は、光95Bが回転されて光
96Bになる偏光方位回転角と、光96Bが逆方向に回転さ
れて光97Bになる偏光方位回転角とは、パターン内で異
なる部分が多く、結果として偏光方位がもとに戻らない
部分が多いため光97Bのように光95Aと平行にならない
部分が多く、光97Bが光95A,95Bと直交する方位の光
成分のみ透過する偏光子15によって透過される光98Bの
光量は零となならない。ここで偏光子を透過する光98B
の光量は、入力ライトバルブ12に表示されている入力パ
ターンと、記憶/表示ライトバルブ14に記憶されている
記憶パターンとの差に相当している。
入力パターンと記憶/表示ライトバルブ14に記憶されて
いるパターンとが異なる場合は、光95Bが回転されて光
96Bになる偏光方位回転角と、光96Bが逆方向に回転さ
れて光97Bになる偏光方位回転角とは、パターン内で異
なる部分が多く、結果として偏光方位がもとに戻らない
部分が多いため光97Bのように光95Aと平行にならない
部分が多く、光97Bが光95A,95Bと直交する方位の光
成分のみ透過する偏光子15によって透過される光98Bの
光量は零となならない。ここで偏光子を透過する光98B
の光量は、入力ライトバルブ12に表示されている入力パ
ターンと、記憶/表示ライトバルブ14に記憶されている
記憶パターンとの差に相当している。
【0082】すなわち、偏光子15を通じて出力され相関
検出素子群16に検出される光は、入力ライトバルブ12に
表示されている入力パターンxij(t) と記憶/表示ライ
トバルブ14に記憶されているパターン群mklij(t-1) と
の差の絶対値を示すものとなっている。したがって、相
関検出素子群16に検出される光量が小さければ入力ライ
トバルブ12に表示されている入力パターンと記憶/表示
ライトバルブ14に記憶されている記憶パターンの相関度
は大きく、光量が大きければ入力ライトバルブ12に表示
されている入力パターンと記憶/表示ライトバルブ14に
記憶されている記憶パターンとの相関度は小さいことに
なる。
検出素子群16に検出される光は、入力ライトバルブ12に
表示されている入力パターンxij(t) と記憶/表示ライ
トバルブ14に記憶されているパターン群mklij(t-1) と
の差の絶対値を示すものとなっている。したがって、相
関検出素子群16に検出される光量が小さければ入力ライ
トバルブ12に表示されている入力パターンと記憶/表示
ライトバルブ14に記憶されている記憶パターンの相関度
は大きく、光量が大きければ入力ライトバルブ12に表示
されている入力パターンと記憶/表示ライトバルブ14に
記憶されている記憶パターンとの相関度は小さいことに
なる。
【0083】すなわち、新たなパターンをi、光変調素
子に記憶されている記憶パターンをW、積の相関度をO
1 、差の絶対値の相関度をO2 とした場合、積の相関
と、差の絶対値の相関との関係を表すと O1 =ΣW・i …(6) O2 =Σ|W−i| …(7) となる。ここで式(7) における|W−i|を2乗する
と、 |W−i|2 =W2 +i2 −2・W・i …(8) となる。すなわち、|W−i|が小さくなるためには、
W・iが大きくなければならない。したがって積の相関
度が大きい程差の相関度は小さくなるものである。
子に記憶されている記憶パターンをW、積の相関度をO
1 、差の絶対値の相関度をO2 とした場合、積の相関
と、差の絶対値の相関との関係を表すと O1 =ΣW・i …(6) O2 =Σ|W−i| …(7) となる。ここで式(7) における|W−i|を2乗する
と、 |W−i|2 =W2 +i2 −2・W・i …(8) となる。すなわち、|W−i|が小さくなるためには、
W・iが大きくなければならない。したがって積の相関
度が大きい程差の相関度は小さくなるものである。
【0084】上述したように、本発明の第2実施例にお
いては、本発明の第1実施例とは相関度の求め方が異な
るものであるが、本発明の第1実施例と同様に各光変調
素子12A,12B,12Cの学習すなわち記憶パターン群の
更新を行うことができる。
いては、本発明の第1実施例とは相関度の求め方が異な
るものであるが、本発明の第1実施例と同様に各光変調
素子12A,12B,12Cの学習すなわち記憶パターン群の
更新を行うことができる。
【0085】また、上述した本発明の第1および第2実
施例においては、図示しない光源から発せられた読出し
光18を入力ライトバルブ12A,12B,12Cに照射して、
入力パターンを記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14
Cに入力するようにしているが、とくにこれに限定され
るものではない。
施例においては、図示しない光源から発せられた読出し
光18を入力ライトバルブ12A,12B,12Cに照射して、
入力パターンを記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14
Cに入力するようにしているが、とくにこれに限定され
るものではない。
【0086】例えば、図7に示すように、図2に示す光
入力素子を、入力されるパターンに応じて発光するLE
Dアレイ等の発光素子18A,18B,18Cとし、それぞれ
の発光素子18A,18B,18Cより入力パターンxij(t)
を発光して偏光子13を通じてこの入力パターンxij(t)
を各記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cに入力
し、入力パターンxij(t) と各記憶/表示ライトバルブ
14A,14B,14Cに記憶されている記憶パターンとの相
関度を相関出力用検出器アレイ16A,16B,16Cにおい
て検出するようにしてもよい。また、図7における偏光
子13を取り外して、図5に示すように、入力パターンx
ij(t) と記憶/表示ライトバルブ14に記憶されている記
憶パターン群mklij(t-1) との差の絶対値による相関度
を求めるようにしてもよい。
入力素子を、入力されるパターンに応じて発光するLE
Dアレイ等の発光素子18A,18B,18Cとし、それぞれ
の発光素子18A,18B,18Cより入力パターンxij(t)
を発光して偏光子13を通じてこの入力パターンxij(t)
を各記憶/表示ライトバルブ14A,14B,14Cに入力
し、入力パターンxij(t) と各記憶/表示ライトバルブ
14A,14B,14Cに記憶されている記憶パターンとの相
関度を相関出力用検出器アレイ16A,16B,16Cにおい
て検出するようにしてもよい。また、図7における偏光
子13を取り外して、図5に示すように、入力パターンx
ij(t) と記憶/表示ライトバルブ14に記憶されている記
憶パターン群mklij(t-1) との差の絶対値による相関度
を求めるようにしてもよい。
【0087】次いで本発明の第2の基本的概念について
説明する。
説明する。
【0088】図8は、本発明の自己組織化パターン学習
システムの第2の基本的概念を表す図である。
システムの第2の基本的概念を表す図である。
【0089】図8に示すように、本発明の第2の基本的
概念における自己組織化パターン学習システムは、入力
されたパターンを記憶し、この記憶されたパターンに応
じて別に入力された光を変調する光変調素子22A,22
B,22Cが1次元または2次元状に複数配列されてなる
(本実施例においては1次元に3個)、パターン群記憶
手段である光変調素子群22と、各光変調素子22A,22
B,22Cにそれぞれ隣接して配された、各光変調素子22
A,22B,22Cに入力パターンxをそれぞれ入力する多
数の光入力素子21A,21B,21Cと、各光入力素子にこ
の入力パターンxを入力する入力手段25とを含む、入力
パターン群表示手段であるパターン入力手段21と、各光
入力素子21A,21B,21Cにそれぞれ隣接して配され
た、光変調素子群22に記憶されている記憶パターン群と
各光入力素子21A,21B,21Cに入力された入力パター
ンxとの相関度yを各光変調素子22A,22B,22C毎に
検出する多数の相関検出素子23A,23B,23Cからな
る、光検出手段である相関検出素子群23と、各相関検出
素子23A,23B,23Cにより検出された各相関度yと、
入力されているパターンxとに応じて学習パターンを作
成する学習パターン群作成手段と、この学習パターンに
より、各光変調素子22A,22B,22Cに記憶されている
パターン群を更新する記憶パターン更新手段とを内包す
る演算手段24とからなるものである。
概念における自己組織化パターン学習システムは、入力
されたパターンを記憶し、この記憶されたパターンに応
じて別に入力された光を変調する光変調素子22A,22
B,22Cが1次元または2次元状に複数配列されてなる
(本実施例においては1次元に3個)、パターン群記憶
手段である光変調素子群22と、各光変調素子22A,22
B,22Cにそれぞれ隣接して配された、各光変調素子22
A,22B,22Cに入力パターンxをそれぞれ入力する多
数の光入力素子21A,21B,21Cと、各光入力素子にこ
の入力パターンxを入力する入力手段25とを含む、入力
パターン群表示手段であるパターン入力手段21と、各光
入力素子21A,21B,21Cにそれぞれ隣接して配され
た、光変調素子群22に記憶されている記憶パターン群と
各光入力素子21A,21B,21Cに入力された入力パター
ンxとの相関度yを各光変調素子22A,22B,22C毎に
検出する多数の相関検出素子23A,23B,23Cからな
る、光検出手段である相関検出素子群23と、各相関検出
素子23A,23B,23Cにより検出された各相関度yと、
入力されているパターンxとに応じて学習パターンを作
成する学習パターン群作成手段と、この学習パターンに
より、各光変調素子22A,22B,22Cに記憶されている
パターン群を更新する記憶パターン更新手段とを内包す
る演算手段24とからなるものである。
【0090】まず、入力手段25によりパターン入力手段
21の各光入力素子21A,21B,21Cに入力パターンxが
入力される。次いで、今までに入力されたパターンによ
って学習がなされたパターンが記憶されている光変調素
子群22の各光変調素子22A,22B,22Cに光が照射され
る等して、この記憶されている記憶パターンが出力さ
れ、光パターン入力手段21の各光入力素子21A,21B,
21Cに入力される。ここで、各光変調素子22A,22B,
22Cより出力された光26A,26B,26Cは、各光入力素
子21A,21B,21Cを透過することより、各光変調素子
22A,22B,22Cに記憶されている記憶パターンと、入
力パターンxとの重ね合せの光パターン27A,27B,27
Cとして出力され、各光パターンの光量の総和が相関検
出素子群23の各相関検出素子23A,23B,23Cにそれぞ
れ検出される。各相関検出素子23A,23B,23Cにより
検出された光パターン27A,27B,27Cの光量の総和は
相関度yとして出力され、演算手段24に入力される。演
算手段24には入力手段25より入力パターンが入力されて
おり、この演算手段24において各相関検出素子23A,23
B,23Cにより検出された相関度yにより、入力パター
ンxに重み付けをして学習パターンを作成し、この学習
パターンによって、光変調素子群22における各光変調素
子22A,22B,22Cに記憶されている記憶パターン群の
更新を行うものである。
21の各光入力素子21A,21B,21Cに入力パターンxが
入力される。次いで、今までに入力されたパターンによ
って学習がなされたパターンが記憶されている光変調素
子群22の各光変調素子22A,22B,22Cに光が照射され
る等して、この記憶されている記憶パターンが出力さ
れ、光パターン入力手段21の各光入力素子21A,21B,
21Cに入力される。ここで、各光変調素子22A,22B,
22Cより出力された光26A,26B,26Cは、各光入力素
子21A,21B,21Cを透過することより、各光変調素子
22A,22B,22Cに記憶されている記憶パターンと、入
力パターンxとの重ね合せの光パターン27A,27B,27
Cとして出力され、各光パターンの光量の総和が相関検
出素子群23の各相関検出素子23A,23B,23Cにそれぞ
れ検出される。各相関検出素子23A,23B,23Cにより
検出された光パターン27A,27B,27Cの光量の総和は
相関度yとして出力され、演算手段24に入力される。演
算手段24には入力手段25より入力パターンが入力されて
おり、この演算手段24において各相関検出素子23A,23
B,23Cにより検出された相関度yにより、入力パター
ンxに重み付けをして学習パターンを作成し、この学習
パターンによって、光変調素子群22における各光変調素
子22A,22B,22Cに記憶されている記憶パターン群の
更新を行うものである。
【0091】上述したように、本発明の第2の基本的概
念による実施例は、本発明の第1の基本的概念による実
施例において、パターン群記憶手段である光変調素子群
と、入力パターン群表示手段であるパターン入力手段と
の位置を逆にしたものである。
念による実施例は、本発明の第1の基本的概念による実
施例において、パターン群記憶手段である光変調素子群
と、入力パターン群表示手段であるパターン入力手段と
の位置を逆にしたものである。
【0092】次いで、上述した第2の基本的概念からな
る本発明の実施例について説明する。
る本発明の実施例について説明する。
【0093】図9は上述した第2の基本的概念から本発
明の第3の実施例を表す図である。
明の第3の実施例を表す図である。
【0094】図9に示すように本発明の第3実施例によ
るパターン学習装置は図示しない光源より発せられた読
出し光38を受光して偏光する偏光子31と、この偏光子31
に隣接しk×l個(本実施例においては3×1個)並ん
で配されたi×j個の画素を有する記憶/表示ライトバ
ルブ32A,32B,32Cと、この記憶/表示ライトバルブ
32A,32B,32Cに隣接した偏光子33と、この偏光子33
に隣接し、記憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cと
対応するようにk×l個(本実施例においては3×1
個)並んで配されたi×j個の画素を有する入力ライト
バルブ34A,34B,34Cと、この入力ライトバルブ34
A,34B,34Cに隣接した偏光子35と、この偏光子35に
隣接し、入力ライトバルブ34A,34B,34Cと対応する
ように配された相関出力検出器アレイ36A,36B,36C
とにより光学系を構成してなるものである。
るパターン学習装置は図示しない光源より発せられた読
出し光38を受光して偏光する偏光子31と、この偏光子31
に隣接しk×l個(本実施例においては3×1個)並ん
で配されたi×j個の画素を有する記憶/表示ライトバ
ルブ32A,32B,32Cと、この記憶/表示ライトバルブ
32A,32B,32Cに隣接した偏光子33と、この偏光子33
に隣接し、記憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cと
対応するようにk×l個(本実施例においては3×1
個)並んで配されたi×j個の画素を有する入力ライト
バルブ34A,34B,34Cと、この入力ライトバルブ34
A,34B,34Cに隣接した偏光子35と、この偏光子35に
隣接し、入力ライトバルブ34A,34B,34Cと対応する
ように配された相関出力検出器アレイ36A,36B,36C
とにより光学系を構成してなるものである。
【0095】なお、本実施例においては、本発明による
第1実施例と同様に、各ライトバルブにLCD(液晶デ
ィスプレイ)を用いるものとする。
第1実施例と同様に、各ライトバルブにLCD(液晶デ
ィスプレイ)を用いるものとする。
【0096】また、記録パターンバッファA122 、記憶
パターンバッファB123 および学習許可パターンバッフ
ァ120 から構成される記憶パターン群の更新を行うため
の処理系は図1および図4に示した実施例と略同一であ
るため詳細な説明は省略するが、本実施例においては入
力パターンxij(t) を多重結像カメラ37より入力するも
のとする。
パターンバッファB123 および学習許可パターンバッフ
ァ120 から構成される記憶パターン群の更新を行うため
の処理系は図1および図4に示した実施例と略同一であ
るため詳細な説明は省略するが、本実施例においては入
力パターンxij(t) を多重結像カメラ37より入力するも
のとする。
【0097】まず、入力ライトバルブ34A,34B,34C
に、多重結像カメラ37により撮影された入力パターンx
ij(t) がそれぞれ表示され、次いで読出し光38が偏光子
31を通じて記憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cに
照射される。記憶/表示ライトバルブ32A,32B,32C
には、時刻t-1 までに入力されたパターンをある規則で
記憶パターン群mklij(t-1) として記憶している記憶パ
ターンバッファA122により表示されており、記憶/表
示ライトバルブ32A,32B,32Cに照射された読出し光
38は、記憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cに記憶
されている記憶パターン群mklij(t) により変調され
て、さらに偏光子33を通じて光の強度のパターンとして
入力ライトバルブ34A,34B,34Cに照射される。この
入力ライトバルブ34A,34B,34Cにおいて、記憶/表
示ライトバルブ32A,32B,32Cを通ってきた読出し光
38の光パターンと、入力ライトバルブ34A,34B,34C
に表示されている入力パターンとが重ね合せられる。な
お、記憶パターンバッファA122 に記憶されている記憶
パターン群mklij(t-1) は記憶パターンバッファB123
に移動させられる。すなわち、入力ライトバルブ34A,
34B,34CにはアルファベットのAのパターンが表示さ
れており、記憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cそ
れぞれには、アルファベットのA,B,Cのパターンが
記憶パターンとして表示されている場合、これらのパタ
ーンの重ね合せパターンは、図3の3A,3B,3Cに
示すような光パターンとなる。
に、多重結像カメラ37により撮影された入力パターンx
ij(t) がそれぞれ表示され、次いで読出し光38が偏光子
31を通じて記憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cに
照射される。記憶/表示ライトバルブ32A,32B,32C
には、時刻t-1 までに入力されたパターンをある規則で
記憶パターン群mklij(t-1) として記憶している記憶パ
ターンバッファA122により表示されており、記憶/表
示ライトバルブ32A,32B,32Cに照射された読出し光
38は、記憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cに記憶
されている記憶パターン群mklij(t) により変調され
て、さらに偏光子33を通じて光の強度のパターンとして
入力ライトバルブ34A,34B,34Cに照射される。この
入力ライトバルブ34A,34B,34Cにおいて、記憶/表
示ライトバルブ32A,32B,32Cを通ってきた読出し光
38の光パターンと、入力ライトバルブ34A,34B,34C
に表示されている入力パターンとが重ね合せられる。な
お、記憶パターンバッファA122 に記憶されている記憶
パターン群mklij(t-1) は記憶パターンバッファB123
に移動させられる。すなわち、入力ライトバルブ34A,
34B,34CにはアルファベットのAのパターンが表示さ
れており、記憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cそ
れぞれには、アルファベットのA,B,Cのパターンが
記憶パターンとして表示されている場合、これらのパタ
ーンの重ね合せパターンは、図3の3A,3B,3Cに
示すような光パターンとなる。
【0098】このように重ね合せられた光パターンの光
量の総和は、偏光子35を通じて相関出力用検出器アレイ
36A,36B,36Cに検出される。この相関出力用検出器
アレイ36A,36B,36Cには重ね合せられたパターンが
明暗の情報、すなわち、入力パターンxij(t) と記憶パ
ターン群mklij(t-1) との重ね合せたパターン全体の明
るさの情報すなわち、
量の総和は、偏光子35を通じて相関出力用検出器アレイ
36A,36B,36Cに検出される。この相関出力用検出器
アレイ36A,36B,36Cには重ね合せられたパターンが
明暗の情報、すなわち、入力パターンxij(t) と記憶パ
ターン群mklij(t-1) との重ね合せたパターン全体の明
るさの情報すなわち、
【0099】
【数5】
【0100】なる演算がなされた結果が各パターン毎の
相関度ykl(t) として検出される。
相関度ykl(t) として検出される。
【0101】相関出力用検出器アレイ36A,36B,36C
により検出された各相関度ykl(t)は、処理系の学習許
可パターンバッファ120 に入力され、ここに一旦記憶さ
れる。一方、この処理系においては多重結像カメラ37よ
り入力されたパターンxij(t) よりバイアス成分kが減
算され(xij(t) −k)、これと学習許可パターンバッ
ファ120 に記憶されている相関度ykl(t) とのスカラー
乗算(ykl(t) ×(xij(t) −k))が行われ、さらにこ
れに収係数αがスカラー乗算される(α×(ykl(t) ×
(xij(t) −k))) 。次いで、この値と記憶パターンバ
ッファB123 に記憶されている記憶パターン群mklij(t
-1) との加算がそれぞれ対応するライトバルブ毎に行わ
れ、新たな記憶パターン群mklij(t) が学習パターンと
して算出される。以上なされる演算を式で表すと、 mklij(t) =mklij(t-1) +α((xij(t) −k) ×ykl(t))) …(9) となる。新たな記憶パターン群mklij(t) は記憶パター
ンバッファA122 に記憶され記憶パターン群の更新(学
習)がなされる。次いで記憶パターンバッファA122 の
内容は記憶パターンバッファB123 にも複写される。
により検出された各相関度ykl(t)は、処理系の学習許
可パターンバッファ120 に入力され、ここに一旦記憶さ
れる。一方、この処理系においては多重結像カメラ37よ
り入力されたパターンxij(t) よりバイアス成分kが減
算され(xij(t) −k)、これと学習許可パターンバッ
ファ120 に記憶されている相関度ykl(t) とのスカラー
乗算(ykl(t) ×(xij(t) −k))が行われ、さらにこ
れに収係数αがスカラー乗算される(α×(ykl(t) ×
(xij(t) −k))) 。次いで、この値と記憶パターンバ
ッファB123 に記憶されている記憶パターン群mklij(t
-1) との加算がそれぞれ対応するライトバルブ毎に行わ
れ、新たな記憶パターン群mklij(t) が学習パターンと
して算出される。以上なされる演算を式で表すと、 mklij(t) =mklij(t-1) +α((xij(t) −k) ×ykl(t))) …(9) となる。新たな記憶パターン群mklij(t) は記憶パター
ンバッファA122 に記憶され記憶パターン群の更新(学
習)がなされる。次いで記憶パターンバッファA122 の
内容は記憶パターンバッファB123 にも複写される。
【0102】上述した実施例の場合、時刻tにおける入
力パターンはAであり、図3に示したように記憶/表示
ライトバルブ32AにはAのパターン、記憶/表示ライト
バルブ32BにはBのパターン、記憶/表示ライトバルブ
32CにはCのパターンがそれぞれ記憶パターンとして記
憶されているため、入力パターンと記憶/表示ライトバ
ルブ32Aに記憶されている記憶パターンとの相関度は大
きく、記憶/表示ライトバルブ32B,32Cにそれぞれ記
憶されている記憶パターンと入力パターンとの相関度は
小さなものとなる。このため、記憶/表示ライトバルブ
32Aには、新たな記憶パターンとしてパターンAが強い
重みで書き込まれ、記憶/表示ライトバルブ32B,32C
にはAは新たに書き込まれないかもしくは弱い重みでし
か書き込まれない。なお、入力パターンがBならば記憶
/表示ライトバルブ32Bの、入力パターンがCならば記
憶/表示ライトバルブ32CにそれぞれパターンB,Cが
強い重みで書き込まれ、記憶パターン群の更新(学習)
がなされる。すなわち相関度の大きさに応じて記憶パタ
ーン群の更新がなされるのである。
力パターンはAであり、図3に示したように記憶/表示
ライトバルブ32AにはAのパターン、記憶/表示ライト
バルブ32BにはBのパターン、記憶/表示ライトバルブ
32CにはCのパターンがそれぞれ記憶パターンとして記
憶されているため、入力パターンと記憶/表示ライトバ
ルブ32Aに記憶されている記憶パターンとの相関度は大
きく、記憶/表示ライトバルブ32B,32Cにそれぞれ記
憶されている記憶パターンと入力パターンとの相関度は
小さなものとなる。このため、記憶/表示ライトバルブ
32Aには、新たな記憶パターンとしてパターンAが強い
重みで書き込まれ、記憶/表示ライトバルブ32B,32C
にはAは新たに書き込まれないかもしくは弱い重みでし
か書き込まれない。なお、入力パターンがBならば記憶
/表示ライトバルブ32Bの、入力パターンがCならば記
憶/表示ライトバルブ32CにそれぞれパターンB,Cが
強い重みで書き込まれ、記憶パターン群の更新(学習)
がなされる。すなわち相関度の大きさに応じて記憶パタ
ーン群の更新がなされるのである。
【0103】以上の動作を繰り返して入力ライトバルブ
34A,34B,34Cに入力される様々なパターンと、記憶
パターンバッファA122 ,B123 の内容を表示する記憶
/表示ライトバルブ32A,32B,32Cとの相関度に応じ
た重みで記憶パターン群mklij(t-1) の更新を行うこと
によって自己組織化学習を行うのである。
34A,34B,34Cに入力される様々なパターンと、記憶
パターンバッファA122 ,B123 の内容を表示する記憶
/表示ライトバルブ32A,32B,32Cとの相関度に応じ
た重みで記憶パターン群mklij(t-1) の更新を行うこと
によって自己組織化学習を行うのである。
【0104】上述した実施例においては、入力パターン
と記憶パターン群との相関度を式(4) に示すように
と記憶パターン群との相関度を式(4) に示すように
【0105】
【数6】
【0106】なる積による相関を記憶/表示ライトバル
ブ32A,32B,32Cと入力ライトバルブ34A,34B,34
Cとにより行っているが、光学系に変更を加えることに
より、差分による相関度を求めることも可能である。
ブ32A,32B,32Cと入力ライトバルブ34A,34B,34
Cとにより行っているが、光学系に変更を加えることに
より、差分による相関度を求めることも可能である。
【0107】すなわち、図9における偏光子33を取り外
せば、図5に示した本発明の第2実施例と同様に、各記
憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cに記憶されてい
る記憶パターンmklij(t-1) と入力ライトバルブ34A,
34B,34Cに表示されている入力パターンxij(t-1) と
の差の絶対値の相関度が各相関検出素子36A,36B,36
Cにおいて検出されることとなる。
せば、図5に示した本発明の第2実施例と同様に、各記
憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cに記憶されてい
る記憶パターンmklij(t-1) と入力ライトバルブ34A,
34B,34Cに表示されている入力パターンxij(t-1) と
の差の絶対値の相関度が各相関検出素子36A,36B,36
Cにおいて検出されることとなる。
【0108】このように、相関度を各記憶/表示ライト
バルブ32A,32B,32Cに記憶されている記憶パターン
mklij(t-1) と入力ライトバルブ34A,34B,34Cに表
示されている入力パターンxij(t) との差の絶対値とし
て検出しても、本発明の第3実施例と同様に各光変調素
子32A,32B,32Cの学習すなわち記憶パターン群の更
新を行うことができる。
バルブ32A,32B,32Cに記憶されている記憶パターン
mklij(t-1) と入力ライトバルブ34A,34B,34Cに表
示されている入力パターンxij(t) との差の絶対値とし
て検出しても、本発明の第3実施例と同様に各光変調素
子32A,32B,32Cの学習すなわち記憶パターン群の更
新を行うことができる。
【0109】また、上述した本発明の第3実施例におい
ては、図示しない光源から発せられた読出し光38を記憶
/表示ライトバルブ32A,32B,32Cに照射して、記憶
パターンを入力ライトバルブ34A,34B,34Cに入力す
るようにしているが、とくにこれに限定されるものでは
ない。
ては、図示しない光源から発せられた読出し光38を記憶
/表示ライトバルブ32A,32B,32Cに照射して、記憶
パターンを入力ライトバルブ34A,34B,34Cに入力す
るようにしているが、とくにこれに限定されるものでは
ない。
【0110】例えば、図10に示すように、図9に示す記
憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cを、記憶パター
ンに応じて発光するLEDアレイ等の発光素子38A,38
B,38Cとし、それぞれの発光素子38A,38B,38Cよ
り記憶パターン群mklij(t-1) を発光して偏光子33を通
じてこの記憶パターン群mklij(t-1) を各入力ライトバ
ルブ34A,34B,34Cに入力し、記憶パターン群mklij
(t-1) と各入力ライトバルブ34A,34B,34Cに表示さ
れている入力パターンxij(t) との相関度を相関出力用
検出器アレイ36A,36B,36Cにおいて検出するように
してもよい。また、図10における偏光子33を取り外し
て、記憶パターン群mklij(t-1) と入力パターンx
ij(t) との差の絶対値による相関度を求めるようにして
もよい。
憶/表示ライトバルブ32A,32B,32Cを、記憶パター
ンに応じて発光するLEDアレイ等の発光素子38A,38
B,38Cとし、それぞれの発光素子38A,38B,38Cよ
り記憶パターン群mklij(t-1) を発光して偏光子33を通
じてこの記憶パターン群mklij(t-1) を各入力ライトバ
ルブ34A,34B,34Cに入力し、記憶パターン群mklij
(t-1) と各入力ライトバルブ34A,34B,34Cに表示さ
れている入力パターンxij(t) との相関度を相関出力用
検出器アレイ36A,36B,36Cにおいて検出するように
してもよい。また、図10における偏光子33を取り外し
て、記憶パターン群mklij(t-1) と入力パターンx
ij(t) との差の絶対値による相関度を求めるようにして
もよい。
【0111】次いで本発明の第3の基本的概念について
説明する。
説明する。
【0112】図11は、本発明の自己組織化パターン学習
システムの第3の基本的概念を表わす図である。
システムの第3の基本的概念を表わす図である。
【0113】図11に示すように、本発明の第3の基本的
概念における自己組織化パターン学習システムは、所定
の波長の光により入力されたパターンを光学的に記憶
し、所定の波長とは異なる波長の別に入力された光を、
この記憶されたパターンに応じて変調する光変調素子42
A,42B,42Cが1次元または2次元状に複数配列され
てなる(本実施例においては1次元に3個)、パターン
群記憶手段である光変調素子群42と、各光変調素子42
A,42B,42Cにそれぞれ隣接して配された、各光変調
素子42A,42B,42Cに入力パターンをそれぞれ入力す
る多数の光入力素子41A,41B,41Cと、各光入力素子
41A,41B,41Cに入力パターンxを入力する入力手段
とを含む、入力パターン群表示手段であるパターン入力
手段41と、各光変調素子42A,42B,42Cにそれぞれ隣
接して配された、各光入力素子41A,41B,41Cに入力
されたパターンxと光変調素子群41に記憶されている記
憶パターンとの相関度yを各光変調素子42A,42B,42
C毎に検出する多数の相関検出素子43A,43B,43Cか
らなる、光検出手段である相関検出素子群43と、各光入
力素子41A,41B,41Cにそれぞれ隣接して配された、
各光変調素子42A,42B,42Cに所定の波長の光および
この所定の光の波長とは異なる波長の光を交互に入力す
る多数の光制御素子48A,48B,48Cからなり、所定の
波長の光の強度を各相関検出素子43A,43B,43Cによ
り検出された各相関度yによる重み付けをして光入力素
子41A,41B,41C毎に制御し、相関度に応じた学習パ
ターンとして各光変調素子42A,42B,42Cに入力して
各光変調素子の記憶パターンの更新を行う学習パターン
群作成手段と記憶パターン更新手段とを内包する光制御
手段48とからなるものである。
概念における自己組織化パターン学習システムは、所定
の波長の光により入力されたパターンを光学的に記憶
し、所定の波長とは異なる波長の別に入力された光を、
この記憶されたパターンに応じて変調する光変調素子42
A,42B,42Cが1次元または2次元状に複数配列され
てなる(本実施例においては1次元に3個)、パターン
群記憶手段である光変調素子群42と、各光変調素子42
A,42B,42Cにそれぞれ隣接して配された、各光変調
素子42A,42B,42Cに入力パターンをそれぞれ入力す
る多数の光入力素子41A,41B,41Cと、各光入力素子
41A,41B,41Cに入力パターンxを入力する入力手段
とを含む、入力パターン群表示手段であるパターン入力
手段41と、各光変調素子42A,42B,42Cにそれぞれ隣
接して配された、各光入力素子41A,41B,41Cに入力
されたパターンxと光変調素子群41に記憶されている記
憶パターンとの相関度yを各光変調素子42A,42B,42
C毎に検出する多数の相関検出素子43A,43B,43Cか
らなる、光検出手段である相関検出素子群43と、各光入
力素子41A,41B,41Cにそれぞれ隣接して配された、
各光変調素子42A,42B,42Cに所定の波長の光および
この所定の光の波長とは異なる波長の光を交互に入力す
る多数の光制御素子48A,48B,48Cからなり、所定の
波長の光の強度を各相関検出素子43A,43B,43Cによ
り検出された各相関度yによる重み付けをして光入力素
子41A,41B,41C毎に制御し、相関度に応じた学習パ
ターンとして各光変調素子42A,42B,42Cに入力して
各光変調素子の記憶パターンの更新を行う学習パターン
群作成手段と記憶パターン更新手段とを内包する光制御
手段48とからなるものである。
【0114】まず、入力手段45により光パターン入力手
段41の各光入力素子41A,41B,41Cに入力パターンx
が入力される。次いで光制御手段48の各光制御素子48
A,48B,48Cより前述した所定の波長とは異なる波長
の光が各光入力素子41A,41B,41Cに向けて発せら
れ、各光入力素子41A,41B,41Cに表示されている入
力パターンにより変調されて、光変調素子群42の各光変
調素子42A,42B,42Cに入力される。
段41の各光入力素子41A,41B,41Cに入力パターンx
が入力される。次いで光制御手段48の各光制御素子48
A,48B,48Cより前述した所定の波長とは異なる波長
の光が各光入力素子41A,41B,41Cに向けて発せら
れ、各光入力素子41A,41B,41Cに表示されている入
力パターンにより変調されて、光変調素子群42の各光変
調素子42A,42B,42Cに入力される。
【0115】各光変調素子42A,42B,42Cには今まで
に入力されたパターンによって学習がなされたパターン
が記憶されており、ここで各光入力素子41A,41B,41
Cより出力された光パターン46A,46B,46Cは、各光
変調素子42A,42B,42Cを透過することにより、入力
パターンxと各光変調素子42A,42B,42Cに記憶され
ているパターンとの重ね合せの光47A,47B,47Cとし
て出力され、相関検出素子群43の各相関検出素子43A,
43B,43Cによりそれぞれの光パターンの光量の総和が
検出される。各相関検出素子43A,43B,43Cによりそ
れぞれ検出された光パターン47A,47B,47Cの光量の
総和は相関度yとして出力され、光制御手段48に入力さ
れる。光制御手段48においては、光制御素子48A,48
B,48C毎に前述した所定の波長の光に、各相関検出素
子43A,43B,43Cにより検出された相関度yに応じた
重み付けをするように強度制御がなされる。この重み付
けられた所定の波長の光が光制御素子48A,48B,48C
より各光入力素子41A,41B,41Cに向けて発せられ、
各光入力素子41A,41B,41Cに表示されている入力パ
ターンにより変調されて、光変調素子群42の各光変調素
子42A,42B,42Cに入力される。各光変調素子42A,
42B,42Cは所定の波長の光により入力されたパターン
を光学的に記憶するものであるため、各パターン入力手
段41A,41B,41Cにおいて変調された所定の波長の光
による記憶パターンは、各光変調素子42A,42B,42C
に記憶されている記憶パターンに重ねて記憶される。以
上の動作を繰り返すことにより各光変調素子42A,42
B,42Cにおける記憶パターン群の更新(学習)を行う
ものである。
に入力されたパターンによって学習がなされたパターン
が記憶されており、ここで各光入力素子41A,41B,41
Cより出力された光パターン46A,46B,46Cは、各光
変調素子42A,42B,42Cを透過することにより、入力
パターンxと各光変調素子42A,42B,42Cに記憶され
ているパターンとの重ね合せの光47A,47B,47Cとし
て出力され、相関検出素子群43の各相関検出素子43A,
43B,43Cによりそれぞれの光パターンの光量の総和が
検出される。各相関検出素子43A,43B,43Cによりそ
れぞれ検出された光パターン47A,47B,47Cの光量の
総和は相関度yとして出力され、光制御手段48に入力さ
れる。光制御手段48においては、光制御素子48A,48
B,48C毎に前述した所定の波長の光に、各相関検出素
子43A,43B,43Cにより検出された相関度yに応じた
重み付けをするように強度制御がなされる。この重み付
けられた所定の波長の光が光制御素子48A,48B,48C
より各光入力素子41A,41B,41Cに向けて発せられ、
各光入力素子41A,41B,41Cに表示されている入力パ
ターンにより変調されて、光変調素子群42の各光変調素
子42A,42B,42Cに入力される。各光変調素子42A,
42B,42Cは所定の波長の光により入力されたパターン
を光学的に記憶するものであるため、各パターン入力手
段41A,41B,41Cにおいて変調された所定の波長の光
による記憶パターンは、各光変調素子42A,42B,42C
に記憶されている記憶パターンに重ねて記憶される。以
上の動作を繰り返すことにより各光変調素子42A,42
B,42Cにおける記憶パターン群の更新(学習)を行う
ものである。
【0116】次いで、上述した第3の基本的概念からな
る本発明の実施例について説明する。
る本発明の実施例について説明する。
【0117】図12は上述した本発明の第3の基本的概念
からなる本発明の第4実施例を表す図である。
からなる本発明の第4実施例を表す図である。
【0118】なお、本実施例においては、前述した所定
の波長の光を青〜紫外光、所定の波長とは異なる波長の
光を赤〜赤外光とし、光変調素子として青〜紫外光によ
り書込みが可能であり、かつ赤〜赤外光は透過するとい
う特性を有する記憶/表示ライトバルブ(たとえば前述
したBSO−PROM等)を用い、光入力素子、光制御
素子としてはLCD(液晶ディスプレイ)等のライトバ
ルブを用いるものとする。
の波長の光を青〜紫外光、所定の波長とは異なる波長の
光を赤〜赤外光とし、光変調素子として青〜紫外光によ
り書込みが可能であり、かつ赤〜赤外光は透過するとい
う特性を有する記憶/表示ライトバルブ(たとえば前述
したBSO−PROM等)を用い、光入力素子、光制御
素子としてはLCD(液晶ディスプレイ)等のライトバ
ルブを用いるものとする。
【0119】図12に示すように本発明の第4実施例によ
る自己組織化パターン学習システムは図示しない光源よ
り発せられた読出し光60を受光して偏光する偏光子51
と、この偏光子51に隣接しk×l個(本実施例において
は3×1個)並んで配された光制御ライトバルブ52A,
52B,52Cと、この光制御ライトバルブ52A,52B,52
Cに隣接した偏光子53と、この偏光子53に隣接し光制御
ライトバルブ52A,52B,52Cと対応するようにk×l
個(本実施例においては3×1個)並んで配されたi×
j個の画素を有する入力ライトバルブ54A,54B,54C
と、この入力ライトバルブ54A,54B,54Cに隣接した
偏光子55と、この偏光子55に隣接し、入力ライトバルブ
54A,54B,54Cと対応するように、k×l個(本実施
例においては3×1個)並んで配されたi×j個の画素
を有する記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cと、
この記憶/表示ライトバルブに隣接した偏光子57と、こ
の偏光子57に隣接し、記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cと対応するように配された相関出力検出器アレ
イ58A,58B,58Cとにより光学系を構成してなるもの
である。なお、本実施例においては入力パターンx
ij(t) を多重結像カメラ59より入力するものとする。
る自己組織化パターン学習システムは図示しない光源よ
り発せられた読出し光60を受光して偏光する偏光子51
と、この偏光子51に隣接しk×l個(本実施例において
は3×1個)並んで配された光制御ライトバルブ52A,
52B,52Cと、この光制御ライトバルブ52A,52B,52
Cに隣接した偏光子53と、この偏光子53に隣接し光制御
ライトバルブ52A,52B,52Cと対応するようにk×l
個(本実施例においては3×1個)並んで配されたi×
j個の画素を有する入力ライトバルブ54A,54B,54C
と、この入力ライトバルブ54A,54B,54Cに隣接した
偏光子55と、この偏光子55に隣接し、入力ライトバルブ
54A,54B,54Cと対応するように、k×l個(本実施
例においては3×1個)並んで配されたi×j個の画素
を有する記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cと、
この記憶/表示ライトバルブに隣接した偏光子57と、こ
の偏光子57に隣接し、記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cと対応するように配された相関出力検出器アレ
イ58A,58B,58Cとにより光学系を構成してなるもの
である。なお、本実施例においては入力パターンx
ij(t) を多重結像カメラ59より入力するものとする。
【0120】まず、入力ライトバルブ54A,54B,54C
に、多重結像カメラ59により撮影された入力パターンx
ij(t) がそれぞれ表示され、次いで図示しない光源より
赤〜赤外光からなる読出し光60が偏光子51および光制御
ライトバルブ52A,52B,52Cを通じて入力ライトバル
ブ54A,54B,54Cに照射される。なお、この時点で
は、光制御ライトバルブ52A,52B,52Cにはスイッチ
62より一様信号S1 が入力されているため各光制御ライ
トバルブ52A,52B,52Cは変調されておらず、光を透
過するのみである。入力ライトバルブ54A,54B,54C
に照射された読出し光60は、入力ライトバルブ54A,54
B,54Cに表示されている入力パターンxij(t) により
変調されて、さらに偏光子55を通じて光の強度のパター
ンとして記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに照
射される。記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに
は、時刻t-1 までに入力されたパターンがある規則で記
憶パターンmklij(t-1) としてそれぞれ記憶されている
ため、この記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに
おいて、入力ライトバルブ54A,54B,54Cを通ってき
た読出し光60の光パターンと、記憶/表示ライトバルブ
56A,56B,56Cに表示されている記憶パターンとが重
ね合せられる。すなわち、前述した図3に示すように、
入力ライトバルブ54A,54B,54Cにはアルファベット
のAのパターンが表示されており、記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cそれぞれには、アルファベットの
A,B,Cのパターンが記憶パターンとして表示されて
いる場合、これらのパターンの重ね合せパターンは、図
3の3A,3B,3Cに示すような光パターンとなる。
に、多重結像カメラ59により撮影された入力パターンx
ij(t) がそれぞれ表示され、次いで図示しない光源より
赤〜赤外光からなる読出し光60が偏光子51および光制御
ライトバルブ52A,52B,52Cを通じて入力ライトバル
ブ54A,54B,54Cに照射される。なお、この時点で
は、光制御ライトバルブ52A,52B,52Cにはスイッチ
62より一様信号S1 が入力されているため各光制御ライ
トバルブ52A,52B,52Cは変調されておらず、光を透
過するのみである。入力ライトバルブ54A,54B,54C
に照射された読出し光60は、入力ライトバルブ54A,54
B,54Cに表示されている入力パターンxij(t) により
変調されて、さらに偏光子55を通じて光の強度のパター
ンとして記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに照
射される。記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに
は、時刻t-1 までに入力されたパターンがある規則で記
憶パターンmklij(t-1) としてそれぞれ記憶されている
ため、この記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに
おいて、入力ライトバルブ54A,54B,54Cを通ってき
た読出し光60の光パターンと、記憶/表示ライトバルブ
56A,56B,56Cに表示されている記憶パターンとが重
ね合せられる。すなわち、前述した図3に示すように、
入力ライトバルブ54A,54B,54Cにはアルファベット
のAのパターンが表示されており、記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cそれぞれには、アルファベットの
A,B,Cのパターンが記憶パターンとして表示されて
いる場合、これらのパターンの重ね合せパターンは、図
3の3A,3B,3Cに示すような光パターンとなる。
【0121】このように重ね合せられた光パターンの光
量の総和は、偏光子57を通じて相関出力用検出器アレイ
58A,58B,58Cに検出される。この相関出力用検出器
アレイ58A,58B,58Cには重ね合せられた光パターン
が明暗の情報、すなわち、入力パターンxij(t) と記憶
パターン群mklij(t-1) とを重ね合せたパターンの全体
の明るさの情報すなわち、
量の総和は、偏光子57を通じて相関出力用検出器アレイ
58A,58B,58Cに検出される。この相関出力用検出器
アレイ58A,58B,58Cには重ね合せられた光パターン
が明暗の情報、すなわち、入力パターンxij(t) と記憶
パターン群mklij(t-1) とを重ね合せたパターンの全体
の明るさの情報すなわち、
【0122】
【数7】
【0123】なる演算がなされた結果が各パターン毎の
相関度ykl(t) として検出される。
相関度ykl(t) として検出される。
【0124】相関出力用検出器アレイ58A,58B,58C
により検出された各相関度ykl(t)は、処理系の学習許
可パターンバッファ61に入力され、ここに一旦記憶され
る。
により検出された各相関度ykl(t)は、処理系の学習許
可パターンバッファ61に入力され、ここに一旦記憶され
る。
【0125】次いでスイッチ62が切り換えられ、学習許
可パターンバッファ61に記憶されている各相関出力用検
出器アレイ58A,58B,58Cにより検出された各相関度
ykl(t) が各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cに入
力される。各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cにお
いては、それぞれ対応する相関出力用検出器アレイ58
A,58B,58Cにおいて検出された相関度ykl(t) に応
じて濃度の変調がなされる。すなわち、検出された相関
度が大きかった相関検出素子と対応する光制御ライトバ
ルブはさほど濃度の変調がなされず、検出された相関度
が小さかった相関検出素子と対応する光制御ライトバル
ブは大きく濃度の変調がなされる。
可パターンバッファ61に記憶されている各相関出力用検
出器アレイ58A,58B,58Cにより検出された各相関度
ykl(t) が各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cに入
力される。各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cにお
いては、それぞれ対応する相関出力用検出器アレイ58
A,58B,58Cにおいて検出された相関度ykl(t) に応
じて濃度の変調がなされる。すなわち、検出された相関
度が大きかった相関検出素子と対応する光制御ライトバ
ルブはさほど濃度の変調がなされず、検出された相関度
が小さかった相関検出素子と対応する光制御ライトバル
ブは大きく濃度の変調がなされる。
【0126】次いで、図示しない光源より青〜紫外光か
らなる書込み光60′が偏光子51を通じて光制御ライトバ
ルブ52A,52B,52Cに照射される。光制御ライトバル
ブ52A,52B,52Cは各ライトバルブ毎に相関度に応じ
た濃度の変調がなされているため、書込み光60′は各光
制御ライトバルブ52A,52B,52Cにおいて強度が変調
される。強度が変調された書込み光60′は偏光子53を通
じて各入力ライトバルブ54A,54B,54Cに入力され、
各入力ライトバルブ54A,54B,54Cに表示されている
入力パターンxij(t) により変調されて、さらに偏光子
55を通じて光の強度のパターンとして記憶/表示ライト
バルブ56A,56B,56Cに入力される。ここで入力パタ
ーンと各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記
憶されている記憶パターンとの相関度が大きかった記憶
/表示ライトバルブには光制御ライトバルブ52A,52
B,52Cにより強度の大きい、すなわちより強い重み付
けがなされた入力パターンが学習パターンとして入力さ
れ、相関度が小さかった記憶/表示ライトバルブには強
度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もしくは重み
付けがされていない)入力パターンが学習パターンとし
て入力されることとなる。書込み光60′は青〜紫外光で
あり、各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに光
パターンの書込みが可能であるため、各記憶/表示ライ
トバルブ56A,56B,56Cには、各記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cに記憶されている記憶パターンと
入力パターンとの相関度に応じて重み付けがなされた学
習パターンが、各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,
56Cに記憶されている記憶パターンに重ねて書き込ま
れ、記憶パターン群の更新(学習)がなされる。
らなる書込み光60′が偏光子51を通じて光制御ライトバ
ルブ52A,52B,52Cに照射される。光制御ライトバル
ブ52A,52B,52Cは各ライトバルブ毎に相関度に応じ
た濃度の変調がなされているため、書込み光60′は各光
制御ライトバルブ52A,52B,52Cにおいて強度が変調
される。強度が変調された書込み光60′は偏光子53を通
じて各入力ライトバルブ54A,54B,54Cに入力され、
各入力ライトバルブ54A,54B,54Cに表示されている
入力パターンxij(t) により変調されて、さらに偏光子
55を通じて光の強度のパターンとして記憶/表示ライト
バルブ56A,56B,56Cに入力される。ここで入力パタ
ーンと各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記
憶されている記憶パターンとの相関度が大きかった記憶
/表示ライトバルブには光制御ライトバルブ52A,52
B,52Cにより強度の大きい、すなわちより強い重み付
けがなされた入力パターンが学習パターンとして入力さ
れ、相関度が小さかった記憶/表示ライトバルブには強
度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もしくは重み
付けがされていない)入力パターンが学習パターンとし
て入力されることとなる。書込み光60′は青〜紫外光で
あり、各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに光
パターンの書込みが可能であるため、各記憶/表示ライ
トバルブ56A,56B,56Cには、各記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cに記憶されている記憶パターンと
入力パターンとの相関度に応じて重み付けがなされた学
習パターンが、各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,
56Cに記憶されている記憶パターンに重ねて書き込ま
れ、記憶パターン群の更新(学習)がなされる。
【0127】以上の動作を繰り返して、入力ライトバル
ブ54A,54B,54Cに入力される様々なパターンと、各
記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記憶されて
いる記憶パターンとの相関度に応じた重みで、記憶パタ
ーンmklij群(t-1) の更新を行うことによって、自己組
織化学習を行うのである。
ブ54A,54B,54Cに入力される様々なパターンと、各
記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記憶されて
いる記憶パターンとの相関度に応じた重みで、記憶パタ
ーンmklij群(t-1) の更新を行うことによって、自己組
織化学習を行うのである。
【0128】上述した本発明による第4の実施例におい
ては、入力パターンと記憶パターンとの相関度を前述し
た式(7) に示すように、積による相関を各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cと記憶/表示ライトバルブ56A,
56B,56Cとにより行っているが、図12に示す光学系を
変更することにより、前述した差分による相関度を求め
ることも可能である。
ては、入力パターンと記憶パターンとの相関度を前述し
た式(7) に示すように、積による相関を各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cと記憶/表示ライトバルブ56A,
56B,56Cとにより行っているが、図12に示す光学系を
変更することにより、前述した差分による相関度を求め
ることも可能である。
【0129】すなわち、図13に示すように、図12に示し
た自己組織化パターン学習システムの各記憶/表示ライ
トバルブ56A,56B,56Cと偏光子57との間に各記憶/
表示ライトバルブ56A,56B,56Cに隣接した第2の入
力ライトバルブ64A,64B,64Cを設け、相関度を検出
する際には、入力ライトバルブ54A,54B,54Cには一
様信号を入力して、読出し光60をただ透過させるのみと
し、入力ライトバルブ64A,64B,64Cには入力パター
ンを表示すれば前述した本発明の第2実施例と同様に各
記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記憶されて
いる記憶パターンと入力パターンとの相関度は差の絶対
値の相関度となり、この差の絶対値の相関度が各相関検
出素子58A,58B,58Cにおいて検出されることとな
る。このように相関度を各記憶/表示ライトバルブ56
A,56B,56Cに記憶されている記憶パターンと入力パ
ターンとの差の絶対値としても、本発明の第4実施例と
同様に各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cの学
習すなわち記憶パターン群の更新を行うことができる。
た自己組織化パターン学習システムの各記憶/表示ライ
トバルブ56A,56B,56Cと偏光子57との間に各記憶/
表示ライトバルブ56A,56B,56Cに隣接した第2の入
力ライトバルブ64A,64B,64Cを設け、相関度を検出
する際には、入力ライトバルブ54A,54B,54Cには一
様信号を入力して、読出し光60をただ透過させるのみと
し、入力ライトバルブ64A,64B,64Cには入力パター
ンを表示すれば前述した本発明の第2実施例と同様に各
記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記憶されて
いる記憶パターンと入力パターンとの相関度は差の絶対
値の相関度となり、この差の絶対値の相関度が各相関検
出素子58A,58B,58Cにおいて検出されることとな
る。このように相関度を各記憶/表示ライトバルブ56
A,56B,56Cに記憶されている記憶パターンと入力パ
ターンとの差の絶対値としても、本発明の第4実施例と
同様に各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cの学
習すなわち記憶パターン群の更新を行うことができる。
【0130】また、本発明の第4実施例においては、繰
り返し学習を行っている途中に図12に示すスイッチ63を
切り換えて、上述した各入力ライトバルブ54A,54B,
54Cに一様信号S2 を入力するようにしてもよい。この
一様信号S2 を入力することにより、各入力ライトバル
ブ54A,54B,54Cは一様のパターンを表示することと
なるため、この一様のパターンが各記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cに記憶されると、各記憶/表示ラ
イトバルブ56A,56B,56Cの学習の初期の段階で記憶
されたパターンがうっすらと残っている場合に、この一
様のパターンを各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,
56Cに入力することにより残っているパターンを消去す
ることができるのである。このように、各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cに一様の信号S2 を学習段階の途
中で入力することにより、各記憶/表示ライトバルブ56
A,56B,56Cにうっすらと記憶されているパターンを
消すことができるため、学習が終了した際の各記憶/表
示ライトバルブ56A,56B,56Cの記憶パターンに各ラ
イトバルブの他のパターンが重なって学習されることが
ないものとなり、より好ましい。また、この場合、一様
信号S2 を電気的に入力するだけでなく、各記憶/表示
ライトバルブ56A,56B,56Cに一様な光を照射して、
パターンの消去を行ってもよい。
り返し学習を行っている途中に図12に示すスイッチ63を
切り換えて、上述した各入力ライトバルブ54A,54B,
54Cに一様信号S2 を入力するようにしてもよい。この
一様信号S2 を入力することにより、各入力ライトバル
ブ54A,54B,54Cは一様のパターンを表示することと
なるため、この一様のパターンが各記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cに記憶されると、各記憶/表示ラ
イトバルブ56A,56B,56Cの学習の初期の段階で記憶
されたパターンがうっすらと残っている場合に、この一
様のパターンを各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,
56Cに入力することにより残っているパターンを消去す
ることができるのである。このように、各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cに一様の信号S2 を学習段階の途
中で入力することにより、各記憶/表示ライトバルブ56
A,56B,56Cにうっすらと記憶されているパターンを
消すことができるため、学習が終了した際の各記憶/表
示ライトバルブ56A,56B,56Cの記憶パターンに各ラ
イトバルブの他のパターンが重なって学習されることが
ないものとなり、より好ましい。また、この場合、一様
信号S2 を電気的に入力するだけでなく、各記憶/表示
ライトバルブ56A,56B,56Cに一様な光を照射して、
パターンの消去を行ってもよい。
【0131】さらに、上述した本発明の第4実施例にお
いては、図14に示すように偏光子53を取り外し、光制御
ライトバルブ52A,52B,52Cから入力ライトバルブ54
A,54B,54Cへ伝達される相関度を差の絶対値の相関
度として伝達するようにしてもよい。
いては、図14に示すように偏光子53を取り外し、光制御
ライトバルブ52A,52B,52Cから入力ライトバルブ54
A,54B,54Cへ伝達される相関度を差の絶対値の相関
度として伝達するようにしてもよい。
【0132】さらに、上述した本発明の第4実施例にお
いては、図示しない照明手段のかわりに、入力パターン
を発光する発光素子を対応する光制御ライトバルブ52
A,52B,52C毎に設け、この発光素子より発光される
入力パターンの光の強度を相関度に応じて変調された各
光制御ライトバルブ52A,52B,52Cにより変調して学
習パターンを作成し、記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cに記憶されている記憶パターン群の更新を行う
ようにしてもよい。
いては、図示しない照明手段のかわりに、入力パターン
を発光する発光素子を対応する光制御ライトバルブ52
A,52B,52C毎に設け、この発光素子より発光される
入力パターンの光の強度を相関度に応じて変調された各
光制御ライトバルブ52A,52B,52Cにより変調して学
習パターンを作成し、記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cに記憶されている記憶パターン群の更新を行う
ようにしてもよい。
【0133】また、上述した本発明による第4実施例に
おいては、光制御ライトバルブ52A,52B,52Cを相関
度に応じて変調して、図示しない光源より発せられた光
を変調するようにしているが、図15に示すように光制御
ライトバルブ52A,52B,52Cのかわりに、相関度に応
じた強度の光を発光する発光素子52A′,52B′,52
C′を入力ライトバルブ54A,54B,54Cに対応させて
設けるようにしてもよい。
おいては、光制御ライトバルブ52A,52B,52Cを相関
度に応じて変調して、図示しない光源より発せられた光
を変調するようにしているが、図15に示すように光制御
ライトバルブ52A,52B,52Cのかわりに、相関度に応
じた強度の光を発光する発光素子52A′,52B′,52
C′を入力ライトバルブ54A,54B,54Cに対応させて
設けるようにしてもよい。
【0134】さらに、上述した本発明の第4実施例にお
いては、各入力ライトバルブ54A,54B,54Cに入力パ
ターンxij(t) を表示するための手段として、多重結像
カメラ59を用いるが、これに限定されるものではなく、
例えば、図16に示すように、1つの入力ライトバルブ67
に入力パターンxij(t) を表示し、これに各入力ライト
バルブ54A,54B,54Cに書込み可能な青〜紫外光から
なる書込み光66を照射し、多重結像レンズ68および反射
鏡65を通じて、入力パターンxij(t) を各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cに記憶し、表示させるようにして
もよい。
いては、各入力ライトバルブ54A,54B,54Cに入力パ
ターンxij(t) を表示するための手段として、多重結像
カメラ59を用いるが、これに限定されるものではなく、
例えば、図16に示すように、1つの入力ライトバルブ67
に入力パターンxij(t) を表示し、これに各入力ライト
バルブ54A,54B,54Cに書込み可能な青〜紫外光から
なる書込み光66を照射し、多重結像レンズ68および反射
鏡65を通じて、入力パターンxij(t) を各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cに記憶し、表示させるようにして
もよい。
【0135】次いで、本発明の第4の基本的概念につい
て説明する。
て説明する。
【0136】図17は、本発明の自己組織化パターン学習
システムの第4の基本的概念を表す図である。
システムの第4の基本的概念を表す図である。
【0137】図17に示すように本発明の第4の基本的概
念における自己組織化パターン学習システムは、所定の
波長の光により入力されたパターンを光学的に記憶し、
所定の波長とは異なる波長の別に入力された光を、この
記憶されたパターンに応じて変調する光変調素子72A,
72B,72Cが1次元または2次元状に複数配列されてな
る(本実施例においては1次元状に3個)、パターン群
記憶手段である光変調素子群72と、各光変調素子72A,
72B,72Cにそれぞれ隣接して配された、各光変調素子
72A,72B,72Cに所定の波長の光および所定の波長と
は異なる波長の光により入力パターンxおよび学習パタ
ーンを交互に表示する多数の光制御素子71A,71B,71
Cからなる、入力/学習パターン群表示手段である光制
御手段71を内包する学習パターン群作成手段80と、各光
変調素子72A,72B,72Cにそれぞれ隣接して配され
た、各光制御素子71A,71B,71Cから出力された所定
の波長とは異なる波長による入力パターンxと各光変調
素子群72に記憶されているパターンとの相関度yを各光
変調素子72A,72B,72C毎に検出する多数の相関検出
素子73A,73B,73Cからなる光検出手段である相関検
出素子群73とからなり、各相関検出素子73A,73B,73
Cにより検出された各相関度yに応じて重み付けられた
光強度になるように、所定の波長の光を光制御素子71
A,71B,71C毎に制御する本発明の記憶パターン更新
手段を内包する学習パターン群演算手段78を学習パター
ン群作成手段80内に備えてなるものである。
念における自己組織化パターン学習システムは、所定の
波長の光により入力されたパターンを光学的に記憶し、
所定の波長とは異なる波長の別に入力された光を、この
記憶されたパターンに応じて変調する光変調素子72A,
72B,72Cが1次元または2次元状に複数配列されてな
る(本実施例においては1次元状に3個)、パターン群
記憶手段である光変調素子群72と、各光変調素子72A,
72B,72Cにそれぞれ隣接して配された、各光変調素子
72A,72B,72Cに所定の波長の光および所定の波長と
は異なる波長の光により入力パターンxおよび学習パタ
ーンを交互に表示する多数の光制御素子71A,71B,71
Cからなる、入力/学習パターン群表示手段である光制
御手段71を内包する学習パターン群作成手段80と、各光
変調素子72A,72B,72Cにそれぞれ隣接して配され
た、各光制御素子71A,71B,71Cから出力された所定
の波長とは異なる波長による入力パターンxと各光変調
素子群72に記憶されているパターンとの相関度yを各光
変調素子72A,72B,72C毎に検出する多数の相関検出
素子73A,73B,73Cからなる光検出手段である相関検
出素子群73とからなり、各相関検出素子73A,73B,73
Cにより検出された各相関度yに応じて重み付けられた
光強度になるように、所定の波長の光を光制御素子71
A,71B,71C毎に制御する本発明の記憶パターン更新
手段を内包する学習パターン群演算手段78を学習パター
ン群作成手段80内に備えてなるものである。
【0138】まず、入力手段79より学習パターン群作成
手段80に入力パターンxが入力され、各光入力素子71
A,71B,71Cより前述した所定の波長とは異なる波長
の光により入力パターンxが光76A,76B,76Cとして
出力される。各光制御手段71A,71B,71Cより出力さ
れた入力パターン76A,76B,76Cは、光変調素子群72
の各光変調素子72A,72B,72Cに入力される。各光変
調素子72A,72B,72Cには今までに入力されたパター
ンによって学習がなされたパターンが記憶されており、
ここで光制御手段71A,71B,71Cより出力された入力
パターンは、各光変調素子72A,72B,72Cを透過する
ことにより、入力パターン76A,76B,76Cと各光変
調素子72A,72B,72Cに記憶されている記憶パター
ンとの重ね合せの光パターン77A,77B,77Cとして出
力され、相関検出素子群73の各相関検出素子73A,73
B,73Cによりそれぞれの光パターンの光量の総和が検
出される。各相関検出素子73A,73B,73Cにより検出
された光パターン77A,77B,77Cの光量の総和は相関
度yとして出力され、学習パターン群作成手段80に入力
される。学習パターン群作成手段80内の学習パターン群
演算手段78においては、各相関検出素子73A,73B,73
Cにより検出された相関度yに応じて、各光制御素子71
A,71B,71Cから出力される前述した所定の波長の光
の強度に重み付けをして、光制御素子71A,71B,71C
から出力される所定の波長の光による入力パターンxの
強度を制御する。この強度が制御された入力パターンx
が記憶の更新を行うための学習パターンとなるのであ
る。
手段80に入力パターンxが入力され、各光入力素子71
A,71B,71Cより前述した所定の波長とは異なる波長
の光により入力パターンxが光76A,76B,76Cとして
出力される。各光制御手段71A,71B,71Cより出力さ
れた入力パターン76A,76B,76Cは、光変調素子群72
の各光変調素子72A,72B,72Cに入力される。各光変
調素子72A,72B,72Cには今までに入力されたパター
ンによって学習がなされたパターンが記憶されており、
ここで光制御手段71A,71B,71Cより出力された入力
パターンは、各光変調素子72A,72B,72Cを透過する
ことにより、入力パターン76A,76B,76Cと各光変
調素子72A,72B,72Cに記憶されている記憶パター
ンとの重ね合せの光パターン77A,77B,77Cとして出
力され、相関検出素子群73の各相関検出素子73A,73
B,73Cによりそれぞれの光パターンの光量の総和が検
出される。各相関検出素子73A,73B,73Cにより検出
された光パターン77A,77B,77Cの光量の総和は相関
度yとして出力され、学習パターン群作成手段80に入力
される。学習パターン群作成手段80内の学習パターン群
演算手段78においては、各相関検出素子73A,73B,73
Cにより検出された相関度yに応じて、各光制御素子71
A,71B,71Cから出力される前述した所定の波長の光
の強度に重み付けをして、光制御素子71A,71B,71C
から出力される所定の波長の光による入力パターンxの
強度を制御する。この強度が制御された入力パターンx
が記憶の更新を行うための学習パターンとなるのであ
る。
【0139】次いで光制御素子71A,71B,71Cから重
み付けされた所定の波長の光により入力パターンが出力
され、これにより重み付けされた入力パターンが各光変
調素子72A,72B,72Cに記憶されている記憶パターン
に重ねて記憶され、記憶パターン群の更新がなされる。
以上の動作を繰り返すことにより各光変調素子72A,72
B,72Cに入力される様々なパターンを、相関度に応じ
た重みを加えてそれぞれの光変調素子に記憶し、各光変
調素子における記憶パターン群の更新を行うことによっ
て、次々と入力されるパターンの自己組織化学習を行う
のである。
み付けされた所定の波長の光により入力パターンが出力
され、これにより重み付けされた入力パターンが各光変
調素子72A,72B,72Cに記憶されている記憶パターン
に重ねて記憶され、記憶パターン群の更新がなされる。
以上の動作を繰り返すことにより各光変調素子72A,72
B,72Cに入力される様々なパターンを、相関度に応じ
た重みを加えてそれぞれの光変調素子に記憶し、各光変
調素子における記憶パターン群の更新を行うことによっ
て、次々と入力されるパターンの自己組織化学習を行う
のである。
【0140】次いで、上述した第4の基本的概念からな
る本発明の実施例について説明する。
る本発明の実施例について説明する。
【0141】図18は上述した本発明の第4の基本的概念
からなる本発明の第5実施例を表す図である。
からなる本発明の第5実施例を表す図である。
【0142】なお、本実施例においては、前述した所定
の波長の光を青〜紫外光、所定の波長とは異なる波長の
光を赤〜赤外光とし、光変調素子として青〜紫外光によ
り書込みが可能であり、かつ赤〜赤外光では書き込みさ
れないという特性を有する記憶/表示ライトバルブ(例
えば前述したBSO−PROM等)を用いるものとす
る。
の波長の光を青〜紫外光、所定の波長とは異なる波長の
光を赤〜赤外光とし、光変調素子として青〜紫外光によ
り書込みが可能であり、かつ赤〜赤外光では書き込みさ
れないという特性を有する記憶/表示ライトバルブ(例
えば前述したBSO−PROM等)を用いるものとす
る。
【0143】図18に示すように本発明の第5実施例によ
る自己組織化パターン学習システムは、図示しない光源
より発せられた読出し光90を受光して偏光する偏光子88
と、この偏光子88に隣接しk×l個(本実施例において
は3×1個)並んで配された光制御素子としての光制御
ライトバルブ89A,89B,89Cおよび学習パターン群演
算手段86とからなる学習パターン作成手段と、各光制御
ライトバルブ89A,89B,89Cに隣接した偏光子82と、
この偏光子82に隣接し、各光制御ライトバルブ89A,89
B,89Cと対応するようにk×l個(本実施例において
3×1個)並んで配されたi×j個の画素を有する記憶
/表示ライトバルブ83A,83B,83Cと、この記憶/表
示ライトバルブ83A,83B,83Cに隣接した偏光子84
と、この偏光子84に隣接し、記憶/表示ライトバルブ83
A,83B,83Cと対応するように配された相関出力検出
器アレイ85A,85B,85Cにより光学系を構成してなる
ものである。なお、本実施例は入力パターンxij(t) を
多重結像カメラ87より入力するものとする。
る自己組織化パターン学習システムは、図示しない光源
より発せられた読出し光90を受光して偏光する偏光子88
と、この偏光子88に隣接しk×l個(本実施例において
は3×1個)並んで配された光制御素子としての光制御
ライトバルブ89A,89B,89Cおよび学習パターン群演
算手段86とからなる学習パターン作成手段と、各光制御
ライトバルブ89A,89B,89Cに隣接した偏光子82と、
この偏光子82に隣接し、各光制御ライトバルブ89A,89
B,89Cと対応するようにk×l個(本実施例において
3×1個)並んで配されたi×j個の画素を有する記憶
/表示ライトバルブ83A,83B,83Cと、この記憶/表
示ライトバルブ83A,83B,83Cに隣接した偏光子84
と、この偏光子84に隣接し、記憶/表示ライトバルブ83
A,83B,83Cと対応するように配された相関出力検出
器アレイ85A,85B,85Cにより光学系を構成してなる
ものである。なお、本実施例は入力パターンxij(t) を
多重結像カメラ87より入力するものとする。
【0144】まず、多重結像カメラ87により撮影された
入力パターンxij(t) が制御手段86を介して各光制御ラ
イトバルブ89A,89B,89Cに入力され表示される。次
いで、入力パターンxij(t) が表示された各光制御ライ
トバルブ89A,89B,89Cに図示しない光源から赤〜赤
外光からなる読出し光90が偏光子88を通じて照射され
る。光制御ライトバルブ89A,89B,89Cに照射された
読出し光90は、光制御ライトバルブ89A,89B,89Cに
表示されている入力パターンxij(t) により変調され
て、さらに偏光子82通じて、各記憶/表示ライトバルブ
83A,83B,83Cに照射される。各記憶/表示ライトバ
ルブ83A,83B,83Cには、時刻t-1 までに入力された
パターンがある規則で記憶パターン群mlkij(t-1) とし
てそれぞれ記憶されており、各記憶/表示ライトバルブ
83A,83B,83Cおいて、各光制御ライトバルブ89A,
89B,89Cより発光された入力パターンxij(t) と各記
憶/表示ライトバルブ83A,83B,83Cに記憶されてい
る記憶パターンとが重ね合せられる。すなわち、前述し
た図3に示すように、各光制御ライトバルブ89A,89
B,89CからはアルファベットのAのパターンが発光さ
れ、相関検出素子83A,83B,83Cそれぞれには、アル
ファベットのA,B,Cのパターンが記憶パターンとし
て表示されている場合、これらのパターンの重ね合せパ
ターンは、図3の3A,3B,3Cに示すような光パタ
ーンとなる。
入力パターンxij(t) が制御手段86を介して各光制御ラ
イトバルブ89A,89B,89Cに入力され表示される。次
いで、入力パターンxij(t) が表示された各光制御ライ
トバルブ89A,89B,89Cに図示しない光源から赤〜赤
外光からなる読出し光90が偏光子88を通じて照射され
る。光制御ライトバルブ89A,89B,89Cに照射された
読出し光90は、光制御ライトバルブ89A,89B,89Cに
表示されている入力パターンxij(t) により変調され
て、さらに偏光子82通じて、各記憶/表示ライトバルブ
83A,83B,83Cに照射される。各記憶/表示ライトバ
ルブ83A,83B,83Cには、時刻t-1 までに入力された
パターンがある規則で記憶パターン群mlkij(t-1) とし
てそれぞれ記憶されており、各記憶/表示ライトバルブ
83A,83B,83Cおいて、各光制御ライトバルブ89A,
89B,89Cより発光された入力パターンxij(t) と各記
憶/表示ライトバルブ83A,83B,83Cに記憶されてい
る記憶パターンとが重ね合せられる。すなわち、前述し
た図3に示すように、各光制御ライトバルブ89A,89
B,89CからはアルファベットのAのパターンが発光さ
れ、相関検出素子83A,83B,83Cそれぞれには、アル
ファベットのA,B,Cのパターンが記憶パターンとし
て表示されている場合、これらのパターンの重ね合せパ
ターンは、図3の3A,3B,3Cに示すような光パタ
ーンとなる。
【0145】このように重ね合せられた光パターンの光
量の総和は、偏光子84を通じて相関出力用検出器アレイ
85A,85B,85Cに検出される。この相関出力用検出器
アレイ85A,85B,85Cには重ね合せられたパターンの
明暗の情報の総和、すなわち、入力パターンxij(t) と
記憶パターン群mklij(t-1) とを重ね合せたパターンの
全体の明るさの情報すなわち、
量の総和は、偏光子84を通じて相関出力用検出器アレイ
85A,85B,85Cに検出される。この相関出力用検出器
アレイ85A,85B,85Cには重ね合せられたパターンの
明暗の情報の総和、すなわち、入力パターンxij(t) と
記憶パターン群mklij(t-1) とを重ね合せたパターンの
全体の明るさの情報すなわち、
【0146】
【数8】
【0147】なる演算がなされた光量が各パターンの相
関度ykl(t) として検出される。
関度ykl(t) として検出される。
【0148】次いで各相関出力用検出器アレイ85A,85
B,85Cにより検出された各相関度ykl(t) が学習パタ
ーン群演算手段86に入力される。学習パターン群演算手
段86においては、それぞれ対応する相関出力用検出器ア
レイ85A,85B,85Cにおいて検出された相関度y
kl(t) に応じて、各光制御ライトバルブ89A,89B,89
Cに表示される学習パターンの濃度の変調がなされる。
すなわち、検出された相関度が大きかった相関検出素子
と対応する光制御ライトバルブ89A,89B,89Cにはよ
り強い濃度で入力パターンが表示され、検出された相関
度が小さかった相関検出素子と対応する光制御ライトバ
ルブ89A,89B,89Cには弱い濃度で入力パターンが表
示されるかまたは相関度によっては入力パターンが表示
されないこととなる。
B,85Cにより検出された各相関度ykl(t) が学習パタ
ーン群演算手段86に入力される。学習パターン群演算手
段86においては、それぞれ対応する相関出力用検出器ア
レイ85A,85B,85Cにおいて検出された相関度y
kl(t) に応じて、各光制御ライトバルブ89A,89B,89
Cに表示される学習パターンの濃度の変調がなされる。
すなわち、検出された相関度が大きかった相関検出素子
と対応する光制御ライトバルブ89A,89B,89Cにはよ
り強い濃度で入力パターンが表示され、検出された相関
度が小さかった相関検出素子と対応する光制御ライトバ
ルブ89A,89B,89Cには弱い濃度で入力パターンが表
示されるかまたは相関度によっては入力パターンが表示
されないこととなる。
【0149】このように各光制御ライトバルブ89A,89
B,89Cの制御がなされると各光制御ライトバルブ89
A,89B,89Cに青〜紫外光からなる書込み光90′が偏
光子88を通じて照射される。光制御ライトバルブ89A,
89B,89Cに照射された書込み光90′は各光制御ライト
バルブ89A,89B,89Cに表示されている学習パターン
に応じて変調され、偏光子82を通じて各記憶/表示ライ
トバルブ83A,83B,83Cに照射される。ここで入力パ
ターンと各記憶/表示ライトバルブ83A,83B,83Cに
記憶されているパターンとの相関度が大きかった記憶/
表示ライトバルブには各光制御ライトバルブ89A,89
B,89Cにより強度の大きい、すなわちより強い重み付
けがなされた入力パターンが学習パターンとして入力さ
れ、相関度が小さかった記憶/表示ライトバルブには強
度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もしくは重み
付けがされていない)入力パターンが学習パターンとし
て入力されることとなる。各光制御ライトバルブ89A,
89B,89Cに照射される光は青〜紫外光であり、各記憶
/表示ライトバルブ83A,83B,83Cにパターンの書込
みが可能であるため、各記憶/表示ライトバルブ83A,
83B,83Cには、各記憶/表示ライトバルブ83A,83
B,83Cに記憶されている記憶パターンと入力パターン
との相関度に応じて重み付けがなされた学習パターン
が、すでに各記憶/表示ライトバルブ83A,83B,83C
に記憶されている記憶パターンに重ねて書き込まれ、記
憶パターン群の更新(学習)がなされる。
B,89Cの制御がなされると各光制御ライトバルブ89
A,89B,89Cに青〜紫外光からなる書込み光90′が偏
光子88を通じて照射される。光制御ライトバルブ89A,
89B,89Cに照射された書込み光90′は各光制御ライト
バルブ89A,89B,89Cに表示されている学習パターン
に応じて変調され、偏光子82を通じて各記憶/表示ライ
トバルブ83A,83B,83Cに照射される。ここで入力パ
ターンと各記憶/表示ライトバルブ83A,83B,83Cに
記憶されているパターンとの相関度が大きかった記憶/
表示ライトバルブには各光制御ライトバルブ89A,89
B,89Cにより強度の大きい、すなわちより強い重み付
けがなされた入力パターンが学習パターンとして入力さ
れ、相関度が小さかった記憶/表示ライトバルブには強
度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もしくは重み
付けがされていない)入力パターンが学習パターンとし
て入力されることとなる。各光制御ライトバルブ89A,
89B,89Cに照射される光は青〜紫外光であり、各記憶
/表示ライトバルブ83A,83B,83Cにパターンの書込
みが可能であるため、各記憶/表示ライトバルブ83A,
83B,83Cには、各記憶/表示ライトバルブ83A,83
B,83Cに記憶されている記憶パターンと入力パターン
との相関度に応じて重み付けがなされた学習パターン
が、すでに各記憶/表示ライトバルブ83A,83B,83C
に記憶されている記憶パターンに重ねて書き込まれ、記
憶パターン群の更新(学習)がなされる。
【0150】以上の動作を繰り返して、各光制御素子81
A,81B,81Cに入力される様々なパターンと、各記憶
/表示ライトバルブ83A,83B,83Cに記憶されている
記憶パターンとの相関度に応じた重みで、記憶パターン
群mlkij(t-1) の更新を行うことによって、自己組織化
学習を行うのである。
A,81B,81Cに入力される様々なパターンと、各記憶
/表示ライトバルブ83A,83B,83Cに記憶されている
記憶パターンとの相関度に応じた重みで、記憶パターン
群mlkij(t-1) の更新を行うことによって、自己組織化
学習を行うのである。
【0151】なお、上述した本発明の第5実施例におい
ては、光制御ライトバルブ89A,89B,89Cを相関度に
応じて変調して、図示しない光源より発せられた光を変
調するようにしているが、図19に示すように光制御ライ
トバルブ89A,89B,89Cのかわりに前述した所定の波
長の光および所定の波長の光とは異なる波長の光により
入力パターンおよび学習パターンを発光するLEDアレ
イ等からなる発光素子81A,81B,81Cを各記憶/表示
ライトバルブ83A,83B,83Cに対応させて設けるよう
にしてもよい。この場合、各発光素子81A,81B,81C
より所定の波長の光により入力パターンxij(t) を発光
し、検出された相関度に応じた強度の所定の波長とは異
なる波長の光により学習パターンを発光させ、相関度の
検出および重みの更新(学習)を行うものである。
ては、光制御ライトバルブ89A,89B,89Cを相関度に
応じて変調して、図示しない光源より発せられた光を変
調するようにしているが、図19に示すように光制御ライ
トバルブ89A,89B,89Cのかわりに前述した所定の波
長の光および所定の波長の光とは異なる波長の光により
入力パターンおよび学習パターンを発光するLEDアレ
イ等からなる発光素子81A,81B,81Cを各記憶/表示
ライトバルブ83A,83B,83Cに対応させて設けるよう
にしてもよい。この場合、各発光素子81A,81B,81C
より所定の波長の光により入力パターンxij(t) を発光
し、検出された相関度に応じた強度の所定の波長とは異
なる波長の光により学習パターンを発光させ、相関度の
検出および重みの更新(学習)を行うものである。
【0152】また、上述した本発明の第5実施例におい
ては、各光制御ライトバルブ89A,89B,89Cに所定の
波長の光および所定の波長の光とは異なる波長の光を交
互に照射して、あるいは各発光素子81A,81B,81Cよ
り所定の波長の光および所定の波長の光とは異なる波長
の光を交互に発光させて、相関度の検出と重み付けされ
た入力パターンである学習パターンとの書き込みを交互
に行っているが、各相関出力検出器アレイ85A,85B,
85Cに所定の波長の光をカットし、所定の波長の光とは
異なる波長の光のみを透過するフィルタを設け、各光制
御ライトバルブ89A,89B,89Cあるいは各発光素子81
A,81B,81Cから所定の波長の光とこの所定の波長の
光により入力パターンとを同時に出力するようにすれ
ば、所定の波長の光と所定の波長の光とは異なる波長の
光を切り換えることなく相関度の検出と記憶パターン群
の更新とを同時に行うことができる。
ては、各光制御ライトバルブ89A,89B,89Cに所定の
波長の光および所定の波長の光とは異なる波長の光を交
互に照射して、あるいは各発光素子81A,81B,81Cよ
り所定の波長の光および所定の波長の光とは異なる波長
の光を交互に発光させて、相関度の検出と重み付けされ
た入力パターンである学習パターンとの書き込みを交互
に行っているが、各相関出力検出器アレイ85A,85B,
85Cに所定の波長の光をカットし、所定の波長の光とは
異なる波長の光のみを透過するフィルタを設け、各光制
御ライトバルブ89A,89B,89Cあるいは各発光素子81
A,81B,81Cから所定の波長の光とこの所定の波長の
光により入力パターンとを同時に出力するようにすれ
ば、所定の波長の光と所定の波長の光とは異なる波長の
光を切り換えることなく相関度の検出と記憶パターン群
の更新とを同時に行うことができる。
【0153】次いで、本発明の第5の基本的概念につい
て説明する。
て説明する。
【0154】図20は、本発明の自己組織化パターン学習
システムの第5の基本的概念を表わす図である。
システムの第5の基本的概念を表わす図である。
【0155】図20に示すように、本発明の第3の基本的
概念における自己組織化パターン学習システムは、図11
に示した本発明の第3の自己組織化パターン学習システ
ムにおいて光入力素子と光制御素子を入れ変えたもので
あり、所定の波長の光により入力されたパターンを光学
的に記憶し、所定の波長とは異なる波長の別に入力され
た光を、この記憶されたパターンに応じて変調する光変
調素子42A,42B,42Cが1次元または2次元状に複数
配列されてなる(本実施例においては1次元に3個)、
パターン群記憶手段である光変調素子群42と、各光変調
素子42A,42B,42Cにそれぞれ対応して配された、各
光変調素子42A,42B,42Cに入力パターンをそれぞれ
入力する多数の光入力素子41A,41B,41Cと、各光入
力素子41A,41B,41Cに入力パターンxを入力する入
力手段とを含む、入力パターン群表示手段であるパター
ン入力手段41と、各光変調素子42A,42B,42Cにそれ
ぞれ隣接して配された、各光入力素子41A,41B,41C
に入力されたパターンxと光変調素子群41に記憶されて
いる記憶パターンとの相関度yを各光変調素子42A,42
B,42C毎に検出する多数の相関検出素子43A,43B,
43Cからなる、光検出手段である相関検出素子群43と、
各光変調素子42A,42B,42Cにそれぞれ隣接して各光
変調素子42A,42B,42Cとパターン入力手段41との間
に配された、各光変調素子42A,42B,42Cに所定の波
長の光およびこの所定の光の波長とは異なる波長の光を
交互に入力する多数の光制御素子48A,48B,48Cから
なり、所定の波長の光の強度を各相関検出素子43A,43
B,43Cにより検出された各相関度yによる重み付けを
して光入力素子41A,41B,41C毎に制御し、相関度に
応じた学習パターンとして各光変調素子42A,42B,42
Cに入力して各光変調素子の記憶パターンの更新を行う
学習パターン群作成手段と記憶パターン更新手段とを内
包する光制御手段48とからなるものである。なお、図20
においては、図11に示す自己組織化パターン学習システ
ムと同一の手段については、図11と同一の符号を付すも
のとする。
概念における自己組織化パターン学習システムは、図11
に示した本発明の第3の自己組織化パターン学習システ
ムにおいて光入力素子と光制御素子を入れ変えたもので
あり、所定の波長の光により入力されたパターンを光学
的に記憶し、所定の波長とは異なる波長の別に入力され
た光を、この記憶されたパターンに応じて変調する光変
調素子42A,42B,42Cが1次元または2次元状に複数
配列されてなる(本実施例においては1次元に3個)、
パターン群記憶手段である光変調素子群42と、各光変調
素子42A,42B,42Cにそれぞれ対応して配された、各
光変調素子42A,42B,42Cに入力パターンをそれぞれ
入力する多数の光入力素子41A,41B,41Cと、各光入
力素子41A,41B,41Cに入力パターンxを入力する入
力手段とを含む、入力パターン群表示手段であるパター
ン入力手段41と、各光変調素子42A,42B,42Cにそれ
ぞれ隣接して配された、各光入力素子41A,41B,41C
に入力されたパターンxと光変調素子群41に記憶されて
いる記憶パターンとの相関度yを各光変調素子42A,42
B,42C毎に検出する多数の相関検出素子43A,43B,
43Cからなる、光検出手段である相関検出素子群43と、
各光変調素子42A,42B,42Cにそれぞれ隣接して各光
変調素子42A,42B,42Cとパターン入力手段41との間
に配された、各光変調素子42A,42B,42Cに所定の波
長の光およびこの所定の光の波長とは異なる波長の光を
交互に入力する多数の光制御素子48A,48B,48Cから
なり、所定の波長の光の強度を各相関検出素子43A,43
B,43Cにより検出された各相関度yによる重み付けを
して光入力素子41A,41B,41C毎に制御し、相関度に
応じた学習パターンとして各光変調素子42A,42B,42
Cに入力して各光変調素子の記憶パターンの更新を行う
学習パターン群作成手段と記憶パターン更新手段とを内
包する光制御手段48とからなるものである。なお、図20
においては、図11に示す自己組織化パターン学習システ
ムと同一の手段については、図11と同一の符号を付すも
のとする。
【0156】まず、入力手段45により光パターン入力手
段41の各光入力素子41A,41B,41Cに入力パターンx
が入力される。次いで所定の波長とは異なる波長の光が
各光入力素子41A,41B,41Cより光制御手段48の各光
制御素子48A,48B,48Cに向けて発せられる。この
際、各光制御素子48A,48B,48Cには何も表示されて
いないため、各入力素子41A,41B,41Cに表示されて
いる入力パターンは、光変調素子群42の各光変調素子42
A,42B,42Cに入力される。
段41の各光入力素子41A,41B,41Cに入力パターンx
が入力される。次いで所定の波長とは異なる波長の光が
各光入力素子41A,41B,41Cより光制御手段48の各光
制御素子48A,48B,48Cに向けて発せられる。この
際、各光制御素子48A,48B,48Cには何も表示されて
いないため、各入力素子41A,41B,41Cに表示されて
いる入力パターンは、光変調素子群42の各光変調素子42
A,42B,42Cに入力される。
【0157】各光変調素子42A,42B,42Cには今まで
に入力されたパターンによって学習がなされたパターン
が記憶されており、ここで各光入力素子41A,41B,41
Cより出力され光制御素子48A,48B,48Cを通過した
光パターン46A,46B,46Cは、各光変調素子42A,42
B,42Cを透過することにより、入力パターンxと各光
変調素子42A,42B,42Cに記憶されているパターンと
の重ね合せの光47A,47B,47Cとして出力され、相関
検出素子群43の各相関検出素子43A,43B,43Cにより
それぞれの光パターンの光量の総和が検出される。各相
関検出素子43A,43B,43Cによりそれぞれ検出された
光パターン47A,47B,47Cの光量の総和は相関度yと
して出力され、光制御手段48に入力される。光制御手段
48においては、光制御素子48A,48B,48C毎に前述し
た所定の波長の光に、各相関検出素子43A,43B,43C
により検出された相関度yに応じた重み付けをするよう
に強度制御がなされる。次いで各光入力素子41A,41
B,41Cに向けて前述した所定の波長の光が発せられ、
各光入力素子41A,41B,41Cに表示されている入力パ
ターンにより変調されて、強度変調された各光制御素子
48A,48B,48Cに入力される。各光制御素子48A,48
B,48Cにより強度変調された入力パターンは光変調素
子群42の各光変調素子42A,42B,42Cに入力される。
各光変調素子42A,42B,42Cは所定の波長の光により
入力されたパターンを光学的に記憶するものであるた
め、各パターン入力手段41A,41B,41Cおよび各光制
御素子48A,48B,48Cにおいて変調された所定の波長
の光による記憶パターンは、各光変調素子42A,42B,
42Cに記憶されている記憶パターンに重ねて記憶され
る。以上の動作を繰り返すことにより各光変調素子42
A,42B,42Cにおける記憶パターン群の更新(学習)
を行うものである。
に入力されたパターンによって学習がなされたパターン
が記憶されており、ここで各光入力素子41A,41B,41
Cより出力され光制御素子48A,48B,48Cを通過した
光パターン46A,46B,46Cは、各光変調素子42A,42
B,42Cを透過することにより、入力パターンxと各光
変調素子42A,42B,42Cに記憶されているパターンと
の重ね合せの光47A,47B,47Cとして出力され、相関
検出素子群43の各相関検出素子43A,43B,43Cにより
それぞれの光パターンの光量の総和が検出される。各相
関検出素子43A,43B,43Cによりそれぞれ検出された
光パターン47A,47B,47Cの光量の総和は相関度yと
して出力され、光制御手段48に入力される。光制御手段
48においては、光制御素子48A,48B,48C毎に前述し
た所定の波長の光に、各相関検出素子43A,43B,43C
により検出された相関度yに応じた重み付けをするよう
に強度制御がなされる。次いで各光入力素子41A,41
B,41Cに向けて前述した所定の波長の光が発せられ、
各光入力素子41A,41B,41Cに表示されている入力パ
ターンにより変調されて、強度変調された各光制御素子
48A,48B,48Cに入力される。各光制御素子48A,48
B,48Cにより強度変調された入力パターンは光変調素
子群42の各光変調素子42A,42B,42Cに入力される。
各光変調素子42A,42B,42Cは所定の波長の光により
入力されたパターンを光学的に記憶するものであるた
め、各パターン入力手段41A,41B,41Cおよび各光制
御素子48A,48B,48Cにおいて変調された所定の波長
の光による記憶パターンは、各光変調素子42A,42B,
42Cに記憶されている記憶パターンに重ねて記憶され
る。以上の動作を繰り返すことにより各光変調素子42
A,42B,42Cにおける記憶パターン群の更新(学習)
を行うものである。
【0158】次いで、上述した第5の基本的概念からな
る本発明の実施例について説明する。
る本発明の実施例について説明する。
【0159】図21は上述した本発明の第5の基本的概念
からなる本発明の第6実施例を表す図である。
からなる本発明の第6実施例を表す図である。
【0160】なお、本実施例においては、前述した所定
の波長の光を青〜紫外光、所定の波長とは異なる波長の
光を赤〜赤外光とし、光変調素子として青〜紫外光によ
り書込みが可能であり、かつ赤〜赤外光は透過するとい
う特性を有する記憶/表示ライトバルブ(たとえば前述
したBSO−PROM等)を用いるものとする。また、
図20に示す実施例による自己組織化パターン学習システ
ムを構成する手段は図12に示した本発明による第3実施
例と略同一であるため、対応する手段については図12と
同一の符号を付すこととする。
の波長の光を青〜紫外光、所定の波長とは異なる波長の
光を赤〜赤外光とし、光変調素子として青〜紫外光によ
り書込みが可能であり、かつ赤〜赤外光は透過するとい
う特性を有する記憶/表示ライトバルブ(たとえば前述
したBSO−PROM等)を用いるものとする。また、
図20に示す実施例による自己組織化パターン学習システ
ムを構成する手段は図12に示した本発明による第3実施
例と略同一であるため、対応する手段については図12と
同一の符号を付すこととする。
【0161】図21に示すように本発明の第6実施例によ
る自己組織化パターン学習システムは図示しない光源よ
り発せられた読出し光60を受光して偏光する偏光子51
と、この偏光子51に隣接しk×l個(本実施例において
は3×1個)並んで配された入力ライトバルブ54A,54
B,54Cと、この入力ライトバルブ54A,54B,54Cに
隣接した偏光子53と、この偏光子53に隣接し入力ライト
バルブ54A,54B,54Cと対応するようにk×l個(本
実施例においては3×1個)並んで配されたi×j個の
画素を有する光制御ライトバルブ52A,52B,52Cと、
この光制御ライトバルブ52A,52B,52Cに隣接した偏
光子55と、この偏光子55に隣接し、光制御ライトバルブ
52A,52B,52Cと対応するように、k×l個(本実施
例においては3×1個)並んで配されたi×j個の画素
を有する記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cと、
この記憶/表示ライトバルブに隣接した偏光子57と、こ
の偏光子57に隣接し、記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cと対応するように配された相関出力検出器アレ
イ58A,58B,58Cとにより光学系を構成してなるもの
である。なお、本実施例においては入力パターンx
ij(t) を単一レンズのカメラ69から入力されたパターン
を入力像マルチパターンバッファ70により多像化して入
力するものとする。
る自己組織化パターン学習システムは図示しない光源よ
り発せられた読出し光60を受光して偏光する偏光子51
と、この偏光子51に隣接しk×l個(本実施例において
は3×1個)並んで配された入力ライトバルブ54A,54
B,54Cと、この入力ライトバルブ54A,54B,54Cに
隣接した偏光子53と、この偏光子53に隣接し入力ライト
バルブ54A,54B,54Cと対応するようにk×l個(本
実施例においては3×1個)並んで配されたi×j個の
画素を有する光制御ライトバルブ52A,52B,52Cと、
この光制御ライトバルブ52A,52B,52Cに隣接した偏
光子55と、この偏光子55に隣接し、光制御ライトバルブ
52A,52B,52Cと対応するように、k×l個(本実施
例においては3×1個)並んで配されたi×j個の画素
を有する記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cと、
この記憶/表示ライトバルブに隣接した偏光子57と、こ
の偏光子57に隣接し、記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cと対応するように配された相関出力検出器アレ
イ58A,58B,58Cとにより光学系を構成してなるもの
である。なお、本実施例においては入力パターンx
ij(t) を単一レンズのカメラ69から入力されたパターン
を入力像マルチパターンバッファ70により多像化して入
力するものとする。
【0162】まず、入力ライトバルブ54A,54B,54C
に、単一レンズカメラ69により撮影され、入力像マルチ
パターンバッファ70により多像化された入力パターンx
ij(t) がそれぞれ表示され、次いで図示しない光源より
赤〜赤外光からなる読出し光60が偏光子51を通じて入力
ライトバルブ54A,54B,54Cに照射される。入力ライ
トバルブ54A,54B,54Cに照射された読出し光60は、
入力ライトバルブ54A,54B,54Cに表示されている入
力パターンxij(t) により変調されて、さらに光制御ラ
イトバルブ52A,52B,52Cおよび偏光子55を通じて光
の強度のパターンとして記憶/表示ライトバルブ56A,
56B,56Cに照射される。なお、この時点では、光制御
ライトバルブ52A,52B,52Cにはスイッチ62より一様
信号S1が入力されているため各光制御ライトバルブ52
A,52B,52Cは変調されておらず、光を透過するのみ
である。記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに
は、時刻t-1 までに入力されたパターンがある規則で記
憶パターンmklij(t-1) としてそれぞれ記憶されている
ため、この記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに
おいて、入力ライトバルブ54A,54B,54Cを通ってき
た読出し光60の光パターンと、記憶/表示ライトバルブ
56A,56B,56Cに表示されている記憶パターンとが重
ね合せられる。すなわち、前述した図3に示すように、
入力ライトバルブ54A,54B,54Cにはアルファベット
のAのパターンが表示されており、記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cそれぞれには、アルファベットの
A,B,Cのパターンが記憶パターンとして表示されて
いる場合、これらのパターンの重ね合せパターンは、図
3の3A,3B,3Cに示すような光パターンとなる。
に、単一レンズカメラ69により撮影され、入力像マルチ
パターンバッファ70により多像化された入力パターンx
ij(t) がそれぞれ表示され、次いで図示しない光源より
赤〜赤外光からなる読出し光60が偏光子51を通じて入力
ライトバルブ54A,54B,54Cに照射される。入力ライ
トバルブ54A,54B,54Cに照射された読出し光60は、
入力ライトバルブ54A,54B,54Cに表示されている入
力パターンxij(t) により変調されて、さらに光制御ラ
イトバルブ52A,52B,52Cおよび偏光子55を通じて光
の強度のパターンとして記憶/表示ライトバルブ56A,
56B,56Cに照射される。なお、この時点では、光制御
ライトバルブ52A,52B,52Cにはスイッチ62より一様
信号S1が入力されているため各光制御ライトバルブ52
A,52B,52Cは変調されておらず、光を透過するのみ
である。記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに
は、時刻t-1 までに入力されたパターンがある規則で記
憶パターンmklij(t-1) としてそれぞれ記憶されている
ため、この記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに
おいて、入力ライトバルブ54A,54B,54Cを通ってき
た読出し光60の光パターンと、記憶/表示ライトバルブ
56A,56B,56Cに表示されている記憶パターンとが重
ね合せられる。すなわち、前述した図3に示すように、
入力ライトバルブ54A,54B,54Cにはアルファベット
のAのパターンが表示されており、記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cそれぞれには、アルファベットの
A,B,Cのパターンが記憶パターンとして表示されて
いる場合、これらのパターンの重ね合せパターンは、図
3の3A,3B,3Cに示すような光パターンとなる。
【0163】このように重ね合せられた光パターンの光
量の総和は、偏光子57を通じて相関出力用検出器アレイ
58A,58B,58Cに検出される。この相関出力用検出器
アレイ58A,58B,58Cには重ね合せられた光パターン
が明暗の情報、すなわち、入力パターンxij(t) と記憶
パターン群mklij(t-1) とを重ね合せたパターンの全体
の明るさの情報すなわち、
量の総和は、偏光子57を通じて相関出力用検出器アレイ
58A,58B,58Cに検出される。この相関出力用検出器
アレイ58A,58B,58Cには重ね合せられた光パターン
が明暗の情報、すなわち、入力パターンxij(t) と記憶
パターン群mklij(t-1) とを重ね合せたパターンの全体
の明るさの情報すなわち、
【0164】
【数9】
【0165】なる演算がなされた結果が各パターン毎の
相関度ykl(t) として検出される。
相関度ykl(t) として検出される。
【0166】相関出力用検出器アレイ58A,58B,58C
により検出された各相関度ykl(t)は、処理系の学習許
可パターンバッファ61に入力され、ここに一旦記憶され
る。
により検出された各相関度ykl(t)は、処理系の学習許
可パターンバッファ61に入力され、ここに一旦記憶され
る。
【0167】次いで、スイッチ62が切り換えられ、学習
許可パターンバッファ61に記憶されている各相関出力用
検出器アレイ58A,58B,58Cにより検出された各相関
度ykl(t) が各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cに
入力される。各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cに
おいては、それぞれ対応する相関出力用検出器アレイ58
A,58B,58Cにおいて検出された相関度ykl(t) に応
じて濃度の変調がなされる。すなわち、検出された相関
度が大きかった相関検出素子と対応する光制御ライトバ
ルブはさほど濃度の変調がなされず、検出された相関度
が小さかった相関検出素子と対応する光制御ライトバル
ブは大きく濃度の変調がなされる。
許可パターンバッファ61に記憶されている各相関出力用
検出器アレイ58A,58B,58Cにより検出された各相関
度ykl(t) が各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cに
入力される。各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cに
おいては、それぞれ対応する相関出力用検出器アレイ58
A,58B,58Cにおいて検出された相関度ykl(t) に応
じて濃度の変調がなされる。すなわち、検出された相関
度が大きかった相関検出素子と対応する光制御ライトバ
ルブはさほど濃度の変調がなされず、検出された相関度
が小さかった相関検出素子と対応する光制御ライトバル
ブは大きく濃度の変調がなされる。
【0168】次いで、図示しない光源より青〜紫外光か
らなる書込み光60′が偏光子51を通じて入力ライトバル
ブ54A,54B,54Cに照射される。入力ライトバルブ54
A,54B,54Cに照射された書込み光60′は各入力ライ
トバルブ54A,54B,54Cに入力され、各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cに表示されている入力パターンx
ij(t) により変調されて、さらに、偏光子53を通じて光
制御ライトバルブ52A,52B,52Cに照射される。光制
御ライトバルブ52A,52B,52Cは各ライトバルブ毎に
相関度に応じた濃度の変調がなされているため、書込み
光60′は各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cにおい
て強度が変調される。さらに、強度変調された入力パタ
ーンは偏光子55を通じて光の強度のパターンとして記憶
/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに入力される。こ
こで入力パターンと各記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cに記憶されている記憶パターンとの相関度が大
きかった記憶/表示ライトバルブには光制御ライトバル
ブ52A,52B,52Cにより強度の大きい、すなわちより
強い重み付けがなされた入力パターンが学習パターンと
して入力され、相関度が小さかった記憶/表示ライトバ
ルブには強度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(も
しくは重み付けがされていない)入力パターンが学習パ
ターンとして入力されることとなる。書込み光60′は青
〜紫外光であり、各記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cに光パターンの書込みが可能であるため、各記
憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cには、各記憶/
表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記憶されている記
憶パターンと入力パターンとの相関度に応じて重み付け
がなされた学習パターンが、各記憶/表示ライトバルブ
56A,56B,56Cに記憶されている記憶パターンに重ね
て書き込まれ、記憶パターン群の更新(学習)がなされ
る。
らなる書込み光60′が偏光子51を通じて入力ライトバル
ブ54A,54B,54Cに照射される。入力ライトバルブ54
A,54B,54Cに照射された書込み光60′は各入力ライ
トバルブ54A,54B,54Cに入力され、各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cに表示されている入力パターンx
ij(t) により変調されて、さらに、偏光子53を通じて光
制御ライトバルブ52A,52B,52Cに照射される。光制
御ライトバルブ52A,52B,52Cは各ライトバルブ毎に
相関度に応じた濃度の変調がなされているため、書込み
光60′は各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cにおい
て強度が変調される。さらに、強度変調された入力パタ
ーンは偏光子55を通じて光の強度のパターンとして記憶
/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに入力される。こ
こで入力パターンと各記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cに記憶されている記憶パターンとの相関度が大
きかった記憶/表示ライトバルブには光制御ライトバル
ブ52A,52B,52Cにより強度の大きい、すなわちより
強い重み付けがなされた入力パターンが学習パターンと
して入力され、相関度が小さかった記憶/表示ライトバ
ルブには強度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(も
しくは重み付けがされていない)入力パターンが学習パ
ターンとして入力されることとなる。書込み光60′は青
〜紫外光であり、各記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cに光パターンの書込みが可能であるため、各記
憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cには、各記憶/
表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記憶されている記
憶パターンと入力パターンとの相関度に応じて重み付け
がなされた学習パターンが、各記憶/表示ライトバルブ
56A,56B,56Cに記憶されている記憶パターンに重ね
て書き込まれ、記憶パターン群の更新(学習)がなされ
る。
【0169】以上の動作を繰り返して、入力ライトバル
ブ54A,54B,54Cに入力される様々なパターンと、各
記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記憶されて
いる記憶パターンとの相関度に応じた重みで、記憶パタ
ーンmklij群(t-1) の更新を行うことによって、自己組
織化学習を行うのである。
ブ54A,54B,54Cに入力される様々なパターンと、各
記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記憶されて
いる記憶パターンとの相関度に応じた重みで、記憶パタ
ーンmklij群(t-1) の更新を行うことによって、自己組
織化学習を行うのである。
【0170】なお、上述した実施例においては、単一レ
ンズカメラより入力された入力パターンを入力像マルチ
パターンバッファによりマルチ化して入力ライトバルブ
に入力するようにしているが、多重結像カメラを用い
て、入力パターンを光学的にマルチ化して入力ライトバ
ルブに入力するようにしてもよい。
ンズカメラより入力された入力パターンを入力像マルチ
パターンバッファによりマルチ化して入力ライトバルブ
に入力するようにしているが、多重結像カメラを用い
て、入力パターンを光学的にマルチ化して入力ライトバ
ルブに入力するようにしてもよい。
【0171】また、上述した本発明による第6の実施例
においては、入力パターンと記憶パターンとの相関度を
前述した式(7) に示すように、積による相関を各入力ラ
イトバルブ54A,54B,54Cと記憶/表示ライトバルブ
56A,56B,56Cとにより行っているが、図21に示す光
学系を変更することにより、前述した差分による相関度
を求めることも可能である。
においては、入力パターンと記憶パターンとの相関度を
前述した式(7) に示すように、積による相関を各入力ラ
イトバルブ54A,54B,54Cと記憶/表示ライトバルブ
56A,56B,56Cとにより行っているが、図21に示す光
学系を変更することにより、前述した差分による相関度
を求めることも可能である。
【0172】すなわち、図13に示す実施例と同様に図22
に示すように、図21に示した自己組織化パターン学習シ
ステムの各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cと
偏光子57との間に各記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cに隣接した第2の入力ライトバルブ64A,64
B,64Cを設け、相関度を検出する際には、入力ライト
バルブ54A,54B,54Cには一様信号を入力して、読出
し光60をただ透過させるのみとし、入力ライトバルブ64
A,64B,64Cには入力パターンを表示すれば前述した
本発明の第2実施例と同様に各記憶/表示ライトバルブ
56A,56B,56Cに記憶されている記憶パターンと入力
パターンとの相関度は差の絶対値の相関度となり、この
差の絶対値の相関度が各相関検出素子58A,58B,58C
において検出されることとなる。このように相関度を各
記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記憶されて
いる記憶パターンと入力パターンとの差の絶対値として
も、本発明の第6実施例と同様に各記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cの学習すなわち記憶パターン群の
更新を行うことができる。
に示すように、図21に示した自己組織化パターン学習シ
ステムの各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cと
偏光子57との間に各記憶/表示ライトバルブ56A,56
B,56Cに隣接した第2の入力ライトバルブ64A,64
B,64Cを設け、相関度を検出する際には、入力ライト
バルブ54A,54B,54Cには一様信号を入力して、読出
し光60をただ透過させるのみとし、入力ライトバルブ64
A,64B,64Cには入力パターンを表示すれば前述した
本発明の第2実施例と同様に各記憶/表示ライトバルブ
56A,56B,56Cに記憶されている記憶パターンと入力
パターンとの相関度は差の絶対値の相関度となり、この
差の絶対値の相関度が各相関検出素子58A,58B,58C
において検出されることとなる。このように相関度を各
記憶/表示ライトバルブ56A,56B,56Cに記憶されて
いる記憶パターンと入力パターンとの差の絶対値として
も、本発明の第6実施例と同様に各記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cの学習すなわち記憶パターン群の
更新を行うことができる。
【0173】また、本発明の第6実施例においては、繰
り返し学習を行っている途中に図21に示すスイッチ63を
切り換えて、上述した各入力ライトバルブ54A,54B,
54Cに一様信号S2 を入力するようにしてもよい。この
一様信号S2 を入力することにより、各入力ライトバル
ブ54A,54B,54Cは一様のパターンを表示することと
なるため、この一様のパターンが各記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cに記憶されると、各記憶/表示ラ
イトバルブ56A,56B,56Cの学習の初期の段階で記憶
されたパターンがうっすらと残っている場合に、この一
様のパターンを各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,
56Cに入力することにより残っているパターンを消去す
ることができるのである。このように、各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cに一様の信号S2 を学習段階の途
中で入力することにより、各記憶/表示ライトバルブ56
A,56B,56Cにうっすらと記憶されているパターンを
消すことができるため、学習が終了した際の各記憶/表
示ライトバルブ56A,56B,56Cの記憶パターンに各ラ
イトバルブの他のパターンが重なって学習されることが
ないものとなり、より好ましい。また、この場合、一様
信号S2 を電気的に入力するだけでなく、各記憶/表示
ライトバルブ56A,56B,56Cに一様な光を照射して、
パターンの消去を行ってもよい。
り返し学習を行っている途中に図21に示すスイッチ63を
切り換えて、上述した各入力ライトバルブ54A,54B,
54Cに一様信号S2 を入力するようにしてもよい。この
一様信号S2 を入力することにより、各入力ライトバル
ブ54A,54B,54Cは一様のパターンを表示することと
なるため、この一様のパターンが各記憶/表示ライトバ
ルブ56A,56B,56Cに記憶されると、各記憶/表示ラ
イトバルブ56A,56B,56Cの学習の初期の段階で記憶
されたパターンがうっすらと残っている場合に、この一
様のパターンを各記憶/表示ライトバルブ56A,56B,
56Cに入力することにより残っているパターンを消去す
ることができるのである。このように、各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cに一様の信号S2 を学習段階の途
中で入力することにより、各記憶/表示ライトバルブ56
A,56B,56Cにうっすらと記憶されているパターンを
消すことができるため、学習が終了した際の各記憶/表
示ライトバルブ56A,56B,56Cの記憶パターンに各ラ
イトバルブの他のパターンが重なって学習されることが
ないものとなり、より好ましい。また、この場合、一様
信号S2 を電気的に入力するだけでなく、各記憶/表示
ライトバルブ56A,56B,56Cに一様な光を照射して、
パターンの消去を行ってもよい。
【0174】さらに、上述した本発明の第6実施例にお
いては、図14の実施例と同様に偏光子53を取り外し、入
力ライトバルブ54A,54B,54Cから光制御ライトバル
ブ52A,52B,52Cへ伝達される相関度を差の絶対値の相
関度として伝達するようにしてもよい。
いては、図14の実施例と同様に偏光子53を取り外し、入
力ライトバルブ54A,54B,54Cから光制御ライトバル
ブ52A,52B,52Cへ伝達される相関度を差の絶対値の相
関度として伝達するようにしてもよい。
【0175】さらに、上述した本発明の第6実施例にお
いては、図23に示すように、入力ライトバルブ54A,54
B,54Cのかわりに、入力パターンを発光する発光素子
54A′,54B′,54C′を対応する光制御ライトバルブ
52A,52B,52C毎に設け、この発光素子より発光され
る入力パターンの光の強度を相関度に応じて変調された
各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cにより変調して
学習パターンを作成し、記憶/表示ライトバルブ56A,
56B,56Cに記憶されている記憶パターン群の更新を行
うようにしてもよい。
いては、図23に示すように、入力ライトバルブ54A,54
B,54Cのかわりに、入力パターンを発光する発光素子
54A′,54B′,54C′を対応する光制御ライトバルブ
52A,52B,52C毎に設け、この発光素子より発光され
る入力パターンの光の強度を相関度に応じて変調された
各光制御ライトバルブ52A,52B,52Cにより変調して
学習パターンを作成し、記憶/表示ライトバルブ56A,
56B,56Cに記憶されている記憶パターン群の更新を行
うようにしてもよい。
【0176】また、上述した本発明による第6実施例に
おいては、光制御ライトバルブ52A,52B,52Cを相関
度に応じて変調して、図示しない光源より発せられた光
を変調するようにしているが、光制御ライトバルブ52
A,52B,52Cのかわりに、相関度に応じた強度の光を
発光する発光素子を入力ライトバルブ54A,54B,54C
に対応させて設けるようにしてもよい。
おいては、光制御ライトバルブ52A,52B,52Cを相関
度に応じて変調して、図示しない光源より発せられた光
を変調するようにしているが、光制御ライトバルブ52
A,52B,52Cのかわりに、相関度に応じた強度の光を
発光する発光素子を入力ライトバルブ54A,54B,54C
に対応させて設けるようにしてもよい。
【0177】さらに、上述した本発明の第6実施例にお
いては、各入力ライトバルブ54A,54B,54Cに入力パ
ターンxij(t) を表示するための手段として、多重結像
カメラ59を用いるが、これに限定されるものではなく、
例えば、図24に示すように、1つの入力ライトバルブ67
に入力パターンxij(t) を表示し、これに各入力ライト
バルブ54A,54B,54Cに書込み可能な青〜紫外光から
なる書込み光66を照射し、多重結像レンズ68および反射
鏡65を通じて、入力パターンxij(t) を各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cに表示させるようにしてもよい。
いては、各入力ライトバルブ54A,54B,54Cに入力パ
ターンxij(t) を表示するための手段として、多重結像
カメラ59を用いるが、これに限定されるものではなく、
例えば、図24に示すように、1つの入力ライトバルブ67
に入力パターンxij(t) を表示し、これに各入力ライト
バルブ54A,54B,54Cに書込み可能な青〜紫外光から
なる書込み光66を照射し、多重結像レンズ68および反射
鏡65を通じて、入力パターンxij(t) を各入力ライトバ
ルブ54A,54B,54Cに表示させるようにしてもよい。
【0178】なお、上述した実施例においては光変調素
子としてBSO−PROMを用いているが、とくにこれ
に限定されるものではなく所定の波長の光により書込み
可能であり、所定の波長の光とは異なる波長の光により
書き込みができない光変調素子であれば、いかなる光変
調素子を用いるようにしてもよい。
子としてBSO−PROMを用いているが、とくにこれ
に限定されるものではなく所定の波長の光により書込み
可能であり、所定の波長の光とは異なる波長の光により
書き込みができない光変調素子であれば、いかなる光変
調素子を用いるようにしてもよい。
【0179】また、上述した本発明の第1から第6実施
例においては、多重レンズ系を用いることがないことか
ら光軸が斜めになることがなくなり、結像の際に像が歪
んだりすることがなくなり、さらに、記憶/表示ライト
バルブの数を容易に増やすこともできる。
例においては、多重レンズ系を用いることがないことか
ら光軸が斜めになることがなくなり、結像の際に像が歪
んだりすることがなくなり、さらに、記憶/表示ライト
バルブの数を容易に増やすこともできる。
【0180】さらに、上述した実施例においては、光制
御素子としてLEDアレイを用いているが、本発明の第
5、第6実施例においては入力パターンを発光し、また
本発明の第1、第2または第4実施例においては光を発
光できるものであればいかなる手段を用いてもよい。
御素子としてLEDアレイを用いているが、本発明の第
5、第6実施例においては入力パターンを発光し、また
本発明の第1、第2または第4実施例においては光を発
光できるものであればいかなる手段を用いてもよい。
【0181】次いで、本発明の第7実施例について説明
する。
する。
【0182】図25は、本発明の第7実施例による自己組
織化パターン学習システムを表す図である。
織化パターン学習システムを表す図である。
【0183】図25に示すように、本発明の第7実施例に
よる自己組織化パターン学習システム201 は、赤外光を
発する光源203 と、光源203 より発せられた赤外光を受
光して偏光する偏光子204 と、この偏光子204 に隣接し
k×l個(本実施例においては3×1個)並んで配され
たi×j個の画素を有する入力パターン群表示手段であ
る入力ライトバルブ205 A,205 B,205 Cと、光源3
から発せられた赤外光を入力ライトバルブ205 A,205
B,205 Cに入力するレンズ212 と、この入力ライトバ
ルブ205 A,205 B,205 Cに隣接した偏光子206 と、
この偏光子206 に隣接し、入力ライトバルブ205 A,20
5 B,205 Cと対応するようにk×l個(本実施例にお
いては3×1個)並んで配されたi×j個の画素を有す
るパターン群記憶手段である記憶ライトバルブ207 A,
207 B,207 Cと、この記憶ライトバルブ207 A,207
B,207 Cに隣接して配された偏光子208 とからなる光
学的並列パターン演算部と、入力ライトバルブ205 A,
205 B,205 C、偏光子206 、記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cおよび偏光子208 を通過した赤外光
パターンを相関入出力ライトバルブ209 A,209 B,20
9 Cに集光するためのレンズセット215 ,216およびミ
ラー217 ,218 とからなる光検出手段である相関演算光
学系と、紫外光を発する光源202 と、相関入出力ライト
バルブ209 A,209 B,209 Cと、光源202 から発せら
れた紫外光を相関入出力ライトバルブ209 A,209 B,
209 Cに入力するレンズ210 と、相関入出力ライトバル
ブ209 A,209 B,209Cから出力された相関信号光を
入力ライトバルブ205 A,205 B,205 C等に入力する
レンズ211 ,およびハーフミラー213 ,214 からなる光
学系とからなる学習パターン群作成手段および記憶パタ
ーン更新手段を内包する記憶更新部とからなるものであ
る。
よる自己組織化パターン学習システム201 は、赤外光を
発する光源203 と、光源203 より発せられた赤外光を受
光して偏光する偏光子204 と、この偏光子204 に隣接し
k×l個(本実施例においては3×1個)並んで配され
たi×j個の画素を有する入力パターン群表示手段であ
る入力ライトバルブ205 A,205 B,205 Cと、光源3
から発せられた赤外光を入力ライトバルブ205 A,205
B,205 Cに入力するレンズ212 と、この入力ライトバ
ルブ205 A,205 B,205 Cに隣接した偏光子206 と、
この偏光子206 に隣接し、入力ライトバルブ205 A,20
5 B,205 Cと対応するようにk×l個(本実施例にお
いては3×1個)並んで配されたi×j個の画素を有す
るパターン群記憶手段である記憶ライトバルブ207 A,
207 B,207 Cと、この記憶ライトバルブ207 A,207
B,207 Cに隣接して配された偏光子208 とからなる光
学的並列パターン演算部と、入力ライトバルブ205 A,
205 B,205 C、偏光子206 、記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cおよび偏光子208 を通過した赤外光
パターンを相関入出力ライトバルブ209 A,209 B,20
9 Cに集光するためのレンズセット215 ,216およびミ
ラー217 ,218 とからなる光検出手段である相関演算光
学系と、紫外光を発する光源202 と、相関入出力ライト
バルブ209 A,209 B,209 Cと、光源202 から発せら
れた紫外光を相関入出力ライトバルブ209 A,209 B,
209 Cに入力するレンズ210 と、相関入出力ライトバル
ブ209 A,209 B,209Cから出力された相関信号光を
入力ライトバルブ205 A,205 B,205 C等に入力する
レンズ211 ,およびハーフミラー213 ,214 からなる光
学系とからなる学習パターン群作成手段および記憶パタ
ーン更新手段を内包する記憶更新部とからなるものであ
る。
【0184】なお、本実施例においては、記憶ライトバ
ルブ207 A,207 B,207 Cとして青〜紫外光により書
込みが可能であり、かつ赤〜赤外光では書き込まれない
という特性を有するBSO−PROM(ビスマスシリコ
ンオキサイド,Photo Refractive Optical Modulator)
を用い、相関出力ライトバルブ209 A,209 B,209C
としては、一方の面から光情報が入力されることにより
この光情報が記録され、他の面から読み出し光が照射さ
れることにより、記録された光情報に応じて読出し光を
変調して出力するLCLV(Liquid Crystal Light Val
ve)を用いるものとする。また、本実施例においては入
力パターンxij(t) を多重結像カメラ219 より入力する
ものとする。
ルブ207 A,207 B,207 Cとして青〜紫外光により書
込みが可能であり、かつ赤〜赤外光では書き込まれない
という特性を有するBSO−PROM(ビスマスシリコ
ンオキサイド,Photo Refractive Optical Modulator)
を用い、相関出力ライトバルブ209 A,209 B,209C
としては、一方の面から光情報が入力されることにより
この光情報が記録され、他の面から読み出し光が照射さ
れることにより、記録された光情報に応じて読出し光を
変調して出力するLCLV(Liquid Crystal Light Val
ve)を用いるものとする。また、本実施例においては入
力パターンxij(t) を多重結像カメラ219 より入力する
ものとする。
【0185】ここでLCLVについて説明する。図26は
LCLVを説明するための図である。LCLV221 は一
方の面から光情報が入力されることによりこの光情報が
記録され、他の面から読み出し光が照射されることによ
り記録された光情報に応じて読出し光を変調して出力す
るタイプの空間光変調素子であり、液晶層222 と、フォ
トリフラクティブ結晶等の光伝導体223 と、入力された
光を反射する反射膜224 と、透明電極225 ,226 とが層
状に構成されており、透明電極225 ,226 から直流電圧
が印加されてなるものである。また、LCLV221 は光
情報が入力されるW(write)側と光情報が出力されるR
(read)側とに分けられる。このようなタイプのLCLV
は光を外部より供給することができるため、LCLV自
体が増幅機能を有さない場合であっても各構成単位を多
数接続することができる。このLCLV221 の透明電極
225 側より光が照射されると、液晶層222 に電圧が印加
され(正確には光が照射された部分と照射されない部分
との印加電圧に差が生じる)、液晶の配向状態が変化す
る。この状態において液晶層222 は、光が照射された部
分が黒く変化している。すなわち、光のパターンがLC
LV221 の液晶層222 に分極のパターンとして記録され
るものである。したがって、LCLV221 に2次元画像
等の光情報をW側より入力すると、この情報を直接記録
することができ、R側より読出し光を照射することによ
って、この光情報を明暗のパターンとして出力すること
ができるものである。このLCLV221 に一旦光情報が
記録されるとしばらくの間は消えないため、この情報を
消去したい場合は、LCLV 221に印加されている電圧
の電位を反転し、一様な光を照射することにより一旦記
録された画像を消去することができる。
LCLVを説明するための図である。LCLV221 は一
方の面から光情報が入力されることによりこの光情報が
記録され、他の面から読み出し光が照射されることによ
り記録された光情報に応じて読出し光を変調して出力す
るタイプの空間光変調素子であり、液晶層222 と、フォ
トリフラクティブ結晶等の光伝導体223 と、入力された
光を反射する反射膜224 と、透明電極225 ,226 とが層
状に構成されており、透明電極225 ,226 から直流電圧
が印加されてなるものである。また、LCLV221 は光
情報が入力されるW(write)側と光情報が出力されるR
(read)側とに分けられる。このようなタイプのLCLV
は光を外部より供給することができるため、LCLV自
体が増幅機能を有さない場合であっても各構成単位を多
数接続することができる。このLCLV221 の透明電極
225 側より光が照射されると、液晶層222 に電圧が印加
され(正確には光が照射された部分と照射されない部分
との印加電圧に差が生じる)、液晶の配向状態が変化す
る。この状態において液晶層222 は、光が照射された部
分が黒く変化している。すなわち、光のパターンがLC
LV221 の液晶層222 に分極のパターンとして記録され
るものである。したがって、LCLV221 に2次元画像
等の光情報をW側より入力すると、この情報を直接記録
することができ、R側より読出し光を照射することによ
って、この光情報を明暗のパターンとして出力すること
ができるものである。このLCLV221 に一旦光情報が
記録されるとしばらくの間は消えないため、この情報を
消去したい場合は、LCLV 221に印加されている電圧
の電位を反転し、一様な光を照射することにより一旦記
録された画像を消去することができる。
【0186】次いで、自己組織化学習の方法について説
明する。
明する。
【0187】まず、入力ライトバルブ205 A,205 B,
205 Cに、多重結像カメラ219 により撮影された入力パ
ターンxij(t) がそれぞれ表示され、次いで光源203 よ
り赤〜赤外光からなる読出し光226 が、レンズ212 、ハ
ーフミラー214 および偏光子204 を通じて入力ライトバ
ルブ205 A,205 B,205 Cに照射される。入力ライト
バルブ205 A,205 B,205 Cに照射された読出し光22
6 は、入力ライトバルブ205 A,205 B,205 Cに表示
されている入力パターンxij(t) により変調されて、さ
らに偏光子206 を通じて光の強度のパターンとして記憶
ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに照射される。記
憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cは、時刻t-1 ま
でに入力されたパターンをある規則で記憶パターン群m
klij(t-1) としてそれぞれ記憶しており、この記憶ライ
トバルブ207 A,207 B,207 Cにおいて、入力ライト
バルブ205 A,205 B,205 Cを通ってきた読出し光22
6の光パターンと、各記憶ライトバルブ207 A,207
B,207 Cに記憶されている記憶パターンとが重ね合せ
られる。なお、入力ライトバルブ205 A,205 B,205
Cにはアルファベットの「A」のパターンが表示されて
おり、記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cそれぞ
れには、アルファベットの「A」,「B」,「C」のパ
ターンが記憶パターンとして表示されている場合、これ
らのパターンの重ね合せパターンは、図3の3A,3
B,3Cに示すような光パターンとなる。
205 Cに、多重結像カメラ219 により撮影された入力パ
ターンxij(t) がそれぞれ表示され、次いで光源203 よ
り赤〜赤外光からなる読出し光226 が、レンズ212 、ハ
ーフミラー214 および偏光子204 を通じて入力ライトバ
ルブ205 A,205 B,205 Cに照射される。入力ライト
バルブ205 A,205 B,205 Cに照射された読出し光22
6 は、入力ライトバルブ205 A,205 B,205 Cに表示
されている入力パターンxij(t) により変調されて、さ
らに偏光子206 を通じて光の強度のパターンとして記憶
ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに照射される。記
憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cは、時刻t-1 ま
でに入力されたパターンをある規則で記憶パターン群m
klij(t-1) としてそれぞれ記憶しており、この記憶ライ
トバルブ207 A,207 B,207 Cにおいて、入力ライト
バルブ205 A,205 B,205 Cを通ってきた読出し光22
6の光パターンと、各記憶ライトバルブ207 A,207
B,207 Cに記憶されている記憶パターンとが重ね合せ
られる。なお、入力ライトバルブ205 A,205 B,205
Cにはアルファベットの「A」のパターンが表示されて
おり、記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cそれぞ
れには、アルファベットの「A」,「B」,「C」のパ
ターンが記憶パターンとして表示されている場合、これ
らのパターンの重ね合せパターンは、図3の3A,3
B,3Cに示すような光パターンとなる。
【0188】このように重ね合せられた光パターンの光
量の総和は、相関度として、偏光子208 を通じてレンズ
セット215 を通りミラー217 ,218 により反射されさら
にレンズセット216 を通り相関出力ライトバルブ209
A,209 B,209 CのW側より相関出力ライトバルブ20
9 A,209 B,209 Cに入力されて記憶される。これに
より、相関出力ライトバルブ209 A,209 B,209 Cに
は、相関度が明暗の情報、すなわち入力パターンx
ij(t) と記憶パターン群mklij(t-1) との総和の情報、
すなわち
量の総和は、相関度として、偏光子208 を通じてレンズ
セット215 を通りミラー217 ,218 により反射されさら
にレンズセット216 を通り相関出力ライトバルブ209
A,209 B,209 CのW側より相関出力ライトバルブ20
9 A,209 B,209 Cに入力されて記憶される。これに
より、相関出力ライトバルブ209 A,209 B,209 Cに
は、相関度が明暗の情報、すなわち入力パターンx
ij(t) と記憶パターン群mklij(t-1) との総和の情報、
すなわち
【0189】
【数10】
【0190】なる演算がなされた情報が各パターン毎の
相関度ykl(t) として記憶される。例えば、相関出力ラ
イトバルブ209 Aには「A」のパターンと「A」のパタ
ーンとの重ね合せの相関度が記憶されるため、相関出力
ライトバルブ209 Aには強い光が照射され、相関出力ラ
イトバルブ209 Aは大きく変調される。一方、相関出力
ライトバルブ209 B,209 Cにはそれぞれ「A」と
「B」、「A」パターンと「C」のパターンとの重ね合
せの相関度が記憶されるため、相関出力ライトバルブ20
9 B,209 Cには相関出力ライトバルブ209 Aと比較し
て照射される光が弱く、相関出力ライトバルブ209 B,
209 Cは相関出力ライトバルブ209 Aと比較してそれほ
ど大きく変調されない。
相関度ykl(t) として記憶される。例えば、相関出力ラ
イトバルブ209 Aには「A」のパターンと「A」のパタ
ーンとの重ね合せの相関度が記憶されるため、相関出力
ライトバルブ209 Aには強い光が照射され、相関出力ラ
イトバルブ209 Aは大きく変調される。一方、相関出力
ライトバルブ209 B,209 Cにはそれぞれ「A」と
「B」、「A」パターンと「C」のパターンとの重ね合
せの相関度が記憶されるため、相関出力ライトバルブ20
9 B,209 Cには相関出力ライトバルブ209 Aと比較し
て照射される光が弱く、相関出力ライトバルブ209 B,
209 Cは相関出力ライトバルブ209 Aと比較してそれほ
ど大きく変調されない。
【0191】このように、各相関出力ライトバルブ209
A,209 B,209 Cに相関度が記憶されると、光源202
より青〜紫外光からなる書込み光227 がレンズ210 、ハ
ーフミラー213 を通じて相関出力ライトバルブ209 A,
209 B,209 CのR側に照射される。相関出力ライトバ
ルブ209 A,209 B,209 Cに照射された書込み光227
は各相関出力ライトバルブ209 A,209 B,209 Cに記
憶されている相関度に応じて強度が反射変調される。こ
こで、上述したように相関出力ライトバルブ209 Aには
強い相関度が、相関出力ライトバルブ209 B,209 Cに
は相関出力ライトバルブ209 Aと比較して弱い相関度が
記憶されているため、相関出力ライトバルブ209 Aに照
射された書込み光227 はほぼそのままの強度で反射さ
れ、相関出力ライトバルブ209 B,209 Cに照射された
書込み光227 は反射変調により強度が低下させられる。
A,209 B,209 Cに相関度が記憶されると、光源202
より青〜紫外光からなる書込み光227 がレンズ210 、ハ
ーフミラー213 を通じて相関出力ライトバルブ209 A,
209 B,209 CのR側に照射される。相関出力ライトバ
ルブ209 A,209 B,209 Cに照射された書込み光227
は各相関出力ライトバルブ209 A,209 B,209 Cに記
憶されている相関度に応じて強度が反射変調される。こ
こで、上述したように相関出力ライトバルブ209 Aには
強い相関度が、相関出力ライトバルブ209 B,209 Cに
は相関出力ライトバルブ209 Aと比較して弱い相関度が
記憶されているため、相関出力ライトバルブ209 Aに照
射された書込み光227 はほぼそのままの強度で反射さ
れ、相関出力ライトバルブ209 B,209 Cに照射された
書込み光227 は反射変調により強度が低下させられる。
【0192】このように、各相関出力ライトバルブ209
A,209 B,209 Cにより反射変調された書込み光227
は、ハーフミラー213 、レンズ211 、ハーフミラー214
からなる光学系および偏光子204 を通じて各入力ライト
バルブ205 A,205 B,205Cに入力され、各入力ライ
トバルブ205 A,205 B,205 Cに表示されている入力
パターンij(t) により変調されて、さらに偏光子204 を
通じて光の強度のパターンとして記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cに入力される。ここで入力パターン
と各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに記憶さ
れている記憶パターンとの相関度が大きかった記憶ライ
トバルブにはより強度の大きい、すなわちより強い重み
付けがなされた入力パターンが学習パターンとして入力
され、相関度が小さかった記憶ライトバルブには強度の
小さい、すなわち、重み付けが弱い(もしくは重み付け
がされていない)入力パターンが学習パターンとして入
力されることとなる。書込み光27は青〜紫外光であり、
各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに光パター
ンの書込みが可能であるため、各記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cには、各記憶ライトバルブ207 A,
207 B,207 Cに記憶されている記憶パターンと入力パ
ターンとの相関度に応じて重み付けがなされた学習パタ
ーンが、すでに各記憶ライトバルブ207 A,207 B,20
7 Cに記憶されているパターンに重ねて書き込まれ、記
憶パターン群の更新(学習)がなされる。
A,209 B,209 Cにより反射変調された書込み光227
は、ハーフミラー213 、レンズ211 、ハーフミラー214
からなる光学系および偏光子204 を通じて各入力ライト
バルブ205 A,205 B,205Cに入力され、各入力ライ
トバルブ205 A,205 B,205 Cに表示されている入力
パターンij(t) により変調されて、さらに偏光子204 を
通じて光の強度のパターンとして記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cに入力される。ここで入力パターン
と各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに記憶さ
れている記憶パターンとの相関度が大きかった記憶ライ
トバルブにはより強度の大きい、すなわちより強い重み
付けがなされた入力パターンが学習パターンとして入力
され、相関度が小さかった記憶ライトバルブには強度の
小さい、すなわち、重み付けが弱い(もしくは重み付け
がされていない)入力パターンが学習パターンとして入
力されることとなる。書込み光27は青〜紫外光であり、
各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに光パター
ンの書込みが可能であるため、各記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cには、各記憶ライトバルブ207 A,
207 B,207 Cに記憶されている記憶パターンと入力パ
ターンとの相関度に応じて重み付けがなされた学習パタ
ーンが、すでに各記憶ライトバルブ207 A,207 B,20
7 Cに記憶されているパターンに重ねて書き込まれ、記
憶パターン群の更新(学習)がなされる。
【0193】以上の動作を繰り返して、入力ライトバル
ブ205 A,205 B,205 Cに入力される様々なパターン
と、各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに記憶
されている記憶パターンとの相関度に応じた重みで、記
憶パターン群mklij(t-1) の更新を行うことによって、
自己組織化学習を行うのである。
ブ205 A,205 B,205 Cに入力される様々なパターン
と、各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに記憶
されている記憶パターンとの相関度に応じた重みで、記
憶パターン群mklij(t-1) の更新を行うことによって、
自己組織化学習を行うのである。
【0194】なお、本発明の第7実施例においては、入
力ライトバルブ205 A,205 B,205 Cを記憶ライトバ
ルブ207 A,207 B,207 Cと隣接させて配置している
が、前述した図37に示すTaiweiらの実験系のように、入
力ライトバルブと記憶ライトバルブとをそれぞれ離れた
位置に配し、記憶ライトバルブと相関出力ライトバルブ
とを近接させて配し、入力ライトバルブと記憶ライトバ
ルブとの間にレンズ系を用いて光パターンを入出力させ
て記憶パターン群の更新を行うようにしてもよい。
力ライトバルブ205 A,205 B,205 Cを記憶ライトバ
ルブ207 A,207 B,207 Cと隣接させて配置している
が、前述した図37に示すTaiweiらの実験系のように、入
力ライトバルブと記憶ライトバルブとをそれぞれ離れた
位置に配し、記憶ライトバルブと相関出力ライトバルブ
とを近接させて配し、入力ライトバルブと記憶ライトバ
ルブとの間にレンズ系を用いて光パターンを入出力させ
て記憶パターン群の更新を行うようにしてもよい。
【0195】また、本発明の第7実施例においては、繰
り返し学習を行っている途中に図25に示すスイッチ20を
切り換えて、上述した各入力ライトバルブ205 A,205
B,205 Cに一様信号S1 を入力するようにしてもよ
い。この一様信号S1 を入力することにより、各入力ラ
イトバルブ205 A,205 B,205 Cには一様のパターン
が表示されることとなるため、各記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cの学習の初期の段階で記憶されたパ
ターンがうっすらと残っている場合に、この一様のパタ
ーンは各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに入
力され、これにより残っているパターンを消去すること
ができるのである。このように、各入力ライトバルブ20
5 A,205 B,205 Cに一様の信号S1 を学習段階の途
中で入力することにより、各記憶ライトバルブ207 A,
207 B,207 Cにうっすらと記憶されているパターンを
消すことができるため、学習が終了した際の各記憶ライ
トバルブ207 A,207 B,207 Cに他のパターンが重な
って学習されることがなく、好ましい。
り返し学習を行っている途中に図25に示すスイッチ20を
切り換えて、上述した各入力ライトバルブ205 A,205
B,205 Cに一様信号S1 を入力するようにしてもよ
い。この一様信号S1 を入力することにより、各入力ラ
イトバルブ205 A,205 B,205 Cには一様のパターン
が表示されることとなるため、各記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cの学習の初期の段階で記憶されたパ
ターンがうっすらと残っている場合に、この一様のパタ
ーンは各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに入
力され、これにより残っているパターンを消去すること
ができるのである。このように、各入力ライトバルブ20
5 A,205 B,205 Cに一様の信号S1 を学習段階の途
中で入力することにより、各記憶ライトバルブ207 A,
207 B,207 Cにうっすらと記憶されているパターンを
消すことができるため、学習が終了した際の各記憶ライ
トバルブ207 A,207 B,207 Cに他のパターンが重な
って学習されることがなく、好ましい。
【0196】上述した本発明による第7の実施例におい
ては、入力パターンと記憶パターン群との相関度を前述
した式(4) に示すように、積による相関を各入力ライト
バルブ205 A,205 B,205 Cと記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cとにより行っているが、図25に示す
システムを変更することにより、前述した差分による相
関度を求めることも可能である。
ては、入力パターンと記憶パターン群との相関度を前述
した式(4) に示すように、積による相関を各入力ライト
バルブ205 A,205 B,205 Cと記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cとにより行っているが、図25に示す
システムを変更することにより、前述した差分による相
関度を求めることも可能である。
【0197】例えば、図27に示す本発明の第8実施例の
ように、図25に示した自己組織化パターン学習システム
の各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cと偏光子
208との間に各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207
Cに隣接した第2の入力ライトバルブ229 A,229 B,
229 Cを設け、相関度を求める際には、入力ライトバル
ブ205 A,205 B,205 Cには一様信号を入力して、読
出し光226 を透過させるのみとし、入力ライトバルブ22
9 A,229 B,229 Cには入力パターンを表示するよう
にすれば、本発明の第7実施例において、入力ライトバ
ルブ205 A,205 B,205 Cを透過した読出し光226 は
偏光子206 により光の強度のパターンとして記憶ライト
バルブ207 A,207 B,207 Cに入力されるものが、本
発明の第8実施例においては、記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cを透過した読出し光226 が偏光され
た光パターンとして入力ライトバルブ229 A,229 B,
229Cに入力される。すなわち、本発明の第7実施例に
おいては、各相関出力ライトバルブ209 A,209 B,20
9 Cには入力パターンxij(t) と各記憶ライトバルブ20
7 A,207 B,207 Cに記憶されている記憶パターンm
klij(t-1) との積xij(t) ×mklij(t-1) の総和が入力
されるが、本発明による第2実施例と同様に本発明の第
8実施例においては入力パターンxij(t) と記憶パター
ン群mklij(t-1) との差の絶対値|xij(t) −mklij(t
-1) |の総和が入力されるのである。
ように、図25に示した自己組織化パターン学習システム
の各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cと偏光子
208との間に各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207
Cに隣接した第2の入力ライトバルブ229 A,229 B,
229 Cを設け、相関度を求める際には、入力ライトバル
ブ205 A,205 B,205 Cには一様信号を入力して、読
出し光226 を透過させるのみとし、入力ライトバルブ22
9 A,229 B,229 Cには入力パターンを表示するよう
にすれば、本発明の第7実施例において、入力ライトバ
ルブ205 A,205 B,205 Cを透過した読出し光226 は
偏光子206 により光の強度のパターンとして記憶ライト
バルブ207 A,207 B,207 Cに入力されるものが、本
発明の第8実施例においては、記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 Cを透過した読出し光226 が偏光され
た光パターンとして入力ライトバルブ229 A,229 B,
229Cに入力される。すなわち、本発明の第7実施例に
おいては、各相関出力ライトバルブ209 A,209 B,20
9 Cには入力パターンxij(t) と各記憶ライトバルブ20
7 A,207 B,207 Cに記憶されている記憶パターンm
klij(t-1) との積xij(t) ×mklij(t-1) の総和が入力
されるが、本発明による第2実施例と同様に本発明の第
8実施例においては入力パターンxij(t) と記憶パター
ン群mklij(t-1) との差の絶対値|xij(t) −mklij(t
-1) |の総和が入力されるのである。
【0198】このように、本発明の第8実施例において
は、本発明の第7実施例とは相関度の求め方が異なるも
のであるが、本発明の第7実施例と同様に各記憶ライト
バルブ207 A,207 B,207 Cの学習すなわち記憶パタ
ーン群の更新を行うことができる。
は、本発明の第7実施例とは相関度の求め方が異なるも
のであるが、本発明の第7実施例と同様に各記憶ライト
バルブ207 A,207 B,207 Cの学習すなわち記憶パタ
ーン群の更新を行うことができる。
【0199】以上の動作を繰り返して、入力ライトバル
ブ205 A,205 B,205 Cに入力される様々なパターン
に重み付けをして、各記憶ライトバルブ207 A,207
B,207 Cに入力し、対応する記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 C毎に記憶パターン群の更新を行うこ
とによって自己組織化学習を行うのである。
ブ205 A,205 B,205 Cに入力される様々なパターン
に重み付けをして、各記憶ライトバルブ207 A,207
B,207 Cに入力し、対応する記憶ライトバルブ207
A,207 B,207 C毎に記憶パターン群の更新を行うこ
とによって自己組織化学習を行うのである。
【0200】上述した本発明の第7および第8実施例に
おいては、入力ライトバルブ205 A,205 B,205 Cと
記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cとにより得ら
れた相関度をLCLVからなる相関出力ライトバルブ20
9 A,209 B,209 Cに一旦記憶して、光源202 より発
せられる書込み光227 によりこの相関度を読み出すよう
にしているが、相関出力ライトバルブ209 A,209 B,
209 Cを、赤〜赤外光を青〜紫外光に波長変換する波長
変換素子を各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 C
に対応するように複数配置させた波長変換素子群として
もよい。この場合、入力ライトバルブ205 A,205 B,
205 Cと記憶ライトバルブ207 A,207B,207 Cとに
より得られた赤〜赤外光からなる相関度は波長変換素子
群の各波長変換素子により青〜紫外光に波長変換された
相関度となり、光学系により反射されて偏光子204 を通
じて入力ライトバルブ205 A,205 B,205 Cに入力さ
れ、上述した本発明の第7および第8実施例と同様に各
記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに記憶されて
いる記憶パターン群の更新(学習)がなされる。このよ
うに、相関出力ライトバルブ209 A,209 B,209 Cを
波長変換素子群とすることにより、青〜紫外光を発する
ための光源202 を設ける必要が無くなるため、システム
をよりコンパクトに構成することができる。
おいては、入力ライトバルブ205 A,205 B,205 Cと
記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cとにより得ら
れた相関度をLCLVからなる相関出力ライトバルブ20
9 A,209 B,209 Cに一旦記憶して、光源202 より発
せられる書込み光227 によりこの相関度を読み出すよう
にしているが、相関出力ライトバルブ209 A,209 B,
209 Cを、赤〜赤外光を青〜紫外光に波長変換する波長
変換素子を各記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 C
に対応するように複数配置させた波長変換素子群として
もよい。この場合、入力ライトバルブ205 A,205 B,
205 Cと記憶ライトバルブ207 A,207B,207 Cとに
より得られた赤〜赤外光からなる相関度は波長変換素子
群の各波長変換素子により青〜紫外光に波長変換された
相関度となり、光学系により反射されて偏光子204 を通
じて入力ライトバルブ205 A,205 B,205 Cに入力さ
れ、上述した本発明の第7および第8実施例と同様に各
記憶ライトバルブ207 A,207 B,207 Cに記憶されて
いる記憶パターン群の更新(学習)がなされる。このよ
うに、相関出力ライトバルブ209 A,209 B,209 Cを
波長変換素子群とすることにより、青〜紫外光を発する
ための光源202 を設ける必要が無くなるため、システム
をよりコンパクトに構成することができる。
【0201】また、Taiweiらの実験系のように相関度を
伝達するための多数の結線を用いる必要がなく、入力パ
ターンに重み付けをして記憶パターン群の更新すなわち
自己組織化学習を行うことができる。さらに、多数の相
関度の情報を並列に伝達し、同様に記憶更新のためのパ
ターンを並列に作成し、さらに記憶更新(書き込み)ま
でも光を用いて並列に行なうため、計算機によって記憶
の更新を行うTaiweiらの実験系よりも高速に自己組織化
学習を行うことができる。また、相関度を伝達するため
の多数の結線を用いる必要がないため、システムのコン
パクト化を実現することができ、さらにシステムの低コ
スト化を実現することができる。
伝達するための多数の結線を用いる必要がなく、入力パ
ターンに重み付けをして記憶パターン群の更新すなわち
自己組織化学習を行うことができる。さらに、多数の相
関度の情報を並列に伝達し、同様に記憶更新のためのパ
ターンを並列に作成し、さらに記憶更新(書き込み)ま
でも光を用いて並列に行なうため、計算機によって記憶
の更新を行うTaiweiらの実験系よりも高速に自己組織化
学習を行うことができる。また、相関度を伝達するため
の多数の結線を用いる必要がないため、システムのコン
パクト化を実現することができ、さらにシステムの低コ
スト化を実現することができる。
【0202】また、上述した第7および第8実施例にお
いては、相関出力ライトバルブを記憶ライトバルブとは
離れた位置に配置させているが、とくにこれに限定され
るものではなく、入力パターンと記憶パターンとの相関
度を記憶できる位置であればいかなる位置に配置させて
もよい。
いては、相関出力ライトバルブを記憶ライトバルブとは
離れた位置に配置させているが、とくにこれに限定され
るものではなく、入力パターンと記憶パターンとの相関
度を記憶できる位置であればいかなる位置に配置させて
もよい。
【0203】次いで本発明の第9実施例について説明す
る。
る。
【0204】図28は本発明の第9実施例による自己組織
化パターン学習システムを表す図である。
化パターン学習システムを表す図である。
【0205】図28に示すように本発明の第9実施例によ
る自己組織化パターン学習システム240 は、光学的に入
力されたパターンを記憶するための他の面から読み出し
光が照射されることにより、記録された光情報に応じて
読出し光を変調して出力するi×j個の画素を有するL
CLV(Liquid Crystal Light Valve)からなる入力ラ
イトバルブ241 と、図示しない光源より発せられた読出
し光242 を偏光する偏光子243 と、読出し光242 を反射
して入力ライトバルブ241 に入力するハーフミラー244
およびk×l個(本実施例においては3×1個)並んで
配されたレンズセット245 とからなる第1のパターン入
力手段246 と、レンズセット245 の3つのレンズと対応
するようにk×l個(本実施例においては3×1個)並
んで配されたi×j個の画素を有するパターン群記憶手
段である記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cと、
記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cとは離れた位
置にある偏光子248 と、第1のパターン入力手段246 よ
り出力された入力パターンを記憶ライトバルブ247 A,
247 B,247 Cに入力し、かつ記憶ライトバルブ247
A,247 B,247Cにより反射された新たな光パターン
を相関出力ライトバルブ249 A,249 B,249 Cに入力
するためのハーフミラー254 、レンズ255 およびハーフ
ミラー256からなる光学系と、偏光子248 に隣接し、記
憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cと対応するよう
にk×l個(本実施例においては3×1個)並んで配さ
れたi×j個の画素を有する光検出手段である相関出力
ライトバルブ249 A,249 B,249 Cと、入力パターン
をこの相関出力ライトバルブ249 A,249 B,249 Cに
入力するためのハーフミラー250 、レンズ251 および偏
光子252 とからなる学習パターン群作成手段である第2
のパターン入力手段253 と、第2の光パターン入力手段
253 より出力された入力パターンを相関出力ライトバル
ブ249 A,249 B,249 Cに入力し、かつ相関出力ライ
トバルブ249 A,249 B,249 Cにより反射された入力
パターンを記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cに
入力するためのハーフミラー257 、偏光子258 、k×l
個(本実施例においては3×1個)のレンズからなるレ
ンズセット259 およびミラー260 からなる学習パターン
群作成手段とからなる光学系とからなるものである。
る自己組織化パターン学習システム240 は、光学的に入
力されたパターンを記憶するための他の面から読み出し
光が照射されることにより、記録された光情報に応じて
読出し光を変調して出力するi×j個の画素を有するL
CLV(Liquid Crystal Light Valve)からなる入力ラ
イトバルブ241 と、図示しない光源より発せられた読出
し光242 を偏光する偏光子243 と、読出し光242 を反射
して入力ライトバルブ241 に入力するハーフミラー244
およびk×l個(本実施例においては3×1個)並んで
配されたレンズセット245 とからなる第1のパターン入
力手段246 と、レンズセット245 の3つのレンズと対応
するようにk×l個(本実施例においては3×1個)並
んで配されたi×j個の画素を有するパターン群記憶手
段である記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cと、
記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cとは離れた位
置にある偏光子248 と、第1のパターン入力手段246 よ
り出力された入力パターンを記憶ライトバルブ247 A,
247 B,247 Cに入力し、かつ記憶ライトバルブ247
A,247 B,247Cにより反射された新たな光パターン
を相関出力ライトバルブ249 A,249 B,249 Cに入力
するためのハーフミラー254 、レンズ255 およびハーフ
ミラー256からなる光学系と、偏光子248 に隣接し、記
憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cと対応するよう
にk×l個(本実施例においては3×1個)並んで配さ
れたi×j個の画素を有する光検出手段である相関出力
ライトバルブ249 A,249 B,249 Cと、入力パターン
をこの相関出力ライトバルブ249 A,249 B,249 Cに
入力するためのハーフミラー250 、レンズ251 および偏
光子252 とからなる学習パターン群作成手段である第2
のパターン入力手段253 と、第2の光パターン入力手段
253 より出力された入力パターンを相関出力ライトバル
ブ249 A,249 B,249 Cに入力し、かつ相関出力ライ
トバルブ249 A,249 B,249 Cにより反射された入力
パターンを記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cに
入力するためのハーフミラー257 、偏光子258 、k×l
個(本実施例においては3×1個)のレンズからなるレ
ンズセット259 およびミラー260 からなる学習パターン
群作成手段とからなる光学系とからなるものである。
【0206】なお、本実施例においては、記憶ライトバ
ルブ247 A,247 B,247 C、相関出力ライトバルブ24
9 A,249 B,249 Cとして、上述した本発明の第7お
よび第8実施例と同様に、一方の面から光情報が入力さ
れることによりこの光情報を記録され、他の面から読み
出し光が照射されることにより、記録された光情報に応
じて読出し光を変調して出力するLCLV(Liquid Cry
stal Light Valve)を用いるものとする。
ルブ247 A,247 B,247 C、相関出力ライトバルブ24
9 A,249 B,249 Cとして、上述した本発明の第7お
よび第8実施例と同様に、一方の面から光情報が入力さ
れることによりこの光情報を記録され、他の面から読み
出し光が照射されることにより、記録された光情報に応
じて読出し光を変調して出力するLCLV(Liquid Cry
stal Light Valve)を用いるものとする。
【0207】まず、第1のパターン入力手段246 の入力
ライトバルブ241 のW側より入力パターンxij(t) が照
射され、この入力パターンxij(t) が入力ライトバルブ
241に記憶される。次いで読出し光242 が偏光子243 を
通じてハーフミラー244 により反射されて入力ライトバ
ルブ241 に照射され、入力ライトバルブ241 に記憶され
ている入力パターンxij(t) に応じて反射変調されて、
ハーフミラー244 、レンズセット245 およびハーフミラ
ー254 を通じて各記憶ライトバルブ247 A,247 B,24
7 Cに照射される。記憶ライトバルブ247 A,247 B,
247 Cは時刻t-1 までに入力されたパターンをある規則
で記憶パターン群mklij(t-1) として記憶しており、各
記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cに照射された
入力パターンxij(t) は、各記憶ライトバルブ247 A,
247 B,247 Cに記憶されている記憶パターンmklij(t
-1) に応じてさらに変調されて、入力パターンxij(t)
と記憶パターン群mklij(t-1) の重ね合せのパターン、
すなわち図3の3A,3B,3Cに示すような光パター
ンとして反射される。この重ね合せの光パターンの光量
の総和は入力パターンxij(t) と各記憶ライトバルブ24
7 A,247 B,247Cに記憶されている記憶パターンm
klij(t-1) との相関度としてハーフミラー256 により反
射されレンズ255 を通りさらにハーフミラー256 により
反射され偏光子248 を通じて相関出力ライトバルブ249
A,249 B,249 Cに入力され記憶される。これによ
り、相関出力ライトバルブ249 A,249 B,249 Cに
は、相関度が明暗の情報、すなわち入力パターンx
ij(t) と記憶パターン群mklij(t-1) との積和の情報す
なわち、
ライトバルブ241 のW側より入力パターンxij(t) が照
射され、この入力パターンxij(t) が入力ライトバルブ
241に記憶される。次いで読出し光242 が偏光子243 を
通じてハーフミラー244 により反射されて入力ライトバ
ルブ241 に照射され、入力ライトバルブ241 に記憶され
ている入力パターンxij(t) に応じて反射変調されて、
ハーフミラー244 、レンズセット245 およびハーフミラ
ー254 を通じて各記憶ライトバルブ247 A,247 B,24
7 Cに照射される。記憶ライトバルブ247 A,247 B,
247 Cは時刻t-1 までに入力されたパターンをある規則
で記憶パターン群mklij(t-1) として記憶しており、各
記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cに照射された
入力パターンxij(t) は、各記憶ライトバルブ247 A,
247 B,247 Cに記憶されている記憶パターンmklij(t
-1) に応じてさらに変調されて、入力パターンxij(t)
と記憶パターン群mklij(t-1) の重ね合せのパターン、
すなわち図3の3A,3B,3Cに示すような光パター
ンとして反射される。この重ね合せの光パターンの光量
の総和は入力パターンxij(t) と各記憶ライトバルブ24
7 A,247 B,247Cに記憶されている記憶パターンm
klij(t-1) との相関度としてハーフミラー256 により反
射されレンズ255 を通りさらにハーフミラー256 により
反射され偏光子248 を通じて相関出力ライトバルブ249
A,249 B,249 Cに入力され記憶される。これによ
り、相関出力ライトバルブ249 A,249 B,249 Cに
は、相関度が明暗の情報、すなわち入力パターンx
ij(t) と記憶パターン群mklij(t-1) との積和の情報す
なわち、
【0208】
【数11】
【0209】なる演算がなされた情報が各パターン毎の
相関度ykl(t) として記憶される。例えば、前述した図
3に示したように入力パターンが「A」のパターン、各
記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cに記憶されて
いるパターンが「A」,「B」,「C」のパターンの場
合、相関出力ライトバルブ249 Aには「A」のパターン
と「A」のパターンとの重ね合せの相関度が記憶される
ため、相関出力ライトバルブ249 Aには強い光が照射さ
れ、相関出力ライトバルブ249 Aは大きく変調される。
一方、相関出力ライトバルブ249 B,249 Cにはそれぞ
れ「A」のパターンと「B」のパターン、「A」のパタ
ーンと「C」のパターンとの重ね合せの相関度が記憶さ
れるため、相関出力ライトバルブ249 B,249 Cには相
関出力ライトバルブ249 Aと比較して照射される光が弱
く、相関出力ライトバルブ249 B,249 Cは相関出力ラ
イトバルブ249 Aと比較してそれほど大きく変調されな
い。
相関度ykl(t) として記憶される。例えば、前述した図
3に示したように入力パターンが「A」のパターン、各
記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cに記憶されて
いるパターンが「A」,「B」,「C」のパターンの場
合、相関出力ライトバルブ249 Aには「A」のパターン
と「A」のパターンとの重ね合せの相関度が記憶される
ため、相関出力ライトバルブ249 Aには強い光が照射さ
れ、相関出力ライトバルブ249 Aは大きく変調される。
一方、相関出力ライトバルブ249 B,249 Cにはそれぞ
れ「A」のパターンと「B」のパターン、「A」のパタ
ーンと「C」のパターンとの重ね合せの相関度が記憶さ
れるため、相関出力ライトバルブ249 B,249 Cには相
関出力ライトバルブ249 Aと比較して照射される光が弱
く、相関出力ライトバルブ249 B,249 Cは相関出力ラ
イトバルブ249 Aと比較してそれほど大きく変調されな
い。
【0210】このように、相関度が各相関出力ライトバ
ルブ249 A,249 B,249 Cに記憶されると、第2のパ
ターン入力手段より入力パターンxij(t) が各相関出力
ライトバルブ249 A,249 B,249 Cに各相関出力ライ
トバルブ249 A,249 B,249 CのR側より照射され
る。各相関出力ライトバルブ249 A,249 B,249 Cの
R側に照射された入力パターンxij(t) は、相関出力ラ
イトバルブ249 A,249B,249 Cに記憶されている相
関度に応じて強度が反射変調される。ここで、上述した
ように相関出力ライトバルブ249 A,249 B,249 Cに
は強い相関度が、相関出力ライトバルブ249 B,249 C
には相関出力ライトバルブ249 Aと比較して弱い相関度
が記憶されているため、相関出力ライトバルブ249 Aに
照射された入力パターンはほぼそのままの強度で反射さ
れ、相関出力ライトバルブ249 B,249 Cに照射された
入力パターンは反射変調により強度が低下させられる。
ルブ249 A,249 B,249 Cに記憶されると、第2のパ
ターン入力手段より入力パターンxij(t) が各相関出力
ライトバルブ249 A,249 B,249 Cに各相関出力ライ
トバルブ249 A,249 B,249 CのR側より照射され
る。各相関出力ライトバルブ249 A,249 B,249 Cの
R側に照射された入力パターンxij(t) は、相関出力ラ
イトバルブ249 A,249B,249 Cに記憶されている相
関度に応じて強度が反射変調される。ここで、上述した
ように相関出力ライトバルブ249 A,249 B,249 Cに
は強い相関度が、相関出力ライトバルブ249 B,249 C
には相関出力ライトバルブ249 Aと比較して弱い相関度
が記憶されているため、相関出力ライトバルブ249 Aに
照射された入力パターンはほぼそのままの強度で反射さ
れ、相関出力ライトバルブ249 B,249 Cに照射された
入力パターンは反射変調により強度が低下させられる。
【0211】このように、各相関出力ライトバルブ249
A,249 B,249 Cにより反射変調された入力パターン
は、学習パターンとしてハーフミラー257 、偏光子258
、レンズセット259 およびミラー260 からなる光学系
を通じて各記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cの
W側に照射される。したがって入力パターンと各記憶ラ
イトバルブ247 A,247 B,247 Cに記憶されている記
憶パターンとの相関度が大きかった記憶ライトバルブ24
7 Aにはより強度の大きい、すなわちより強い重み付け
がなされた入力パターンが学習パターンとして入力さ
れ、相関度が小さかった記憶ライトバルブ247 B,247
Cには強度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もし
くは重み付けがされていない)入力パターンが学習パタ
ーンとして入力されることとなる。これにより、各記憶
ライトバルブ247 A,247 B,247 Cには、各記憶ライ
トバルブ247 A,247 B,247 Cに記憶されている記憶
パターンと入力パターンとの相関度に応じて重み付けが
なされたパターンが、すでに各記憶ライドバルブ247
A,247 B,247 Cに記憶されているパターンに重ねて
書き込まれ、記憶パターン群の更新(学習)がなされ
る。
A,249 B,249 Cにより反射変調された入力パターン
は、学習パターンとしてハーフミラー257 、偏光子258
、レンズセット259 およびミラー260 からなる光学系
を通じて各記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cの
W側に照射される。したがって入力パターンと各記憶ラ
イトバルブ247 A,247 B,247 Cに記憶されている記
憶パターンとの相関度が大きかった記憶ライトバルブ24
7 Aにはより強度の大きい、すなわちより強い重み付け
がなされた入力パターンが学習パターンとして入力さ
れ、相関度が小さかった記憶ライトバルブ247 B,247
Cには強度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もし
くは重み付けがされていない)入力パターンが学習パタ
ーンとして入力されることとなる。これにより、各記憶
ライトバルブ247 A,247 B,247 Cには、各記憶ライ
トバルブ247 A,247 B,247 Cに記憶されている記憶
パターンと入力パターンとの相関度に応じて重み付けが
なされたパターンが、すでに各記憶ライドバルブ247
A,247 B,247 Cに記憶されているパターンに重ねて
書き込まれ、記憶パターン群の更新(学習)がなされ
る。
【0212】以上の動作を繰り返して、入力ライトバル
ブ241 に入力される様々なパターンに重み付けをして、
各記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cに入力し、
記憶パターン群の更新を対応する記憶ライトバルブ247
A,247 B,247 C毎に行うことによって自己組織化学
習を行うのである。
ブ241 に入力される様々なパターンに重み付けをして、
各記憶ライトバルブ247 A,247 B,247 Cに入力し、
記憶パターン群の更新を対応する記憶ライトバルブ247
A,247 B,247 C毎に行うことによって自己組織化学
習を行うのである。
【0213】次いで本発明の第10実施例について説明す
る。
る。
【0214】図29は本発明の第10実施例による自己組織
化パターン学習システムを表す図である。
化パターン学習システムを表す図である。
【0215】図29に示すように、本発明の第10実施例に
よる自己組織化パターン学習システム60は、k×l個
(本実施例においては3×1個)並んで配されたレンズ
からなるレンズセット261 と、各レンズに対応するよう
にk×l個(本実施例においては3×1個)並んで配さ
れたi×j個の画素を有する第1の入力ライトバルブ26
2 A,262 B,262 Cとを有する入力パターン群表示手
段である第1の光パターン入力手段263 と、入力ライト
バルブ262 A,262 B,262 Cとは離れた位置にあり、
各入力ライトバルブ262 A,262 B,262 Cと対応する
ようにk×l個(本実施例においては3×1個)並んで
配されたi×j個の画素を有するパターン群記憶手段で
ある記憶ライトバルブ264 A,264 B,264 Cと、各記
憶ライトバルブ264 A,264 B,264 Cと対応するよう
にk×l個(本実施例においては3×1個)並んで配さ
れたi×j個の画素を有する相関出力ライトバルブ265
A,265 B,265 Cと、k×l個(本実施例においては
3×1個)並んで配されたレンズからなるレンズセット
266 および各レンズに対応するようにk×l個(本実施
例においては3×1個)並んで配されたi×j個の画素
を有する第2の入力ライトバルブ267 A,267 B,267
Cを有する第1の学習パターン群作成手段および記憶パ
ターン更新手段を構成するパターン入力手段268 と、図
示しない光源より発せられた読出し光269 を反射して入
力ライトバルブ262A,262 B,262 Cに入力するミラ
ー270 と、記憶ライトバルブ264 A,264 B,264 Cを
反射した読出し光269 を反射して相関出力ライトバルブ
265 A,265 B,265 Cに入力するミラー271 とを図示
のように平行平面板上に設けてなるものである。このよ
うに、各記憶ライトバルブ等を平行平面板上に設けるこ
とにより、各ライトバルブ間のアライメントの調整を容
易に行うことができ、好ましい。
よる自己組織化パターン学習システム60は、k×l個
(本実施例においては3×1個)並んで配されたレンズ
からなるレンズセット261 と、各レンズに対応するよう
にk×l個(本実施例においては3×1個)並んで配さ
れたi×j個の画素を有する第1の入力ライトバルブ26
2 A,262 B,262 Cとを有する入力パターン群表示手
段である第1の光パターン入力手段263 と、入力ライト
バルブ262 A,262 B,262 Cとは離れた位置にあり、
各入力ライトバルブ262 A,262 B,262 Cと対応する
ようにk×l個(本実施例においては3×1個)並んで
配されたi×j個の画素を有するパターン群記憶手段で
ある記憶ライトバルブ264 A,264 B,264 Cと、各記
憶ライトバルブ264 A,264 B,264 Cと対応するよう
にk×l個(本実施例においては3×1個)並んで配さ
れたi×j個の画素を有する相関出力ライトバルブ265
A,265 B,265 Cと、k×l個(本実施例においては
3×1個)並んで配されたレンズからなるレンズセット
266 および各レンズに対応するようにk×l個(本実施
例においては3×1個)並んで配されたi×j個の画素
を有する第2の入力ライトバルブ267 A,267 B,267
Cを有する第1の学習パターン群作成手段および記憶パ
ターン更新手段を構成するパターン入力手段268 と、図
示しない光源より発せられた読出し光269 を反射して入
力ライトバルブ262A,262 B,262 Cに入力するミラ
ー270 と、記憶ライトバルブ264 A,264 B,264 Cを
反射した読出し光269 を反射して相関出力ライトバルブ
265 A,265 B,265 Cに入力するミラー271 とを図示
のように平行平面板上に設けてなるものである。このよ
うに、各記憶ライトバルブ等を平行平面板上に設けるこ
とにより、各ライトバルブ間のアライメントの調整を容
易に行うことができ、好ましい。
【0216】なお、本実施例においては、入力ライトバ
ルブ、記憶ライトバルブ、相関出力ライトバルブとし
て、上述した本発明の第7,第8および第9実施例に用
いた一方の面から光情報が入力されることによりこの光
情報が記録され、他の面から読み出し光が照射されるこ
とにより、記録された光情報に応じて読出し光を変調し
て出力するLCLV(Liquid Crystal Light Valve)を
用いるものとする。
ルブ、記憶ライトバルブ、相関出力ライトバルブとし
て、上述した本発明の第7,第8および第9実施例に用
いた一方の面から光情報が入力されることによりこの光
情報が記録され、他の面から読み出し光が照射されるこ
とにより、記録された光情報に応じて読出し光を変調し
て出力するLCLV(Liquid Crystal Light Valve)を
用いるものとする。
【0217】まず、第1の光パターン入力手段263 の入
力ライトバルブ262 A,262 B,262 CのW側より入力
パターンxij(t) が入力され、この入力パターンx
ij(t) が各入力ライトバルブ262 A,262 B,262 Cに
記憶される。次いで図示しない光源より読出し光269 が
発せられ、ミラー270 により反射されて各入力ライトバ
ルブ262 A,262 B,262 Cに照射され、各入力ライト
バルブ262 A,262 B,262 Cに記憶されている入力パ
ターンxij(t) に応じて反射変調されて記憶ライトバル
ブ264 A,264 B,264 Cに入力される。各記憶ライト
バルブ264 A,264B,264 Cは、時刻t-1 までに入力
されたパターンをある規則で記憶パターン群mklij(t-
1) として記憶しており、各記憶ライトバルブ264 A,2
64 B,264 Cに照射された入力パターンxij(t) は、
各記憶ライトバルブ264 A,264 B,264 Cに記憶され
ている記憶パターンmklij(t-1)に応じてさらに変調さ
れて、入力パターンxij(t) と記憶パターン群m
klij(t-1)の重ね合せのパターン、すなわち図3の3
A,3B,3Cに示すような光パターンとして反射され
る。この重ね合せの光パターンの光量の総和は入力パタ
ーンxij(t) と各記憶ライトバルブ264 A,264 B,26
4 Cに記憶されている記憶パターンmklij(t-1)との相
関度としてミラー271 により反射され相関出力ライトバ
ルブ265 A,265 B,265 Cに入力され記憶される。こ
れにより、相関出力ライトバルブ265 A,265 B,265
Cには、相関度が明暗の情報、すなわち入力パターンx
ij(t) と記憶パターン群mklij(t-1)との相関度の明る
さの情報すなわち、
力ライトバルブ262 A,262 B,262 CのW側より入力
パターンxij(t) が入力され、この入力パターンx
ij(t) が各入力ライトバルブ262 A,262 B,262 Cに
記憶される。次いで図示しない光源より読出し光269 が
発せられ、ミラー270 により反射されて各入力ライトバ
ルブ262 A,262 B,262 Cに照射され、各入力ライト
バルブ262 A,262 B,262 Cに記憶されている入力パ
ターンxij(t) に応じて反射変調されて記憶ライトバル
ブ264 A,264 B,264 Cに入力される。各記憶ライト
バルブ264 A,264B,264 Cは、時刻t-1 までに入力
されたパターンをある規則で記憶パターン群mklij(t-
1) として記憶しており、各記憶ライトバルブ264 A,2
64 B,264 Cに照射された入力パターンxij(t) は、
各記憶ライトバルブ264 A,264 B,264 Cに記憶され
ている記憶パターンmklij(t-1)に応じてさらに変調さ
れて、入力パターンxij(t) と記憶パターン群m
klij(t-1)の重ね合せのパターン、すなわち図3の3
A,3B,3Cに示すような光パターンとして反射され
る。この重ね合せの光パターンの光量の総和は入力パタ
ーンxij(t) と各記憶ライトバルブ264 A,264 B,26
4 Cに記憶されている記憶パターンmklij(t-1)との相
関度としてミラー271 により反射され相関出力ライトバ
ルブ265 A,265 B,265 Cに入力され記憶される。こ
れにより、相関出力ライトバルブ265 A,265 B,265
Cには、相関度が明暗の情報、すなわち入力パターンx
ij(t) と記憶パターン群mklij(t-1)との相関度の明る
さの情報すなわち、
【0218】
【数12】
【0219】なる演算がなされた情報が各パターン毎の
相関度ykl(t) として記憶される。例えば、前述した図
3に示したように入力パターンが「A」のパターン、各
記憶ライトバルブ264 A,264 B,264 Cに記憶されて
いるパターンが「A」のパターン,「B」のパターン,
「C」のパターンの場合、相関出力ライトバルブ265 A
には「A」のパターンと「A」のパターンとの重ね合せ
の相関度が記憶されるため、相関出力ライトバルブ265
Aには強い光が照射され、相関出力ライトバルブ265 A
は大きく変調される。一方、相関出力ライトバルブ265
B,265 Cにはそれぞれ「A」のパターンと「B」のパ
ターン、「A」のパターンと「C」のパターンとの重ね
合せの相関度が記憶されるため、相関出力ライトバルブ
265 B,265 Cには相関出力ライトバルブ265 Aと比較
して照射される光が弱く、相関出力ライトバルブ265
B,265 Cは相関出力ライトバルブ265 Aと比較してそ
れほど大きく変調されない。
相関度ykl(t) として記憶される。例えば、前述した図
3に示したように入力パターンが「A」のパターン、各
記憶ライトバルブ264 A,264 B,264 Cに記憶されて
いるパターンが「A」のパターン,「B」のパターン,
「C」のパターンの場合、相関出力ライトバルブ265 A
には「A」のパターンと「A」のパターンとの重ね合せ
の相関度が記憶されるため、相関出力ライトバルブ265
Aには強い光が照射され、相関出力ライトバルブ265 A
は大きく変調される。一方、相関出力ライトバルブ265
B,265 Cにはそれぞれ「A」のパターンと「B」のパ
ターン、「A」のパターンと「C」のパターンとの重ね
合せの相関度が記憶されるため、相関出力ライトバルブ
265 B,265 Cには相関出力ライトバルブ265 Aと比較
して照射される光が弱く、相関出力ライトバルブ265
B,265 Cは相関出力ライトバルブ265 Aと比較してそ
れほど大きく変調されない。
【0220】このように、相関度が各相関出力ライトバ
ルブ265 A,265 B,265 Cに記憶されると、第2の光
パターン入力手段268 の入力ライトバルブ267 A,267
B,267 CのW側より入力パターンxij(t) が入力さ
れ、この入力パターンxij(t)が各入力ライトバルブ267
A,267 B,267 Cに記憶される。次いで、図示しな
い光源より書込み光272 が発せられ各相関出力ライトバ
ルブ265 A,265 B,265 CのR側に照射される。各相
関出力ライトバルブ265 A,265 B,265 CのR側に照
射された書込み光272 は、各相関出力ライトバルブ265
A,265 B,265Cに記憶されている相関度に応じて強
度が反射変調される。ここで、上述したように相関出力
ライトバルブ265 Aには強い相関度が、相関出力ライト
バルブ265B,265 Cには相関出力ライトバルブ265 A
と比較して弱い相関度が記憶されているため、相関出力
ライトバルブ265 Aに照射された入力パターンはほぼそ
のままの強度で反射され、相関出力ライトバルブ265
B,265 Cに照射された書込み光272 は反射変調により
強度が低下させられる。
ルブ265 A,265 B,265 Cに記憶されると、第2の光
パターン入力手段268 の入力ライトバルブ267 A,267
B,267 CのW側より入力パターンxij(t) が入力さ
れ、この入力パターンxij(t)が各入力ライトバルブ267
A,267 B,267 Cに記憶される。次いで、図示しな
い光源より書込み光272 が発せられ各相関出力ライトバ
ルブ265 A,265 B,265 CのR側に照射される。各相
関出力ライトバルブ265 A,265 B,265 CのR側に照
射された書込み光272 は、各相関出力ライトバルブ265
A,265 B,265Cに記憶されている相関度に応じて強
度が反射変調される。ここで、上述したように相関出力
ライトバルブ265 Aには強い相関度が、相関出力ライト
バルブ265B,265 Cには相関出力ライトバルブ265 A
と比較して弱い相関度が記憶されているため、相関出力
ライトバルブ265 Aに照射された入力パターンはほぼそ
のままの強度で反射され、相関出力ライトバルブ265
B,265 Cに照射された書込み光272 は反射変調により
強度が低下させられる。
【0221】このように、各相関出力ライトバルブ265
A,265 B,265 Cにより反射変調された書込み光272
は、各入力ライトバルブ267 A,267 B,267 CのR側
に照射される。各入力ライトバルブ267 A,267 B,26
7 CのR側に照射された書込み光72は、入力ライトバル
ブ267 A,267 B,267 Cに記憶されている入力パター
ンxij(t) に応じて反射変調される。これにより、各入
力ライトバルブ267 A,267 B,267 Cより読み出さ
れ、相関度の大きさにより重み付けがなされた入力パタ
ーンが各記憶ライトバルブ264 A,264 B,264 CのW
側に照射される。したがって、入力パターンと各記憶ラ
イトバルブ265 A,265 B,265 Cに記憶されている記
憶パターンとの相関度が大きかった記憶ライトバルブ26
5 Aにはより強度の大きい、すなわちより強い重み付け
がなされた入力パターンが学習パターンとして照射さ
れ、相関度が小さかった記憶ライドバルブ265 B,265
Cには強度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もし
くは重み付けがされていない)入力パターンが学習パタ
ーンとして照射されることとなる。これにより、各記憶
ライトバルブ264 A,264 B,264 Cには、各記憶ライ
トバルブ264 A,264 B,264 Cに記憶されている記憶
パターンと入力パターンとの相関度に応じて重み付けが
なされた学習パターンが、すでに各記憶ライトバルブ26
4 A,264 B,264 Cに記憶されているパターンに重ね
て書き込まれ、記憶パターン群の更新(学習)がなされ
る。
A,265 B,265 Cにより反射変調された書込み光272
は、各入力ライトバルブ267 A,267 B,267 CのR側
に照射される。各入力ライトバルブ267 A,267 B,26
7 CのR側に照射された書込み光72は、入力ライトバル
ブ267 A,267 B,267 Cに記憶されている入力パター
ンxij(t) に応じて反射変調される。これにより、各入
力ライトバルブ267 A,267 B,267 Cより読み出さ
れ、相関度の大きさにより重み付けがなされた入力パタ
ーンが各記憶ライトバルブ264 A,264 B,264 CのW
側に照射される。したがって、入力パターンと各記憶ラ
イトバルブ265 A,265 B,265 Cに記憶されている記
憶パターンとの相関度が大きかった記憶ライトバルブ26
5 Aにはより強度の大きい、すなわちより強い重み付け
がなされた入力パターンが学習パターンとして照射さ
れ、相関度が小さかった記憶ライドバルブ265 B,265
Cには強度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もし
くは重み付けがされていない)入力パターンが学習パタ
ーンとして照射されることとなる。これにより、各記憶
ライトバルブ264 A,264 B,264 Cには、各記憶ライ
トバルブ264 A,264 B,264 Cに記憶されている記憶
パターンと入力パターンとの相関度に応じて重み付けが
なされた学習パターンが、すでに各記憶ライトバルブ26
4 A,264 B,264 Cに記憶されているパターンに重ね
て書き込まれ、記憶パターン群の更新(学習)がなされ
る。
【0222】以上の動作を繰り返して、入力ライトバル
ブ262 A,262 B,262 Cおよび入力ライトバルブ267
A,267 B,267 Cに入力される様々なパターンと、各
記憶ライドバルブ264 A,264 B,264 Cに記憶されて
いる記憶パターンとの相関度に応じた重みで、記憶パタ
ーン群mklij(t-1)の更新を行うことによって自己組織
化学習を行うのである。
ブ262 A,262 B,262 Cおよび入力ライトバルブ267
A,267 B,267 Cに入力される様々なパターンと、各
記憶ライドバルブ264 A,264 B,264 Cに記憶されて
いる記憶パターンとの相関度に応じた重みで、記憶パタ
ーン群mklij(t-1)の更新を行うことによって自己組織
化学習を行うのである。
【0223】次いで、本発明の第11実施例について説明
する。
する。
【0224】図30は、本発明の第11実施例による自己組
織化パターン学習システムを表す図である。
織化パターン学習システムを表す図である。
【0225】図30に示すように、本発明の第11実施例に
よる自己組織化パターン学習システム280 は、図示しな
い光源より発せられた相関情報読みだし光290 を受光し
て偏光する偏光子281 と、この偏光子281 に隣接しk×
l個(本実施例においては3×1個)並んで配されたi
×j個の画素を有するパターン群記憶手段である記憶ラ
イトバルブ282 A,282 B,282 Cと、この記憶ライト
バルブ282 A,282 B,282 Cに隣接した偏光子283
と、この偏光子283 に隣接し、記憶ライトバルブ282
A,282 B,282 Cと対応するようにk×l個(本実施
例においては3×1個)並んで配されたi×j個の画素
を有する入力パターン群表示手段である入力ライトバル
ブ284 A,284 B,284 Cと、この入力ライトバルブ28
4 A,284 B,284 Cに隣接して配された偏光子285 と
からなる相関情報読み出し手段と、記憶ライトバルブ28
2 A,282 B,282 Cに記憶されているパターンと入力
パターンとの相関度を得、図示しない光源より発せられ
た記憶更新情報書き込み光291 を受光してこの相関度を
入力ライトバルブ284 A,284 B,284 Cに折り返し入
力する入力ライトバルブ284 A,284 B,284 Cと対応
するようにk×l個(本実施例においては3×1個)の
光検出手段である相関度記憶素子287 A,287 B,287
C、およびk×l個(本実施例においては3×1個)の
レンズからなるレンズセット286 ,288 からなる学習パ
ターン群作成手段と記憶パターン更新手段とを構成する
記憶更新情報書き込み手段289 とからなるものである。
よる自己組織化パターン学習システム280 は、図示しな
い光源より発せられた相関情報読みだし光290 を受光し
て偏光する偏光子281 と、この偏光子281 に隣接しk×
l個(本実施例においては3×1個)並んで配されたi
×j個の画素を有するパターン群記憶手段である記憶ラ
イトバルブ282 A,282 B,282 Cと、この記憶ライト
バルブ282 A,282 B,282 Cに隣接した偏光子283
と、この偏光子283 に隣接し、記憶ライトバルブ282
A,282 B,282 Cと対応するようにk×l個(本実施
例においては3×1個)並んで配されたi×j個の画素
を有する入力パターン群表示手段である入力ライトバル
ブ284 A,284 B,284 Cと、この入力ライトバルブ28
4 A,284 B,284 Cに隣接して配された偏光子285 と
からなる相関情報読み出し手段と、記憶ライトバルブ28
2 A,282 B,282 Cに記憶されているパターンと入力
パターンとの相関度を得、図示しない光源より発せられ
た記憶更新情報書き込み光291 を受光してこの相関度を
入力ライトバルブ284 A,284 B,284 Cに折り返し入
力する入力ライトバルブ284 A,284 B,284 Cと対応
するようにk×l個(本実施例においては3×1個)の
光検出手段である相関度記憶素子287 A,287 B,287
C、およびk×l個(本実施例においては3×1個)の
レンズからなるレンズセット286 ,288 からなる学習パ
ターン群作成手段と記憶パターン更新手段とを構成する
記憶更新情報書き込み手段289 とからなるものである。
【0226】なお、本実施例においては、記憶ライトバ
ルブ282 A,282 B,282 Cとして、400 ナノメータか
ら700 ナノメータの波長の光で書き込みが可能で、その
他の波長の光では書き込まれることがないBSOを用い
るものとする。また、相関度記憶素子287 A,287 B,
287 Cとして、600 ナノメータから900 ナノメータの波
長の光で書き込みが可能で、その他の波長の光では書き
込みされないGaPを用いた記憶素子を用いるものとす
る。ただし、これらの記憶ライトバルブと相関度記憶素
子としては、書き込み/消去が可能な波長域が互いに異
なる光記録材料を用いればよく、フォトリフラクティブ
結晶に限らず、書込み/消去が可能な波長域が互いに異
なる光記録材料であればいかなる材料を用いてもよいこ
とはもちろんである。また、本実施例においては、相関
情報読出し光290 として記憶ライトバルブには書込みが
できず相関度記憶素子には書込みができる波長700 から
900ナノメータの光が用いられ、記憶更新情報書込み光2
91 として記憶ライトバルブには書込みができ相関度記
憶素子には書込みができない波長400 から600 ナノメー
タの光が用いられる。
ルブ282 A,282 B,282 Cとして、400 ナノメータか
ら700 ナノメータの波長の光で書き込みが可能で、その
他の波長の光では書き込まれることがないBSOを用い
るものとする。また、相関度記憶素子287 A,287 B,
287 Cとして、600 ナノメータから900 ナノメータの波
長の光で書き込みが可能で、その他の波長の光では書き
込みされないGaPを用いた記憶素子を用いるものとす
る。ただし、これらの記憶ライトバルブと相関度記憶素
子としては、書き込み/消去が可能な波長域が互いに異
なる光記録材料を用いればよく、フォトリフラクティブ
結晶に限らず、書込み/消去が可能な波長域が互いに異
なる光記録材料であればいかなる材料を用いてもよいこ
とはもちろんである。また、本実施例においては、相関
情報読出し光290 として記憶ライトバルブには書込みが
できず相関度記憶素子には書込みができる波長700 から
900ナノメータの光が用いられ、記憶更新情報書込み光2
91 として記憶ライトバルブには書込みができ相関度記
憶素子には書込みができない波長400 から600 ナノメー
タの光が用いられる。
【0227】また、本実施例においては入力パターンx
ij(t) を多重結像カメラ292 より入力するものとする。
ij(t) を多重結像カメラ292 より入力するものとする。
【0228】まず、入力ライトバルブ284 A,284 B,
284 Cに、多重結像カメラ292 により撮影された入力パ
ターンxij(t) がそれぞれ表示され、次いで図示しない
光源より波長700 から900 ナノメータの読出し光290 が
偏光子281 を通じて記憶ライトバルブ282 A,282 B,
282 Cに照射される。各記憶ライトバルブ282 A,282
B,282 Cは、時刻t-1 までに入力されたパターンをあ
る規則で記憶パターンmklij(t) としてそれぞれ記憶し
ており、各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに
照射された読出し光290 は、各記憶ライトバルブ282
A,282 B,282Cに記憶されている記憶パターンm
klij(t-1) により変調されて、さらに偏光子283 を通じ
て光の強度のパターンとして入力ライトバルブ284 A,
284 B,284Cに照射される。この入力ライトバルブ284
A,284 B,284 Cにおいて、上述した各実施例と同
様に記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cを通って
きた読出し光290 の光パターンと、入力ライトバルブ28
4 A,284 B,284 Cに表示されている入力パターンと
が重ね合せられる。
284 Cに、多重結像カメラ292 により撮影された入力パ
ターンxij(t) がそれぞれ表示され、次いで図示しない
光源より波長700 から900 ナノメータの読出し光290 が
偏光子281 を通じて記憶ライトバルブ282 A,282 B,
282 Cに照射される。各記憶ライトバルブ282 A,282
B,282 Cは、時刻t-1 までに入力されたパターンをあ
る規則で記憶パターンmklij(t) としてそれぞれ記憶し
ており、各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに
照射された読出し光290 は、各記憶ライトバルブ282
A,282 B,282Cに記憶されている記憶パターンm
klij(t-1) により変調されて、さらに偏光子283 を通じ
て光の強度のパターンとして入力ライトバルブ284 A,
284 B,284Cに照射される。この入力ライトバルブ284
A,284 B,284 Cにおいて、上述した各実施例と同
様に記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cを通って
きた読出し光290 の光パターンと、入力ライトバルブ28
4 A,284 B,284 Cに表示されている入力パターンと
が重ね合せられる。
【0229】このように重ね合せられた光パターンは、
偏光子285 を通じてレンズセット286 を通り、集光され
て相関度として相関度記憶素子287 A,287 B,287 C
に入力されて記憶される。これにより、相関度記憶素子
287 A,287 B,287 Cには相関度が明暗の情報、すな
わち入力パターンxij(t) と記憶パターン群mklij(t-
1) との積和の情報すなわち、
偏光子285 を通じてレンズセット286 を通り、集光され
て相関度として相関度記憶素子287 A,287 B,287 C
に入力されて記憶される。これにより、相関度記憶素子
287 A,287 B,287 Cには相関度が明暗の情報、すな
わち入力パターンxij(t) と記憶パターン群mklij(t-
1) との積和の情報すなわち、
【0230】
【数13】
【0231】なる演算がなされた情報が各パターン毎の
相関度ykl(t) として記憶される。
相関度ykl(t) として記憶される。
【0232】このように、各相関度記憶素子287 A,28
7 B,287 Cに相関度が記憶されると、図示しない光源
より波長400 から600 ナノメータの書込み光291 がレン
ズセット288 を通じて相関度記憶素子287 A,287 B,
287 Cに照射される。相関度記憶素子287 A,287 B,
287 Cに照射された書込み光291 は各相関度記憶素子28
7 A,287 B,287 Cに記憶されている相関度に応じて
強度が変調される。ここで、上述したように相関度記憶
素子287 Aには強い相関度が、相関度記憶素子287 B,
287 Cには相関度記憶素子287 Aと比較して弱い相関度
が記憶されているため、相関度記憶素子287 Aに照射さ
れた書込み光291 はほぼそのままの強度で透過され、相
関度記憶素子287 B,287 Cに照射された書込み光291
は変調されて強度が低下させられる。
7 B,287 Cに相関度が記憶されると、図示しない光源
より波長400 から600 ナノメータの書込み光291 がレン
ズセット288 を通じて相関度記憶素子287 A,287 B,
287 Cに照射される。相関度記憶素子287 A,287 B,
287 Cに照射された書込み光291 は各相関度記憶素子28
7 A,287 B,287 Cに記憶されている相関度に応じて
強度が変調される。ここで、上述したように相関度記憶
素子287 Aには強い相関度が、相関度記憶素子287 B,
287 Cには相関度記憶素子287 Aと比較して弱い相関度
が記憶されているため、相関度記憶素子287 Aに照射さ
れた書込み光291 はほぼそのままの強度で透過され、相
関度記憶素子287 B,287 Cに照射された書込み光291
は変調されて強度が低下させられる。
【0233】このように、各相記憶素子287 A,287
B,287 Cにより透過変調された書込み光291 は、レン
ズセット286 、および偏光子285 を通じて各入力ライト
バルブ284 A,284 B,284 Cに折り返し入力され、各
入力ライトバルブ284 A,284B,284 Cに表示されて
いる入力パターンxij(t) により変調されて、さらに偏
光子283 を通じて光の強度のパターンとして記憶ライト
バルブ282 A,282 B,282 Cに入力される。ここで入
力パターンと各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282
Cに記憶されているパターンとの相関度が大きかった記
憶ライトバルブにはより強度の大きい、すなわちより強
い重み付けがなされた入力パターンが学習パターンとし
て入力され、相関度が小さかった記憶ライトバルブには
強度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もしくは重
み付けがされていない)入力パターンが学習パターンと
して入力されることとなる。書込み光291 は波長が400
から600 ナノメータであり、各記憶ライトバルブ282
A,282 B,282 Cに光パターンの書込みが可能である
ため、各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに
は、各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに記憶
されている記憶パターンと入力パターンとの相関度に応
じて重み付けがなされたパターンが、学習パターンとし
てすでに各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに
記憶されている記憶パターンに重ねて書き込まれ、記憶
パターン群の更新(学習)がなされる。
B,287 Cにより透過変調された書込み光291 は、レン
ズセット286 、および偏光子285 を通じて各入力ライト
バルブ284 A,284 B,284 Cに折り返し入力され、各
入力ライトバルブ284 A,284B,284 Cに表示されて
いる入力パターンxij(t) により変調されて、さらに偏
光子283 を通じて光の強度のパターンとして記憶ライト
バルブ282 A,282 B,282 Cに入力される。ここで入
力パターンと各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282
Cに記憶されているパターンとの相関度が大きかった記
憶ライトバルブにはより強度の大きい、すなわちより強
い重み付けがなされた入力パターンが学習パターンとし
て入力され、相関度が小さかった記憶ライトバルブには
強度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もしくは重
み付けがされていない)入力パターンが学習パターンと
して入力されることとなる。書込み光291 は波長が400
から600 ナノメータであり、各記憶ライトバルブ282
A,282 B,282 Cに光パターンの書込みが可能である
ため、各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに
は、各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに記憶
されている記憶パターンと入力パターンとの相関度に応
じて重み付けがなされたパターンが、学習パターンとし
てすでに各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに
記憶されている記憶パターンに重ねて書き込まれ、記憶
パターン群の更新(学習)がなされる。
【0234】以上の動作を繰り返して、入力ライトバル
ブ284 A,284 B,284 Cに入力される様々なパターン
と、各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに記憶
されている記憶パターンとの相関度に応じた重みで記憶
パターン群mklij(t-1) の更新を行うことによって、自
己組織化学習を行うのである。
ブ284 A,284 B,284 Cに入力される様々なパターン
と、各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに記憶
されている記憶パターンとの相関度に応じた重みで記憶
パターン群mklij(t-1) の更新を行うことによって、自
己組織化学習を行うのである。
【0235】また、本発明の第11実施例においては、繰
り返し学習を行っている途中に図30に示すスイッチ293
を切り換えて、上述した各入力ライトバルブ284 A,28
4 B,284 Cに一様信号S1 を入力するようにしてもよ
い。この一様信号S1 を入力することにより、各入力ラ
イトバルブ284 A,284 B,284 Cには一様のパターン
が表示されることとなるため、各記憶ライトバルブ282
A,282 B,282 Cの学習の初期の段階で記憶されたパ
ターンがうっすらと残っている場合に、この一様のパタ
ーンを各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに記
憶させることにより残っているパターンを消去すること
ができるのである。このように、各入力ライトバルブ28
4 A,284 B,284 Cに一様の信号S1 を学習段階の途
中で入力することにより、各記憶ライトバルブ282 A,
282 B,282 Cにうっすらと記憶されているパターンを
消すことができるため、学習が終了した際の各記憶ライ
トバルブ282 A,282 B,282 Cに他のパターンが重な
って学習されることがなく、好ましい。
り返し学習を行っている途中に図30に示すスイッチ293
を切り換えて、上述した各入力ライトバルブ284 A,28
4 B,284 Cに一様信号S1 を入力するようにしてもよ
い。この一様信号S1 を入力することにより、各入力ラ
イトバルブ284 A,284 B,284 Cには一様のパターン
が表示されることとなるため、各記憶ライトバルブ282
A,282 B,282 Cの学習の初期の段階で記憶されたパ
ターンがうっすらと残っている場合に、この一様のパタ
ーンを各記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに記
憶させることにより残っているパターンを消去すること
ができるのである。このように、各入力ライトバルブ28
4 A,284 B,284 Cに一様の信号S1 を学習段階の途
中で入力することにより、各記憶ライトバルブ282 A,
282 B,282 Cにうっすらと記憶されているパターンを
消すことができるため、学習が終了した際の各記憶ライ
トバルブ282 A,282 B,282 Cに他のパターンが重な
って学習されることがなく、好ましい。
【0236】なお、本発明の第11実施例においては、記
憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cとして、400 ナ
ノメータから700 ナノメータの波長の光で書込みが可能
で、その他の波長の光では書込みされないBSOを用
い、相関度記憶素子287 A,287 B,287 Cとして、60
0 ナノメータから900 ナノメータの波長の光で書込みが
可能で、その他の波長の光では書込みされないGaPを
用いた記憶素子を用いるものとしたが、異なる種類のフ
ォトリフラクティブ材料の波長による書込み特性の差を
利用するのではなく、記憶ライトバルブ、相関度記憶素
子のいずれにもBSOを用い、BSOの表裏面での感度
の差を利用して同様の動作を行わせることが可能であ
る。
憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cとして、400 ナ
ノメータから700 ナノメータの波長の光で書込みが可能
で、その他の波長の光では書込みされないBSOを用
い、相関度記憶素子287 A,287 B,287 Cとして、60
0 ナノメータから900 ナノメータの波長の光で書込みが
可能で、その他の波長の光では書込みされないGaPを
用いた記憶素子を用いるものとしたが、異なる種類のフ
ォトリフラクティブ材料の波長による書込み特性の差を
利用するのではなく、記憶ライトバルブ、相関度記憶素
子のいずれにもBSOを用い、BSOの表裏面での感度
の差を利用して同様の動作を行わせることが可能であ
る。
【0237】BSOには、両端に印加された直流電圧の
電極のうち、陰極側から光パターンを書き込んだ方が記
録感度が高いという性質がある。(峯本、陳、光学,15
(1986)p213 )。この性質を利用して、記憶ライトバル
ブとして使用するBSOは相関情報読出し光290 が入射
してくる方向にBSOの陽極側が向くように配置し、相
関度記憶素子として使用するBSOは記憶更新情報書込
み光291 が入射してくる方向に陽極側が向くように配置
する。この配置によって、相関度情報を相関度記憶素子
に書き込む際の、記憶情報の消去を低減させ、また、記
憶更新情報を記憶ライトバルブに書き込む際の、相関度
情報の消去を低減することができ、異なる材料の光変調
素子を用いなくても、入力ライトバルブ284 A,284
B,284 Cに入力される様々なパターンに重み付けをし
て、各記憶ライトバルブ282 A,282B,282 Cに入力
し、対応する記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 C
毎に記憶パターン群の更新を行うことによって、自己組
織化学習を行うことができる。
電極のうち、陰極側から光パターンを書き込んだ方が記
録感度が高いという性質がある。(峯本、陳、光学,15
(1986)p213 )。この性質を利用して、記憶ライトバル
ブとして使用するBSOは相関情報読出し光290 が入射
してくる方向にBSOの陽極側が向くように配置し、相
関度記憶素子として使用するBSOは記憶更新情報書込
み光291 が入射してくる方向に陽極側が向くように配置
する。この配置によって、相関度情報を相関度記憶素子
に書き込む際の、記憶情報の消去を低減させ、また、記
憶更新情報を記憶ライトバルブに書き込む際の、相関度
情報の消去を低減することができ、異なる材料の光変調
素子を用いなくても、入力ライトバルブ284 A,284
B,284 Cに入力される様々なパターンに重み付けをし
て、各記憶ライトバルブ282 A,282B,282 Cに入力
し、対応する記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 C
毎に記憶パターン群の更新を行うことによって、自己組
織化学習を行うことができる。
【0238】次いで、本発明の第12実施例について説明
する。
する。
【0239】図31は、本発明の第12実施例による自己組
織化パターン学習システムを表す図である。
織化パターン学習システムを表す図である。
【0240】図31に示すように、本発明の第12実施例に
よる自己組織化パターン学習システム295 は、図30に示
した本発明の第11実施例による自己組織化パターン学習
システム280 の相関度記憶素子287 A,287 B,287 C
を、赤色光を青色光に波長変換する相関度入出力素子29
6 A,296 B,296 Cとしたものであり、記憶ライトバ
ルブ、入力ライトバルブ等は、図30に示した本発明の第
11実施例による自己組織化パターン学習システム280 と
同一であるため、対応する番号に「′」を付し、詳細な
説明は省略する。
よる自己組織化パターン学習システム295 は、図30に示
した本発明の第11実施例による自己組織化パターン学習
システム280 の相関度記憶素子287 A,287 B,287 C
を、赤色光を青色光に波長変換する相関度入出力素子29
6 A,296 B,296 Cとしたものであり、記憶ライトバ
ルブ、入力ライトバルブ等は、図30に示した本発明の第
11実施例による自己組織化パターン学習システム280 と
同一であるため、対応する番号に「′」を付し、詳細な
説明は省略する。
【0241】まず波長変換を行う相関度入出力素子296
A,296 B,296 Cについて説明する。
A,296 B,296 Cについて説明する。
【0242】本実施例においては相関度入出力素子296
A,296 B,296 CとしてKNbO3 結晶を用いるもの
とし、このKNbO3 結晶の両端面を曲率半径205mm に
加工し、この両端面に反射率97%と99.9%のコーティン
グを施して定在波型の共振器としているものである。そ
してこのKNbO3 結晶を−23℃に温度制御してノンク
リティカル位相整合法(Non-Critical Phase Matching
:NCPM)を達成することができる。このKNbO3 結
晶は定在波型の共振器を用いているため、第2高調波は
2方向に出射してくるが、実験により基本波光源の出力
を167mW とした場合、1方向だけでも24mWもの出力を得
ることが確認されている(近藤ら、波長変換への応用、
オプトロニクス(1990)No.2,P132-139)。近藤らの実験に
おいては、レーザーの発振波長をスイープすることによ
って、共振器モードと同期をとって高効率波長変換を実
現しているものである。このKNbO3 結晶により波長
が842nm の光は421nm の光に変調される。
A,296 B,296 CとしてKNbO3 結晶を用いるもの
とし、このKNbO3 結晶の両端面を曲率半径205mm に
加工し、この両端面に反射率97%と99.9%のコーティン
グを施して定在波型の共振器としているものである。そ
してこのKNbO3 結晶を−23℃に温度制御してノンク
リティカル位相整合法(Non-Critical Phase Matching
:NCPM)を達成することができる。このKNbO3 結
晶は定在波型の共振器を用いているため、第2高調波は
2方向に出射してくるが、実験により基本波光源の出力
を167mW とした場合、1方向だけでも24mWもの出力を得
ることが確認されている(近藤ら、波長変換への応用、
オプトロニクス(1990)No.2,P132-139)。近藤らの実験に
おいては、レーザーの発振波長をスイープすることによ
って、共振器モードと同期をとって高効率波長変換を実
現しているものである。このKNbO3 結晶により波長
が842nm の光は421nm の光に変調される。
【0243】次いで、本実施例の自己組織化学習につい
て説明する。
て説明する。
【0244】まず、入力ライトバルブ284 A′,284
B′,284 C′に、多重結像カメラ292 ′により撮影さ
れた入力パターンxij(t) がそれぞれ表示され、次いで
図示しない光源より赤色光からなる波長2842nm の読出
し光290 ′が偏光子281 ′を通じて記憶ライトバルブ28
2 A′,282 B′,282 C′に照射される。各記憶ライ
トバルブ282 A′,282 B′,282 C′は、時刻t-1 ま
でに入力されたパターンをある規則で記憶パターンm
klij(t-1) としてそれぞれ記憶されており、各記憶ライ
トバルブ282 A′,282 B′,282 C′に照射された読
出し光290 ′は、各記憶ライトバルブ282 A′,282
B′,282 C′に記憶されている記憶パターンmklij(t
-1) により変調されて、さらに偏光子283 ′を通じて光
の強度のパターンとして入力ライトバルブ284 A′,28
4 B′,284 C′に照射される。この入力ライトバルブ
284 A′,284 B′,284 C′において、前述した各実
施例と同様に、記憶ライトバルブ282 A′,282 B′,
282 C′を通ってきた読出し光90′の光パターンと、入
力ライトバルブ284 A′,284 B′,284 C′に表示さ
れているパターンとが重ね合せられる。
B′,284 C′に、多重結像カメラ292 ′により撮影さ
れた入力パターンxij(t) がそれぞれ表示され、次いで
図示しない光源より赤色光からなる波長2842nm の読出
し光290 ′が偏光子281 ′を通じて記憶ライトバルブ28
2 A′,282 B′,282 C′に照射される。各記憶ライ
トバルブ282 A′,282 B′,282 C′は、時刻t-1 ま
でに入力されたパターンをある規則で記憶パターンm
klij(t-1) としてそれぞれ記憶されており、各記憶ライ
トバルブ282 A′,282 B′,282 C′に照射された読
出し光290 ′は、各記憶ライトバルブ282 A′,282
B′,282 C′に記憶されている記憶パターンmklij(t
-1) により変調されて、さらに偏光子283 ′を通じて光
の強度のパターンとして入力ライトバルブ284 A′,28
4 B′,284 C′に照射される。この入力ライトバルブ
284 A′,284 B′,284 C′において、前述した各実
施例と同様に、記憶ライトバルブ282 A′,282 B′,
282 C′を通ってきた読出し光90′の光パターンと、入
力ライトバルブ284 A′,284 B′,284 C′に表示さ
れているパターンとが重ね合せられる。
【0245】このように重ね合せられた光パターンの光
量の総和は、相関度として、偏光子285 ′を通じてレン
ズセット286 ′を通り集光されて相関度入出力素子296
A,296 B,296 Cに入力される。ここで、相関度入出
力素子296 A,296 B,296Cには、相関度が明暗の情
報、すなわち入力パターンxij(t) と記憶パターン群m
klij(t-1) との積和の情報すなわち、
量の総和は、相関度として、偏光子285 ′を通じてレン
ズセット286 ′を通り集光されて相関度入出力素子296
A,296 B,296 Cに入力される。ここで、相関度入出
力素子296 A,296 B,296Cには、相関度が明暗の情
報、すなわち入力パターンxij(t) と記憶パターン群m
klij(t-1) との積和の情報すなわち、
【0246】
【数14】
【0247】なる演算がなされた情報が各パターン毎の
相関度ykl(t) として入力される。各相関度入出力素子
296 A,296 B,296 Cに入力された波長842nm の光よ
りなる相関度は、波長421nm の光に波長変換されて、レ
ンズセット286 ′および偏光子285 ′を通って折り返し
各入力ライトバルブ284 A′,284 B′,284 C′に入
力される。
相関度ykl(t) として入力される。各相関度入出力素子
296 A,296 B,296 Cに入力された波長842nm の光よ
りなる相関度は、波長421nm の光に波長変換されて、レ
ンズセット286 ′および偏光子285 ′を通って折り返し
各入力ライトバルブ284 A′,284 B′,284 C′に入
力される。
【0248】各入力ライトバルブ284 A′,284 B′,
284 C′に折り返し入力された波長変換後の相関度は、
各入力ライトバルブ284 A′,284 B′,284 C′に表
示されている入力パターンxij(t) により変調されて、
さらに偏光子283 ′を通じて光の強度のパターンとして
記憶ライトバルブ282 A′,282 B′,282 C′に入力
される。ここで入力パターンと各記憶ライトバルブ282
A′,282 B′,282C′に記憶されているパターンと
の相関度が大きかった記憶ライトバルブにはより強度の
大きい、すなわちより強い重み付けがなされた入力パタ
ーンが入力され、相関度が小さかった記憶ライトバルブ
には強度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もしく
は重み付けがされていない)入力パターンが入力される
こととなる。波長変換された相関度は各記憶ライトバル
ブ282 A′,282 B′,282 C′に光パターンの書込み
が可能な波長の光であるため、各記憶ライトバルブ282
A′,282 B′,282 C′には、各記憶ライトバルブ28
2 A′,282 B′,282 C′に記憶されている記憶パタ
ーンと入力パターンとの相関度に応じて重み付けがなさ
れたパターンが、すでに各記憶ライトバルブ282 A′,
282 B′,282 C′に記憶されている記憶パターンに重
ねて書き込まれ、記憶パターン群の更新(学習)がなさ
れる。
284 C′に折り返し入力された波長変換後の相関度は、
各入力ライトバルブ284 A′,284 B′,284 C′に表
示されている入力パターンxij(t) により変調されて、
さらに偏光子283 ′を通じて光の強度のパターンとして
記憶ライトバルブ282 A′,282 B′,282 C′に入力
される。ここで入力パターンと各記憶ライトバルブ282
A′,282 B′,282C′に記憶されているパターンと
の相関度が大きかった記憶ライトバルブにはより強度の
大きい、すなわちより強い重み付けがなされた入力パタ
ーンが入力され、相関度が小さかった記憶ライトバルブ
には強度の小さい、すなわち、重み付けが弱い(もしく
は重み付けがされていない)入力パターンが入力される
こととなる。波長変換された相関度は各記憶ライトバル
ブ282 A′,282 B′,282 C′に光パターンの書込み
が可能な波長の光であるため、各記憶ライトバルブ282
A′,282 B′,282 C′には、各記憶ライトバルブ28
2 A′,282 B′,282 C′に記憶されている記憶パタ
ーンと入力パターンとの相関度に応じて重み付けがなさ
れたパターンが、すでに各記憶ライトバルブ282 A′,
282 B′,282 C′に記憶されている記憶パターンに重
ねて書き込まれ、記憶パターン群の更新(学習)がなさ
れる。
【0249】以上の動作を繰り返して、入力ライトバル
ブ284 A′,284 B′,284 C′に入力される様々なパ
ターンと、各記憶ライトバルブ282 A′,282 B′,28
2 C′に記憶されている記憶パターンとの相関度に応じ
た重みで記憶パターン群mklij(t-1) の更新を行うこと
によって、自己組織化学習を行うのである。
ブ284 A′,284 B′,284 C′に入力される様々なパ
ターンと、各記憶ライトバルブ282 A′,282 B′,28
2 C′に記憶されている記憶パターンとの相関度に応じ
た重みで記憶パターン群mklij(t-1) の更新を行うこと
によって、自己組織化学習を行うのである。
【0250】次いで、本発明の第13実施例について説明
する。
する。
【0251】図32は、本発明の第13実施例による自己組
織化パターン学習システムを表す図である。
織化パターン学習システムを表す図である。
【0252】図32に示すように、本発明の第13実施例に
よる自己組織化パターン学習システム299 は、図31に示
した本発明の第12実施例による相関度入出力素子296
A,296 B,296 Cを、赤色光を入力しこの赤色光の強
度に応じた青色光を出力する光学演算素子320 A,320
B,320 Cとしたものであり、記憶ライトバルブ、入力
ライトバルブ等は、図30,図31に示した本発明の第11,
第12実施例による自己組織化パターン学習システムと同
一であるため、対応する番号に「″」を付し、詳細な説
明は省略する。
よる自己組織化パターン学習システム299 は、図31に示
した本発明の第12実施例による相関度入出力素子296
A,296 B,296 Cを、赤色光を入力しこの赤色光の強
度に応じた青色光を出力する光学演算素子320 A,320
B,320 Cとしたものであり、記憶ライトバルブ、入力
ライトバルブ等は、図30,図31に示した本発明の第11,
第12実施例による自己組織化パターン学習システムと同
一であるため、対応する番号に「″」を付し、詳細な説
明は省略する。
【0253】まず、光学演算素子320 A,320 B,320
Cについて説明する。なお、各光学演算素子の構成は同
一であるため、光学演算素子320 Aについてのみ説明す
る。
Cについて説明する。なお、各光学演算素子の構成は同
一であるため、光学演算素子320 Aについてのみ説明す
る。
【0254】光学演算素子320 Aは、赤色光を受光する
受光素子321 Aと、青色光を発するLED等の発光素子
322 Aと、赤色光の強度に応じて青色光の強度を制御す
る演算素子323 Aとからなるものである。
受光素子321 Aと、青色光を発するLED等の発光素子
322 Aと、赤色光の強度に応じて青色光の強度を制御す
る演算素子323 Aとからなるものである。
【0255】光学演算素子320 A,320 B,220 Cをこ
のように構成することにより、前述した本発明による第
12実施例のように、偏光子285 ″を通じてレンズセット
286″を通ってきた相関度としての光は各光学演算素子3
20 A,320 B,320 Cの各受光素子321 A,321 B,3
21 Cに受光され、受光された光の強度すなわち相関度
の大きさにに応じて発光素子322 A,322 B,322 Cか
ら波長421nm の青色光が発光される。この青色光は、レ
ンズセット286 ″、偏光子285 ″を通って折り返し各入
力ライトバルブ284 A″,284 B″,284 C″に入力さ
れ、前述した本発明による第12実施例と同様に自己組織
化学習がなされる。
のように構成することにより、前述した本発明による第
12実施例のように、偏光子285 ″を通じてレンズセット
286″を通ってきた相関度としての光は各光学演算素子3
20 A,320 B,320 Cの各受光素子321 A,321 B,3
21 Cに受光され、受光された光の強度すなわち相関度
の大きさにに応じて発光素子322 A,322 B,322 Cか
ら波長421nm の青色光が発光される。この青色光は、レ
ンズセット286 ″、偏光子285 ″を通って折り返し各入
力ライトバルブ284 A″,284 B″,284 C″に入力さ
れ、前述した本発明による第12実施例と同様に自己組織
化学習がなされる。
【0256】なお、上述した本発明の第13実施例におい
ては、発光素子322 A,322 B,322 Cから青色光を発
光させるようにしているが、発光素子322 A,322 B,
322Cを光変調素子とし、相関度に応じて光変調素子を
変調させ、この光変調素子に外部光源より青色光を照射
して青色光を変調させて、この変調された青色光を入力
ライトバルブ284 A″,284 B″,284 C″に入力する
ようにしてもよい。
ては、発光素子322 A,322 B,322 Cから青色光を発
光させるようにしているが、発光素子322 A,322 B,
322Cを光変調素子とし、相関度に応じて光変調素子を
変調させ、この光変調素子に外部光源より青色光を照射
して青色光を変調させて、この変調された青色光を入力
ライトバルブ284 A″,284 B″,284 C″に入力する
ようにしてもよい。
【0257】また、上述した本発明の第11,12および13
実施例においては、多重結像カメラ292 ,292 ′,292
″より入力パターンxij(t) を入力するようにしてい
るが、これに限定されるものではなく、例えば、図33に
示すように、単一レンズカメラ330 より入力された入力
パターンを、入力像マルチパターンバッファ331 により
マルチ化して、このマルチ化された入力パターンを入力
ライトバルブに入力するようにしてもよい。
実施例においては、多重結像カメラ292 ,292 ′,292
″より入力パターンxij(t) を入力するようにしてい
るが、これに限定されるものではなく、例えば、図33に
示すように、単一レンズカメラ330 より入力された入力
パターンを、入力像マルチパターンバッファ331 により
マルチ化して、このマルチ化された入力パターンを入力
ライトバルブに入力するようにしてもよい。
【0258】また、上述した各実施例においては、前述
した光学的パターン相関度検出手段を構成するパターン
群記憶手段に記憶されている記憶パターン群のすべてま
たはその一部を消去するための記憶パターン消去手段を
設けるようにしてもよい。
した光学的パターン相関度検出手段を構成するパターン
群記憶手段に記憶されている記憶パターン群のすべてま
たはその一部を消去するための記憶パターン消去手段を
設けるようにしてもよい。
【0259】すなわち、図34に示すように、パターン群
記憶手段340 の各光変調素子340 A,340 B,340 Cに
記憶される記憶パターンを、消去手段341 から発生され
る消去信号により、消去するようにしてもよい。例え
ば、図35に示すように前述した図4に示す自己組織化パ
ターン学習システムを構成する記憶/表示ライトバルブ
14A,14B,14Cに消去信号Eを入力するための消去信
号発生回路350 を設けるようにしてもよく、また、図36
に示すように図30に示す自己組織化パターン学習システ
ムを構成する記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 C
に記憶されている記憶パターンを消去可能な消去光291
′を記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに入力
するようにしてもよく、また記憶ライトバルブ282 A,
282 B,282Cの電圧を変調して各記憶ライトバルブ282
A,282 B,282 Cに記憶されている記憶パターンを
消去するための電圧変調手段360 を設けるようにしても
よい。
記憶手段340 の各光変調素子340 A,340 B,340 Cに
記憶される記憶パターンを、消去手段341 から発生され
る消去信号により、消去するようにしてもよい。例え
ば、図35に示すように前述した図4に示す自己組織化パ
ターン学習システムを構成する記憶/表示ライトバルブ
14A,14B,14Cに消去信号Eを入力するための消去信
号発生回路350 を設けるようにしてもよく、また、図36
に示すように図30に示す自己組織化パターン学習システ
ムを構成する記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 C
に記憶されている記憶パターンを消去可能な消去光291
′を記憶ライトバルブ282 A,282 B,282 Cに入力
するようにしてもよく、また記憶ライトバルブ282 A,
282 B,282Cの電圧を変調して各記憶ライトバルブ282
A,282 B,282 Cに記憶されている記憶パターンを
消去するための電圧変調手段360 を設けるようにしても
よい。
【0260】このように、記憶パターン消去手段を設
け、パターン群記憶手段に記憶されている記憶パターン
群のすべてまたはその一部を消去することにより、前述
した図12に示す本発明の第4実施例および図21に示す本
発明の第6実施例と同様にパターン群記憶手段にうっす
らと記憶されている学習初期段階の記憶パターンを消去
することができるため、学習が終了した際のパターン群
記憶手段の記憶パターンに、他のパターンが重なって学
習されることのないものとなり、より好ましい。
け、パターン群記憶手段に記憶されている記憶パターン
群のすべてまたはその一部を消去することにより、前述
した図12に示す本発明の第4実施例および図21に示す本
発明の第6実施例と同様にパターン群記憶手段にうっす
らと記憶されている学習初期段階の記憶パターンを消去
することができるため、学習が終了した際のパターン群
記憶手段の記憶パターンに、他のパターンが重なって学
習されることのないものとなり、より好ましい。
【0261】さらに、上述した第4から第8および第11
から第13実施例においては記憶/表示ライトバルブまた
は記憶ライトバルブとしてBSOを用いているが、とく
にこれに限定されるものではなく所定の波長の光により
書込み可能であり、所定の波長の光とは異なる波長の光
により書込みされない記憶ライトバルブであれば、いか
なる記憶ライトバルブを用いるようにしてもよい。
から第13実施例においては記憶/表示ライトバルブまた
は記憶ライトバルブとしてBSOを用いているが、とく
にこれに限定されるものではなく所定の波長の光により
書込み可能であり、所定の波長の光とは異なる波長の光
により書込みされない記憶ライトバルブであれば、いか
なる記憶ライトバルブを用いるようにしてもよい。
【0262】また、上述した本発明による第1から第13
実施例においては、記憶ライトバルブ、光入力素子、相
関検出素子等を1次元状に3個配置しているが、各素子
はいくつ設けてもよく、また2次元状に設けてもよいこ
とはもちろんである。
実施例においては、記憶ライトバルブ、光入力素子、相
関検出素子等を1次元状に3個配置しているが、各素子
はいくつ設けてもよく、また2次元状に設けてもよいこ
とはもちろんである。
【0263】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
る自己組織化パターン学習システムは、レンズ結像系を
用いることなく、入力されるパターンの自己組識化学習
を行うことができるため、システムをコンパクトに構成
することができる。さらには、レンズ収差や外部からの
光ノイズ、レンズの位置精度やアライメントを考慮する
必要が無いためシステムの低コスト化を実現することが
できる。また、レンズ結像系がないため、振動に強く、
光の伝達効率の優れたシステムを構築することができ
る。また、Taiweiらの実験系のように、検出された相関
度を各ライトバルブ毎にコンピュータに入力するための
結線が不要であるため、自己組織化学習を行うための装
置をコンパクトに構成することができるとともに、シス
テムの低コスト化および高速処理を行うことができる。
る自己組織化パターン学習システムは、レンズ結像系を
用いることなく、入力されるパターンの自己組識化学習
を行うことができるため、システムをコンパクトに構成
することができる。さらには、レンズ収差や外部からの
光ノイズ、レンズの位置精度やアライメントを考慮する
必要が無いためシステムの低コスト化を実現することが
できる。また、レンズ結像系がないため、振動に強く、
光の伝達効率の優れたシステムを構築することができ
る。また、Taiweiらの実験系のように、検出された相関
度を各ライトバルブ毎にコンピュータに入力するための
結線が不要であるため、自己組織化学習を行うための装
置をコンパクトに構成することができるとともに、シス
テムの低コスト化および高速処理を行うことができる。
【図1】従来の技術を説明するためのTaiweiらの実験系
を表す図
を表す図
【図2】本発明の第1の基本的概念を表す図
【図3】入力パターンと各光変調素子に記憶されている
パターンとの相関を説明するための図
パターンとの相関を説明するための図
【図4】本発明の第1実施例による自己組織化パターン
学習システムを表す図
学習システムを表す図
【図5】本発明の第2実施例による自己組織化パターン
学習システムを表す図
学習システムを表す図
【図6】積相関と差分相関とを説明するための図
【図7】本発明の第1または第2実施例における光入力
素子を発光素子とした自己組織化パターン学習システム
を表す図
素子を発光素子とした自己組織化パターン学習システム
を表す図
【図8】本発明の第2の基本的概念を表す図
【図9】本発明の第3実施例による自己組織化パターン
学習システムを表す図
学習システムを表す図
【図10】本発明の第3実施例における光入力素子を発
光素子とした自己組織化パターン学習システムを表す図
光素子とした自己組織化パターン学習システムを表す図
【図11】本発明の第3の基本的概念を表す図
【図12】本発明の第4実施例による自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ン学習システムを表す図
【図13】本発明の第4実施例において差分相関を行う
自己組織化パターン学習システムを表す図
自己組織化パターン学習システムを表す図
【図14】本発明の第4実施例において差分相関を行う
別の自己組織化パターン学習システムを表す図
別の自己組織化パターン学習システムを表す図
【図15】本発明の第4実施例における制御ライトバル
ブを発光素子とした自己組織化パターン学習システムを
表す図
ブを発光素子とした自己組織化パターン学習システムを
表す図
【図16】本発明の第4実施例において入力ライトバル
ブに入力パターンを光学的に入力する自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ブに入力パターンを光学的に入力する自己組織化パター
ン学習システムを表す図
【図17】本発明の第4の基本的概念を表す図
【図18】本発明の第5実施例による自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ン学習システムを表す図
【図19】本発明の第5実施例における光制御ライトバ
ルブを発光素子とした自己組織化パターン学習システム
を表す図
ルブを発光素子とした自己組織化パターン学習システム
を表す図
【図20】本発明の第5の基本的概念を表す図
【図21】本発明の第6実施例による自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ン学習システムを表す図
【図22】本発明の第6実施例において差分相関を行う
自己組織化パターン学習システムを表す図
自己組織化パターン学習システムを表す図
【図23】本発明の第6実施例における入力ライトバル
ブを発光素子とした自己組織化パターン学習システムを
表す図
ブを発光素子とした自己組織化パターン学習システムを
表す図
【図24】本発明の第6実施例において入力ライトバル
ブに入力パターンを光学的に入力する自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ブに入力パターンを光学的に入力する自己組織化パター
ン学習システムを表す図
【図25】本発明の第7実施例による自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ン学習システムを表す図
【図26】本発明の実施例に用いる空間光変調素子を表
す概略図
す概略図
【図27】本発明の第8実施例による自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ン学習システムを表す図
【図28】本発明の第9実施例による自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ン学習システムを表す図
【図29】本発明の第10実施例による自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ン学習システムを表す図
【図30】本発明の第11実施例による自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ン学習システムを表す図
【図31】本発明の第12実施例による自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ン学習システムを表す図
【図32】本発明の第13実施例による自己組織化パター
ン学習システムを表す図
ン学習システムを表す図
【図33】本発明の第13実施例において入力パターンを
電気的にマルチ化する自己組織化パターン学習システム
を表す図
電気的にマルチ化する自己組織化パターン学習システム
を表す図
【図34】本発明による自己組織化パターン学習システ
ムを構成するパターン群記憶手段にパターン消去手段を
設ける実施例を表す図
ムを構成するパターン群記憶手段にパターン消去手段を
設ける実施例を表す図
【図35】本発明の第1実施例による自己組織化パター
ン学習システムにパターン消去手段を設けた実施例を表
す図
ン学習システムにパターン消去手段を設けた実施例を表
す図
【図36】本発明の第11実施例による自己組織化パター
ン学習システムにパターン消去手段を設けた実施例を表
す図
ン学習システムにパターン消去手段を設けた実施例を表
す図
【図37】Taiweiらの実験系を表す図
1,21,41 光パターン入力手段 1A,1B,1C,21A,21B,21C,41A,41B,41
C光入力素子 12A,12B,12C,34A,34B,34C,54A,54B,54
C,64A,64B,64C,108 ,108 ′205 A,205 B,
205 C,229 A,229 B,229 C,241 ,262 A,262
B,262 C,267 A,267 B,267 C,284 A,284
B,284 C,284 A′,284 B′,284 C′,284
A″,284 B″,284 C″ 入力ライトバルブ 2,22,42,72 光変調素子群 2A,2B,2C,22A,22B,22C,42A,42B,42
C,72A,72B,72C 光変調素子 14A,14B,14C,32A,32B,32C,56A,56B,56
C,83A,83B,83C, 102A, 102A′, 102B, 1
02B′,102C,102 C′ 記憶/表示ライトバルブ 3,23,43,73 相関検出素子群 3A,3B,3C,23A,23B,23C,43A,43B,43
C,73A,73B,73C 相関検出素子 16A,16B,16C,36A,36B,36C,58A,58B,58
C,111 ,111 ′ 相関出力検出器アレイ 4,24 演算手段 11,13,15,31,33,35,51,53,55,57,101 ,101
′,103 ,103 ′,106 ,106 ′,107 ,107 ′204
,206 ,208 ,243 ,248 ,252 ,258 ,281 ,281
′281 ″,283 ,283 ′,283 ″,285 ,285 ′,285
″ 偏光子 18A,18B,18C,38A,38B,38C,52A′,52
B′,52C′,54A′,54B′,54C′,81A,81B,
81C 発光素子 48 光制御手段 48A,48B,48C,52A,52B,52C 光制御素子 71 光制御素子群 71A,71B,71C,81A,81B,81C 光制御素子 207 A,207 B,207 C,247 A,247 B,247 C,26
4 A,264 B,264 C,282 A,282 B,282 C,282
A′,282 B′,282 C′,282 A″,282 B″,282
C″ 記憶ライトバルブ 209 A,209 B,209 C,249 A,249 B,249 C,26
5 A,265 B,265 C 相関出力ラインバルブ 204 ,206 ,208 ,243 ,248 ,252 ,258 ,281 ,28
1 ′,281 ″,283 ,283 ′,283 ″,285 ,285 ′,
285 ″ 偏光子 202 ,203 光源 287 A,287 B,287 C 相関度記憶素子 296 A,296 B,296 C 相関度入出力素子 320 A,320 B,320 C 光学演算素子 341 ,350 ,360 消去手段 xij(t) 入力パターン ykl(t) 相関度
C光入力素子 12A,12B,12C,34A,34B,34C,54A,54B,54
C,64A,64B,64C,108 ,108 ′205 A,205 B,
205 C,229 A,229 B,229 C,241 ,262 A,262
B,262 C,267 A,267 B,267 C,284 A,284
B,284 C,284 A′,284 B′,284 C′,284
A″,284 B″,284 C″ 入力ライトバルブ 2,22,42,72 光変調素子群 2A,2B,2C,22A,22B,22C,42A,42B,42
C,72A,72B,72C 光変調素子 14A,14B,14C,32A,32B,32C,56A,56B,56
C,83A,83B,83C, 102A, 102A′, 102B, 1
02B′,102C,102 C′ 記憶/表示ライトバルブ 3,23,43,73 相関検出素子群 3A,3B,3C,23A,23B,23C,43A,43B,43
C,73A,73B,73C 相関検出素子 16A,16B,16C,36A,36B,36C,58A,58B,58
C,111 ,111 ′ 相関出力検出器アレイ 4,24 演算手段 11,13,15,31,33,35,51,53,55,57,101 ,101
′,103 ,103 ′,106 ,106 ′,107 ,107 ′204
,206 ,208 ,243 ,248 ,252 ,258 ,281 ,281
′281 ″,283 ,283 ′,283 ″,285 ,285 ′,285
″ 偏光子 18A,18B,18C,38A,38B,38C,52A′,52
B′,52C′,54A′,54B′,54C′,81A,81B,
81C 発光素子 48 光制御手段 48A,48B,48C,52A,52B,52C 光制御素子 71 光制御素子群 71A,71B,71C,81A,81B,81C 光制御素子 207 A,207 B,207 C,247 A,247 B,247 C,26
4 A,264 B,264 C,282 A,282 B,282 C,282
A′,282 B′,282 C′,282 A″,282 B″,282
C″ 記憶ライトバルブ 209 A,209 B,209 C,249 A,249 B,249 C,26
5 A,265 B,265 C 相関出力ラインバルブ 204 ,206 ,208 ,243 ,248 ,252 ,258 ,281 ,28
1 ′,281 ″,283 ,283 ′,283 ″,285 ,285 ′,
285 ″ 偏光子 202 ,203 光源 287 A,287 B,287 C 相関度記憶素子 296 A,296 B,296 C 相関度入出力素子 320 A,320 B,320 C 光学演算素子 341 ,350 ,360 消去手段 xij(t) 入力パターン ykl(t) 相関度
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年1月14日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0068
【補正方法】変更
【補正内容】
【0068】相関出力用検出器アレイ16A,16B,16C
により検出された各相関度ykl(t)は、処理系の学習許
可パターンバッファ120 に入力され、ここに一旦記憶さ
れる。一方、この処理系においては多重結像カメラ17よ
り入力された入力パターンxij(t) よりバイアス成分k
が減算され(xij(t) −k)、これと学習許可パターン
バッファ120 に記憶されている相関度ykl(t) とのスカ
ラー乗算(ykl(t) ×(xij(t) −k))が行われ、さら
にこれに学習係数αがスカラー乗算される(α×(ykl
(t) ×(xij(t) −k))) 。次いで、この値と記憶パタ
ーンバッファB123 に記憶されている記憶パターン群m
klij(t-1) との加算がそれぞれ対応するライトバルブ毎
に行われ、新たな記憶パターンとしての学習パターンm
klij(t)が算出される。以上なされる演算を式で表す
と、 mklij(t) =mklij(t-1) +α×((xij(t) −k) ×ykl(t))) …(5) となる。新たな記憶パターンmklij(t) は記憶パターン
バッファA122 に記憶され記憶パターン群の更新(学
習)がなされる。次いで記憶パターンバッファA122 の
内容は記憶パターンバッファB123 にも複写される。 ─────────────────────────────────────────────────────
により検出された各相関度ykl(t)は、処理系の学習許
可パターンバッファ120 に入力され、ここに一旦記憶さ
れる。一方、この処理系においては多重結像カメラ17よ
り入力された入力パターンxij(t) よりバイアス成分k
が減算され(xij(t) −k)、これと学習許可パターン
バッファ120 に記憶されている相関度ykl(t) とのスカ
ラー乗算(ykl(t) ×(xij(t) −k))が行われ、さら
にこれに学習係数αがスカラー乗算される(α×(ykl
(t) ×(xij(t) −k))) 。次いで、この値と記憶パタ
ーンバッファB123 に記憶されている記憶パターン群m
klij(t-1) との加算がそれぞれ対応するライトバルブ毎
に行われ、新たな記憶パターンとしての学習パターンm
klij(t)が算出される。以上なされる演算を式で表す
と、 mklij(t) =mklij(t-1) +α×((xij(t) −k) ×ykl(t))) …(5) となる。新たな記憶パターンmklij(t) は記憶パターン
バッファA122 に記憶され記憶パターン群の更新(学
習)がなされる。次いで記憶パターンバッファA122 の
内容は記憶パターンバッファB123 にも複写される。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年2月2日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】
【数1】
Claims (43)
- 【請求項1】 多数の異なったパターンを学習する自己
組織化パターン学習システムにおいて、 多数のパターンを記憶するパターン群記憶手段と、入力
されたパターンを表示する入力パターン表示手段と、光
検出手段とからなり、該入力パターン表示手段、該パタ
ーン群記憶手段、該光検出手段のすべてまたはいずれか
2つの手段が隣接して配置され、前記パターン群記憶手
段に記憶されている各記憶パターンと、前記入力パター
ン表示手段に表示された入力パターン群とのパターン相
関度を、前記光検出手段により光学的に検出する光学的
パターン相関度検出手段と、 該光学的パターン相関度検出手段により検出された光学
的パターン相関度と前記入力パターンとに応じて、学習
パターン群を作成する学習パターン群作成手段と、 該学習パターン群作成手段により作成された学習パター
ン群に応じて、前記パターン群記憶手段に記憶されてい
る記憶パターン群を更新する記憶パターン更新手段とか
らなることを特徴とする自己組織化パターン学習システ
ム。 - 【請求項2】 前記光学的パターン相関度検出手段が、
入力パターン表示手段、パターン群記憶手段、光検出手
段の順に配置されてなることを特徴とする請求項1記載
の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項3】 前記入力パターン表示手段から前記パタ
ーン群記憶手段へのパターンの伝達を、強度パターン光
によって行うことを特徴とする請求項2記載の自己組織
化パターン学習システム。 - 【請求項4】 前記入力パターン表示手段から前記パタ
ーン群記憶手段へのパターンの伝達を、偏光パターン光
によって行うことを特徴とする請求項2記載の自己組織
化パターン学習システム。 - 【請求項5】 前記入力パターン表示手段が、照明手段
と、該照明手段から出力される光を変調して入力パター
ン光を発生する光変調素子とからなることを特徴とする
請求項2,3または4記載の自己組織化パターン学習シ
ステム。 - 【請求項6】 前記入力パターン表示手段が、入力パタ
ーン光を発生する発光素子からなることを特徴とする請
求項2または3記載の自己組織化パターン学習システ
ム。 - 【請求項7】 前記光学的パターン相関度検出手段が、
パターン群記憶手段、入力パターン表示手段、光検出手
段の順に配置されてなることを特徴とする請求項1記載
の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項8】 前記パターン群記憶手段から前記入力パ
ターン表示手段へのパターンの伝達を、強度パターン光
によって行うことを特徴とする請求項7記載の自己組織
化パターン学習システム。 - 【請求項9】 前記パターン群記憶手段から前記入力パ
ターン表示手段へのパターンの伝達を、偏光パターン光
によって行うことを特徴とする請求項7記載の自己組織
化パターン学習システム。 - 【請求項10】 前記パターン群記憶手段が、照明手段
と、該照明手段から出力される光を変調して光パターン
を発生する光パターン変調素子群とからなることを特徴
とする請求項7,8または9記載の自己組織化パターン
学習システム。 - 【請求項11】 前記パターン群記憶手段が、光パター
ンを発生する光パターン発光素子群とからなることを特
徴とする請求項7,8または9記載の自己組織化パター
ン学習システム。 - 【請求項12】 前記学習パターン群作成手段が、前記
光学的パターン相関度検出手段により検出される前記パ
ターン相関度に応じて、電気的な演算により重み付けら
れた学習パターン群を作成する学習パターン群演算手段
と、前記学習パターン群を表示する学習パターン群表示
手段とからなることを特徴とする請求項1記載の自己組
織化パターン学習システム。 - 【請求項13】 前記学習パターン群表示手段が、照明
手段と、該照明手段から出力される光を変調して前記学
習パターン群を出力する光変調素子群とからなることを
特徴とする請求項12記載の自己組織化パターン学習シス
テム。 - 【請求項14】 前記学習パターン群表示手段が、前記
学習パターン群を出力する発光素子群からなることを特
徴とする請求項12記載の自己組織化パターン学習システ
ム。 - 【請求項15】 前記学習パターン群作成手段が、前記
光学的パターン相関度検出手段により検出される前記パ
ターン相関度に応じて、相関度光群を出力する相関度光
群出力手段と、該相関度光群出力手段により出力された
相関度光群の各相関度光を入力パターンに応じたパター
ン光に変調する入力パターン表示手段とからなることを
特徴とする請求項1記載の自己組織化パターン学習シス
テム。 - 【請求項16】 前記相関度光群出力手段が、照明手段
と複数の光変調素子群とからなり、該照明手段から出力
される光を前記複数の光変調素子毎に変調して前記相関
度光群を出力することを特徴とする請求項15記載の自己
組織化パターン学習システム。 - 【請求項17】 前記相関度光群出力手段が、前記相関
度光群を出力する発光素子群からなることを特徴とする
請求項15記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項18】 前記光学的パターン相関度検出手段を
構成する前記光検出手段が複数の相関度検出素子からな
り、前記相関度光群出力手段の各光変調素子が、前記各
相関度検出素子に対応して隣接することを特徴とする請
求項16記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項19】 前記光学的パターン相関度検出手段を
構成する前記光検出手段が複数の相関度検出素子からな
り、前記相関度光群出力手段の各発光素子が、前記各相
関度検出素子に対応して隣接することを特徴とする請求
項17記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項20】 前記相関度光群出力手段が、前記光学
的パターン相関度検出手段を兼ねる光検出/出力手段で
あることを特徴とする請求項15,16または17記載の自己
組織化パターン学習システム。 - 【請求項21】 前記学習パターン群作成手段を構成す
る前記入力パターン表示手段に表示する前記入力パター
ン群を、電気的演算手段によって作成することを特徴と
する請求項15記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項22】 前記学習パターン群作成手段を構成す
る前記入力パターン表示手段に表示する前記入力パター
ン群を、光学的手段によって作成することを特徴とする
請求項15記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項23】 前記光学的または前記電気的手段によ
って作成された前記入力パターン群を、前記学習パター
ン群作成手段を構成する前記入力パターン表示手段に電
気的手段によって書き込み表示することを特徴とする請
求項21または22記載の自己組織化パターン学習システ
ム。 - 【請求項24】 前記光学的または前記電気的手段によ
って作成された前記入力パターン群を、前記学習パター
ン群作成手段を構成する前記入力パターン表示手段に光
学的手段によって書き込み表示することを特徴とする請
求項22記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項25】 前記相関度光群出力手段から出力され
る前記パターン相関度を光の強度により伝達することを
特徴とする請求項15から24のいずれか1項記載の自己組
織化パターン学習システム。 - 【請求項26】 前記相関度光群出力手段から出力され
る前記パターン相関度を光の偏光状態により伝達するこ
とを特徴とする請求項15から24のいずれか1項記載の自
己組織化パターン学習システム。 - 【請求項27】 前記光学的パターン相関度検出手段を
構成する前記入力パターン表示手段と、前記学習パター
ン群作成手段を構成する前記入力パターン表示手段と
が、共通の手段であることを特徴とする請求項15記載の
自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項28】 前記学習パターン群作成手段が、入力
パターンに応じたパターン光群を出力する入力パターン
出力手段と、前記光学的パターン相関度検出手段により
検出される前記パターン相関度に応じて、前記入力パタ
ーン出力手段から出力される前記入力パターン光群を変
調する相関度光群変調手段とからなることを特徴とする
請求項1記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項29】 前記学習パターン群作成手段を構成す
る前記入力パターン出力手段がパターン表示素子からな
り、該パターン表示素子に表示する入力パターン群を、
電気的演算手段によって作成することを特徴とする請求
項28記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項30】 前記学習パターン群作成手段を構成す
る前記入力パターン出力手段がパターン表示素子からな
り、該パターン表示素子に表示する入力パターン群を、
光学的手段によって作成することを特徴とする請求項28
記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項31】 前記学習パターン群作成手段を構成す
る前記入力パターン出力手段が前記入力パターン群を電
気的に書込み可能なパターン表示素子からなり、該パタ
ーン表示素子に前記入力パターン群を、電気的手段によ
って書き込み表示することを特徴とする請求項28,29ま
たは30記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項32】 前記学習パターン群作成手段を構成す
る前記入力パターン出力手段が前記入力パターン群を光
学的に書込み可能なパターン表示素子からなり、該パタ
ーン表示素子に前記入力パターン群を、光学的手段によ
って書き込み表示することを特徴とする請求項28,29ま
たは30記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項33】 前記入力パターン出力手段が、照明手
段と複数の光変調素子とからなり、前記照明手段からの
光を前記複数の光変調素子毎に変調して前記入力パター
ン光群を出力することを特徴とする請求項28から32のい
ずれか1項記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項34】 前記入力パターン出力手段が、前記入
力パターン光群を出力する発光素子群であることを特徴
とする請求項28から32のいずれか1項記載の自己組織化
パターン学習システム。 - 【請求項35】 前記光学的パターン相関度検出手段を
構成する前記入力パターン表示手段と、前記学習パター
ン群作成手段を構成する前記入力パターン表示手段と
が、共通の手段であることを特徴とする請求項28から34
のいずれか1項記載の自己組織化パターン学習システ
ム。 - 【請求項36】 前記入力パターン出力手段が、前記相
関度光群変調手段に隣接することを特徴とする請求項28
から34のいずれか1項記載の自己組織化パターン学習シ
ステム。 - 【請求項37】 前記記憶パターン更新手段が、前記学
習パターン群作成手段によって作成された前記学習パタ
ーン群に応じて、前記パターン群記憶手段に記憶されて
いる前記記憶パターン群を光学的に更新することを特徴
とする請求項1記載の自己組織化パターン学習システ
ム。 - 【請求項38】 前記光学的パターン相関度検出手段を
構成する前記光検出手段により検出される光と、前記記
憶パターン更新手段により前記記憶パターン群が更新さ
れる光とが、前記パターン群記憶手段の光学的特性に応
じた異なる波長の光であることを特徴とする請求項37記
載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項39】 前記記憶パターン更新手段が、前記学
習パターン群作成手段によって作成された前記学習パタ
ーン群に応じて、前記パターン群記憶手段に記憶されて
いる前記記憶パターン群を電気的に更新することを特徴
とする請求項1記載の自己組織化パターン学習システ
ム。 - 【請求項40】 前記光学的パターン相関度検出手段を
構成する前記パターン群記憶手段に記憶されている前記
記憶パターン群のすべてまたはその一部を消去する記憶
パターン消去手段を有することを特徴とする請求項1記
載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項41】 前記記憶パターン消去手段が電気的手
段であることを特徴とする請求項40記載の自己組織化
パターン学習システム。 - 【請求項42】 前記記憶パターン消去手段が電気的手
段と光学的手段との組み合わせからなることを特徴とす
る請求項40記載の自己組織化パターン学習システム。 - 【請求項43】 前記記憶パターン更新手段が、前記光
学的パターン相関度検出手段を構成する前記パターン群
記憶手段からなることを特徴とする請求項1記載の自己
組織化パターン学習システム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5048432A JPH06259157A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 自己組織化パターン学習システム |
| EP94103633A EP0615208B1 (en) | 1993-03-10 | 1994-03-09 | Self-organizing pattern learning system |
| US08/208,988 US5630022A (en) | 1993-03-10 | 1994-03-09 | Self-organizing pattern learning optical system |
| DE69431377T DE69431377T2 (de) | 1993-03-10 | 1994-03-09 | Selbstorganisierendes Musterlernsystem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5048432A JPH06259157A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 自己組織化パターン学習システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06259157A true JPH06259157A (ja) | 1994-09-16 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5048432A Pending JPH06259157A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 自己組織化パターン学習システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5630022A (ja) |
| EP (1) | EP0615208B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06259157A (ja) |
| DE (1) | DE69431377T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007164704A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Kyushu Institute Of Technology | 自己組織化マップを用いる装置、その方法及びプログラム |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| US7783581B2 (en) * | 2005-01-05 | 2010-08-24 | Nec Corporation | Data learning system for identifying, learning apparatus, identifying apparatus and learning method |
| US20150120627A1 (en) * | 2013-10-29 | 2015-04-30 | Qualcomm Incorporated | Causal saliency time inference |
| WO2019060645A1 (en) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | Look Dynamics, Inc. | PHOTONIC NEURONAL NETWORK SYSTEM |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2795015B2 (ja) * | 1991-01-09 | 1998-09-10 | 松下電器産業株式会社 | 空間光変調素子および神経ネットワーク回路 |
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- 1993-03-10 JP JP5048432A patent/JPH06259157A/ja active Pending
-
1994
- 1994-03-09 EP EP94103633A patent/EP0615208B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-09 DE DE69431377T patent/DE69431377T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-09 US US08/208,988 patent/US5630022A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007164704A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Kyushu Institute Of Technology | 自己組織化マップを用いる装置、その方法及びプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0615208B1 (en) | 2002-09-18 |
| DE69431377T2 (de) | 2003-05-22 |
| EP0615208A3 (en) | 1995-06-07 |
| EP0615208A2 (en) | 1994-09-14 |
| DE69431377D1 (de) | 2002-10-24 |
| US5630022A (en) | 1997-05-13 |
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