JPH0625960Y2 - ボンディングツール - Google Patents
ボンディングツールInfo
- Publication number
- JPH0625960Y2 JPH0625960Y2 JP1988030140U JP3014088U JPH0625960Y2 JP H0625960 Y2 JPH0625960 Y2 JP H0625960Y2 JP 1988030140 U JP1988030140 U JP 1988030140U JP 3014088 U JP3014088 U JP 3014088U JP H0625960 Y2 JPH0625960 Y2 JP H0625960Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding tool
- semiconductor element
- bonding
- insulating film
- flexible insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体素子の実装に用いるボンディングツー
ルに関する。
ルに関する。
第２図は従来のボンディングツールを示すものである。
図中１１はボンディングツール、１２は可撓性絶縁フィ
ルム、１３は可撓性絶縁フィルム上のリード、１４は半
導体素子、１５は半導体素子の電極部、１７は加熱時の
ボンディングツールの形状を示す。
図中１１はボンディングツール、１２は可撓性絶縁フィ
ルム、１３は可撓性絶縁フィルム上のリード、１４は半
導体素子、１５は半導体素子の電極部、１７は加熱時の
ボンディングツールの形状を示す。
また従来のボンディングツールはニッケルは７９％、ク
ロームは１３％、鉄は５％、モリブデンは０．７５〜
１．０％、炭素は０．１５％〜０．３５％の合金等を使
用していた。
ロームは１３％、鉄は５％、モリブデンは０．７５〜
１．０％、炭素は０．１５％〜０．３５％の合金等を使
用していた。
従来のボンディングツールの合金材料では、例えば熱膨
張係数が１１５×１０−７cm/cm/℃であった。
張係数が１１５×１０−７cm/cm/℃であった。
第２図においてボンディングツールは、左右一対の側壁
部よりパルス状の電流が供給され、この時、ボンディン
グツールの底辺部が加熱される。
部よりパルス状の電流が供給され、この時、ボンディン
グツールの底辺部が加熱される。
第２図のように可撓性絶縁フィルム状のリードは半導体
素子１４と重ね合わされ、この重ね合わされた部分が上
から上記加熱されたボンディングツールの底辺部が押し
つけられる。これによって半導体素子は可撓性絶縁フィ
ルムに実装される。
素子１４と重ね合わされ、この重ね合わされた部分が上
から上記加熱されたボンディングツールの底辺部が押し
つけられる。これによって半導体素子は可撓性絶縁フィ
ルムに実装される。
しかし従来のボンディングツールでは、左右一対の側壁
部よりパルス状の電流が供給され、ボンディングツール
の底辺部が加熱されると、左右一対の側壁部は肉厚の
為、温度が上昇しないのに対し、肉薄の底辺部のみ加熱
される為、上記ボンディングツールの材料の熱膨張によ
り左右一対の側壁部に比較して底辺部のみが膨張する事
となり、第２図中点線１７のように底辺部が撓む事とな
る。その結果、可撓性絶縁フィルムのリード１３は、半
導体素子の電極部１５にまんべんなく全辺に亘り、均一
に押し付けられなければならないのにかかわらず、半導
体素子の辺の中央部のボンディングが強く、端部のボン
ディングが弱くなり、可撓性絶縁フィルムのリードと半
導体素子の電極への押し付けが不均一となる。極端な場
合は一部のボンディングが不完全となり不良となる。
部よりパルス状の電流が供給され、ボンディングツール
の底辺部が加熱されると、左右一対の側壁部は肉厚の
為、温度が上昇しないのに対し、肉薄の底辺部のみ加熱
される為、上記ボンディングツールの材料の熱膨張によ
り左右一対の側壁部に比較して底辺部のみが膨張する事
となり、第２図中点線１７のように底辺部が撓む事とな
る。その結果、可撓性絶縁フィルムのリード１３は、半
導体素子の電極部１５にまんべんなく全辺に亘り、均一
に押し付けられなければならないのにかかわらず、半導
体素子の辺の中央部のボンディングが強く、端部のボン
ディングが弱くなり、可撓性絶縁フィルムのリードと半
導体素子の電極への押し付けが不均一となる。極端な場
合は一部のボンディングが不完全となり不良となる。
このような状態は半導体素子の外形サイズが大きくな
り、ボンディングツールの底辺部の寸法が大きくなれば
なるほど大きくなる。にもかかわらず、社会に流通する
半導体素子の寸法は益々大きくなる一方であり、従来の
ボンディングツールではこのようなニーズに答えきれな
くなってきた。
り、ボンディングツールの底辺部の寸法が大きくなれば
なるほど大きくなる。にもかかわらず、社会に流通する
半導体素子の寸法は益々大きくなる一方であり、従来の
ボンディングツールではこのようなニーズに答えきれな
くなってきた。
そこで、本考案は従来のこのような欠点点を解決する為
に、半導体素子の寸法が大きくなって、ボンディングツ
ールの底辺部の寸法が大きくなっても、ボンディングツ
ールの底辺部が返らないないようにし、ボンディング不
良が起こらないようにする事を目的とする。
に、半導体素子の寸法が大きくなって、ボンディングツ
ールの底辺部の寸法が大きくなっても、ボンディングツ
ールの底辺部が返らないないようにし、ボンディング不
良が起こらないようにする事を目的とする。
本考案によるボンディングツールは、半導体素子をパタ
ーン形成した基板上に搭載する、パルスヒート型のボン
ディングツールにおいて、上記ボンディングツールは左
右一対の側壁部と底辺部とからなる概コの字形の断面形
状をしており、上記ボンディングツールはニッケルが約
３２％、コバルトが約４％、鉄が約６４％を主成分とす
る合金よりなる事を特徴とする。
ーン形成した基板上に搭載する、パルスヒート型のボン
ディングツールにおいて、上記ボンディングツールは左
右一対の側壁部と底辺部とからなる概コの字形の断面形
状をしており、上記ボンディングツールはニッケルが約
３２％、コバルトが約４％、鉄が約６４％を主成分とす
る合金よりなる事を特徴とする。
以下本考案の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本考案によるボンディングツールを示すもので
ある。図中１はボンディングツール、２は可撓性絶縁フ
ィルム、３は可撓性絶縁フィルム上のリード、４は半導
体素子、５は半導体素子の電極部、７は加熱時のボンデ
ィングツールの形状を示す。
ある。図中１はボンディングツール、２は可撓性絶縁フ
ィルム、３は可撓性絶縁フィルム上のリード、４は半導
体素子、５は半導体素子の電極部、７は加熱時のボンデ
ィングツールの形状を示す。
また第３図は本考案によるボンディングツールのニッケ
ルが約３２％、コバルトが約４％、鉄が約６４％を主成
分とする合金材料の熱膨張曲線を示すものである。
ルが約３２％、コバルトが約４％、鉄が約６４％を主成
分とする合金材料の熱膨張曲線を示すものである。
以上のように構成されたボンディングツールにおいて、
以下その動作を説明する。
以下その動作を説明する。
ボンディングツールの左右一対の側壁部にパルス状の高
電圧が印加されると、ボンディングツール底辺部に電流
が流れ、肉薄部がその体積抵抗により発熱するのでボン
ディングツール底辺部はかなり高温になる。これに対
し、ボンディングツールの側壁部は肉厚の為、ほとんど
発熱しない。ボンディングツールの材質が熱膨張係数の
大きいものであれば、ボンディングツールの左右一対の
側壁部と底辺部の温度差により、ボンディングツール先
端部が大きく湾曲するのであるが、本考案によるボンデ
ィングツールはニッケルが約３２％、コバルトが約４
％、鉄が約６４％の合金材料であり熱膨張曲線は第３図
のようであるのでボンディングツール底辺部はかなり高
温になってもボンディングツール底辺部はほとんど湾曲
しない。その結果、可撓性絶縁フィルムのリードは半導
体素子の電極にほぼ均一に押しつけられ、ボンディング
品質は半導体素子全面に亘って均一となり、ボンディン
グ品質は著しく向上する。
電圧が印加されると、ボンディングツール底辺部に電流
が流れ、肉薄部がその体積抵抗により発熱するのでボン
ディングツール底辺部はかなり高温になる。これに対
し、ボンディングツールの側壁部は肉厚の為、ほとんど
発熱しない。ボンディングツールの材質が熱膨張係数の
大きいものであれば、ボンディングツールの左右一対の
側壁部と底辺部の温度差により、ボンディングツール先
端部が大きく湾曲するのであるが、本考案によるボンデ
ィングツールはニッケルが約３２％、コバルトが約４
％、鉄が約６４％の合金材料であり熱膨張曲線は第３図
のようであるのでボンディングツール底辺部はかなり高
温になってもボンディングツール底辺部はほとんど湾曲
しない。その結果、可撓性絶縁フィルムのリードは半導
体素子の電極にほぼ均一に押しつけられ、ボンディング
品質は半導体素子全面に亘って均一となり、ボンディン
グ品質は著しく向上する。
第３図に示す、ニッケルが約３２％、コバルトが約４
％、鉄が約６４％の合金材料の熱膨張曲線は必ずしも直
線ではないが３０℃から１００℃の範囲における熱膨張
係数は約１３×１０−７cm/cm/℃である。
％、鉄が約６４％の合金材料の熱膨張曲線は必ずしも直
線ではないが３０℃から１００℃の範囲における熱膨張
係数は約１３×１０−７cm/cm/℃である。
ボンディングツールの材質を従来のままで、形状の工夫
を行なっても若干の改善はなされるが、根本的な改善は
なされない。
を行なっても若干の改善はなされるが、根本的な改善は
なされない。
第４図は、液晶表示体のパネルガラスの上に、直接半導
体を加熱加圧にて搭載する実装形態において、本考案に
よるボンディングツールの応用例を示したものである。
体を加熱加圧にて搭載する実装形態において、本考案に
よるボンディングツールの応用例を示したものである。
液晶表示体のパネルガラスの上に直接半導体を加熱加圧
にて搭載する実装形態においては、パネルガラスの上の
電極パターンと半導体素子の電極部の間に、これといっ
た大きな寸法差を吸収する緩衝剤的部品が存在しないの
で、ボンディングツールの底辺部は、良い平坦度でなけ
ればならない。
にて搭載する実装形態においては、パネルガラスの上の
電極パターンと半導体素子の電極部の間に、これといっ
た大きな寸法差を吸収する緩衝剤的部品が存在しないの
で、ボンディングツールの底辺部は、良い平坦度でなけ
ればならない。
本考案は以上説明したように、ボンディングツールをニ
ッケルが約３２％、コバルトが約４％、鉄が約６４％を
主成分とする合金材料よりなる事によって、半導体素子
を加熱加圧する時のボンディングツールのソリを減少あ
るいはなくし、ひいては半導体素子のボンディング品質
を向上させ、さらには信頼性を向上させる効果がある。
ッケルが約３２％、コバルトが約４％、鉄が約６４％を
主成分とする合金材料よりなる事によって、半導体素子
を加熱加圧する時のボンディングツールのソリを減少あ
るいはなくし、ひいては半導体素子のボンディング品質
を向上させ、さらには信頼性を向上させる効果がある。
第１図は、本考案によるボンディングツールの断面図。 第２図は、従来のボンディングツールの断面図 第３図は、ニッケルが約３２％、コバルトが約４％、鉄
が約６４％の合金材料の熱膨張曲線 第４図は、本考案のボンディングツールの他の応用例。 １、１１……ボンディングツール ２、１２……可撓性絶縁フィルム ３、１３……可撓性絶縁フィルム上のリード ４、１４……半導体素子 ５、１５……半導体素子の電極部 ７、１７……加熱時のボンディングツールの形状 ８……パネルガラス ９……パネルガラス上の電極パターン
が約６４％の合金材料の熱膨張曲線 第４図は、本考案のボンディングツールの他の応用例。 １、１１……ボンディングツール ２、１２……可撓性絶縁フィルム ３、１３……可撓性絶縁フィルム上のリード ４、１４……半導体素子 ５、１５……半導体素子の電極部 ７、１７……加熱時のボンディングツールの形状 ８……パネルガラス ９……パネルガラス上の電極パターン
Claims (3)
- 【請求項１】半導体素子をパターンを形成した基板上に
搭載する、パルスヒート型のボンディングツールにおい
て、上記ボンディングツールは左右一対の側壁部と底辺
部とからなる概コの字形の断面形状をしており、上記ボ
ンディングツールはニッケルが約３２％、コバルトが約
４％、鉄が約６４％を主成分とする合金よりなる事を特
徴とするボンディングツール。 - 【請求項２】可撓性絶縁フィルム上に設けられ、もしく
は上記可撓性絶縁フィルムに形成した開孔部まで延在し
て設けられた複数本のリードと、半導体素子の電極部と
を加熱加圧してボンディングする第１項記載のボンディ
ングツール。 - 【請求項３】液晶表示体のパネルガラスの上に直接半導
体を加熱加圧にて搭載する第１項記載のボンディングツ
ール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988030140U JPH0625960Y2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | ボンディングツール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988030140U JPH0625960Y2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | ボンディングツール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01133736U JPH01133736U (ja) | 1989-09-12 |
| JPH0625960Y2 true JPH0625960Y2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=31254939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988030140U Expired - Lifetime JPH0625960Y2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | ボンディングツール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625960Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP1988030140U patent/JPH0625960Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01133736U (ja) | 1989-09-12 |
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