JPH06260422A - ガラス基板加熱方法及びその装置 - Google Patents
ガラス基板加熱方法及びその装置Info
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- JPH06260422A JPH06260422A JP7290793A JP7290793A JPH06260422A JP H06260422 A JPH06260422 A JP H06260422A JP 7290793 A JP7290793 A JP 7290793A JP 7290793 A JP7290793 A JP 7290793A JP H06260422 A JPH06260422 A JP H06260422A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置のガラス基板に於いて、均一な
加熱温度分布を得、加熱時の基板の反りを防止し、更に
パーティクルの発生を抑止する。 【構成】ガラス基板２に遠赤外線を吸収させ加熱し、非
接触加熱を可能として均一加熱を促進し、加熱時の基板
の反りを防止し、而もパーティクルの発生を抑止する。
加熱温度分布を得、加熱時の基板の反りを防止し、更に
パーティクルの発生を抑止する。 【構成】ガラス基板２に遠赤外線を吸収させ加熱し、非
接触加熱を可能として均一加熱を促進し、加熱時の基板
の反りを防止し、而もパーティクルの発生を抑止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の１つで
あるＣＶＤ装置の基板加熱装置に関するものである。
あるＣＶＤ装置の基板加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示ユニットはガラス基板に多数の
半導体素子を形成してあり、この半導体素子を形成する
為、プラズマＣＶＤ装置によって成膜を行う。又、成膜
は減圧下所定の温度で行われ、成膜の準備工程として真
空中で予熱する。
半導体素子を形成してあり、この半導体素子を形成する
為、プラズマＣＶＤ装置によって成膜を行う。又、成膜
は減圧下所定の温度で行われ、成膜の準備工程として真
空中で予熱する。
【０００３】真空下では対流による加熱を行えない為、
加熱は熱輻射か、或は熱伝導によらなければならない。
被加熱物体がガラスの場合、赤外線吸収波長が高温側に
ない為、従来より熱伝導方式による加熱が採用されてい
た。
加熱は熱輻射か、或は熱伝導によらなければならない。
被加熱物体がガラスの場合、赤外線吸収波長が高温側に
ない為、従来より熱伝導方式による加熱が採用されてい
た。
【０００４】従来の基板加熱装置としては以下に示すも
のがある。
のがある。
【０００５】図１１は所謂インライン方式のＣＶＤ装置
の基板加熱装置を示すものであり、垂直姿勢で移動可能
に垂設された基板搬送用のホルダ（金属製でアノード電
極を兼ねる）１を具備し、該ホルダ１に所要枚数のガラ
ス基板２が装着され、ホルダ１の両側には近赤外線を発
する加熱ランプ３（例えばＩｎｆｒａｒｅｄ Ｌａｍ
ｐ）が配設される。図中、４は反射板、５は真空槽であ
る。
の基板加熱装置を示すものであり、垂直姿勢で移動可能
に垂設された基板搬送用のホルダ（金属製でアノード電
極を兼ねる）１を具備し、該ホルダ１に所要枚数のガラ
ス基板２が装着され、ホルダ１の両側には近赤外線を発
する加熱ランプ３（例えばＩｎｆｒａｒｅｄ Ｌａｍ
ｐ）が配設される。図中、４は反射板、５は真空槽であ
る。
【０００６】図１１で示す従来例では、前記加熱ランプ
３から発せられる近赤外線を含む電磁波を前記ホルダ１
に吸収させ、先ず該ホルダ１を加熱し、更に該ホルダ１
により、熱伝導によって前記ガラス基板２を加熱するも
のである。
３から発せられる近赤外線を含む電磁波を前記ホルダ１
に吸収させ、先ず該ホルダ１を加熱し、更に該ホルダ１
により、熱伝導によって前記ガラス基板２を加熱するも
のである。
【０００７】図１２は枚葉式のＣＶＤ装置の基板加熱装
置を示すものであり、ガラス基板２を水平姿勢で保持す
る基板保持プレート６を昇降可能に具備し、該基板保持
プレート６の上方に近赤外線を発する加熱ランプ３が配
設され、前記基板保持プレート６の下方には冷却板７が
配設されている。図中、４は反射板、５は真空槽であ
る。
置を示すものであり、ガラス基板２を水平姿勢で保持す
る基板保持プレート６を昇降可能に具備し、該基板保持
プレート６の上方に近赤外線を発する加熱ランプ３が配
設され、前記基板保持プレート６の下方には冷却板７が
配設されている。図中、４は反射板、５は真空槽であ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した従
来例の内、図１１で示すものは基板が加熱され温度が上
昇すると、基板の自重より特に基板中央部がホルダ１側
に撓む。この為、ガラス基板２とホルダ１との密着性が
低下し、熱伝導性が悪くなる。従って、ガラス基板２内
の温度分布が不均一となると共に加熱時間が長くなり、
生成膜の均質性を低下させると共にスループット低下を
招く。ホルダ１は繰返し使用するので、常温付近迄冷却
し、その状態から加熱する必要があるが、ホルダ１の熱
膨張率がアルミニウム材で２．５６×１０-5／℃，１０
０℃〜３００℃であるのに対して、ガラス基板２の熱膨
張率は４．６×１０-6／℃，０℃〜３００℃と大きく異
なる為、ガラス基板２のクランプが困難で密着性を確保
することができなくやはり熱伝導性が低下し、ガラス基
板２内の温度分布が不均一となる。
来例の内、図１１で示すものは基板が加熱され温度が上
昇すると、基板の自重より特に基板中央部がホルダ１側
に撓む。この為、ガラス基板２とホルダ１との密着性が
低下し、熱伝導性が悪くなる。従って、ガラス基板２内
の温度分布が不均一となると共に加熱時間が長くなり、
生成膜の均質性を低下させると共にスループット低下を
招く。ホルダ１は繰返し使用するので、常温付近迄冷却
し、その状態から加熱する必要があるが、ホルダ１の熱
膨張率がアルミニウム材で２．５６×１０-5／℃，１０
０℃〜３００℃であるのに対して、ガラス基板２の熱膨
張率は４．６×１０-6／℃，０℃〜３００℃と大きく異
なる為、ガラス基板２のクランプが困難で密着性を確保
することができなくやはり熱伝導性が低下し、ガラス基
板２内の温度分布が不均一となる。
【０００９】又、図１２で示す従来例では、熱の伝達量
はガラス基板の裏面と基板保持プレート６の表面との接
触状態に影響されるので、所定の安定な温度を得る為に
は、長時間ガラス基板２と基板保持プレート６を接触さ
せ温度飽和に近づけねばならない。これは処理能力の低
下となっていた。
はガラス基板の裏面と基板保持プレート６の表面との接
触状態に影響されるので、所定の安定な温度を得る為に
は、長時間ガラス基板２と基板保持プレート６を接触さ
せ温度飽和に近づけねばならない。これは処理能力の低
下となっていた。
【００１０】更に、所定温度の基板保持プレート６上
に、常温又は常温近傍のガラス基板２を載置すると基板
の接触面が急加熱されて反りを発生し、基板保持プレー
ト６とガラス基板２とが部分接触となり、極部加熱とな
って大きな温度分布むらを生じ成膜の不均質を招く。こ
のガラス基板２の反りを解消する為には基板保持プレー
ト６の加熱初めは常温近傍であることが要求され、該基
板保持プレート６は前記冷却板７によって冷却されなけ
ればならない。従って、基板保持プレート６の昇降装置
が必要となり、機構が複雑となる。
に、常温又は常温近傍のガラス基板２を載置すると基板
の接触面が急加熱されて反りを発生し、基板保持プレー
ト６とガラス基板２とが部分接触となり、極部加熱とな
って大きな温度分布むらを生じ成膜の不均質を招く。こ
のガラス基板２の反りを解消する為には基板保持プレー
ト６の加熱初めは常温近傍であることが要求され、該基
板保持プレート６は前記冷却板７によって冷却されなけ
ればならない。従って、基板保持プレート６の昇降装置
が必要となり、機構が複雑となる。
【００１１】更に上記２つの従来例に於いては、ホルダ
１或は基板保持プレート６とガラス基板２が接触する
為、パーティクル発生の原因となる。更に又、熱接触抵
抗は接触面の仕上がり精度によって異なるので、ホルダ
１或は基板保持プレート６は、熱変形がなく表面仕上げ
が高精度なものが要求され非常に高価となる。
１或は基板保持プレート６とガラス基板２が接触する
為、パーティクル発生の原因となる。更に又、熱接触抵
抗は接触面の仕上がり精度によって異なるので、ホルダ
１或は基板保持プレート６は、熱変形がなく表面仕上げ
が高精度なものが要求され非常に高価となる。
【００１２】前記した様に、熱伝導による加熱方法に於
いては、熱源物体の熱歪み、ガラスの熱歪みにより接触
状態は非常に悪く、又相互の接触界面状態によって熱の
伝わりが違ってくる。これを解決する為に、この界面に
気体を封入し、気体の熱伝導を利用する方法があるが、
気体の封込めにはガラス基板の端部をクランプし気体が
逃げないようにしなければならない。しかしこのクラン
プはガラスの熱歪みに対し強制的な応力を加えることと
なり熱衝撃による破壊を招く。
いては、熱源物体の熱歪み、ガラスの熱歪みにより接触
状態は非常に悪く、又相互の接触界面状態によって熱の
伝わりが違ってくる。これを解決する為に、この界面に
気体を封入し、気体の熱伝導を利用する方法があるが、
気体の封込めにはガラス基板の端部をクランプし気体が
逃げないようにしなければならない。しかしこのクラン
プはガラスの熱歪みに対し強制的な応力を加えることと
なり熱衝撃による破壊を招く。
【００１３】本発明は斯かる実情に鑑み、均一な加熱温
度分布が得られ、加熱時の基板の反りを防止し、更にパ
ーティクルの発生を抑止可能な基板加熱装置を提供しよ
うとするものである。
度分布が得られ、加熱時の基板の反りを防止し、更にパ
ーティクルの発生を抑止可能な基板加熱装置を提供しよ
うとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板に
遠赤外線を吸収させ加熱することを特徴とするものであ
る。
遠赤外線を吸収させ加熱することを特徴とするものであ
る。
【００１５】
【作用】遠赤外線を吸収させて加熱するので非接触加熱
が可能であり、均一加熱が可能で加熱時の基板の反りを
防止でき、而もパーティクルの発生を抑止できる。
が可能であり、均一加熱が可能で加熱時の基板の反りを
防止でき、而もパーティクルの発生を抑止できる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１７】本発明者等は、ガラス状Ｓi Ｏ2 の赤外線
透過範囲が４μm 迄であり、結晶状Ｓi Ｏ2 の赤外線吸
収波数は１１００cm-1と６２５cm-1とに吸収ピークがあ
ることに着目し、ガラス基板２に遠赤外線を吸収させて
加熱する方法で、ＣＶＤ装置で必要な温度、３００℃〜
４００℃迄加熱できるかどうかを種々の実験をして確認
した。実験の結果、図１０中実線で示す真空中の加熱曲
線を得るに至った。尚、図１０中破線で示す真空中の加
熱曲線は従来の熱伝導による加熱曲線である。
透過範囲が４μm 迄であり、結晶状Ｓi Ｏ2 の赤外線吸
収波数は１１００cm-1と６２５cm-1とに吸収ピークがあ
ることに着目し、ガラス基板２に遠赤外線を吸収させて
加熱する方法で、ＣＶＤ装置で必要な温度、３００℃〜
４００℃迄加熱できるかどうかを種々の実験をして確認
した。実験の結果、図１０中実線で示す真空中の加熱曲
線を得るに至った。尚、図１０中破線で示す真空中の加
熱曲線は従来の熱伝導による加熱曲線である。
【００１８】図１０で示される様に、本方法でＣＶＤ装
置で必要な温度、３００℃〜４００℃迄加熱可能である
と共に従来の熱伝導による加熱に対して著しく加熱速度
が早いという結果が得られた。
置で必要な温度、３００℃〜４００℃迄加熱可能である
と共に従来の熱伝導による加熱に対して著しく加熱速度
が早いという結果が得られた。
【００１９】次に、遠赤外線によるガラス基板加熱装置
を図１により説明する。
を図１により説明する。
【００２０】尚、図１２中で示したものと同一のものに
は同符号を付してある。
は同符号を付してある。
【００２１】本実施例は枚葉式ガラス基板加熱装置を示
し、真空槽５の上部に上反射板４を配設し、該上反射板
４の下方に所要数の加熱ランプ３を配設し、該加熱ラン
プ３の下方に遠赤外線発射板８を配設する。該遠赤外線
発射板８は前記加熱ランプ３からの近赤外線を吸収し、
遠赤外線を発するものであり、例えば前記加熱ランプ３
群を覆う板厚０．８mmのグラファイト製の板であり、前
記遠赤外線発射板８と前記ガラス基板２との距離は２mm
である。
し、真空槽５の上部に上反射板４を配設し、該上反射板
４の下方に所要数の加熱ランプ３を配設し、該加熱ラン
プ３の下方に遠赤外線発射板８を配設する。該遠赤外線
発射板８は前記加熱ランプ３からの近赤外線を吸収し、
遠赤外線を発するものであり、例えば前記加熱ランプ３
群を覆う板厚０．８mmのグラファイト製の板であり、前
記遠赤外線発射板８と前記ガラス基板２との距離は２mm
である。
【００２２】該遠赤外線発射板８に対峙させ下反射板９
を配設し、該下反射板９と前記遠赤外線発射板８との間
にガラス基板２を支持装置１０により保持する。該支持
装置１０は前記下反射板９を貫通する支持針１１を有
し、該支持針１１は前記ガラス基板２の下面を数点で支
持する。
を配設し、該下反射板９と前記遠赤外線発射板８との間
にガラス基板２を支持装置１０により保持する。該支持
装置１０は前記下反射板９を貫通する支持針１１を有
し、該支持針１１は前記ガラス基板２の下面を数点で支
持する。
【００２３】前記加熱ランプ３を点灯する。該加熱ラン
プ３から発せられる近赤外線は直接或は前記上反射板４
に反射された後前記遠赤外線発射板８に吸収される。該
遠赤外線発射板８が前記加熱ランプ３により加熱される
と該遠赤外線発射板８は遠赤外線を発する。遠赤外線は
前記ガラス基板２に吸収され、該ガラス基板２が加熱さ
れる。該ガラス基板２を透過した遠赤外線は、前記下反
射板９に反射され有効に前記ガラス基板２に吸収され
る。
プ３から発せられる近赤外線は直接或は前記上反射板４
に反射された後前記遠赤外線発射板８に吸収される。該
遠赤外線発射板８が前記加熱ランプ３により加熱される
と該遠赤外線発射板８は遠赤外線を発する。遠赤外線は
前記ガラス基板２に吸収され、該ガラス基板２が加熱さ
れる。該ガラス基板２を透過した遠赤外線は、前記下反
射板９に反射され有効に前記ガラス基板２に吸収され
る。
【００２４】本装置によるガラス基板２の加熱は、基本
的には非接触、非熱伝導の加熱であり、均一加熱が可能
でガラス基板２の反りも生じない。
的には非接触、非熱伝導の加熱であり、均一加熱が可能
でガラス基板２の反りも生じない。
【００２５】図２に示す実施例では、真空槽５の下部に
加熱ランプ３を配設すると共に加熱ランプ３の上方に遠
赤外線発射板８を配設しガラス基板２を下面より加熱す
る様にしたものであり、作用については上記した図１の
実施例と同様である。
加熱ランプ３を配設すると共に加熱ランプ３の上方に遠
赤外線発射板８を配設しガラス基板２を下面より加熱す
る様にしたものであり、作用については上記した図１の
実施例と同様である。
【００２６】図３に示す実施例では、真空槽５の上部下
部に対称的に加熱ランプ３、遠赤外線発射板８を配設し
たものである。該実施例によればガラス基板２を上下両
面より加熱する様にしたものであり、より急速加熱が可
能であると共に上下両面のより均一加熱が可能である。
部に対称的に加熱ランプ３、遠赤外線発射板８を配設し
たものである。該実施例によればガラス基板２を上下両
面より加熱する様にしたものであり、より急速加熱が可
能であると共に上下両面のより均一加熱が可能である。
【００２７】図４は前記図１で示した実施例の加熱ラン
プ３と遠赤外線発射板８に代え、ヒータを内蔵した遠赤
外線発射源１２としたものであり、図５は前記図２で示
した実施例の加熱ランプ３と遠赤外線発射板８に代え、
ヒータを内蔵した遠赤外線発射源１２としたものであ
り、図６は前記図３で示した実施例の加熱ランプ３と遠
赤外線発射板８に代え、ヒータを内蔵した遠赤外線発射
源１２としたものである。
プ３と遠赤外線発射板８に代え、ヒータを内蔵した遠赤
外線発射源１２としたものであり、図５は前記図２で示
した実施例の加熱ランプ３と遠赤外線発射板８に代え、
ヒータを内蔵した遠赤外線発射源１２としたものであ
り、図６は前記図３で示した実施例の加熱ランプ３と遠
赤外線発射板８に代え、ヒータを内蔵した遠赤外線発射
源１２としたものである。
【００２８】図７は前記図１で示した実施例の加熱ラン
プ３と遠赤外線発射板８に代え、セラミック管又は石英
管にヒータを内蔵させた遠赤外線発射源１３としたもの
であり、図８は前記図２で示した実施例の加熱ランプ３
と遠赤外線発射板８に代え、セラミック管又は石英管に
ヒータを内蔵させた遠赤外線発射源１３としたものであ
り、図９は前記図３で示した実施例の加熱ランプ３と遠
赤外線発射板８に代え、セラミック管又は石英管等の遠
赤外線発射材料にヒータを内蔵させた遠赤外線発射源１
３としたものである。
プ３と遠赤外線発射板８に代え、セラミック管又は石英
管にヒータを内蔵させた遠赤外線発射源１３としたもの
であり、図８は前記図２で示した実施例の加熱ランプ３
と遠赤外線発射板８に代え、セラミック管又は石英管に
ヒータを内蔵させた遠赤外線発射源１３としたものであ
り、図９は前記図３で示した実施例の加熱ランプ３と遠
赤外線発射板８に代え、セラミック管又は石英管等の遠
赤外線発射材料にヒータを内蔵させた遠赤外線発射源１
３としたものである。
【００２９】尚、上記実施例は真空下でのガラス基板の
加熱について説明したが、常圧化、高圧下でのガラス基
板加熱についても同様に実施可能であることは勿論であ
り、又加熱ランプ３等の発熱体の形状配置を考慮するこ
とでガラス基板２の温度分布を制御することも可能であ
る。更に、発熱ランプとしてはハロゲンランプ等その他
のランプであってもよい。又、遠赤外線発射板の材料と
してはグラファイトの他にセラミック等が挙げられる。
加熱について説明したが、常圧化、高圧下でのガラス基
板加熱についても同様に実施可能であることは勿論であ
り、又加熱ランプ３等の発熱体の形状配置を考慮するこ
とでガラス基板２の温度分布を制御することも可能であ
る。更に、発熱ランプとしてはハロゲンランプ等その他
のランプであってもよい。又、遠赤外線発射板の材料と
してはグラファイトの他にセラミック等が挙げられる。
【００３０】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、下記の
優れた効果を発揮する。
優れた効果を発揮する。
【００３１】 加熱速度を大幅に増加させることがで
き、加熱時間の短縮と消費電力の減少を実現することが
できる。
き、加熱時間の短縮と消費電力の減少を実現することが
できる。
【００３２】 非接触加熱であるのでパーティクルの
発生を抑制することができる。
発生を抑制することができる。
【００３３】 ガラス基板に熱線を吸収させて加熱す
る方法であるので、熱歪みが少なくガラス基板の反りを
防止することができる。
る方法であるので、熱歪みが少なくガラス基板の反りを
防止することができる。
【００３４】 非接触加熱方法であるので、熱源の冷
却機構が省略でき装置の簡略化が図れると共に冷却時間
を省くことができ加熱工程のサイクルタイムを減少させ
ることができる。
却機構が省略でき装置の簡略化が図れると共に冷却時間
を省くことができ加熱工程のサイクルタイムを減少させ
ることができる。
【００３５】 加熱工程のサイクルタイムの短縮、省
電力化、装置の簡略化より、スループットの向上、ラン
ニングコストの低減、装置の製作コストの低減を図り得
る。
電力化、装置の簡略化より、スループットの向上、ラン
ニングコストの低減、装置の製作コストの低減を図り得
る。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図６】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図７】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図８】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図９】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図１０】本発明による加熱特性を示す線図である。
【図１１】従来例を示す平断面概略図である。
【図１２】他の従来例を示す立断面概略図である。
２ ガラス基板 ３ 加熱ランプ ４ 上反射板 ５ 真空槽 ８ 遠赤外線発射板 ９ 下反射板 １０ 支持装置 １１ 支持針 １２ 遠赤外線発射源 １３ 遠赤外線発射源
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板に遠赤外線を吸収させ加熱す
ることを特徴とするガラス基板加熱方法。 - 【請求項２】 遠赤外線発射源を有すると共に該遠赤外
線発射源と対峙する位置にガラス基板を複数点で支持可
能としたことを特徴とするガラス基板加熱装置。 - 【請求項３】 遠赤外線発射源が発熱ランプ及び遠赤外
線発射板から成る請求項２のガラス基板加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7290793A JPH06260422A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | ガラス基板加熱方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7290793A JPH06260422A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | ガラス基板加熱方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260422A true JPH06260422A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=13502899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7290793A Pending JPH06260422A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | ガラス基板加熱方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260422A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002221394A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Showa Mfg Co Ltd | 電子部品の加熱装置 |
| US6449428B2 (en) | 1998-12-11 | 2002-09-10 | Mattson Technology Corp. | Gas driven rotating susceptor for rapid thermal processing (RTP) system |
| JP2005260054A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ成膜装置、熱処理装置及びプラズマ成膜方法並びに熱処理方法 |
| JP2006156686A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Chemitoronics Co Ltd | 熱処理システム |
| JP2006190731A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 基板加熱装置、真空装置及び基板加熱方法 |
| US7218847B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-05-15 | Ushio Denki Kabushiki Kasiha | Heating unit for heating a workpiece with light-absorbing heat conducting layer |
| JP2007329423A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Tokki Corp | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
| JP2008202066A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理装置 |
| US11814729B2 (en) | 2018-11-20 | 2023-11-14 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing glass article and method for heating thin sheet glass |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP7290793A patent/JPH06260422A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6449428B2 (en) | 1998-12-11 | 2002-09-10 | Mattson Technology Corp. | Gas driven rotating susceptor for rapid thermal processing (RTP) system |
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| JP2005260054A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ成膜装置、熱処理装置及びプラズマ成膜方法並びに熱処理方法 |
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| JP2006190731A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 基板加熱装置、真空装置及び基板加熱方法 |
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| JP2008202066A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理装置 |
| US11814729B2 (en) | 2018-11-20 | 2023-11-14 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing glass article and method for heating thin sheet glass |
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