JPH06260807A - 高周波フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＥＭモード誘電体共振器を含むバンドパス
フィルタに置けるスプリアス共振の抑制を容易に達成す
る。 【構成】 第１及び第２の誘電体共振器１、２をキャパ
シタンスＣc で結合した構成のバンドパスフィルタにお
いて、誘電体共振器１、２の一端とグランドとの間に第
１及び第２のキャパシタンスＣ1 、Ｃ2 を追加する。第
２のキャパシタンスＣ2 の容量を第１のキャパシタンス
Ｃ1 の容量よりも大きくする。第１及び第２のキャパシ
タンスＣ1 、Ｃ2 の差は誘電体層１９、２１の比誘電率
で調整する。Ｃ1 、Ｃ2 はスプリアス共振の抑制に寄与
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＴＥＭモード誘電体共
振器を使用した高周波フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に第１及び第２の誘電体共振器を
配置し、入力端子と第１の誘電体共振器との間に入力結
合キャパシタンスを設け、出力端子と第２の誘電体共振
器との間に出力結合キャパシタンスを設け、第１及び第
２の誘電体共振器の相互間に相互結合用キャパシタンス
を設けた構成のフィルタは公知である。また、本件特許
出願人は、特願平４−１９７５４０号において、第１及
び第２の誘電体共振器の内導体の一端とグランドとの間
に第１及び第２の付加共振用キャパシタンスを設け、第
１及び第２の付加共振用キャパシタンスの容量値に差を
持たせてスプリアス共振を低減することを提案した。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、特願平４−
１９７５４０号には相互結合キャパシタンスを得るため
の一対の導体層を異なるパターンにすることによって第
１及び第２の付加共振用キャパシタンスの値に差を持た
せる方法が開示されている。しかし、この方法では第１
及び第２の付加共振用キャパシタンスの値の差を変える
時に導電層のパターンの変更が必要になり、コストの上
昇を招く。

【０００４】そこで、本発明の目的はスプリアス共振の
抑制を容易に達成することができる高周波フィルタを提
供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、共振孔を有する柱状誘電体と前記共振孔に
設けられた内導体と前記誘電体の外周面に設けられた外
導体とを夫々有している第１及び第２の誘電体共振器
と、前記第１及び第２の誘電体共振器の前記内導体の相
互間に設けられた相互結合キャパシタンと、前記第１の
誘電体共振器の前記内導体の一端とグランドとの間に設
けられた第１のキャパシタンスと、前記第２の誘電体共
振器の前記内導体の一端とグランドとの間に設けられ且
つ前記第１のキャパシタンスと異なる容量値を有する第
２のキャパシタンスと、を備えた高周波フィルタであ
り、前記相互結合キャパシタンスと前記第１及び第２の
キャパシタンスとが多層基板に設けられており、前記多
層基板の表面及び裏面にグランド導体層が夫々設けられ
ており、前記第１及び第２の誘電体共振器は前記多層基
板の表面上に配置され且つこれ等の外導体が前記表面の
グランド導体に接続されており、前記第１及び第２のキ
ャパシタンスを得るための第１及び第２の導体層が前記
多層基板に埋設されており、前記第１の導体層は前記多
層基板の表面のグランド導体層との間に前記第１のキャ
パシタンスを得るように配置されており、前記第２の導
体層は前記多層基板の裏面のグランド導体層との間に前
記第２のキャバシタンスを得るように配置されており、
前記第１の導体層と前記表面のグランド導体層との間の
誘電体層の比誘電率が前記第２の導体層と前記裏面のグ
ランド導体層との間の誘電体層の比誘電率と異なる値を
有している高周波フィルタに係わるものである。なお、
請求項２に示すように相互結合キャパシタンスのための
導体層とグランドとの間のストレーキャパシタンスを第
１及び第２のキャパシタンスに兼用することが望まし
い。また、請求項３に示すように入力結合コンデンサ及
び出力結合コンデンサを多層基板に一体に形成すること
が望ましい。

【０００６】

【発明の作用効果】本発明に従って、第１及び第２のキ
ャパシタンスの値に差をつけると、スプリアス共振が抑
制され、且つこの周波数がシフトする。第１及び第２の
キャパシタンスの値は、第１及び第２の導体層とグラン
ド導体層との間の誘電体層の比誘電率の差に依存して変
化するので、誘電体層の材料を変えるのみで、第１及び
第２のキャパシタンスの値を容易に変えることができ
る。

【０００７】

【実施例】次に、図１〜図１４を参照して本発明の実施
例に係わるＴＥＭモード誘電体共振器を使用した高周波
バンドパスフィルタを説明する。

【０００８】このバンドパスフィルタは図１に示すよう
に第１及び第２の誘電体共振器１、２と、キャパシタン
ス（コンデンサ）のための導体層及びグランド導体層等
を有する多層基板３との組み合わせによって構成されて
いる。第１及び第２の誘電体共振器１、２は、図１〜図
３から明らかなように比誘電率が約８８の柱状又は円筒
状磁器から成る第１及び第２の誘電体４、５と、第１及
び第２の共振孔６、７内に設けられた第１及び第２の内
導体８、９と、誘電体４、５の外周面１０、１１に設け
られた外導体１２、１３とから成る。なお、第１及び第
２の内導体８、９に連続的に第１及び第２の接続導体１
４、１５が設けられている。これ等の第１及び第２の接
続導体１４、１５は誘電体４、５の一方の端面を通って
外周面１０、１１まで延在している。また、第１及び第
２の誘電体４、５の他方の端面上には第１及び第２の内
導体８、９を第１及び第２の外導体１２、１３に接続す
るための第１及び第２の短絡導体１６、１７が設けられ
ている。第１及び第２の誘電体共振器１、２は実質的に
同一に構成されているので、図２に第１の誘電体共振器
１のみを詳しくし、第２の誘電体共振器２の詳しい図示
は省略する。なお、内導体８、９と、外導体１２、１３
と、接続導体１４、１５と、短絡導体１６、１７は夫々
銀ペーストを塗布して焼き付けた導電体膜から成る。な
お、各導体を銅メッキ等で形成することができる。

【０００９】このバンドパスフィルタを得るために同軸
型ＴＥＭモード誘電体共振器１、２には、図４のように
入力結合キャパシタンスＣａと出力結合キャパシタンス
Ｃｂと相互結合キャパシタンスＣｃと第１及び第２のキ
ャパシタンスＣ1 、Ｃ2 とが接続される。入力結合キャ
パシタンスＣａは信号入力端子Ｔ1 と第１の共振器１の
一端との間に接続され、出力結合キャパシタンスＣｂは
第２の共振器２の一端と出力端子Ｔ2 との間に接続さ
れ、相互結合キャパシタンスＣｃは第１及び第２の共振
器１、２の一端の相互間に接続され、第１及び第２のキ
ャパシタンスＣ1、Ｃ2 は第１及び第２の共振器１、２
の一端とグランドとの間に接続されている。第１及び第
２の共振器１、２の他端即ち外導体１２、１３はクラン
ドに接続されている。なお、第２のキャパシタンスＣ2
の静電容量値は第１のキャパシタンスＣ1 のそれよりも
大きく設定されている。

【００１０】多層基板３は、図１及び図３で鎖線で区分
して示すように第１、第２、第３、第４及び第５の誘電
体層１８、１９、２０、２１、２２と各種の導体層とを
有する。多層基板３は第１〜第５の誘電体層１８〜２２
を得るためのグリーンシート（未焼成磁器シート）に導
電性ペーストを所定パターンに夫々塗布して積層し、焼
成したものであり、焼成後においては第１〜第５の誘電
体層１８〜２２は一体化されているが、ここでは説明の
都合上区分されている。

【００１１】多層基板３の表面２３即ち第１の誘電体層
１８の表面には図５に示すようにグランド導体層２４と
第１及び第２の接続導体層２５、２６とが設けられてい
る。グランド導体層２４は第１及び第２の共振器１、２
の外導体１２、１３に対応する部分を有し、更に表面２
３の多くの部分を覆うように形成され、ここには図３に
示すように半田２７によって第１及び第２の共振器１、
２の外導体１２、１３が夫々固着されている。第１及び
第２の接続導体層２５、２６は第１及び第２の共振器
１、２の第１及び第２の接続導体１４、１５に対応する
ように配置され、これ等が半田（図示せず）で夫々に固
着されている。第１の誘電体層１８には４箇所にヴィア
（Ｖia）ホールが表面から裏面に至るように設けられ、
ここには斜線を付して示すように導体２７、２８、２
９、３０が充填されている。

【００１２】第２の誘電体層２２は図４に示した第１及
び第２のキャパシタンス（ストレーキャパシタンス）Ｃ
1 、Ｃ2 の値に差を持たせることを目的として設けたも
のであり、第１の比誘電率を有する材料から成り、この
表面には図５のヴィアホール導体２７、２８、２９、３
０に接続される４つの接続導体層３１、３２、３３、３
４が設けられている。各接続導体層３１、３２、３３、
３４は導体３５、３６、３７、３８が充填されたヴィア
ホールを夫々有する。

【００１３】第３の誘電体層２０にはグランド接続用導
体層３９、４０およびキャパシタンス用導体層４１、４
２、４３が設けられている。グランド接続用導体層３
９、４０は図６の第２の誘電体層１９のヴィアホール導
体３５、３６に接続されるように配設され、これ等にも
導体４４、４５が充填されたヴィアホールが設けられて
いる。キャパシタンス用導体層４１、４２は図６の第２
の誘電体層１９のヴィアホール導体３７、３８に接続さ
れるように配設されている。図７の一方のキャパシタン
ス用導体層４１のＬ字形延長部４１ａにはヴィアホール
が設けられ、ここに導体４６が充填されている。図７の
他方のキャパシタンス用導体層４２にはＬ字形のキャパ
シタンス用導体層４３が接続されている。このキャパシ
タンス用導体層４３は図３に示すように第１及び第２の
誘電体層１８、１９を介して表面のグランド導体層２４
に対向し、第１のキャパシタンス（ストレーキャパシタ
ンス）Ｃ1 を形成すると共に、第４の誘電体層２１の表
面のキャパシタンス用導体層４７に対向して相互結合キ
ャパシタンスＣｃを形成する。

【００１４】第４の誘電体層２１には図８に示すように
キャパシタンス用導体層４７の他にグランド接続用導体
層４８、４９と入力および出力結合用キャパシタンス用
導体５０、５１が設けられている。四角形の導体層４
８、４９、５０、５１には導体５２、５３、５４、５５
が充填されたヴィアホールが設けられている。なお、図
８の接続用導体層４８、４９は図７のヴィアホール導体
４４、４５に接続される。また、図８のキャパシタンス
用導体層４７は図７のヴィアホール導体４６に接続され
る。

【００１５】第５の誘電体層２２の表面には図８の第４
の誘電体層２１のヴィアホール導体５２、５３、５４、
５５に接続されるように接続用導体層５６、５７、５
８、５９が図９に示すように設けられており、これ等に
は導体６０、６１、６２、６３が充填されたヴィアホー
ルが設けられている。第５の誘電体層２２の裏面即ち多
層基板３の裏面にはグランド導体層６４と第１及び第２
の端子導体層６５、６６が設けられている。グランド導
体層６４は図９に示すヴィアホール導体６０、６１に接
続され、第１及び第２の端子導体層６５、６６は図９に
示すヴィアホール導体６２、６３に夫々接続されてい
る。

【００１６】第４の誘電体層２１のキャパシタンス用導
体層４７は第４の誘電体層２１と第５の誘電体層２２と
を介して裏面のグランド導体層６４に対向しているの
で、図４に示した第２のキャパシタンスＣ2 を得ること
ができる。また、第４の誘電体層２１のキャパシタンス
用導体層４７は第３の誘電体層２０を介してこの表面の
キャパシタンス用導体層４３に対向しているので、図４
の相互結合キャパシタンスＣｃを得ることができる。

【００１７】図７の第３の誘電体層２０の導体層４１は
図８の導体層５０に対向配置されているので、両者の間
に図４に示した入力結合キャパシタンスＣａを得ること
ができる。また、図７の第３の誘電体層２０の導体層４
２は図８の第４の誘電体層２１の導体層５１に対向して
いるので、両者間に図４に示した出力結合キャパシタン
スＣｂを得ることができる。図１０の裏面の第１及び第
２の端子導体層６５、６６は図４の入力端子Ｔ1 と出力
端子Ｔ2 に対応する。

【００１８】第２のキャパシタンスＣ2 の値を第１のキ
ャパシタンスＣ1 の値よりも大きくするために、第４の
誘電体層２１は第２の誘電体層１９の第１の比誘電率よ
りも大きい第２の比誘電率を有する。即ち、この実施例
では第１、第２、第３、第４及び第５の誘電体層１８〜
２２の厚さはほぼ同一であるが、第２及び第４の誘電体
層１９、２１の比誘電率が異なり、これにより、第１及
び第２のキャパシタンスＣ1 、Ｃ2 の値が調整されてい
る。第１及び第２のキャパシタンスＣ1 、Ｃ2を種々の
値にする場合に、導体層４３、４７のパターンを変更す
るよりは第２又は第４の誘電体層１９、２１の材料を変
更する方が容易であり、製造コストの点で有利である。
なお、この実施例では、第１、第３及び第５の誘電体層
１８、２０、２２は第２の誘電体層１９と同一の比誘電
率を有する。

【００１９】図１１〜図１４は図４の第１及び第２のキ
ャパシタンス（ストレーキャパシタンス）Ｃ1 、Ｃ2 の
値の変化とフィルタの周波数特性の変化を示すものであ
る。なお、基本波共振周波数ｆ0 を一定に保つために、
Ｃ2 の変化に応じて共振器１、２の外導体１２、１３の
長さＬ1 、Ｌ2 を調整した。図１１はＣ1 、Ｃ2 を共に
１pFとし、且つＬ1 及びＬ2 を１０ｍｍにした場合の周
波数ｆと利得との関係を示す。この場合には主共振周波
数ｆ0 の３倍の周波数に相当するｆs で示す周波数のス
プリアス共振が生じ、このスプリアス共振の周波数ｆs
の帯域が阻止帯域とならない。この帯域を通過する不要
な周波数成分を除去するためには別にフィルタを設ける
ことが必要になる。別にフィルタを設けるとスプリアス
共振周波数ｆs の帯域の成分を除去することは可能にな
るが、基本波もこの別のフィルタを通るために必然的に
減衰が生じた。

【００２０】一方、第１及び第２のキャパシタンスＣ1
、Ｃ2 を異なる値にすると、図１２〜図１４に示すよ
うにスプリアス共振の抑制効果及びこの周波数ｆs のシ
フト効果が生じる。図１２はＣ1 を１pF、Ｃ2 を２pFと
し、且つＬ1 を１０ｍｍ、Ｌ2を９．３ｍｍにした場合
の特性を示し、図１３はＣ1 を１pF、Ｃ2 を４pFとし、
且つＬ1 を１０ｍｍ、Ｌ2 を８．１ｍｍにした場合の特
性を示し、図１４はＣ1を１pF、Ｃ2 を８pFとし、且つ
Ｌ1 を１０ｍｍ、Ｌ2 を６．５ｍｍにした場合の特性を
示す。図１２のＣ2 が２pFの場合にはスプリアス共振の
抑制及びシフト効果は顕著に発生しないが、図１４のＣ
2 が８pFの場合には効果が極めて顕著に発生し、スプリ
アス共振周波数ｆs の帯域を阻止するための別のフィル
タを設けることが不要になる。

【００２１】なお、共振器１、２は基本波の共振周波数
よりも低い周波数領域でインダクタンスとして働く。本
発明に従って付加された第１及び第２のキャパシタンス
Ｃ1、Ｃ2 は、共振器１、２のインダクタンスに対して
並列接続されるので、これ等の並列回路によって新たに
ＬＣ共振が生じ、ＴＥＭモード共振器の共振周波数より
も低い周波数で共振状態になる。この結果、共振器１、
２の長さで決定される共振周波数よりも低い共振周波数
を得ることができる。

【００２２】

【別の実施例】次に、図１５〜図２２を参照して３段の
誘電体フィルタを説明する。但し、図１５〜図１８に示
す３段の誘電体フィルタは図１〜図４に示す２段の誘電
体フィルタに第３の誘電体共振器１０３と第３のキャパ
シタンスＣ3 と第２の相互結合キャパシタンスＣd を付
加したものであり、その他は図１〜図４と実質的に同一
に構成されているので、共通する部分には同一の符号を
付してその説明を省略する。

【００２３】第３の誘電体共振器１０３は図２に示す第
１の誘電体共振器１と同一に構成され、同一の長さＬ1
を有する。この第３の誘電体共振器１０３とグランドと
の間に接続された第３のキャパシタンスＣ3 は第１のキ
ャパシタンスＣ1 と実質的に同一の容量値を有する。第
２の相互結合キャパシタンスＣd は第２及び第３の誘電
体共振器２、１０３の相互間に接続されている。出力結
合コンデンサＣd は第３の誘電体共振器１０３と出力端
子Ｔ2 との間に接続されている。第１、第２及び第３の
キャパシタンスＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を得るために、図１６
に説明的に示すように多層基板３内に第１、第２及び第
３の導体層４３ａ、４７、４３ｂが設けられている。第
１及び第３のキャパシタンスＣ1 、Ｃ3 を得るための第
１及び第３の導体層４３ａ、４３ｂは、第１の比誘電率
の第１及び第２の誘電体層１８、１９を介してグランド
導体層２４に対向し、第２のキャパシタンスＣ2 を得る
ための第２の導体層４７は、第１の比誘電率よりも大き
い第２の比誘電率を有する第４の誘電体層２１と第１の
比誘電率の第５の誘電体層２２を介してグランド導体層
６４に対向している。

【００２４】多層基板３の表面には図１７に示すように
第３の接続導体層１０４が追加され、ここには図１５に
示すように第３の誘電体共振器１０３の接続導体１４ａ
が結合されている。第３の誘電体共振器１０３の外導体
１２ａはグランド導体層２４に結合されている。図１８
に示す第１〜第３のキャパシタンスＣ1 〜Ｃ3 、入出力
結合キャパシタンスＣa 、Ｃb 、相互結合キャパシタン
スＣc 、Ｃd は、図１〜図１０の多層基板３とほぼ同様
な方法で形成されている。

【００２５】図１９〜図２２は図１５及び図１６の構成
の３段の誘電体フィルタの定数を４段階に変えた場合の
周波数特性を示す。 図１９は、Ｃ1 ＝Ｃ3 ＝１ｐＦ Ｃ2 ＝１ｐＦ Ｌ1 ＝７．６０ｍｍ Ｌ2 ＝８．８２ｍｍ の誘電体フィルタの特性を示す。 図２０は、Ｃ1 ＝Ｃ3 ＝１ｐＦ Ｃ2 ＝２ｐＦ Ｌ1 ＝７．６０ｍｍ Ｌ2 ＝７．４２ｍｍ の誘電体フィルタの特性を示す。 図２１は、Ｃ1 ＝Ｃ3 ＝１ｐＦ Ｃ2 ＝４ｐＦ Ｌ1 ＝７．５８ｍｍ Ｌ2 ＝５．３７ｍｍ の誘電体フィルタの特性を示す。 図２２は、Ｃ1 ＝Ｃ3 ＝１ｐＦ Ｃ2 ＝８ｐＦ Ｌ1 ＝７．４９ｍｍ Ｌ2 ＝３．２７ｍｍ の誘電体フィルタの特性を示す。

【００２６】図１９〜図２２から明らかなように、第１
〜第３のキャパシタンスＣ1 、Ｃ2、Ｃ3 が同一値の場
合においてもスプリアス共振周波数ｆs のシフト効果が
生じている。第１及び第３のキャパシタンスＣ1 、Ｃ3
の値と第２のキャパシタンスＣ2 の値を異なる値にすれ
ば、スプリアス共振周波数ｆs のシフト効果が得られる
のみでなく、図１９で生じたスプリアス共振の２つの山
の発生を防ぐ効果が生じ．る。

【００２７】

【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 接続導体１４、１５を設ける代りに、独立の接
続部材で内導体８、９を多層基板３の導体層２５、２６
に接続することができる。 （２） 多層基板３の側面に第１及び第２の端子導体層
６５、６６の延長導体層及びグランド導体層６４の延長
導体層を設けることができる。 （３） 誘電体共振器をさらに付加して４段以上のフィ
ルタを構成する場合にも本発明を適用することができ
る。 （４） 第１及び第２の実施例で短絡導体層１６、１７
を省いて２／１波長型の共振器１、２を構成することが
できる。 （５） 第１の誘電体層１８と第５の誘電体層２２との
比誘電率を異なる値にすることができる。また、第１及
び第２の誘電体層１８、１９を１つの層で構成し、第４
及び第５の誘電体層２１、２２も１つの層で構成し、全
体として３層構造にすることもできる。また、第１第３
及び第５の誘電体層１８、２０、２２のいずれか１つ又
は全部を第２の比誘電体率にすることができる。 （６） 相互結合キャパシタンスＣｃを得るための導体
層と第１及び第２のキャパシタンスＣ1 、Ｃ2 を得るた
めの導体層として兼用の導体層４３、４７を設けずに各
導体層を独立に設けることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のフィルタを示す斜視図である。

【図２】誘電体共振器の断面図である。

【図３】図１のフィルタを図７及び図８のＡ−Ａ′線に
対応する位置で示す中央縦断面図である。

【図４】図１のフィルタの等価回路図である。

【図５】第１の誘電体層の平面図である。

【図６】第２の誘電体層の平面図である。

【図７】第３の誘電体層の平面図である。

【図８】第４の誘電体層の平面図である。

【図９】第５の誘電体層の平面図である。

【図１０】第５の誘電体層の底面図である。

【図１１】図４のＣ1 及びＣ2 を１pFにした時の周波数
ｆと利得との関係を示すフィルタ特性図である。

【図１２】図４のＣ1 を１pF、Ｃ2 を２pFにした時のフ
ィルタ特性を示す図である。

【図１３】図４のＣ1 を１pF、Ｃ2 を４pFにした時のフ
ィルタ特性を示す図である。

【図１４】図４のＣ1 を１pF、Ｃ2 を８pFにした時のフ
ィルタ特性を示す図である。

【図１５】別の実施例のフィルタの平面図である。

【図１６】図１５のフィルタのＢ−Ｂ′線断面図であ
る。

【図１７】図１５の多層基板の平面図である。

【図１８】図１５のフィルタの等価回路図である。

【図１９】図１８のフィルタのＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を１ｐ
Ｆとした場合の特性図である。

【図２０】図１８のフィルタのＣ1 、Ｃ3 を１ｐＦ、Ｃ
2 を２ｐＦとした場合の特性図である。

【図２１】図１８のフィルタのＣ1 、Ｃ3 を１ｐＦ、Ｃ
2 を４ｐＦとした場合の特性図である。

【図２２】図１８のフィルタのＣ1 、Ｃ3 を１ｐＦ、Ｃ
2 を８ｐＦとした場合の特性図であ

【符号の説明】

１ 第１の誘電体共振器 ２ 第２の誘電体共振器 ３ 多層基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 五十嵐 雅夫 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 風間 智 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 井上 真 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 共振孔を有する柱状誘電体と前記共振孔
   に設けられた内導体と前記誘電体の外周面に設けられた
   外導体とを夫々有している第１及び第２の誘電体共振器
   と、 前記第１及び第２の誘電体共振器の前記内導体の相互間
   に設けられた相互結合キャパシタンスと、 前記第１の誘電体共振器の前記内導体の一端とグランド
   との間に設けられた第１のキャパシタンスと、 前記第２の誘電体共振器の前記内導体の一端とグランド
   との間に設けられ且つ前記第１のキャパシタンスと異な
   る容量値を有する第２のキャパシタンスと、 を備えた高周波フィルタであり、 前記相互結合キャパシタンスと前記第１及び第２のキャ
   パシタンスとが多層基板に設けられており、 前記多層基板の表面及び裏面にグランド導体層が夫々設
   けられており、 前記第１及び第２の誘電体共振器は前記多層基板の表面
   上に配置され且つこれ等の外導体が前記表面のグランド
   導体に接続されており、前記第１及び第２のキャパシタ
   ンスを得るための第１及び第２の導体層が前記多層基板
   に埋設されており、 前記第１の導体層は前記多層基板の表面のグランド導体
   層との間に前記第１のキャパシタンスを得るように配置
   されており、 前記第２の導体層は前記多層基板の裏面のグランド導体
   層との間に前記第２のキャバシタンスを得るように配置
   されており、 前記第１の導体層と前記表面のグランド導体層との間の
   誘電体層の比誘電率が前記第２の導体層と前記裏面のグ
   ランド導体層との間の誘電体層の比誘電率と異なる値を
   有していることを特徴とする高周波フィルタ。
2. 【請求項２】 前記相互結合キャパシタンスを得るため
   の一方及び他方の導体層は前記第１及び第２の導体層の
   一部を兼用する構成であることを特徴とする請求項１記
   載の高周波フィルタ。
3. 【請求項３】 更に入力端子と、この入力端子と前記第
   １の誘電体共振器の内導体の一端との間に設けられた入
   力結合キャパシタンスと、出力端子と、この出力端子と
   前記第２の誘電体共振器の内導体の一端との間に設けら
   れた出力結合キャパシタンスとを有し、前記入力端子と
   前記出力端子と前記入力結合及び出力結合キャパシタン
   スは前記多層基板に一体に形成されていることを特徴と
   する請求項１又は２記載の高周波フィルタ。