JPH0626107B2 - Charged particle irradiation device - Google Patents
Charged particle irradiation deviceInfo
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- JPH0626107B2 JPH0626107B2 JP59086320A JP8632084A JPH0626107B2 JP H0626107 B2 JPH0626107 B2 JP H0626107B2 JP 59086320 A JP59086320 A JP 59086320A JP 8632084 A JP8632084 A JP 8632084A JP H0626107 B2 JPH0626107 B2 JP H0626107B2
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- ion
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明は荷電粒子照射装置、即ちイオンを被処理体に衝
突させて、そのイオン量を計量する装置、例えばイオン
注入装置などに関する。TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a charged particle irradiation apparatus, that is, an apparatus for colliding ions with an object to be processed and measuring the amount of the ions, such as an ion implantation apparatus.
(b) 技術の背景と従来技術の問題点 近年、ＩＣを製造する際、例えば不純物領域を形成する
方法としてイオン注入装置が重用されているが、それは
注入不純物量が高精度に制御できて、ＩＣが高性能化さ
れるからである。(b) Background of Technology and Problems of Prior Art In recent years, when an IC is manufactured, an ion implantation apparatus is often used as a method of forming an impurity region, for example, because the amount of implanted impurities can be controlled with high precision. This is because the IC has higher performance.
このようなイオン注入装置の不純物量（イオン量）を制
御するために、イオン量は電気量に変換して計量されて
おり、そのイオン注入量（ドーズ量）は次式で求められ
る。In order to control the amount of impurities (the amount of ions) of such an ion implanter, the amount of ions is converted into the amount of electricity and measured, and the amount of ion implantation (dose amount) is obtained by the following formula.
ドーズ量＝Ｑ／（ｑ×Ｓ）〔イオン数／cm2〕 ここに、Ｑ：総電荷量，ｑ：単位イオン電荷量 Ｓ：注入面積 このイオン注入量の計数に密接な関係を持つているのが
ファラデーカップで、イオン衝突によつて飛び出す二次
電子を捕獲し、その電気量を補正するために設けられて
いるものである。Dose amount = Q / (q × S) [number of ions / cm 2 ] where Q: total charge amount, q: unit ion charge amount S: implantation area, which is closely related to the counting of this ion implantation amount. The Faraday cup is provided to capture the secondary electrons that fly out by ion collision and correct the amount of electricity.
第１図はイオン注入装置の構成概要図を示しており、イ
オンビーム１はイオン発生源２から放射されて、イオン
分離器３で必要な注入イオンのみが選択され、イオン加
速電極４に入る。加速された飛翔イオンは走査電極５で
スキャンニングされながら、ターゲット（半導体ウエハ
ー）６に衝突して注入される。且つ、ターゲット６の周
囲にファラデーカップ７が配置されており、これは上記
のように、イオン注入時にターゲット６から放出される
二次電子を捕獲する容器で、その二次電子を捕獲し、こ
の二次電子が電流として電流計８を流れるのを防止する
ものである。そうしなければ、二次電子の放出等によつ
て、積算電流値に大きなエラーが現れ、正確な注入イオ
ン数の計数（カウント）ができなくなるからである。FIG. 1 shows a schematic diagram of the configuration of an ion implantation apparatus. An ion beam 1 is emitted from an ion generation source 2, and only necessary implanted ions are selected by an ion separator 3 and enter an ion acceleration electrode 4. The accelerated flying ions collide with a target (semiconductor wafer) 6 and are implanted while being scanned by the scanning electrode 5. Further, the Faraday cup 7 is arranged around the target 6, and this is a container for trapping the secondary electrons emitted from the target 6 during ion implantation as described above. The secondary electrons are prevented from flowing through the ammeter 8 as a current. If this is not done, a large error will appear in the integrated current value due to the emission of secondary electrons, etc., and it will not be possible to accurately count the number of implanted ions.
第２図(a)および(b)はファラデーカップ７とその周囲部
の斜視図（同図(a)）と断面図（同図(a)）とを示してお
り、Ｉ＋がイオンで、ｅ−が二次電子である。このよう
にイオンの衝突で二次電子が放出され、これをファラデ
ーカップ７が捕獲して積算電流値が補正されるが、一
方、一部の二次電子にはファラデーカップ７の前面入口
から逃げ出す二次電子もある。これを抑制して追い返す
ためにファラデーカップと前面入口にサプレッション電
極９が設けられている。従つて、サプレッション電極９
には負電位が印加されており、二次電子との間に斥力が
働いて、ファラデーカップ内に電子が追い返えされて、
ファラデーカップに捕獲され、このようにして殆どの二
次電子がファラデーカップに捕獲される。尚、同図のフ
ァラデーカップは方形で示しているが、リング状のカッ
プも多数用いられている。2 (a) and 2 (b) show a perspective view (FIG. (A)) and a cross-sectional view (FIG. (A)) of the Faraday cup 7 and its peripheral portion, where I + is an ion, e − is a secondary electron. In this way, secondary electrons are emitted by the collision of ions, and the Faraday cup 7 captures them and corrects the integrated current value. On the other hand, some secondary electrons escape from the front entrance of the Faraday cup 7. There are also secondary electrons. In order to suppress this and repel it, a suppression electrode 9 is provided at the Faraday cup and the front entrance. Therefore, the suppression electrode 9
Negative potential is applied to, and repulsive force works with secondary electrons, and electrons are driven back into the Faraday cup,
It is trapped in the Faraday cup, and thus most of the secondary electrons are trapped in the Faraday cup. Although the Faraday cup in the figure is shown as a square, many ring-shaped cups are also used.
ところで、半導体ウエハーをターゲット６として使用し
てイオン注入を行なう場合、通常、選択的にウエハー面
に注入されることが多く、その場合には第３図に示すよ
うに不要部分にレジスト膜10が被覆されてイオン注入が
行なわれる。その際、レジスト膜10は有機物であり、溶
剤も多く含んでいるから、イオン衝突時に多量のガスが
放出される。そのガスがファラデーカップ７内又はその
前面に残留している場合には、ファラデーカップ７内に
飛翔してくる注入イオンと衝突して注入イオンが中性化
されることがある。しかし、そのイオンが電荷を失って
なる粒子は加速力を失なわずに、そのまま飛翔してター
ゲット６に注入され、注入イオンが中性化するために電
気的にカウントされずに、その分だけエラーとして積算
電流値に誤差を生じる。By the way, when ion implantation is performed using a semiconductor wafer as the target 6, it is often the case that ions are selectively implanted on the wafer surface. In that case, as shown in FIG. It is coated and ion implantation is performed. At that time, since the resist film 10 is an organic substance and contains a large amount of solvent, a large amount of gas is released at the time of ion collision. When the gas remains in the Faraday cup 7 or on the front surface thereof, the injected ions may collide with the injected ions flying in the Faraday cup 7 and the injected ions may be neutralized. However, the particles in which the ions lose their charge are not directly accelerated and are directly injected into the target 6 without being lost, and the injected ions are neutralized, so that the ions are not counted electrically. As an error, an error occurs in the integrated current value.
更に詳しく説明すると、注入イオンを中性化した残留ガ
ス自身は正に帯電しイオン化される。この電荷の交換が
ファラデーカップ７内で行なわれるならば、残留ガスイ
オンの多くはファラデーカップ７に捕獲されるため、こ
の現象による積算電流値の誤差は低く抑えられる。しか
し、この現象がファラデーカップ７外で起きる場合に
は、残留ガスイオンの捕獲が困難となるため、中性イオ
ンによる積算電流値の誤差は大きなものとなる。More specifically, the residual gas itself which neutralized the implanted ions is positively charged and ionized. If this charge exchange is performed in the Faraday cup 7, most of the residual gas ions are trapped in the Faraday cup 7, so the error in the integrated current value due to this phenomenon can be suppressed low. However, when this phenomenon occurs outside the Faraday cup 7, it becomes difficult to capture residual gas ions, and thus the error in the integrated current value due to neutral ions becomes large.
このようなイオン衝突に伴つて生じる放出ガス量はイオ
ン注入初期に特に多く、イオン注入装置内の真空度は10
-6Torr以下とする必要があるにもかかわらず、注入初期
では瞬間的に10-4Torr程度まで悪化する。そして、ファ
ラデーカップ７の構造に起因しているのであるが、ター
ゲット６としての半導体ウエハーから発生したガスがフ
ァラデーカップ前面の注入イオン入射口からのみ排気さ
れることにも原因があつて、その場合には特に飛翔する
注入イオンとファラデーカップ７の外部でも衝突し易く
なる。また、真空度が10-4Torr程度といつても、それは
真空容器壁面に設けられた真空計でキャッチされた値で
あり、ファラデーカップ内は更に真空度が悪化している
ことが予想され、その中性化によるカウントエラーは計
り知れないものがある。The amount of gas released due to such ion collision is particularly large at the initial stage of ion implantation, and the degree of vacuum inside the ion implanter is 10
Although it needs to be -6 Torr or less, it deteriorates to about 10 -4 Torr in the initial stage of injection. And, it is due to the structure of the Faraday cup 7, but there is also a cause that the gas generated from the semiconductor wafer as the target 6 is exhausted only from the implantation ion incident port on the front surface of the Faraday cup. In particular, the injected ions that fly will collide with each other even outside the Faraday cup 7. Also, whenever the degree of vacuum is about 10 -4 Torr, it is the value caught by the vacuum gauge provided on the wall surface of the vacuum container, and it is expected that the degree of vacuum in the Faraday cup will be further deteriorated. The count error due to the neutralization is immeasurable.
従つて、第４図に示すようにファラデーカップの壁部に
多数の孔を設けて、多孔板からなるファラデーカップ17
によつてターゲット６を取り囲む構造が提案されてお
り、このようにすればファラデーカップ内が早急に排気
されて、飛翔する注入イオンとの衝突が少なくなつて、
それだけ計数エラーが避けられる。Therefore, as shown in FIG. 4, a large number of holes are provided in the wall portion of the Faraday cup, and the Faraday cup 17 made of a perforated plate is used.
Therefore, a structure surrounding the target 6 has been proposed. In this way, the inside of the Faraday cup is quickly exhausted, and collisions with flying implanted ions are reduced,
Counting errors can be avoided accordingly.
ところが、一方では多数の孔を設けたファラデーカップ
17は、その孔から二次電子が逃げ出す問題が起こる。従
つて、これを抑制するために、上記ファラデーカップ17
はターゲット６に対して正電位11を与え、孔から飛び出
そうとする二次電子をファラデーカップ17側に吸い寄せ
るように考慮されている。尚、電子のエネルギーは精々
10eV程度であるために、僅かに正電位を与えるだけであ
る。However, on the other hand, a Faraday cup with many holes
No.17 has a problem that secondary electrons escape from the hole. Therefore, in order to suppress this, the above Faraday cup 17
Is given such that the positive potential 11 is applied to the target 6 and the secondary electrons that try to jump out of the hole are attracted to the Faraday cup 17 side. The energy of the electrons is at best
Since it is about 10 eV, only a slight positive potential is applied.
しかしながら、折角改善された上記多孔板型のファラデ
ーカップ17にも次に説明するような問題点がある。その
一つは、ファラデーカップ17に正電位11を与えるため
に、ファラデーカップの外側を飛んでいる二次電子を
も、ファラデーカップが吸い寄せて、その分だけカウン
トエラーが生じることである。即ち、イオン注入装置内
は、ファラデーカップ前面にも不必要なイオン入射を遮
蔽するマスクが設けられており、マスクに衝突したイオ
ンが二次電子を放出する等、多数の電子がカップ外に存
在して、それらがファラデーカップに吸引されるように
なる。However, the perforated plate type Faraday cup 17 with improved bending angle also has the following problems. One of them is that the Faraday cup attracts secondary electrons flying outside the Faraday cup in order to apply the positive potential 11 to the Faraday cup 17, and a count error occurs correspondingly. That is, inside the ion implanter, a mask that blocks unnecessary ion incidence is also provided in front of the Faraday cup, and many electrons exist outside the cup, such as ions that collide with the mask and emit secondary electrons. Then they will be sucked into the Faraday cup.
もう一つの問題点は、ターゲット６からの放出ガスが孔
から早急に排気されるメリットがある一方、衝突したイ
オンから正電荷を受けたガスＧ＋も、孔より逃げ出して
同様にカウントエラーを生じることである。ガス粒子は
質量が大きくて余り曲がらずに飛翔するため、孔内を通
り抜ける荷電ガスはファラデーカップに捕獲され難い状
況になる。即ち、多孔板からなるファラデーカップはカ
ップ内部が排気され易くなるため、中性化するイオンが
減少するものの、電荷を受け取つたガスがカウントされ
なければ、それだけ計数エラーを生じることになる。Another problem is that the gas released from the target 6 has the advantage of being quickly exhausted from the hole, while the gas G + that has received a positive charge from the colliding ions escapes from the hole and similarly causes a count error. That is. Since the gas particles have a large mass and fly with little bending, the charged gas passing through the holes is difficult to be captured by the Faraday cup. That is, in the Faraday cup made of a porous plate, the inside of the cup is easily exhausted, so that the number of neutralized ions is reduced, but if the gas that has received the charges is not counted, a counting error will occur accordingly.
(c) 発明の目的 本発明は上記した種々の問題点を除去して、高精度に衝
突イオンの計測が可能な荷電粒子照射装置を提案するも
のである。(c) Object of the Invention The present invention proposes a charged particle irradiation apparatus capable of measuring collision ions with high accuracy by eliminating the above-mentioned various problems.
(d) 発明の構成 その目的は、複数の孔を有する内筒を複数の孔を有する
外筒に挿入して構成され、荷電粒子が照射されるターゲ
ット近傍に設置されるファラデーカップを有する荷電粒
子照射装置において、前記内筒に正電位が印加され、前
記外筒に負電位が印加され、かつ前記内筒の孔と前記外
筒の孔とが互いにずらされていることを特徴とする荷電
粒子照射装置によって達成される。(d) Structure of the invention The purpose is to insert an inner cylinder having a plurality of holes into an outer cylinder having a plurality of holes, the charged particles having a Faraday cup installed near the target irradiated with charged particles In the irradiation device, a positive potential is applied to the inner cylinder, a negative potential is applied to the outer cylinder, and the holes of the inner cylinder and the holes of the outer cylinder are displaced from each other. It is achieved by the irradiation device.
(e) 発明の実施例 以下，図面を参照して実施例によつて詳細に説明する。(e) Embodiments of the Invention Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.
第５図は本発明にかかるファラデーカップの概要断面図
を示しており、多孔板からなるファラデーカップの壁部
を内壁27A と外壁27B との二重構造にする。且つ、ター
ゲット６に対して内壁27A に正電位11を与え、外壁27B
に負電位21を与えて、ターゲット６と共に電流計８に接
続する。このように、二重構造にして上記のバイアス電
圧を与えると、ファラデーカップの内壁27A で負電荷を
持つ二次電子が捕獲され、ファラデーカップの外壁27B
で正荷電ガスが捕獲される。且つ、質量の大きい正荷電
ガスはファラデーカップの内壁27A でも捕獲されて、逃
げ出すことがなくなる。FIG. 5 is a schematic sectional view of a Faraday cup according to the present invention, in which the wall portion of the Faraday cup made of a perforated plate has a double structure of an inner wall 27A and an outer wall 27B. Moreover, a positive potential 11 is applied to the inner wall 27A of the target 6 and the outer wall 27B
A negative potential 21 is applied to and the target 6 and the ammeter 8 are connected. In this way, when a double structure is applied and the above bias voltage is applied, secondary electrons having a negative charge are captured by the inner wall 27A of the Faraday cup, and the outer wall 27B of the Faraday cup 27B is captured.
The positively charged gas is captured at. In addition, the positively charged gas having a large mass is also captured by the inner wall 27A of the Faraday cup and does not escape.
また、ファラデーカップの外側の電子は、負電位をもっ
た外壁27B に排斥されて捕獲されることがない。更に、
ターゲットの表面で発生したガスは、ファラデーカップ
の壁面から早急に排気される。Further, the electrons outside the Faraday cup are not rejected and captured by the outer wall 27B having a negative potential. Furthermore,
The gas generated on the surface of the target is immediately exhausted from the wall surface of the Faraday cup.
従つて、このような多孔板からなる二重構造のファラデ
ーカップを配設することによつて、イオン注入量の計数
精度を著しく向上させることが可能になる。第６図は本
発明にかかるリング状のファラデーカップの斜視図を例
示している。Therefore, by disposing such a double-structured Faraday cup made of a perforated plate, it becomes possible to significantly improve the counting accuracy of the ion implantation amount. FIG. 6 illustrates a perspective view of a ring-shaped Faraday cup according to the present invention.
更に、第７図はファラデーカップの内壁27A と外壁27B
との部分断面図を示しており、ファラデーカップ壁部に
設ける孔Ｈは、カップ内の中央部分（イオンビーム１の
飛翔部）に対して内外の何れかの孔Ｈによつて遮蔽され
るよう構成する。そうすれば、質量の大きいガスイオン
が内壁27A の孔Ｈから外壁27B の孔Ｈを通つてファラデ
ーカップの外へ抜け出ようとしても、内壁27A と外壁27
B との間には図示のような電気力線（矢印に示す）が存
在し、この強い電界によりガスイオンの方向が変わり、
外壁27B に容易に捕えられて、その電荷量がカウントさ
れ、積算電気値の精度が高くなる。例えば、孔Ｈの直径
は５mm，内壁27A と外壁27B との間隔は５mm程度のファ
ラデーカップを作成するのが適当である。Further, FIG. 7 shows the inner wall 27A and the outer wall 27B of the Faraday cup.
And the hole H provided in the Faraday cup wall is shielded by any hole H inside or outside the central part (the flying part of the ion beam 1) inside the cup. Constitute. Then, even if gas ions having a large mass try to escape from the Faraday cup through the hole H of the inner wall 27A and the hole H of the outer wall 27B, the inner wall 27A and the outer wall 27
There is a line of electric force (shown by the arrow) between B and B, and the direction of gas ions changes due to this strong electric field,
It is easily captured by the outer wall 27B, the amount of charge is counted, and the accuracy of the integrated electric value is increased. For example, it is suitable to make a Faraday cup having a diameter of the hole H of 5 mm and a distance between the inner wall 27A and the outer wall 27B of about 5 mm.
(f) 発明の効果 以上のように、本発明にかかるファラデーカップを用い
ると、ターゲット表面で発生するガスを急速に排気する
ことが容易になつて、特にイオンビーム線上の真空度維
持に効果があると共に、ファラデーカップ内で生じる電
子（二次電子）やイオン（ガスイオン）が漏れなく捕獲
でき、イオン量を精度良く計数することができる。(f) Effects of the Invention As described above, when the Faraday cup according to the present invention is used, it is easy to rapidly exhaust the gas generated on the target surface, and it is particularly effective in maintaining the degree of vacuum on the ion beam line. At the same time, electrons (secondary electrons) and ions (gas ions) generated in the Faraday cup can be captured without leakage, and the amount of ions can be accurately counted.
従つて、本発明によればイオン量計測が正確になり、イ
オン注入技術の発展に著しく寄与し、ＩＣの高品質，高
性能化に役立つものである。特に、大電流イオン注入装
置に使用するとその効果が大きく、又レジスト膜付き半
導体ウエハーをターゲットとした場合に効果がある。Therefore, according to the present invention, the measurement of the amount of ions becomes accurate, which significantly contributes to the development of the ion implantation technique and contributes to the high quality and high performance of IC. In particular, the effect is large when used in a high-current ion implantation apparatus, and it is effective when a semiconductor wafer with a resist film is used as a target.
尚、本発明はイオン注入装置のみならず、イオンスパッ
タなどのその他の装置にも適用することもできる。The present invention can be applied not only to the ion implantation apparatus but also to other apparatuses such as ion sputtering.
第１図はイオン注入装置の概要構成図、第２図(a)，(b)
は従来のファラデーカップ部分の斜視図と断面図、第３
図は半導体ウエハー（ターゲット）の部分断面図、第４
図は従来の他例のファラデーカップ断面図、第５図は本
発明にかかるファラデーカップ部分の概要断面図、第６
図は本発明にかかるリング状のファラデーカップの斜視
図、第７図は本発明にかかるファラデーカップの部分断
面図を示している。 図中、１はイオンビーム，２はイオン発生源，３はイオ
ン分離器，４はイオン加速電極，５は走査電極，６はタ
ーゲット（半導体ウエハー），７，17，27A ，27B はフ
ァラデーカップ，８は電流計，９はサプレッション電
極，10はレジスト膜，11，21は電源，Ｈはファラデーカ
ップの孔を示している。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an ion implantation apparatus, and FIGS. 2 (a) and 2 (b).
Is a perspective view and a sectional view of a conventional Faraday cup portion,
The figure shows a partial cross-sectional view of a semiconductor wafer (target), No. 4.
FIG. 6 is a sectional view of another conventional Faraday cup, and FIG. 5 is a schematic sectional view of a Faraday cup portion according to the present invention.
FIG. 7 is a perspective view of a ring-shaped Faraday cup according to the present invention, and FIG. 7 is a partial sectional view of the Faraday cup according to the present invention. In the figure, 1 is an ion beam, 2 is an ion generation source, 3 is an ion separator, 4 is an ion accelerating electrode, 5 is a scanning electrode, 6 is a target (semiconductor wafer), 7, 17, 27A and 27B are Faraday cups, 8 is an ammeter, 9 is a suppression electrode, 10 is a resist film, 11 and 21 are power supplies, and H is a Faraday cup hole.
Claims (1)
外筒に挿入して構成され、荷電粒子が照射されるターゲ
ット近傍に設置されるファラデーカップを有する荷電粒
子照射装置において、 前記内筒に正電位が印加され、前記外筒に負電位が印加
され、かつ前記内筒の孔と前記外筒の孔とが互いにずら
されていることを特徴とする荷電粒子照射装置。1. A charged particle irradiation apparatus having a Faraday cup, which is constructed by inserting an inner cylinder having a plurality of holes into an outer cylinder having a plurality of holes and is installed near a target irradiated with charged particles. A charged particle irradiation apparatus, wherein a positive potential is applied to the inner cylinder, a negative potential is applied to the outer cylinder, and the hole of the inner cylinder and the hole of the outer cylinder are displaced from each other.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086320A JPH0626107B2 (en) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | Charged particle irradiation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086320A JPH0626107B2 (en) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | Charged particle irradiation device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60230347A JPS60230347A (en) | 1985-11-15 |
| JPH0626107B2 true JPH0626107B2 (en) | 1994-04-06 |
Family
ID=13883540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59086320A Expired - Lifetime JPH0626107B2 (en) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | Charged particle irradiation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626107B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120743A (en) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Origin Electric Co Ltd | Charged particle irradiating device |
| JPH0754689B2 (en) * | 1988-11-26 | 1995-06-07 | 株式会社日立製作所 | Ion implanter |
| US6300643B1 (en) * | 1998-08-03 | 2001-10-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dose monitor for plasma doping system |
| JP4605146B2 (en) * | 2006-11-16 | 2011-01-05 | 日新イオン機器株式会社 | Ion beam measurement device |
| CN112987076B (en) * | 2021-02-07 | 2022-08-16 | 中国科学院近代物理研究所 | Stream intensity detection system for weak beam current |
-
1984
- 1984-04-28 JP JP59086320A patent/JPH0626107B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60230347A (en) | 1985-11-15 |
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