JPH0626236B2 - 半導体装置の配線方法 - Google Patents
半導体装置の配線方法Info
- Publication number
- JPH0626236B2 JPH0626236B2 JP61070980A JP7098086A JPH0626236B2 JP H0626236 B2 JPH0626236 B2 JP H0626236B2 JP 61070980 A JP61070980 A JP 61070980A JP 7098086 A JP7098086 A JP 7098086A JP H0626236 B2 JPH0626236 B2 JP H0626236B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- laser
- film
- gas
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の表面に配線を付加する方法に係
り、特に試作した半導体装置をに部分的な不良が存在す
る場合に不良箇所を特定したり補修するのに好適な配線
付加方法に関する。
り、特に試作した半導体装置をに部分的な不良が存在す
る場合に不良箇所を特定したり補修するのに好適な配線
付加方法に関する。
近年、半導体装置は微細化，高集積化が著しく製作した
半導体装置が設計通りに動作することは少なく、チップ
上の配線を切断したり、任意の部分を接続することによ
り不良箇所を特定したり、あるいは補修することにより
暫定的に完全な動作が得られる様にして特性を評価する
ことが行なわれている。このうち、任意の箇所を接続す
る方法としてアプライド・フィジックス・レター39（1
2）（1981年）第957頁から第959頁（Applied Physics L
etter 39（12）（1981）pp957〜959，あるいはエクステ
ンド・アブストラクト・オブ・ザ・セブンティーンス・
コンファレンス・オン・ソリッド・ステート・デバイス
・アンド・マテリアルズ（1985年）第193頁から第196頁
（Extended Abstracts of the 17th Conference on Sol
id State Devices and Materials，Tokyo，1985 pp193
〜196）などで、レーザＣＶＤにより局所的に配線を付
加形成する技術が論じられている。
半導体装置が設計通りに動作することは少なく、チップ
上の配線を切断したり、任意の部分を接続することによ
り不良箇所を特定したり、あるいは補修することにより
暫定的に完全な動作が得られる様にして特性を評価する
ことが行なわれている。このうち、任意の箇所を接続す
る方法としてアプライド・フィジックス・レター39（1
2）（1981年）第957頁から第959頁（Applied Physics L
etter 39（12）（1981）pp957〜959，あるいはエクステ
ンド・アブストラクト・オブ・ザ・セブンティーンス・
コンファレンス・オン・ソリッド・ステート・デバイス
・アンド・マテリアルズ（1985年）第193頁から第196頁
（Extended Abstracts of the 17th Conference on Sol
id State Devices and Materials，Tokyo，1985 pp193
〜196）などで、レーザＣＶＤにより局所的に配線を付
加形成する技術が論じられている。
上記従来技術は、複数の配線が交差する点については配
慮がされておらず、交差させた場合には短絡してしま
い、本来の目的が達成できない。また、交差を避けるた
めには適用範囲が限定されてしまうという問題点があっ
た。
慮がされておらず、交差させた場合には短絡してしま
い、本来の目的が達成できない。また、交差を避けるた
めには適用範囲が限定されてしまうという問題点があっ
た。
本発明の目的は、複数の配線が交差しても短絡すること
なくチップ上の任意の箇所を接続できる半導体装置の配
線方法を提供することにある。
なくチップ上の任意の箇所を接続できる半導体装置の配
線方法を提供することにある。
本発明の目的は、半導体装置の表面に、該表面の窓あけ
加工された部分を介して前記半導体装置の内部の導体部
分と電気的に接続する複数の配線膜を付加形成する方法
において、付加形成する第１の配線膜をレーザＣＶＤに
より形成する工程と、 前記第１の配線膜上の所望の部分に絶縁膜をレーザＣＶ
Ｄにより形成する工程と、付加形成する第２の配線膜を
レーザＣＶＤにより前記絶縁膜上で前記第１の配線膜と
交差するようにして形成する工程とを有して配線を付加
形成することにより達成される。
加工された部分を介して前記半導体装置の内部の導体部
分と電気的に接続する複数の配線膜を付加形成する方法
において、付加形成する第１の配線膜をレーザＣＶＤに
より形成する工程と、 前記第１の配線膜上の所望の部分に絶縁膜をレーザＣＶ
Ｄにより形成する工程と、付加形成する第２の配線膜を
レーザＣＶＤにより前記絶縁膜上で前記第１の配線膜と
交差するようにして形成する工程とを有して配線を付加
形成することにより達成される。
即ち、まず下層となる配線をレーザＣＶＤにより配線を
形成するため材料ガス雰囲気でレーザ光を照射して形成
し、その後材料ガスを交換して交差する部分を含む周辺
部に、同じくレーザＣＶＤにより絶縁層を形成する。し
かる後に下層配線と交差する配線を絶縁層上に形成する
ことにより、上下配線は互いに絶縁されていて短絡する
ことがない。
形成するため材料ガス雰囲気でレーザ光を照射して形成
し、その後材料ガスを交換して交差する部分を含む周辺
部に、同じくレーザＣＶＤにより絶縁層を形成する。し
かる後に下層配線と交差する配線を絶縁層上に形成する
ことにより、上下配線は互いに絶縁されていて短絡する
ことがない。
以下、本発明の実施例を図に従い説明する。第１図は本
発明の一実施例の手順を説明するものである。まず第１
図(a)に示す様にＳｉ基板１上にＳｉ5Ｏ2膜２を介して
配線層３が形成され、パシベーション膜４が全面に形成
されたチップを、配線形成のためのＣＶＤガス５雰囲気
中に載置する。このチップには、接続を要する部分に予
かじめ窓部６が形成されている。なお図では説明上不要
な部分、例えば拡散層などは省略してある。ここで、Ｃ
ＶＤガス５を分解して配線材料を析出させるためのレー
ザ光７を集光照射しつつ矢印で示す方向へ走査させる。
これは、レーザ光７を移動させても、チップを移動させ
ても良い。接続を要する部分（図中の6aから6bまで）の
走査を終了した時点でレーザ光７の照射を停止すること
により、第１図(b)に示す様に付加配線８が形成され、6
aと6bの接続が完了する。次に配線材料を析出するため
のＣＶＤガス５を排出し、絶縁材料を析出させるための
ＣＶＤ材料ガス９を導入して第１図(c)に示す様に付加
配線８の交差部分にレーザ光７を、少なくとも交差部分
を覆う様に走査しつつ照射する。これにより、ＣＶＤガ
ス９が分解され、第１図(d)に示す様に絶縁膜10が形成
される。次に再度、ＣＶＤガス９を排気して配線材料を
析出させるためのＣＶＤガス５を導入する。第１図(e)
に示す様にしかる後にレーザ光７を照射しつつ、付加配
線８上の絶縁膜10を介して、紙面に垂直方向に走査して
付加配線８に交差する付加配線11を形成する。
発明の一実施例の手順を説明するものである。まず第１
図(a)に示す様にＳｉ基板１上にＳｉ5Ｏ2膜２を介して
配線層３が形成され、パシベーション膜４が全面に形成
されたチップを、配線形成のためのＣＶＤガス５雰囲気
中に載置する。このチップには、接続を要する部分に予
かじめ窓部６が形成されている。なお図では説明上不要
な部分、例えば拡散層などは省略してある。ここで、Ｃ
ＶＤガス５を分解して配線材料を析出させるためのレー
ザ光７を集光照射しつつ矢印で示す方向へ走査させる。
これは、レーザ光７を移動させても、チップを移動させ
ても良い。接続を要する部分（図中の6aから6bまで）の
走査を終了した時点でレーザ光７の照射を停止すること
により、第１図(b)に示す様に付加配線８が形成され、6
aと6bの接続が完了する。次に配線材料を析出するため
のＣＶＤガス５を排出し、絶縁材料を析出させるための
ＣＶＤ材料ガス９を導入して第１図(c)に示す様に付加
配線８の交差部分にレーザ光７を、少なくとも交差部分
を覆う様に走査しつつ照射する。これにより、ＣＶＤガ
ス９が分解され、第１図(d)に示す様に絶縁膜10が形成
される。次に再度、ＣＶＤガス９を排気して配線材料を
析出させるためのＣＶＤガス５を導入する。第１図(e)
に示す様にしかる後にレーザ光７を照射しつつ、付加配
線８上の絶縁膜10を介して、紙面に垂直方向に走査して
付加配線８に交差する付加配線11を形成する。
ここで、パシペーション膜の窓あけはリソグラフィ技術
を用いたエッチングの他に、レーザ加工，イオンビーム
加工等を適用することにより達成できる。付加配線８，
11の形成に用いるＣＶＤガス５としてSiH4とドーパント
ガス、例えばBcl3，Ｂ（ＣＨ3）3などとの混合ガスを使
用することにより、不純物がドープされた多結晶Ｓｉ配
線が、レーザ光７としてＡｒレーザを照射することによ
り形成できる。また、絶縁膜10を形成するＣＶＤガス９
としてSiH4とＮ2Ｏの混合ガスを使用することによりSiO
2膜が形成できる。レーザ光としては付加配線の形成と
同じくＡｒレーザを使用する。
を用いたエッチングの他に、レーザ加工，イオンビーム
加工等を適用することにより達成できる。付加配線８，
11の形成に用いるＣＶＤガス５としてSiH4とドーパント
ガス、例えばBcl3，Ｂ（ＣＨ3）3などとの混合ガスを使
用することにより、不純物がドープされた多結晶Ｓｉ配
線が、レーザ光７としてＡｒレーザを照射することによ
り形成できる。また、絶縁膜10を形成するＣＶＤガス９
としてSiH4とＮ2Ｏの混合ガスを使用することによりSiO
2膜が形成できる。レーザ光としては付加配線の形成と
同じくＡｒレーザを使用する。
以上の他、配線材料としてＡｌを析出させる場合はＡｌ
（ＣＨ3）3とＡｒレーザの第２高調波、Ｃｄを析出させ
る場合はＣｄ（ＣＨ3）2とＡｒレーザの第２高調波、Ｍ
0を析出させる場合はＭ0（ＣＯ）6とＡｒレーザ、Ｗを
析出させる場合にはＷ（ＣＯ）６とＡｒレーザ、Ｎｉを
析出させる場合にはＮｉ（ＣＯ）4とＡｒレーザ等の組
合せを、また絶縁材料としてＡｌ2Ｏ3を析出させる場合
にはＡｌ（ＣＨ3）3とＮ2Ｏの混合ガスとＡｒレーザの
第２高調波を、Ｍ0Ｏ3を析出させる場合にはＭ0（Ｃ
Ｏ）6とＯ2の混合ガスとＡｒレーザを、ＷＯ3を析出さ
せる場合にはＷ（ＣＯ）6とＯ2の混合ガスとＡｒレーザ
等の組合せを使用することができるが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
（ＣＨ3）3とＡｒレーザの第２高調波、Ｃｄを析出させ
る場合はＣｄ（ＣＨ3）2とＡｒレーザの第２高調波、Ｍ
0を析出させる場合はＭ0（ＣＯ）6とＡｒレーザ、Ｗを
析出させる場合にはＷ（ＣＯ）６とＡｒレーザ、Ｎｉを
析出させる場合にはＮｉ（ＣＯ）4とＡｒレーザ等の組
合せを、また絶縁材料としてＡｌ2Ｏ3を析出させる場合
にはＡｌ（ＣＨ3）3とＮ2Ｏの混合ガスとＡｒレーザの
第２高調波を、Ｍ0Ｏ3を析出させる場合にはＭ0（Ｃ
Ｏ）6とＯ2の混合ガスとＡｒレーザを、ＷＯ3を析出さ
せる場合にはＷ（ＣＯ）6とＯ2の混合ガスとＡｒレーザ
等の組合せを使用することができるが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
次に本発明の別な実施例についてその処理手順を第２図
に示す。まず第２図(a)は第１図(a)と同じくＳｉ基板１
上にＳｉＯ2膜２を介して配線層３が形成され、パシベ
ーション膜４が全面に形成されたチップが配線材料を析
出させるためのＣＶＤガス５の雰囲気中に置かれる。こ
のチップには配線接続を要する部分に予め窓部６が形成
されている。なお図には、説明上不要部分は省略してあ
る。ここで、ＣＶＤガス５を分解して配線材料を析出さ
せるためのレーザ光７を集光照射しつつ走査する。第２
図(a)では紙面に垂直方向に走査させている。接続に必
要な部分へのレーザ照射が終了した時点でレーザ照射を
停止することにより、付加配線８が形成される。次に配
線材料を析出させるためのＣＶＤガス５を排出し、Ｏ2
ガスあるいは乾燥空気12を導入して、第２図(b)に示す
様に付加配線８の交差部分にレーザ光７を少なくとも交
差部分を覆う様に走査しつつ照射する。これにより、第
２図(c)に示す様にレーザ光７を照射された付加配線８
の表面部分に酸化皮膜13が形成される。次にＯ2ガスあ
るいは乾燥空気12を排出し、配線材料を析出させるため
のＣＶＤガス５を導入する。しかる後に、第２図(d)に
示す様にレーザ光７を集光照射しつつ矢印で示す方向へ
走査させる。これにより、第２図(e)に示す様に付加配
線８と酸化皮膜13を介して交差する付加配線11を形成す
ることができる。ここで、配線材料を析出するためのＣ
ＶＤ材料ガスとレーザについては前に述べた組合せを用
いることができ、また酸化皮膜を形成するためにはＯ2
ガス（あるいは乾燥空気）と加熱することのできるいか
なるレーザとの組合せでも可能である。
に示す。まず第２図(a)は第１図(a)と同じくＳｉ基板１
上にＳｉＯ2膜２を介して配線層３が形成され、パシベ
ーション膜４が全面に形成されたチップが配線材料を析
出させるためのＣＶＤガス５の雰囲気中に置かれる。こ
のチップには配線接続を要する部分に予め窓部６が形成
されている。なお図には、説明上不要部分は省略してあ
る。ここで、ＣＶＤガス５を分解して配線材料を析出さ
せるためのレーザ光７を集光照射しつつ走査する。第２
図(a)では紙面に垂直方向に走査させている。接続に必
要な部分へのレーザ照射が終了した時点でレーザ照射を
停止することにより、付加配線８が形成される。次に配
線材料を析出させるためのＣＶＤガス５を排出し、Ｏ2
ガスあるいは乾燥空気12を導入して、第２図(b)に示す
様に付加配線８の交差部分にレーザ光７を少なくとも交
差部分を覆う様に走査しつつ照射する。これにより、第
２図(c)に示す様にレーザ光７を照射された付加配線８
の表面部分に酸化皮膜13が形成される。次にＯ2ガスあ
るいは乾燥空気12を排出し、配線材料を析出させるため
のＣＶＤガス５を導入する。しかる後に、第２図(d)に
示す様にレーザ光７を集光照射しつつ矢印で示す方向へ
走査させる。これにより、第２図(e)に示す様に付加配
線８と酸化皮膜13を介して交差する付加配線11を形成す
ることができる。ここで、配線材料を析出するためのＣ
ＶＤ材料ガスとレーザについては前に述べた組合せを用
いることができ、また酸化皮膜を形成するためにはＯ2
ガス（あるいは乾燥空気）と加熱することのできるいか
なるレーザとの組合せでも可能である。
以上、実施例で述べた方法はウエハあるいはチップをＣ
ＶＤチャンバ内に挿入し一定圧力までＣＶＤガスあるい
は酸素を導入した後、レーザを照射して配線あるいは絶
縁膜，酸化皮膜を形成するものであり、ＣＶＤガスある
いは酸素の導入，排気を何回か繰返して必要な配線（絶
縁膜を含む）を形成するものである。
ＶＤチャンバ内に挿入し一定圧力までＣＶＤガスあるい
は酸素を導入した後、レーザを照射して配線あるいは絶
縁膜，酸化皮膜を形成するものであり、ＣＶＤガスある
いは酸素の導入，排気を何回か繰返して必要な配線（絶
縁膜を含む）を形成するものである。
また、これ以外に、同じくウエハあるいはチップをＣＶ
Ｄチャンバ内に挿入し、チャンバ内を常に排気しながら
ノズル等でＣＶＤガスあるいは酸素などを吹き付けなが
らレーザを照射して配線絶縁膜あるいは酸化膜を形成す
ることができる。この場合は、バルブ操作により吹き出
させるガスの種類を変えるだけで、配線と絶縁膜の切換
えができる。（切換えに要する時間は短いが、ＣＶＤガ
スのムダが多い。）当然、時間，ＣＶＤガス消費量を除
けば、得られる効果は同じである。
Ｄチャンバ内に挿入し、チャンバ内を常に排気しながら
ノズル等でＣＶＤガスあるいは酸素などを吹き付けなが
らレーザを照射して配線絶縁膜あるいは酸化膜を形成す
ることができる。この場合は、バルブ操作により吹き出
させるガスの種類を変えるだけで、配線と絶縁膜の切換
えができる。（切換えに要する時間は短いが、ＣＶＤガ
スのムダが多い。）当然、時間，ＣＶＤガス消費量を除
けば、得られる効果は同じである。
なお、今までＣＶＤガスと述べてきたものは、反応ガス
および必要に応じて使用されるバッファの混合ガスの意
味である。
および必要に応じて使用されるバッファの混合ガスの意
味である。
また、交差する配線が異なる材料（例えば下層が多結晶
Ｓｉ配線，上層がＡｌ配線）の場合でも、さらには交差
する配線のおのおのおよび絶縁層を形成するのに異なる
レーザを使用する場合についても本発明に含まれる。
Ｓｉ配線，上層がＡｌ配線）の場合でも、さらには交差
する配線のおのおのおよび絶縁層を形成するのに異なる
レーザを使用する場合についても本発明に含まれる。
本発明によれば、複数の配線を短絡することなく交差さ
せながらＬＳＩチップ上の任意の箇所を接続できるの
で、半導体装置に不良が存在する場合に、不良箇所の特
定が確実に行なえる。また、完全な動作が得られる様に
補修する場合においても、配線上の不良については事実
上制限なく補修が行える効果がある。
せながらＬＳＩチップ上の任意の箇所を接続できるの
で、半導体装置に不良が存在する場合に、不良箇所の特
定が確実に行なえる。また、完全な動作が得られる様に
補修する場合においても、配線上の不良については事実
上制限なく補修が行える効果がある。
第１図は本発明のレーザ処理方法の手順を説明する図、
第２図は別な実施例の手順を説明する図である。 １……Ｓｉ基板、２……ＳｉＯ2膜、３……配線層、４
……パシベーション膜、５……配線材料を析出するため
のＣＶＤガス、６……窓部、７……レーザ光、８，11…
…付加配線、10……絶縁膜、13……酸化皮膜。
第２図は別な実施例の手順を説明する図である。 １……Ｓｉ基板、２……ＳｉＯ2膜、３……配線層、４
……パシベーション膜、５……配線材料を析出するため
のＣＶＤガス、６……窓部、７……レーザ光、８，11…
…付加配線、10……絶縁膜、13……酸化皮膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮内 建興 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 斎藤 啓谷 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−245553（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】半導体装置の表面に、該表面の窓あけ加工
された部分を介して前記半導体装置の内部の導体部分と
電気的に接続する複数の配線膜を付加形成する方法であ
って、 付加形成する第１の配線膜をレーザＣＶＤにより形成す
る工程と、 前記第１の配線膜上の所望の部分に絶縁膜をレーザＣＶ
Ｄにより形成する工程と、 付加形成する第２の配線膜をレーザＣＶＤにより前記絶
縁膜上で前記第１の配線膜と交差するようにして形成す
る工程 とを有することを特徴とする半導体装置の配線方法。 - 【請求項２】前記絶縁膜が、ＳｉＯ2膜で形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置の配線方法。 - 【請求項３】前記絶縁膜が、前記第１の配線膜の表面を
酸化させて形成した酸化膜であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置の配線方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61070980A JPH0626236B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の配線方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61070980A JPH0626236B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の配線方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229957A JPS62229957A (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0626236B2 true JPH0626236B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=13447182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61070980A Expired - Fee Related JPH0626236B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の配線方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626236B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182231A (en) * | 1988-04-07 | 1993-01-26 | Hitachi, Ltd. | Method for modifying wiring of semiconductor device |
| WO2004086487A1 (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | 半導体装置およびその作製方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245553A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Hitachi Ltd | 磁気記録再生装置 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61070980A patent/JPH0626236B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62229957A (ja) | 1987-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5580615A (en) | Method of forming a conductive film on an insulating region of a substrate | |
| US5041361A (en) | Oxygen ion-beam microlithography | |
| Yavas et al. | Field emitter array fabricated using focused ion and electron beam induced reaction | |
| JPH0626236B2 (ja) | 半導体装置の配線方法 | |
| JP3258199B2 (ja) | 半導体装置のパターン形成方法 | |
| US4680087A (en) | Etching of dielectric layers with electrons in the presence of sulfur hexafluoride | |
| JP4042893B2 (ja) | 無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるＳｉ半導体微細構造体の加工方法 | |
| JPS6355957A (ja) | Ｉｃ配線の接続方法および装置 | |
| JP3388059B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS62250655A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4405201B2 (ja) | 二次元パターニング方法ならびにそれを用いた電子デバイスの作製方法 | |
| JPH033351A (ja) | 配線形成方法 | |
| JPS58139447A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6686266B2 (en) | Method for forming a fuse in a semiconductor device | |
| JPS62114270A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58115815A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル方法 | |
| JPH01239931A (ja) | 炭素膜の形成された電子装置の作製方法 | |
| JP2558614B2 (ja) | パターン膜生成方法 | |
| JPH02117131A (ja) | 集束イオンビーム加工装置 | |
| JPH02146730A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100642477B1 (ko) | 반도체 소자의 정렬키 제조 방법 | |
| JP2704054B2 (ja) | 層間絶縁膜の検査方法 | |
| JP2647056B2 (ja) | 半導体のパターン形成方法 | |
| JPS58173829A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| US20070099433A1 (en) | Gas dielectric structure formation using radiation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |