JPH06264284A - 配線基板の形成方法 - Google Patents
配線基板の形成方法Info
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- JPH06264284A JPH06264284A JP5396693A JP5396693A JPH06264284A JP H06264284 A JPH06264284 A JP H06264284A JP 5396693 A JP5396693 A JP 5396693A JP 5396693 A JP5396693 A JP 5396693A JP H06264284 A JPH06264284 A JP H06264284A
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- JP
- Japan
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- nickel
- plating
- phosphorus
- film
- plating film
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １次ニッケルめっきの後に熱処理を行い、そ
の後に２次ニッケルめっきを行う方法において、２次ニ
ッケルめっきに無電解ニッケル−リンめっきを用い、リ
ン含有量とめっき膜厚を規定することにより、はんだ等
のロウ付けにおける接合強度、ぬれ性の低下のない配線
基板の形成方法を提供すること。 【構成】 セラミック配線基板上に形成されたタングス
テンまたはモリブデンから成る配線パターン上と、接続
パッド上に無電解ニッケル−ボロンめっき膜を形成し、
熱処理を行った後、ニッケル−リンめっき膜を形成して
構成した。
の後に２次ニッケルめっきを行う方法において、２次ニ
ッケルめっきに無電解ニッケル−リンめっきを用い、リ
ン含有量とめっき膜厚を規定することにより、はんだ等
のロウ付けにおける接合強度、ぬれ性の低下のない配線
基板の形成方法を提供すること。 【構成】 セラミック配線基板上に形成されたタングス
テンまたはモリブデンから成る配線パターン上と、接続
パッド上に無電解ニッケル−ボロンめっき膜を形成し、
熱処理を行った後、ニッケル−リンめっき膜を形成して
構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、タングステン、モリブ
デン等の高融点金属により形成された配線パターン上
に、はんだ等のロウ付け性を付与するために、ニッケル
−ボロンめっき、熱処理、ニッケル−リンめっきの順で
ニッケルめっき膜を形成する配線基板の形成方法に関す
る。
デン等の高融点金属により形成された配線パターン上
に、はんだ等のロウ付け性を付与するために、ニッケル
−ボロンめっき、熱処理、ニッケル−リンめっきの順で
ニッケルめっき膜を形成する配線基板の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】セラミック配線板の配線材料に用いられ
ているタングステン、モリブデン等の高融点金属は極め
て酸化しやすいため、そのままの状態でははんだ付け等
のロウ付けを行うことは困難である。そこで、タングス
テン、モリブデンの上にニッケルめっきを施す方法が一
般に行われている。タングステン、モリブデンとニッケ
ルとはめっきしたままの状態では十分な接合強度が得ら
れないため、６００℃以上の温度で熱処理を行い、両者
の界面にタングステン−ニッケル化合物またはモリブデ
ン−ニッケル化合物を形成して接合させている。ニッケ
ルめっき方法としては、配線パターンが電気的に孤立し
ているため、電気めっきの適用は難しく、無電解めっき
が用いられている。
ているタングステン、モリブデン等の高融点金属は極め
て酸化しやすいため、そのままの状態でははんだ付け等
のロウ付けを行うことは困難である。そこで、タングス
テン、モリブデンの上にニッケルめっきを施す方法が一
般に行われている。タングステン、モリブデンとニッケ
ルとはめっきしたままの状態では十分な接合強度が得ら
れないため、６００℃以上の温度で熱処理を行い、両者
の界面にタングステン−ニッケル化合物またはモリブデ
ン−ニッケル化合物を形成して接合させている。ニッケ
ルめっき方法としては、配線パターンが電気的に孤立し
ているため、電気めっきの適用は難しく、無電解めっき
が用いられている。
【０００３】無電解ニッケルめっきにはニッケル−リ
ン、ニッケル−ボロンの２種類があり、いずれもめっき
後は微結晶ではんだ等のロウ付け性に優れている。しか
し、３００℃以上の温度で熱処理をすると結晶化が進
み、ニッケル−リン化合物、ニッケル−ボロン化合物が
生成し、はんだ付け等のロウ付け性が低下する欠点があ
る。そのため、熱処理後に再びニッケルめっきを施す方
法が用いられている。その例としては、特開昭６０−１
９７８９４号公報に記載の技術がある。
ン、ニッケル−ボロンの２種類があり、いずれもめっき
後は微結晶ではんだ等のロウ付け性に優れている。しか
し、３００℃以上の温度で熱処理をすると結晶化が進
み、ニッケル−リン化合物、ニッケル−ボロン化合物が
生成し、はんだ付け等のロウ付け性が低下する欠点があ
る。そのため、熱処理後に再びニッケルめっきを施す方
法が用いられている。その例としては、特開昭６０−１
９７８９４号公報に記載の技術がある。
【０００４】前掲特開昭６０−１９７８９４号公報に
は、１次ニッケルめっきを０．３〜１．０μｍの厚さに
形成し、８００〜１２００℃で熱処理した後、所定の厚
さの２次ニッケルめっきを行う方法が記載され、めっき
膜と下地とで剥離の生じない大きな接合が得られる等の
効果が記載されている。
は、１次ニッケルめっきを０．３〜１．０μｍの厚さに
形成し、８００〜１２００℃で熱処理した後、所定の厚
さの２次ニッケルめっきを行う方法が記載され、めっき
膜と下地とで剥離の生じない大きな接合が得られる等の
効果が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前掲特開昭６
０−１９７８９４号公報に記載の方法では、２次ニッケ
ルめっきを無電解ニッケル−リンめっきとした時、その
中のリン含有量が多すぎた場合や、めっき厚が厚すぎた
場合には、はんだ付け等のロウ付けにおいてリンの濃縮
による接合強度が低下する欠点がある。また、めっき厚
が薄すぎると、はんだ等のぬれ性が低下する欠点があ
る。
０−１９７８９４号公報に記載の方法では、２次ニッケ
ルめっきを無電解ニッケル−リンめっきとした時、その
中のリン含有量が多すぎた場合や、めっき厚が厚すぎた
場合には、はんだ付け等のロウ付けにおいてリンの濃縮
による接合強度が低下する欠点がある。また、めっき厚
が薄すぎると、はんだ等のぬれ性が低下する欠点があ
る。
【０００６】本発明の目的は、１次ニッケルめっきの後
に熱処理を行い、その後に２次ニッケルめっきを行う方
法において、２次ニッケルめっきに無電解ニッケル−リ
ンめっきを用い、リン含有量とめっき膜厚を規定するこ
とにより、はんだ等のロウ付けにおける接合強度、ぬれ
性の低下のない配線基板の形成方法を提供することにあ
る。
に熱処理を行い、その後に２次ニッケルめっきを行う方
法において、２次ニッケルめっきに無電解ニッケル−リ
ンめっきを用い、リン含有量とめっき膜厚を規定するこ
とにより、はんだ等のロウ付けにおける接合強度、ぬれ
性の低下のない配線基板の形成方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は１次ニッケルめっきを熱処理した後に行う
２次ニッケルめっきに、析出力の強いニッケル−リンめ
っきを用いることにより、高い接合強度を得るととも
に、リン含有率６％以下とし、かつめっき膜を０．３〜
２μｍとすることにより、はんだ、金−スズ等のロウ付
け時の接合界面へのリンの濃縮による接合強度の低下を
防止し、さらに十分なはんだぬれ性を確保したものであ
る。
め、本発明は１次ニッケルめっきを熱処理した後に行う
２次ニッケルめっきに、析出力の強いニッケル−リンめ
っきを用いることにより、高い接合強度を得るととも
に、リン含有率６％以下とし、かつめっき膜を０．３〜
２μｍとすることにより、はんだ、金−スズ等のロウ付
け時の接合界面へのリンの濃縮による接合強度の低下を
防止し、さらに十分なはんだぬれ性を確保したものであ
る。
【０００８】
【作用】２次ニッケルめっきに適用可能な無電解ニッケ
ルめっきには、ニッケル−リンめっきと、ニッケル−ボ
ロンめっきとがある。ニッケル−ボロンめっきは、ボロ
ン含有量が一般に０．３〜１．０％と低く、ニッケル純
度が高いため、はんだ等のロウ付け性に優れている。し
かし、めっきの析出力が小さいため、熱処理後の１次ニ
ッケルめっき膜上に確実に析出させることは困難であ
る。特に１００μｍオーダーの微小な接続パッドを数１
００個以上有する配線基板の場合には、ニッケル−ボロ
ンめっきの析出しないパッドが現われてしまう。その対
策としては、２次めっきの前にパラジウム溶液による活
性化を行う方法があり、これによりニッケル−ボロンめ
っきを確実に析出させることが可能である。しかし、こ
の方法では１次めっき膜とニッケル−ボロンめっき膜と
の間に活性化処理によるパラジウム層が存在するため、
両者の接合強度は極めて小さくなってしまう。
ルめっきには、ニッケル−リンめっきと、ニッケル−ボ
ロンめっきとがある。ニッケル−ボロンめっきは、ボロ
ン含有量が一般に０．３〜１．０％と低く、ニッケル純
度が高いため、はんだ等のロウ付け性に優れている。し
かし、めっきの析出力が小さいため、熱処理後の１次ニ
ッケルめっき膜上に確実に析出させることは困難であ
る。特に１００μｍオーダーの微小な接続パッドを数１
００個以上有する配線基板の場合には、ニッケル−ボロ
ンめっきの析出しないパッドが現われてしまう。その対
策としては、２次めっきの前にパラジウム溶液による活
性化を行う方法があり、これによりニッケル−ボロンめ
っきを確実に析出させることが可能である。しかし、こ
の方法では１次めっき膜とニッケル−ボロンめっき膜と
の間に活性化処理によるパラジウム層が存在するため、
両者の接合強度は極めて小さくなってしまう。
【０００９】これに対して、ニッケル−リンめっきは析
出力が大きいため、前記のごとき微細な接続パッドを多
数有する配線基板においても、全ての接続パッドに確実
に析出させることが可能であり、１次ニッケル−ボロン
めっき膜との接合強度も大きな値が得られる。例えば、
直径０．５mmの銅線をはんだ付けして引っ張った時、ニ
ッケル−リンでは１kg以上の力で銅線が切れるのに対
し、ニッケル−ボロンでは０．１kg以下の力で１次めっ
きと２次めっきとの間で剥離してしまう。このように、
２次ニッケルめっきとしてはニッケル−リンめっきが適
している。
出力が大きいため、前記のごとき微細な接続パッドを多
数有する配線基板においても、全ての接続パッドに確実
に析出させることが可能であり、１次ニッケル−ボロン
めっき膜との接合強度も大きな値が得られる。例えば、
直径０．５mmの銅線をはんだ付けして引っ張った時、ニ
ッケル−リンでは１kg以上の力で銅線が切れるのに対
し、ニッケル−ボロンでは０．１kg以下の力で１次めっ
きと２次めっきとの間で剥離してしまう。このように、
２次ニッケルめっきとしてはニッケル−リンめっきが適
している。
【００１０】ところが、ニッケル−リンめっき膜にはリ
ンが３〜１２％含まれているため、ニッケル−リンめっ
き膜上にはんだ、金−スズ、金−ゲルマニウム、スズ−
銀などのロウ材を用いてロウ付けを行った時、ニッケル
−リンめっき膜中のリンが不純物として接合界面に濃縮
され、接合強度を低下させる。図１はニッケル−リンめ
っき膜中のリン含有率とはんだとの接合強度の関係を調
べた結果を示す図であり、接合強度はリン含有率６％以
上で著しく低下している。
ンが３〜１２％含まれているため、ニッケル−リンめっ
き膜上にはんだ、金−スズ、金−ゲルマニウム、スズ−
銀などのロウ材を用いてロウ付けを行った時、ニッケル
−リンめっき膜中のリンが不純物として接合界面に濃縮
され、接合強度を低下させる。図１はニッケル−リンめ
っき膜中のリン含有率とはんだとの接合強度の関係を調
べた結果を示す図であり、接合強度はリン含有率６％以
上で著しく低下している。
【００１１】また、ニッケル−リンめっき膜厚が厚くな
るほどロウ材中に拡散するリンの量も多くなるため、接
合強度は低下する。この関係を示すのが図２である。接
合強度は、膜厚２μｍまではほぼ一定であるが、２μｍ
以上で低下している。
るほどロウ材中に拡散するリンの量も多くなるため、接
合強度は低下する。この関係を示すのが図２である。接
合強度は、膜厚２μｍまではほぼ一定であるが、２μｍ
以上で低下している。
【００１２】図３はニッケル−リンめっき膜のはんだぬ
れ性を、直径１．５mmのはんだディスクのぬれ広がり長
さとして調べた結果である。ぬれ広がり長さは、膜厚が
０．３μｍ以上あれば１０mm以上の値が得られ、十分な
ぬれ性を有することを示している。
れ性を、直径１．５mmのはんだディスクのぬれ広がり長
さとして調べた結果である。ぬれ広がり長さは、膜厚が
０．３μｍ以上あれば１０mm以上の値が得られ、十分な
ぬれ性を有することを示している。
【００１３】以上のところから分かるように、ニッケル
−リンめっき膜はリン含有率６％以下、膜厚０．３〜２
μｍが好ましい範囲である。なお、ニッケル−リンめっ
き膜の上に、さらに金めっきを０．０５〜０．５μｍの
厚さに形成することにより、はんだぬれ性はさらに改善
され、ニッケル−リンめっき膜厚０．１μｍにおいて
も、１０mm以上のはんだぬれ広がり長さが得られる。
−リンめっき膜はリン含有率６％以下、膜厚０．３〜２
μｍが好ましい範囲である。なお、ニッケル−リンめっ
き膜の上に、さらに金めっきを０．０５〜０．５μｍの
厚さに形成することにより、はんだぬれ性はさらに改善
され、ニッケル−リンめっき膜厚０．１μｍにおいて
も、１０mm以上のはんだぬれ広がり長さが得られる。
【００１４】１次ニッケルめっきとしては、ニッケル純
度が高いこと、したがって熱処理によるニッケル化合物
の生成量が少なく、それに伴うめっき膜応力の小さいニ
ッケル−ボロンめっきが適している。１次ニッケルめっ
きの膜厚は、１〜１０μｍが好ましく、１μｍ以下では
タングステンを完全にカバーできず、１０μｍ以上では
応力が大きくなり、めっき膜クラック、接続パッド剥が
れの原因となる。
度が高いこと、したがって熱処理によるニッケル化合物
の生成量が少なく、それに伴うめっき膜応力の小さいニ
ッケル−ボロンめっきが適している。１次ニッケルめっ
きの膜厚は、１〜１０μｍが好ましく、１μｍ以下では
タングステンを完全にカバーできず、１０μｍ以上では
応力が大きくなり、めっき膜クラック、接続パッド剥が
れの原因となる。
【００１５】１次めっき後の熱処理は、６５０〜８５０
℃の温度が好ましく、６５０℃以下ではニッケルとタン
グステンとの化合物が十分生成されず、接合強度が得ら
れない。
℃の温度が好ましく、６５０℃以下ではニッケルとタン
グステンとの化合物が十分生成されず、接合強度が得ら
れない。
【００１６】一方、８５０℃以上では前記化合物が不必
要に多く生成され、ニッケル−ボロンめっき膜厚を減少
させてしまう。熱処理の雰囲気はニッケル−ボロンめっ
き膜表面の酸化防止の点、および生産性の点から還元性
雰囲気が好ましく、例えば水素：窒素＝２：１〜１：２
が適している。
要に多く生成され、ニッケル−ボロンめっき膜厚を減少
させてしまう。熱処理の雰囲気はニッケル−ボロンめっ
き膜表面の酸化防止の点、および生産性の点から還元性
雰囲気が好ましく、例えば水素：窒素＝２：１〜１：２
が適している。
【００１７】２次めっき後の前処理は、酸処理のみで十
分であり、例えば５〜１０％硫酸または１０〜５０％塩
酸に室温で３０秒〜３分程度の浸漬が適している。
分であり、例えば５〜１０％硫酸または１０〜５０％塩
酸に室温で３０秒〜３分程度の浸漬が適している。
【００１８】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳述する。
【００１９】（実施例１〜３）アルミナまたはアルミナ
とシリカから成るセラミック基板に形成されたタングス
テン配線または接続パッド上に、無電解ニッケル−ボロ
ンめっき膜を３．５μｍの厚さに形成し、その後水素：
窒素＝１：１の還元雰囲気中で７００℃で１０分間熱処
理を行った。次に、１０％硫酸を用いて２５℃で１分間
前処理した後、水洗し、ニッケル−リンめっき膜を１μ
ｍの厚さに形成した。ニッケル−リンめっき液には、組
成の異なる３種類のめっき液を使用してリン含有率３、
４．５、６％めっき膜と、比較例として８％のめっき膜
を形成した。これらのめっき膜について、直径約０．３
mmのはんだボールを接続した時の剪断強度による接合強
度試験、直径１．５mmのはんだディスクによるはんだぬ
れ広がり試験を行った。その結果は、表１に示すよう
に、はんだぬれ広がりはいずれも１０mm以上の値が得ら
れ、十分なぬれ性が示されたが、接合強度はリン含有率
３、４．５、６％の膜では１９０ｇ以上の値が得られた
が、８％の膜は８３ｇと成り、リンの接合界面への濃縮
による強度の低下がみられた。
とシリカから成るセラミック基板に形成されたタングス
テン配線または接続パッド上に、無電解ニッケル−ボロ
ンめっき膜を３．５μｍの厚さに形成し、その後水素：
窒素＝１：１の還元雰囲気中で７００℃で１０分間熱処
理を行った。次に、１０％硫酸を用いて２５℃で１分間
前処理した後、水洗し、ニッケル−リンめっき膜を１μ
ｍの厚さに形成した。ニッケル−リンめっき液には、組
成の異なる３種類のめっき液を使用してリン含有率３、
４．５、６％めっき膜と、比較例として８％のめっき膜
を形成した。これらのめっき膜について、直径約０．３
mmのはんだボールを接続した時の剪断強度による接合強
度試験、直径１．５mmのはんだディスクによるはんだぬ
れ広がり試験を行った。その結果は、表１に示すよう
に、はんだぬれ広がりはいずれも１０mm以上の値が得ら
れ、十分なぬれ性が示されたが、接合強度はリン含有率
３、４．５、６％の膜では１９０ｇ以上の値が得られた
が、８％の膜は８３ｇと成り、リンの接合界面への濃縮
による強度の低下がみられた。
【００２０】
【表１】
【００２１】（実施例４〜６）実施例１と同様に１次ニ
ッケル−ボロンめっき、熱処理を行った後、ニッケル−
リンめっき膜を０．３、１、２μｍと変えて２次ニッケ
ルめっきを行い、接合強度、はんだぬれ広がりについて
調べた。リン含有率は約４．５％である。その結果、い
ずれの場合も接合強度２００ｇ以上、はんだぬれ広がり
１０mm以上の値が得られた。しかし、比較例として行っ
た膜厚０．１μｍでは接合強度は２００ｇ以上の値が得
られたが、はんだぬれ広がりは膜厚が小さすぎたため、
６．８mmと不十分な値であった。また、膜厚３μｍでは
はんだぬれ広がりは１３．１mmと良い値を示したが、接
合強度はリン濃縮の影響により８９ｇと不十分な値であ
った。
ッケル−ボロンめっき、熱処理を行った後、ニッケル−
リンめっき膜を０．３、１、２μｍと変えて２次ニッケ
ルめっきを行い、接合強度、はんだぬれ広がりについて
調べた。リン含有率は約４．５％である。その結果、い
ずれの場合も接合強度２００ｇ以上、はんだぬれ広がり
１０mm以上の値が得られた。しかし、比較例として行っ
た膜厚０．１μｍでは接合強度は２００ｇ以上の値が得
られたが、はんだぬれ広がりは膜厚が小さすぎたため、
６．８mmと不十分な値であった。また、膜厚３μｍでは
はんだぬれ広がりは１３．１mmと良い値を示したが、接
合強度はリン濃縮の影響により８９ｇと不十分な値であ
った。
【００２２】
【表２】
【００２３】（実施例７〜９）実施例１と同様の方法で
２次ニッケル−リンめっきまで行った後、置換金めっき
液を用いて０．１μｍの厚さに金めっき膜を形成した。
ニッケル−リンめっき膜厚は０．１、１、２μｍとし、
比較例として０．０５、３μｍについても調べた。その
結果、ニッケル−リンめっき膜厚０．１μｍにおいて
も、はんだぬれ広がりは１０mm以上の良好な結果が得ら
れ、金めっきの効果が認められた。接合強度について
は、金めっきの効果は認められず、実施例４〜６と同様
の結果が得られた。
２次ニッケル−リンめっきまで行った後、置換金めっき
液を用いて０．１μｍの厚さに金めっき膜を形成した。
ニッケル−リンめっき膜厚は０．１、１、２μｍとし、
比較例として０．０５、３μｍについても調べた。その
結果、ニッケル−リンめっき膜厚０．１μｍにおいて
も、はんだぬれ広がりは１０mm以上の良好な結果が得ら
れ、金めっきの効果が認められた。接合強度について
は、金めっきの効果は認められず、実施例４〜６と同様
の結果が得られた。
【００２４】
【表３】
【００２５】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、２次ニッ
ケルめっきにニッケル−リンめっきを適用し、そのリン
含有率６％以下とし、かつめっき膜厚を０．３〜２μｍ
とすることにより、はんだ、金−スズ、金−ゲルマニウ
ム、スズ−銀等のロウ付けを行った時、ニッケル−リン
めっき膜から拡散したリンの濃縮による接合強度低下の
ない強力な接合を得ることができ、またはんだ等のロウ
材に対する極めて良好なぬれ性を得ることができるよう
になった。この結果、配線基板の接合歩留り、接合信頼
性を著しく向上させることができる。
ケルめっきにニッケル−リンめっきを適用し、そのリン
含有率６％以下とし、かつめっき膜厚を０．３〜２μｍ
とすることにより、はんだ、金−スズ、金−ゲルマニウ
ム、スズ−銀等のロウ付けを行った時、ニッケル−リン
めっき膜から拡散したリンの濃縮による接合強度低下の
ない強力な接合を得ることができ、またはんだ等のロウ
材に対する極めて良好なぬれ性を得ることができるよう
になった。この結果、配線基板の接合歩留り、接合信頼
性を著しく向上させることができる。
【図１】リン含有率と、接合強度との関係を示す図であ
る。
る。
【図２】ニッケル−リンめっき膜厚と、接合強度との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図３】ニッケル−リンめっき膜厚と、はんだぬれ広が
りとの関係を示す図である。
りとの関係を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック配線基板上に形成されたタン
グステンまたはモリブデンから成る配線パターン上と、
接続パッド上に無電解ニッケル−ボロンめっき膜を形成
し、熱処理を行った後、ニッケル−リンめっき膜を形成
したことを特徴とする配線基板の形成方法。 - 【請求項２】 前記ニッケル−リンめっき膜がリン含有
率６％以下で、かつめっき膜厚が０．３〜２μｍである
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板の形成方法。 - 【請求項３】 前記ニッケル−リンめっき膜上に、さら
に金めっき膜を０．０５〜０．５μｍの厚さに形成した
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5396693A JPH06264284A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 配線基板の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5396693A JPH06264284A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 配線基板の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06264284A true JPH06264284A (ja) | 1994-09-20 |
Family
ID=12957416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5396693A Pending JPH06264284A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 配線基板の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06264284A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6259161B1 (en) | 1999-06-18 | 2001-07-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit electrode connected to a pattern formed on an organic substrate and method of forming the same |
| EP1146143A1 (en) * | 2000-04-11 | 2001-10-17 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Process and apparatus for nickel plating and nickel-plated product |
| US6486551B1 (en) | 1998-01-28 | 2002-11-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wired board and method of producing the same |
| US7798389B2 (en) | 2002-02-15 | 2010-09-21 | Harima Chemicals, Inc. | Flux for soldering, soldering method, and printed circuit board |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5396693A patent/JPH06264284A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6486551B1 (en) | 1998-01-28 | 2002-11-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wired board and method of producing the same |
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