JPH06265906A - 強誘電性液晶パネル、強誘電性液晶表示装置及び製造法 - Google Patents
強誘電性液晶パネル、強誘電性液晶表示装置及び製造法Info
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- JPH06265906A JPH06265906A JP5054188A JP5418893A JPH06265906A JP H06265906 A JPH06265906 A JP H06265906A JP 5054188 A JP5054188 A JP 5054188A JP 5418893 A JP5418893 A JP 5418893A JP H06265906 A JPH06265906 A JP H06265906A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 強誘電性液晶表示装置を、長時間駆動後もコ
ントラストの低下がなく、良好な表示を保つことが可能
なものとすること。 【構成】 強誘電性液晶パネル１０２と、液晶パネル１
０２を駆動する駆動回路１０６と、強誘電性液晶のしき
い値電圧以上で１キロヘルツ以下の低周波交番電圧波形
を前記強誘電性液晶に印加する第１の電界処理手段１０
３と、強誘電性液晶に１キロヘルツ以上の高周波電圧波
形を印加する第２の電界処理手段１０４とを有する強誘
電性液晶表示装置である。
ントラストの低下がなく、良好な表示を保つことが可能
なものとすること。 【構成】 強誘電性液晶パネル１０２と、液晶パネル１
０２を駆動する駆動回路１０６と、強誘電性液晶のしき
い値電圧以上で１キロヘルツ以下の低周波交番電圧波形
を前記強誘電性液晶に印加する第１の電界処理手段１０
３と、強誘電性液晶に１キロヘルツ以上の高周波電圧波
形を印加する第２の電界処理手段１０４とを有する強誘
電性液晶表示装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示装置等に用いられ
る液晶表示装置に関し、特に強誘電性液晶表示装置等に
関するものである。
る液晶表示装置に関し、特に強誘電性液晶表示装置等に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、強誘電性液晶は明確な層構造をと
ることが知られている。すなわち、薄膜化された強誘電
性液晶は２つの限られた状態が安定になる。この強誘電
性液晶パネルに印加する電界の極性を反転させること
で、この２つの状態間のスイッチングを行なうことがで
きる。
ることが知られている。すなわち、薄膜化された強誘電
性液晶は２つの限られた状態が安定になる。この強誘電
性液晶パネルに印加する電界の極性を反転させること
で、この２つの状態間のスイッチングを行なうことがで
きる。
【０００３】強誘電性液晶は高温側では強誘電性を示さ
ない液晶相が存在し、この相状態から冷却した直後（第
１状態）ではこの２つの状態が持つ分子の平均方向のな
す角度２θeffは比較的小さな値を示す。これは強誘電
性液晶の層の断面構造が大きく屈曲した状態にあるため
である。
ない液晶相が存在し、この相状態から冷却した直後（第
１状態）ではこの２つの状態が持つ分子の平均方向のな
す角度２θeffは比較的小さな値を示す。これは強誘電
性液晶の層の断面構造が大きく屈曲した状態にあるため
である。
【０００４】この第１状態の強誘電性液晶パネルに低周
波交番電界を印加すると、２つの状態が持つ分子の平均
方向のなす角度は大きくなる。この処理を第１の電界処
理とし、この状態を第２状態とする。また、このときの
分子のなす角度を２θintとする。この状態では強誘電
性液晶の層の断面構造はほぼ垂直に立った状態にある。
従来はこの第２状態を用いて表示駆動を行なっていた
（特開昭６２−２２０９３０公報参照）。
波交番電界を印加すると、２つの状態が持つ分子の平均
方向のなす角度は大きくなる。この処理を第１の電界処
理とし、この状態を第２状態とする。また、このときの
分子のなす角度を２θintとする。この状態では強誘電
性液晶の層の断面構造はほぼ垂直に立った状態にある。
従来はこの第２状態を用いて表示駆動を行なっていた
（特開昭６２−２２０９３０公報参照）。
【０００５】図４はこれを示した概念図である。第１状
態では強誘電性液晶分子は４０１と４０２の状態間のス
イッチングを行なうが、第２状態では４０３と４０４の
状態間のスイッチングを行なう。第２状態でのスイッチ
ングを行なう場合、上の偏光板は４０５、下の偏光板は
４０６の方向に配置し、液晶分子が４０３の場合に白表
示、４０４の場合に黒表示となる。
態では強誘電性液晶分子は４０１と４０２の状態間のス
イッチングを行なうが、第２状態では４０３と４０４の
状態間のスイッチングを行なう。第２状態でのスイッチ
ングを行なう場合、上の偏光板は４０５、下の偏光板は
４０６の方向に配置し、液晶分子が４０３の場合に白表
示、４０４の場合に黒表示となる。
【０００６】光の透過率は偏光板４０５と液晶分子がな
す角度によって決定され、理想的な黒状態ではこの角
度、すなわち４０４と４０５の角度がゼロであり、透過
率は理論的にはゼロになる。しかしこの角度が大きくな
るに従い透過率が大きくなり、コントラストが低下す
る。
す角度によって決定され、理想的な黒状態ではこの角
度、すなわち４０４と４０５の角度がゼロであり、透過
率は理論的にはゼロになる。しかしこの角度が大きくな
るに従い透過率が大きくなり、コントラストが低下す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の強誘
電性液晶表示装置を長時間駆動し続けると、コントラス
トが低下する課題があった。
電性液晶表示装置を長時間駆動し続けると、コントラス
トが低下する課題があった。
【０００８】本発明は、従来の強誘電性液晶表示装置の
課題を考慮し、長時間駆動後もコントラストの低下がな
く、良好な表示を保つことが可能な強誘電性液晶表示装
置等を提供することを目的とするものである。
課題を考慮し、長時間駆動後もコントラストの低下がな
く、良好な表示を保つことが可能な強誘電性液晶表示装
置等を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の強誘電性液晶パ
ネルは、強誘電性液晶が層構造を持ち、その層構造は、
前記強誘電性液晶が高温側で有する非強誘電性相から冷
却した後の強誘電性液晶が有する層構造を、第１の電界
処理によって基板に実質上垂直に立てた後に、第２の電
界処理によって屈曲させた状態である強誘電性液晶パネ
ルである。
ネルは、強誘電性液晶が層構造を持ち、その層構造は、
前記強誘電性液晶が高温側で有する非強誘電性相から冷
却した後の強誘電性液晶が有する層構造を、第１の電界
処理によって基板に実質上垂直に立てた後に、第２の電
界処理によって屈曲させた状態である強誘電性液晶パネ
ルである。
【００１０】また、本発明の強誘電性液晶パネルは、強
誘電性液晶は分子方向において２つの安定状態を有し、
その２つの安定状態のそれぞれの分子方向間の角度を２
θとし、強誘電性液晶が高温側で有する非強誘電性相か
ら冷却した後の強誘電性液晶が有する２つの安定状態の
それぞれの分子方向間の角度を２θｅｆｆとし、冷却し
た後の強誘電性液晶に電界処理を行なった強誘電性液晶
が有する２つの安定状態のそれぞれの分子方向間の角度
を２θｉｎｔとすると、角度２θは前記角度２θｅｆｆ
よりも大きく、前記角度２θｉｎｔよりも小さい強誘電
性液晶パネルである。
誘電性液晶は分子方向において２つの安定状態を有し、
その２つの安定状態のそれぞれの分子方向間の角度を２
θとし、強誘電性液晶が高温側で有する非強誘電性相か
ら冷却した後の強誘電性液晶が有する２つの安定状態の
それぞれの分子方向間の角度を２θｅｆｆとし、冷却し
た後の強誘電性液晶に電界処理を行なった強誘電性液晶
が有する２つの安定状態のそれぞれの分子方向間の角度
を２θｉｎｔとすると、角度２θは前記角度２θｅｆｆ
よりも大きく、前記角度２θｉｎｔよりも小さい強誘電
性液晶パネルである。
【００１１】また、本発明の強誘電性液晶表示装置は、
強誘電性液晶のしきい値電圧以上で１キロヘルツ以下の
低周波交番電圧波形を強誘電性液晶に印加する第１の電
界処理手段と、強誘電性液晶に１キロヘルツ以上の高周
波電圧波形を印加する第２の電界処理手段を有するもの
である。
強誘電性液晶のしきい値電圧以上で１キロヘルツ以下の
低周波交番電圧波形を強誘電性液晶に印加する第１の電
界処理手段と、強誘電性液晶に１キロヘルツ以上の高周
波電圧波形を印加する第２の電界処理手段を有するもの
である。
【００１２】
【作用】コントラストの低下は、表示していたパターン
に依存して発生するために、微少なコントラストの違い
であっても明確に判別されるのである。
に依存して発生するために、微少なコントラストの違い
であっても明確に判別されるのである。
【００１３】すなわち、強誘電性液晶の第１状態では２
つの状態の分子のなす角度は小さい。ここで低周波電圧
パルスを印加すると、分子のなす角度は大きくなる（第
２状態）。この状態は若干不安定であるため、長時間駆
動を続けると、駆動電圧パルスによる擾乱でこの角度は
１度程度小さくなり安定化する。通常の駆動では１時間
から数十時間の駆動で安定化する。
つの状態の分子のなす角度は小さい。ここで低周波電圧
パルスを印加すると、分子のなす角度は大きくなる（第
２状態）。この状態は若干不安定であるため、長時間駆
動を続けると、駆動電圧パルスによる擾乱でこの角度は
１度程度小さくなり安定化する。通常の駆動では１時間
から数十時間の駆動で安定化する。
【００１４】偏光板を第２状態、すなわち低周波電圧パ
ルスを印加した直後の状態にあわせて貼り付けた場合に
は、駆動後は分子の方向がわずかに変化するため、コン
トラストが低下する。このコントラストの低下は表示し
たパターンに従って発生するため長時間表示続けたパタ
ーンがわずかに残り、一種の「やきつき」のように容易
に判別される。
ルスを印加した直後の状態にあわせて貼り付けた場合に
は、駆動後は分子の方向がわずかに変化するため、コン
トラストが低下する。このコントラストの低下は表示し
たパターンに従って発生するため長時間表示続けたパタ
ーンがわずかに残り、一種の「やきつき」のように容易
に判別される。
【００１５】そこで、低周波電圧パルス（第１の電界処
理）を印加した直後に高周波電圧パルス（第２の電界処
理）を印加することで、分子のなす角度を短時間で小さ
くすることができ、安定になる（第３状態）。この後に
連続駆動を行なった場合には、分子のなす角度の変化及
び分子方向の変化は見られない。このためこの第３状態
に合わせて偏光板を貼りつけることで連続駆動でも良好
な表示品位が安定して得られる。
理）を印加した直後に高周波電圧パルス（第２の電界処
理）を印加することで、分子のなす角度を短時間で小さ
くすることができ、安定になる（第３状態）。この後に
連続駆動を行なった場合には、分子のなす角度の変化及
び分子方向の変化は見られない。このためこの第３状態
に合わせて偏光板を貼りつけることで連続駆動でも良好
な表示品位が安定して得られる。
【００１６】
（実施例１）以下本発明の一実施例の強誘電性液晶表示
装置について、図面を参照しながら説明する。
装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】図１は、本発明の一実施例を示す強誘電性
液晶表示装置の構成図、図２は分子方向及び層断面構造
を示した概念図である。図１に於て、スイッチ１０１
は、低周波波形発生器１０３と高周波波形発生器１０４
と表示信号源１０５との出力端子を切り換えるためのス
イッチである。そのスイッチ１０１の共通端子は駆動回
路１０６に入力されている。この駆動回路１０６は、駆
動ドライバ１０７、１０８にそれぞれ信号を出力してい
る。さらに、強誘電性液晶パネル１０２は、その駆動ド
ライバ１０７、１０８からの駆動信号によって駆動表示
される。また、図２に於て、２０１は下の偏光板方向、
２０２は上の偏光板方向、２０３は強誘電性液晶分子方
向、２０４は上基板、２０５は下基板、２０６は液晶層
である。
液晶表示装置の構成図、図２は分子方向及び層断面構造
を示した概念図である。図１に於て、スイッチ１０１
は、低周波波形発生器１０３と高周波波形発生器１０４
と表示信号源１０５との出力端子を切り換えるためのス
イッチである。そのスイッチ１０１の共通端子は駆動回
路１０６に入力されている。この駆動回路１０６は、駆
動ドライバ１０７、１０８にそれぞれ信号を出力してい
る。さらに、強誘電性液晶パネル１０２は、その駆動ド
ライバ１０７、１０８からの駆動信号によって駆動表示
される。また、図２に於て、２０１は下の偏光板方向、
２０２は上の偏光板方向、２０３は強誘電性液晶分子方
向、２０４は上基板、２０５は下基板、２０６は液晶層
である。
【００１８】そこで、強誘電性液晶パネル１０２は、第
１状態では図２（ａ）のように分子のなす角度は小さく
１５度程度である。これは強誘電性液晶の層の断面構造
は大きく「く」の字のように屈曲しているためである
（図２（ｄ））。
１状態では図２（ａ）のように分子のなす角度は小さく
１５度程度である。これは強誘電性液晶の層の断面構造
は大きく「く」の字のように屈曲しているためである
（図２（ｄ））。
【００１９】ここでスイッチ１０１を（ａ）側端子に切
り替え低周波波形発生器１０３を接続することで、液晶
パネル全面に低周波電圧パルスを印加し、分子のなす角
度を増大させ、２２度とする（第１の電界処理）。この
ときの分子方向が図２（ｂ）であり、強誘電性液晶の層
の断面構造はほぼ垂直に立った状態にある（図２
（ｅ））。
り替え低周波波形発生器１０３を接続することで、液晶
パネル全面に低周波電圧パルスを印加し、分子のなす角
度を増大させ、２２度とする（第１の電界処理）。この
ときの分子方向が図２（ｂ）であり、強誘電性液晶の層
の断面構造はほぼ垂直に立った状態にある（図２
（ｅ））。
【００２０】この直後スイッチ１０１を（ｂ）側端子に
切り替え液晶パネルを高周波波形発生器１０４に接続す
ることでパネルに高周波電圧パルスを印加する（第２の
電界処理）。これにより分子のなす角度は約１度小さく
なり、２１度になる。高周波電界処理よってこのような
安定な状態に移行する。この状態を第３状態とし、分子
方向を図２（ｃ）に、層断面構造を図２（ｆ）に示す。
このとき層の断面構造は電圧印加処理によって屈曲した
状態にある。
切り替え液晶パネルを高周波波形発生器１０４に接続す
ることでパネルに高周波電圧パルスを印加する（第２の
電界処理）。これにより分子のなす角度は約１度小さく
なり、２１度になる。高周波電界処理よってこのような
安定な状態に移行する。この状態を第３状態とし、分子
方向を図２（ｃ）に、層断面構造を図２（ｆ）に示す。
このとき層の断面構造は電圧印加処理によって屈曲した
状態にある。
【００２１】以上要約すると、２つの安定状態のそれぞ
れの分子方向間の角度を２θとし、強誘電性液晶が高温
側で有する非強誘電性相から冷却した後の強誘電性液晶
が有する２つの安定状態のそれぞれの分子方向間の角度
を２θｅｆｆとし、前記冷却した後の強誘電性液晶に前
記第１の電界処理を行なった強誘電性液晶が有する２つ
の安定状態のそれぞれの分子方向間の角度を２θｉｎｔ
とすると、前記２θは前記２θｅｆｆよりも大きく、前
記２θｉｎｔよりも小さい状態となっている。
れの分子方向間の角度を２θとし、強誘電性液晶が高温
側で有する非強誘電性相から冷却した後の強誘電性液晶
が有する２つの安定状態のそれぞれの分子方向間の角度
を２θｅｆｆとし、前記冷却した後の強誘電性液晶に前
記第１の電界処理を行なった強誘電性液晶が有する２つ
の安定状態のそれぞれの分子方向間の角度を２θｉｎｔ
とすると、前記２θは前記２θｅｆｆよりも大きく、前
記２θｉｎｔよりも小さい状態となっている。
【００２２】これらの処置を行なった後、スイッチを
（ｃ）側端子に切り替え、画面を表示するための線順次
駆動を行なう。この状態で一状態の分子方向に合わせて
下の偏光板を配置すると最良のコントラストで安定に表
示できた。
（ｃ）側端子に切り替え、画面を表示するための線順次
駆動を行なう。この状態で一状態の分子方向に合わせて
下の偏光板を配置すると最良のコントラストで安定に表
示できた。
【００２３】また過度の温度変動によって表示品位が低
下する場合には、このスイッチ切り替え操作を連続して
行なうことで良好な表示品位を保つことが可能である。
下する場合には、このスイッチ切り替え操作を連続して
行なうことで良好な表示品位を保つことが可能である。
【００２４】このときの低周波電圧パルス（図３
（ａ））は、３０ボルト、１０Ｈｚであり、１０秒間印
加を行なった。また高周波電圧パルスは、図３（ｂ）に
示す波形を１５秒間印加した。図３（ｂ）のように電圧
の符号が反転する際に一旦０ボルトの電圧を印加する時
間領域を設けることで、液晶の配向状態を乱すことなく
第３状態への移行が行なわれる。この０ボルトを示す時
間領域は１０マイクロ秒以上あれば有効である。低周波
電圧パルスは１キロヘルツ以下で有効であり、高周波電
圧パルスは液晶が応答するしきい値電圧以上の電圧で、
１キロヘルツ以上であれば効果的である。印加時間は低
周波、高周波とも数秒から数分印加することで効果が得
られた。
（ａ））は、３０ボルト、１０Ｈｚであり、１０秒間印
加を行なった。また高周波電圧パルスは、図３（ｂ）に
示す波形を１５秒間印加した。図３（ｂ）のように電圧
の符号が反転する際に一旦０ボルトの電圧を印加する時
間領域を設けることで、液晶の配向状態を乱すことなく
第３状態への移行が行なわれる。この０ボルトを示す時
間領域は１０マイクロ秒以上あれば有効である。低周波
電圧パルスは１キロヘルツ以下で有効であり、高周波電
圧パルスは液晶が応答するしきい値電圧以上の電圧で、
１キロヘルツ以上であれば効果的である。印加時間は低
周波、高周波とも数秒から数分印加することで効果が得
られた。
【００２５】このような高周波電圧パルスを印加した後
には、連続駆動によっても強誘電性液晶の分子のなす角
度はほとんど変化しない。これは高周波電圧パルスすな
わち第２の電界処理によって安定な状態に移行したため
である。 （実施例２）実施例１で述べた操作を、強誘電性液晶表
示装置を製造する過程において処理する場合にも同様の
効果が得られ、連続駆動に対して安定で良好な表示が得
られる。
には、連続駆動によっても強誘電性液晶の分子のなす角
度はほとんど変化しない。これは高周波電圧パルスすな
わち第２の電界処理によって安定な状態に移行したため
である。 （実施例２）実施例１で述べた操作を、強誘電性液晶表
示装置を製造する過程において処理する場合にも同様の
効果が得られ、連続駆動に対して安定で良好な表示が得
られる。
【００２６】すなわち製造工程において、低周波電圧波
形を強誘電性液晶パネル全面に印加し第１状態から第２
状態に移行させる（第１の電界処理）。その直後に高周
波電圧波形を液晶パネル全面に印加し、第２状態から第
３状態に移行させる（第２の電界処理）。この場合には
強誘電性液晶表示装置に低周波電圧波形発生器と高周波
電圧波形発生器を内蔵する必要はない。
形を強誘電性液晶パネル全面に印加し第１状態から第２
状態に移行させる（第１の電界処理）。その直後に高周
波電圧波形を液晶パネル全面に印加し、第２状態から第
３状態に移行させる（第２の電界処理）。この場合には
強誘電性液晶表示装置に低周波電圧波形発生器と高周波
電圧波形発生器を内蔵する必要はない。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明の強誘電性液晶表示装置は、長時間駆動後もコン
トラストの低下がなく、良好な表示を保つことが可能で
あるという長所を有する。
本発明の強誘電性液晶表示装置は、長時間駆動後もコン
トラストの低下がなく、良好な表示を保つことが可能で
あるという長所を有する。
【図１】本発明の一実施例の強誘電性液晶表示装置の構
成図である。
成図である。
【図２】低周波及び高周波印加による分子方向と分子の
なす角度、及び層断面構造の変化を示す概念図であっ
て、（ａ）は第１状態の分子方向と分子のなす角度、
（ｂ）は第２状態の分子方向と分子のなす角度、（ｃ）
は第３状態の分子方向と分子のなす角度、（ｄ）は第１
状態の層断面構造、（ｅ）は第２状態の層断面構造、
（ｆ）は第３状態の層断面構造をそれぞれ示すものであ
る。
なす角度、及び層断面構造の変化を示す概念図であっ
て、（ａ）は第１状態の分子方向と分子のなす角度、
（ｂ）は第２状態の分子方向と分子のなす角度、（ｃ）
は第３状態の分子方向と分子のなす角度、（ｄ）は第１
状態の層断面構造、（ｅ）は第２状態の層断面構造、
（ｆ）は第３状態の層断面構造をそれぞれ示すものであ
る。
【図３】本発明の一実施例の強誘電性液晶表示装置に用
いた電圧波形図であって、（ａ）は低周波電圧波形を、
（ｂ）は高周波電圧波形を示すものである。
いた電圧波形図であって、（ａ）は低周波電圧波形を、
（ｂ）は高周波電圧波形を示すものである。
【図４】従来例の分子のスイッチングを示す概念図であ
る。
る。
１０１ スイッチ １０２ 強誘電性液晶パネル ２０１ 下の偏光板方向 ２０２ 上の偏光板方向 ２０３ 強誘電性液晶分子方向 ２０４ 上基板 ２０５ 下基板 ２０６ 液晶層 ４０１ 第１状態の分子方向 ４０２ 第１状態の分子方向 ４０３ 第２状態の分子方向 ４０４ 第２状態の分子方向 ４０５ 下の偏光板方向 ４０６ 上の偏光板方向
Claims (9)
- 【請求項１】少なくとも一方に透明電極が形成された２
枚の基板に狭持された強誘電性液晶を持つ強誘電性液晶
パネルにおいて、前記強誘電性液晶は層構造を持ち、そ
の層構造は、前記強誘電性液晶が高温側で有する非強誘
電性相から冷却した後の強誘電性液晶が有する層構造
を、第１の電界処理によって基板に実質上垂直に立てた
後に、第２の電界処理によって屈曲させた状態であるこ
とを、特徴とする強誘電性液晶パネル。 - 【請求項２】少なくとも一方に透明電極が形成された２
枚の基板に狭持された強誘電性液晶を持つ強誘電性液晶
パネルにおいて、 前記強誘電性液晶は分子方向において２つの安定状態を
有し、その２つの安定状態のそれぞれの分子方向間の角
度を２θとし、 強誘電性液晶が高温側で有する非強誘電性相から冷却し
た後の強誘電性液晶が有する２つの安定状態のそれぞれ
の分子方向間の角度を２θｅｆｆとし、 前記冷却した後の強誘電性液晶に電界処理を行なった強
誘電性液晶が有する２つの安定状態のそれぞれの分子方
向間の角度を２θｉｎｔとすると、 前記角度２θは前記角度２θｅｆｆよりも大きく、前記
角度２θｉｎｔよりも小さいことを特徴とする強誘電性
液晶パネル。 - 【請求項３】少なくとも一方に透明電極が形成された２
枚の基板に狭持された強誘電性液晶を持つ強誘電性液晶
パネルと、 前記液晶パネルを駆動する駆動回路と、 前記強誘電性液晶のしきい値電圧以上で所定の低周波電
圧波形を前記強誘電性液晶に印加する第１の電界処理手
段と、 前記強誘電性液晶に所定の高周波電圧波形を印加する第
２の電界処理手段と、 を有することを特徴とする強誘電性液晶表示装置。 - 【請求項４】高周波電圧波形が、前記低周波交番電圧波
形が強誘電性液晶パネルに印加された後にその強誘電性
液晶パネルに印加されることを特徴とする請求項３記載
の強誘電性液晶表示装置。 - 【請求項５】低周波電圧波形は１キロヘルツ以下であっ
て、前記高周波電圧波形は１キロヘルツ以上であること
を特徴とする請求項３記載の強誘電性液晶表示装置。 - 【請求項６】高周波電圧波形において、電圧の符号が反
転する場合に電圧が０ボルトまたは略０ボルトを示す時
間領域が存在することを特徴とする請求項３記載の強誘
電性液晶表示装置。 - 【請求項７】高周波電圧波形において、電圧の極性が正
または負の波形が印加された直後に電圧を印加しない時
間領域が存在することを特徴とする請求項３記載の強誘
電性液晶表示装置。 - 【請求項８】時間領域が１０マイクロ秒以上存在するこ
とを特徴とする請求項６または請求項７記載の強誘電性
液晶表示装置。 - 【請求項９】少なくとも一方に透明電極が形成された２
枚の基板に狭持された強誘電性液晶を持つ強誘電性液晶
パネルに、前記強誘電性液晶のしきい値電圧以上でかつ
１キロヘルツ以下の低周波交番電圧波形を前記強誘電性
液晶パネルに印加する工程と、 その強誘電性液晶パネルに１キロヘルツ以上の高周波電
圧波形を印加する工程を有することを特徴とする強誘電
性液晶表示装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054188A JPH06265906A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 強誘電性液晶パネル、強誘電性液晶表示装置及び製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054188A JPH06265906A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 強誘電性液晶パネル、強誘電性液晶表示装置及び製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06265906A true JPH06265906A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12963579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5054188A Pending JPH06265906A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 強誘電性液晶パネル、強誘電性液晶表示装置及び製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06265906A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020011114A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | 미다라이 후지오 | 액정소자의 제조방법 및 액정소자의 구동방법 |
| KR20020011115A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | 미다라이 후지오 | 액정소자의 제조방법 및 액정소자의 구동방법 |
| KR20020011112A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | 미다라이 후지오 | 액정소자의 제조방법 및 액정소자의 구동방법 |
| KR20020011113A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | 미다라이 후지오 | 액정소자의 제조방법 및 액정소자의 구동방법 |
| WO2006114865A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Fujitsu Limited | 液晶表示装置及び配向処理方法 |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5054188A patent/JPH06265906A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020011114A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | 미다라이 후지오 | 액정소자의 제조방법 및 액정소자의 구동방법 |
| KR20020011115A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | 미다라이 후지오 | 액정소자의 제조방법 및 액정소자의 구동방법 |
| KR20020011112A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | 미다라이 후지오 | 액정소자의 제조방법 및 액정소자의 구동방법 |
| KR20020011113A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | 미다라이 후지오 | 액정소자의 제조방법 및 액정소자의 구동방법 |
| WO2006114865A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Fujitsu Limited | 液晶表示装置及び配向処理方法 |
| KR100977500B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2010-08-23 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 액정 표시 장치 및 배향 처리 방법 |
| US7821610B2 (en) | 2005-04-19 | 2010-10-26 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device and alignment process method |
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