JPH06267030A - 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法Info
- Publication number
- JPH06267030A JPH06267030A JP5529293A JP5529293A JPH06267030A JP H06267030 A JPH06267030 A JP H06267030A JP 5529293 A JP5529293 A JP 5529293A JP 5529293 A JP5529293 A JP 5529293A JP H06267030 A JPH06267030 A JP H06267030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic shield
- lead conductor
- forming
- gap layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ディスク装置等に装備される薄膜磁気ヘ
ッドに関し、磁気抵抗効果素子の発熱によって生じる熱
雑音を抑制して再生信号の品質を向上させた磁気抵抗効
果型ヘッドを提供することを目的とする。 【構成】 磁気抵抗効果素子31の信号検出領域αを画定
するように当該磁気抵抗効果素子31に接触して設けられ
た引出し導体層32を有し、これら磁気抵抗効果素子31と
引出し導体層32が下部再生ギャップ層30b および上部再
生ギャップ層30aを介して下部磁気シールド層33b と上
部磁気シールド層33a に対してそれぞれ絶縁状態で配置
された構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記引出
し導体層32が、磁気抵抗効果素子31を両側面から挟む形
で上部磁気シールド層33a 及び下部磁気シールド層33b
に対向して設けられていることを特徴とする。
ッドに関し、磁気抵抗効果素子の発熱によって生じる熱
雑音を抑制して再生信号の品質を向上させた磁気抵抗効
果型ヘッドを提供することを目的とする。 【構成】 磁気抵抗効果素子31の信号検出領域αを画定
するように当該磁気抵抗効果素子31に接触して設けられ
た引出し導体層32を有し、これら磁気抵抗効果素子31と
引出し導体層32が下部再生ギャップ層30b および上部再
生ギャップ層30aを介して下部磁気シールド層33b と上
部磁気シールド層33a に対してそれぞれ絶縁状態で配置
された構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記引出
し導体層32が、磁気抵抗効果素子31を両側面から挟む形
で上部磁気シールド層33a 及び下部磁気シールド層33b
に対向して設けられていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等に
装備される薄膜磁気ヘッドに係り、特に再生用に磁気抵
抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）を用いた磁気抵抗
効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドと称する）に関する。
装備される薄膜磁気ヘッドに係り、特に再生用に磁気抵
抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）を用いた磁気抵抗
効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドと称する）に関する。
【０００２】近年，コンピュータの外部記憶装置である
磁気ディスク装置の大容量化に伴い高性能の磁気ヘッド
が要求されている。この要求を満足するものとして記録
媒体の速度に依存せずに高出力が得られるＭＲヘッドが
注目されている。
磁気ディスク装置の大容量化に伴い高性能の磁気ヘッド
が要求されている。この要求を満足するものとして記録
媒体の速度に依存せずに高出力が得られるＭＲヘッドが
注目されている。
【０００３】
【従来の技術】図８は従来のＭＲヘッドの構造を示す模
式的正面図とそのＡ−Ａ線断面図、図９は従来のＭＲヘ
ッドの媒体対向面側の構造を示す模式的平面図である。
式的正面図とそのＡ−Ａ線断面図、図９は従来のＭＲヘ
ッドの媒体対向面側の構造を示す模式的平面図である。
【０００４】従来のＭＲヘッドは図８(a) と(b) に示す
ような構造になっている。図中、20はセラミックスから
成る基板、31は矩形のＭＲ素子、32はＭＲ素子31の両端
部に接触して設けられた引出し導体層、33a は上部磁気
シールド層、33b は下部磁気シールド層、39は絶縁層、
36は保護膜である。
ような構造になっている。図中、20はセラミックスから
成る基板、31は矩形のＭＲ素子、32はＭＲ素子31の両端
部に接触して設けられた引出し導体層、33a は上部磁気
シールド層、33b は下部磁気シールド層、39は絶縁層、
36は保護膜である。
【０００５】前記下部磁気シールド層33b と上部磁気シ
ールド層33a 間に配置されるＭＲ素子31と引出し導体層
32は、アルミナ（Al2O3 ）等からなる下部再生ギャップ
層30b と上部再生ギャップ層30a を介して配置されてい
ることから、下部磁気シールド層33b および上部磁気シ
ールド層33a とは電磁気的に絶縁されている。
ールド層33a 間に配置されるＭＲ素子31と引出し導体層
32は、アルミナ（Al2O3 ）等からなる下部再生ギャップ
層30b と上部再生ギャップ層30a を介して配置されてい
ることから、下部磁気シールド層33b および上部磁気シ
ールド層33a とは電磁気的に絶縁されている。
【０００６】引出し導体層32とＭＲ素子31内を矢印ｊ方
向に流れるセンス電流60は、引出し導体層32によって画
定される信号検出領域αを通過する時点で矢印Ｘ方向に
走行する記録媒体37からの信号磁界の変化をＭＲ素子31
の抵抗変化として検知する。なお、前記ＭＲ素子31内を
矢印ｊ方向に流れるセンス電流60によって発生した熱は
大部分引出し導体層32を介して装置外に放熱される。
向に流れるセンス電流60は、引出し導体層32によって画
定される信号検出領域αを通過する時点で矢印Ｘ方向に
走行する記録媒体37からの信号磁界の変化をＭＲ素子31
の抵抗変化として検知する。なお、前記ＭＲ素子31内を
矢印ｊ方向に流れるセンス電流60によって発生した熱は
大部分引出し導体層32を介して装置外に放熱される。
【０００７】なお、前記ＭＲ素子31と引出し導体層32を
包み込む形で設けられた下部再生ギャップ層30b と上部
再生ギャップ層30a の上には上部磁気シールド層33a と
Al2O 3 等からなる記録ギャップ層38とコイル40と上部磁
極41が順次積層されて記録ヘッド部が形成される。
包み込む形で設けられた下部再生ギャップ層30b と上部
再生ギャップ層30a の上には上部磁気シールド層33a と
Al2O 3 等からなる記録ギャップ層38とコイル40と上部磁
極41が順次積層されて記録ヘッド部が形成される。
【０００８】図９はこのＭＲヘッドの媒体対向面側の構
造を示す模式的平面図である。図９に示すように、この
従来のＭＲヘッドは、基板20の上に下部磁気シールド層
33b と下部再生ギャップ層30b とＭＲ素子31を順次形成
し、その後その上に引出し導体層32を所定幅の信号検出
領域αが形成されるよう左右に二分割された形で積層
し、さらにその上に上部再生ギャップ層30a と上部磁気
シールド層33a と記録ギャップ層38と上部磁極41を順次
積層したヘッド構成になっている。
造を示す模式的平面図である。図９に示すように、この
従来のＭＲヘッドは、基板20の上に下部磁気シールド層
33b と下部再生ギャップ層30b とＭＲ素子31を順次形成
し、その後その上に引出し導体層32を所定幅の信号検出
領域αが形成されるよう左右に二分割された形で積層
し、さらにその上に上部再生ギャップ層30a と上部磁気
シールド層33a と記録ギャップ層38と上部磁極41を順次
積層したヘッド構成になっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＲヘッドは、
ＭＲ素子31の一方の面（上部磁気シールド層33a と対向
する側の面）のみが引出し導体層32と接触した形になっ
ているのでＭＲ素子31内で発生した熱の放散性が良くな
い。このため、ＭＲ素子31にセンス電流60を流した時に
再生出力に熱雑音が重畳してヘッド特性が劣化するとい
った問題が生じていた。
ＭＲ素子31の一方の面（上部磁気シールド層33a と対向
する側の面）のみが引出し導体層32と接触した形になっ
ているのでＭＲ素子31内で発生した熱の放散性が良くな
い。このため、ＭＲ素子31にセンス電流60を流した時に
再生出力に熱雑音が重畳してヘッド特性が劣化するとい
った問題が生じていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によるＭＲヘッド
は、図１に示すように、一対の引出し導体層32がＭＲ素
子31を両側面から挟む形で上部磁気シールド層33a およ
び下部磁気シールド層33b に対向して設けられているこ
とを特徴とする。
は、図１に示すように、一対の引出し導体層32がＭＲ素
子31を両側面から挟む形で上部磁気シールド層33a およ
び下部磁気シールド層33b に対向して設けられているこ
とを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明によるこのＭＲヘッドは、ＭＲ素子31内
に生じた熱の放熱路となる引出し導体層32が当該ＭＲ素
子31を両側面から挟む形で配置されていることから、Ｍ
Ｒ素子31の放熱面積がほぼ倍加される。このため、この
ＭＲヘッドは従来のＭＲヘッドに比して放熱効率が特に
良好で動作時の信頼性が高い。
に生じた熱の放熱路となる引出し導体層32が当該ＭＲ素
子31を両側面から挟む形で配置されていることから、Ｍ
Ｒ素子31の放熱面積がほぼ倍加される。このため、この
ＭＲヘッドは従来のＭＲヘッドに比して放熱効率が特に
良好で動作時の信頼性が高い。
【００１２】
【実施例】図１(a) と(b) は本発明の一実施例を示す模
式的平面図とそのＡ−Ａ線断面図、図２は本発明の一変
形例を示す模式的平面図、図３(a) と(b) と(c) と(d)
は本発明によるＭＲヘッドの第１の製造方法を示す模式
的要部側断面図（その１）、図４(a) と(b) は本発明に
よるＭＲヘッドの第１の製造方法を示す模式的要部側断
面図（その２）、図５(a) と(b) と(c) と(d) は本発明
によるＭＲヘッドの第２の製造方法を示す模式的要部側
断面図、図６(a) と(b) はＭＲ素子形成面を平坦化する
工程の一実施例を示す模式的要部側断面図、図７(a) と
(b) と(c) と(d) はＭＲ素子形成面を平坦化する工程の
一変形例を示す模式的要部側断面図であるが、前記図
８，図９と同一部分にはそれぞれ同一符号を付してい
る。
式的平面図とそのＡ−Ａ線断面図、図２は本発明の一変
形例を示す模式的平面図、図３(a) と(b) と(c) と(d)
は本発明によるＭＲヘッドの第１の製造方法を示す模式
的要部側断面図（その１）、図４(a) と(b) は本発明に
よるＭＲヘッドの第１の製造方法を示す模式的要部側断
面図（その２）、図５(a) と(b) と(c) と(d) は本発明
によるＭＲヘッドの第２の製造方法を示す模式的要部側
断面図、図６(a) と(b) はＭＲ素子形成面を平坦化する
工程の一実施例を示す模式的要部側断面図、図７(a) と
(b) と(c) と(d) はＭＲ素子形成面を平坦化する工程の
一変形例を示す模式的要部側断面図であるが、前記図
８，図９と同一部分にはそれぞれ同一符号を付してい
る。
【００１３】本発明によるＭＲヘッドは、図１(a) と
(b) に示すように、一対の引出し導体層32が、ＭＲ素子
31を両側面から挟む形で上部磁気シールド層33a および
下部磁気シールド層33b に対向して設けられていること
を特徴とする。このように、引出し導体層32がＭＲ素子
31の表裏両面に接触した形になっているとＭＲ素子31の
放熱面積がほぼ倍加されることになる。従ってＭＲ素子
31の放熱効率が格段に向上してＭＲ素子31の発熱が抑制
される。なお、この図１(a) と(b) は上部磁気シールド
層33a 上に形成される記録ギャップ層38，絶縁層39，コ
イル40（図８，図９参照）等を省略した図になってい
る。
(b) に示すように、一対の引出し導体層32が、ＭＲ素子
31を両側面から挟む形で上部磁気シールド層33a および
下部磁気シールド層33b に対向して設けられていること
を特徴とする。このように、引出し導体層32がＭＲ素子
31の表裏両面に接触した形になっているとＭＲ素子31の
放熱面積がほぼ倍加されることになる。従ってＭＲ素子
31の放熱効率が格段に向上してＭＲ素子31の発熱が抑制
される。なお、この図１(a) と(b) は上部磁気シールド
層33a 上に形成される記録ギャップ層38，絶縁層39，コ
イル40（図８，図９参照）等を省略した図になってい
る。
【００１４】以下図２に基づいて本発明の一変形例につ
いて説明する。この変形例は、前記一対の引出し導体層
32の信号検出領域αを画定する導体層間隔ＷおよびＷ1
が上部磁気シールド層33a 側の面と下部磁気シールド層
33b 側の面でそれぞれ異なることを特徴とするものであ
る。これは前記各引出し導体層32の導体層間隔Ｗ，Ｗ1
をそれぞれ一致させることが難しいことから、これを解
決するために考えられた方法で、この方法を適用すれば
導体層間隔Ｗ或いはＷ1 を上部磁気シールド層33a に対
向する側の面と下部磁気シールド層33b に対向する側の
面でそれぞれ一致させることに神経を使う必要がないこ
とからパターニング工程，或いは平坦化工程等のマージ
ンが広くなる。
いて説明する。この変形例は、前記一対の引出し導体層
32の信号検出領域αを画定する導体層間隔ＷおよびＷ1
が上部磁気シールド層33a 側の面と下部磁気シールド層
33b 側の面でそれぞれ異なることを特徴とするものであ
る。これは前記各引出し導体層32の導体層間隔Ｗ，Ｗ1
をそれぞれ一致させることが難しいことから、これを解
決するために考えられた方法で、この方法を適用すれば
導体層間隔Ｗ或いはＷ1 を上部磁気シールド層33a に対
向する側の面と下部磁気シールド層33b に対向する側の
面でそれぞれ一致させることに神経を使う必要がないこ
とからパターニング工程，或いは平坦化工程等のマージ
ンが広くなる。
【００１５】次は図３(a) と(b) と(c) と(d) および図
４(a) と(b) に基づいて本発明によるＭＲヘッドの第１
の製造方法を説明する。 (1) セラミックスから成る基板20上に引出し導体層32
（後述）を形成するためのレジストパターン50を形成す
る〔図３(a) 参照〕。
４(a) と(b) に基づいて本発明によるＭＲヘッドの第１
の製造方法を説明する。 (1) セラミックスから成る基板20上に引出し導体層32
（後述）を形成するためのレジストパターン50を形成す
る〔図３(a) 参照〕。
【００１６】(2) イオンミリング法，ケミカルエッチン
グ法等によって基板20をテーパエッチングして引出し導
体層32を形成する部分に凹み35を作る〔図３(b) 参
照〕。 (3) 凹み35を形成した基板20上に下部磁気シールド層33
b と下部再生ギャップ層30b を順次形成する〔図３(c)
参照〕。
グ法等によって基板20をテーパエッチングして引出し導
体層32を形成する部分に凹み35を作る〔図３(b) 参
照〕。 (3) 凹み35を形成した基板20上に下部磁気シールド層33
b と下部再生ギャップ層30b を順次形成する〔図３(c)
参照〕。
【００１７】(4) その後、凹み35形成部分対応にリフト
オフにより引出し導体層32を形成する〔図３(d) 参
照〕。 (5) 研磨等により引出し導体層32及び下部再生ギャップ
層30b を平坦化する〔図４(a) 参照〕。
オフにより引出し導体層32を形成する〔図３(d) 参
照〕。 (5) 研磨等により引出し導体層32及び下部再生ギャップ
層30b を平坦化する〔図４(a) 参照〕。
【００１８】(6) その上にＭＲ素子31と引出し導体層32
と上部再生ギャップ層30a と上部磁気シールド層33a と
記録ギャップ層38と上部磁極41を順次形成する〔図４
(b) 参照〕。
と上部再生ギャップ層30a と上部磁気シールド層33a と
記録ギャップ層38と上部磁極41を順次形成する〔図４
(b) 参照〕。
【００１９】次は図５(a) と(b) と(c) と(d) を用いて
本発明によるＭＲヘッドの第２の製造方法を説明する。 (1) 基板20上に下部磁気シールド層33b を形成し、その
後この下部磁気シールド層33b の上に前記凹み35を形成
するためのレジストパターン50を形成する〔図５(a) 参
照〕。
本発明によるＭＲヘッドの第２の製造方法を説明する。 (1) 基板20上に下部磁気シールド層33b を形成し、その
後この下部磁気シールド層33b の上に前記凹み35を形成
するためのレジストパターン50を形成する〔図５(a) 参
照〕。
【００２０】(2) 下部磁気シールド層33b をエッチング
してそこに凹み35を作る〔図５(b)参照〕。 (3) 凹み35が形成された下部磁気シールド層33b の上に
下部再生ギャップ層30b を形成する〔図５(c) 参照〕。
してそこに凹み35を作る〔図５(b)参照〕。 (3) 凹み35が形成された下部磁気シールド層33b の上に
下部再生ギャップ層30b を形成する〔図５(c) 参照〕。
【００２１】(4) 凹み35形成部分対応に引出し導体層32
を形成する〔図５(d) 参照〕。 (5) その後、研磨等により引出し導体層32および下部再
生ギャップ層30b を平坦化し、その上にＭＲ素子31と引
出し導体層32と上部再生ギャップ層30a と上部磁気シー
ルド層33a と記録ギャップ層38と上部磁極41を前記図４
(a) と(b) に示すように形成する。
を形成する〔図５(d) 参照〕。 (5) その後、研磨等により引出し導体層32および下部再
生ギャップ層30b を平坦化し、その上にＭＲ素子31と引
出し導体層32と上部再生ギャップ層30a と上部磁気シー
ルド層33a と記録ギャップ層38と上部磁極41を前記図４
(a) と(b) に示すように形成する。
【００２２】次は図６(a) と(b) を用いてＭＲ素子形成
面を平坦化する工程の一実施例を説明する。図６(a) と
(b) に示すように、このＭＲ素子形成面の平坦化工程
は、基板20上に下部磁気シールド層33b と下部再生ギャ
ップ層30b と引出し導体層32を順次形成した後、これら
下部再生ギャップ層30b と引出し導体層32を覆う形でレ
ジスト層55を形成し、その後このレジスト層55と引出し
導体層32と下部再生ギャップ層30b をイオンミリング法
によって平坦化してＭＲ素子形成面Ｓを確保するように
したことを特徴とする。
面を平坦化する工程の一実施例を説明する。図６(a) と
(b) に示すように、このＭＲ素子形成面の平坦化工程
は、基板20上に下部磁気シールド層33b と下部再生ギャ
ップ層30b と引出し導体層32を順次形成した後、これら
下部再生ギャップ層30b と引出し導体層32を覆う形でレ
ジスト層55を形成し、その後このレジスト層55と引出し
導体層32と下部再生ギャップ層30b をイオンミリング法
によって平坦化してＭＲ素子形成面Ｓを確保するように
したことを特徴とする。
【００２３】この方法は、レジスト層55を被着して表面
の凹凸を無くし、イオンミリングを実施する時のアルゴ
ンガス80の入射角度θを調整することによりレジスト層
55と引出し導体層32のエッチングレートを均等化して平
坦化するものである。
の凹凸を無くし、イオンミリングを実施する時のアルゴ
ンガス80の入射角度θを調整することによりレジスト層
55と引出し導体層32のエッチングレートを均等化して平
坦化するものである。
【００２４】次は図７(a) と(b) と(c) と(d) を用いて
ＭＲ素子形成面を平坦化する工程の一変形例を説明す
る。この変形例は、下部磁気シールド層33b の上に下部
再生ギャップ層30b と引出し導体層32を形成し、その後
これら引出し導体層32と下部再生ギャップ層30b を研磨
して当該下部再生ギャップ層30b を平坦化するようにし
たことを特徴とするものである。なお、この平坦化工程
によって下部再生ギャップ層30b が図７(b)に示すよう
に切除されてしまった場合はこれを図７(c) に示すよう
に限定的に復元形成してその上にＭＲ素子31を形成す
る。
ＭＲ素子形成面を平坦化する工程の一変形例を説明す
る。この変形例は、下部磁気シールド層33b の上に下部
再生ギャップ層30b と引出し導体層32を形成し、その後
これら引出し導体層32と下部再生ギャップ層30b を研磨
して当該下部再生ギャップ層30b を平坦化するようにし
たことを特徴とするものである。なお、この平坦化工程
によって下部再生ギャップ層30b が図７(b)に示すよう
に切除されてしまった場合はこれを図７(c) に示すよう
に限定的に復元形成してその上にＭＲ素子31を形成す
る。
【００２５】この方法を適用すると下部再生ギャップ層
30b の存在を無視して平坦化工程を進めることができる
のでＭＲ素子31の形成面を平坦化する工程のマージンが
広くなる（平坦化工程で下部再生ギャップ層30b を削り
過ぎないようにコントロール精度を高める等の必要が無
い）。
30b の存在を無視して平坦化工程を進めることができる
のでＭＲ素子31の形成面を平坦化する工程のマージンが
広くなる（平坦化工程で下部再生ギャップ層30b を削り
過ぎないようにコントロール精度を高める等の必要が無
い）。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によるＭＲヘッドは、ＭＲ素子の放熱路を構成する引出
し導体層が当該ＭＲ素子を表裏両面から挟むような形で
設けられていることから、ＭＲ素子の発熱によって生じ
る熱雑音が小さくなって再生信号の品質が著しく向上す
る。
によるＭＲヘッドは、ＭＲ素子の放熱路を構成する引出
し導体層が当該ＭＲ素子を表裏両面から挟むような形で
設けられていることから、ＭＲ素子の発熱によって生じ
る熱雑音が小さくなって再生信号の品質が著しく向上す
る。
【図１】 本発明の一実施例を示す模式的平面図とその
Ａ−Ａ線断面図である。
Ａ−Ａ線断面図である。
【図２】 本発明の一変形例を示す模式的平面図であ
る。
る。
【図３】 本発明によるＭＲヘッドの第１の製造方法を
示す模式的要部側断面図（その１）である。
示す模式的要部側断面図（その１）である。
【図４】 本発明によるＭＲヘッドの第１の製造方法を
示す模式的要部側断面図（その２）である。
示す模式的要部側断面図（その２）である。
【図５】 本発明によるＭＲヘッドの第２の製造方法を
示す模式的要部側断面図である。
示す模式的要部側断面図である。
【図６】 ＭＲ素子形成面を平坦化する工程の一実施例
を示す模式的要部側断面図である。
を示す模式的要部側断面図である。
【図７】 ＭＲ素子形成面を平坦化する工程の一変形例
を示す模式的要部側断面図である。
を示す模式的要部側断面図である。
【図８】 従来のＭＲヘッドの構造を示す模式的正面図
とそのＡ−Ａ線断面図である。
とそのＡ−Ａ線断面図である。
【図９】 従来のＭＲヘッドの媒体対向面側の構造を示
す模式的平面図である。
す模式的平面図である。
20 基板 30a 上部再生ギャップ層 30b 下部再生ギャップ層 31 ＭＲ素子 32 引出し導体層 33a 上部磁気シールド層 33b 下部磁気シールド層 35 凹み 36 保護膜 37 記録媒体 38 記録ギャップ層 39 絶縁層 40 コイル 41 上部磁極 50 レジストパターン 55 レジスト層 60 センス電流 80 アルゴンガス α 信号検出領域 Ｗ，Ｗ1 導体層間隔 Ｓ ＭＲ素子形成面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金峰 理明 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 兼 淳一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 大塚 善徳 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子(31)の信号検出領域
（α）を画定するように当該磁気抵抗効果素子(31)の両
端部に接触して設けられた一対の引出し導体層(32)を有
し、これら磁気抵抗効果素子(31)と引出し導体層(32)が
下部再生ギャップ層(30b) および上部再生ギャップ層(3
0a) を介して下部磁気シールド層(33b)と上部磁気シー
ルド層(33a) に対してそれぞれ絶縁状態で配置された構
造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記各引出し導体層(32)が、前記磁気抵抗効果素子(31)
を両側面から挟む形で前記上部および下部磁気シールド
層（33a ，33b ）に対向して設けられていることを特徴
とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 前記一対の引出し導体層(32)の信号検出
領域（α）を画定する導体層間隔（Ｗ）及び（Ｗ1 ）
が、上部磁気シールド層側の面と下部磁気シールド層側
の面でそれぞれ異なることを特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 基板(20)面に引出し導体層(32)を形成す
るための凹み(35)を形成する工程と、凹み(35)形成後の
基板(20)面に下部磁気シールド層(33b) と下部再生ギャ
ップ層(30b) を形成する工程と、前記凹み(35)形成部分
対応に引出し導体層(32)を形成する工程と、前記下部再
生ギャップ層(30b) および引出し導体層(32)を平坦化す
る工程と、平坦化された下部再生ギャップ層(30b) と引
出し導体層(32)の上に磁気抵抗効果素子(31)と引出し導
体層(32)と上部再生ギャップ層(30a) と上部磁気シール
ド層(33a) と記録ギャップ層(38)とコイル(40)と上部磁
極(41)を順次形成する工程を含むことを特徴とする請求
項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 基板(20)面に下部磁気シールド層(33b)
を形成する工程と、該下部磁気シールド層(33b) の上に
引出し導体層(32)を形成するための凹み(35)を形成する
工程と、凹み(35)形成工程終了後の下部磁気シールド層
(33b) の上に下部再生ギャップ層(30b) を形成する工程
と、該下部再生ギャップ層(30b) 上にさらに引出し導体
層(32)を前記凹み(35)形成部分対応に形成する工程と、
前記下部再生ギャップ層(30b) と引出し導体層(32)を平
坦化する工程と、平坦化された下部再生ギャップ層(30
b) と引出し導体層(32)の上に磁気抵抗効果素子(31)と
引出し導体層(32)と上部再生ギャップ層(30a) と上部磁
気シールド層(33a) と記録ギャップ層(38)とコイル(40)
と上部磁極(41)を順次形成する工程を含むことを特徴と
する請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 基板(20)面に下部磁気シールド層(33b)
と下部再生ギャップ層(30b) と引出し導体層(32)を形成
した後、これら下部再生ギャップ層(30b）と引出し導体
層(32)を覆う形でレジスト層(55)を形成し、その後、こ
のレジスト層(55)と引出し導体層(32)と下部再生ギャッ
プ層(30b) をイオンミリング法によって平坦化して磁気
抵抗効果素子形成面（Ｓ）を形成するようにしたことを
特徴とする請求項３及び４記載の磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法。 - 【請求項６】 下部磁気シールド層(33b) の上に下部再
生ギャップ層(30b)と引出し導体層(32)を形成した後、
これら下部再生ギャップ層(30b) と引出し導体層(32)を
前記下部磁気シールド層(33b) を含む形で平坦化してＭ
Ｒ素子形成面（Ｓ）を形成し、その後、この平坦化工程
によって除去された前記下部再生ギャップ層(30b) を限
定的に復元形成してその上に前記磁気抵抗効果素子(31)
を形成するようにしたことを特徴とする請求項３および
４記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5529293A JPH06267030A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5529293A JPH06267030A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267030A true JPH06267030A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12994509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5529293A Withdrawn JPH06267030A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267030A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6118621A (en) * | 1995-06-22 | 2000-09-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect head having a pair of protrusions, steps or depressions between the detecting and nondetecting areas for improved off-track characteristics |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5529293A patent/JPH06267030A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6118621A (en) * | 1995-06-22 | 2000-09-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect head having a pair of protrusions, steps or depressions between the detecting and nondetecting areas for improved off-track characteristics |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000113437A (ja) | 磁気ヘッド装置の製造方法、磁気ヘッド装置、並びに、磁気ヘッド装置の中間製造物 | |
| US5668686A (en) | Magneto-resistive reading head with reduced side-lobe | |
| JP2000149233A (ja) | 磁気ヘッド装置、並びに、その製造方法 | |
| US6392852B1 (en) | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same, and magnetoresistive device | |
| US6671133B1 (en) | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same | |
| JP3553393B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2776948B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP4254474B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3475868B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP2000311317A (ja) | スピンバルブ磁気抵抗センサ及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド | |
| JP2931529B2 (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| WO2001003129A1 (en) | Method of manufacturing thin-film magnetic head | |
| JPH04205705A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び磁気デイスク装置 | |
| JP2002353538A (ja) | 磁気検出素子、磁気検出素子の製造方法及び磁気ヘッド | |
| JP2000182210A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3255886B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP4010702B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2941242B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2941243B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびこれを備えた磁気記憶装置 | |
| JP3171183B2 (ja) | 録再分離複合型磁気ヘッド | |
| JP2948182B2 (ja) | 録再分離複合型磁気ヘッド | |
| JP3521553B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0227383Y2 (ja) | ||
| JP3255905B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2813036B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |