JPH06268189A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH06268189A JPH06268189A JP5054049A JP5404993A JPH06268189A JP H06268189 A JPH06268189 A JP H06268189A JP 5054049 A JP5054049 A JP 5054049A JP 5404993 A JP5404993 A JP 5404993A JP H06268189 A JPH06268189 A JP H06268189A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- registers
- photoelectric conversion
- transfer
- solid
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特性を劣化させることなく高集積化を可能に
する。 【構成】 半導体基板の表面に同一方向に延びた凸部お
よび凹部からなる複数の段差部を設け、凸部および凹部
の一方に２列の光電変換素子列４1 ，４2 が形成され、
他方に第１および第２のレジスタ６1 ，６2 とこれらの
レジスタを駆動する共通の転送電極８とを有する転送段
５が形成され、第１および第２のレジスタは他方の側壁
に沿って形成されて各々隣接する光電変換素子列の感光
部から信号電荷を受取って転送し、転送電極は第１およ
び第２のレジスタを覆うように形成されていることを特
徴とする。
する。 【構成】 半導体基板の表面に同一方向に延びた凸部お
よび凹部からなる複数の段差部を設け、凸部および凹部
の一方に２列の光電変換素子列４1 ，４2 が形成され、
他方に第１および第２のレジスタ６1 ，６2 とこれらの
レジスタを駆動する共通の転送電極８とを有する転送段
５が形成され、第１および第２のレジスタは他方の側壁
に沿って形成されて各々隣接する光電変換素子列の感光
部から信号電荷を受取って転送し、転送電極は第１およ
び第２のレジスタを覆うように形成されていることを特
徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置に関するも
のである。
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置の平面図を図６に示
し、断面線Ｙ−Ｙ′で切断した断面図を図７に示す。図
６において、複数の光電変換素子４は行列状に配列さ
れ、光電変換素子４の各列間には転送段５が設けられて
いる。この転送段５は光電変換素子列（図６においては
左側の素子列）に対応して設けられており、対応する光
電変換素子列によって変換された信号電荷を転送するた
めのレジスタ６と、このレジスタ６を駆動する転送電極
８とを有している（図７参照）。又、隣接しているが、
対応はしないレジスタ６と光電変換素子４の感光部４ａ
との間には絶縁物からなるシールド層４ｂが設けられて
いる。又、これらの感光部４ａ、シールド層４ｂ、およ
び転送電極８は透明な絶縁膜９によって覆われている。
し、断面線Ｙ−Ｙ′で切断した断面図を図７に示す。図
６において、複数の光電変換素子４は行列状に配列さ
れ、光電変換素子４の各列間には転送段５が設けられて
いる。この転送段５は光電変換素子列（図６においては
左側の素子列）に対応して設けられており、対応する光
電変換素子列によって変換された信号電荷を転送するた
めのレジスタ６と、このレジスタ６を駆動する転送電極
８とを有している（図７参照）。又、隣接しているが、
対応はしないレジスタ６と光電変換素子４の感光部４ａ
との間には絶縁物からなるシールド層４ｂが設けられて
いる。又、これらの感光部４ａ、シールド層４ｂ、およ
び転送電極８は透明な絶縁膜９によって覆われている。
【０００３】なお、図７に示す固体撮像装置において
は、転送段５のレジスタ６および光電変換素子４の感光
部４ａは半導体基板（例えばＰ型基板）１のほぼ同一面
上に形成されている。しかし、図８や図９の断面図に示
すように、レジスタ６および転送電極８からなる転送段
５は、感光部４ａとは同一平面上に形成されないで、半
導体基板１の表面の段差部の凹部又は凸部に形成される
ものもある。又、図７，８，９に示す固体撮像装置はす
べてＰ型半導体基板１上に形成されているが、図１０に
示すようにＮ型基板２上のＰウエル３上に形成したもの
もある。
は、転送段５のレジスタ６および光電変換素子４の感光
部４ａは半導体基板（例えばＰ型基板）１のほぼ同一面
上に形成されている。しかし、図８や図９の断面図に示
すように、レジスタ６および転送電極８からなる転送段
５は、感光部４ａとは同一平面上に形成されないで、半
導体基板１の表面の段差部の凹部又は凸部に形成される
ものもある。又、図７，８，９に示す固体撮像装置はす
べてＰ型半導体基板１上に形成されているが、図１０に
示すようにＮ型基板２上のＰウエル３上に形成したもの
もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の固体
撮像装置において、高集積化を行うと、同一受光面積に
対する光電変換素子が増えるため、各感光部４ａおよび
レジスタ６の占有面積が小さくなって、固体撮像装置の
特性の劣化を引き起こすという問題があった。
撮像装置において、高集積化を行うと、同一受光面積に
対する光電変換素子が増えるため、各感光部４ａおよび
レジスタ６の占有面積が小さくなって、固体撮像装置の
特性の劣化を引き起こすという問題があった。
【０００５】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、高集積化を行っても特性の劣化を可及的に防
止することのできる固体撮像装置を提供することを目的
とする。
であって、高集積化を行っても特性の劣化を可及的に防
止することのできる固体撮像装置を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、半導体基板の表面に同一方向に延びた凸部および
凹部からなる複数の段差部を設け、前記凸部および凹部
の一方に２列の光電変換素子列が形成され、他方に第１
および第２のレジスタとこれらのレジスタを駆動する共
通の転送電極とを有する転送段が形成され、前記第１お
よび第２のレジスタは前記他方の側壁に沿って形成され
て各々隣接する光電変換素子列の感光部から信号電荷を
受取って転送し、前記転送電極は前記第１および第２の
レジスタを覆うように形成されていることを特徴とす
る。
置は、半導体基板の表面に同一方向に延びた凸部および
凹部からなる複数の段差部を設け、前記凸部および凹部
の一方に２列の光電変換素子列が形成され、他方に第１
および第２のレジスタとこれらのレジスタを駆動する共
通の転送電極とを有する転送段が形成され、前記第１お
よび第２のレジスタは前記他方の側壁に沿って形成され
て各々隣接する光電変換素子列の感光部から信号電荷を
受取って転送し、前記転送電極は前記第１および第２の
レジスタを覆うように形成されていることを特徴とす
る。
【０００７】
【作用】このように構成された本発明の固体撮像装置に
よれば、凸部および凹部の一方に、２列の光電変換素子
列が形成され、他方には２本のレジスタと共通の転送電
極を有する転送段が形成される。これにより、光電変換
素子の感光部の面積を小さくすることなく、すなわち、
特性を劣化させることなく高集積化を達成することがで
きる。
よれば、凸部および凹部の一方に、２列の光電変換素子
列が形成され、他方には２本のレジスタと共通の転送電
極を有する転送段が形成される。これにより、光電変換
素子の感光部の面積を小さくすることなく、すなわち、
特性を劣化させることなく高集積化を達成することがで
きる。
【０００８】
【実施例】本発明による固体撮像装置の第１の実施例の
平面図を図５（ａ）に断面図を図１に示す。この実施例
の固体撮像装置においては、半導体基板１の表面にはエ
ッチング等で凸部および凹部からなる段差が設けられて
いる（図５（ｂ）参照）。そして上記凸部の上面上には
光電変換素子４1 ，４2 の列が２列設けられ、凹部に
は、イオン注入することによって形成される２つのレジ
スタ６1 ，６2 と、これらのレジスタ６1 ，６2 を駆動
する転送電極８とからなる転送段５が設けられている。
凸部上に設けられた２列の光電変換素子列４1 ，４2 の
各々感光部４ａ，４ａ2 はシールド層４ｂを介して絶縁
されている。又、凹部の側壁および下面上に設けられた
転送段５の２つのレジスタ６1 ，６2 は素子分離層７に
よって絶縁されるとともに、絶縁膜９を介して転送電極
８によって覆われている。又レジスタ６1 はその左側に
ある光電変換素子列４1 の感光部４ａから信号電荷を受
取り、レジスタ６2 はその右側にある光電変換素子列４
2 の感光部４ａ2 から信号電荷を受取る。そしてこれら
の信号電荷は転送電極８に印加される駆動パレスによっ
て各々レジスタ６1 ，６2 内を転送されて図示しない水
平転送段に送られ、この水平転送段を介して外部に出力
される。
平面図を図５（ａ）に断面図を図１に示す。この実施例
の固体撮像装置においては、半導体基板１の表面にはエ
ッチング等で凸部および凹部からなる段差が設けられて
いる（図５（ｂ）参照）。そして上記凸部の上面上には
光電変換素子４1 ，４2 の列が２列設けられ、凹部に
は、イオン注入することによって形成される２つのレジ
スタ６1 ，６2 と、これらのレジスタ６1 ，６2 を駆動
する転送電極８とからなる転送段５が設けられている。
凸部上に設けられた２列の光電変換素子列４1 ，４2 の
各々感光部４ａ，４ａ2 はシールド層４ｂを介して絶縁
されている。又、凹部の側壁および下面上に設けられた
転送段５の２つのレジスタ６1 ，６2 は素子分離層７に
よって絶縁されるとともに、絶縁膜９を介して転送電極
８によって覆われている。又レジスタ６1 はその左側に
ある光電変換素子列４1 の感光部４ａから信号電荷を受
取り、レジスタ６2 はその右側にある光電変換素子列４
2 の感光部４ａ2 から信号電荷を受取る。そしてこれら
の信号電荷は転送電極８に印加される駆動パレスによっ
て各々レジスタ６1 ，６2 内を転送されて図示しない水
平転送段に送られ、この水平転送段を介して外部に出力
される。
【０００９】以上述べたように、段差部の凹部には同一
の転送電極８によって駆動される２本のレジスタが設け
られ、凸部には光電変換素子列が２列設けられているこ
とにより、凹部の幅を従来の１本レジスタの幅となるよ
うにすれば、光電変換素子の感光部の面積を小さくする
ことなく、高集積化を行うことができる。すなわち、高
集積化を行っても特性の劣化を可及的に防止することが
できる。
の転送電極８によって駆動される２本のレジスタが設け
られ、凸部には光電変換素子列が２列設けられているこ
とにより、凹部の幅を従来の１本レジスタの幅となるよ
うにすれば、光電変換素子の感光部の面積を小さくする
ことなく、高集積化を行うことができる。すなわち、高
集積化を行っても特性の劣化を可及的に防止することが
できる。
【００１０】なお、上記実施例においては、段差部の凸
部には２列の光電変換素子列４1 ，４2 を設け、凹部に
は２本のレジスタ６1 ，６2 及び１本の転送電極８から
なる転送段５を設けたが、図２に示すように凸部に２本
のレジスタ６1 ，６2 及び１本の転送電極８からなる転
送段を設け、凹部に２列の光電変換素子列４1 ，４2を
設けても良い。なお、この時の基板１の表面形状（Ｘ−
Ｘ′断面）は図５（ｃ）に示すような形状となる。
部には２列の光電変換素子列４1 ，４2 を設け、凹部に
は２本のレジスタ６1 ，６2 及び１本の転送電極８から
なる転送段５を設けたが、図２に示すように凸部に２本
のレジスタ６1 ，６2 及び１本の転送電極８からなる転
送段を設け、凹部に２列の光電変換素子列４1 ，４2を
設けても良い。なお、この時の基板１の表面形状（Ｘ−
Ｘ′断面）は図５（ｃ）に示すような形状となる。
【００１１】又、凸部の断面形状は図５（ｄ）に示すよ
うに台形状にしても良い。この場合の固体撮像装置の断
面図を図３に示す。又、凹部の断面形状も図５（ｅ）に
示すように台形状にしても良い。
うに台形状にしても良い。この場合の固体撮像装置の断
面図を図３に示す。又、凹部の断面形状も図５（ｅ）に
示すように台形状にしても良い。
【００１２】又、上記実施例においては、光電変換素子
列及び転送段はＰ型基板１上に形成されたが、図４に示
すようにＮ型基板２上にＰウエル３を設けこのＰウエル
上に光電変換素子列４1 ，４2 及び転送段５を形成して
も良い。
列及び転送段はＰ型基板１上に形成されたが、図４に示
すようにＮ型基板２上にＰウエル３を設けこのＰウエル
上に光電変換素子列４1 ，４2 及び転送段５を形成して
も良い。
【００１３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、特性
を劣化させることなく高集積化を達成することができ
る。
を劣化させることなく高集積化を達成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による固体撮像装置の第１の実施例の構
造を示す断面図。
造を示す断面図。
【図２】第２の実施例の構造を示す断面図。
【図３】第３の実施例の構造を示す断面図。
【図４】第４の実施例の構造を示す断面図。
【図５】本発明の固体撮像装置の段差構造を説明する説
明図。
明図。
【図６】従来の固体撮像装置の平面図。
【図７】従来の固体撮像装置の断面図。
【図８】従来の他の固体撮像装置の断面図。
【図９】従来の他の固体撮像装置の断面図。
【図１０】従来の他の固体撮像装置の断面図。
１，２ 半導体基板 ３ ウエル ４1 ，４2 光電変換素子 ４ａ1 ，４ａ2 感光部 ４ｂ シールド層 ５ 転送段 ６1 ，６2 レジスタ ７ 素子分離層 ８ 転送電極 ９ 絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の表面に同一方向に延びた凸部
および凹部からなる複数の段差部を設け、前記凸部およ
び凹部の一方に２列の光電変換素子列が形成され、他方
に第１および第２のレジスタとこれらのレジスタを駆動
する共通の転送電極とを有する転送段が形成され、前記
第１および第２のレジスタは前記他方の側壁に沿って形
成されて各々隣接する光電変換素子列の感光部から信号
電荷を受取って転送し、前記転送電極は前記第１および
第２のレジスタを覆うように形成されていることを特徴
とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054049A JPH06268189A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054049A JPH06268189A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268189A true JPH06268189A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12959760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5054049A Pending JPH06268189A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268189A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010047412A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
| US7956388B2 (en) | 2008-10-24 | 2011-06-07 | Unisantis Electronics (Japan) Ltd. | Solid-state image pickup element and solid-state image pickup device |
| CN108231815A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-29 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
| WO2022196459A1 (ja) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子及び撮像装置 |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5054049A patent/JPH06268189A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010047412A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
| WO2010046994A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
| US7956388B2 (en) | 2008-10-24 | 2011-06-07 | Unisantis Electronics (Japan) Ltd. | Solid-state image pickup element and solid-state image pickup device |
| US8114695B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-02-14 | Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. | Solid-state image pickup element, solid-state image pickup device and production method therefor |
| US8115237B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-02-14 | Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. | Solid-state image pickup element and solid-state image pickup device having a transfer electrode formed on the entire sidewall of a hole |
| CN108231815A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-29 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
| WO2022196459A1 (ja) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子及び撮像装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10411054B2 (en) | Image sensor | |
| KR102554417B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| CN1893540B (zh) | 包括有源像素传感器阵列的图像传感器和系统 | |
| JPH10135439A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| US5115293A (en) | Solid-state imaging device | |
| JP3316106B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH06268189A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US4649407A (en) | Charge coupled device for transferring electric charge | |
| KR950013197A (ko) | 저저항 게이트전극을 갖는 고체 촬상소자 및 그 제조방법 | |
| JPH0476952A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US4654681A (en) | Arrangement of semiconductor devices on a wafer | |
| JP4403383B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US5091922A (en) | Charge transfer device type solid state image sensor having constant saturation level | |
| JPH09121045A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US20230032117A1 (en) | Image sensing device | |
| US20250185399A1 (en) | Solid-state imaging device | |
| JP2614123B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4797302B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH06296009A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH06296008A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH0755005Y2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3713863B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6251254A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04133350A (ja) | イメージセンサ | |
| JP2892547B2 (ja) | 電荷結合素子 |