JPH06268308A

JPH06268308A - 波長変換装置

Info

Publication number: JPH06268308A
Application number: JP5050728A
Authority: JP
Inventors: Isao Ichimura; 功市村; Atsushi Fukumoto; 敦福本
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-03-11
Filing date: 1993-03-11
Publication date: 1994-09-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】波長変換出力光のパワーの選択、データ信号
に基く変調等のパワー変調を、装置の大型化、コスト
高、光の損失等を招来することなく、また、モードロッ
キングを阻害することなく安定に行う。【構成】半導体レーザ１よりの発振光を非線形光学素
子２に入射させて波長変換出力光を得る波長変換レーザ
部３を有し、半導体レーザ１の注入電流に微小高周波重
畳電流をのせて半導体レーザの発振光を周波数変調させ
て波長変換レーザ部からの波長変換出力光を周波数変調
し、非線形光学素子２の波長変換効率が最大となる入力
基本波波長に半導体レーザの発振波長を引き込む波長変
換レーザ部３のモードロック回路部１２と、自動出力制
御回路部１３と、半導体レーザ１への微小高周波重畳電
流の振幅変調回路１４とから構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、波長変換装置、特に半
導体レーザとこの半導体レーザよりの発振光を基本波と
してその第２次あるいはこれより高次の高調波を発生す
る波長変換素子としての非線形光学素子とを有して成る
波長変換装置に係わる。

【０００２】

【従来の技術】高密度、光解像度の光ディスクの記録再
生、光磁気記録再生等の光記録再生の光源や、医療機器
等で用いられる光源として、短波長の例えば青のレーザ
光の必要性が高まっている。

【０００３】この種の光源として、図９に示すように、
基本波光として半導体レーザ１の発振光を、波長変換素
子としての非線形光学素子２いわゆるＳＨＧ（２次高調
波発生素子），ＴＨＧ（３次高調波発生素子）に入射さ
せ、この基本波の第２次あるいはこれより高次の高調波
を発生させることによって青色等の短波長のレーザ光を
得るようにした波長変換レーザ部３による波長変換装置
が用いられる方向にある。

【０００４】この波長変換装置は、例えば波長８６０ｎ
ｍの単一モードレーザによる半導体レーザ１の出力光
が、コリメータレンズ４で平行光とされ、アナモルフィ
ックプリズム５によってビーム整形されてほぼ断面円形
のビーム形状とされ、これがアイソレータ６を通じて波
長変換素子の非線形光学素子２によるリング型共振器に
集光レンズ８によって集光入射される構成を有する。

【０００５】このとき、通常非線形光学素子２は、これ
の入射光の波長に位相整合することが必要である。

【０００６】そこで、これら半導体レーザ１及び非線形
光学素子２は、例えばペルチエ素子等の温度制御手段に
よってこれらが位相整合温度の範囲内に保持されるよう
にしている。

【０００７】しかしながら、実際上この波長変換装置で
用いられる半導体レーザは、上述したように、一般に単
一モードレーザが用いられるものであり、通常その発振
波長は、周囲温度、印加電流により大きく変化するた
め、位相整合範囲の狭い非線形光学素子２を用いる場
合、常時良好な位相整合状態を保持して高い変換効率を
示すようにするには、半導体レーザの発振波長を位相整
合し得る波長とするための高精度の電流制御が必要とな
ってくる。

【０００８】この電流制御、すなわち位相整合条件を保
持するモードロッキング方法としては、例えばドレヴァ
ロッキング法と呼ばれる方法がある（論文集；Proc.SPI
E 1663,Optical Data Storage,San Jose p410(1992) 参
照）。

【０００９】この方法は、上述の図９の構成で位相整合
条件が満たされている場合は、半導体レーザ１のレーザ
光すなわち基本波が、８６０ｎｍの場合、例えばＫＮｂ
Ｏ₃結晶による非線形光学素子２から第２高調波の波長
４３０ｎｍの青色光が出力されるが、これと同時に半導
体レーザ１の発振光が非線形光学素子２において位相整
合状態になるときは、このリング共振器が共振状態にあ
るようにされていることから、この非線形光学素子２の
入射端面からの半導体レーザのレーザ光の反射光量は極
小となることを利用する。

【００１０】すなわちこの場合、図９に示すように、モ
ードロック回路部１２が設けられるものであり、この場
合半導体レーザ１に対して非線形光学素子２において位
相整合条件を満たす波長の発振を行わしめる所定の直流
電流を、直流バイアスが供給される電源端子Ｔ_bから供
給するとともに、これに高周波発振器８からの例えば３
００ＭＨｚまたは４００ＭＨｚの微小高周波重畳電流を
重畳して半導体レーザ１の光出力を周波数変調（ＦＭ）
する。

【００１１】そして、このモードロッキングに前述した
ように、非線形光学素子２からの半導体レーザ１の発振
光の反射光を用いる。すなわちこの反射光は前述したよ
うに、位相整合時には極小となるが、同時に上述の高周
波重畳電流信号成分（ＦＭ変調におけるベッセル関数の
Ｊ₁成分に相当）をも含んでおり、この信号成分Ｊ₁す
なわちＦＭサイドバンド信号は、モードロック点を境に
位相が反転することから、この反射光を広帯域ディテク
タＤ₁によって検出し、この検出電流信号を、電流−電
圧変換器９によって電圧信号に変換し、これをアナログ
マルチプライヤすなわち掛け算器１０に入力し、この掛
け算器１０によって高周波発振器８からの半導体レーザ
１への微小高周波重畳信号と掛け算を行うと、反射光の
位相変位に応じた出力が得られ、この出力信号は、モー
ドロッキング誤差信号と考えられる。

【００１２】したがって、この誤差信号がゼロとなるよ
うに、この出力を半導体レーザ１の駆動電流にフィード
バックすれば、ＰＬＬ（フェーズ・ロック・ループ）回
路が構成され、波長変換レーザ部３にモードロックがか
けられることになる。

【００１３】図において１１は、フィードバック系のル
ープフィルタである。

【００１４】一方この種の波長変換装置を、例えば光記
録再生等の光源として用いる場合、例えばその記録時、
再生時、消去時等に応じて波長変換出力光のパワーを変
更設定する必要があるとか、更に例えば記録光として用
いる場合においてはその記録信号すなわちデータ信号に
応じてパワー変調を行う必要が生じてくる。

【００１５】この種の波長変換装置において、そのパワ
ーの変更設定、すなわち点灯パワーモードの選択、ある
いはデータ信号による変調を行うには、外部に例えば音
響光学効果、あるいは電気光学効果による光変調素子を
配置し、これに波長変換出力光を通じてパワー変調を行
う方法が一般的であると思われる。

【００１６】しかしながら、このように外部に光変調器
を設けることは、波長変換レーザ部との相互の配置位置
の設定、すなわち組立製造の煩雑さ、装置の大型化、コ
スト高を招来し、さらにこの光変調器に波長変換出力光
を通ずることによる光の損失などの問題が生じる。

【００１７】また、この波長変換の出力光のパワーの変
更設定、データ信号に基く変調等のパワー変調は、その
基本波光源の半導体レーザの制御によって行うことがで
きることから、この半導体レーザの駆動電流を直接制御
することが考えられるが、この場合半導体レーザの発振
波長の変動による位相整合条件が大きく変動し、モード
ロッキングが外れることになり、このためモードロッキ
ングの引き込み時間が長くなってしまって、高速変調が
できないとか、安定した動作がされにくくなるなどの問
題が生じる。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うに、波長変換素子としての非線形光学素子に基本波光
源としての半導体レーザの発振光を入射して第２ないし
はこれより高次の高調波を波長変換して得る波長変換装
置において、そのパワーの選択、データ信号に基く変調
等のパワー変調を、装置の大型化、コスト高、光の損失
等を招来することなく、また、モードロッキングを阻害
することなく安定して行うことができるようにする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】第１の本発明は、図１に
その一例の構成図を示すように、半導体レーザ１と、波
長変換素子すなわち半導体レーザ１よりの発振光を入力
基本波として入射させる非線形光学素子２とよりなる波
長変換レーザ部３と、半導体レーザ１の注入電流に微小
高周波重畳電流をのせて半導体レーザの発振光を周波数
変調させて波長変換レーザ部からの波長変換出力光を周
波数変調し、非線形光学素子２の波長変換効率が最大と
なる入力基本波波長に半導体レーザの発振波長を引き込
む波長変換レーザ部３のモードロック回路部１２と、自
動出力制御回路部１３と、半導体レーザ１への微小高周
波重畳電流の振幅変調回路１４とを有して成る。

【００２０】自動出力制御回路部１３は、波長変換出力
光を検出してこの検出信号によって制御されて波長変換
レーザ部３の点灯パワーモード例えば光記録再生におい
てはその記録、再生、消去等の各モードに応じて波長変
換レーザ部３の波長変換出力光の最大（ピーク）パワー
と最小（ボトム）パワーを設定するための指示電圧を振
幅変調回路１４に供給する構成とされる。

【００２１】そして、振幅変調回路１４には、データ信
号が入力されてこのデータ信号によって半導体レーザ１
の駆動電流を振幅変調するようになされる。

【００２２】また、第２の本発明は、図２にその一例の
構成図を示すように、上述の第１の本発明構成におい
て、半導体レーザ１に印加する直流電流を走査して半導
体レーザの発振波長を変動させて、非線形光学素子２へ
の入力基本波の波長を変動させ、非線形光学素子２の波
長変換効率が最大となる入力基本波波長からのずれに対
応する誤差信号を引き出す誤差信号引き出し回路部１５
と、この誤差信号引き出し回路部１５とモードロック回
路部１２とを半導体レーザ１に対して切り換える切換え
手段１６とを有する構成とする。

【００２３】第３の本発明は、上述の各構成において、
波長変換レーザ部３からの出力光の周波数変調指数βを
０〜２．４に選定する。

【００２４】

【作用】本発明では、波長変換レーザ部３のモードロッ
キングを行うための微小高周波重畳電流の重畳すなわち
波長変換レーザ部３の出力光が周波数変調されること、
そしてこの周波数変調の変調指数βを変化させることに
よって波長変換レーザ部３の出力光のパワーが変化する
とを利用するものである。

【００２５】すなわち、上述したような微小高周波重畳
電流の重畳によってモードロッキングがなされる場合、
すなわち波長変換レーザ３の出力光がＦＭ変調されるも
のにおいてはそのＦＭ変調の変調指数βは、下記数１で
与えられる。

【００２６】

【数１】

【００２７】ここで、λは半導体レーザの直流バイアス
電流による基本波発振波長、Δλは対電流波長変位で、
例えばΔλ≒０．００５ｎｍ／ｍＡで与えられ、ｆ_Mは
微小高周波重畳電流周波数例えば３００ＭＨｚ、ｃは光
速、ΔＡは上述の微小高周波重畳電流振幅である。

【００２８】ここで、波長変換レーザ部３からの出力光
は、ＦＭ変調におけるベッセル関数のＪ₀成分に比例す
るため、微小高周波重畳電流の振幅ΔＡを変化させるこ
とでこの出力光を任意に変更制御することが可能とな
る。

【００２９】そして、いま微小高周波重畳電流の振幅Δ
Ａを変化させることによって、ＦＭ変調指数βを、0.1,
0.5, 1.0, 1.5, 2.0 に変化させた場合の、非線形光学
素子２への半導体レーザ１の発振光による入射光の、非
線形光学素子２の前方端面（入射端面）からの各反射光
強度を測定すると図３〜図７実線曲線に示すようにな
る。

【００３０】各図において横軸は位相、縦軸はその強度
の最大値を１に基準化して示したものである。また、こ
れら各図にそれぞれの場合の誤差信号を破線曲線をもっ
て示した。

【００３１】ここで、反射光は、位相整合状態にあって
波長変換レーザ部３から波長変換出力光が発生するとき
共振状態にあることからこの反射光の強度は小さく、位
相整合がなされていないで波長変換出力光が小のとき反
射光強度が大となることからこの反射光強度をもって波
長出力光の大小を知ことができる。

【００３２】ところで、図３〜図７によれば、位相整合
状態で、図３で示めされるβ＝0.1で反射光の最小値が
最も小さくなっていて波長変換出力光強度すなわちパワ
ーが最も大きくなることが分かり、一方βの値を大にし
て行くとき、反射光の最小値レベルが高くなって波長変
換出力光が低下してくることが分かる。そして、β＝2.
0 で出力光が殆どゼロとなり、図示しないが、β＝2.4
では完全に波長変換出力光が生じなかった。

【００３３】つまり、βの制御によってしたがって高周
波重畳電流振幅ΔＡの制御によって波長変換出力光のパ
ワー制御ができるものである。

【００３４】因みに、上述の条件で、β＝0.2 とするに
は、数１からΔＡ≒29.6μｍ、つまりサブｍＡオーダで
の電流振幅制御を行えば良いことになる。

【００３５】本発明においては、振幅変調回路１４によ
って高周波重畳電流振幅ΔＡの制御を行うことによって
波長変換出力光のパワー制御を行うものであり、本発明
によれば、点灯パワーモードに応じて、またデータ信号
によって波長変換出力光の例えばオン・オフ等のデジタ
ル的変調をはじめとしてアナログ的変調を行うことがで
きる。

【００３６】

【実施例】図１を参照して本発明の一例を説明する。こ
の例においても、半導体レーザ１と、この半導体レーザ
１よりの発振光を基本波光として入射させることによ
り、この基本波の第２あるいはこれより高次の高調波を
得る波長変換素子としての例えばＫＮｂＯ₃結晶による
非線形光学素子２によるリング型共振器を有して成る波
長変換レーザ部３を構成する。

【００３７】半導体レーザ１は、例えば波長８６０ｎｍ
の単一モードレーザが用いられる。

【００３８】この半導体レーザ１の出力光は、コリメー
タレンズ４で平行光にされたのち、アナモルフィックプ
リズム５を通じてビーム整形がなされてほぼ断面円形の
ビーム形状とされ、アイソレータ６を通じてリング型共
振器構成による波長変換素子の非線形光学素子２に集光
レンズ７によって集光入射するようになされる。

【００３９】このとき、位相整合条件が満たされている
場合は、ＫＮｂＯ₃結晶の非線形光学素子２から基本波
の第２高調波の波長４３０ｎｍの青色光が出力される。

【００４０】そして、図９で説明したと同様に、非線形
光学素子２に向かう半導体レーザ１の、レーザ光の非線
形光学素子２からの反射光を広帯域の第１のディテクタ
Ｄ₁によって検出するようにし、この検出電流信号を、
電流−電圧変換器９によって電圧信号に変換し、これを
アナログマルチプライヤすなわち掛算器１０に入力し、
この掛算器１０によって高周波発振器８からの半導体レ
ーザ１への微小高周波重畳信号と掛け算を行って、反射
光の位相変位に応じた出力、すなわちモードロッキング
誤差信号を得る。

【００４１】１１は、フィードバック系のループフィル
タである。

【００４２】一方、自動出力制御回路（ＡＰＣ）部１３
と、半導体レーザ１の微小高周波重畳電流の振幅変調回
路１４とを設ける。

【００４３】そして直流バイアスが供給される電源端子
Ｔ_bから非線形光学素子２の位相整合条件を満たす波長
の発振を行わしめる所定の直流駆動電流を半導体レーザ
１に供給するとともに、この駆動電流に高周波発振器８
からの例えば３００ＭＨｚまたは４００ＭＨｚの微小高
周波重畳電流を重畳して半導体レーザ１の光出力を周波
数変調（ＦＭ）するが、本発明においては、この微小高
周波重畳電流を、さらに振幅変調回路１４によって振幅
変調して供給する。この場合、先ずこの微小高周波重畳
電流を振幅変調しない状態、つまりＦＭ変調のみを行っ
た状態で上述のモードロッキング誤差信号がゼロとなる
ような出力を半導体レーザ１の駆動電流にフィードバッ
クするように選定する。

【００４４】振幅変調回路１４は、高周波発振器８から
の微小高周波重畳電流を自動出力制御回路部１３によっ
て指定されたピークパワーとボトムパワーを有するＡＭ
変調を行うとともに、データ信号例えば記録信号が入力
される端子Ｔ_sからのデータ信号によってこのデータ信
号に基くＡＭ変調がなされる。

【００４５】自動出力制御回路部１３は、これに端子Ｔ
_Mから点灯パワーモードに応じた制御電圧が与えられ
て、データ信号が与えられない状態での各モードでの基
準パワーの切換え設定を行う。

【００４６】すなわち、例えば光記録再生装置において
は、その記録、再生、消去等の各モードに応じてその基
準パワーが異なるものであり、例えば一般には記録時に
は高パワー、再生時には低パワー、消去時には高パワー
が必要とされることから点灯パワーモードの切換え選定
がなされる。

【００４７】自動出力制御回路部１３は、これに上述の
モード切換えによる所定の制御電圧が供給されることに
よってこの自動出力制御回路部１３から振幅変調回路１
４に対して、波長変換出力光が各モードに応じたパワ
ー、つまり各モードにおいて所定のピークパワーとボト
ムパワーが得られるＡＭ変調が振幅変調回路１４でなさ
れるように設定する指示電圧Φ_p及びΦ_bを供給するよ
うになされる。

【００４８】また、この自動出力制御回路１３において
は、上述の指示電圧Φ_p及びΦ_bが、波長変換出力光の
変動に依存することなく選定されたパワーモードで、所
定の値に保持されるように自動制御される。すなわち図
示の例では非線形光学素子２の出力光、すなわち波長変
換出力光を、コリメータレンズ２１によって平行光と
し、ビームスプリッタ２２によってその一部の光を第２
のディテクタＤ₂ ２３に導入してこれによって出力光の
大小に応じた検出電流信号をとり出してこれを電流−電
圧変換器２４によって高周波成分を含まない電圧信号に
変換して自動出力制御回路部１３にフィードバックし
て、これによって指示電圧Φ_p及びΦ_bが選定された一
定の値に保持するようになされている。

【００４９】そして、このように振幅変調器１４によっ
てＡＭ変調された微小高周波重畳電流は、例えば図８の
Ａに示す波形となり、これの重畳によって駆動された波
長変換レーザ部３の波長振幅出力光は図８Ｂに示すよう
になる。すなわち、図８においては例えば区間τ₀，τ
₂ ……において高周波重畳電流振幅ΔＡは大なる値ΔＡ
₀となっていて、このとき例えば波長振幅出力光はオフ
となり、例えば区間τ ₁，τ₃……において高周波重畳
電流振幅ΔＡは小なる値ΔＡ₁となっていて、このとき
例えば波長振幅出力光はオンとなる。

【００５０】そして、例えばこの場合において、これら
ΔＡ₀及びΔＡ₁が各点灯モードにおいて最大すなわち
ピークパワー及び最小すなわちボトムパワーを与える振
幅であれば、これらが自動出力制御回路１３によって指
定されるものである。

【００５１】この構成によれば、点灯モードパワーの選
定、データ信号に基くパワー変調を波長変換レーザ部３
のモードロッキングを行うための半導体レーザ１の駆動
電流に重畳する高周波重畳電流に対するＡＭ変調によっ
てなすので、高速変調が可能であり、また特性のよいＡ
Ｍ変調を行うことができる。

【００５２】そして、このＡＭ変調による波長変換出力
光のＦＭ変調指数βの選定範囲は、実際上０〜２．４で
上述の各点灯パワーモードでのパワーの選定、データ信
号によるパワー変調においてピークパワー及びボトムパ
ワーの設定を充分行うことができる。

【００５３】ところで、上述の本発明では、モードロッ
キングを行う微小高周波重畳電流を振幅変調することに
よって波長変換出力光のパワーを制御するものである
が、上述のモードロッキング法による場合、その誤差信
号は図３〜図７中破線で示すように、モードロック点付
近のみに存在することから、モードロック点から離れて
しまう状態が生じるような場合には、モードロッキング
の引き込みができなくなってしまう。

【００５４】すなわちモードロック時には、波長変換素
子すなわち非線形光学素子２は共振器として作用するの
で、例えば非線形光学素子２として、結晶長Ｌが7.0 ｍ
ｍ，屈折率ｎが2.277 とすると、その共振周波数間隔Ｆ
ＳＲは、下記数２になる。

【００５５】

【数２】

【００５６】また、この共振器のフィネスＦは、４０程
度と考えられるので、共振点での半値幅Δｆは、下記数
３となる。

【００５７】

【数３】

【００５８】すなわち、モードロック点は、半導体レー
ザの発振周波数で9.4 GHz （波長では約0.023nm)間隔に
半値幅235MHzで存在することになり、したがって誤差信
号も離散的にしか現れない特殊な不連続波形となる。

【００５９】したがって、半導体レーザ１に一定直流バ
イアス電流を与えるだけでは、誤差信号が得られるとは
限らない。また、通常のように、誤差信号をゼロとする
ようなフィードバック回路だけでは充分とはいえない。

【００６０】第２の本発明は、このような不都合を回避
するものであり、図２を参照してその一例を説明する。
図２において、図１と対応する部分には同一符号を付し
て重複説明を省略する。

【００６１】この場合、上述のフィードバック回路系
に、半導体レーザ１の駆動電流走査を行う駆動電流走査
回路１７と、引き込み論理回路１８を有する誤差信号引
き出し回路部１５を付加し、この誤差信号引き出し回路
部１５と、上述のモードロック回路部１２とを半導体レ
ーザ１に対して機械的あるいは電気的に切換え接続する
切換え手段１６を設ける。

【００６２】すなわち、この場合、波長変換動作の初期
状態において、切換え手段１６を図において、接点ａ側
に切り換えて半導体レーザ１に対して誤差信号引き出し
回路部１５を接続する。

【００６３】そして、直流バイアス電流供給端子Ｔ_bか
ら半導体レーザ１が位相整合条件を満たす波長のレーザ
光を発振する電流を供給し、この値を中心として電流走
査回路１７によって半導体レーザ１に印加する直流電流
の走査、すなわち電流サーチを行って半導体レーザ１の
発振波長を変動させ非線形光学素子２への入力基本波の
波長を変動させる。

【００６４】この状態で、引き込み論理回路１８によっ
て、非線形光学素子２の波長変換効率が最大となるすな
わち位相整合条件を満たす入力基本波波長からのずれに
対応する誤差信号を引き出す。

【００６５】この半導体レーザ１における対電流波長変
位Δλは、例えばΔλ≒0.005nm/mAで与えられるので、
上述の誤差信号が確実に得られるようにするに、電流振
幅は非線形光学素子による共振器の共振周波数間隔分程
度、この例では0.023nm/0.005nm ＝4.6mA あるいはそれ
以上とすことが望ましい。

【００６６】次に、非線形光学素子２からの反射光強度
はモードロック点近傍で極小となることからこの反射光
を検出するディテクタＤ₁からの検出信号を電圧信号に
変換する電流−電圧変換器９から反射光強度の低域成分
を取出し、引き込み論理回路１８によってこの信号が、
或るしきい値以下となる範囲を引き込み可能範囲と見做
して、これによって切換え手段１６を図２において他方
の接点ｂに切換えて誤差信号引き出し回路部１５を半導
体レーザ１から切断し、モードロック回路部１２を半導
体レーザ１に切換え接続し、以後は上述した動作を行
う。

【００６７】このように、第２の本発明によれば、確実
にモードロック誤差信号を引き出すことができて、確実
にモードロッキングひいては確実にパワー変調を行うこ
とができる。

【００６８】尚、上述した例では、非線形光学素子２が
ＫＮｂＯ₃結晶である場合としたが他の波長変換素子と
して非線形光学素子を用いる構成とすることもでき、ま
た、上述の例では、モードロック誤差信号を非線形光学
素子の共振器の基本波入射端面からの反射光の検出によ
って得るようにした場合であるが、波長変換出力光を取
り出す出射端からの基本波すなわち半導体レーザの発振
光を分離検出することによって誤差信号を取り出すよう
にするなど種々の変更を行うことができる。

【００６９】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、内部
回路的にパワー変調を行うことができるようにしたの
で、外部に音響光学効果、電気光学効果による変調器を
設けてパワー変調を行う場合に比し、小型、簡潔化、量
産化、光損失の低減化をはかることができる。

【００７０】また、その変調をモードロッキングを行う
微小高周波重畳電流を利用してこれの振幅変調によって
行うので回路構成の複雑化をかなり軽減できるととも
に、高速性にすぐれ、高周波電流に対する振幅変調であ
ることからすぐれた変調特性となり、確実にパワー変
調、特にピークパワー及びボトムパワーの設定を確実か
つ正確に行うことができることから、高密度、高解像度
の光記録再生の光源として用いて確実な記録、再生、消
去を行うことができるなど、実用上多くの利益をもたら
すものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明装置の一例の構成図である。

【図２】本発明装置の一例の構成図である。

【図３】波長変換レーザ部の非線形光学素子からの反射
光強度及び誤差信号強度を示す図である。

【図４】波長変換レーザ部の非線形光学素子からの反射
光強度及び誤差信号強度を示す図である。

【図５】波長変換レーザ部の非線形光学素子からの反射
光強度及び誤差信号強度を示す図である。

【図６】波長変換レーザ部の非線形光学素子からの反射
光強度及び誤差信号強度を示す図である。

【図７】波長変換レーザ部の非線形光学素子からの反射
光強度及び誤差信号強度を示す図である。

【図８】微小高周波重畳電流の振幅変調波形図と波長変
換出力波形図である。

【図９】従来装置の構成図である。

【符号の説明】

１半導体レーザ２非線形光学素子３波長変換レーザ１２モードロック回路部１３自動出力制御回路部１４振幅変調回路１５誤差信号引き出し回路部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザと、該半導体レーザよりの
発振光を入力基本波として入射させる非線形光学素子と
よりなる波長変換レーザ部と、上記半導体レーザの注入電流に微小高周波重畳電流をの
せて上記半導体レーザの発振光を周波数変調させて、上
記波長変換レーザ部からの波長変換出力光を周波数変調
し、上記非線形光学素子の波長変換効率が最大となる入
力基本波波長に上記半導体レーザの発振波長を引き込む
波長変換レーザ部のモードロック回路部と、自動出力制御回路部と、半導体レーザへの微小高周波重畳電流の振幅変調回路と
を有し、上記自動出力制御回路部は、上記波長変換出力光を検出
して該検出信号によって制御されて上記波長変換レーザ
部の点灯パワーモードに応じて波長変換レーザ部の波長
変換出力光の最大パワーと最小パワーを設定するための
指示電圧を上記振幅変調回路に供給する構成とされ、上記振幅変調回路にはデータ信号が入力されて該データ
信号によって上記半導体レーザの駆動電流を振幅変調す
ることを特徴とする波長変換装置。
【請求項２】半導体レーザに印加する直流電流を走査
して上記半導体レーザの発振波長を変動させて、上記非
線形光学素子への入力基本波の波長を変動させ、上記非
線形光学素子の波長変換効率が最大となる入力基本波波
長からのずれに対応する誤差信号を引き出す誤差信号引
き出し回路部と、該誤差信号引き出し回路部と上記モードロック回路部と
を上記半導体レーザに対して切り換える切換え手段とを
有することを特徴とする請求項１に記載の波長変換装
置。
【請求項３】上記波長変換出力光の周波数変調指数β
を０〜２．４に選定したことを特徴とする請求項１また
は２に記載の波長変換装置。