JPH06271306A - 数珠状高分子とその構成方法 - Google Patents
数珠状高分子とその構成方法Info
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- JPH06271306A JPH06271306A JP5056696A JP5669693A JPH06271306A JP H06271306 A JPH06271306 A JP H06271306A JP 5056696 A JP5056696 A JP 5056696A JP 5669693 A JP5669693 A JP 5669693A JP H06271306 A JPH06271306 A JP H06271306A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 単一元素の幾何学的構成により、金属や半導
体のさまざまな性質や機能を得る。 【構成】 炭素原子が共有結合することによってできた
ベンゼン殻様の六角形の分子を構成単位とする平面的な
ネットワークが丸められて形成された円筒状をなす円筒
状高分子を、５員環と６員環の分子を構成単位とするサ
ッカーボール様球状高分子を接点として、つなぎ合わせ
た数珠状高分子。
体のさまざまな性質や機能を得る。 【構成】 炭素原子が共有結合することによってできた
ベンゼン殻様の六角形の分子を構成単位とする平面的な
ネットワークが丸められて形成された円筒状をなす円筒
状高分子を、５員環と６員環の分子を構成単位とするサ
ッカーボール様球状高分子を接点として、つなぎ合わせ
た数珠状高分子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細な円柱構造を有する
炭素の円筒状高分子をサッカーボール状高分子を接点と
して結合した、１次元、２次元、３次元構造の高分子及
びこの高分子を利用した各種機能素子に関するものであ
る。
炭素の円筒状高分子をサッカーボール状高分子を接点と
して結合した、１次元、２次元、３次元構造の高分子及
びこの高分子を利用した各種機能素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】最近、ｎｍオーダーの直径の円柱構造を
持った炭素の高分子が発見され（飯島，ネイチャー（Ｎ
ａｔｕｒｅ）Ｖｏｌ．３５４・７ Ｎｏｖ．１９９１
ｐｐ５６〜５８）、現在その分子構造の解明が進んでい
る。
持った炭素の高分子が発見され（飯島，ネイチャー（Ｎ
ａｔｕｒｅ）Ｖｏｌ．３５４・７ Ｎｏｖ．１９９１
ｐｐ５６〜５８）、現在その分子構造の解明が進んでい
る。
【０００３】この高分子は、炭素原子が共有結合するこ
とによってできたベンゼン殻様の六角形の分子を構成単
位とし、それを平面上に敷き詰め、さらにそれを円筒状
に巻いたものが一つの単位をなし、その円筒の直径を変
えて同心円状に入れ子にした構造を持っている。
とによってできたベンゼン殻様の六角形の分子を構成単
位とし、それを平面上に敷き詰め、さらにそれを円筒状
に巻いたものが一つの単位をなし、その円筒の直径を変
えて同心円状に入れ子にした構造を持っている。
【０００４】その円筒の直径は、最小で１ｎｍ程度と極
めて微小であり、一つの円筒とその内側あるいは外側の
円筒の距離は、０．３４ｎｍ程度でグラファイト分子の
層間の距離とはほぼ同じである。入れ子構造は、２重、
３重、４重、５重、・・・と種々ある。以下、この高分
子をカーボンナノチューブ、あるいは炭素チューブとい
う。
めて微小であり、一つの円筒とその内側あるいは外側の
円筒の距離は、０．３４ｎｍ程度でグラファイト分子の
層間の距離とはほぼ同じである。入れ子構造は、２重、
３重、４重、５重、・・・と種々ある。以下、この高分
子をカーボンナノチューブ、あるいは炭素チューブとい
う。
【０００５】又これらの分子構造とバンド構造の関係が
明らかにされ、それに基づいて所望の特性の炭素チュー
ブ素子を得る方法が提案された（特願平４−５６３０６
号）。
明らかにされ、それに基づいて所望の特性の炭素チュー
ブ素子を得る方法が提案された（特願平４−５６３０６
号）。
【０００６】即ち円筒の半径と６員環のラセン状配列の
ピッチによって、金属的伝導から、様々のバンドギャッ
プの半導体的性質を示すことが明らかになった。又、こ
れらの性質を利用した機能素子に関する発明も行われて
いる。
ピッチによって、金属的伝導から、様々のバンドギャッ
プの半導体的性質を示すことが明らかになった。又、こ
れらの性質を利用した機能素子に関する発明も行われて
いる。
【０００７】他方ベンゼン殻様の６角形の分子を構成単
位としたサッカーボール状高分子が発見されており、Ｃ
6 0 ，Ｃ7 0 ，Ｃ7 6 ，Ｃ8 2 ，・・・等が安定に存在
し得ることが分っている。又これらのサッカーボールは
ファンデルワールス結合の引力によって面心立方格子そ
の他の結晶構造を形成する。又これにＫ，Ｒｂ，Ｃｓな
どをドープすると金属伝導を示し、低温では超伝導を示
す。
位としたサッカーボール状高分子が発見されており、Ｃ
6 0 ，Ｃ7 0 ，Ｃ7 6 ，Ｃ8 2 ，・・・等が安定に存在
し得ることが分っている。又これらのサッカーボールは
ファンデルワールス結合の引力によって面心立方格子そ
の他の結晶構造を形成する。又これにＫ，Ｒｂ，Ｃｓな
どをドープすると金属伝導を示し、低温では超伝導を示
す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記チューブとサッカ
ーボール及びこれらの各々から誘導される高分子及びそ
れらの物性は明らかになっていたが、これらの双方を組
合せた物質は発見されておらず、いわんやその物性につ
いては全く未知と言える。
ーボール及びこれらの各々から誘導される高分子及びそ
れらの物性は明らかになっていたが、これらの双方を組
合せた物質は発見されておらず、いわんやその物性につ
いては全く未知と言える。
【０００９】本発明ではこれらの２種類の炭素化合物を
組合せた構造とその存在と物質とその物性を理論的に予
言し、あわせてこれを利用した機能素子を提案するもの
である。
組合せた構造とその存在と物質とその物性を理論的に予
言し、あわせてこれを利用した機能素子を提案するもの
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、炭素原子が共
有結合することによってできたベンゼン殻様の六角形の
分子を構成単位とする平面的なネットワークが丸められ
て形成された円筒状をなす円筒状高分子を、５員環と６
員環の分子を構成単位とするサッカーボール様球状高分
子を接点として、つなぎ合わせた数珠状高分子を提供す
る。
有結合することによってできたベンゼン殻様の六角形の
分子を構成単位とする平面的なネットワークが丸められ
て形成された円筒状をなす円筒状高分子を、５員環と６
員環の分子を構成単位とするサッカーボール様球状高分
子を接点として、つなぎ合わせた数珠状高分子を提供す
る。
【００１１】第１の高分子は、同一半径または異なった
半径の二つの円筒状高分子が、この二つの円筒状高分子
のいずれよりも大きい半径を持つサッカーボール様球状
高分子によって直線状あるいは任意の角度をなして接続
された数珠状高分子である。
半径の二つの円筒状高分子が、この二つの円筒状高分子
のいずれよりも大きい半径を持つサッカーボール様球状
高分子によって直線状あるいは任意の角度をなして接続
された数珠状高分子である。
【００１２】この数球状高分子は、サッカーボール様球
状高分子の間隔を変えることにより物性を変えることが
できる。
状高分子の間隔を変えることにより物性を変えることが
できる。
【００１３】また、ｎ個の球状高分子とｍ個（ｍ＝ｎ＋
１またはｍ＝ｎまたはｍ＝ｎ−１）の任意の長さの円筒
状高分子を交互につなぎ、直線状あるいは任意の角度を
なして直鎖状に接続される。ｍ＝ｎとしてリング状につ
なぐこともできる。さらに、リング状高分子は端子を有
することもできる。このときの円筒状高分子と球状高分
子の半径はつながる限りにおいて任意径でよい。
１またはｍ＝ｎまたはｍ＝ｎ−１）の任意の長さの円筒
状高分子を交互につなぎ、直線状あるいは任意の角度を
なして直鎖状に接続される。ｍ＝ｎとしてリング状につ
なぐこともできる。さらに、リング状高分子は端子を有
することもできる。このときの円筒状高分子と球状高分
子の半径はつながる限りにおいて任意径でよい。
【００１４】第２の高分子は、サッカーボール様球状高
分子を接点として、円筒状高分子を３本以上接続した高
分子である。
分子を接点として、円筒状高分子を３本以上接続した高
分子である。
【００１５】第３の高分子は、第２の高分子を接点と
し、一本の円筒状高分子または第１の高分子で接点間を
つないだ数珠状高分子である。
し、一本の円筒状高分子または第１の高分子で接点間を
つないだ数珠状高分子である。
【００１６】第４の高分子は、第３の高分子で接続点が
２次元また３次元的に配列した周期的構造またはトポロ
ジカルな構造的秩序を有するネットワーク状の高分子で
ある。
２次元また３次元的に配列した周期的構造またはトポロ
ジカルな構造的秩序を有するネットワーク状の高分子で
ある。
【００１７】第１から第４の高分子は、球状高分子が電
子の局在中心となり、かつ電子間の強い反発力によって
局在電子の数の増減が２個以上は困難な条件にあって、
電子がこれらの局在中心間を１個づつホッピングで伝導
することを特徴とする高分子を形成する。この高分子は
電極として有用である。
子の局在中心となり、かつ電子間の強い反発力によって
局在電子の数の増減が２個以上は困難な条件にあって、
電子がこれらの局在中心間を１個づつホッピングで伝導
することを特徴とする高分子を形成する。この高分子は
電極として有用である。
【００１８】以上の高分子は以下の製造方法により製造
することができる。
することができる。
【００１９】先ずサッカーボールとして例えばＣ6 0 に
ついては製法は既によく知られている。又カーボンナノ
チューブについては次の文献がある。
ついては製法は既によく知られている。又カーボンナノ
チューブについては次の文献がある。
【００２０】・Ｓ．Ｉｉｚｉｍａ Ｎａｔｕｒ
ｅ ３５４（１９９１）５６ ・Ｓ．Ｉｉｚｉｍａ，Ｊ．Ｉｃｈｉｈａｓｉ ＺＹ．Ａ
ｎｄｏ Ｎａｔｕｒｅ ３５６（１９９２）７７６ ・Ｔ．Ｗ．Ｅｂｓｓｅｎ ＺＰ．Ｍ．Ａｊａｙａｎ Ｎａｔｕｒｅ ３５８（１９９２）２２０ ここで、図１（ｄ）のようなＡ（４、０）型（後で定義
する）のチューブを得るには、上述の方法で作られたナ
ノチューブの中から電子顕微鏡および高精度マニュピュ
レータを用いて選ぶ。このチューブを折ることによって
図１（ｄ）のような切口を作る。（通常の成長ではチュ
ーブの両端が閉じていることが多い）。この切口にはダ
ングリングボンドがあるので、これをＨ2 雰囲気中で室
温でＰｄ又はＰｔ触媒を用いて反応させると切口のダン
グリングボンドはＨ原子と結合して飽和される。
ｅ ３５４（１９９１）５６ ・Ｓ．Ｉｉｚｉｍａ，Ｊ．Ｉｃｈｉｈａｓｉ ＺＹ．Ａ
ｎｄｏ Ｎａｔｕｒｅ ３５６（１９９２）７７６ ・Ｔ．Ｗ．Ｅｂｓｓｅｎ ＺＰ．Ｍ．Ａｊａｙａｎ Ｎａｔｕｒｅ ３５８（１９９２）２２０ ここで、図１（ｄ）のようなＡ（４、０）型（後で定義
する）のチューブを得るには、上述の方法で作られたナ
ノチューブの中から電子顕微鏡および高精度マニュピュ
レータを用いて選ぶ。このチューブを折ることによって
図１（ｄ）のような切口を作る。（通常の成長ではチュ
ーブの両端が閉じていることが多い）。この切口にはダ
ングリングボンドがあるので、これをＨ2 雰囲気中で室
温でＰｄ又はＰｔ触媒を用いて反応させると切口のダン
グリングボンドはＨ原子と結合して飽和される。
【００２１】次にサッカーボールとＨ原子で切口の片側
だけを飽和させたＡ（４、０）ナノチューブを１：２の
割合で混合し、Ｐｄ触媒下で２５０℃近くの温度で反応
させると（式２）のような反応によって、図１（ａ）の
ようなじゅずの基本単位が形成される。
だけを飽和させたＡ（４、０）ナノチューブを１：２の
割合で混合し、Ｐｄ触媒下で２５０℃近くの温度で反応
させると（式２）のような反応によって、図１（ａ）の
ようなじゅずの基本単位が形成される。
【００２２】
【数１】
【００２３】この時Ａ（４、０）チューブはサッカーボ
ールの丁度互い対称（北極と南極）の位置に出来るのが
エネルギー的に安定である。しかしながら任意の角度を
なした分子も確率的に生成される。
ールの丁度互い対称（北極と南極）の位置に出来るのが
エネルギー的に安定である。しかしながら任意の角度を
なした分子も確率的に生成される。
【００２４】次にこれらから１次元配列のじゅず玉を作
るには以下のようにする。じゅずの基本単位の２つのＡ
（４、０）チューブの先端を電子顕微鏡を見ながら高精
度マニュピュレータを用いて折り取る。これらの先端に
は先に述べたようにダングリングボンドがあるので、室
温でＰｄ触媒を開いて水素化する。このようにじゅずの
基本単位の両端を水素化した分子の集合をＰｄ触媒で２
５０℃近辺で反応させると、チューブ切口のＨ原子が脱
着されて、切口と切口が接合され１次元のじゅず玉状高
分子が形成される。
るには以下のようにする。じゅずの基本単位の２つのＡ
（４、０）チューブの先端を電子顕微鏡を見ながら高精
度マニュピュレータを用いて折り取る。これらの先端に
は先に述べたようにダングリングボンドがあるので、室
温でＰｄ触媒を開いて水素化する。このようにじゅずの
基本単位の両端を水素化した分子の集合をＰｄ触媒で２
５０℃近辺で反応させると、チューブ切口のＨ原子が脱
着されて、切口と切口が接合され１次元のじゅず玉状高
分子が形成される。
【００２５】この時じゅず状高分子の終端はＡ（４、
０）チューブになっている。これに対してサッカーボー
ルで終端させるには、サッカーボールに一本だけＡ
（４、０）が結合し、切口を水素化した分子をＡ（４、
０）が２本結合し先端の切口を水素化したサッカーボー
ルの中に混合してＰｄ中で脱水素化反応を行えば或る程
度の収率で得られる。１本だけＡ（４、０）が結合した
サッカーボールは片側の切口だけを水素化したＡ（４、
０）チューブとサッカーボールを１：１に混合してＰｄ
２５０℃で脱水素化すれば得られる。
０）チューブになっている。これに対してサッカーボー
ルで終端させるには、サッカーボールに一本だけＡ
（４、０）が結合し、切口を水素化した分子をＡ（４、
０）が２本結合し先端の切口を水素化したサッカーボー
ルの中に混合してＰｄ中で脱水素化反応を行えば或る程
度の収率で得られる。１本だけＡ（４、０）が結合した
サッカーボールは片側の切口だけを水素化したＡ（４、
０）チューブとサッカーボールを１：１に混合してＰｄ
２５０℃で脱水素化すれば得られる。
【００２６】１次元分子のじゅず間の距離はじゅず球の
基本単位のＡ（４、０）の枝の長さを変えることで制御
できる。これにはＡ（４、０）を電子顕微鏡をみながら
折り取る時に長さを調節することで得られる。
基本単位のＡ（４、０）の枝の長さを変えることで制御
できる。これにはＡ（４、０）を電子顕微鏡をみながら
折り取る時に長さを調節することで得られる。
【００２７】又、任意の角度をなして接続された数珠状
高分子を得るには切口を水素化したじゅずの基本単位に
任意の角度をなしたものを用いて２５０℃近くでＰｄ触
媒で脱水素化反応を行なえば良い。この中にリング状高
分子も一定の確率で生成される。これらの中から電子顕
微鏡又はＳＴＭを用いて選択する。
高分子を得るには切口を水素化したじゅずの基本単位に
任意の角度をなしたものを用いて２５０℃近くでＰｄ触
媒で脱水素化反応を行なえば良い。この中にリング状高
分子も一定の確率で生成される。これらの中から電子顕
微鏡又はＳＴＭを用いて選択する。
【００２８】どのような形の最終生成物を得るかは反応
に用いる物質の割合をあらかじめ決めておく。通線状じ
ゅずを得るにはあらかじめ通線状のじゅずの基本単位を
開いて反応させる。リング状高分子を得るには一定の角
度をなしたじゅず状分子の基本単位の集合を反応させ
る。
に用いる物質の割合をあらかじめ決めておく。通線状じ
ゅずを得るにはあらかじめ通線状のじゅずの基本単位を
開いて反応させる。リング状高分子を得るには一定の角
度をなしたじゅず状分子の基本単位の集合を反応させ
る。
【００２９】リング状高分子をえるには一定の角度をな
したじゅず状分子の基本単位の集合を反応させる。
したじゅず状分子の基本単位の集合を反応させる。
【００３０】２次元及び３次元のネットワークを得るに
は、ナノチューブが３本以上結合したサッカーボールを
基本単位として作る。ｎ本足のサッカーボールを作るに
は片側のみを水素化したＡ（４、０）チューブとサッカ
ーボールをｎ：１に混合しＰｄ触媒で２５０℃近辺で反
応させると得られる。一般には対称性の高い生成物が得
られるが色々の結合方向の枝を持ったボールの混合物が
形成される（図６（ａ）〜（ｆ））。
は、ナノチューブが３本以上結合したサッカーボールを
基本単位として作る。ｎ本足のサッカーボールを作るに
は片側のみを水素化したＡ（４、０）チューブとサッカ
ーボールをｎ：１に混合しＰｄ触媒で２５０℃近辺で反
応させると得られる。一般には対称性の高い生成物が得
られるが色々の結合方向の枝を持ったボールの混合物が
形成される（図６（ａ）〜（ｆ））。
【００３１】例えば、４本足の枝を持つボールの枝の先
端を水素化し、それらを２５０℃Ｐｄ触媒で脱水素化す
ると、図７のような２次元のネットワークを得る。同様
の手順を組合せることにより、図９（ａ）のような立体
構造を得ることができる。
端を水素化し、それらを２５０℃Ｐｄ触媒で脱水素化す
ると、図７のような２次元のネットワークを得る。同様
の手順を組合せることにより、図９（ａ）のような立体
構造を得ることができる。
【００３２】次に図１（ｄ）のようなＡ（４、０）の切
口を作る別法について述べる。Ａ（４、０）の成長には
グラファイト電極を用いたアーク放電法が用いられる
が、放電を急激に停止することによって上述の切口を得
ることもできる。Ａ（４、０）チューブの長さは成長時
間によってコントロールできる。
口を作る別法について述べる。Ａ（４、０）の成長には
グラファイト電極を用いたアーク放電法が用いられる
が、放電を急激に停止することによって上述の切口を得
ることもできる。Ａ（４、０）チューブの長さは成長時
間によってコントロールできる。
【００３３】次に更に制御された方法による製法につい
て述べる。サッカーボールと切口を水素化した図１
（ｄ）のようなチューブの製法はこれまで通りとする。
次にこれらを脱水素化によって結合する場合ボールと切
り口を水素化したＡ（４、０）チューブを電子顕微鏡像
をみながら、高精度マニュピュレータを用いて接触さ
せ、そうした後に紫外線光を照射すると脱水素反応が起
り結合が起る。この方法ではボールとチューブの結合を
一本一本制御することができる。
て述べる。サッカーボールと切口を水素化した図１
（ｄ）のようなチューブの製法はこれまで通りとする。
次にこれらを脱水素化によって結合する場合ボールと切
り口を水素化したＡ（４、０）チューブを電子顕微鏡像
をみながら、高精度マニュピュレータを用いて接触さ
せ、そうした後に紫外線光を照射すると脱水素反応が起
り結合が起る。この方法ではボールとチューブの結合を
一本一本制御することができる。
【００３４】
【作用】炭素の円筒状高分子を球状高分子を接点として
つなぎ合せることによって１次元、２次元、３次元の高
分子を構成することができる。
つなぎ合せることによって１次元、２次元、３次元の高
分子を構成することができる。
【００３５】このような物質の電子状態は円筒状高分子
の持つ１次元的性格を色濃く反映したものとなり、スパ
イク状態の状態密度を保存しており、円筒状分子が作っ
ている立体構造が言わばこれを変調したものと見ること
がでる。接点にあるサッカーボールはここに局在状態を
作る。こうした作用の組合せによって物質全体の状態密
度とフェルミレベルが決定される。こうして、３次元構
造によってパイプ単独の場合と違ったバンド構造や伝導
性を得ることができる。又物質の構造の安定化が保たれ
る。
の持つ１次元的性格を色濃く反映したものとなり、スパ
イク状態の状態密度を保存しており、円筒状分子が作っ
ている立体構造が言わばこれを変調したものと見ること
がでる。接点にあるサッカーボールはここに局在状態を
作る。こうした作用の組合せによって物質全体の状態密
度とフェルミレベルが決定される。こうして、３次元構
造によってパイプ単独の場合と違ったバンド構造や伝導
性を得ることができる。又物質の構造の安定化が保たれ
る。
【００３６】
【実施例】円筒状高分子においては、炭素原子が共有結
合することによってできたベンゼン殻様の六角形の分子
を構成単位とする平面的な網面のネットワークが丸めら
れて形成された円筒状をなす円筒状高分子であって、平
面的な網面のネットワークが丸められて形成される円筒
は、前記網面上の六角形の平行辺をｙ方向にみた配置で
一つの六角形の重心を原点（０、０）とし、その右側に
配置される六角形を順番に（ｎ1 ，０）（ｎ1 ＝１，
２，３．．．）で表わし、原点の左上方向に配置した六
角形を順番に（０，ｎ2 ）（ｎ2 ＝０，１，２．．．）
で表し、任意の位置の六角形を（ｎ1 ，ｎ2 ）で表わし
たときに、六角形（０，０）と（ｎ1 ，ｎ2 ）が丁度重
なるように巻かれる。（図１４参照）。
合することによってできたベンゼン殻様の六角形の分子
を構成単位とする平面的な網面のネットワークが丸めら
れて形成された円筒状をなす円筒状高分子であって、平
面的な網面のネットワークが丸められて形成される円筒
は、前記網面上の六角形の平行辺をｙ方向にみた配置で
一つの六角形の重心を原点（０、０）とし、その右側に
配置される六角形を順番に（ｎ1 ，０）（ｎ1 ＝１，
２，３．．．）で表わし、原点の左上方向に配置した六
角形を順番に（０，ｎ2 ）（ｎ2 ＝０，１，２．．．）
で表し、任意の位置の六角形を（ｎ1 ，ｎ2 ）で表わし
たときに、六角形（０，０）と（ｎ1 ，ｎ2 ）が丁度重
なるように巻かれる。（図１４参照）。
【００３７】このような円筒上高分子をインデックスＡ
（ｎ1 ，ｎ2 ）で表わすことにする。
（ｎ1 ，ｎ2 ）で表わすことにする。
【００３８】（実施例１）図１に本発明の第１の実施例
を示す。図１（ａ）はサッカーボール様球状高分子Ｃ
6 0 に、インデックスＡ（４、０）の円筒上チューブを
接合した１次元のじゅず状高分子である。この構造につ
いて以下に詳しく説明する。
を示す。図１（ａ）はサッカーボール様球状高分子Ｃ
6 0 に、インデックスＡ（４、０）の円筒上チューブを
接合した１次元のじゅず状高分子である。この構造につ
いて以下に詳しく説明する。
【００３９】先ず、図１（ｂ）に示すＣ6 0 フラーレン
の上下から各々２ケづつのＣ原子対を取り去ると各々４
本のダングリングボンドを有する図１（ｃ）に示すよう
なＣ5 6 のクラスターを作る。又図１（ｄ）に示すよう
に２単位長の短いＡ（４、０）のチューブを用意する。
このチューブは両端に各々４本のダングリングボンドを
有する。図１（ｃ）のＣ5 6 クラスターと図１（ｄ）の
Ａ（４、０）チューブをつなぎ合せることによって図２
に示すようなじゅず玉の基本単位ができる。それをくり
返すと図１（ａ）の無限に長い１次元のじゅず玉チュー
ブを形成することができる。
の上下から各々２ケづつのＣ原子対を取り去ると各々４
本のダングリングボンドを有する図１（ｃ）に示すよう
なＣ5 6 のクラスターを作る。又図１（ｄ）に示すよう
に２単位長の短いＡ（４、０）のチューブを用意する。
このチューブは両端に各々４本のダングリングボンドを
有する。図１（ｃ）のＣ5 6 クラスターと図１（ｄ）の
Ａ（４、０）チューブをつなぎ合せることによって図２
に示すようなじゅず玉の基本単位ができる。それをくり
返すと図１（ａ）の無限に長い１次元のじゅず玉チュー
ブを形成することができる。
【００４０】このようなじゅず状チューブではじゅず玉
の配置によって１次元チューブを半導体から金属に自由
に変えることができる。
の配置によって１次元チューブを半導体から金属に自由
に変えることができる。
【００４１】図３（ａ）（ｂ）に各々Ａ（４、０）チュ
ーブとじゅず状チューブのバンド構造を示す。たて軸は
電子のエネルギー、横軸は電子の波数ｋである。Ａ
（４、０）チューブは図３（ａ）に示すようにＡ（４、
０）チューブはバンドギャップ０．８２８ｔ（ｔ＝３ｅ
Ｖ）の１次元半導体である。これに対して図１（ａ）に
示すじゅず状チューブは図３（ｂ）に示すような金属状
態にあり、２つのバンドが０．０６７ｔにあるフェルミ
レベルを横切っている。
ーブとじゅず状チューブのバンド構造を示す。たて軸は
電子のエネルギー、横軸は電子の波数ｋである。Ａ
（４、０）チューブは図３（ａ）に示すようにＡ（４、
０）チューブはバンドギャップ０．８２８ｔ（ｔ＝３ｅ
Ｖ）の１次元半導体である。これに対して図１（ａ）に
示すじゅず状チューブは図３（ｂ）に示すような金属状
態にあり、２つのバンドが０．０６７ｔにあるフェルミ
レベルを横切っている。
【００４２】図４（ａ）（ｂ）に各々Ａ（４、０）チュ
ーブと、じゅず状チューブの状態密度を示す。たて軸が
状態密度（ＤＯＳ＝ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｓｔａｔｅ
ｓ）横軸がエネルギーである、図４ｂのじゅず状チュー
ブのＤＯＳは１次元のＡ（４、０）チューブのＤＯＳの
スパイク状態の構造を色濃く残している。
ーブと、じゅず状チューブの状態密度を示す。たて軸が
状態密度（ＤＯＳ＝ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｓｔａｔｅ
ｓ）横軸がエネルギーである、図４ｂのじゅず状チュー
ブのＤＯＳは１次元のＡ（４、０）チューブのＤＯＳの
スパイク状態の構造を色濃く残している。
【００４３】又、じゅず玉の間隔によってバンドの質量
を変えることができる。図３（ｂ）に示す金属状態にお
けるバンドではフェルミレベルを２つのバンドのうち一
つは波数ｋに対してエネルギー変化が大きく（分散性が
大きく）、有効質量が小さい。もう一つのバンドは分散
がなく質量無限大となっている。これらのバンドの質量
を上記の方法でコントロールできる。
を変えることができる。図３（ｂ）に示す金属状態にお
けるバンドではフェルミレベルを２つのバンドのうち一
つは波数ｋに対してエネルギー変化が大きく（分散性が
大きく）、有効質量が小さい。もう一つのバンドは分散
がなく質量無限大となっている。これらのバンドの質量
を上記の方法でコントロールできる。
【００４４】じゅず状チューブではじゅず玉の間隔を長
くすると球状じゅず玉分子に局在した電子状態は、Ａ
（４、０）のバンドギャップの存在したエネルギー領域
にエネルギー準位を持ち、事実上不純物状態になる。こ
の状態密度はじゅず玉の構造を変えることによってコン
トロールでき、ドナー又はアクセプターとしての役割を
担うことができる。こうして、Ｎ型半導体やＰ型半導体
のチューブを得ることができる。
くすると球状じゅず玉分子に局在した電子状態は、Ａ
（４、０）のバンドギャップの存在したエネルギー領域
にエネルギー準位を持ち、事実上不純物状態になる。こ
の状態密度はじゅず玉の構造を変えることによってコン
トロールでき、ドナー又はアクセプターとしての役割を
担うことができる。こうして、Ｎ型半導体やＰ型半導体
のチューブを得ることができる。
【００４５】（実施例２）図５に本発明の第２の実施例
を示す。
を示す。
【００４６】図５（ａ）にじゅず玉でつながれた二つの
円筒状パイプが直線ではなく、ある折れ曲り角度を持っ
た接合形態を示す。図中○印がじゅず玉で、線が円筒状
分子である。これはじゅず玉即ちサッカーボール様球状
高分子から抜き取る２ケの炭素原子対の位置を実施例１
（図１（ｂ））のような球面の中から対称の位置に選ば
ないで、中心角が１８０°でなく互いにある有限の角度
を持つ位置にある２ケの炭素原子対を抜き取り、それに
Ａ（４、０）の円筒状パイプを接合することによって形
成することができる。サッカーボールの球面上の接合点
の位置を選ぶことによって、折れ曲がりの角度を変える
ことができる。図５（ｂ）にこのような接合によって形
成をする接合点の数が３、４、５、６の正多角形を示
す。これは特に正多角形に限定するものではなく、一般
にチューブの長さと接点の角度を選べば任意の多角形を
形成することができる。接点における折れ曲がりの角度
は一般に任意の角度を連続的に取れる訳ではなく、とび
とびの角度をとることができる訳であるので、個々の多
角形では接合点の角度に多少の変形が必要となりその歪
みエネルギーによって多角形が安定に存在し得ない場合
もあり得るのでこの場合は除外されるが、しかし図５
（ｂ）の構造が一般的には可能であることはこれまでに
述べてきた論旨から明らかである。リングが十分に大き
くじゅず球の数が十分多い場合には折れ曲りの角度が小
さくこのような歪みのエネルギーも小さいので、構造安
定性の問題は生じない。
円筒状パイプが直線ではなく、ある折れ曲り角度を持っ
た接合形態を示す。図中○印がじゅず玉で、線が円筒状
分子である。これはじゅず玉即ちサッカーボール様球状
高分子から抜き取る２ケの炭素原子対の位置を実施例１
（図１（ｂ））のような球面の中から対称の位置に選ば
ないで、中心角が１８０°でなく互いにある有限の角度
を持つ位置にある２ケの炭素原子対を抜き取り、それに
Ａ（４、０）の円筒状パイプを接合することによって形
成することができる。サッカーボールの球面上の接合点
の位置を選ぶことによって、折れ曲がりの角度を変える
ことができる。図５（ｂ）にこのような接合によって形
成をする接合点の数が３、４、５、６の正多角形を示
す。これは特に正多角形に限定するものではなく、一般
にチューブの長さと接点の角度を選べば任意の多角形を
形成することができる。接点における折れ曲がりの角度
は一般に任意の角度を連続的に取れる訳ではなく、とび
とびの角度をとることができる訳であるので、個々の多
角形では接合点の角度に多少の変形が必要となりその歪
みエネルギーによって多角形が安定に存在し得ない場合
もあり得るのでこの場合は除外されるが、しかし図５
（ｂ）の構造が一般的には可能であることはこれまでに
述べてきた論旨から明らかである。リングが十分に大き
くじゅず球の数が十分多い場合には折れ曲りの角度が小
さくこのような歪みのエネルギーも小さいので、構造安
定性の問題は生じない。
【００４７】じゅず球リングのエネルギースペクトルは
定性的には直線状じゅず球リングの１次元バンド構造か
ら推定できる。つまりリングを形成する効果は第１近似
としてリングの周囲長を周期とする周期的境界条件を課
すことと考えることができる。この場合１次元バンドの
波数ｋは良い量子数であり、ただそれが非連結なとびと
びの値を取ることに相当する。Ｎケのじゅず球ではＮケ
の等間隔のｋ点を選びその点の１次元バンドのエネルギ
ー固有値がリングのエネルギー固有値と考えることがで
きる。接点での曲がりは局所的な大きな摂動となるので
バンドギャップ中の局在状態の比重を大きくする作用は
あるが、じゅず玉間の円筒状分子の長さによってバンド
構造が半導体からメタルに移行して行く傾向は直線状分
子と変らない。
定性的には直線状じゅず球リングの１次元バンド構造か
ら推定できる。つまりリングを形成する効果は第１近似
としてリングの周囲長を周期とする周期的境界条件を課
すことと考えることができる。この場合１次元バンドの
波数ｋは良い量子数であり、ただそれが非連結なとびと
びの値を取ることに相当する。Ｎケのじゅず球ではＮケ
の等間隔のｋ点を選びその点の１次元バンドのエネルギ
ー固有値がリングのエネルギー固有値と考えることがで
きる。接点での曲がりは局所的な大きな摂動となるので
バンドギャップ中の局在状態の比重を大きくする作用は
あるが、じゅず玉間の円筒状分子の長さによってバンド
構造が半導体からメタルに移行して行く傾向は直線状分
子と変らない。
【００４８】従って、この系においても、じゅず球間の
距離によってリングのバンド構造を事実上半導体からメ
タルの間に連続的に変えることができる。
距離によってリングのバンド構造を事実上半導体からメ
タルの間に連続的に変えることができる。
【００４９】同じ方法によって有効質量の大きさや不純
物状態を変えることができることは１次元直線状じゅず
玉分子の場合と同様である。
物状態を変えることができることは１次元直線状じゅず
玉分子の場合と同様である。
【００５０】（実施例３）図６に本発明の第３の実施例
を示す。この実施例ではサッカーボールＣ6 0 から３本
以上の円筒状チューブが枝分れした接点に関わるもので
ある。このような接点の作り方を以下に３本足の接点を
例として説明しよう。即ち、サッカーボールの球面上の
３点から２ケの炭素原子対を取り除き、それによって生
じた穴にＡ（４、０）の円柱を接続すればよい。一般に
球面上のＮケの点から各々２ケの炭素原子対を取り除
き、それにＮ本のＡ（４、０）の円柱を接続すると、Ｎ
本の足を持つ接点が構成される。３本足の構造の接点の
例としては図６（ａ）のような平面上の正三角形の重心
から頂点方向を向く足を持つ対称な構造図６（ｂ）のよ
うなＴ字型等が可能である。４本足構造の例として、図
６のような同一平面上の十字、図６（ｄ）のような正四
面体の重心から頂点方向を向いた４本のベクトル方向の
足を持つ立体構造、６本足の構造としては図６（ｅ）の
ようなひとで型の平面構造、図６（ｆ）のようなｘ、
ｙ、ｚ方向の足を持つ立体構造等が可能となる。このよ
うな非常に対称な形だけでなく、対称性の破れた構造も
可能となる。
を示す。この実施例ではサッカーボールＣ6 0 から３本
以上の円筒状チューブが枝分れした接点に関わるもので
ある。このような接点の作り方を以下に３本足の接点を
例として説明しよう。即ち、サッカーボールの球面上の
３点から２ケの炭素原子対を取り除き、それによって生
じた穴にＡ（４、０）の円柱を接続すればよい。一般に
球面上のＮケの点から各々２ケの炭素原子対を取り除
き、それにＮ本のＡ（４、０）の円柱を接続すると、Ｎ
本の足を持つ接点が構成される。３本足の構造の接点の
例としては図６（ａ）のような平面上の正三角形の重心
から頂点方向を向く足を持つ対称な構造図６（ｂ）のよ
うなＴ字型等が可能である。４本足構造の例として、図
６のような同一平面上の十字、図６（ｄ）のような正四
面体の重心から頂点方向を向いた４本のベクトル方向の
足を持つ立体構造、６本足の構造としては図６（ｅ）の
ようなひとで型の平面構造、図６（ｆ）のようなｘ、
ｙ、ｚ方向の足を持つ立体構造等が可能となる。このよ
うな非常に対称な形だけでなく、対称性の破れた構造も
可能となる。
【００５１】（実施例４）図７に本発明の第４の実施例
を示す。図７に平面的な４本足の十字型接点を用いた２
次元の正方格子を示す。ボールにはＣ6 0 をチューブに
はＡ（４、０）チューブを構成単位としたものである。
を示す。図７に平面的な４本足の十字型接点を用いた２
次元の正方格子を示す。ボールにはＣ6 0 をチューブに
はＡ（４、０）チューブを構成単位としたものである。
【００５２】図８に正方格子のバンドの状態密度を示
す。この物質のバンド構造は１次元のスパイク状状密度
素を保持しながら金属性を示す。又Ａ（４、０）のバン
ドギャップの領域に球状分子に起因する状態のバンドが
存在している。格子点間のチューブの長さを変えること
によってバンド構造を変化させることができる。チュー
ブの長さをある程度長くすると、チューブに起因する半
導体的バンド構造の中に、球状分子に起因する不純物準
位が得られる。このように幾何学的パラメータを変化さ
せることによって、不純物準位を含むバンド構造全体を
制御することが可能となる。
す。この物質のバンド構造は１次元のスパイク状状密度
素を保持しながら金属性を示す。又Ａ（４、０）のバン
ドギャップの領域に球状分子に起因する状態のバンドが
存在している。格子点間のチューブの長さを変えること
によってバンド構造を変化させることができる。チュー
ブの長さをある程度長くすると、チューブに起因する半
導体的バンド構造の中に、球状分子に起因する不純物準
位が得られる。このように幾何学的パラメータを変化さ
せることによって、不純物準位を含むバンド構造全体を
制御することが可能となる。
【００５３】（実施例５）図９に本発明の第５の実施例
を示す。６本足の接点を構成要素とする単純立方格子で
ある。
を示す。６本足の接点を構成要素とする単純立方格子で
ある。
【００５４】図９（ｂ）にバンドの状態密度を示す。こ
の場合もＡ（４、０）の１次元バンド構造のスパイク状
の状態密度を示し、１次元バンドギャップの領域に球状
分子の局在状態が現われている。しかしこの場合は２次
元正方格子と違って半導体である。しかしフェルミレベ
ルと電子の存在しない電子準位とのエネルギー間隔は微
小なもので、ある程度の温度以上では金属に近い性質を
示す。この場合も第４の実施例における正方格子と類似
の振舞いを示し、「格子定数」を変えることによって１
次元の半導体から金属状態に近い半導体にまでバンド構
造を変えることができる。
の場合もＡ（４、０）の１次元バンド構造のスパイク状
の状態密度を示し、１次元バンドギャップの領域に球状
分子の局在状態が現われている。しかしこの場合は２次
元正方格子と違って半導体である。しかしフェルミレベ
ルと電子の存在しない電子準位とのエネルギー間隔は微
小なもので、ある程度の温度以上では金属に近い性質を
示す。この場合も第４の実施例における正方格子と類似
の振舞いを示し、「格子定数」を変えることによって１
次元の半導体から金属状態に近い半導体にまでバンド構
造を変えることができる。
【００５５】（実施例６）図１０は第６の実施例であ
る。これは３点接合による６角平面格子を構成すること
ができることを示す例である。
る。これは３点接合による６角平面格子を構成すること
ができることを示す例である。
【００５６】（実施例７）図１１は第７の実施例であ
る。６点接合による３角平面格子を構成することができ
る例である。
る。６点接合による３角平面格子を構成することができ
る例である。
【００５７】（実施例８）図１２は第８の実施例であ
る。円筒状高分子と球状分子をつないで使った４角、６
角、及び一般に２Ｎ角（Ｎは整数）のリング状高分子の
対称の位置に１つづつ三又状の接点を使用してリングに
２本の端子を持った形の高分子である。リングに多端を
接続した形の高分子も可能である。
る。円筒状高分子と球状分子をつないで使った４角、６
角、及び一般に２Ｎ角（Ｎは整数）のリング状高分子の
対称の位置に１つづつ三又状の接点を使用してリングに
２本の端子を持った形の高分子である。リングに多端を
接続した形の高分子も可能である。
【００５８】（実施例９）図１３は本発明の第９の実施
例である。この例の主旨を説明するために１次元の周期
的じゅず状格子を考えよう。即ち円筒形チューブが球状
分子で接合されたじゅず状の１次元格子である。今「格
子間隔」を考えることによってＡ（４、０）の半導体か
ら金属までバンド構造を変えることができ、且つこれに
伴って球状分子の局在状態が生成されることを述べた。
今１次元結晶が周期的であればこの局在状態は同一エネ
ルギーレベルに存在し、電子は球状分子（不純物）間を
トンネルで移動することができる。しかし、クーロン反
発のために、各不純物上での電子数の増減が２個以上は
困難となる場合には、一つの電子の移動が他の電子によ
って制限される。簡単のために、今、１ケのボールの局
在状態が存在し、２個の電子が存在した時にはクーロン
反発力によってエネルギーがＵだけ高くなる（Ｕ＞０）
と仮定する。不純物準位＋Ｕのエネルギーが上側の伝導
帯より下にある場合には、電子はハバードのハミルトン
Ｈ（式１）で表わされる。
例である。この例の主旨を説明するために１次元の周期
的じゅず状格子を考えよう。即ち円筒形チューブが球状
分子で接合されたじゅず状の１次元格子である。今「格
子間隔」を考えることによってＡ（４、０）の半導体か
ら金属までバンド構造を変えることができ、且つこれに
伴って球状分子の局在状態が生成されることを述べた。
今１次元結晶が周期的であればこの局在状態は同一エネ
ルギーレベルに存在し、電子は球状分子（不純物）間を
トンネルで移動することができる。しかし、クーロン反
発のために、各不純物上での電子数の増減が２個以上は
困難となる場合には、一つの電子の移動が他の電子によ
って制限される。簡単のために、今、１ケのボールの局
在状態が存在し、２個の電子が存在した時にはクーロン
反発力によってエネルギーがＵだけ高くなる（Ｕ＞０）
と仮定する。不純物準位＋Ｕのエネルギーが上側の伝導
帯より下にある場合には、電子はハバードのハミルトン
Ｈ（式１）で表わされる。
【００５９】
【数２】
【００６０】ここでｔは最近接格子間のトランスファー
積分、Ｕは同じ格子点にあるスピンが反対向きの電子間
のクーロン反発エネルギーである。
積分、Ｕは同じ格子点にあるスピンが反対向きの電子間
のクーロン反発エネルギーである。
【００６１】このようなＨで表わされる状況で、電子が
１個或はホールが１個注入されると（図１３（ａ）又は
（ｂ）、このキャリヤーはじゅず玉分子を１つ１つ移動
して行くが、相互作用Ｕがゼロの場合とははなはだしく
異る移動の様子を示す。すなわち、本実施例ではエネル
ギーパラメータ、ｔ、Ｕは室温Ｔに対する熱エネルギー
ｋB Ｔ＝０．０２５９ｅＶに比べてはるかに大きな値を
実現することができるので、室温で動作する一電子単位
の伝導体が実現される。
１個或はホールが１個注入されると（図１３（ａ）又は
（ｂ）、このキャリヤーはじゅず玉分子を１つ１つ移動
して行くが、相互作用Ｕがゼロの場合とははなはだしく
異る移動の様子を示す。すなわち、本実施例ではエネル
ギーパラメータ、ｔ、Ｕは室温Ｔに対する熱エネルギー
ｋB Ｔ＝０．０２５９ｅＶに比べてはるかに大きな値を
実現することができるので、室温で動作する一電子単位
の伝導体が実現される。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば炭素の円筒状高分子をサ
ッカーボール状高分子を接点として結合し、空間的な構
造の高分子を構成できる。球状高分子による接点の間隔
を円筒状高分子の長さによって調節することにより、円
筒状高分子が持つ１次元的なバンド構造に球状高分子の
局所的電子状態の性質を混合することができ、金属から
半導体までの色々なバンド構造を実現できる。又キャリ
ヤーの有効質量も考えることができる。このことは局在
的な不純物準位を作る効果も有している。又リングを作
って永久電流を発生させたり、リングに電極をつけるこ
とによってアハラノフボーム効果を起すことができる。
ッカーボール状高分子を接点として結合し、空間的な構
造の高分子を構成できる。球状高分子による接点の間隔
を円筒状高分子の長さによって調節することにより、円
筒状高分子が持つ１次元的なバンド構造に球状高分子の
局所的電子状態の性質を混合することができ、金属から
半導体までの色々なバンド構造を実現できる。又キャリ
ヤーの有効質量も考えることができる。このことは局在
的な不純物準位を作る効果も有している。又リングを作
って永久電流を発生させたり、リングに電極をつけるこ
とによってアハラノフボーム効果を起すことができる。
【図１】炭素の円筒状高分子とサッカーボール状高分子
を構式単位とするじゅず状１次元高分子の構造と構式法
を示す図。
を構式単位とするじゅず状１次元高分子の構造と構式法
を示す図。
【図２】本発明の実施例を説明するための図。
【図３】円筒状高分子とじゅず状高分子のバンド構造の
比較を示す図。
比較を示す図。
【図４】円筒状高分子とじゅず状高分子の状態密度を示
す図。
す図。
【図５】折れ曲ったじゅず状高分子の基本構成要素とそ
れによるリング状高分子の構造を示す図。
れによるリング状高分子の構造を示す図。
【図６】３本以上の足を持つ接合の構造を示す図。
【図７】平面正方格子の構造を示す図。
【図８】平面正方格子のバンド構造図。
【図９】単純立方格子の構造およびバンド構造を示す
図。
図。
【図１０】６角平面格子の構造を示す図。
【図１１】３角平面格子の構造を示す図。
【図１２】アハラノフボームリングを示す図。
【図１３】１次元キャリヤー単位伝導高分子の理論を示
すモデル図。
すモデル図。
【図１４】分子構造の定義を説明するための図。
Claims (8)
- 【請求項１】 炭素原子が共有結合することによってで
きたベンゼン殻様の六角形の分子を構成単位とする平面
的なネットワークが丸められて形成された円筒状をな
す、同一半径または異なる半径の二つの円筒状高分子
が、５員環と６員環の分子を構成単位とする、前記二つ
の円筒状高分子のいずれよりも大きい半径を持つサッカ
ーボール様球状高分子によって、直線状あるいは任意の
角度をなして接続された数珠状高分子。 - 【請求項２】 炭素原子が共有結合することによってで
きたベンゼン殻様の六角形の分子を構成単位とする平面
的なネットワークが丸められて形成された円筒状をな
す、同一半径または異なる半径のｍ個の円筒状高分子
が、５員環と６員環の分子を構成単位とするｎ個（ｍ＝
ｎ＋１またはｍ＝ｎまたはｍ＝ｎ−１）のサッカーボー
ル様球状高分子によって、直線状あるいは任意の角度を
なして直鎖状に接続されたことを特徴とする数珠状高分
子。 - 【請求項３】 炭素原子が共有結合することによってで
きたベンゼン殻様の六角形の分子を構成単位とする平面
的なネットワークが丸められて形成された円筒状をな
す、同一半径または異なる半径ｍ個の円筒状高分子が、
５員環と６員環の分子を構成とするｍ個のサッカーボー
ル様球状高分子によって、リング状に接続されたことを
特徴とする数球状高分子。 - 【請求項４】 請求項１乃至３記載の数珠状高分子にお
いて、サッカーボール様数珠高分子の間隔を変えること
により数球状高分子の物性を変えることを特徴とする数
珠状高分子の構成方法。 - 【請求項５】 ５員環と６員環の分子を構成単位とする
サッカーボール様球状高分子を接点として、炭素原子が
共有結合することによってできたベンゼン殻様の六角形
の分子を構成単位とする平面的なネットワークが丸めら
れて形成された円筒状をなす円筒状高分子を３本以上接
続したことを特徴とする高分子。 - 【請求項６】 請求項５記載の高分子を接点とし、一本
の円筒状高分子または請求項１記載の数珠状高分子で接
点間をつないだことを特徴とする高分子。 - 【請求項７】 請求項６記載の高分子で接続点が２次元
また３次元的に配列した周期的構造またはトポロジカル
な構造的秩序を有するネットワーク状の高分子。 - 【請求項８】 請求項１乃至７記載の高分子において、
球状高分子が電子の局在中心となり、かつ電子間の強い
反発力によって局在電子の数の増減が２個以上は困難な
条件にあって、電子がこれらの局在中心間を１個づつホ
ッピングで伝導することを特徴とする高分子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056696A JPH06271306A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 数珠状高分子とその構成方法 |
| US08/213,701 US5489477A (en) | 1993-03-17 | 1994-03-16 | High-molecular weight carbon material and method of forming the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056696A JPH06271306A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 数珠状高分子とその構成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06271306A true JPH06271306A (ja) | 1994-09-27 |
Family
ID=13034628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5056696A Pending JPH06271306A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 数珠状高分子とその構成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5489477A (ja) |
| JP (1) | JPH06271306A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08188406A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Nec Corp | チューブ端の閉じた複合カーボンナノチューブおよびその作製方法およびカーボンナノチューブの閉口方法 |
| WO2006064970A1 (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 円筒状炭素構造体及びその製造方法、並びに、ガス吸蔵材料、複合材料及びその強化方法、摺動材料、フィールドエミッション、表面分析装置、塗装材料 |
| WO2008114782A1 (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | National Institute For Materials Science | 記録媒体とそれを用いた記録装置、情報の記録及び消去方法 |
| JP2010100520A (ja) * | 1998-03-24 | 2010-05-06 | Silverbrook Research Pty Ltd | ナノチューブ、及び該ナノチューブを有する電気装置 |
| JP2014058432A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Fujitsu Ltd | カーボンナノチューブ及び電界効果トランジスタ |
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| US5627140A (en) * | 1995-05-19 | 1997-05-06 | Nec Research Institute, Inc. | Enhanced flux pinning in superconductors by embedding carbon nanotubes with BSCCO materials |
| US6538262B1 (en) * | 1996-02-02 | 2003-03-25 | The Regents Of The University Of California | Nanotube junctions |
| JP4036970B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2008-01-23 | 株式会社クレハ | カーボンファイバーボール及びその製造方法 |
| US6790426B1 (en) * | 1999-07-13 | 2004-09-14 | Nikkiso Co., Ltd. | Carbonaceous nanotube, nanotube aggregate, method for manufacturing a carbonaceous nanotube |
| US6325909B1 (en) | 1999-09-24 | 2001-12-04 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Method of growth of branched carbon nanotubes and devices produced from the branched nanotubes |
| USD440265S1 (en) | 2000-03-27 | 2001-04-10 | P. Jan Cannon | Nonpenta sphere |
| US6495258B1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-12-17 | Auburn University | Structures with high number density of carbon nanotubes and 3-dimensional distribution |
| CA2442985C (en) * | 2001-03-30 | 2016-05-31 | The Regents Of The University Of California | Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom |
| USD501694S1 (en) | 2001-09-10 | 2005-02-08 | P. Jan Cannon | Nanotet sphere |
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| FI120195B (fi) * | 2005-11-16 | 2009-07-31 | Canatu Oy | Hiilinanoputket, jotka on funktionalisoitu kovalenttisesti sidotuilla fullereeneilla, menetelmä ja laitteisto niiden tuottamiseksi ja niiden komposiitit |
| KR101009281B1 (ko) * | 2008-07-23 | 2011-01-18 | 한국과학기술연구원 | 탄소 재료 제조 방법, 이에 따라 제조된 탄소 재료, 이를이용하는 전지 재료 및 장치 |
| US8449858B2 (en) * | 2009-06-10 | 2013-05-28 | Carbon Solutions, Inc. | Continuous extraction technique for the purification of carbon nanomaterials |
| US8454923B2 (en) * | 2009-06-10 | 2013-06-04 | Carbon Solutions, Inc. | Continuous extraction technique for the purification of carbon nanomaterials |
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| US3949115A (en) * | 1972-02-24 | 1976-04-06 | Yoshio Tamura | Hollow filamentary structures |
| US4014980A (en) * | 1972-07-27 | 1977-03-29 | Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing graphite whiskers using condensed polycyclic hydrocarbons |
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| US4157181A (en) * | 1976-05-07 | 1979-06-05 | Fansteel Inc. | Graphite fiber tapered shafts |
| US4173670A (en) * | 1977-05-27 | 1979-11-06 | Exxon Research & Engineering Co. | Composite tubular elements |
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| US4628001A (en) * | 1984-06-20 | 1986-12-09 | Teijin Limited | Pitch-based carbon or graphite fiber and process for preparation thereof |
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-
1994
- 1994-03-16 US US08/213,701 patent/US5489477A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| US5489477A (en) | 1996-02-06 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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