JPH0627298A - 単色同位相ｘ線集光器 - Google Patents
単色同位相ｘ線集光器Info
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- JPH0627298A JPH0627298A JP18248892A JP18248892A JPH0627298A JP H0627298 A JPH0627298 A JP H0627298A JP 18248892 A JP18248892 A JP 18248892A JP 18248892 A JP18248892 A JP 18248892A JP H0627298 A JPH0627298 A JP H0627298A
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- Japan
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- rays
- ray
- incident
- angle
- incident angle
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶性材料に対して臨界角程度の低入射角で
Ｘ線を入射させた場合の全反射に起因する散乱Ｘ線等に
よる影響を極力なくして、良好なる単色同位相のＸ線が
得られるようにすること。 【構成】 臨界角に近い入射角αのＸ線１３を同一入射
角αで順次反射干渉させる位置に結晶性材料による複数
の多層膜１１，１２を対向するように配置させ、複数の
多層膜１１，１２表面に順次入射されるＸ線１３中で干
渉条件を満たすものだけを順次取出すことで、強度は小
さくなるものの、徐々に散乱光成分を除去して、最終的
には、単色光で同位相のＸ線が取出せるようにした。
Ｘ線を入射させた場合の全反射に起因する散乱Ｘ線等に
よる影響を極力なくして、良好なる単色同位相のＸ線が
得られるようにすること。 【構成】 臨界角に近い入射角αのＸ線１３を同一入射
角αで順次反射干渉させる位置に結晶性材料による複数
の多層膜１１，１２を対向するように配置させ、複数の
多層膜１１，１２表面に順次入射されるＸ線１３中で干
渉条件を満たすものだけを順次取出すことで、強度は小
さくなるものの、徐々に散乱光成分を除去して、最終的
には、単色光で同位相のＸ線が取出せるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、物質の臨界角に近い入
射角でＸ線を入射させることで、反射干渉させて単色で
同位相のＸ線を集光させるようにした分光用の単色同位
相Ｘ線集光器に関する。
射角でＸ線を入射させることで、反射干渉させて単色で
同位相のＸ線を集光させるようにした分光用の単色同位
相Ｘ線集光器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、Ｘ線は波長が短く（数１０Å〜
０．１Å位）、物質の屈折率はほぼ１に等しい。このよ
うなＸ線は固体表面にすれすれの角度で入射するときは
全反射が起る。その臨界角θc は通常１０〜３０′程度
で、Ｘ線の波長が長い程、大きくなる。この全反射を利
用して湾曲面形状の鏡が集光用に用いられる。また、Ｘ
線は光と同じように干渉現象を示し、位相が揃うと、波
は強め合う。ところで、図５に示すように、Ｘ線１が基
板２上の物質３表面にすれすれの入射角αで入射する
と、この物質３表面で反射された波と基板２表面で反射
された波とは、図６に示すような関係にある、ある角度
α1 で位相が揃い、干渉して強くなる。これは、２つの
Ｘ線の光路差が、入射Ｘ線波長の整数倍に等しい時に生
ずる。Ｐ点は干渉によるピークを示す。ここに、物質３
の膜厚は３０００Å以下位でないとＸ線１が基板２へ到
達せず、この現象は生じない。物質３としては結晶でも
アモルファスでもよく、要は、均一であればよい。
０．１Å位）、物質の屈折率はほぼ１に等しい。このよ
うなＸ線は固体表面にすれすれの角度で入射するときは
全反射が起る。その臨界角θc は通常１０〜３０′程度
で、Ｘ線の波長が長い程、大きくなる。この全反射を利
用して湾曲面形状の鏡が集光用に用いられる。また、Ｘ
線は光と同じように干渉現象を示し、位相が揃うと、波
は強め合う。ところで、図５に示すように、Ｘ線１が基
板２上の物質３表面にすれすれの入射角αで入射する
と、この物質３表面で反射された波と基板２表面で反射
された波とは、図６に示すような関係にある、ある角度
α1 で位相が揃い、干渉して強くなる。これは、２つの
Ｘ線の光路差が、入射Ｘ線波長の整数倍に等しい時に生
ずる。Ｐ点は干渉によるピークを示す。ここに、物質３
の膜厚は３０００Å以下位でないとＸ線１が基板２へ到
達せず、この現象は生じない。物質３としては結晶でも
アモルファスでもよく、要は、均一であればよい。
【０００３】ところで、物質３の膜厚を３０００Åより
薄くして多重層構造で設ければ、上記の干渉効果が増大
する。ただし、層間は鏡面であることが必要である。も
っとも、現在の製造技術によれば、数Åの薄膜層を何層
も均一に設けることが可能となっている。例えば、ＬＢ
膜とかＭＢＥ（分子線エピタキシー）で設けるＧａＡｓ
等の半導体で可能である。入射角αをα1 とした時、反
射されるＸ線は上述した原理により単色化されており
（分光されており）、かつ、位相の揃ったものとなる。
薄くして多重層構造で設ければ、上記の干渉効果が増大
する。ただし、層間は鏡面であることが必要である。も
っとも、現在の製造技術によれば、数Åの薄膜層を何層
も均一に設けることが可能となっている。例えば、ＬＢ
膜とかＭＢＥ（分子線エピタキシー）で設けるＧａＡｓ
等の半導体で可能である。入射角αをα1 とした時、反
射されるＸ線は上述した原理により単色化されており
（分光されており）、かつ、位相の揃ったものとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、実際には図
７に示すように、入射角α1 において、単色・同位相の
Ｘ線成分以外に、物質３表面等で散乱されて波長や位相
の異なるＸ線成分（図中、斜線を施して示す）も同時に
生じており、完全な単色・同位相のＸ線には分光されて
いない。
７に示すように、入射角α1 において、単色・同位相の
Ｘ線成分以外に、物質３表面等で散乱されて波長や位相
の異なるＸ線成分（図中、斜線を施して示す）も同時に
生じており、完全な単色・同位相のＸ線には分光されて
いない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】臨界角に近い入射角のＸ
線を同一入射角で順次反射干渉させる位置に結晶性材料
による複数の多層膜を対向配置させた。
線を同一入射角で順次反射干渉させる位置に結晶性材料
による複数の多層膜を対向配置させた。
【０００６】
【作用】複数の多層膜表面に順次入射するＸ線は干渉条
件を満たすものだけが順次取出されるので、何回も干渉
させると強度は小さくなるものの、徐々に散乱光成分が
除去されることになり、最終的には、単色光で同位相の
Ｘ線となって取出される。
件を満たすものだけが順次取出されるので、何回も干渉
させると強度は小さくなるものの、徐々に散乱光成分が
除去されることになり、最終的には、単色光で同位相の
Ｘ線となって取出される。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例を図１ないし図４に基づい
て説明する。本実施例では、複数、例えば２つの多層膜
１１，１２を表面が互いに対向する状態で配置させ、こ
れらの表面間でＸ線１３を順次反射干渉させるようにし
たものである。ここに、多層膜１１は基板１４上に原子
面１５を有する状態で順次積層形成したものである。多
層膜１２も同様に基板１６上に原子面１７を有する状態
で順次積層形成したものである。
て説明する。本実施例では、複数、例えば２つの多層膜
１１，１２を表面が互いに対向する状態で配置させ、こ
れらの表面間でＸ線１３を順次反射干渉させるようにし
たものである。ここに、多層膜１１は基板１４上に原子
面１５を有する状態で順次積層形成したものである。多
層膜１２も同様に基板１６上に原子面１７を有する状態
で順次積層形成したものである。
【０００８】多層膜１１（多層膜１２も同様）の作製法
としては、図２に例示するように、基板１４上に異種原
子又は異種分子による物質層Ａ，Ｂを、Ａ，Ｂ，Ａ，
Ｂ，〜のように積層すればよい。ここに、物質層Ａ，Ｂ
は膜厚が同一でも異なっていてもよい。膜厚が異なる場
合、図６中に示した干渉によるピークＰの周期の異なる
２つの振動が出るので、Ａ＝２Ｂのような膜厚関係とし
てもよい。同様の理由により、３種以上の層を順次積層
する構造、或いは、Ａ層のみとした構造でもよい。ま
た、物質層Ａ，Ｂは両者間の密度差が大きいほうが振動
（ピーク）は大きくなるので、好ましい。多層膜１１全
体の厚みとしては、用いる原子種にもよるが、透過しな
い程度の５０００Å以下であればよい。各層自体の膜厚
は、あまり薄くなると振動周期が小さくなるので、１０
０〜５００Å程度が適当である。多層膜１１表面は３〜
１０Å程度に粗いほうが散乱光が少なくなるので好まし
い。Ｘ線１３の入射角αはなるべく臨界角に近く、か
つ、ピークの出る角度とするのがよい。この際、Ｘ線１
３の波長が長いほうが入射角αを大きくし得るので、そ
の設定が容易となる。また、回折させるための原子面１
５は、単結晶の面であっても、ＬＢ膜のように分子を層
状に積層形成した面でもよいため、本発明では、「結晶
性材料」という表現を用いるものである。なお、積層す
る物質が同一でなく、密度の異なる２種類以上の物質を
積層すると、干渉効果は大きくなり、強度の大きいＸ線
が得られることになる。なお、多層膜１１に対する基板
１４の材料としては、ガラス、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、金属薄
板等、特に限定されないものである。
としては、図２に例示するように、基板１４上に異種原
子又は異種分子による物質層Ａ，Ｂを、Ａ，Ｂ，Ａ，
Ｂ，〜のように積層すればよい。ここに、物質層Ａ，Ｂ
は膜厚が同一でも異なっていてもよい。膜厚が異なる場
合、図６中に示した干渉によるピークＰの周期の異なる
２つの振動が出るので、Ａ＝２Ｂのような膜厚関係とし
てもよい。同様の理由により、３種以上の層を順次積層
する構造、或いは、Ａ層のみとした構造でもよい。ま
た、物質層Ａ，Ｂは両者間の密度差が大きいほうが振動
（ピーク）は大きくなるので、好ましい。多層膜１１全
体の厚みとしては、用いる原子種にもよるが、透過しな
い程度の５０００Å以下であればよい。各層自体の膜厚
は、あまり薄くなると振動周期が小さくなるので、１０
０〜５００Å程度が適当である。多層膜１１表面は３〜
１０Å程度に粗いほうが散乱光が少なくなるので好まし
い。Ｘ線１３の入射角αはなるべく臨界角に近く、か
つ、ピークの出る角度とするのがよい。この際、Ｘ線１
３の波長が長いほうが入射角αを大きくし得るので、そ
の設定が容易となる。また、回折させるための原子面１
５は、単結晶の面であっても、ＬＢ膜のように分子を層
状に積層形成した面でもよいため、本発明では、「結晶
性材料」という表現を用いるものである。なお、積層す
る物質が同一でなく、密度の異なる２種類以上の物質を
積層すると、干渉効果は大きくなり、強度の大きいＸ線
が得られることになる。なお、多層膜１１に対する基板
１４の材料としては、ガラス、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、金属薄
板等、特に限定されないものである。
【０００９】しかして、図１に示すように、干渉して強
くなったＸ線入射角α1 に角度を固定し、多層膜１１，
１２をＸ線１３の入射角αが同一となるように向い合わ
せると、干渉条件を満たすＸ線１３だけが順次取出され
ることになる。よって、何回も干渉させるとＸ線強度は
小さくなるものの、段々と散乱光が除去されて干渉が繰
返されることになり、単色光であって同位相のものだけ
が取出されることになる。この際、図示例のように広が
るＸ線を用いても、干渉したＸ線だけが取出されるの
で、Ｘ線１３の幅は狭くなり、集光されることになる。
干渉させる回数は、目的とする強度と単色化の程度によ
って異なるが、２〜６回程度が適当である。
くなったＸ線入射角α1 に角度を固定し、多層膜１１，
１２をＸ線１３の入射角αが同一となるように向い合わ
せると、干渉条件を満たすＸ線１３だけが順次取出され
ることになる。よって、何回も干渉させるとＸ線強度は
小さくなるものの、段々と散乱光が除去されて干渉が繰
返されることになり、単色光であって同位相のものだけ
が取出されることになる。この際、図示例のように広が
るＸ線を用いても、干渉したＸ線だけが取出されるの
で、Ｘ線１３の幅は狭くなり、集光されることになる。
干渉させる回数は、目的とする強度と単色化の程度によ
って異なるが、２〜６回程度が適当である。
【００１０】いま、具体例を挙げて説明する。まず、Ｓ
ｉウエハ基板上にイオンビームスパッタ装置を用いて、
下記の条件 ターゲット ：Ｓｉ、Ｃｕ 基板加熱 ：なし イオン化ガス ：Ａｒ（９９．９９９％） イオン銃電流×電圧 ：３ｍＡ×９ｋＶ イオン入射角 ：３０° ベースプレッシャ ：３×１０~7Ｔorr ターゲット・基板間距離：１５ｍｍ 基板サイズ ：直径４インチ円形 各層の膜厚 ：Ｓｉ、Ｃｕとも２００Å（１
０層ずつ） 最表面はＳｉ で、約４０００Åの積層膜厚構造の多層膜を３枚作製し
た。
ｉウエハ基板上にイオンビームスパッタ装置を用いて、
下記の条件 ターゲット ：Ｓｉ、Ｃｕ 基板加熱 ：なし イオン化ガス ：Ａｒ（９９．９９９％） イオン銃電流×電圧 ：３ｍＡ×９ｋＶ イオン入射角 ：３０° ベースプレッシャ ：３×１０~7Ｔorr ターゲット・基板間距離：１５ｍｍ 基板サイズ ：直径４インチ円形 各層の膜厚 ：Ｓｉ、Ｃｕとも２００Å（１
０層ずつ） 最表面はＳｉ で、約４０００Åの積層膜厚構造の多層膜を３枚作製し
た。
【００１１】ついで、このような多層膜の一つに対し
て、理学株式会社製のＸ線装置ＲＵ−３００を用いて
（ターゲットはＣｕ）、Ｓｉ（１１１）で分光したＣｕ
Ｋα線の入射角と強度との関係を求めたところ、入射角
が約７mradの時に大きなピークが得られたものである。
この場合、バックグランド（図７中に示した斜線部分）
とピークトップとの強度比は１／１であった。このよう
なＸ線をさらにＳｉ（１１１）結晶を用いてロッキング
カーブをとり、半値幅を求めたところ、２１秒となり、
良好なる単色Ｘ線が得られたものである。
て、理学株式会社製のＸ線装置ＲＵ−３００を用いて
（ターゲットはＣｕ）、Ｓｉ（１１１）で分光したＣｕ
Ｋα線の入射角と強度との関係を求めたところ、入射角
が約７mradの時に大きなピークが得られたものである。
この場合、バックグランド（図７中に示した斜線部分）
とピークトップとの強度比は１／１であった。このよう
なＸ線をさらにＳｉ（１１１）結晶を用いてロッキング
カーブをとり、半値幅を求めたところ、２１秒となり、
良好なる単色Ｘ線が得られたものである。
【００１２】さらに、Ｓｉウエハ基板上に形成された多
層膜をＸ線の入射角が同一となるようにしてこの多層膜
に向い合わせ、２回反射させるように配置させてピーク
値を得たところ、バックグランドとピークトップとの強
度比は約１／２となったものである。また、ロッキング
カーブから求めた半値幅は１６秒となったものである。
層膜をＸ線の入射角が同一となるようにしてこの多層膜
に向い合わせ、２回反射させるように配置させてピーク
値を得たところ、バックグランドとピークトップとの強
度比は約１／２となったものである。また、ロッキング
カーブから求めた半値幅は１６秒となったものである。
【００１３】ついで、３つ目の多層膜についても、１，
２つ目の多層膜と千鳥状配置となるように２つ目の多層
膜に対向配置させ（Ｘ線の入射角は同じ）、３回反射さ
せるようにしてピーク値を得たところ、バックグランド
とピークトップとの強度比は約１／４となったものであ
る。また、ロッキングカーブから求めた半値幅は１２秒
となったものである。
２つ目の多層膜と千鳥状配置となるように２つ目の多層
膜に対向配置させ（Ｘ線の入射角は同じ）、３回反射さ
せるようにしてピーク値を得たところ、バックグランド
とピークトップとの強度比は約１／４となったものであ
る。また、ロッキングカーブから求めた半値幅は１２秒
となったものである。
【００１４】このように多層膜の使用回数を増加させる
につれてＸ線の幅が減少し（即ち、集光し）、バックグ
ランドが減少して位相の揃ったＸ線成分が多くなり、同
時に、ピークの半値幅が減少することにより単色化も向
上するものとなった。
につれてＸ線の幅が減少し（即ち、集光し）、バックグ
ランドが減少して位相の揃ったＸ線成分が多くなり、同
時に、ピークの半値幅が減少することにより単色化も向
上するものとなった。
【００１５】本実施例方式による結果、図７中に斜線を
施して示したような散乱Ｘ線等による影響が緩和され、
図３に示すような特性が得られ、単色同位相性の良好な
Ｘ線となる。
施して示したような散乱Ｘ線等による影響が緩和され、
図３に示すような特性が得られ、単色同位相性の良好な
Ｘ線となる。
【００１６】なお、基板や原子面について、均一にして
任意に長尺状に作製し得る場合であれば、図１に示すよ
うに上下２つの多層膜１１，１２のみによる構成とし、
これらの間で何回も反射させるようにしてもよい。さら
には、図１において、例えば基板１６上に薄膜層を均一
かつ厚くなる積層状態に積層し得る場合であれば、多層
膜１１側を用いることなく、図４に示すように、多層膜
１２の一部を横から見てコ字状にくり抜いてＸ線通路１
８を形成するようにしてもよく（上下面が複数の多層膜
１２ａ，１２ｂを構成する）、この構造のほうが角度を
同じにとりやすい。
任意に長尺状に作製し得る場合であれば、図１に示すよ
うに上下２つの多層膜１１，１２のみによる構成とし、
これらの間で何回も反射させるようにしてもよい。さら
には、図１において、例えば基板１６上に薄膜層を均一
かつ厚くなる積層状態に積層し得る場合であれば、多層
膜１１側を用いることなく、図４に示すように、多層膜
１２の一部を横から見てコ字状にくり抜いてＸ線通路１
８を形成するようにしてもよく（上下面が複数の多層膜
１２ａ，１２ｂを構成する）、この構造のほうが角度を
同じにとりやすい。
【００１７】ちなみに、Ｘ線を結晶性材料の臨界角の極
く近傍の入射角で入射させるのでなければ、原子面（回
折面）と結晶のカット面（表面）とをずらして形成する
ことは、「ブラッグ・ケースの非対称反射」として従来
から周知である。即ち、図８に示すように単結晶構造の
結晶性材料２０においてその原子面２１とカット面２２
とをずらして形成し、同図（ａ）に示すようにＸ線２３
をカット面２２に入射させることにより反射されるＸ線
幅を大きくし、同図（ｂ）に示すようにＸ線２３をカッ
ト面に入射させることにより反射されるＸ線幅を小さく
するのに用いられる。つまり、Ｘ線２３が原子面（回折
面）２１で反射され、ブラッグの条件を満たすことによ
り干渉するのは、本発明方式の場合と同様である。しか
し、あくまで、臨界角よりも大きな入射角で用いられる
ものであり、本発明の前提とする全反射は無関係であ
り、全反射光を減少させるという課題はないものであ
る。
く近傍の入射角で入射させるのでなければ、原子面（回
折面）と結晶のカット面（表面）とをずらして形成する
ことは、「ブラッグ・ケースの非対称反射」として従来
から周知である。即ち、図８に示すように単結晶構造の
結晶性材料２０においてその原子面２１とカット面２２
とをずらして形成し、同図（ａ）に示すようにＸ線２３
をカット面２２に入射させることにより反射されるＸ線
幅を大きくし、同図（ｂ）に示すようにＸ線２３をカッ
ト面に入射させることにより反射されるＸ線幅を小さく
するのに用いられる。つまり、Ｘ線２３が原子面（回折
面）２１で反射され、ブラッグの条件を満たすことによ
り干渉するのは、本発明方式の場合と同様である。しか
し、あくまで、臨界角よりも大きな入射角で用いられる
ものであり、本発明の前提とする全反射は無関係であ
り、全反射光を減少させるという課題はないものであ
る。
【００１８】また、Ｘ線分光器として機能する本発明装
置をＸ線集光器と称するのは、下記の理由による。現
在、Ｘ線は発散光でしか得られず、一般のＸ線管球やロ
ータターゲットを使用するもの、プラズマを使用するも
の、放射光を使用するもの、全て発散している。そし
て、分光する場合、図８（ａ）のケースではビーム幅が
さらに広くなるのに対して、同図（ｂ）のケースでは回
折条件を満たした光だけが反射することによりビーム幅
が入射ビーム幅よりも細くなるので、分光自体によって
もビーム幅を狭くし得るが、本実施例構成によれば、ビ
ーム幅をより狭い状態に絞った形で反射させるので、特
に集光器と称するようにしたものである。
置をＸ線集光器と称するのは、下記の理由による。現
在、Ｘ線は発散光でしか得られず、一般のＸ線管球やロ
ータターゲットを使用するもの、プラズマを使用するも
の、放射光を使用するもの、全て発散している。そし
て、分光する場合、図８（ａ）のケースではビーム幅が
さらに広くなるのに対して、同図（ｂ）のケースでは回
折条件を満たした光だけが反射することによりビーム幅
が入射ビーム幅よりも細くなるので、分光自体によって
もビーム幅を狭くし得るが、本実施例構成によれば、ビ
ーム幅をより狭い状態に絞った形で反射させるので、特
に集光器と称するようにしたものである。
【００１９】また、軟Ｘ線（３〜１００Åの波長）用の
反射鏡は、密度差の大きい２種類の材料を積層して、よ
り大きな角度（４５°程度）での反射鏡として利用され
ているが、本実施例を適用すれば、より大きな角度用に
適用し得るものとなる。
反射鏡は、密度差の大きい２種類の材料を積層して、よ
り大きな角度（４５°程度）での反射鏡として利用され
ているが、本実施例を適用すれば、より大きな角度用に
適用し得るものとなる。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、上述したように、臨界角に近
い入射角のＸ線を同一入射角で順次反射干渉させる位置
に結晶性材料による複数の多層膜を対向配置させて、複
数の多層膜表面に順次入射されるＸ線中で干渉条件を満
たすものだけを順次取出すようにしたので、何回も干渉
させると強度は小さくなるものの、徐々に散乱光成分を
除去でき、よって、最終的には、単色光で同位相のＸ線
として取出すことができる。
い入射角のＸ線を同一入射角で順次反射干渉させる位置
に結晶性材料による複数の多層膜を対向配置させて、複
数の多層膜表面に順次入射されるＸ線中で干渉条件を満
たすものだけを順次取出すようにしたので、何回も干渉
させると強度は小さくなるものの、徐々に散乱光成分を
除去でき、よって、最終的には、単色光で同位相のＸ線
として取出すことができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
【図２】積層構造を示す概略図である。
【図３】入射角‐Ｘ線強度特性図である。
【図４】変形例を示す概略図である。
【図５】低入射角Ｘ線強度測定原理を示す概略図であ
る。
る。
【図６】入射角‐Ｘ線強度特性図である。
【図７】単色同位相部分を抽出して示す入射角‐Ｘ線強
度特性図である。
度特性図である。
【図８】従来の高入射角方式の場合の非対称反射原理を
示す概略図である。
示す概略図である。
１１，１２ 多層膜 １３ Ｘ線
Claims (1)
- 【請求項１】 臨界角に近い入射角のＸ線を同一入射角
で順次反射干渉させる位置に結晶性材料による複数の多
層膜を対向配置させたことを特徴とする単色同位相Ｘ線
集光器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18248892A JPH0627298A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 単色同位相ｘ線集光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18248892A JPH0627298A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 単色同位相ｘ線集光器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627298A true JPH0627298A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16119162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18248892A Pending JPH0627298A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 単色同位相ｘ線集光器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627298A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6416272B1 (en) | 1998-10-09 | 2002-07-09 | Toyota Shatai Kabushiki Kaisha | Wheelchair with retractable wheels for conversion to vehicle passenger seat |
| US6543848B1 (en) | 1997-09-01 | 2003-04-08 | Toyota Shatai Kabushiki Kaisha | Vehicular turning seat |
| US6557919B2 (en) | 1997-04-03 | 2003-05-06 | Toyota Shatai Kabushiki Kaisha | Rotating vehicle seat |
| US6572172B1 (en) | 1998-09-10 | 2003-06-03 | Toyota Shatai Kabushiki Kaisha | Rotating vehicle seat |
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1992
- 1992-07-09 JP JP18248892A patent/JPH0627298A/ja active Pending
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