JPH0627320A - 複屈折回折格子型偏光子 - Google Patents
複屈折回折格子型偏光子Info
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- JPH0627320A JPH0627320A JP18326892A JP18326892A JPH0627320A JP H0627320 A JPH0627320 A JP H0627320A JP 18326892 A JP18326892 A JP 18326892A JP 18326892 A JP18326892 A JP 18326892A JP H0627320 A JPH0627320 A JP H0627320A
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- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
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- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- Polarising Elements (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】入射光の広い波長範囲にわたって実用上十分な
高い消光比を得る。 【構成】ニオブ酸リチウム基板１５の面１６に、プロト
ン交換領域１８及び位相補償膜１９の回折格子が形成さ
れ、面１７に、プロトン交換領域２０及び位相補償膜２
１の回折格子が形成される。面１６の回折格子は、入射
光の波長λ1 の場合に、ライン部とスペース部の位相差
が常光成分に対しては０、異常光成分に対してはπにな
る。また、面１７の回折格子は、入射光の波長がλ
2 （λ1 ＜λ2）の場合に、ライン部とスペース部の位
相差が常光成分に対しては０、異常光成分に対してはπ
になる。入射光の波長がλ1 より小さい場合は、面１６
に形成された回折格子により高い消光比が得られ、入射
光の波長がλ2 より大きい場合は、面１７に形成された
回折格子により高い消光比が得られる。入射光の波長が
λ1 とλ2 の間にある場合にも、λ1 ，λ2 の値を適当
に定めることにより、必要な消光比を確保する。
高い消光比を得る。 【構成】ニオブ酸リチウム基板１５の面１６に、プロト
ン交換領域１８及び位相補償膜１９の回折格子が形成さ
れ、面１７に、プロトン交換領域２０及び位相補償膜２
１の回折格子が形成される。面１６の回折格子は、入射
光の波長λ1 の場合に、ライン部とスペース部の位相差
が常光成分に対しては０、異常光成分に対してはπにな
る。また、面１７の回折格子は、入射光の波長がλ
2 （λ1 ＜λ2）の場合に、ライン部とスペース部の位
相差が常光成分に対しては０、異常光成分に対してはπ
になる。入射光の波長がλ1 より小さい場合は、面１６
に形成された回折格子により高い消光比が得られ、入射
光の波長がλ2 より大きい場合は、面１７に形成された
回折格子により高い消光比が得られる。入射光の波長が
λ1 とλ2 の間にある場合にも、λ1 ，λ2 の値を適当
に定めることにより、必要な消光比を確保する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信装置や光情報処理
装置に用いる複屈折回折格子型偏光子に関する。
装置に用いる複屈折回折格子型偏光子に関する。
【０００２】
【従来の技術】偏光子は入射光のうちの特定の偏光成分
のみを取り出す素子であり、光通信用光源モジュールや
光ディスクヘッド、投写型ディスプレイ等の光学系中に
用いられている。偏光子の種類としては、グラントムソ
ンプリズム等の複屈折性の結晶における偏光による屈折
率の違いを利用するものや、ガラスの表面に誘電体多層
膜をコーティングし、この誘電体多層膜における偏光に
よる透過率、反射率の違いを利用するものが多く使われ
ている。これらに対し、近年、小型で低価格であること
を特徴とした、特開昭６３−３１４５０２公報に示すよ
うな複屈折回折格子型偏光子が提案されている。
のみを取り出す素子であり、光通信用光源モジュールや
光ディスクヘッド、投写型ディスプレイ等の光学系中に
用いられている。偏光子の種類としては、グラントムソ
ンプリズム等の複屈折性の結晶における偏光による屈折
率の違いを利用するものや、ガラスの表面に誘電体多層
膜をコーティングし、この誘電体多層膜における偏光に
よる透過率、反射率の違いを利用するものが多く使われ
ている。これらに対し、近年、小型で低価格であること
を特徴とした、特開昭６３−３１４５０２公報に示すよ
うな複屈折回折格子型偏光子が提案されている。
【０００３】図３に従来の複屈折回折格子型偏光子の構
成を示す。複屈折性を有するニオブ酸リチウム基板１上
に、プロトン交換領域２および位相補償膜３から成る二
層の回折格子が形成されている。位相補償膜３として
は、例えばＮｂ2 Ｏ3 が用いられる。また、回折格子の
ライン部とスペース部の幅は等しい。ここで次のように
記号を定めると、式（１）〜（３）が成り立つ。
成を示す。複屈折性を有するニオブ酸リチウム基板１上
に、プロトン交換領域２および位相補償膜３から成る二
層の回折格子が形成されている。位相補償膜３として
は、例えばＮｂ2 Ｏ3 が用いられる。また、回折格子の
ライン部とスペース部の幅は等しい。ここで次のように
記号を定めると、式（１）〜（３）が成り立つ。
【０００４】η0 ：０次光の回折効率（透過率） η1 ：±１次光の回折効率の和 λ ：入射光の波長 Ｔp ：プロトン交換領域の深さ Ｔd ：位相補償膜の厚さ Δｎ：プロトン交換領域と非交換領域の屈折率差 ｎd ：位相補償膜の屈折率 η0 ＝ｃｏｓ2 γ …（１） η1 ＝２（２／π）2 ｓｉｎ2 γ …（２） γ＝（π／λ）［Ｔp Δｎ＋Ｔd （ｎd −１）］ …（３） 図４にこの複屈折回折格子型偏光子における入射光の位
相変化を示す。（ａ）は光学軸に垂直な偏光成分（常光
成分）に対応しており、プロトン交換領域における位相
変化量４と位相補償膜における位相変化量５の符号は逆
である。（ｂ）は光学軸に平行な偏光成分（異常光成
分）に対応しており、プロトン交換領域における位相変
化量６と位相補償膜における位相変化量７の符号は同じ
である。図に示すように、Ｔp およびＴd を適当に定め
ることにより、回折格子のライン部とスペース部の位相
差２γを、常光成分に対しては０、異常光成分に対して
はπにすることができる。従って式（１），（２）よ
り、常光成分はη0 ＝１，η1＝０となるため回折され
ずに全て透過し、異常光成分はη0 ＝０，η1 ＝０．８
１となるため透過せずに全て回折される。
相変化を示す。（ａ）は光学軸に垂直な偏光成分（常光
成分）に対応しており、プロトン交換領域における位相
変化量４と位相補償膜における位相変化量５の符号は逆
である。（ｂ）は光学軸に平行な偏光成分（異常光成
分）に対応しており、プロトン交換領域における位相変
化量６と位相補償膜における位相変化量７の符号は同じ
である。図に示すように、Ｔp およびＴd を適当に定め
ることにより、回折格子のライン部とスペース部の位相
差２γを、常光成分に対しては０、異常光成分に対して
はπにすることができる。従って式（１），（２）よ
り、常光成分はη0 ＝１，η1＝０となるため回折され
ずに全て透過し、異常光成分はη0 ＝０，η1 ＝０．８
１となるため透過せずに全て回折される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３に示す従来の複屈
折回折格子型偏光子において、入射光の波長が偏光子の
設計波長からずれると、それに伴って入射光の位相変化
も図４に示す状態からずれる。ここで偏光子の設計波長
をλ0 とし、Δｎおよびｎd の波長依存性は小さいので
無視して考える。常光成分に対しては、図４（ａ）に示
すプロトン交換領域における位相変化量４と位相補償膜
における位相変化量５のいずれが相殺されるため、常に
γ＝０となる。一方、異常光成分に対しては、図４
（ｂ）に示すプロトン交換領域における位相変化量６と
位相補償膜における位相変化量７のずれが加算されるた
め、γ＝（πλ0 ／２λ）となる。
折回折格子型偏光子において、入射光の波長が偏光子の
設計波長からずれると、それに伴って入射光の位相変化
も図４に示す状態からずれる。ここで偏光子の設計波長
をλ0 とし、Δｎおよびｎd の波長依存性は小さいので
無視して考える。常光成分に対しては、図４（ａ）に示
すプロトン交換領域における位相変化量４と位相補償膜
における位相変化量５のいずれが相殺されるため、常に
γ＝０となる。一方、異常光成分に対しては、図４
（ｂ）に示すプロトン交換領域における位相変化量６と
位相補償膜における位相変化量７のずれが加算されるた
め、γ＝（πλ0 ／２λ）となる。
【０００６】偏光子の重要な性能として、常光成分の透
過率と異常光成分の透過率の比で与えられる消光比が挙
げられる。消光比をε1 とすると、式（４）が成り立
つ。
過率と異常光成分の透過率の比で与えられる消光比が挙
げられる。消光比をε1 とすると、式（４）が成り立
つ。
【０００７】 ε1 ＝−１０ｌｏｇ［ｃｏｓ2 （πλ0 ／２λ）］ …（４） 図５にλ0 ＝５２０ｎｍとしたときの、この複屈折回折
格子型偏光子における入射光の波長λと消光比ε1 の関
係を計算した結果を示す。入射光の波長が設計波長から
ずれるに従って消光比は低下し、可視光領域の下限波長
である３９０ｎｍおよび上限波長である７８０ｎｍにお
いては、約６ｄＢの消光比しか得られないことがわか
る。
格子型偏光子における入射光の波長λと消光比ε1 の関
係を計算した結果を示す。入射光の波長が設計波長から
ずれるに従って消光比は低下し、可視光領域の下限波長
である３９０ｎｍおよび上限波長である７８０ｎｍにお
いては、約６ｄＢの消光比しか得られないことがわか
る。
【０００８】このような消光比の低下を抑制するため
に、回折格子を二重化する方法が提案されている。図６
に二重化した複屈折回折格子型偏光子の構成を示す。ニ
オブ酸リチウム基板８の第一の面９上に、プロトン交換
領域１１および位相補償膜１２から成る二層の回折格子
が形成されている。さらに、ニオブ酸リチウム基板８の
第二の面１０上に、プロトン交換領域１３および位相補
償膜１４から成る二層の回折格子が形成されている。プ
ロトン交換領域１１と１３の深さは共にＴ0 であり、位
相補償膜１２と１４の厚さは共にＴd である。また、２
度回折された光が透過光に重ならないように、二つの回
折格子の溝の方向は互いに直交している。この二重化し
た偏光子の消光比をε2 とすると、式（５）が成り立
つ。
に、回折格子を二重化する方法が提案されている。図６
に二重化した複屈折回折格子型偏光子の構成を示す。ニ
オブ酸リチウム基板８の第一の面９上に、プロトン交換
領域１１および位相補償膜１２から成る二層の回折格子
が形成されている。さらに、ニオブ酸リチウム基板８の
第二の面１０上に、プロトン交換領域１３および位相補
償膜１４から成る二層の回折格子が形成されている。プ
ロトン交換領域１１と１３の深さは共にＴ0 であり、位
相補償膜１２と１４の厚さは共にＴd である。また、２
度回折された光が透過光に重ならないように、二つの回
折格子の溝の方向は互いに直交している。この二重化し
た偏光子の消光比をε2 とすると、式（５）が成り立
つ。
【０００９】 ε2 ＝−２０ｌｏｇ［ｃｏｓ2 （πλ0 ／２λ）］ …（５） 図７にλ0 ＝５２０ｎｍとしたときの、この複屈折回折
格子型偏光子における入射光の波長λと消光比ε2 の関
係を計算した結果を示す。入射光の波長ずれに伴う消光
比の低下量は抑制されており、可視光領域の下限波長で
ある３９０ｎｍおよび上限波長である７８０ｎｍにおい
ては、約１２ｄＢの消光比が得られているが、まだ十分
とは言えない。
格子型偏光子における入射光の波長λと消光比ε2 の関
係を計算した結果を示す。入射光の波長ずれに伴う消光
比の低下量は抑制されており、可視光領域の下限波長で
ある３９０ｎｍおよび上限波長である７８０ｎｍにおい
ては、約１２ｄＢの消光比が得られているが、まだ十分
とは言えない。
【００１０】本発明の目的は、入射光の広い波長範囲に
わたって十分な消光比が得られる複屈折回折格子型偏光
子を提供することにある。
わたって十分な消光比が得られる複屈折回折格子型偏光
子を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の複屈折回折格子
型偏光子は、複屈折性を有する結晶基板の第一の面に、
周期的なイオン交換領域およびこのイオン交換領域上に
設けられた誘電体膜からなる回折格子が形成され、かつ
前記第一の面と対向する第二の面に、前記周期的なイオ
ン交換領域およびこのイオン交換領域上に設けられた誘
電体膜からなる回折格子が、前記第一の面に形成された
回折格子と溝の方向が直交して形成される複屈折回折格
子型偏光子において、前記第一の面に形成された回折格
子では、第一の波長の入射光のうちイオン交換領域およ
び誘電体膜を通過する部分と通過しない部分の位相差が
常光成分に対しては０、異常光成分に対してはπとなる
ようなイオン交換領域の深さと誘電体膜の厚さを有し、
かつ前記第二の面に形成された回折格子では、前記第一
の波長と異なる第二の波長の入射光のうちイオン交換領
域および誘電体膜を通過する部分と通過しない部分の位
相差が常光成分に対しては０、異常光成分に対してはπ
となるイオン交換領域の深さと誘電体膜の厚さとを有す
ることを特徴とする。
型偏光子は、複屈折性を有する結晶基板の第一の面に、
周期的なイオン交換領域およびこのイオン交換領域上に
設けられた誘電体膜からなる回折格子が形成され、かつ
前記第一の面と対向する第二の面に、前記周期的なイオ
ン交換領域およびこのイオン交換領域上に設けられた誘
電体膜からなる回折格子が、前記第一の面に形成された
回折格子と溝の方向が直交して形成される複屈折回折格
子型偏光子において、前記第一の面に形成された回折格
子では、第一の波長の入射光のうちイオン交換領域およ
び誘電体膜を通過する部分と通過しない部分の位相差が
常光成分に対しては０、異常光成分に対してはπとなる
ようなイオン交換領域の深さと誘電体膜の厚さを有し、
かつ前記第二の面に形成された回折格子では、前記第一
の波長と異なる第二の波長の入射光のうちイオン交換領
域および誘電体膜を通過する部分と通過しない部分の位
相差が常光成分に対しては０、異常光成分に対してはπ
となるイオン交換領域の深さと誘電体膜の厚さとを有す
ることを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明の複屈折回折格子型偏光子においては、
結晶基板の第一の面に形成された回折格子の第二の面に
形成された回折格子で設計波長が異なっている。それぞ
れの回折格子に対する設計波長をλ1 ，λ2 とし、λ1
＜λ0 ＜λ2 であるとする。入射光の波長がλ1 より小
さい場合、主に第一の面に形成された回折格子の寄与に
より、従来例より高い消光比が得られる。一方、入射光
の波長がλ2 より大きい場合、主に第二の面に形成され
た回折格子の寄与により、従来例より高い消光比が得ら
れる。また、入射光の波長がλ1 とλ2 の間にある場
合、消光比が従来例に比べて低下する領域が存在する
が、λ1 ，λ2 の値を適当に定めることにより、必要な
消光比を確保することが可能である。その結果、従来例
より広い波長範囲にわたって、実用上十分な高い消光比
を得ることができる。
結晶基板の第一の面に形成された回折格子の第二の面に
形成された回折格子で設計波長が異なっている。それぞ
れの回折格子に対する設計波長をλ1 ，λ2 とし、λ1
＜λ0 ＜λ2 であるとする。入射光の波長がλ1 より小
さい場合、主に第一の面に形成された回折格子の寄与に
より、従来例より高い消光比が得られる。一方、入射光
の波長がλ2 より大きい場合、主に第二の面に形成され
た回折格子の寄与により、従来例より高い消光比が得ら
れる。また、入射光の波長がλ1 とλ2 の間にある場
合、消光比が従来例に比べて低下する領域が存在する
が、λ1 ，λ2 の値を適当に定めることにより、必要な
消光比を確保することが可能である。その結果、従来例
より広い波長範囲にわたって、実用上十分な高い消光比
を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明の複屈折回折格子型偏光子の
一実施例を示す斜視図である。
て説明する。図１は本発明の複屈折回折格子型偏光子の
一実施例を示す斜視図である。
【００１４】ニオブ酸リチウム基板１５の第一の面１６
上に、プロトン交換領域１８および位相補償膜１９から
成る二層の回折格子が形成されている。さらに、ニオブ
酸リチウム基板１５の第二の面１７上に、プロトン交換
領域２０および位相補償膜２１から成る二層の回折格子
が形成されている。
上に、プロトン交換領域１８および位相補償膜１９から
成る二層の回折格子が形成されている。さらに、ニオブ
酸リチウム基板１５の第二の面１７上に、プロトン交換
領域２０および位相補償膜２１から成る二層の回折格子
が形成されている。
【００１５】プロトン交換領域１８および２０の深さは
それぞれＴp1，Ｔp2であり、位相補償膜１９および２１
の厚さはそれぞれＴd1，Ｔd2である。また、２度回折さ
れた光が透過光に重ならないように、二つの回折格子の
溝の方向は互いに直交している。Ｔp1とＴd1の値は、入
射光の波長がλ1 の場合に、回折格子のライン部とスペ
ース部の位相差が常光成分に対しては０、異常光成分に
対してはπになるように定められている。また、Ｔp2と
Ｔd2の値は、入射光の波長がλ2 の場合に、回折格子の
ライン部とスペース部の位相差が常光成分に対しては
０、異常光成分に対してはπになるように定められてい
る。この偏光子の消光比をεとすると、式（６）が成り
立つ。
それぞれＴp1，Ｔp2であり、位相補償膜１９および２１
の厚さはそれぞれＴd1，Ｔd2である。また、２度回折さ
れた光が透過光に重ならないように、二つの回折格子の
溝の方向は互いに直交している。Ｔp1とＴd1の値は、入
射光の波長がλ1 の場合に、回折格子のライン部とスペ
ース部の位相差が常光成分に対しては０、異常光成分に
対してはπになるように定められている。また、Ｔp2と
Ｔd2の値は、入射光の波長がλ2 の場合に、回折格子の
ライン部とスペース部の位相差が常光成分に対しては
０、異常光成分に対してはπになるように定められてい
る。この偏光子の消光比をεとすると、式（６）が成り
立つ。
【００１６】 ε＝−１０ｌｏｇ［ｃｏｓ2 （πλ1 ／２λ）］ −１０ｌｏｇ［ｃｏｓ2 （πλ2 ／２λ）］ …（６） 図２にλ1 ＝４２０ｎｍ，λ2 ＝６９０ｎｍとしたとき
の、この複屈折回折格子型偏光子における入射光の波長
λと消光比εの関係を計算した結果を示す。可視光領域
を完全に含む３８０ｎｍから８１０ｎｍまでの広い波長
範囲にわたって１６ｄＢ以上の高い消光比が得られてお
り、必要な消光比を確保することのできる波長範囲が従
来例に比べて拡大していることがわかる。
の、この複屈折回折格子型偏光子における入射光の波長
λと消光比εの関係を計算した結果を示す。可視光領域
を完全に含む３８０ｎｍから８１０ｎｍまでの広い波長
範囲にわたって１６ｄＢ以上の高い消光比が得られてお
り、必要な消光比を確保することのできる波長範囲が従
来例に比べて拡大していることがわかる。
【００１７】
【発明の効果】以上に述べたように本発明によれば、入
射光の広い波長範囲にわたって実用上十分な高い消光比
を実現することが可能な複屈折回折型偏光子を得ること
ができる。
射光の広い波長範囲にわたって実用上十分な高い消光比
を実現することが可能な複屈折回折型偏光子を得ること
ができる。
【図１】本発明の複屈折回折格子型偏光子の一実施例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】本実施例における入射光の波長の消光比の関係
を示す相関図である。
を示す相関図である。
【図３】従来の複屈折回折格子型偏光子の一例を示す側
面図である。
面図である。
【図４】従来例における入射光の位相変化を示す図であ
る。
る。
【図５】従来例における入射光の波長と消光比の関係を
示す相関図である。
示す相関図である。
【図６】従来例の二重化した複屈折回折格子型偏光子を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図７】従来例の二重化した複屈折回折格子型偏光子に
おける入射光の波長と消光比の関係を示す相関図であ
る。
おける入射光の波長と消光比の関係を示す相関図であ
る。
１ ニオブ酸リチウム基板 ２ プロトン交換領域 ３ 位相補償膜 ４ プロトン交換領域における位相変化量 ５ 位相補償膜における位相変化量 ６ プロトン交換領域における位相変化量 ７ 位相補償膜における位相変化量 ８ ニオブ酸リチウム基板 ９ 第一の面 １０ 第二の面 １１ プロトン交換領域 １２ 位相補償膜 １３ プロトン交換領域 １４ 位相補償膜 １５ ニオブ酸リチウム基板 １６ 第一の面 １７ 第二の面 １８ プロトン交換領域 １９ 位相補償膜 ２０ プロトン交換領域 ２１ 位相補償膜
Claims (1)
- 【請求項１】 複屈折性を有する結晶基板の第一の面
に、周期的なイオン交換領域およびこのイオン交換領域
上に設けられた誘電体膜からなる回折格子が形成され、
かつ前記第一の面と対向する第二の面に、前記周期的な
イオン交換領域およびこのイオン交換領域上に設けられ
た誘電体膜からなる回折格子が、前記第一の面に形成さ
れた回折格子と溝の方向が直交して形成される複屈折回
折格子型偏光子において、前記第一の面に形成された回
折格子では、第一の波長の入射光のうちイオン交換領域
および誘電体膜を通過する部分と通過しない部分の位相
差が常光成分に対しては０、異常光成分に対してはπと
なるようなイオン交換領域の深さと誘電体膜の厚さを有
し、かつ前記第二の面に形成された回折格子では、前記
第一の波長と異なる第二の波長の入射光のうちイオン交
換領域および誘電体膜を通過する部分と通過しない部分
の位相差が常光成分に対しては０、異常光成分に対して
はπとなるイオン交換領域の深さと誘電体膜の厚さとを
有することを特徴とする複屈折回折格子型偏光子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183268A JP2848137B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 複屈折回折格子型偏光子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183268A JP2848137B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 複屈折回折格子型偏光子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627320A true JPH0627320A (ja) | 1994-02-04 |
| JP2848137B2 JP2848137B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=16132694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4183268A Expired - Fee Related JP2848137B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 複屈折回折格子型偏光子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2848137B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1420275A4 (en) * | 2001-08-24 | 2005-11-16 | Asahi Glass Co Ltd | MULTILAYER DIFFUSING POLARIZER AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT |
| WO2006059690A1 (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Asahi Glass Company, Limited | 投射型表示装置 |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP4183268A patent/JP2848137B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
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| US7079202B2 (en) | 2001-08-24 | 2006-07-18 | Asahi Glass Company, Limited | Multi-layer diffraction type polarizer and liquid crystal element |
| US7764354B2 (en) | 2001-08-24 | 2010-07-27 | Asahi Glass Company, Limited | Multi-layer diffraction type polarizer and liquid crystal element |
| WO2006059690A1 (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Asahi Glass Company, Limited | 投射型表示装置 |
| JPWO2006059690A1 (ja) * | 2004-12-02 | 2008-06-05 | 旭硝子株式会社 | 投射型表示装置 |
| JP2009294679A (ja) * | 2004-12-02 | 2009-12-17 | Asahi Glass Co Ltd | 投射型表示装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2848137B2 (ja) | 1999-01-20 |
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