JPH0627336B2 - Ｒｆプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｒｆプラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0627336B2 JPH0627336B2 JP21316185A JP21316185A JPH0627336B2 JP H0627336 B2 JPH0627336 B2 JP H0627336B2 JP 21316185 A JP21316185 A JP 21316185A JP 21316185 A JP21316185 A JP 21316185A JP H0627336 B2 JPH0627336 B2 JP H0627336B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias voltage
- self
- self bias
- plasma cvd
- chamber
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はＲＦプラズマＣＶＤ装置に係り、特に自己バ
イヤス電圧を一定になるようにコントロールするＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置に関する。
イヤス電圧を一定になるようにコントロールするＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置に関する。
従来の技術 従来、ＲＦプラズマＣＶＤにおいて、プラズマの状態を
安定にするためには、ＲＦ電極側に生じる自己バイヤス
電圧を一定にすることが有効であることは知られてい
る。
安定にするためには、ＲＦ電極側に生じる自己バイヤス
電圧を一定にすることが有効であることは知られてい
る。
即ち、自己バイヤス電圧の時間的変化を測定することで
成膜中のプラズマの安定度をモニタしたり、或いは成膜
基板のロット管理をしたりする手法が知られている。
成膜中のプラズマの安定度をモニタしたり、或いは成膜
基板のロット管理をしたりする手法が知られている。
実際のＲＦプラズマＣＶＤの作業においては、オペレー
タはＲＦ電源に接続したマッチングボックスを手動にて
接続したり、または排気系に接続した圧力調整弁を手動
にて調節したりして、その調節により変動する自己バイ
ヤス電圧を目視しつつ、自己バイヤス電圧が常に一定の
値を保持するようにしていた。
タはＲＦ電源に接続したマッチングボックスを手動にて
接続したり、または排気系に接続した圧力調整弁を手動
にて調節したりして、その調節により変動する自己バイ
ヤス電圧を目視しつつ、自己バイヤス電圧が常に一定の
値を保持するようにしていた。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記従来の方法は自己バイヤス電圧を監
視を常に行う必要があるため、本来熟練を要することで
ある。また、かかる手動に頼る方法では、作業の自動化
が図れないという問題がある。
視を常に行う必要があるため、本来熟練を要することで
ある。また、かかる手動に頼る方法では、作業の自動化
が図れないという問題がある。
本発明は上記事情にかんがみて創案されたもので、手動
に頼ることなく、自動的に自己バイヤス電圧を一定にす
ることにより、プラズマの安定化が達成されるＲＦプラ
ズマＣＶＤ装置を提供することを目的としている。
に頼ることなく、自動的に自己バイヤス電圧を一定にす
ることにより、プラズマの安定化が達成されるＲＦプラ
ズマＣＶＤ装置を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 本発明のＲＦプラズマＣＶＤ装置はＲＦ電源と、ＲＦ電
極に接続した自己バイヤス電圧検出回路と、前記自己バ
イヤス電圧検出回路の出力を基準電圧と比較する比較回
路とを具備しており、かつ前記比較回路の出力を排気系
に設けた圧力調整弁にフィードバックすることにより自
己バイヤス電圧をコントロールするように構成してあ
る。
極に接続した自己バイヤス電圧検出回路と、前記自己バ
イヤス電圧検出回路の出力を基準電圧と比較する比較回
路とを具備しており、かつ前記比較回路の出力を排気系
に設けた圧力調整弁にフィードバックすることにより自
己バイヤス電圧をコントロールするように構成してあ
る。
作用 自己バイヤス電圧と基準電圧を比較し、比較回路からの
出力に基づいて圧力調整弁を調節する。圧力調整弁の調
節により、チャンバー内の圧力が変動し、そのため自己
バイヤス電圧が変動する。しかし、比較回路にて基準電
圧と自己バイヤス電圧との大小関係が比較される結果、
常に自己バイヤス電圧は前記基準電圧に保持される。
出力に基づいて圧力調整弁を調節する。圧力調整弁の調
節により、チャンバー内の圧力が変動し、そのため自己
バイヤス電圧が変動する。しかし、比較回路にて基準電
圧と自己バイヤス電圧との大小関係が比較される結果、
常に自己バイヤス電圧は前記基準電圧に保持される。
実施例 第１図に本発明の一実施例の原理説明図をしめしてい
る。
る。
図において、10はチャンバーであり、成膜ガスがガス供
給源11からニードルバルブ12を介して前記チャンバー内
に導入されるようになっている。13は基板電極であっ
て、この基板電極は普通は接地されており、これに基板
がホールドされる。
給源11からニードルバルブ12を介して前記チャンバー内
に導入されるようになっている。13は基板電極であっ
て、この基板電極は普通は接地されており、これに基板
がホールドされる。
14は前記基板電極13に対向して設けたＲＦ電極であり、
基板電極13とＲＦ電極14間にはマッチングボックス15を
介してＲＦ電源16が接続されている。18は前記ＲＦ電極
14に発生した自己バイヤス電圧を検出するための自己バ
イヤス電圧検出回路であり、自己バイヤス電圧検出回路
14はその内部に直流増幅器を含む。なお、17はＲＦ防止
のためのローパスフィルタである。
基板電極13とＲＦ電極14間にはマッチングボックス15を
介してＲＦ電源16が接続されている。18は前記ＲＦ電極
14に発生した自己バイヤス電圧を検出するための自己バ
イヤス電圧検出回路であり、自己バイヤス電圧検出回路
14はその内部に直流増幅器を含む。なお、17はＲＦ防止
のためのローパスフィルタである。
19は前記自己バイヤス電圧検出回路の出力と基準電圧20
を比較する比較回路であり、この比較回路19の出力は排
気系12に接続されている圧力調整弁22の開閉をコントロ
ールするべくフィードバックされる。
を比較する比較回路であり、この比較回路19の出力は排
気系12に接続されている圧力調整弁22の開閉をコントロ
ールするべくフィードバックされる。
以上のように構成したＲＦプラズマＣＶＤ装置の操作手
順について説明する。
順について説明する。
基板電極13に基板23をホールドしたあと、圧力調整弁
22を開き、チャンバー10内を所定の真空度にまで排気す
る。
22を開き、チャンバー10内を所定の真空度にまで排気す
る。
チャンバーの排気後、ニードルバルブ12を調整しつつ
ガス源11から所定の成膜用ガスをチャンバー内に導入し
チャンバー内を所定の圧力に維持せしめる。
ガス源11から所定の成膜用ガスをチャンバー内に導入し
チャンバー内を所定の圧力に維持せしめる。
ＲＦ電源15をオンしてマッチングボックス15を調整し
つつチャンバー内のプラズマ放電電力が所定値例えば最
大値になるようにする。
つつチャンバー内のプラズマ放電電力が所定値例えば最
大値になるようにする。
プラズマの放電の進行により、ＲＦ電極14上には自己
バイヤス電圧が発生するが、この自己バイヤス電圧は自
己バイヤス電圧検出回路18によりその値が検出され、基
準電圧20と比較されるため、比較回路19に入力される。
比較回路19は両者を比較して、その偏差データを圧力調
整弁22に送出し、圧力調整弁22はその内部に設けたアク
チュエータにより、前記偏差データに対応した分だけ作
動し、チャンバー内の圧力を調節する。その結果、自己
バイヤス電圧が基準電圧と同じになるようにコントロー
ルされる。
バイヤス電圧が発生するが、この自己バイヤス電圧は自
己バイヤス電圧検出回路18によりその値が検出され、基
準電圧20と比較されるため、比較回路19に入力される。
比較回路19は両者を比較して、その偏差データを圧力調
整弁22に送出し、圧力調整弁22はその内部に設けたアク
チュエータにより、前記偏差データに対応した分だけ作
動し、チャンバー内の圧力を調節する。その結果、自己
バイヤス電圧が基準電圧と同じになるようにコントロー
ルされる。
なお、第２図から明らかなように、同じ放電電力ではチ
ャンバー内を低圧力にすれば自己バイヤス電圧が大きく
なり、光圧力にすれば小さくなることからチャンバー内
圧力をコントロールできることが判る。
ャンバー内を低圧力にすれば自己バイヤス電圧が大きく
なり、光圧力にすれば小さくなることからチャンバー内
圧力をコントロールできることが判る。
発明の効果 本発明は比較回路でもって自己バイヤス電圧を基準電圧
と比較し、その出力である偏差データに基づいて圧力調
整弁をコントロールするようにしたので、常に自己バイ
ヤス電圧を一定に保つことが可能となり、したがって再
現性のよい成膜が可能となる。
と比較し、その出力である偏差データに基づいて圧力調
整弁をコントロールするようにしたので、常に自己バイ
ヤス電圧を一定に保つことが可能となり、したがって再
現性のよい成膜が可能となる。
第１図は、本発明の一実施例の原理説明図、第２図はチ
ャンバー内圧力をパラメータとして放電電力と自己バイ
ヤス電圧との関係をプロットしたデータである。 10……チャンバー、15……ＲＦ電源、18……自己バイヤ
ス電圧検出回路、19……比較回路、20……基準電圧、22
……圧力調整弁。
ャンバー内圧力をパラメータとして放電電力と自己バイ
ヤス電圧との関係をプロットしたデータである。 10……チャンバー、15……ＲＦ電源、18……自己バイヤ
ス電圧検出回路、19……比較回路、20……基準電圧、22
……圧力調整弁。
Claims (1)
- 【請求項１】ＲＦ電源と、ＲＦ電極に接続した自己バイ
ヤス電圧検出回路と、前記自己バイヤス電圧検出回路の
出力を基準電圧と比較する比較回路とを具備しており、
かつ前記比較回路の出力を排気系に設けた圧力調整弁に
フィードバックすることにより自己バイヤス電圧をコン
トロールするようにしたことを特徴とするＲＦプラズマ
ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21316185A JPH0627336B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | Ｒｆプラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21316185A JPH0627336B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | Ｒｆプラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6274082A JPS6274082A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0627336B2 true JPH0627336B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=16634574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21316185A Expired - Lifetime JPH0627336B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | Ｒｆプラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627336B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991009150A1 (fr) * | 1989-12-15 | 1991-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Procede et dispositif de traitement plasmique |
| JP2752225B2 (ja) * | 1990-03-22 | 1998-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 硬質炭素膜の合成方法 |
| KR102607297B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2023-11-28 | 에이피시스템 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 모니터링 방법 |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP21316185A patent/JPH0627336B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6274082A (ja) | 1987-04-04 |
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