JPH06273918A - 位相シフトマスクの残留欠陥修正方法とその装置 - Google Patents
位相シフトマスクの残留欠陥修正方法とその装置Info
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- JPH06273918A JPH06273918A JP6442793A JP6442793A JPH06273918A JP H06273918 A JPH06273918 A JP H06273918A JP 6442793 A JP6442793 A JP 6442793A JP 6442793 A JP6442793 A JP 6442793A JP H06273918 A JPH06273918 A JP H06273918A
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Landscapes
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトマスクの位相シフター残留欠陥を
修正する。 【構成】 集束イオンビームのスパッタリング効果を利
用したマスク修正装置において、位相シフトマスクの位
相シフター残留欠陥を修正するために、２次荷電粒子検
出器を複数設け、前記複数の２次荷電粒子検出器の出力
によって、位相シフター残留欠陥の３次元形状を認識
し、欠陥の３次元形状に応じたイオン照射量のマップを
作成し、そのマップに基づいてエッチング加工する。 【効果】 残留欠陥除去後のマスク表面が平坦になり、
位相シフトマスクとして使用できるようになる。
修正する。 【構成】 集束イオンビームのスパッタリング効果を利
用したマスク修正装置において、位相シフトマスクの位
相シフター残留欠陥を修正するために、２次荷電粒子検
出器を複数設け、前記複数の２次荷電粒子検出器の出力
によって、位相シフター残留欠陥の３次元形状を認識
し、欠陥の３次元形状に応じたイオン照射量のマップを
作成し、そのマップに基づいてエッチング加工する。 【効果】 残留欠陥除去後のマスク表面が平坦になり、
位相シフトマスクとして使用できるようになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路製造に使
用される位相シフトマスクおよびレチクルのパターン欠
陥、特に位相シフターの残留欠陥の修正方法およびその
装置に関するものである。
用される位相シフトマスクおよびレチクルのパターン欠
陥、特に位相シフターの残留欠陥の修正方法およびその
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】位相シフトマスク（位相シフトレチク
ル）は、特開昭５８−１７３７４号公報に開示されてい
るように、光の振幅分布のみならず、光の位相差を利用
することにより、マスクの解像度を改善を図るものであ
る。図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に従い、位相
シフトマスクによるホトリソグラフィーの方法（位相シ
フト法）を示す。図５（ａ）は、位相シフトマスクの断
面図であり、ガラス基板６１の表面にＣｒによる遮光パ
ターン６２が形成されている。一つの遮光パターン６２
の隣に非常に接近して、次の遮光パターン６２が形成さ
れており、隣合った遮光パターンの間に開口部６３が形
成される。これらが、繰り返し形成されている。また、
開口部６３には、一つ置きに、透明な膜が形成されてお
り、これは位相シフター６４と呼ばれる。位相シフター
６４の材質は、透明な材質であり、フッ化マグネシウ
ム、二酸化チタン、二酸化珪素等の無機物質並びにポリ
マー材料等の有機物がある。また、レジスト材を使用す
ることも有用である。
ル）は、特開昭５８−１７３７４号公報に開示されてい
るように、光の振幅分布のみならず、光の位相差を利用
することにより、マスクの解像度を改善を図るものであ
る。図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に従い、位相
シフトマスクによるホトリソグラフィーの方法（位相シ
フト法）を示す。図５（ａ）は、位相シフトマスクの断
面図であり、ガラス基板６１の表面にＣｒによる遮光パ
ターン６２が形成されている。一つの遮光パターン６２
の隣に非常に接近して、次の遮光パターン６２が形成さ
れており、隣合った遮光パターンの間に開口部６３が形
成される。これらが、繰り返し形成されている。また、
開口部６３には、一つ置きに、透明な膜が形成されてお
り、これは位相シフター６４と呼ばれる。位相シフター
６４の材質は、透明な材質であり、フッ化マグネシウ
ム、二酸化チタン、二酸化珪素等の無機物質並びにポリ
マー材料等の有機物がある。また、レジスト材を使用す
ることも有用である。
【０００３】図５（ａ）において、上方から照射された
コヒーレントな光は、各開口部６３を通過し、直接また
は、レンズ光学系を経てウエハー上に像を結ぶ。位相シ
フター６４を通過した光は、位相シフター６４のない部
分を通過した光と比較して、光の位相は１８０度変化す
る。マスクの開口部６３を通過した光の振幅分布は図５
（ｂ）に示すようになる。つまり、位相シフター６４の
ある開口部６３と位相シフター６４のない開口部６３を
通過した光は、お互いに位相が１８０度ずれることにな
る。また、開口部６３を通過した光は回折するため、遮
光パターン６２の影の部分に相当するウエハー上にも回
折光が到達する。このため、ウエハー上に到達する光の
振幅強度は、図５（ｃ）のようになる。ある遮光パター
ン６２の影部分に回折して左右の開口部６３から廻り込
んだ光はお互いに位相が１８０度ずれている。つまり、
それらは打ち消しあい、ウエハー上に照射される光の強
度分布は図５（ｄ）のようになる。つまり、開口部の像
が分離される。
コヒーレントな光は、各開口部６３を通過し、直接また
は、レンズ光学系を経てウエハー上に像を結ぶ。位相シ
フター６４を通過した光は、位相シフター６４のない部
分を通過した光と比較して、光の位相は１８０度変化す
る。マスクの開口部６３を通過した光の振幅分布は図５
（ｂ）に示すようになる。つまり、位相シフター６４の
ある開口部６３と位相シフター６４のない開口部６３を
通過した光は、お互いに位相が１８０度ずれることにな
る。また、開口部６３を通過した光は回折するため、遮
光パターン６２の影の部分に相当するウエハー上にも回
折光が到達する。このため、ウエハー上に到達する光の
振幅強度は、図５（ｃ）のようになる。ある遮光パター
ン６２の影部分に回折して左右の開口部６３から廻り込
んだ光はお互いに位相が１８０度ずれている。つまり、
それらは打ち消しあい、ウエハー上に照射される光の強
度分布は図５（ｄ）のようになる。つまり、開口部の像
が分離される。
【０００４】ここで、位相シフト法を実現するために、
位相シフター６４が所定の位置に確実に、存在していな
ければならないが、たびたび図４に示すように位相シフ
ターの残留欠陥が生じる。位相シフトマスクの位相シフ
ターの残留欠陥６５ａは、ガラス基板６１の上、位相シ
フターのない開口部６３に、位相シフター材が残存して
いるものである。その残留欠陥６５ａを除去するため、
残留欠陥６５ａ部分領域のみ集束イオンビームを繰り返
し走査しながら照射して、イオンスパッタにより、飛散
させることが考えられる。
位相シフター６４が所定の位置に確実に、存在していな
ければならないが、たびたび図４に示すように位相シフ
ターの残留欠陥が生じる。位相シフトマスクの位相シフ
ターの残留欠陥６５ａは、ガラス基板６１の上、位相シ
フターのない開口部６３に、位相シフター材が残存して
いるものである。その残留欠陥６５ａを除去するため、
残留欠陥６５ａ部分領域のみ集束イオンビームを繰り返
し走査しながら照射して、イオンスパッタにより、飛散
させることが考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】位相シフターの残留欠
陥６５ａは、図４に示されるように、一般に三次元形状
をしている。全ての残留欠陥を除去するために集束イオ
ンビームを照射した場合、残留欠陥６５ａである位相シ
フターの厚みの薄い部分、特に周辺部分は集束イオンビ
ームの照射により、直ちに除去されガラス基板６１まで
削ってしまうことになる。
陥６５ａは、図４に示されるように、一般に三次元形状
をしている。全ての残留欠陥を除去するために集束イオ
ンビームを照射した場合、残留欠陥６５ａである位相シ
フターの厚みの薄い部分、特に周辺部分は集束イオンビ
ームの照射により、直ちに除去されガラス基板６１まで
削ってしまうことになる。
【０００６】このように、ガラス基板６１に損傷がある
と、その部分において板厚が他の部分と異なることにな
り、その部分を通過した照射光は、正常な板厚の部分を
通過した光と位相が異なることになる。その結果、微細
なパターンを正確に転写できないことになる。
と、その部分において板厚が他の部分と異なることにな
り、その部分を通過した照射光は、正常な板厚の部分を
通過した光と位相が異なることになる。その結果、微細
なパターンを正確に転写できないことになる。
【０００７】このため、実際は、位相シフターの残留欠
陥６５ａを正確に除去する方法がなかった。
陥６５ａを正確に除去する方法がなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、試料表面に形
成されている位相シフター欠陥領域を含む領域を、集束
イオンビームにて、偏向電極にて走査しながら照射し、
複数の二次荷電粒子検出器にて、前記集束イオンビーム
照射により前記試料から発生する二次荷電粒子を検出
し、前記複数の二次荷電粒子検出器により検出された二
次荷電粒子検出強度に基づき位相シフター欠陥の三次元
形状を演算装置により認識し、前記演算装置により認識
された位相シフター欠陥の試料平面位置に対応した前記
位相シフター欠陥の厚さに基づいて集束イオンビーム照
射の照射量マップを前記演算器にて作成し、前記集束イ
オンビーム照射の照射量マップに応じて、前記イオンビ
ームを前記位相シフター欠陥に照射することを特徴とす
る位相シフトマスクの欠陥修正方法及びその装置であ
る。
成されている位相シフター欠陥領域を含む領域を、集束
イオンビームにて、偏向電極にて走査しながら照射し、
複数の二次荷電粒子検出器にて、前記集束イオンビーム
照射により前記試料から発生する二次荷電粒子を検出
し、前記複数の二次荷電粒子検出器により検出された二
次荷電粒子検出強度に基づき位相シフター欠陥の三次元
形状を演算装置により認識し、前記演算装置により認識
された位相シフター欠陥の試料平面位置に対応した前記
位相シフター欠陥の厚さに基づいて集束イオンビーム照
射の照射量マップを前記演算器にて作成し、前記集束イ
オンビーム照射の照射量マップに応じて、前記イオンビ
ームを前記位相シフター欠陥に照射することを特徴とす
る位相シフトマスクの欠陥修正方法及びその装置であ
る。
【０００９】
【作用】集束イオンビームを試料に照射すると、試料か
ら二次荷電粒子が放出される。その二次荷電粒子の二次
荷電粒子検出器による検出強度は、集束イオンビーム強
度および試料の材質が一定ならば、集束イオンビームと
試料表面との角度である入射角と、二次荷電粒子を検出
する方向と試料表面との角度である検出角によって変化
する。ここで、入射角および検出角が９０度のとき最も
検出強度が高く、それらが０度のときは零になる。
ら二次荷電粒子が放出される。その二次荷電粒子の二次
荷電粒子検出器による検出強度は、集束イオンビーム強
度および試料の材質が一定ならば、集束イオンビームと
試料表面との角度である入射角と、二次荷電粒子を検出
する方向と試料表面との角度である検出角によって変化
する。ここで、入射角および検出角が９０度のとき最も
検出強度が高く、それらが０度のときは零になる。
【００１０】集束イオンビームの照射方向と二次荷電粒
子検出方向は、残留欠陥領域内では、どの位置において
も実質的には同一の方向である。従って、残留欠陥の表
面形状により、二次荷電粒子検出器により検出される二
次荷電粒子強度は、変化することになり、その変化を検
出することにより、残留欠陥の三次元形状を検出・確認
することができる。残留欠陥の材質は既に既知のもので
あるので、集束イオンビーム照射による単位時間当たり
のスパッタ量は決まっている。ここで、残留欠陥の各位
置（Ｘi ，Ｙi ）における厚さ（Ｚi ）から、各位置に
おける集束イオンビーム照射量（時間）が決まる。従っ
て、集束イオンビーム照射の照射量（時間）マップを作
成することができる。
子検出方向は、残留欠陥領域内では、どの位置において
も実質的には同一の方向である。従って、残留欠陥の表
面形状により、二次荷電粒子検出器により検出される二
次荷電粒子強度は、変化することになり、その変化を検
出することにより、残留欠陥の三次元形状を検出・確認
することができる。残留欠陥の材質は既に既知のもので
あるので、集束イオンビーム照射による単位時間当たり
のスパッタ量は決まっている。ここで、残留欠陥の各位
置（Ｘi ，Ｙi ）における厚さ（Ｚi ）から、各位置に
おける集束イオンビーム照射量（時間）が決まる。従っ
て、集束イオンビーム照射の照射量（時間）マップを作
成することができる。
【００１１】この、集束イオンビーム照射の照射量（時
間）マップに従って、集束イオンビームを残留欠陥の各
位置（Ｘi ，Ｙi ）に照射することにより、位相シフタ
ーの残留欠陥を平らに修正することができる。
間）マップに従って、集束イオンビームを残留欠陥の各
位置（Ｘi ，Ｙi ）に照射することにより、位相シフタ
ーの残留欠陥を平らに修正することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は位相シフトマスクの欠陥修正装置の概略
断と回路ブロック図を示す。集束イオンビーム６を照射
する集束イオンビーム照射系は、既に広く知られている
ので、詳細な説明は省略する。１はイオン源であり、イ
オンを発生する。２は集束レンズであり５は対物レンズ
である。ともに、イオンを絞るためのレンズである。３
はブランキング電極であり、試料９に集束イオンビーム
６を照射させないときに働かす。試料９はＹＸ方向に移
動可能な試料ステージ１０に載置される。４は走査電極
であり、集束イオンビーム６を試料９表面上走査させる
ものである。走査電極４にて通常試料９表面の矩形領域
を集束イオンビーム６にて走査させ、その走査領域のう
ち、集束イオンビーム６の照射の必要のない箇所のと
き、ブランキング電極３を働かせ、任意の領域を集束イ
オンビーム照射する。イオン源１と集束レンズ２とブラ
ンキング電極３と走査電極４と対物レンズ５により集束
イオンビーム照射手段が形成されている。
明する。図１は位相シフトマスクの欠陥修正装置の概略
断と回路ブロック図を示す。集束イオンビーム６を照射
する集束イオンビーム照射系は、既に広く知られている
ので、詳細な説明は省略する。１はイオン源であり、イ
オンを発生する。２は集束レンズであり５は対物レンズ
である。ともに、イオンを絞るためのレンズである。３
はブランキング電極であり、試料９に集束イオンビーム
６を照射させないときに働かす。試料９はＹＸ方向に移
動可能な試料ステージ１０に載置される。４は走査電極
であり、集束イオンビーム６を試料９表面上走査させる
ものである。走査電極４にて通常試料９表面の矩形領域
を集束イオンビーム６にて走査させ、その走査領域のう
ち、集束イオンビーム６の照射の必要のない箇所のと
き、ブランキング電極３を働かせ、任意の領域を集束イ
オンビーム照射する。イオン源１と集束レンズ２とブラ
ンキング電極３と走査電極４と対物レンズ５により集束
イオンビーム照射手段が形成されている。
【００１３】８は二次荷電粒子検出器としての二次電子
検出器であり、集束イオンビーム照射により試料９から
発生する二次荷電粒子としての二次電子７を検出する。
二次電子検出器８は複数設けられており、集束イオンビ
ーム６の試料９照射位置にその検出窓が向けられてい
る。
検出器であり、集束イオンビーム照射により試料９から
発生する二次荷電粒子としての二次電子７を検出する。
二次電子検出器８は複数設けられており、集束イオンビ
ーム６の試料９照射位置にその検出窓が向けられてい
る。
【００１４】本実施例においては、２つの二次電子検出
器８１、８２が集束イオンビーム軸に対して対称の位置
および角度にて配置されている。まず、集束イオンビー
ム６で試料９の表面にある位相シフターの残留欠陥６５
領域含む領域を偏向電極にて走査させながら照射する。
集束イオンビーム６の照射により、試料９から発生する
二次電子７を二次電子検出器８１、８２にて検出する。
それぞれの、二次電子検出器８１、８２の出力はＡ／Ｄ
変換器１１によりＡ／Ｄ変換された後、演算装置１２に
より残存欠陥６５の三次元形状を検出・確認する。
器８１、８２が集束イオンビーム軸に対して対称の位置
および角度にて配置されている。まず、集束イオンビー
ム６で試料９の表面にある位相シフターの残留欠陥６５
領域含む領域を偏向電極にて走査させながら照射する。
集束イオンビーム６の照射により、試料９から発生する
二次電子７を二次電子検出器８１、８２にて検出する。
それぞれの、二次電子検出器８１、８２の出力はＡ／Ｄ
変換器１１によりＡ／Ｄ変換された後、演算装置１２に
より残存欠陥６５の三次元形状を検出・確認する。
【００１５】残存欠陥６５の三次元形状を検出・確認方
法を以下に述べる。まず、図２（ａ）に従い、用語の説
明をする。集束イオンビーム６の試料９の表面に対して
入射する角度を入射角２５とする。また、２つの二次電
子検出器８１、８２の試料表面に対して検出する角度を
それぞれ検出角２６、２７とする。また、二次電子の検
出方向をそれぞれ３６、３７とする。
法を以下に述べる。まず、図２（ａ）に従い、用語の説
明をする。集束イオンビーム６の試料９の表面に対して
入射する角度を入射角２５とする。また、２つの二次電
子検出器８１、８２の試料表面に対して検出する角度を
それぞれ検出角２６、２７とする。また、二次電子の検
出方向をそれぞれ３６、３７とする。
【００１６】次に、図２（ｂ）〜（ｆ）に従い、三次元
形状の検出方法について説明する。試料９の表面を集束
イオンビーム６にて照射したときに発生する二次電子の
放出強度は、入射角２５が９０度に近いほど強くなり、
また、検出角２６、２７が９０度に近い程多くの二次電
子を検出する。２つの二次電子検出器８１、８２の検出
する二次電子量は、検出角２６、２７が等しい時は、等
しく、検出角２６、２７が９０度に近い方がより多くの
二次電子を検出する。従って、試料９面と二次電子検出
８１、８２が図２（ｂ）のように与えられたとき、２つ
の二次電子検出器８１、８２によって得られる信号２
９、３０は、それぞれ図２（ｃ）及び図２（ｄ）のよう
になる。つまり、試料表面の傾いている面からの二次電
子は、その方にある二次電子検出器（例えば８１）の方
で多く検出され、逆向きの面からの二次電子は他方の二
次電子検出器８２で多く検出される。この２つの信号の
差を求めると図２（ｅ）の信号３１が得られる。さら
に、差の信号３１を集束イオンビーム６の走査方向にて
積分することにより、走査方向（Ｘ方向）の試料（ここ
では、残留欠陥６５）の高さ（Ｚ方向）のデータ３２が
図２（ｆ）のように得られる。この集束イオンビーム６
の走査をＹ方向に少しずらして繰り返すことにより残留
欠陥６５の三次元形状を検出・確認することができる。
これらの演算は、演算装置１２にて行われる。
形状の検出方法について説明する。試料９の表面を集束
イオンビーム６にて照射したときに発生する二次電子の
放出強度は、入射角２５が９０度に近いほど強くなり、
また、検出角２６、２７が９０度に近い程多くの二次電
子を検出する。２つの二次電子検出器８１、８２の検出
する二次電子量は、検出角２６、２７が等しい時は、等
しく、検出角２６、２７が９０度に近い方がより多くの
二次電子を検出する。従って、試料９面と二次電子検出
８１、８２が図２（ｂ）のように与えられたとき、２つ
の二次電子検出器８１、８２によって得られる信号２
９、３０は、それぞれ図２（ｃ）及び図２（ｄ）のよう
になる。つまり、試料表面の傾いている面からの二次電
子は、その方にある二次電子検出器（例えば８１）の方
で多く検出され、逆向きの面からの二次電子は他方の二
次電子検出器８２で多く検出される。この２つの信号の
差を求めると図２（ｅ）の信号３１が得られる。さら
に、差の信号３１を集束イオンビーム６の走査方向にて
積分することにより、走査方向（Ｘ方向）の試料（ここ
では、残留欠陥６５）の高さ（Ｚ方向）のデータ３２が
図２（ｆ）のように得られる。この集束イオンビーム６
の走査をＹ方向に少しずらして繰り返すことにより残留
欠陥６５の三次元形状を検出・確認することができる。
これらの演算は、演算装置１２にて行われる。
【００１７】次に、残留欠陥６５の三次元形状に応じ
た、集束イオンビーム６照射方法を図３に基づいて説明
する。残留欠陥６５の三次元形状が図３の平面及び側面
図のように与えらたとする。この情報から集束イオンビ
ーム照射量マップをつくる。単位時間当たりにエッチン
グされる量（残留欠陥６５の厚さ４２）を単位として等
高線４４を引き、その等高線４４で囲まれた領域のみ
を、上から順々に集束イオンビーム６にて走査させなか
ら照射する。つまり、始めは６５ａで示される領域を単
位時間集束イオンビーム６にて走査させなから照射し、
次に、６５ｂで示される領域を単位時間集束イオンビー
ム６にて走査させなから照射し、更に次に、６５ｃで示
される領域を照射する。前述の単位時間を十分短くする
ことにより、ガラス基板５１表面に損傷を与えることな
く残留欠陥６５の除去ができる。
た、集束イオンビーム６照射方法を図３に基づいて説明
する。残留欠陥６５の三次元形状が図３の平面及び側面
図のように与えらたとする。この情報から集束イオンビ
ーム照射量マップをつくる。単位時間当たりにエッチン
グされる量（残留欠陥６５の厚さ４２）を単位として等
高線４４を引き、その等高線４４で囲まれた領域のみ
を、上から順々に集束イオンビーム６にて走査させなか
ら照射する。つまり、始めは６５ａで示される領域を単
位時間集束イオンビーム６にて走査させなから照射し、
次に、６５ｂで示される領域を単位時間集束イオンビー
ム６にて走査させなから照射し、更に次に、６５ｃで示
される領域を照射する。前述の単位時間を十分短くする
ことにより、ガラス基板５１表面に損傷を与えることな
く残留欠陥６５の除去ができる。
【００１８】この等高線４４に相当するものが集束イオ
ンビーム照射量マップであり、この作成も演算装置１２
にて行われる。なお、集束イオンビーム照射量マップお
よび残留欠陥６５の形状は表示装置１４にて表示され
る。演算装置１２にて演算された集束イオンビーム照射
量マップに基づき、イオン光学系制御電源１３を介して
集束イオンビーム照射系の各要素を制御する。
ンビーム照射量マップであり、この作成も演算装置１２
にて行われる。なお、集束イオンビーム照射量マップお
よび残留欠陥６５の形状は表示装置１４にて表示され
る。演算装置１２にて演算された集束イオンビーム照射
量マップに基づき、イオン光学系制御電源１３を介して
集束イオンビーム照射系の各要素を制御する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
二次荷電粒子検出器を複数個設け、それらの出力を演算
処理することにより、残留欠陥の三次元形状を求め、得
られた残留欠陥の三次元形状から集束イオンビーム照射
マップを作成し、そのマップに従って、集束イオンビー
ムを照射することにより、位相シフトマスク及びレチク
ルの残留欠陥をその基板を損傷することなく除去するこ
とができる。これによって、従来修正することができな
かった位相シフトマスクおよびレチクルの残留欠陥を修
正することができるようになった。
二次荷電粒子検出器を複数個設け、それらの出力を演算
処理することにより、残留欠陥の三次元形状を求め、得
られた残留欠陥の三次元形状から集束イオンビーム照射
マップを作成し、そのマップに従って、集束イオンビー
ムを照射することにより、位相シフトマスク及びレチク
ルの残留欠陥をその基板を損傷することなく除去するこ
とができる。これによって、従来修正することができな
かった位相シフトマスクおよびレチクルの残留欠陥を修
正することができるようになった。
【図１】本発明の位相シフトマスクの欠陥修正装置の概
略断と回路ブロック図を示す。
略断と回路ブロック図を示す。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、集束イオンビームと二
次電子検出器と試料表面の関係を示す平面図を示す。
（ｃ）は、二次電子検出器８１の検出信号２９を示すグ
ラフである。（ｄ）は、二次電子検出器８２の検出信号
３０を示すグラフである。（ｅ）は、検出信号２９と検
出信号３０との差３１を示すグラフである。（ｆ）は、
検出信号２９と検出信号３０との差３１を積分したグラ
フである。
次電子検出器と試料表面の関係を示す平面図を示す。
（ｃ）は、二次電子検出器８１の検出信号２９を示すグ
ラフである。（ｄ）は、二次電子検出器８２の検出信号
３０を示すグラフである。（ｅ）は、検出信号２９と検
出信号３０との差３１を示すグラフである。（ｆ）は、
検出信号２９と検出信号３０との差３１を積分したグラ
フである。
【図３】残留欠陥６５の三次元形状および照射量マップ
を示す平面及び側面図である。
を示す平面及び側面図である。
【図４】残存欠陥を示す断面図である。
【図５】（ａ）位相シフターマスクの断面図である。
（ｂ）マスク上での光振幅分布を示すグラフである。
（ｃ）ウエハー上での光振幅分布を示すグラフである。
（ｄ）ウエハー上での光強度分布を示すグラフである。
（ｂ）マスク上での光振幅分布を示すグラフである。
（ｃ）ウエハー上での光振幅分布を示すグラフである。
（ｄ）ウエハー上での光強度分布を示すグラフである。
１ イオン源 ２ 集束レンズ ４ 走査電極 ６ 集束イオンビーム ９ 試料 １１ Ａ／Ｄ変換器 １２ 演算器 １３ イオン光学系制御電源 ４２ 単位時間当たりのエッチング量 ４４ 等高線 ６１ ガラス基板 ６２ 遮光パターン ６３ 開口部 ６４ 位相シフター ６５ 残留欠陥 ８１、８２ 二次電子検出器
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｄ 9277−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 試料表面に形成されている位相シフター
残留欠陥領域を含む領域を、集束イオンビームにて、偏
向電極にて走査しながら照射し、複数の二次荷電粒子検
出器にて、前記集束イオンビーム照射により前記試料か
ら発生する二次荷電粒子を検出し、前記複数の二次荷電
粒子検出器により検出された二次荷電粒子検出強度に基
づき位相シフター欠陥の三次元形状を演算装置により認
識し、前記演算装置により認識された位相シフター残留
欠陥の試料平面位置に対応した前記位相シフター残留欠
陥の厚さに基づいて集束イオンビーム照射の照射量マッ
プを前記演算器にて作成し、前記集束イオンビーム照射
の照射量マップに応じて、前記イオンビームを前記位相
シフター残留欠陥に照射することを特徴とする位相シフ
トマスクの残留欠陥修正方法。 - 【請求項２】 試料表面に形成されている位相シフター
残留欠陥領域を含む領域を偏向電極にて走査しながら照
射する集束イオンビーム照射手段と、前記集束イオンビ
ーム照射により前記試料から発生する二次荷電粒子を検
出する複数の二次荷電粒子検出器と、前記複数の二次荷
電粒子検出器により検出された二次荷電粒子検出強度に
基づき位相シフター残留欠陥の三次元形状を認識し、前
記認識された位相シフター残留欠陥の試料平面位置に対
応した前記位相シフター残留欠陥の厚さに基づいて集束
イオンビーム照射の照射量マップを作成する前記演算器
と、前記集束イオンビーム照射の照射量マップに応じ
て、前記イオンビームを前記位相シフター残留欠陥に照
射するイオン光学系制御手段よりなることを特徴とする
位相シフトマスクの残留欠陥修正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6442793A JPH06273918A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 位相シフトマスクの残留欠陥修正方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6442793A JPH06273918A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 位相シフトマスクの残留欠陥修正方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273918A true JPH06273918A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13257975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6442793A Pending JPH06273918A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 位相シフトマスクの残留欠陥修正方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06273918A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005539273A (ja) * | 2002-09-18 | 2005-12-22 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | フォトリソグラフィ用マスクの修正 |
| US20110231134A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and method therefor |
| JP2015043100A (ja) * | 2014-10-29 | 2015-03-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1993
- 1993-03-23 JP JP6442793A patent/JPH06273918A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005539273A (ja) * | 2002-09-18 | 2005-12-22 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | フォトリソグラフィ用マスクの修正 |
| US7662524B2 (en) | 2002-09-18 | 2010-02-16 | Fei Company | Photolithography mask repair |
| US20110231134A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and method therefor |
| JP2011198783A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| US9552963B2 (en) | 2010-03-17 | 2017-01-24 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and method therefor |
| JP2015043100A (ja) * | 2014-10-29 | 2015-03-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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