JPH06275132A

JPH06275132A - タッチパネル電極膜

Info

Publication number: JPH06275132A
Application number: JP8383993A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Yamada; 一博山田; Yoshihiro Arai; 芳博荒井
Original assignee: Tonen Sekiyu Kagaku KK; Tonen Chemical Corp
Current assignee: Tonen Chemical Corp
Priority date: 1993-03-19
Filing date: 1993-03-19
Publication date: 1994-09-30

Abstract

(57)【要約】【目的】均一性および安定性に優れた高抵抗のタッチ
パネル電極膜を提供する。【構成】基板上に、Ｓｉおよび／またはＳｉ化合物を
含む層を有するタッチパネル電極膜。Ｓｉおよび／また
はＳｉ化合物を含む層には、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ等の金属を含有することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はタッチパネル電極膜に関
し、さらに詳しくは高抵抗のタッチパネル電極膜に関す
る。

【０００２】

【従来の技術およびその課題】従来、抵抗膜方式のアナ
ログ式タッチパネルや静電容量方式のタッチパネル等に
おいて使用される高抵抗のタッチパネル電極膜は、シー
ト抵抗が約１ｋΩ／□（抵抗率約10^-2Ω・cm）程度であ
る電極膜が主流であった。そのようなタッチパネル電極
膜には酸化物半導体、例えばＩｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎ_2-xＳｎ_xＯ₃化合物）等が使用されてお
り、これらの不純物ドープ量もしくは酸素空孔量を制御
して、抵抗率を増加させていた。例えば成膜時の反応ガ
ス（Ｏ₂など）の分圧を高めるといった方法によって、
ＩＴＯの酸素空孔量を減少させると、抵抗率が約10^-2Ω
・cmの電極膜を形成させることができる。

【０００３】しかし、これらのタッチパネルの高分解能
化に伴い、より高いシート抵抗（約１０〜１０００ｋΩ
／□）を有し、その均一性および直線性の優れた電極膜
が求められるようになった。酸化物半導体の抵抗率をさ
らに増加させるために、例えば成膜時に反応ガスの分圧
をさらに高めたり、成膜時のプラズマ発生量を増加させ
たり、蒸発源の酸素空孔量を減らす等の方法が試みられ
ている。

【０００４】ところが、これらのタッチパネルの高分解
能化に伴う電極膜のより一層の高抵抗化には、従来の酸
化物半導体の電極膜では対応できなくなってきた。なぜ
なら、これらの酸化物半導体を高抵抗化した（抵抗率10
^-1〜10Ω・cm，シート抵抗10〜1000ｋΩ／□）電極膜は
以下の欠点を有しているからである。すなわち、高抵
抗な領域では酸素空孔量に対する抵抗率の変化が急峻な
ため、所望の抵抗率への制御性が悪い、均一性が劣
る、つまりタッチパネルの重要な特性であるシート抵抗
の直線性が劣る、さらに抵抗率の経時変化が大きい等
である。このように、従来使用されていた酸化物半導体
の抵抗率を増加させる方法では、均一性および安定性に
優れた高抵抗の電極膜は未だ得られていない。

【０００５】そこで本発明は、均一性および安定性に優
れた高抵抗のタッチパネル電極膜を提供することを目的
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、酸化物半
導体膜の代わりにケイ素やケイ素系化合物を使用する
と、均一性および安定性に優れた高抵抗の電極膜が得ら
れることを見出し本発明に到達した。

【０００７】すなわち本発明のタッチパネル電極膜は、
基板上に、Ｓｉおよび／またはＳｉ化合物を含む層を少
なくとも有することを特徴とする。

【０００８】本発明の電極膜に使用する基板としては、
ガラス、プラスチック、例えばポリエチレンテレフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、
ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリ
スチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン等（単独重合
体の他に共重合体も含む）の基板が挙げられる。また、
基板はこれらを２種以上含む積層体であっても良い。基
板の厚さは、用途によって異なるが、通常１０〜１００
０μｍである。なお、基板がプラスチックフィルムであ
る場合、耐摩耗性、耐溶剤性、耐アルカリ性、ガスバリ
ア性を有する化合物、例えば熱硬化型ポリオルガノシロ
キサン等の層を基板の片側または両側に設けることがで
きる。

【０００９】基板上にはケイ素（Ｓｉ）および／または
Ｓｉ化合物を含む層が設けられる。Ｓｉ化合物として
は、例えばＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＯ、ＳｉＣＮなどが
挙げられる。これらは単独でまたは２種以上組み合わせ
て用いることができる。この層にはさらに、周期律表３
Ａ〜７Ａ族、８族および３Ｂ族の元素のうち、融点が１
０００℃以上の金属を含有することができる。このよう
な金属としては、例えばＹ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ｂ等が挙げられる。これら金属は単独でまたは２
種以上組み合わせて用いることができる。ケイ素および
／またはＳｉ化合物に対する上記金属の添加量は、ケイ
素および／またはＳｉ化合物の種類および電極膜の所望
の抵抗率に応じて調整することができる。通常、ケイ素
および／またはＳｉ化合物１００重量部に対して上記金
属を０〜３０重量部添加するのが好ましく、より好まし
くは１０〜２０重量部添加する。

【００１０】ケイ素および／またはＳｉ化合物を含む層
は、慣用の成膜手段、例えばスパッタ法、イオンプレー
ティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の公知の成膜法を
使用して、基板上に作製することができる。上記金属を
含む場合には、成膜の際に、蒸発源として上記金属との
混合物を用いたり、ケイ素および／またはＳｉ化合物の
ターゲットに添加金属チップを置くといった方法を用い
る。雰囲気ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘ
ｅ等の不活性ガスおよびＣＨ₄等の有機系ガスが使用で
きる。成膜の他の条件は、各成膜方法における慣用の条
件を使用できる。層厚は好ましくは５００〜３０００オ
ングストローム、より好ましくは５００〜１０００オン
グストロームである。

【００１１】本発明のタッチパネル電極膜は、抵抗膜方
式のアナログ式、静電容量方式等のタッチパネル電極膜
において使用でき、それらにおいて通常行われる指タッ
チ入力や手書き入力が効率良く行なえる。

【００１２】

【実施例】以下の実施例により、本発明をさらに詳しく
説明する。実施例１〜５および比較例１〜２厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）基板上に、直流プレーナー型マグネトロンスパッタ
装置（基板搬送型、ＵＬＶＡＣ社製）を使用して、初期
真空度：５×10^-6Torr、スパッタガス圧：８×10^-3Torr
（雰囲気ガスＡｒ）の条件にて成膜を行った。ターゲッ
トとして、表１に示したケイ素化合物と金属との混合物
を用いた。また、比較例２では、Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯ₂
粉末の焼結ターゲット（重量比９０：１０）を用いた。

【００１３】かくして層厚１０００オングストロームの
層を成膜した。この膜について、シート抵抗および抵抗
率を測定し、均一性および安定性を調べた。

【００１４】なお、シート抵抗は四端子法により測定
し、抵抗率を計算によって求めた。均一性は、50×50cm
のシートにおいて5 cm間隔に測定点を決め、それぞれの
測定点におけるシート抵抗の標準偏差を求め、（標準偏
差／平均値）×１００で計算した。安定性は、１００℃
で６０時間の高温試験後の抵抗率の、初期値に対する変
化率（％）で表した。結果を表１に示す。

【００１５】

【表１】

【００１６】＊Ｉｎ_2-xＳｎ_xＯ₃ ＊＊膜厚１０００オングストロームに換算した。実施例６〜７および比較例３厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）基板上に、イオンプレーティング法によって、Ｓｉ
Ｃ／Ｃｒの層（実施例６）、ＳｉＣ／Ｃｏの層（実施例
７）またはＩＴＯ層（比較例３）を成膜した。なお、基
板には２．０ｋｗの高周波電圧を印加し、反応ガスとし
て実施例ではＡｒを、比較例３ではＡｒ＋Ｏ₂を用い、
初期真空度５×10^-6Torr、ガス圧２×10^-4Torr（実施例
６、７）および８×10^-4Torr（比較例３）の条件にて行
った。

【００１７】かくして層厚１０００オングストロームの
層を成膜した。この膜について、実施例１〜５と同様に
して、同一条件にてシート抵抗および抵抗率を測定し、
また均一性および安定性を調べた。結果を表２に示す。

【００１８】

【表２】

【００１９】＊Ｉｎ_2-xＳｎ_xＯ₃ ＊＊膜厚１０００オングストロームに換算した。

【００２０】

【発明の効果】本発明のタッチパネル電極膜は高い抵抗
率を有する。また、所望の抵抗率への制御が容易であ
り、均一性に優れ、また経時変化が少なく安定性が良
い。よって、工業的に有用性が高い。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、Ｓｉおよび／またはＳｉ化合
物を含む層を少なくとも有することを特徴とするタッチ
パネル電極膜。