JPH06275345A - 高周波同軸コネクター - Google Patents
高周波同軸コネクターInfo
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- JPH06275345A JPH06275345A JP4337774A JP33777492A JPH06275345A JP H06275345 A JPH06275345 A JP H06275345A JP 4337774 A JP4337774 A JP 4337774A JP 33777492 A JP33777492 A JP 33777492A JP H06275345 A JPH06275345 A JP H06275345A
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- outer conductor
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- frequency coaxial
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Links
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Landscapes
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ＤＣより４０ＧＨｚあるいはそれ以上の周波数
において、電気的に安定した特性を持ちインピーダンス
の不整合及び電波の漏洩がなく、且つ機械的にも秀れた
高周波同軸コネクタを提供する。 【構成】中心導体、誘電体層および外部導体より成る高
周波同軸コネクターにおいて、中心導体の中央部付近に
中心導体小径部６を有し、これに対応する位置の外部導
体内壁に外部導体内径拡大部７を有し、中心導体小径部
６および外部導体内径拡大部７の画する空間に、接着性
硬化型の高誘電体樹脂を充満して硬化せしめ、中心導
体、誘電体層および外部導体を強固に接合するための高
誘電体樹脂層８を設ける。
において、電気的に安定した特性を持ちインピーダンス
の不整合及び電波の漏洩がなく、且つ機械的にも秀れた
高周波同軸コネクタを提供する。 【構成】中心導体、誘電体層および外部導体より成る高
周波同軸コネクターにおいて、中心導体の中央部付近に
中心導体小径部６を有し、これに対応する位置の外部導
体内壁に外部導体内径拡大部７を有し、中心導体小径部
６および外部導体内径拡大部７の画する空間に、接着性
硬化型の高誘電体樹脂を充満して硬化せしめ、中心導
体、誘電体層および外部導体を強固に接合するための高
誘電体樹脂層８を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波、ミリ波、特
にＫｕおよびＫａ帯を含むＳＨＦ帯更にはＥＨＦ帯にお
いて用いられて、安定した電気的特性を持ち、又機械的
特性にも秀れた高周波同軸コネクターに関するものであ
る。
にＫｕおよびＫａ帯を含むＳＨＦ帯更にはＥＨＦ帯にお
いて用いられて、安定した電気的特性を持ち、又機械的
特性にも秀れた高周波同軸コネクターに関するものであ
る。
【０００２】ＳＭＡ型コネクターはＤＣから１８ＧＨｚ
の分野で広く使用されてきたが、これをＫ帯域またはそ
れ以上の短波長帯域で使用するのには、中心導体、誘電
体及び外部導体の諸元を変更して、より高い周波数帯域
でも使用可能にすることが行われている。
の分野で広く使用されてきたが、これをＫ帯域またはそ
れ以上の短波長帯域で使用するのには、中心導体、誘電
体及び外部導体の諸元を変更して、より高い周波数帯域
でも使用可能にすることが行われている。
【０００３】しかしながら、マイクロ波またはミリ波に
おいて使用される高周波同軸コネクターにおいては、電
圧定在波比（以下ＶＳＷＲという）が小さく、電波漏洩
がなく、再現性に秀れたものであることが要求される。
おいて使用される高周波同軸コネクターにおいては、電
圧定在波比（以下ＶＳＷＲという）が小さく、電波漏洩
がなく、再現性に秀れたものであることが要求される。
【０００４】
【従来の技術】又、高周波同軸コネクターは、如何にし
て導体のＶＳＷＲを小さく、電波漏洩を最小にし、しか
も之を如何に強固に支持するかが課題であり、これに対
して従来から用いられる方法としては、例えば特公昭５
２−６４７４号公報に開示せられる如く外部導体と誘電
体に穴を明け、これにエポキシ樹脂を注入して、中心導
体、誘電体及び外部導体を接合する方法が用いられてい
る。
て導体のＶＳＷＲを小さく、電波漏洩を最小にし、しか
も之を如何に強固に支持するかが課題であり、これに対
して従来から用いられる方法としては、例えば特公昭５
２−６４７４号公報に開示せられる如く外部導体と誘電
体に穴を明け、これにエポキシ樹脂を注入して、中心導
体、誘電体及び外部導体を接合する方法が用いられてい
る。
【０００５】しかしながら、この方法によれば、電波漏
洩が増大し、ＶＳＷＲがＫｕ及びＫａ波帯域において増
加するという欠点があり、その改良が望まれているのが
現状である。
洩が増大し、ＶＳＷＲがＫｕ及びＫａ波帯域において増
加するという欠点があり、その改良が望まれているのが
現状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】同軸コネクターは、一
般に長さ方向に一様な断面を有するものを理想とし、長
さ方向の不連続は反射波を起し、マイクロ波に重大な影
響を及ぼすので、コネクター内部で不連続をなくすよう
にしなければならない。しかしながら、必要によりコネ
クターを用いる場合には、上記の如く短い不連続を用い
て、中心導体を安定に保持すると共に、不連続による反
射を最小限に抑えることが必要である。
般に長さ方向に一様な断面を有するものを理想とし、長
さ方向の不連続は反射波を起し、マイクロ波に重大な影
響を及ぼすので、コネクター内部で不連続をなくすよう
にしなければならない。しかしながら、必要によりコネ
クターを用いる場合には、上記の如く短い不連続を用い
て、中心導体を安定に保持すると共に、不連続による反
射を最小限に抑えることが必要である。
【０００７】ここにおいて、本発明者はＶＳＷＲが小さ
く電波漏洩がなく、又秀れた機械的及び電気的特性を持
ち、更に耐湿、耐腐食性等にも秀れた、ＤＣより４０Ｇ
Ｈｚあるいはそれ以上の超高周波領域においても効率良
く有効に使用できる、ＳＭＡ型を初めとする高周波同軸
同軸コネクターを提供することを目的とするものであ
る。
く電波漏洩がなく、又秀れた機械的及び電気的特性を持
ち、更に耐湿、耐腐食性等にも秀れた、ＤＣより４０Ｇ
Ｈｚあるいはそれ以上の超高周波領域においても効率良
く有効に使用できる、ＳＭＡ型を初めとする高周波同軸
同軸コネクターを提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる高周波同軸コネク
ターの中心導体端部は、雄雌の番いに作られて、雄端子
中心導体の雌端子中心導体への挿入により、両者はその
弾性のばね力により強固に接合され、コネクター端部に
おける不連続によるインピーダンスの不整合が避けるよ
う工夫される。
ターの中心導体端部は、雄雌の番いに作られて、雄端子
中心導体の雌端子中心導体への挿入により、両者はその
弾性のばね力により強固に接合され、コネクター端部に
おける不連続によるインピーダンスの不整合が避けるよ
う工夫される。
【０００９】しかしながら、番いのコネクターの着脱を
反覆した場合には、中心導体と絶縁材等の他のコネクタ
ー部材との間に相対的な軸方向運動が起こり、これを防
ぐには絶縁体を中心導体に固定させる必要がある。又中
心導体が回転し、従ってゆるむ等のことが起こらぬよう
絶縁体及び外部導体の回転運動も制御されなければなら
ない。
反覆した場合には、中心導体と絶縁材等の他のコネクタ
ー部材との間に相対的な軸方向運動が起こり、これを防
ぐには絶縁体を中心導体に固定させる必要がある。又中
心導体が回転し、従ってゆるむ等のことが起こらぬよう
絶縁体及び外部導体の回転運動も制御されなければなら
ない。
【００１０】このような中心導体、絶縁体及び外部導体
の相対運動を防止するために、本発明においては、コネ
クターの中心導体の中央部付近に同軸的なくびれ部を設
けると共に、これと対応する位置の外部導体内壁に内径
拡大部を設け、その両者の画する空間に接着性高誘電体
物質を充満させ、コネクターにおける電気的なインピー
ダンスの不整合を除き、且つ誘電体及び外部導体とも−
６５°〜＋１２５℃のような過酷な環境においても、機
械的にも強固に接合した状態で安全に使用できることを
見出し、本発明を完成させたものである。
の相対運動を防止するために、本発明においては、コネ
クターの中心導体の中央部付近に同軸的なくびれ部を設
けると共に、これと対応する位置の外部導体内壁に内径
拡大部を設け、その両者の画する空間に接着性高誘電体
物質を充満させ、コネクターにおける電気的なインピー
ダンスの不整合を除き、且つ誘電体及び外部導体とも−
６５°〜＋１２５℃のような過酷な環境においても、機
械的にも強固に接合した状態で安全に使用できることを
見出し、本発明を完成させたものである。
【００１１】即ち、本発明は、中心導体、誘電体層およ
び外部導体より成る高周波同軸コネクターにおいて、中
心導体の中央部付近に同軸的な小径部を有し、これに対
応する位置の外部導体内壁に同軸的内径拡大部を有し、
上記小径部および内径拡大部の画する空間に、接着性硬
化型高誘電体樹脂を充満して硬化せしめ、中心導体、誘
電体層および外部導体を強固に接合せしめると共に、高
周波に対して高周波同軸コネクターの特性インピーダン
スと実質的に一致するインピーダンスを与えることを特
徴とする高周波同軸コネクターを提供するものである。
び外部導体より成る高周波同軸コネクターにおいて、中
心導体の中央部付近に同軸的な小径部を有し、これに対
応する位置の外部導体内壁に同軸的内径拡大部を有し、
上記小径部および内径拡大部の画する空間に、接着性硬
化型高誘電体樹脂を充満して硬化せしめ、中心導体、誘
電体層および外部導体を強固に接合せしめると共に、高
周波に対して高周波同軸コネクターの特性インピーダン
スと実質的に一致するインピーダンスを与えることを特
徴とする高周波同軸コネクターを提供するものである。
【００１２】図面により説明すれば、図１において、径
ｄ１を有する中心導体５、誘電率ε１をもつ絶縁体層４
および２３、および内径Ｄ１を有する外部導体１１は一
定の特性インピーダンスを持つ同軸線路を構成するが、
この中心導体５中央部近くに径ｄ２のくびれた同軸的小
径部６を設けとともに、外部導体の之と対応する位置に
その内径Ｄ１より大きい内径Ｄ２を有する内径拡大部７
を設けて、小径部と内径拡大部の画する空間に、絶縁体
層の誘電率ε１より大きい誘電率を有する接着硬化型誘
電体樹脂を充満して、厚さＬの短い同軸部を形成し、こ
れによつて機械的に強固に中心導体５、絶縁体層４およ
び外部導体１１を一体化せしめるものである。
ｄ１を有する中心導体５、誘電率ε１をもつ絶縁体層４
および２３、および内径Ｄ１を有する外部導体１１は一
定の特性インピーダンスを持つ同軸線路を構成するが、
この中心導体５中央部近くに径ｄ２のくびれた同軸的小
径部６を設けとともに、外部導体の之と対応する位置に
その内径Ｄ１より大きい内径Ｄ２を有する内径拡大部７
を設けて、小径部と内径拡大部の画する空間に、絶縁体
層の誘電率ε１より大きい誘電率を有する接着硬化型誘
電体樹脂を充満して、厚さＬの短い同軸部を形成し、こ
れによつて機械的に強固に中心導体５、絶縁体層４およ
び外部導体１１を一体化せしめるものである。
【００１３】この系において、その理論的解析により求
められる系の反射係数は
められる系の反射係数は
【数１】 （式中、Ｃｄはステツプ蓉量、ｆは周波数、ＶＯ光速
度、ＹＯ、ＹＨは各線路のアドミツタンスを示す）より
簡単に求めることができる。
度、ＹＯ、ＹＨは各線路のアドミツタンスを示す）より
簡単に求めることができる。
【００１４】通常同軸線路における特性インピーダンス
ＺＯは規格により５０Ωと定められているから、中心導
体の径と絶縁体の誘電率が定まれば、テフロン被覆層の
径Ｄ２は
ＺＯは規格により５０Ωと定められているから、中心導
体の径と絶縁体の誘電率が定まれば、テフロン被覆層の
径Ｄ２は
【数２】 （式、Ｄおよびｄは夫々小径部と内径拡大部の直径を表
わし、εは絶縁体の誘電率を表す。）により容易に求め
られる。
わし、εは絶縁体の誘電率を表す。）により容易に求め
られる。
【００１５】
【数１】 更に、理論計算により小径部のインピーダンスＺＨを５
１Ω程度に定めた場合に、反射係数は０．０１以下とい
う好ましい結果が得られているから、小径部分の中心導
体径ｄ２はその中心導体の通常径部分の径ｄ１を考慮し
て、これより幾分小さ目に製作されれば、その効果を果
たすことができる。これに機械的強度および電気的性能
を考慮し、エポキシ樹脂の誘電率が２．８であることを
考慮すれば、
１Ω程度に定めた場合に、反射係数は０．０１以下とい
う好ましい結果が得られているから、小径部分の中心導
体径ｄ２はその中心導体の通常径部分の径ｄ１を考慮し
て、これより幾分小さ目に製作されれば、その効果を果
たすことができる。これに機械的強度および電気的性能
を考慮し、エポキシ樹脂の誘電率が２．８であることを
考慮すれば、
【数２】 （式中、各記号は前記の通り。）よりエポキシ樹脂の被
覆径Ｄ２は容易に求めることができる。厚さＬは機械的
強度および高次モード発生の影響を考慮して決定する。
厚さＬは機械的強度および高次モード発生の影響を考慮
して決定する。
覆径Ｄ２は容易に求めることができる。厚さＬは機械的
強度および高次モード発生の影響を考慮して決定する。
厚さＬは機械的強度および高次モード発生の影響を考慮
して決定する。
【００１６】上記の如く、本発明に用いる系は、理論的
解析が容易であり、その計算結果が実測値と好ましい合
致を示すことを、その大きな特徴の１つとするものであ
る。
解析が容易であり、その計算結果が実測値と好ましい合
致を示すことを、その大きな特徴の１つとするものであ
る。
【００１７】さて、図１に示す本発明同軸雄型コネクタ
ー１は、中空部２を有する中空の金属製の管状外部導体
３、中空部２内にあって、中心導体５との間の空間を充
満し、管状の外部導体３と同軸に延びる絶縁体４，２３
及び中空部２の中央に同軸に設けられた金属丸棒状の中
心導体５より成る。
ー１は、中空部２を有する中空の金属製の管状外部導体
３、中空部２内にあって、中心導体５との間の空間を充
満し、管状の外部導体３と同軸に延びる絶縁体４，２３
及び中空部２の中央に同軸に設けられた金属丸棒状の中
心導体５より成る。
【００１８】中心導体５はその略中央に小径部６を有
し、外部体はその内壁にこれと対応する位置に内径拡大
部７を有する。小径部６と外部導体の内径拡大部７の画
する空間を充満して円環状の絶縁層８が設けられる。
し、外部体はその内壁にこれと対応する位置に内径拡大
部７を有する。小径部６と外部導体の内径拡大部７の画
する空間を充満して円環状の絶縁層８が設けられる。
【００１９】外部導体３の先端部は薄肉の短径部９を形
成し、その小断面端部１０及び他端のフランジ１１で終
る。外部導体３の中空部と中心導体５との間を埋める円
筒状絶縁体４は、上記小端部１０とその切り口を揃えた
形で端面１２で終っている。
成し、その小断面端部１０及び他端のフランジ１１で終
る。外部導体３の中空部と中心導体５との間を埋める円
筒状絶縁体４は、上記小端部１０とその切り口を揃えた
形で端面１２で終っている。
【００２０】中心導体５は、端面１２より先に出て小断
面雄端部１３となり、円錐形の先端をなして終ってい
る。外部導体の薄肉部９より後部には外部導体外壁との
環状溝１４内にあるスナップ環１５により回転し得るよ
うに固定され、先端内面にネジ山１６を有する結合ナッ
ト１７が設けられる。ネジ山１６と端面１２は中空部２
５を形成している。
面雄端部１３となり、円錐形の先端をなして終ってい
る。外部導体の薄肉部９より後部には外部導体外壁との
環状溝１４内にあるスナップ環１５により回転し得るよ
うに固定され、先端内面にネジ山１６を有する結合ナッ
ト１７が設けられる。ネジ山１６と端面１２は中空部２
５を形成している。
【００２１】外部導体３の薄肉部分９は段差１８で終
り、結合ナット１７との間は雌型結合体（図示せず）の
先端部と摺合する円筒形中空部１９を形成し、外部導体
薄肉部基部には円環状ワッシヤー２０が設けられる。
り、結合ナット１７との間は雌型結合体（図示せず）の
先端部と摺合する円筒形中空部１９を形成し、外部導体
薄肉部基部には円環状ワッシヤー２０が設けられる。
【００２２】コネクター１の接合は、夫々の中心導体を
接合し、中空部２５及び１９を通って挿入され、面１２
と接し、ワッシヤー２０を経て接合され、且つ結合ナッ
ト１７によって螺合せられて雌型結合体（図示せず）と
接合される。
接合し、中空部２５及び１９を通って挿入され、面１２
と接し、ワッシヤー２０を経て接合され、且つ結合ナッ
ト１７によって螺合せられて雌型結合体（図示せず）と
接合される。
【００２３】雄型コネクター１のフランジ１１に終る外
部導体後端部と、後方にに伸びる中心導体５′との中空
部２１は、更に同軸、同径で先に伸びて平面２２で終る
絶縁体２３で埋められ、雄型コネクター１はフランジ１
１により他機器に取り付けられ中心導体５′が他機器の
回路に接続されて用いられる。
部導体後端部と、後方にに伸びる中心導体５′との中空
部２１は、更に同軸、同径で先に伸びて平面２２で終る
絶縁体２３で埋められ、雄型コネクター１はフランジ１
１により他機器に取り付けられ中心導体５′が他機器の
回路に接続されて用いられる。
【００２４】図２は、図１の雄型コネクターに対応する
雌型コネクターを図示するもので、雄型コネクターの場
合と同様な部分であって、同様の機能を行うものには同
じ番号を付し、これに小文字のａが附記せられている。
雌コネクター１ａは、雌端部分１３ａに終っている同径
の中心導体５ａ，５ａ′を有し、中心導体中央部には小
径部６ａを有しこれに対応する外部導体内壁には径拡大
部７ａが形成され、その両者の画する空間には高誘電率
絶縁体８ａが充填せられ、これに隣接して中心導体５
ａ，５ａ′と外部導体３ａとの間の中空部を絶縁体層４
ａ，２３ａが埋めて、後端部には更に伸びる円筒型絶縁
体４ａ及び２３ａが設けられる。
雌型コネクターを図示するもので、雄型コネクターの場
合と同様な部分であって、同様の機能を行うものには同
じ番号を付し、これに小文字のａが附記せられている。
雌コネクター１ａは、雌端部分１３ａに終っている同径
の中心導体５ａ，５ａ′を有し、中心導体中央部には小
径部６ａを有しこれに対応する外部導体内壁には径拡大
部７ａが形成され、その両者の画する空間には高誘電率
絶縁体８ａが充填せられ、これに隣接して中心導体５
ａ，５ａ′と外部導体３ａとの間の中空部を絶縁体層４
ａ，２３ａが埋めて、後端部には更に伸びる円筒型絶縁
体４ａ及び２３ａが設けられる。
【００２５】中心導体１３の薄肉小端部５ａの先端部１
３ａは、雄型コネクター中心導体５の端部分１３を受け
る孔を有し、これがその長さ方向に切り開かれて、これ
に挿入される番いとなる雄型コネクターの雄先端１３を
弾性的に掴むようになっている。
３ａは、雄型コネクター中心導体５の端部分１３を受け
る孔を有し、これがその長さ方向に切り開かれて、これ
に挿入される番いとなる雄型コネクターの雄先端１３を
弾性的に掴むようになっている。
【００２６】中心導体１３ａの薄肉小端面部１３ａ′と
絶縁体４ａの端面とはその切り口を揃えた形で終り、端
面１２ａを形成している。外部導体３ａは端面１２ａと
接する所でその内径を拡大して薄肉端面１２ａと共に中
空部２５ａを形成し、その外周にネジ山部１６ａを有し
ている。
絶縁体４ａの端面とはその切り口を揃えた形で終り、端
面１２ａを形成している。外部導体３ａは端面１２ａと
接する所でその内径を拡大して薄肉端面１２ａと共に中
空部２５ａを形成し、その外周にネジ山部１６ａを有し
ている。
【００２７】雌コネクター１ａは外部導体薄肉部３ａ′
が相手方ワッシャーに接し、又面１２ａが相手方接合面
と接する様結合ナットによってネジ山１６ａにより螺合
せられる雄型結合体（図示せず）と接合せられる。
が相手方ワッシャーに接し、又面１２ａが相手方接合面
と接する様結合ナットによってネジ山１６ａにより螺合
せられる雄型結合体（図示せず）と接合せられる。
【００２８】雌コネクター１ａは、フランジ１１ａによ
り他機器に取り付けられ、中心導体５ａ′は他機器の回
路に接続されて用いられる。雄型コネクター及び雌型コ
ネクターを取り付けられた機器は、夫々先端に雌コネク
ターまたは雄コネクターを有するセミリジッドケーブル
により他機器に接続されるか、または終端器等の高周波
デバイスに接続される。
り他機器に取り付けられ、中心導体５ａ′は他機器の回
路に接続されて用いられる。雄型コネクター及び雌型コ
ネクターを取り付けられた機器は、夫々先端に雌コネク
ターまたは雄コネクターを有するセミリジッドケーブル
により他機器に接続されるか、または終端器等の高周波
デバイスに接続される。
【００２９】本コネクターの組立は雄及び雌の何れも中
心導体の一方より一方の円筒型テフロン絶縁体を圧入し
て、これを中心導体の小径部と外部導体内壁径拡大部を
合わせるように外部導体に挿入し、次いで中心導体小径
部と外部導体内壁の径拡大部の画する空間に自動定量注
入器により一定量の接着性高誘電体樹脂例えばエポキシ
樹脂を注入してこれが固化しない内に他端より他方の円
筒型テフロン絶縁体を挿入し、接着性高誘電率樹脂が固
化すれば、内部導体及び外部導体がエポキシ樹脂により
接着され強固に接合される。
心導体の一方より一方の円筒型テフロン絶縁体を圧入し
て、これを中心導体の小径部と外部導体内壁径拡大部を
合わせるように外部導体に挿入し、次いで中心導体小径
部と外部導体内壁の径拡大部の画する空間に自動定量注
入器により一定量の接着性高誘電体樹脂例えばエポキシ
樹脂を注入してこれが固化しない内に他端より他方の円
筒型テフロン絶縁体を挿入し、接着性高誘電率樹脂が固
化すれば、内部導体及び外部導体がエポキシ樹脂により
接着され強固に接合される。
【００３０】以下実施例により本発明を説明する。
【実施例】図１に示す高周波同軸コネクターにおいて、
ｄ２＝１．０φ、Ｄ２＝４．４φ、Ｌ＝１ｍｍとしてＳ
ＭＡコネクタの内部に特性インピーダンス５１Ωの同軸
を構成し、図１および図２に示す本発明高周波同軸コネ
クターを作成し、これらを一対として測定して、図３の
結果を得た。この結果は測定系の残留反射係数を約０．
０５を含みながらも、計算結果が示す傾向を良く現わし
ている。測定はマイクロ波ネットワーク、アナライザに
より行なった。比較のためｄ２＝０．９５、ｄ２＝１．
０５として、ＺＯを夫々４９Ω、５３Ωの試料を作り測
定して、その結果を図３に示した。
ｄ２＝１．０φ、Ｄ２＝４．４φ、Ｌ＝１ｍｍとしてＳ
ＭＡコネクタの内部に特性インピーダンス５１Ωの同軸
を構成し、図１および図２に示す本発明高周波同軸コネ
クターを作成し、これらを一対として測定して、図３の
結果を得た。この結果は測定系の残留反射係数を約０．
０５を含みながらも、計算結果が示す傾向を良く現わし
ている。測定はマイクロ波ネットワーク、アナライザに
より行なった。比較のためｄ２＝０．９５、ｄ２＝１．
０５として、ＺＯを夫々４９Ω、５３Ωの試料を作り測
定して、その結果を図３に示した。
【００３１】
【効果】本高周波同軸コネクターは、その反射減衰量等
の計算値が、実測値とよく符号して、各周波数において
ＶＳＷＲが概ね１．０５以下のものが得られた。このコ
ネクターは製作が容易で安価であり、電気的性能のみな
らず機械的性能にも秀れ、金属部分には一般に使用せら
れているように、ステンレス鋼、ベリリウム銅等を使用
し、ガスケットにシリコンゴム等を使用して、耐振性、
耐衝撃性、耐腐食性、耐湿性及び高温から低温、低温か
ら高温の昇温−冷却サイクル、例えば−６５℃〜＋１２
５℃という過酷な条件下にも使用し得ることができた。
の計算値が、実測値とよく符号して、各周波数において
ＶＳＷＲが概ね１．０５以下のものが得られた。このコ
ネクターは製作が容易で安価であり、電気的性能のみな
らず機械的性能にも秀れ、金属部分には一般に使用せら
れているように、ステンレス鋼、ベリリウム銅等を使用
し、ガスケットにシリコンゴム等を使用して、耐振性、
耐衝撃性、耐腐食性、耐湿性及び高温から低温、低温か
ら高温の昇温−冷却サイクル、例えば−６５℃〜＋１２
５℃という過酷な条件下にも使用し得ることができた。
【図１】 本発明雄型高周波同軸コネクターの断面図
【図２】 本発明雌型高周波同軸コネクターの断面図
【図３】 実施例で得られた本発明高周波同軸コネクタ
ーにより得られたＶＳＷＲを示すグラフ図。
ーにより得られたＶＳＷＲを示すグラフ図。
１，１ａ：雄及び雌型コネクター、４，２３，４ａ，ａ
４ａ：誘電体、６，６ａ：中心導体小径部、７，７ａ：
外部導体内径拡大部、８，８ａ：高誘電体樹脂層
４ａ：誘電体、６，６ａ：中心導体小径部、７，７ａ：
外部導体内径拡大部、８，８ａ：高誘電体樹脂層
Claims (1)
- 【請求項１】 中心導体、誘電体層および外部導体より
成る高周波同軸コネクターにおいて、中心導体の中央部
付近に同軸的な小径部を有し、これに対応する位置の外
部導体内壁に同軸的内径拡大部を有し、上記小径部およ
び内径拡大部の画する空間に、接着性硬化型高誘電体樹
脂を充満して硬化せしめ、中心導体、誘電体層および外
部導体を強固に接合せしめると共に、高周波に対して高
周波同軸コネクターの特性インピーダンスと実質的に一
致するインピーダンスを与えることを特徴とする上記高
周波同軸コネクター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337774A JPH06275345A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 高周波同軸コネクター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337774A JPH06275345A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 高周波同軸コネクター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275345A true JPH06275345A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=18311841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4337774A Pending JPH06275345A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 高周波同軸コネクター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275345A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-11-05 JP JP4337774A patent/JPH06275345A/ja active Pending
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