JPH06275690A - 半導体電気特性測定装置および測定方法 - Google Patents
半導体電気特性測定装置および測定方法Info
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- JPH06275690A JPH06275690A JP8385693A JP8385693A JPH06275690A JP H06275690 A JPH06275690 A JP H06275690A JP 8385693 A JP8385693 A JP 8385693A JP 8385693 A JP8385693 A JP 8385693A JP H06275690 A JPH06275690 A JP H06275690A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電界効果型薄膜トランジスタを実際に作成す
ることなく、その活性層となる半導体の電気特性を直接
測定する。 【構成】 測定装置は、絶縁膜３で被われた測定用ゲー
ト電極２の両側に測定用ソース電極４および測定用ドレ
イン電極５がそれぞれ露出されて設けられた構造となっ
ている。そして、測定用ソース電極４、測定用ドレイン
電極５およびその間の絶縁膜３の各露出面を半導体１２
の表面に接触させると、この接触部分によってコプラナ
型の疑似電界効果型薄膜トランジスタが構成される。し
たがって、素子作成前に、素子作成後の通常のコプラナ
型の電界効果型薄膜トランジスタの場合と同等の測定を
行うことができる。
ることなく、その活性層となる半導体の電気特性を直接
測定する。 【構成】 測定装置は、絶縁膜３で被われた測定用ゲー
ト電極２の両側に測定用ソース電極４および測定用ドレ
イン電極５がそれぞれ露出されて設けられた構造となっ
ている。そして、測定用ソース電極４、測定用ドレイン
電極５およびその間の絶縁膜３の各露出面を半導体１２
の表面に接触させると、この接触部分によってコプラナ
型の疑似電界効果型薄膜トランジスタが構成される。し
たがって、素子作成前に、素子作成後の通常のコプラナ
型の電界効果型薄膜トランジスタの場合と同等の測定を
行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体電気特性測定装
置および測定方法に関する。
置および測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電界効果型トランジスタの分野では、活
性層を構成する半導体の電気特性、特に電界効果に関す
る物性値、例えば電界効果移動度を評価することがあ
る。このような評価方法の１つとして、電界効果型トラ
ンジスタ（素子）を実際に作成した後に、その電気特性
を測定し、この測定値から電界効果移動度を算出する方
法がある。この方法では、電界効果移動度をその定義に
従って直接評価することができるが、素子を作成する必
要があるので、素子特性を予測するための前評価を行う
ことはできない。
性層を構成する半導体の電気特性、特に電界効果に関す
る物性値、例えば電界効果移動度を評価することがあ
る。このような評価方法の１つとして、電界効果型トラ
ンジスタ（素子）を実際に作成した後に、その電気特性
を測定し、この測定値から電界効果移動度を算出する方
法がある。この方法では、電界効果移動度をその定義に
従って直接評価することができるが、素子を作成する必
要があるので、素子特性を予測するための前評価を行う
ことはできない。
【０００３】一方、電界効果移動度をホール効果の側面
から評価する方法もある。すなわち、この方法は、半導
体に磁場を印加し、半導体中を電流が流れるときにホー
ル効果として生じる起電力を測定し、この測定値からホ
ール移動度を算出し、ホール移動度が電界効果移動度と
ほぼ一致するとの考えに基づき、電界効果移動度を間接
的に評価する方法である。この方法によれば、素子作成
前にも電界効果移動度を間接的に評価することができる
ので、素子特性を予測するための前評価を行うことがで
きる。しかしながら、この方法では、磁場発生手段を必
要とするので、一般に装置が大がかりになってしまう。
また、ホール移動度は電界効果移動度と全く同一なもの
ではないので、電界効果移動度を間接的にしか評価する
ことができず、特に多結晶半導体の場合には多くの結晶
粒界が存在するので、ホール移動度と電界効果移動度と
の対応がより一層複雑になり、間接的な評価では評価す
ることができない場合がある。
から評価する方法もある。すなわち、この方法は、半導
体に磁場を印加し、半導体中を電流が流れるときにホー
ル効果として生じる起電力を測定し、この測定値からホ
ール移動度を算出し、ホール移動度が電界効果移動度と
ほぼ一致するとの考えに基づき、電界効果移動度を間接
的に評価する方法である。この方法によれば、素子作成
前にも電界効果移動度を間接的に評価することができる
ので、素子特性を予測するための前評価を行うことがで
きる。しかしながら、この方法では、磁場発生手段を必
要とするので、一般に装置が大がかりになってしまう。
また、ホール移動度は電界効果移動度と全く同一なもの
ではないので、電界効果移動度を間接的にしか評価する
ことができず、特に多結晶半導体の場合には多くの結晶
粒界が存在するので、ホール移動度と電界効果移動度と
の対応がより一層複雑になり、間接的な評価では評価す
ることができない場合がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
導体電気特性測定方法では、前者の場合には素子特性を
予測するための前評価を行うことができないという問題
があり、後者の場合には一般に装置が大がかりになる
上、間接的な評価しか行うことができないという問題が
あった。この発明の目的は、簡単な装置で素子作成前に
半導体の電気特性を直接測定することのできる半導体電
気特性測定装置および測定方法を提供することにある。
導体電気特性測定方法では、前者の場合には素子特性を
予測するための前評価を行うことができないという問題
があり、後者の場合には一般に装置が大がかりになる
上、間接的な評価しか行うことができないという問題が
あった。この発明の目的は、簡単な装置で素子作成前に
半導体の電気特性を直接測定することのできる半導体電
気特性測定装置および測定方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の測定装置は、
絶縁膜で被われた測定用ゲート電極と、この測定用ゲー
ト電極の両側にそれぞれ露出されて設けられた測定用ソ
ース電極および測定用ドレイン電極とを具備し、前記測
定用ソース電極、前記測定用ドレイン電極およびその間
の前記絶縁膜の各露出面を測定対象物である半導体の表
面に接触させた際、この接触部分によって疑似電界効果
型トランジスタが構成されるようにしたものである。こ
の発明の測定方法は、請求項１記載の半導体電気特性測
定装置を用いて半導体の電気特性を測定する際、前記測
定用ソース電極、前記測定用ドレイン電極およびその間
の前記絶縁膜の各露出面を前記半導体の表面に接触さ
せ、この接触部分によって構成された疑似電界効果型ト
ランジスタの電気特性を測定するようにしたものであ
る。
絶縁膜で被われた測定用ゲート電極と、この測定用ゲー
ト電極の両側にそれぞれ露出されて設けられた測定用ソ
ース電極および測定用ドレイン電極とを具備し、前記測
定用ソース電極、前記測定用ドレイン電極およびその間
の前記絶縁膜の各露出面を測定対象物である半導体の表
面に接触させた際、この接触部分によって疑似電界効果
型トランジスタが構成されるようにしたものである。こ
の発明の測定方法は、請求項１記載の半導体電気特性測
定装置を用いて半導体の電気特性を測定する際、前記測
定用ソース電極、前記測定用ドレイン電極およびその間
の前記絶縁膜の各露出面を前記半導体の表面に接触さ
せ、この接触部分によって構成された疑似電界効果型ト
ランジスタの電気特性を測定するようにしたものであ
る。
【０００６】
【作用】この発明によれば、測定用ソース電極、測定用
ドレイン電極およびその間の絶縁膜の各露出面を半導体
の表面に接触させ、この接触部分によって構成された疑
似電界効果型トランジスタの電気特性を測定することが
できるので、簡単な装置で素子作成前に半導体の電気特
性を直接測定することができる。
ドレイン電極およびその間の絶縁膜の各露出面を半導体
の表面に接触させ、この接触部分によって構成された疑
似電界効果型トランジスタの電気特性を測定することが
できるので、簡単な装置で素子作成前に半導体の電気特
性を直接測定することができる。
【０００７】
【実施例】図１〜図３はこの発明の一実施例における半
導体電気特性測定装置を示したものである。この測定装
置はガラス等からなる絶縁基板１を備えている。絶縁基
板１の一の面（図２においては上面、図３においては下
面）の中央部にはクロム等の金属からなる測定用ゲート
電極２が設けられている。測定用ゲート電極２を含む絶
縁基板１の一の面の全体には酸化シリコン等からなる絶
縁膜３が設けられている。測定用ゲート電極２の両側に
おける絶縁膜３の表面の各所定の個所にはリンを多く添
加された多結晶シリコン等からなる測定用ソース電極４
および測定用ドレイン電極５がそれぞれ設けられてい
る。すなわち、絶縁膜３で被われた測定用ゲート電極２
の両側には測定用ソース電極４および測定用ドレイン電
極５がそれぞれ露出されて設けられている。なお、測定
用ソース電極４の所定の一部、測定用ドレイン電極５の
所定の一部およびその間の絶縁膜３の各露出面は同一平
面上に配置されている。
導体電気特性測定装置を示したものである。この測定装
置はガラス等からなる絶縁基板１を備えている。絶縁基
板１の一の面（図２においては上面、図３においては下
面）の中央部にはクロム等の金属からなる測定用ゲート
電極２が設けられている。測定用ゲート電極２を含む絶
縁基板１の一の面の全体には酸化シリコン等からなる絶
縁膜３が設けられている。測定用ゲート電極２の両側に
おける絶縁膜３の表面の各所定の個所にはリンを多く添
加された多結晶シリコン等からなる測定用ソース電極４
および測定用ドレイン電極５がそれぞれ設けられてい
る。すなわち、絶縁膜３で被われた測定用ゲート電極２
の両側には測定用ソース電極４および測定用ドレイン電
極５がそれぞれ露出されて設けられている。なお、測定
用ソース電極４の所定の一部、測定用ドレイン電極５の
所定の一部およびその間の絶縁膜３の各露出面は同一平
面上に配置されている。
【０００８】絶縁基板１の他の面（図２においては下
面、図３においては上面）にはクッション用のゴム板６
を介して樹脂等からなるホルダ７が設けられている。各
電極２、４、５には３本の導線８、９、１０の各一端部
が接続されている。中央部の導線８は絶縁基板１、ゴム
板６およびホルダ７を挿通してホルダ７の所定の一の面
の外部に突出されている。両側の２本の導線９、１０は
絶縁膜３、絶縁基板１、ゴム板６およびホルダ７を挿通
してホルダ７の所定の一の面の外部に突出されている。
ホルダ７の所定の一の面の外部に突出された３本の導線
８、９、１０の各他端部は半導体パラメータアナライザ
１１のそれぞれ対応する接続端子（図示せず）に接続さ
れている。一方、測定対象物である半導体１２は、最終
的には電界効果型薄膜トランジスタの活性層となるもの
であって、ガラス等からなる絶縁基板１３上に設けられ
ている。
面、図３においては上面）にはクッション用のゴム板６
を介して樹脂等からなるホルダ７が設けられている。各
電極２、４、５には３本の導線８、９、１０の各一端部
が接続されている。中央部の導線８は絶縁基板１、ゴム
板６およびホルダ７を挿通してホルダ７の所定の一の面
の外部に突出されている。両側の２本の導線９、１０は
絶縁膜３、絶縁基板１、ゴム板６およびホルダ７を挿通
してホルダ７の所定の一の面の外部に突出されている。
ホルダ７の所定の一の面の外部に突出された３本の導線
８、９、１０の各他端部は半導体パラメータアナライザ
１１のそれぞれ対応する接続端子（図示せず）に接続さ
れている。一方、測定対象物である半導体１２は、最終
的には電界効果型薄膜トランジスタの活性層となるもの
であって、ガラス等からなる絶縁基板１３上に設けられ
ている。
【０００９】さて、この測定装置で半導体１２の電気特
性を測定する場合には、まず、特に図３に示すように、
測定用ソース電極４、測定用ドレイン電極５およびその
間の絶縁膜３の各露出面を半導体１２の表面に接触さ
せ、この接触部分によって疑似電界効果型薄膜トランジ
スタを構成する。すなわち、この状態では、半導体１２
の所定の一の部位（チャネル領域）の上面に絶縁膜３を
介して測定用ゲート電極２が配置され、その両側におけ
る半導体１２（ソース領域およびドレイン領域）に測定
用ソース電極４および測定用ドレイン電極５がそれぞれ
接続された状態となり、したがって全体としてコプラナ
型の疑似電界効果型薄膜トランジスタが構成されること
になる。この結果、この測定装置で半導体１２の電気特
性を測定すると、素子作成後の通常のコプラナ型の電界
効果型薄膜トランジスタの場合と同等の測定を行うこと
ができることになる。
性を測定する場合には、まず、特に図３に示すように、
測定用ソース電極４、測定用ドレイン電極５およびその
間の絶縁膜３の各露出面を半導体１２の表面に接触さ
せ、この接触部分によって疑似電界効果型薄膜トランジ
スタを構成する。すなわち、この状態では、半導体１２
の所定の一の部位（チャネル領域）の上面に絶縁膜３を
介して測定用ゲート電極２が配置され、その両側におけ
る半導体１２（ソース領域およびドレイン領域）に測定
用ソース電極４および測定用ドレイン電極５がそれぞれ
接続された状態となり、したがって全体としてコプラナ
型の疑似電界効果型薄膜トランジスタが構成されること
になる。この結果、この測定装置で半導体１２の電気特
性を測定すると、素子作成後の通常のコプラナ型の電界
効果型薄膜トランジスタの場合と同等の測定を行うこと
ができることになる。
【００１０】ここで、半導体１２として結晶性の異なる
２種類の真性多結晶シリコンを用意し、素子作成後の通
常の電界効果型薄膜トランジスタの場合と同様に、ドレ
イン電圧ＶDを一定（５Ｖ）に保ってゲート電圧ＶGSを
０Ｖから漸次増加させながらドレイン電流ＩDを測定し
たところ、図４に示すような結果が得られた。図４にお
いて、曲線Ｔ1は半導体１２として結晶性が比較的悪い
真性多結晶シリコンを用いた場合に得られたドレイン電
流ＩDを示し、曲線Ｔ2は半導体１２として結晶性が比較
的良い真性多結晶シリコンを用いた場合に得られたドレ
イン電流ＩDを示す。そして、これら曲線Ｔ1、Ｔ2の傾
きは電界効果移動度に比例し、比例定数は半導体１２と
は関係なくこの測定装置の構造と材料から決まるもので
あり、既知の定数である。したがって、これら曲線
Ｔ1、Ｔ2の傾きから電界効果移動度を求めることができ
る。また、曲線Ｔ1とＴ2とを比較すると、曲線Ｔ2の方
が曲線Ｔ1よりも早く立ち上がっている。このことか
ら、半導体１２の結晶性の良否についても評価すること
ができる。なお、この場合の疑似電界効果型薄膜トラン
ジスタの電気特性には、測定用ソース電極４、測定用ド
レイン電極５およびその間の絶縁膜３の各露出面の半導
体１２の表面に対する接触面の粗さ等も影響する。しか
しながら、多結晶シリコンのようにそれ自体に欠陥が多
く存在する場合には、この欠陥が電気特性に与える影響
の方が大きい。したがって、測定された電気特性の良否
は半導体１２自体の結晶性の良否と考えられる。
２種類の真性多結晶シリコンを用意し、素子作成後の通
常の電界効果型薄膜トランジスタの場合と同様に、ドレ
イン電圧ＶDを一定（５Ｖ）に保ってゲート電圧ＶGSを
０Ｖから漸次増加させながらドレイン電流ＩDを測定し
たところ、図４に示すような結果が得られた。図４にお
いて、曲線Ｔ1は半導体１２として結晶性が比較的悪い
真性多結晶シリコンを用いた場合に得られたドレイン電
流ＩDを示し、曲線Ｔ2は半導体１２として結晶性が比較
的良い真性多結晶シリコンを用いた場合に得られたドレ
イン電流ＩDを示す。そして、これら曲線Ｔ1、Ｔ2の傾
きは電界効果移動度に比例し、比例定数は半導体１２と
は関係なくこの測定装置の構造と材料から決まるもので
あり、既知の定数である。したがって、これら曲線
Ｔ1、Ｔ2の傾きから電界効果移動度を求めることができ
る。また、曲線Ｔ1とＴ2とを比較すると、曲線Ｔ2の方
が曲線Ｔ1よりも早く立ち上がっている。このことか
ら、半導体１２の結晶性の良否についても評価すること
ができる。なお、この場合の疑似電界効果型薄膜トラン
ジスタの電気特性には、測定用ソース電極４、測定用ド
レイン電極５およびその間の絶縁膜３の各露出面の半導
体１２の表面に対する接触面の粗さ等も影響する。しか
しながら、多結晶シリコンのようにそれ自体に欠陥が多
く存在する場合には、この欠陥が電気特性に与える影響
の方が大きい。したがって、測定された電気特性の良否
は半導体１２自体の結晶性の良否と考えられる。
【００１１】次に、素子作成後の通常の電界効果型薄膜
トランジスタの場合と同様に、ゲート電圧ＶGSを一定
（５Ｖ）に保ってドレイン電圧ＶDを０Ｖから漸次増加
させながらドレイン電流ＩDを測定したところ、図５に
示すような結果が得られた。そして、半導体１２が多結
晶シリコンからなる場合には、図５に示す曲線の直線領
域は次の式で与えられる。 ＩD＝Ｉ0｛１＋（ｑＶD／２ｋＴ）×（ＬG／Ｌ）｝ ただし、Ｉ0は図５に示す曲線の直線外挿のドレイン電
流に関する切片、ｑは素電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔ
は測定時の温度、ＬGは多結晶シリコンの結晶子サイ
ズ、Ｌは測定用ソース電極４と測定用ドレイン電極５と
の間の距離である。したがって、図５に示す曲線から切
片Ｉ0と傾きを求めると、上記式から結晶子サイズＬGが
求められ、結晶子サイズＬGを評価することもできる。
トランジスタの場合と同様に、ゲート電圧ＶGSを一定
（５Ｖ）に保ってドレイン電圧ＶDを０Ｖから漸次増加
させながらドレイン電流ＩDを測定したところ、図５に
示すような結果が得られた。そして、半導体１２が多結
晶シリコンからなる場合には、図５に示す曲線の直線領
域は次の式で与えられる。 ＩD＝Ｉ0｛１＋（ｑＶD／２ｋＴ）×（ＬG／Ｌ）｝ ただし、Ｉ0は図５に示す曲線の直線外挿のドレイン電
流に関する切片、ｑは素電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔ
は測定時の温度、ＬGは多結晶シリコンの結晶子サイ
ズ、Ｌは測定用ソース電極４と測定用ドレイン電極５と
の間の距離である。したがって、図５に示す曲線から切
片Ｉ0と傾きを求めると、上記式から結晶子サイズＬGが
求められ、結晶子サイズＬGを評価することもできる。
【００１２】以上のように、この測定装置では、測定用
ソース電極４、測定用ドレイン電極５およびその間の絶
縁膜３の各露出面を半導体１２の表面に接触させ、この
接触部分によって構成された疑似電界効果型トランジス
タの電気特性を測定することができるので、簡単な装置
で素子作成前に半導体１２の電気特性を直接測定するこ
とができ、ひいては簡単な装置で素子特性を予測するた
めの前評価を直接的に行うことができる。
ソース電極４、測定用ドレイン電極５およびその間の絶
縁膜３の各露出面を半導体１２の表面に接触させ、この
接触部分によって構成された疑似電界効果型トランジス
タの電気特性を測定することができるので、簡単な装置
で素子作成前に半導体１２の電気特性を直接測定するこ
とができ、ひいては簡単な装置で素子特性を予測するた
めの前評価を直接的に行うことができる。
【００１３】ところで、上述した測定装置では、３つの
測定用電極２、４、５を絶縁基板１１上に１組だけ設け
ているので、一例として、ガラス等からなる絶縁基板１
およびこの絶縁基板１にクッション用のゴム板６を介し
て接着された樹脂等からなるホルダ７の大きさを３×３
ｃｍ程度とすると、手で支持し且つ容易に移動し得る程
度に小型軽量化することができる。この結果、半導体１
２の任意の点の局所的な評価を行う場合、容易に行うこ
とができ、したがって電界効果型トランジスタの簡易な
測定装置として利用することができる。
測定用電極２、４、５を絶縁基板１１上に１組だけ設け
ているので、一例として、ガラス等からなる絶縁基板１
およびこの絶縁基板１にクッション用のゴム板６を介し
て接着された樹脂等からなるホルダ７の大きさを３×３
ｃｍ程度とすると、手で支持し且つ容易に移動し得る程
度に小型軽量化することができる。この結果、半導体１
２の任意の点の局所的な評価を行う場合、容易に行うこ
とができ、したがって電界効果型トランジスタの簡易な
測定装置として利用することができる。
【００１４】なお、この発明は、１点のみの測定ではな
く、多点を同時に測定することのできる測定装置にも適
用することができる。例えば、図２および図３と同一名
称部分には同一の符号を付した図６および図７に示すよ
うに、３つで１組の測定用電極２、４、５を絶縁基板１
上に５組設けた構成としてもよい。この場合、測定用ソ
ース電極４は共通にすることができるので、その一部を
共通化している。この測定装置の大きさは、一例とし
て、１０×１０ｃｍ程度となっている。このようにする
と、大面積の半導体１２の多点を同時に測定することが
できるので、電界効果型トランジスタの量産工程におけ
る簡易な測定装置として利用することができる。
く、多点を同時に測定することのできる測定装置にも適
用することができる。例えば、図２および図３と同一名
称部分には同一の符号を付した図６および図７に示すよ
うに、３つで１組の測定用電極２、４、５を絶縁基板１
上に５組設けた構成としてもよい。この場合、測定用ソ
ース電極４は共通にすることができるので、その一部を
共通化している。この測定装置の大きさは、一例とし
て、１０×１０ｃｍ程度となっている。このようにする
と、大面積の半導体１２の多点を同時に測定することが
できるので、電界効果型トランジスタの量産工程におけ
る簡易な測定装置として利用することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、測定用ソース電極、測定用ドレイン電極およびその
間の絶縁膜の各露出面を半導体の表面に接触させ、この
接触部分によって構成された疑似電界効果型トランジス
タの電気特性を測定することができるので、簡単な装置
で素子作成前に半導体の電気特性を直接測定することが
でき、ひいては簡単な装置で素子特性を予測するための
前評価を直接的に行うことができる。
ば、測定用ソース電極、測定用ドレイン電極およびその
間の絶縁膜の各露出面を半導体の表面に接触させ、この
接触部分によって構成された疑似電界効果型トランジス
タの電気特性を測定することができるので、簡単な装置
で素子作成前に半導体の電気特性を直接測定することが
でき、ひいては簡単な装置で素子特性を予測するための
前評価を直接的に行うことができる。
【図１】この発明の一実施例における半導体電気特性測
定装置の概略構成図。
定装置の概略構成図。
【図２】この測定装置の要部の下側から見た斜視図。
【図３】図１の一部の断面図。
【図４】この測定装置で測定して得られたＶGS−ＩD特
性を示す図。
性を示す図。
【図５】この測定装置で測定して得られたＶD−ＩD特性
を示す図。
を示す図。
【図６】この発明の他の実施例における半導体電気特性
測定装置の底面図。
測定装置の底面図。
【図７】図６のＡ−Ａ線に沿う断面図。
２ 測定用ゲート電極 ３ 絶縁膜 ４ 測定用ソース電極 ５ 測定用ドレイン電極 １２ 半導体
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁膜で被われた測定用ゲート電極と、
この測定用ゲート電極の両側にそれぞれ露出されて設け
られた測定用ソース電極および測定用ドレイン電極とを
具備し、 前記測定用ソース電極、前記測定用ドレイン電極および
その間の前記絶縁膜の各露出面を測定対象物である半導
体の表面に接触させた際、この接触部分によって疑似電
界効果型トランジスタが構成されるようにしたことを特
徴とする半導体電気特性測定装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体電気特性測定装置
を用いて半導体の電気特性を測定する際、前記測定用ソ
ース電極、前記測定用ドレイン電極およびその間の前記
絶縁膜の各露出面を前記半導体の表面に接触させ、この
接触部分によって構成された疑似電界効果型トランジス
タの電気特性を測定するようにしたことを特徴とする半
導体電気特性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8385693A JPH06275690A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 半導体電気特性測定装置および測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8385693A JPH06275690A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 半導体電気特性測定装置および測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275690A true JPH06275690A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13814336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8385693A Pending JPH06275690A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 半導体電気特性測定装置および測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275690A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013065094A1 (ja) | 2011-10-30 | 2013-05-10 | 株式会社日本マイクロニクス | 半導体プローブによる量子電池の試験装置及び試験方法 |
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1993
- 1993-03-19 JP JP8385693A patent/JPH06275690A/ja active Pending
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