JPH06281939A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH06281939A JPH06281939A JP6948193A JP6948193A JPH06281939A JP H06281939 A JPH06281939 A JP H06281939A JP 6948193 A JP6948193 A JP 6948193A JP 6948193 A JP6948193 A JP 6948193A JP H06281939 A JPH06281939 A JP H06281939A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】LB法により水平配向膜を形成したものであり
ながら、液晶分子を所望のプレチルト角をもたせて配向
させて、液晶の初期配向不良や駆動電圧印加時のリバー
スチルトディスクリネーション等がない良好な表示品質
を得ることができる液晶表示素子を提供する。 【構成】LB法により形成した水平配向膜9を微小な凹
凸をもつ粗面膜とし、液晶分子Aを前記配向膜9の表面
粗さに応じたプレチルト角φをもって水平配向させた。
ながら、液晶分子を所望のプレチルト角をもたせて配向
させて、液晶の初期配向不良や駆動電圧印加時のリバー
スチルトディスクリネーション等がない良好な表示品質
を得ることができる液晶表示素子を提供する。 【構成】LB法により形成した水平配向膜9を微小な凹
凸をもつ粗面膜とし、液晶分子Aを前記配向膜9の表面
粗さに応じたプレチルト角φをもって水平配向させた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶分子を水平方向に
配向させた液晶表示素子に関するものである。
配向させた液晶表示素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶分子を水平方向に配向させた液晶表
示素子には、TN(ツイステッド・ネマティック)モー
ドのもの、STN(スーパー・ツイステッド・ネマティ
ック)モードのもの、ECB(電界制御型複屈折)モー
ドのうちの水平配向型のもの、強誘電性液晶または反強
誘電性液晶を用いたもの等がある。
示素子には、TN(ツイステッド・ネマティック)モー
ドのもの、STN(スーパー・ツイステッド・ネマティ
ック)モードのもの、ECB(電界制御型複屈折)モー
ドのうちの水平配向型のもの、強誘電性液晶または反強
誘電性液晶を用いたもの等がある。
【0003】これらの液晶表示素子は、液晶層をはさん
で対向する一対の透明基板の互いに対向する面に、透明
電極と、液晶分子を水平方向に配向させるための水平配
向膜とを形成した構成となっている。
で対向する一対の透明基板の互いに対向する面に、透明
電極と、液晶分子を水平方向に配向させるための水平配
向膜とを形成した構成となっている。
【0004】これらの液晶素子の基板上に設けられる水
平配向膜は、従来、基板上にポリイミド等を塗布してそ
の膜面をラビング処理する方法、または基板上に酸化硅
素(Si O2 )等を斜方蒸着する方法によって形成され
ていたが、最近では、ラングミュア・ブロジェット(La
ngumuir-Blodgett)法によってポリイミド膜からなる水
平配向膜を形成する方法が採用されるようになってきて
いる。
平配向膜は、従来、基板上にポリイミド等を塗布してそ
の膜面をラビング処理する方法、または基板上に酸化硅
素(Si O2 )等を斜方蒸着する方法によって形成され
ていたが、最近では、ラングミュア・ブロジェット(La
ngumuir-Blodgett)法によってポリイミド膜からなる水
平配向膜を形成する方法が採用されるようになってきて
いる。
【0005】上記ラングミュア・ブロジェット法(以
下、LB法と記す)は、静水面上に単分子膜を作り、あ
らかじめ水中に垂直に浸漬させておいた基板を一定速度
で引上げながら、水面上の単分子膜を基板上に被着させ
て行く方法である。
下、LB法と記す)は、静水面上に単分子膜を作り、あ
らかじめ水中に垂直に浸漬させておいた基板を一定速度
で引上げながら、水面上の単分子膜を基板上に被着させ
て行く方法である。
【0006】このLB法によるポリイミド膜の形成は、
疎水性基と親水性基を有する両親媒性化合物、例えばポ
リアミック酸と長鎖アルキル基を有するアミンとをイオ
ン結合反応させてなるポリアミック酸誘導体化合物の単
分子膜をLB法により基板上に被着させる工程を複数回
繰返して前記単分子膜を基板上に積層し、この積層膜を
イミド化処理してポリイミド膜とする方法で行なわれて
いる。
疎水性基と親水性基を有する両親媒性化合物、例えばポ
リアミック酸と長鎖アルキル基を有するアミンとをイオ
ン結合反応させてなるポリアミック酸誘導体化合物の単
分子膜をLB法により基板上に被着させる工程を複数回
繰返して前記単分子膜を基板上に積層し、この積層膜を
イミド化処理してポリイミド膜とする方法で行なわれて
いる。
【0007】上記LB法によって基板上に被着された両
親媒性化合物の単分子膜は、分子長の長い分子が基板の
引上げ方向に沿って並んでいるため、この単分子膜の積
層膜をイミド化したポリイミド膜は、液晶分子を一方向
に均一に配向させる配向性をもっており、したがって、
その膜面をラビング処理することなく、このポリイミド
膜をそのまま水平配向膜とすることができる。
親媒性化合物の単分子膜は、分子長の長い分子が基板の
引上げ方向に沿って並んでいるため、この単分子膜の積
層膜をイミド化したポリイミド膜は、液晶分子を一方向
に均一に配向させる配向性をもっており、したがって、
その膜面をラビング処理することなく、このポリイミド
膜をそのまま水平配向膜とすることができる。
【0008】ところで、液晶表示素子においては、液晶
分子の配向状態が液晶表示素子の電気光学特性に大きく
影響するため、良好な表示を得るには、液晶分子の配向
の安定性を良くしてやる必要がある。
分子の配向状態が液晶表示素子の電気光学特性に大きく
影響するため、良好な表示を得るには、液晶分子の配向
の安定性を良くしてやる必要がある。
【0009】この液晶分子の配向の安定性を左右する重
要な要素は、電圧を印加しない状態下での基板面に対す
る液晶分子のプレチルト角(液晶分子の長軸が基板面に
対してなす角度)であり、このプレチルト角が大きいほ
ど、液晶分子の配向の安定性が良くなる。
要な要素は、電圧を印加しない状態下での基板面に対す
る液晶分子のプレチルト角(液晶分子の長軸が基板面に
対してなす角度)であり、このプレチルト角が大きいほ
ど、液晶分子の配向の安定性が良くなる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記L
B法によって形成された水平配向膜による場合、液晶分
子を一方向に均一に配向させることはできるが、液晶分
子に所望のプレチルト角をもたせることが困難であっ
た。
B法によって形成された水平配向膜による場合、液晶分
子を一方向に均一に配向させることはできるが、液晶分
子に所望のプレチルト角をもたせることが困難であっ
た。
【0011】このため、水平配向膜を上記LB法によっ
て形成している従来の液晶表示素子は、液晶の初期配向
不良を生じたり、駆動電圧印加時にリバースチルトディ
スクリネーションを発生したりするという問題をもって
いた。
て形成している従来の液晶表示素子は、液晶の初期配向
不良を生じたり、駆動電圧印加時にリバースチルトディ
スクリネーションを発生したりするという問題をもって
いた。
【0012】本発明は、LB法により水平配向膜を形成
したものでありながら、液晶分子を所望のプレチルト角
をもたせて配向させて、液晶の初期配向不良や駆動電圧
印加時のリバースチルトディスクリネーション等がない
良好な表示品質を得ることができる液晶表示素子を提供
することを目的としたものである。
したものでありながら、液晶分子を所望のプレチルト角
をもたせて配向させて、液晶の初期配向不良や駆動電圧
印加時のリバースチルトディスクリネーション等がない
良好な表示品質を得ることができる液晶表示素子を提供
することを目的としたものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、液晶層をはさんで対向する一対の透明基板の互いに
対向する面に、透明電極と、LB法により疎水性基と親
水性基を有する両親媒性化合物の単分子膜を積層してこ
の積層膜をイミド化処理したポリイミド膜からなる水平
配向膜とを形成したものであって、前記水平配向膜を微
小な凹凸をもつ粗面膜とし、液晶分子を前記配向膜の表
面粗さに応じたプレチルト角をもって水平配向させたこ
とを特徴とするものである。本発明の一実施態様では、
前記水平配向膜を、この配向膜を形成する下地面を粗面
とすることによって粗面膜としている。
は、液晶層をはさんで対向する一対の透明基板の互いに
対向する面に、透明電極と、LB法により疎水性基と親
水性基を有する両親媒性化合物の単分子膜を積層してこ
の積層膜をイミド化処理したポリイミド膜からなる水平
配向膜とを形成したものであって、前記水平配向膜を微
小な凹凸をもつ粗面膜とし、液晶分子を前記配向膜の表
面粗さに応じたプレチルト角をもって水平配向させたこ
とを特徴とするものである。本発明の一実施態様では、
前記水平配向膜を、この配向膜を形成する下地面を粗面
とすることによって粗面膜としている。
【0014】
【作用】このように、水平配向膜を微小な凹凸をもつ粗
面膜とすると、液晶分子が配向膜の表面粗さに応じたプ
レチルト角をもって水平配向するため、この配向膜の表
面粗さを制御すれば、液晶分子を所望のプレチルト角を
もたせて配向させて、液晶の初期配向不良や駆動電圧印
加時のリバースチルトディスクリネーション等がない良
好な表示品質を得ることができる。
面膜とすると、液晶分子が配向膜の表面粗さに応じたプ
レチルト角をもって水平配向するため、この配向膜の表
面粗さを制御すれば、液晶分子を所望のプレチルト角を
もたせて配向させて、液晶の初期配向不良や駆動電圧印
加時のリバースチルトディスクリネーション等がない良
好な表示品質を得ることができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【0016】図2は液晶表示素子の断面図である。この
液晶表示素子は、ガラス等からなる一対の透明基板1,
2を枠状のシール材3を介して接合し、この両基板1,
2間のシール材3で囲まれた領域に液晶を封入したもの
で、両基板1,2の互いに対向する面にはそれぞれ、I
TO等の透明導電膜からなる透明電極4,5が形成され
ている。また、この両基板1,2の電極形成面は、酸化
硅素(Si O2 )等からなる透明な絶縁膜6,7で覆わ
れており、この絶縁膜6,7の上に水平配向膜8,9が
形成されている。
液晶表示素子は、ガラス等からなる一対の透明基板1,
2を枠状のシール材3を介して接合し、この両基板1,
2間のシール材3で囲まれた領域に液晶を封入したもの
で、両基板1,2の互いに対向する面にはそれぞれ、I
TO等の透明導電膜からなる透明電極4,5が形成され
ている。また、この両基板1,2の電極形成面は、酸化
硅素(Si O2 )等からなる透明な絶縁膜6,7で覆わ
れており、この絶縁膜6,7の上に水平配向膜8,9が
形成されている。
【0017】なお、この液晶表示素子は、TNモードま
たはSTNモードのものであり、両基板1,2間に封入
された液晶の分子Aは、両基板1,2側の配向膜8,9
の近傍の液晶分子Aの各配向方向を前記配向膜8,9で
規制され、両基板1,2間において所定のツイスト角で
ツイスト配向している。ただし、図2では、便宜上、液
晶分子Aをツイスト配向していない状態で示している。
たはSTNモードのものであり、両基板1,2間に封入
された液晶の分子Aは、両基板1,2側の配向膜8,9
の近傍の液晶分子Aの各配向方向を前記配向膜8,9で
規制され、両基板1,2間において所定のツイスト角で
ツイスト配向している。ただし、図2では、便宜上、液
晶分子Aをツイスト配向していない状態で示している。
【0018】上記水平配向膜8,9は、いずれも、疎水
性基と親水性基を有する両親媒性化合物、例えば、ポリ
アミック酸と長鎖アルキル基を有するアミン(以下、長
鎖アルキルアミンという)とを反応させてなる化合物の
単分子膜を数層〜数十層に重ねて被着させた膜をイミド
化したポリイミド膜からなっている。
性基と親水性基を有する両親媒性化合物、例えば、ポリ
アミック酸と長鎖アルキル基を有するアミン(以下、長
鎖アルキルアミンという)とを反応させてなる化合物の
単分子膜を数層〜数十層に重ねて被着させた膜をイミド
化したポリイミド膜からなっている。
【0019】この水平配向膜8,9は、次のような方法
で形成する。なお、ここでは、一方の基板1に設ける水
平配向膜8の形成について説明するが、他方の基板2に
設ける水平配向膜9も同様にして形成する。
で形成する。なお、ここでは、一方の基板1に設ける水
平配向膜8の形成について説明するが、他方の基板2に
設ける水平配向膜9も同様にして形成する。
【0020】上記ポリアミック酸は、下記の[化3]の
構造式で表わされ、このポリアミック酸は、[化1]の
構造式で表わされるテトラカルボン酸二無水物と、[化
2]の構造式で表わされるジアミンとを合成して得られ
る。
構造式で表わされ、このポリアミック酸は、[化1]の
構造式で表わされるテトラカルボン酸二無水物と、[化
2]の構造式で表わされるジアミンとを合成して得られ
る。
【0021】
【化1】
【0022】
【化2】
【0023】
【化3】
【0024】また、上記長鎖アルキルアミンは、親水性
をもつポリアミック酸に疎水性を付与するためのもので
あり、この長鎖アルキルアミンは次の[化4]の構造式
で表わされる。
をもつポリアミック酸に疎水性を付与するためのもので
あり、この長鎖アルキルアミンは次の[化4]の構造式
で表わされる。
【0025】
【化4】
【0026】上記ポリアミック酸を溶媒に溶かした溶液
と、上記長鎖アルキルアミンを同じ溶媒に溶かした溶液
とを所定の割合で混合し、ポリアミック酸と長鎖アルキ
ルアミンとをイオン結合反応させて、下記の[化5]の
構造式で表わされるポリアミック酸誘導体化合物(ポリ
アミック酸塩)の溶液を作成する。なお、上記ポリアミ
ック酸および長鎖アルキルアミンの溶媒としては、NM
P(N−メチル−2−ピロリジノン)とベンゼンを1:
1の割合で混合した混合溶媒を用いる。
と、上記長鎖アルキルアミンを同じ溶媒に溶かした溶液
とを所定の割合で混合し、ポリアミック酸と長鎖アルキ
ルアミンとをイオン結合反応させて、下記の[化5]の
構造式で表わされるポリアミック酸誘導体化合物(ポリ
アミック酸塩)の溶液を作成する。なお、上記ポリアミ
ック酸および長鎖アルキルアミンの溶媒としては、NM
P(N−メチル−2−ピロリジノン)とベンゼンを1:
1の割合で混合した混合溶媒を用いる。
【0027】
【化5】
【0028】そして、上記水平配向膜8は、透明電極4
を形成しその上に絶縁膜6を形成した基板1上に、LB
法によって上記ポリアミック酸誘導体化合物の単分子膜
を所定層に積層し、この単分子膜の積層膜をイミド化処
理して形成する。図3は、基板1上にポリアミック酸誘
導体化合物の単分子膜をLB法によって被着させる方法
を示している。この単分子膜の被着は次のようにして行
なう。まず、上記基板1の単分子膜被着面(絶縁膜6
面)に親水性処理を施し、この基板1を水槽10内の水
中に垂直に浸漬させる。
を形成しその上に絶縁膜6を形成した基板1上に、LB
法によって上記ポリアミック酸誘導体化合物の単分子膜
を所定層に積層し、この単分子膜の積層膜をイミド化処
理して形成する。図3は、基板1上にポリアミック酸誘
導体化合物の単分子膜をLB法によって被着させる方法
を示している。この単分子膜の被着は次のようにして行
なう。まず、上記基板1の単分子膜被着面(絶縁膜6
面)に親水性処理を施し、この基板1を水槽10内の水
中に垂直に浸漬させる。
【0029】次に、水面高さに設けたバー状の移動バリ
ア11と基板1との間の水面上に上記ポリアミック酸誘
導体化合物の溶液を滴下して、その単分子膜aを水面上
に展開させる。
ア11と基板1との間の水面上に上記ポリアミック酸誘
導体化合物の溶液を滴下して、その単分子膜aを水面上
に展開させる。
【0030】次に、移動バリア11を基板方向に移動さ
せて水面上の単分子を密集させ、単分子膜aの表面圧を
一定圧(25dyn/cm)に調整した後、移動バリア11を
基板方向に一定速度(2mm/min)で移動させて単分子膜
aを基板方向に押しながら、これに同調させて基板1を
引上げて、水面上の単分子膜aを基板1上に被着させ
る。
せて水面上の単分子を密集させ、単分子膜aの表面圧を
一定圧(25dyn/cm)に調整した後、移動バリア11を
基板方向に一定速度(2mm/min)で移動させて単分子膜
aを基板方向に押しながら、これに同調させて基板1を
引上げて、水面上の単分子膜aを基板1上に被着させ
る。
【0031】このとき、水面上の単分子は、親水性をも
つ部分が親水性処理を施してある基板1に付着して引上
げられるため、単分子膜aは、分子がほぼ一方向に並ん
だ状態で基板1上に被着する。以下は、上記単分子膜a
の被着工程を繰返して、基板1上に上記単分子膜aを所
定層に積層する。
つ部分が親水性処理を施してある基板1に付着して引上
げられるため、単分子膜aは、分子がほぼ一方向に並ん
だ状態で基板1上に被着する。以下は、上記単分子膜a
の被着工程を繰返して、基板1上に上記単分子膜aを所
定層に積層する。
【0032】このようにして基板1上にポリアミック酸
誘導体化合物の単分子膜aを積層した後は、200℃以
上で約1時間加熱する熱処理、あるいは、酸無水物等の
溶液による化学処理を行なって、基板1上の積層膜をイ
ミド化し、これをポリイミド膜(水平配向膜8)とす
る。なお、この積層膜のイミド化は前記熱処理と化学処
理との両方を併用して行なってもよい。
誘導体化合物の単分子膜aを積層した後は、200℃以
上で約1時間加熱する熱処理、あるいは、酸無水物等の
溶液による化学処理を行なって、基板1上の積層膜をイ
ミド化し、これをポリイミド膜(水平配向膜8)とす
る。なお、この積層膜のイミド化は前記熱処理と化学処
理との両方を併用して行なってもよい。
【0033】このポリイミド膜は、ポリアミック酸と長
鎖アルキルアミンとがイオン結合した化合物であるポリ
アミック酸誘導体化合物のアルキルアミンを除去すると
ともに、イミド化したもので、次の[化6]のような構
造をもっている。
鎖アルキルアミンとがイオン結合した化合物であるポリ
アミック酸誘導体化合物のアルキルアミンを除去すると
ともに、イミド化したもので、次の[化6]のような構
造をもっている。
【0034】
【化6】
【0035】ところで、上記LB法によって形成された
ポリイミド膜からなる水平配向膜は、[発明が解決しよ
うとする課題]の項でも述べたように、液晶分子を一方
向に均一に配向させることはできるが、液晶分子に所望
のプレチルト角をもたせることが難しい。
ポリイミド膜からなる水平配向膜は、[発明が解決しよ
うとする課題]の項でも述べたように、液晶分子を一方
向に均一に配向させることはできるが、液晶分子に所望
のプレチルト角をもたせることが難しい。
【0036】そこで、この実施例の液晶表示素子では、
その両基板1,2にLB法によって形成する水平配向膜
8,9を微小な凹凸をもつ粗面膜とし、液晶分子Aを前
記配向膜8,9の表面粗さに応じたプレチルト角φをも
って水平配向させている。
その両基板1,2にLB法によって形成する水平配向膜
8,9を微小な凹凸をもつ粗面膜とし、液晶分子Aを前
記配向膜8,9の表面粗さに応じたプレチルト角φをも
って水平配向させている。
【0037】この水平配向膜8,9は、この配向膜を形
成する下地面、つまり両基板1,2に透明電極4,5を
覆って形成した絶縁膜6,7の膜面を粗面とすることに
よって粗面膜とされている。
成する下地面、つまり両基板1,2に透明電極4,5を
覆って形成した絶縁膜6,7の膜面を粗面とすることに
よって粗面膜とされている。
【0038】図2は図1のI部の拡大図であり、この実
施例では、基板2上に形成した透明電極5をその表面を
粗面化した電極とすることにより、この電極5を覆う絶
縁膜7の膜面(配向膜9を形成する下地面)を粗面に
し、その上に上記LB法によって形成する配向膜9を粗
面膜としている。このように、両基板1,2の水平配向
膜8,9を微小な凹凸をもつ粗面膜とすると、液晶分子
Aが配向膜8,9の表面粗さに応じたプレチルト角φを
もつ。
施例では、基板2上に形成した透明電極5をその表面を
粗面化した電極とすることにより、この電極5を覆う絶
縁膜7の膜面(配向膜9を形成する下地面)を粗面に
し、その上に上記LB法によって形成する配向膜9を粗
面膜としている。このように、両基板1,2の水平配向
膜8,9を微小な凹凸をもつ粗面膜とすると、液晶分子
Aが配向膜8,9の表面粗さに応じたプレチルト角φを
もつ。
【0039】図4は上記透明電極4,5の表面粗さ(凹
凸の高低差)と液晶分子Aのプレチルト角φとの関係を
示しており、ここでは、透明電極4,5の上に絶縁膜
6,7を設けず、電極上に直接単分子膜aを積層した場
合の、単分子膜aの積層数を11層としたときの値を示
している。
凸の高低差)と液晶分子Aのプレチルト角φとの関係を
示しており、ここでは、透明電極4,5の上に絶縁膜
6,7を設けず、電極上に直接単分子膜aを積層した場
合の、単分子膜aの積層数を11層としたときの値を示
している。
【0040】この図4のように、上記電極4,5の表面
粗さが5nmより小さいと、液晶分子Aのプレチルト角
φは0°であるが、電極4,5の表面粗さが5nm以上
になると液晶分子Aが基板1,2面に対しプレチルトし
た状態で配向するようになり、そのプレチルト角φは、
電極4,5の表面粗さが大きくなるのにともなって大き
くなる。
粗さが5nmより小さいと、液晶分子Aのプレチルト角
φは0°であるが、電極4,5の表面粗さが5nm以上
になると液晶分子Aが基板1,2面に対しプレチルトし
た状態で配向するようになり、そのプレチルト角φは、
電極4,5の表面粗さが大きくなるのにともなって大き
くなる。
【0041】したがって、上記電極4,5の表面粗さを
5nm以上にし、その範囲で配向膜8,9の表面粗さを
制御すれば、液晶分子Aを所望のプレチルト角φをもた
せて配向させることができる。
5nm以上にし、その範囲で配向膜8,9の表面粗さを
制御すれば、液晶分子Aを所望のプレチルト角φをもた
せて配向させることができる。
【0042】また、上記電極4,5の表面粗さは、この
電極4,5の膜厚、つまり電極4,5となるITO膜等
の成膜厚さに応じて変化し、電極4,5の膜厚を厚くす
るほど、表面粗さが大きくなるとともに、電極4,5の
面抵抗が小さくなる。図5は上記電極4,5をITO膜
で形成した場合の面抵抗と表面粗さの関係を示してい
る。
電極4,5の膜厚、つまり電極4,5となるITO膜等
の成膜厚さに応じて変化し、電極4,5の膜厚を厚くす
るほど、表面粗さが大きくなるとともに、電極4,5の
面抵抗が小さくなる。図5は上記電極4,5をITO膜
で形成した場合の面抵抗と表面粗さの関係を示してい
る。
【0043】そして、上記液晶表示素子においては、そ
の両基板1,2にLB法によって形成する水平配向膜
8,9を微小な凹凸をもつ粗面膜とすることにより、液
晶分子Aを前記配向膜8,9の表面粗さに応じたプレチ
ルト角φをもって水平配向させているため、液晶の初期
配向不良や駆動電圧印加時のリバースチルトディスクリ
ネーション等がない良好な表示品質を得ることができ
る。
の両基板1,2にLB法によって形成する水平配向膜
8,9を微小な凹凸をもつ粗面膜とすることにより、液
晶分子Aを前記配向膜8,9の表面粗さに応じたプレチ
ルト角φをもって水平配向させているため、液晶の初期
配向不良や駆動電圧印加時のリバースチルトディスクリ
ネーション等がない良好な表示品質を得ることができ
る。
【0044】なお、上記実施例では、配向膜8,9を形
成する下地面である絶縁膜6,7の膜面を粗面とするた
めに、その下の透明電極4,5の表面を粗面化している
が、前記絶縁膜6,7の膜面は粗面化エッチングによっ
て粗面としてもよく、その場合は、電極4,5の表面は
粗面でなくてもよい。
成する下地面である絶縁膜6,7の膜面を粗面とするた
めに、その下の透明電極4,5の表面を粗面化している
が、前記絶縁膜6,7の膜面は粗面化エッチングによっ
て粗面としてもよく、その場合は、電極4,5の表面は
粗面でなくてもよい。
【0045】また、上記実施例の液晶表示素子は、透明
電極4,5を絶縁膜6,7で覆ってその上にLB法によ
り水平配向膜8,9を形成したものであるが、本発明
は、透明電極4,5の上に直接LB法によって水平配向
膜8,9を形成している液晶表示素子にも適用できるも
ので、その場合は、配向膜8,9を形成する下地面であ
る透明電極4,5の表面を上記実施例のように粗面化し
て、配向膜8,9を粗面膜とすればよい。
電極4,5を絶縁膜6,7で覆ってその上にLB法によ
り水平配向膜8,9を形成したものであるが、本発明
は、透明電極4,5の上に直接LB法によって水平配向
膜8,9を形成している液晶表示素子にも適用できるも
ので、その場合は、配向膜8,9を形成する下地面であ
る透明電極4,5の表面を上記実施例のように粗面化し
て、配向膜8,9を粗面膜とすればよい。
【0046】さらに上記実施例では、疎水性基と親水性
基を有する両親媒性化合物として、ポリアミック酸と長
鎖アルキルアミンとを反応させてなるポリアミック酸誘
導体化合物を用いたが、使用する両親媒性化合物は、イ
ミド化処理によりポリイミドとなるものであれば、前記
ポリアミック酸誘導体化合物に限らない。
基を有する両親媒性化合物として、ポリアミック酸と長
鎖アルキルアミンとを反応させてなるポリアミック酸誘
導体化合物を用いたが、使用する両親媒性化合物は、イ
ミド化処理によりポリイミドとなるものであれば、前記
ポリアミック酸誘導体化合物に限らない。
【0047】また、上記実施例の液晶表示素子は、TN
モードまたはSTNモードのものであるが、本発明は、
ECB(電界制御型複屈折)モードのうちの水平配向型
の液晶表示素子や、強誘電性液晶または反強誘電性液晶
を用いた液晶表示素子等にも適用することができる。
モードまたはSTNモードのものであるが、本発明は、
ECB(電界制御型複屈折)モードのうちの水平配向型
の液晶表示素子や、強誘電性液晶または反強誘電性液晶
を用いた液晶表示素子等にも適用することができる。
【0048】
【発明の効果】本発明の液晶表示素子は、水平配向膜を
微小な凹凸をもつ粗面膜とし、液晶分子を前記配向膜の
表面粗さに応じたプレチルト角をもって水平配向させた
ものであるから、LB法により水平配向膜を形成したも
のでありながら、液晶分子を所望のプレチルト角をもた
せて配向させて、液晶の初期配向不良や駆動電圧印加時
のリバースチルトディスクリネーション等がない良好な
表示品質を得ることができる。
微小な凹凸をもつ粗面膜とし、液晶分子を前記配向膜の
表面粗さに応じたプレチルト角をもって水平配向させた
ものであるから、LB法により水平配向膜を形成したも
のでありながら、液晶分子を所望のプレチルト角をもた
せて配向させて、液晶の初期配向不良や駆動電圧印加時
のリバースチルトディスクリネーション等がない良好な
表示品質を得ることができる。
【図1】図2のI部の拡大図。
【図2】本発明の一実施例を示す液晶表示素子の断面
図。
図。
【図3】LB法による基板上への単分子膜の積層法を示
す図。
す図。
【図4】電極の表面粗さと液晶分子のプレチルト角との
関係を示す図。
関係を示す図。
【図5】電極の面抵抗と表面粗さの関係を示す図。
1,2…基板 4,5…電極 6,7…絶縁膜 8,9…LB法により形成した水平配向膜 A…液晶分子 φ…液晶分子のプレチルト角
Claims (2)
- 【請求項1】液晶層をはさんで対向する一対の透明基板
の互いに対向する面に、透明電極と、ラングミュア・ブ
ロジェット法により疎水性基と親水性基を有する両親媒
性化合物の単分子膜を積層してこの積層膜をイミド化処
理したポリイミド膜からなる水平配向膜とを形成した液
晶表示素子であって、 前記水平配向膜を微小な凹凸をもつ粗面膜とし、液晶分
子を前記配向膜の表面粗さに応じたプレチルト角をもっ
て水平配向させたことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項2】前記水平配向膜は、この配向膜を形成する
下地面を粗面とすることによって粗面膜とされているこ
とを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6948193A JPH06281939A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6948193A JPH06281939A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06281939A true JPH06281939A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13403940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6948193A Pending JPH06281939A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06281939A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4430743A1 (de) * | 1993-08-30 | 1995-03-02 | Hitachi Ltd | Spannungsregler für ein Kraftfahrzeug |
| US7164455B2 (en) | 2002-10-25 | 2007-01-16 | Seiko Epson Corporation | Device, manufacturing method thereof, and electronic instrument with the device |
| CN108181746A (zh) * | 2018-03-05 | 2018-06-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板的制作方法 |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP6948193A patent/JPH06281939A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4430743A1 (de) * | 1993-08-30 | 1995-03-02 | Hitachi Ltd | Spannungsregler für ein Kraftfahrzeug |
| DE4430743C2 (de) * | 1993-08-30 | 1998-06-04 | Hitachi Ltd | Spannungsregler für ein Kraftfahrzeug |
| US7164455B2 (en) | 2002-10-25 | 2007-01-16 | Seiko Epson Corporation | Device, manufacturing method thereof, and electronic instrument with the device |
| CN108181746A (zh) * | 2018-03-05 | 2018-06-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板的制作方法 |
| CN108181746B (zh) * | 2018-03-05 | 2020-08-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板的制作方法 |
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