JPH06282809A - 磁気ヘッド - Google Patents

磁気ヘッド

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JPH06282809A
JPH06282809A JP7174693A JP7174693A JPH06282809A JP H06282809 A JPH06282809 A JP H06282809A JP 7174693 A JP7174693 A JP 7174693A JP 7174693 A JP7174693 A JP 7174693A JP H06282809 A JPH06282809 A JP H06282809A
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JP
Japan
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magnetic
film
flux density
metal
magnetic film
Prior art date
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Pending
Application number
JP7174693A
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English (en)
Inventor
Noriaki Mukaide
徳章 向出
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高密度記録に伴って記録周波数が高くなり、
磁気ヘッドのインダクタンスが小さくなっても、ヘッド
の再生出力が低下することのないようにする。 【構成】 非磁性体膜を高飽和磁束密度を有する金属磁
性膜4で挟み磁気ギャップを形成した磁気ヘッドにおい
て、上記金属磁性膜4を配置させた非磁性体I型半体コ
ア2と、上記金属磁性膜4を配置させた強磁性体C型半
体コア5とからなり、上記非磁性体I型半体コア2に磁
気ギャップgと非平行な斜面部3を設け、上記斜面部3
上に金属磁性膜4を配置している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、VTR,HDDやFD
D装置などに搭載される高密度記録用磁気ヘッド及びそ
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、VTR装置などに使用される高密
度記録用の磁気ヘッドとしては、例えば図10に示すM
IGヘッド31がある。このヘッドは、フェライト等の
強磁性体からなる一対のコア32−32を接合一体化し
たコアチップからなり、一対のコア32の接合面に高飽
和磁束密度を有するセンダスト等の金属磁性膜33を被
着形成し、ギャップスペーサーとなるSiO2 等の非磁
性膜[図示せず]を介在させることによりコアチップ3
1の媒体摺動面34に磁気ギャップgが形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したM
IGヘッドには、以下のような問題があった。
【0004】MIGヘッドでは、磁路を主に構成する物
質がフェライト等の強磁性体であるので、その製造の必
然性より磁路の断面積S2 が広い。従って、ヘッドのイ
ンダクタンスLが大きくなりやすく、高い記録周波数で
記録する際、記録電流波形が時間とともに急峻に立ち上
がりにくく、高い記録周波数での記録が困難であった。
【0005】また、MIGヘッドでは、コアの外形形状
を変えずにインダクタンスLを小さくするためには、磁
路の断面積S2 を狭くすることが必要であるが、その手
段として巻線窓長さlを長くするかあるいは、チップコ
ア厚みTを薄くする方法がある。しかし、前者では、磁
路長が長くなるため磁気抵抗が増し、再生効率が低下
し、かえって出力が低くなってしまうという問題点があ
り、後者の場合、コアチップが薄いためコアチップが割
れやすく、巻線等の組立工程が困難になるという問題点
があった。
【0006】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、ヘッドのイン
ダクタンスを低くすることができ、高い記録周波数で記
録してもヘッド出力が低下することなく、而も、コアチ
ップの機械的強度も低下しない磁気ヘッド及びその製造
方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明における磁気ヘッドは、非
磁性体膜を高飽和磁束密度を有する金属磁性膜で挟み磁
気ギャップを形成した磁気ヘッドにおいて、上記高飽和
磁束密度を有する金属磁性膜を配置させた非磁性体I型
半体コアと、上記高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を
配置させた強磁性体C半体コアとからなることを特徴と
する。
【0008】上記磁気ヘッドにおいて、非磁性体I型半
体コアには、磁気ギャップと非平行な斜面部を設け、そ
の斜面部上に高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を配置
していることを特徴としている。
【0009】さらに、上記高飽和磁束密度を有する金属
磁性膜の斜面に沿った方向の長さを0.03mmから
0.3mmとすることを特徴としている。
【0010】また、本発明における磁気ヘッドの製造方
法は、非磁性体長尺ブロックの接合予定面にその短手方
向に沿って複数の斜面部を有する溝を形成し、その溝内
に高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を所定のトラック
幅が得られる厚みで被着形成した上でその金属磁性膜上
に非磁性体を充填し、非磁性体長尺ブロックの接合面を
鏡面研磨仕上げする工程と、強磁性体長尺ブロックの鏡
面研磨仕上げされた接合面に、その短手方向に沿って所
定のトラック溝を残して複数のトラック溝を形成し、そ
の接合面に高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を被着形
成する工程と、上記非磁性体長尺ブロックと、強磁性体
コアブロックとをその接合面間にギャップスペーサーと
なる非磁性膜を介して突き合わせて接合一体化する工程
と、接合一体化された長尺ブロックを、その短手方向に
沿ってスライスし、薄板状のコアチップを得る工程とか
らなることを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明に係る磁気ヘッドでは、非磁性体I型半
体コアでは高飽和磁束密度を有する金属磁性膜のみで磁
路が構成されている結果、その断面積を狭くすることが
容易となり、そのヘッドのインダクタンスを小さくする
ことができるため高い周波数での記録が容易に行える。
而も、フェライト等に比較し、金属磁性膜の有する飽和
磁束密度が大きいため、その断面積を狭くしても、再生
時磁気ギャップから流入した磁気媒体からの磁束をコア
外部へ漏洩することがなく、再生出力の低下を未然に防
止できる。
【0012】また、非磁性体I型半体コアの体積は、お
もに非磁性体で構成されているため、必要以上に小さく
する必要はないことから、コアチップの機械的強度を下
げることなしに巻線等の組立工程が行え、コアチップが
割れやすいということはない。
【0013】
【実施例1】本発明に係る磁気ヘッド及びその製造方法
の実施例を図1乃至図9に示して説明する。
【0014】まず、本発明に係るVTR用磁気ヘッドコ
アチップ1を図1に示す。この磁気ヘッドは、同図に示
すように、非磁性体I型半体コア2に磁気ギャップgと
非平行な斜面部3を形成している。その斜面部3上に、
センダスト等の高飽和磁束密度を有する金属磁性膜4を
設け、強磁性体C型半体コア5の接合面にセンダスト等
の高飽和磁束密度を有する金属磁性膜4を設け、上記非
磁性体I型半体コア2と強磁性体C型半体コア5との接
合面間に、ギャップスペーサーとなるSiO2等の非磁
性体膜(図示せず)を介在させることによりコアチップ
1の媒体摺動面6に磁気ギャップgを形成する。
【0015】この実施例によれば、非磁性体I型半体コ
ア2側では、センダスト等の高飽和磁束密度を有する金
属磁性膜4のみで、磁路が構成されていることになるの
で、その断面積S1 が狭く、ヘッドのインダクタンスL
を小さくすることができ、高い周波数で記録しても記録
電流波形が時間とともに急峻に立ち上がりやすいため、
高密度記録が容易に実現できる。
【0016】しかも、フェライトに比較し、センダスト
等の金属磁性膜4の有する飽和磁束密度が大きいため、
その断面積S1 を狭くしても、再生時記録媒体から磁気
ギャップへ流入した磁束をコア外部へ漏洩することがな
く、再生出力を低下させることがない。
【0017】また、非磁性体I型半体コア2は、非磁性
体で機械的に補強されているため、体積が大きくても磁
路にはならないため必要以上に小さくする必要はなく、
コアチップ1の機械的強度を低下させることなく、巻線
等の組立工程でコアチップ1を損傷させる恐れがない。
【0018】さらに、上記金属磁性膜4の斜面部3方向
に沿った長さLが0.03mmより短くなると磁路の断
面積が狭くなりすぎ、磁気抵抗が大きくなり再生出力を
低下させる恐れがあり、また上記長さLが0.3mmよ
り大きくなるとヘッドのインダクタンスが大きくなりや
すく、高い周波数での記録が困難となり、高密度記録再
生ができない恐れがあるため、上記金属磁性膜4の斜面
部3方向に沿った長さLは0.03mmから0.3mm
の間であることが望ましい。
【0019】次に本発明における磁気ヘッドの製造方法
を図5から図9に示す。
【0020】図5に示すように、非磁性体長尺ブロック
11同士の接合予定面に、その短手方向に沿って複数の
V字溝12を所定の間隔で切削加工にて形成し、そのV
字溝12内にセンダスト等の高飽和磁束密度を有する金
属磁性膜13を所定のトラック幅が得られる厚みだけ被
着形成する。ここで、図示しないが、上記金属磁性膜1
3とSiO2 やAl23 等の絶縁薄膜とを交互に積層
したラミネート層を形成するようにしてもよいのは勿論
である。
【0021】次に、上記金属磁性膜13上に、低融点ガ
ラス等の非磁性体14を充填し、非磁性体長尺ブロック
11の接合面15を鏡面研磨仕上げし、図7に示す非磁
性体長尺ブロック11を得る。
【0022】また、図8に示すように、強磁性体長尺ブ
ロック16の鏡面研磨仕上げされた接合予定面15に、
その短手方向に沿って所定のトラック幅を残して、複数
のトラック溝18を形成し、その接合面予定15にセン
ダスト等の高飽和磁束密度を有する金属磁性膜13を被
着形成する。
【0023】次に、図9に示すように、上記非磁性体長
尺ブロック11と強磁性体長尺ブロック16とをその接
合面15間にギャップスペーサーとなるSiO2 あるい
はAl23 等の非磁性膜(図示せず)を介在して突き
合わせて加熱し、接合一体化し、図9に示す長尺コアブ
ロック17を得る。そして、上記長尺コアブロック17
を定ピッチでスライスして、図1に示すコアチップ1を
得る。ここで、図9bは図9aのC部の拡大平面図を示
し、gが磁気ギャップを構成している。
【0024】
【実施例2】図2は、この発明の第2実施例を示したH
DD用磁気ヘッド21である。図2bは、図2aのA部
の拡大斜視図を示す。このHDD用磁気ヘッド21は、
同図に示すように、スライダー22に本発明に係るコア
チップ1を接合一体化したものであって、その製造方法
を図2から図4に示す。
【0025】まず、図1に示したコアチップ1の片側面
を、磁気ギャップgが露出するまで鏡面研磨仕上げする
ことによりスライダー接合面23を設け、図3に示すよ
うな片面鏡面研磨仕上げされたHDD用コアチップ24
を得る。次に、図4に示すように、上記HDD用コアチ
ップ24の接合面23と、巻線用溝25を有するスライ
ダー22と接合一体化し、所定のギャップデプス(図示
しない)が得られるように媒体摺動面(エアーベアリン
グサーフェイス)26を鏡面研磨仕上げし、浮上用傾斜
面27を設ける。
【0026】次に、図2に示すように、所定のトラック
幅Twが得られるようにトラック形成用傾斜部28を設
け、HDD用磁気ヘッド21を得る。本発明によるHD
D磁気ヘッド21では、非磁性体I型半体コア2側で
は、センダスト等の高飽和磁束密度を有する金属磁性膜
13のみで磁路が構成されているため、その断面積を狭
くすることが容易になり、ヘッドのインダクタンスLを
小さくすることができ、さらに非磁性体I型半体コアは
おもに非磁性体で構成されているため、磁路にはなら
ず、その体積を必要以上に小さくする必要はない。した
がって、HDD用コアチップ24の強度が低下すること
なく、巻線等の組立工程でHDD用コアチップ24を損
傷することはない。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による磁気
ヘッドは、非磁性体膜を高飽和磁束密度を有する金属磁
性膜で挟み、磁気ギャップを形成した磁気ヘッドにおい
て、上記高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を配置させ
た非磁性体I型半体コアと、上記高飽和磁束密度を有す
る金属磁性膜を配置させた強磁性体C型半体コアとから
なり、上記非磁性体I型半体コアに磁気ギャップと非平
行な斜面部を設け、その斜面部上に高飽和磁束密度を有
する金属磁性膜を配置しているため、非磁性体I型半体
コア側では、高飽和磁束密度を有する金属磁性膜のみで
磁路が構成されているため、その断面積を狭くすること
が容易となり、ヘッドのインダクタンスLを小さくする
ことができ、高い記録周波数での記録が容易に実施で
き、高密度記録が実現できるという効果がある。更に、
非磁性体I型半体コアのほとんどは、磁路にはならない
非磁性体で構成されているため、必要以上にその体積を
小さくする必要はなく、コアチップ機械的強度が低下す
ることはなく巻線等の組立工程でコアチップが損傷する
ということが未然に防げる。また、上記金属磁性膜の斜
面部方向に沿った長さを0.03mmから0.3mmに
することによって、ヘッドの再生出力を低下させること
なくインダクタンスLを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 VTR装置に搭載される本発明の磁気ヘッド
コアチップを示す斜視図。
【図2】 aはHDD装置に搭載される本発明の磁気ヘ
ッドを示す斜視図、bは図2のaのA部の拡大斜視図。
【図3】 図2のHDD用磁気ヘッドの製造方法を示す
斜視図。
【図4】 aは図2のHDD用磁気ヘッドの製造方法を
示す斜視図、bは図4aのB部の拡大斜視図。
【図5】 図1のVTR用磁気ヘッドの製造方法を示す
斜視図。
【図6】 図1のVTR用磁気ヘッドの製造方法を示す
斜視図。
【図7】 図1のVTR用磁気ヘッドの製造方法を示す
斜視図。
【図8】 図1のVTR用磁気ヘッドの製造方法を示す
斜視図。
【図9】 aは図1のVTR用磁気ヘッドの製造方法を
示す斜視図、bは図9aのC部の拡大平面図。
【図10】 従来のMIGヘッドの具体例を示す斜視
図。
【符号の説明】
1 コアチップ 2 非磁性体I型半体コア 3 磁気ギャップgと非平行な斜面部 4 高飽和磁束密度を有する金属磁性膜 5 強磁性体C型半体コア g 磁気ギャップ L 金属磁性膜4の斜面部3方向に沿った長さ S1 I型半体コア2に配置された金属磁性膜4の断面
積。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】非磁性体膜を高飽和磁束密度を有する金属
    磁性膜で挟み、磁気ギャップを形成した磁気ヘッドにお
    いて、上記高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を配置さ
    せた非磁性体I型半体コアと、上記高飽和磁束密度を有
    する金属磁性膜を配置させた強磁性体C型半体コアとか
    らなることを特徴とする磁気ヘッド。
  2. 【請求項2】上記非磁性体I型半体コアにおいて、摺動
    面側から見て磁気ギャップと非平行な面を、上記I型半
    体コアに形成し、その非平行な面上に高飽和磁束密度を
    有する金属磁性膜を配置していることを特徴とする請求
    項1記載の磁気ヘッド。
  3. 【請求項3】上記高飽和磁束密度を有する金属磁性膜
    の、上記摺動面側から見て磁気ギャップと非平行な面に
    0.03mmから0.3mmとすることを特徴とする請
    求項2記載の磁気ヘッド。
  4. 【請求項4】非磁性体長尺ブロックの接合予定面にその
    短手方向に沿って複数の斜面部を有する溝を形成し、そ
    の溝内に高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を所定のト
    ラック幅が得られる厚みで被着形成した上でその金属磁
    性膜上に非磁性体を充填し、非磁性体長尺ブロックの接
    合面を鏡面研磨仕上げする工程と、強磁性体長尺ブロッ
    クの鏡面研磨仕上げされた接合面に、その短手方向に沿
    って所定のトラック幅を残して複数のトラック溝を形成
    し、その接合面に高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を
    被着形成する工程と、上記非磁性体長尺ブロックと強磁
    性体長尺ブロックとをその接合面間にギャップスペーサ
    となる非磁性膜を介して突き合わせて接合一体化する工
    程と、接合一体化された長尺ブロックをその短手方向に
    沿ってスライスし、薄板状のコアチップを得る工程とか
    らなることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
JP7174693A 1993-03-30 1993-03-30 磁気ヘッド Pending JPH06282809A (ja)

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