JPH06282823A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH06282823A JPH06282823A JP9561693A JP9561693A JPH06282823A JP H06282823 A JPH06282823 A JP H06282823A JP 9561693 A JP9561693 A JP 9561693A JP 9561693 A JP9561693 A JP 9561693A JP H06282823 A JPH06282823 A JP H06282823A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極の耐食性及び耐酸化性を向上させ、ヘッ
ドの異物付着による不良を防止する薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【構成】 電極２０ａ，２０ｂは、対向する面が平行で
対向する面とその他側の面とが非平行になるように、磁
気抵抗効果素子層１上に積層される。電極２０ａ，２０
ｂの長手方向の端面が、磁気記録媒体に臨ませる磁気抵
抗効果素子層１の端面側に位置されて、電極２０ａ，２
０ｂの長手方向の端面は、これに平行な断面の面積より
も小さく形成されている。
ドの異物付着による不良を防止する薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【構成】 電極２０ａ，２０ｂは、対向する面が平行で
対向する面とその他側の面とが非平行になるように、磁
気抵抗効果素子層１上に積層される。電極２０ａ，２０
ｂの長手方向の端面が、磁気記録媒体に臨ませる磁気抵
抗効果素子層１の端面側に位置されて、電極２０ａ，２
０ｂの長手方向の端面は、これに平行な断面の面積より
も小さく形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置に用いら
れる磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関する。
れる磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの外部記録装置として広く
用いられている磁気ディスク装置のような磁気記録装置
は、近年、高密度に対する要求が強まっており、これに
伴って磁気記録媒体における、記録トラック幅及び線記
録幅が益々狭小化する傾向にある。このような磁気記録
媒体の記録情報を確実に読み取る再生手段として、磁気
抵抗効果（Magneto-Resistive effect）を利用した磁気
抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドが使用されている。
用いられている磁気ディスク装置のような磁気記録装置
は、近年、高密度に対する要求が強まっており、これに
伴って磁気記録媒体における、記録トラック幅及び線記
録幅が益々狭小化する傾向にある。このような磁気記録
媒体の記録情報を確実に読み取る再生手段として、磁気
抵抗効果（Magneto-Resistive effect）を利用した磁気
抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドが使用されている。
【０００３】図６は、従来の磁気抵抗効果型の薄膜磁気
ヘッドの研磨加工後の電極長手方向の模式的端面図であ
り、図７は図６の VII−VII 線から見た研磨加工前の模
式的横断面図である。図中７は非磁性の基板であり、基
板７上に絶縁材料からなる保護層８が形成され、そして
下部磁気シールド６，下部絶縁層４が形成されてこの上
に磁気抵抗効果素子層（以下ＭＲ層１という）が形成さ
れている。ＭＲ層１は、パーマロイ（NiFe）合金のよう
な高い磁気抵抗効果を有する材料からなり、磁界中で例
えば蒸着法によって、図７に示されるように、保護層８
の一端面１０から所定距離の位置に前記一端面に沿った
ストライプ状に形成され、トラック幅方向即ちストライ
プ長手方向に磁化容易軸となるように一軸磁気異方性が
誘起される。また、ＭＲ層１には、磁界変化による出力
を直線的に応答するためのバイアス層，非磁性層等が含
まれるが、これらは図では省略されている。
ヘッドの研磨加工後の電極長手方向の模式的端面図であ
り、図７は図６の VII−VII 線から見た研磨加工前の模
式的横断面図である。図中７は非磁性の基板であり、基
板７上に絶縁材料からなる保護層８が形成され、そして
下部磁気シールド６，下部絶縁層４が形成されてこの上
に磁気抵抗効果素子層（以下ＭＲ層１という）が形成さ
れている。ＭＲ層１は、パーマロイ（NiFe）合金のよう
な高い磁気抵抗効果を有する材料からなり、磁界中で例
えば蒸着法によって、図７に示されるように、保護層８
の一端面１０から所定距離の位置に前記一端面に沿った
ストライプ状に形成され、トラック幅方向即ちストライ
プ長手方向に磁化容易軸となるように一軸磁気異方性が
誘起される。また、ＭＲ層１には、磁界変化による出力
を直線的に応答するためのバイアス層，非磁性層等が含
まれるが、これらは図では省略されている。
【０００４】そして、ＭＲ層１及び保護層８上にはスト
ライプ状の電極２ａ，２ｂが、電極間を適長離隔させて
形成されている。このとき、電極２ａ，２ｂはＭＲ層１
上を直交し、その一端をＭＲ層１から保護膜８端面側へ
延長して形成されている。電極２ａ，２ｂ上には上部絶
縁層３，上部磁気シールド層５及び保護層８が順次形成
されている。
ライプ状の電極２ａ，２ｂが、電極間を適長離隔させて
形成されている。このとき、電極２ａ，２ｂはＭＲ層１
上を直交し、その一端をＭＲ層１から保護膜８端面側へ
延長して形成されている。電極２ａ，２ｂ上には上部絶
縁層３，上部磁気シールド層５及び保護層８が順次形成
されている。
【０００５】このような薄膜磁気ヘッドを１枚の非磁性
基板に複数個作成し、その非磁性基板を所定の寸法，形
状に機械加工し、スライダを形成する。特に、ＭＲ層１
の幅Ｗ即ち長手方向に垂直な長さは、記録情報の再生感
度に密接な関係があり、ＭＲ層１の長手方向と平行に研
磨加工することにより形成される。図８は、図７の薄膜
磁気ヘッドの研磨加工後の模式的横断面図である。ＭＲ
層１はストライプ状長手方向に長さＬ、その垂直方向に
幅Ｗで形成されている。このとき、図６に示すような研
磨された薄膜磁気ヘッドの一端面（以下ＡＢＳ (Air Be
aring Surface)９という）には、電極２ａ，２ｂ，上部
磁気シールド層５，下部磁気シールド層６, ＭＲ層１,
上部絶縁層３，下部絶縁層４及び保護層８が露出してい
る。
基板に複数個作成し、その非磁性基板を所定の寸法，形
状に機械加工し、スライダを形成する。特に、ＭＲ層１
の幅Ｗ即ち長手方向に垂直な長さは、記録情報の再生感
度に密接な関係があり、ＭＲ層１の長手方向と平行に研
磨加工することにより形成される。図８は、図７の薄膜
磁気ヘッドの研磨加工後の模式的横断面図である。ＭＲ
層１はストライプ状長手方向に長さＬ、その垂直方向に
幅Ｗで形成されている。このとき、図６に示すような研
磨された薄膜磁気ヘッドの一端面（以下ＡＢＳ (Air Be
aring Surface)９という）には、電極２ａ，２ｂ，上部
磁気シールド層５，下部磁気シールド層６, ＭＲ層１,
上部絶縁層３，下部絶縁層４及び保護層８が露出してい
る。
【０００６】そして記録情報の再生時に、ＡＢＳ９が磁
気記録媒体に臨み、電極２ａ，２ｂ間に形成されたＭＲ
層１の作用領域１１に生じる電気抵抗変化が出力される
ようになっている。ＭＲ層１及び電極２ａ，２ｂの上下
に形成された上部，下部磁気シールド層５，６は、前記
作用領域を隣接ビットからの漏洩磁界から遮蔽するため
に用いられている。
気記録媒体に臨み、電極２ａ，２ｂ間に形成されたＭＲ
層１の作用領域１１に生じる電気抵抗変化が出力される
ようになっている。ＭＲ層１及び電極２ａ，２ｂの上下
に形成された上部，下部磁気シールド層５，６は、前記
作用領域を隣接ビットからの漏洩磁界から遮蔽するため
に用いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上の如く構成された
薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ９には、電極２ａ，２ｂが露出
している。電極２ａ，２ｂには、電気伝導度が高くコス
トが安価であるＣｕが用いられることが多い。反面、Ｃ
ｕは酸化され易くヘッドの腐食を生じ易いので、電極２
ａ，２ｂの露出面積が大きい場合には、ヘッドの性能が
劣化するという問題があった。
薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ９には、電極２ａ，２ｂが露出
している。電極２ａ，２ｂには、電気伝導度が高くコス
トが安価であるＣｕが用いられることが多い。反面、Ｃ
ｕは酸化され易くヘッドの腐食を生じ易いので、電極２
ａ，２ｂの露出面積が大きい場合には、ヘッドの性能が
劣化するという問題があった。
【０００８】また、Ｃｕ以外の耐食性に優れた材料を用
いた場合でも、電極２ａ，２ｂの露出面積が大きい場合
には、電極２ａ，２ｂのに例えばゴミのような汚れが付
着する機会が多くなり、電極２ａ，２ｂと上部，下部磁
気シールド層５，６との電気的短絡を生じる、またはヘ
ッド動作中にヘッドクラッシュを生じる虞れがあるとい
う問題があった。
いた場合でも、電極２ａ，２ｂの露出面積が大きい場合
には、電極２ａ，２ｂのに例えばゴミのような汚れが付
着する機会が多くなり、電極２ａ，２ｂと上部，下部磁
気シールド層５，６との電気的短絡を生じる、またはヘ
ッド動作中にヘッドクラッシュを生じる虞れがあるとい
う問題があった。
【０００９】これらの問題を解決するために、ヘッド加
工後にＡＢＳ９を0.02〜0.03μｍの厚みの保護膜で被覆
し、電極の露出によるヘッド性能の低下を防止する方法
が提案されている（特開平４−276367号公報）。しかし
ながら、近年の高密度化記録により、ＡＢＳ９と磁気媒
体との間の浮上間隙は、再生感度を確保するために減少
せしめる傾向にあり、ＡＢＳ９表面を被覆することによ
り、浮上間隙が大きくなるという問題があった。
工後にＡＢＳ９を0.02〜0.03μｍの厚みの保護膜で被覆
し、電極の露出によるヘッド性能の低下を防止する方法
が提案されている（特開平４−276367号公報）。しかし
ながら、近年の高密度化記録により、ＡＢＳ９と磁気媒
体との間の浮上間隙は、再生感度を確保するために減少
せしめる傾向にあり、ＡＢＳ９表面を被覆することによ
り、浮上間隙が大きくなるという問題があった。
【００１０】また、ＭＲ層をストライプ状の矩形ではな
く、屈曲した形状とすることにより、ＡＢＳ９にＭＲ層
の作用領域のみを露出せしめた薄膜磁気ヘッドが‘IEEE
Transactions on Magnetics, Vol.27, No.6, 1991, p
p.4690-4692' で提案されている。この構造では電極が
ＡＢＳに露出しないので、電極の露出によるヘッド性能
の低下を防止することができる。しかしながら、ＭＲ層
が屈曲した構造であるために、ＭＲ層の磁区構造が不安
定になり易く、再生時の再生出力にノイズが重畳する虞
があるという問題があった。
く、屈曲した形状とすることにより、ＡＢＳ９にＭＲ層
の作用領域のみを露出せしめた薄膜磁気ヘッドが‘IEEE
Transactions on Magnetics, Vol.27, No.6, 1991, p
p.4690-4692' で提案されている。この構造では電極が
ＡＢＳに露出しないので、電極の露出によるヘッド性能
の低下を防止することができる。しかしながら、ＭＲ層
が屈曲した構造であるために、ＭＲ層の磁区構造が不安
定になり易く、再生時の再生出力にノイズが重畳する虞
があるという問題があった。
【００１１】これを解決するために、ＭＲ層を矩形に形
成し、ＡＢＳに電極を全く露出させない薄膜磁気ヘッド
の構造が考えられる。図９は、薄膜磁気ヘッドの模式的
横断面図である。ＡＢＳ９端縁にＭＲ層１が矩形に形成
され、ＭＲ層１上には、ストライプ状の電極２ａ，２ｂ
が、長手方向をＭＲ層１の前記幅方向とし、電極２ａ，
２ｂのＡＢＳ９側の一端面を、ＡＢＳ９から所定距離だ
け離隔した位置にして形成されている。この構造では、
電極２ａ，２ｂがＡＢＳ９に露出せず、またＭＲ層１が
屈曲していないので、ＭＲ層１の屈曲による再生出力に
ノイズが重畳することはないが、ＭＲ層１の作用領域１
１において、電流密度が不均一になり、再生出力に悪影
響を及ぼすという問題があった。
成し、ＡＢＳに電極を全く露出させない薄膜磁気ヘッド
の構造が考えられる。図９は、薄膜磁気ヘッドの模式的
横断面図である。ＡＢＳ９端縁にＭＲ層１が矩形に形成
され、ＭＲ層１上には、ストライプ状の電極２ａ，２ｂ
が、長手方向をＭＲ層１の前記幅方向とし、電極２ａ，
２ｂのＡＢＳ９側の一端面を、ＡＢＳ９から所定距離だ
け離隔した位置にして形成されている。この構造では、
電極２ａ，２ｂがＡＢＳ９に露出せず、またＭＲ層１が
屈曲していないので、ＭＲ層１の屈曲による再生出力に
ノイズが重畳することはないが、ＭＲ層１の作用領域１
１において、電流密度が不均一になり、再生出力に悪影
響を及ぼすという問題があった。
【００１２】また、このような構造で電極２ａ，２ｂの
ＡＢＳ９側の一端面とＡＢＳ９との離隔距離を可能な限
り小さくすることにより、ＭＲ層１の作用領域１１にお
ける電流密度を均一に近づけることが考えられるが、実
際工程では極めて難しく量産製造が困難であるという問
題があった。
ＡＢＳ９側の一端面とＡＢＳ９との離隔距離を可能な限
り小さくすることにより、ＭＲ層１の作用領域１１にお
ける電流密度を均一に近づけることが考えられるが、実
際工程では極めて難しく量産製造が困難であるという問
題があった。
【００１３】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、磁気記録媒体へ臨ませる面に露出した電極の
端面の面積を小さくすることにより、電極の耐食性及び
耐酸化性を向上させ、ヘッドの異物付着による不良を防
止する薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
のであり、磁気記録媒体へ臨ませる面に露出した電極の
端面の面積を小さくすることにより、電極の耐食性及び
耐酸化性を向上させ、ヘッドの異物付着による不良を防
止する薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、一対の電極が、その対向する面を平行にして磁
気抵抗素子の一面に積層され、前記磁気抵抗素子の磁気
記録媒体に臨ませるべき端面側に、前記両電極の長手方
向の端面を位置させてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記両電極は夫々、前記対向面と他側の面とが非平行に形
成されて、前記両電極の長手方向の端面の面積を、前記
端面に平行な断面の面積よりも小さくしてあることを特
徴とする。
ッドは、一対の電極が、その対向する面を平行にして磁
気抵抗素子の一面に積層され、前記磁気抵抗素子の磁気
記録媒体に臨ませるべき端面側に、前記両電極の長手方
向の端面を位置させてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記両電極は夫々、前記対向面と他側の面とが非平行に形
成されて、前記両電極の長手方向の端面の面積を、前記
端面に平行な断面の面積よりも小さくしてあることを特
徴とする。
【００１５】
【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、両電極の対向す
る面が平行であり、電極の前記対向する面と他側の面と
が非平行に形成されている。これにより、両電極の対向
する面にて決定される磁気抵抗効果素子層の領域を異な
らせることなく、電流の流れる方向と磁気抵抗効果素子
層の磁気異方性の方向とを一致させた状態で、磁気記録
媒体へ臨ませる面に露出する両電極の面積が小さくなる
ので、ヘッドの不良が防止される。
る面が平行であり、電極の前記対向する面と他側の面と
が非平行に形成されている。これにより、両電極の対向
する面にて決定される磁気抵抗効果素子層の領域を異な
らせることなく、電流の流れる方向と磁気抵抗効果素子
層の磁気異方性の方向とを一致させた状態で、磁気記録
媒体へ臨ませる面に露出する両電極の面積が小さくなる
ので、ヘッドの不良が防止される。
【００１６】
【実施例】以下、本発明をその第１実施例を示す図面に
基づき具体的に説明する。図１は、第１実施例に係る薄
膜磁気ヘッドの研磨加工後の電極長手方向の模式的端面
図である。図中７はアルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）
からなる非磁性基板であり、基板７上にＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 等の絶縁膜からなる保護層８をスパッタリングに
より所定厚みに積層する。保護層８上には、スパッタリ
ングにより、パーマロイ合金（ＮｉＦｅ）からなる下部
磁気シールド層６が１μｍの厚みに積層され、下部磁気
シールド層６上に0.15μｍの厚みの下部絶縁層４が、Ａ
ｌ2Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等のスパッタリングにより積層され
る。
基づき具体的に説明する。図１は、第１実施例に係る薄
膜磁気ヘッドの研磨加工後の電極長手方向の模式的端面
図である。図中７はアルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）
からなる非磁性基板であり、基板７上にＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 等の絶縁膜からなる保護層８をスパッタリングに
より所定厚みに積層する。保護層８上には、スパッタリ
ングにより、パーマロイ合金（ＮｉＦｅ）からなる下部
磁気シールド層６が１μｍの厚みに積層され、下部磁気
シールド層６上に0.15μｍの厚みの下部絶縁層４が、Ａ
ｌ2Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等のスパッタリングにより積層され
る。
【００１７】次に、 0.1μｍの厚みのＭＲ層１が、フォ
トリソグラフィ法とイオンミリング又はリアクティブイ
オンエッチング等のドライエッチングとにより、下部絶
縁層４上にストライプ状に形成される。ＭＲ層１は、Ｎ
ｉＦｅ合金，ＮｉＣｏ合金等の強磁性材料からなる0.05
μｍの厚みの磁気抵抗効果膜，Ｔｉからなる0.02μｍの
厚みの非磁性膜及びＣｏＺｒ系の非晶質合金からなる0.
03μｍの厚みの軟磁性膜を磁界中で連続蒸着により順次
積層されている。ＭＲ層１は、寸法を長手方向の長さＬ
を50μｍ，これに直交する方向の幅を10μｍとし、成膜
中に長さ方向を磁化容易軸とすべく、一軸磁気異方性を
誘起させて完成する。
トリソグラフィ法とイオンミリング又はリアクティブイ
オンエッチング等のドライエッチングとにより、下部絶
縁層４上にストライプ状に形成される。ＭＲ層１は、Ｎ
ｉＦｅ合金，ＮｉＣｏ合金等の強磁性材料からなる0.05
μｍの厚みの磁気抵抗効果膜，Ｔｉからなる0.02μｍの
厚みの非磁性膜及びＣｏＺｒ系の非晶質合金からなる0.
03μｍの厚みの軟磁性膜を磁界中で連続蒸着により順次
積層されている。ＭＲ層１は、寸法を長手方向の長さＬ
を50μｍ，これに直交する方向の幅を10μｍとし、成膜
中に長さ方向を磁化容易軸とすべく、一軸磁気異方性を
誘起させて完成する。
【００１８】次に、保護層８及びＭＲ層１の上に、高導
電性を有する金属, 例えばＣｕのスパッタリングによ
り、厚み 0.5μｍの導電膜を成膜し、フォトレジストを
塗布して、フォトリソグラフィにより所望の形状の電極
２０ａ，２０ｂを形成する。図２は、図１のII−II線か
ら見た薄膜磁気ヘッドの研磨加工前の模式的横断面図で
ある。保護層８及びＭＲ層１上に、電極２０ａ，２０ｂ
が、長手方向をＭＲ層１の幅方向とし、ＭＲ層１上を交
差してＭＲ層１から保護層８の端面側へ延長して形成さ
れる。このとき、電極２０ａ及び電極２０ｂの対向する
面である夫々の一側面は、所定距離だけ離隔されて平行
に形成される。そして、ＭＲ層１上に形成される電極２
０ａの他側面は前記一側面と所定角度をなして形成さ
れ、電極２０ｂの他側面も前記一側面と所定角度をなし
て形成される。
電性を有する金属, 例えばＣｕのスパッタリングによ
り、厚み 0.5μｍの導電膜を成膜し、フォトレジストを
塗布して、フォトリソグラフィにより所望の形状の電極
２０ａ，２０ｂを形成する。図２は、図１のII−II線か
ら見た薄膜磁気ヘッドの研磨加工前の模式的横断面図で
ある。保護層８及びＭＲ層１上に、電極２０ａ，２０ｂ
が、長手方向をＭＲ層１の幅方向とし、ＭＲ層１上を交
差してＭＲ層１から保護層８の端面側へ延長して形成さ
れる。このとき、電極２０ａ及び電極２０ｂの対向する
面である夫々の一側面は、所定距離だけ離隔されて平行
に形成される。そして、ＭＲ層１上に形成される電極２
０ａの他側面は前記一側面と所定角度をなして形成さ
れ、電極２０ｂの他側面も前記一側面と所定角度をなし
て形成される。
【００１９】そして、電極２０ａ，２０ｂ上に上部絶縁
層３を、下部絶縁層４と同様に形成し、この上にＮｉＦ
ｅ合金（パーマロイ）からなる上部磁気シールド層５
を、下部磁気シールド層と同様に１μｍの厚みを有して
形成する。そして、この上を絶縁膜である保護層８によ
り覆われる。
層３を、下部絶縁層４と同様に形成し、この上にＮｉＦ
ｅ合金（パーマロイ）からなる上部磁気シールド層５
を、下部磁気シールド層と同様に１μｍの厚みを有して
形成する。そして、この上を絶縁膜である保護層８によ
り覆われる。
【００２０】このように製造された薄膜磁気ヘッドを所
定の寸法及び形状に研磨加工する。図３は、図２の薄膜
磁気ヘッドの研磨加工後の模式的横断面図である。ＭＲ
層１の幅寸法がＷとなるように研磨を行ってＡＢＳ９を
形成し、ＡＢＳ９を磁気記録媒体である例えば磁気ディ
スクＭに臨ませて記録情報を読み取る。こうして、ＭＲ
層１の作用領域１１は従来と同様で、ＡＢＳ９に露出す
る電極２０ａ，２０ｂの面積は従来よりも小さくでき
る。なお、ＡＢＳ９での露出面積を減少せしめるために
は、ＭＲ層１上に形成される電極２０ａ，２０ｂ夫々の
一側面と他側面とがなす角度が小さい方が良い。
定の寸法及び形状に研磨加工する。図３は、図２の薄膜
磁気ヘッドの研磨加工後の模式的横断面図である。ＭＲ
層１の幅寸法がＷとなるように研磨を行ってＡＢＳ９を
形成し、ＡＢＳ９を磁気記録媒体である例えば磁気ディ
スクＭに臨ませて記録情報を読み取る。こうして、ＭＲ
層１の作用領域１１は従来と同様で、ＡＢＳ９に露出す
る電極２０ａ，２０ｂの面積は従来よりも小さくでき
る。なお、ＡＢＳ９での露出面積を減少せしめるために
は、ＭＲ層１上に形成される電極２０ａ，２０ｂ夫々の
一側面と他側面とがなす角度が小さい方が良い。
【００２１】次に、本発明を第２実施例を示す図面に基
づいて具体的に説明する。上述の第１実施例の如き電極
２０ａ，２０ｂの形状では、ＡＢＳ９の研磨加工精度
が、電極２０ａ，２０ｂの露出面積に大きく影響する。
以下に、露出面積のばらつきに対応できる形状の電極を
有する薄膜磁気ヘッドについて説明する。
づいて具体的に説明する。上述の第１実施例の如き電極
２０ａ，２０ｂの形状では、ＡＢＳ９の研磨加工精度
が、電極２０ａ，２０ｂの露出面積に大きく影響する。
以下に、露出面積のばらつきに対応できる形状の電極を
有する薄膜磁気ヘッドについて説明する。
【００２２】図４は、第２実施例に係る薄膜磁気ヘッド
の研磨加工前の模式的横断面図である。電極の形状が異
なる以外は、上述の第１実施例と同様であり、同部分に
同符号を付して説明を省略する。保護層８及びＭＲ層１
上に高導電性を有する金属,例えばＣｕのスパッタリン
グにより、厚み 0.5μｍの導電膜を成膜し、フォトレジ
ストを塗布して、フォトリソグラフィにより所望の形状
の電極２１ａ，２１ｂを形成する。図中９は研磨加工し
た後のＡＢＳの位置を示している。
の研磨加工前の模式的横断面図である。電極の形状が異
なる以外は、上述の第１実施例と同様であり、同部分に
同符号を付して説明を省略する。保護層８及びＭＲ層１
上に高導電性を有する金属,例えばＣｕのスパッタリン
グにより、厚み 0.5μｍの導電膜を成膜し、フォトレジ
ストを塗布して、フォトリソグラフィにより所望の形状
の電極２１ａ，２１ｂを形成する。図中９は研磨加工し
た後のＡＢＳの位置を示している。
【００２３】電極２１ａ，２１ｂは、長手方向をＭＲ層
１の幅方向とし、ＭＲ層１上を交差してＭＲ層１から保
護層８の端面１０側へ延長して形成される。このとき、
電極２１ａ及び電極２１ｂの対向する面である夫々の一
側面は、所定距離だけ離隔されて平行に形成される。そ
して、ＭＲ層１上に形成される電極２１ａの他側面は、
前記ＡＢＳ９近傍でＭＲ層１の長さ方向と同方向の幅を
小さくする態様で、所定曲率を有する曲面に形成され
る。そして、前記ＡＢＳ９から保護層８の端面１０側
へ、電極２１ａ，２１ｂの他側面は前記一側面と平行に
形成される。
１の幅方向とし、ＭＲ層１上を交差してＭＲ層１から保
護層８の端面１０側へ延長して形成される。このとき、
電極２１ａ及び電極２１ｂの対向する面である夫々の一
側面は、所定距離だけ離隔されて平行に形成される。そ
して、ＭＲ層１上に形成される電極２１ａの他側面は、
前記ＡＢＳ９近傍でＭＲ層１の長さ方向と同方向の幅を
小さくする態様で、所定曲率を有する曲面に形成され
る。そして、前記ＡＢＳ９から保護層８の端面１０側
へ、電極２１ａ，２１ｂの他側面は前記一側面と平行に
形成される。
【００２４】このような形状の電極２１ａ，２１ｂが形
成された薄膜磁気ヘッドを、ＡＢＳ９で研磨加工するこ
とにより、電極２１ａ，２１ｂの露出面積を小さくで
き、ＡＢＳ９の研磨精度及びパターニング位置合わせ精
度による露出面積のばらつきを抑制することができる。
成された薄膜磁気ヘッドを、ＡＢＳ９で研磨加工するこ
とにより、電極２１ａ，２１ｂの露出面積を小さくで
き、ＡＢＳ９の研磨精度及びパターニング位置合わせ精
度による露出面積のばらつきを抑制することができる。
【００２５】次に、本発明を第３実施例を示す図面に基
づいて具体的に説明する。図５は、第３実施例に係る薄
膜磁気ヘッドの研磨加工前の模式的横断面図である。電
極２２ａ，２２ｂの形状が異なる以外は、上述の第２実
施例と同様であり、同部分に同符号を付して説明を省略
する。電極２２ａ，２２ｂは、ＭＲ層１の長さ方向と同
方向の幅を大きくした形状のものであり、ＡＢＳ９近傍
から保護層８の端面１０側へ、電極２２ａ，２２ｂの他
側面は前記一側面と平行に形成される。このような構造
の薄膜磁気ヘッドは、電極２１ａ，２１ｂの露出面積を
小さくでき、ＡＢＳ９の研磨精度及びパターニング位置
合わせ精度による露出面積のばらつきを抑制できる。ま
た、ウエハ工程時に電極２２ａ，２２ｂを切断すること
によって電極２２ａ，２２ｂの幅寸法を設定することが
できる。
づいて具体的に説明する。図５は、第３実施例に係る薄
膜磁気ヘッドの研磨加工前の模式的横断面図である。電
極２２ａ，２２ｂの形状が異なる以外は、上述の第２実
施例と同様であり、同部分に同符号を付して説明を省略
する。電極２２ａ，２２ｂは、ＭＲ層１の長さ方向と同
方向の幅を大きくした形状のものであり、ＡＢＳ９近傍
から保護層８の端面１０側へ、電極２２ａ，２２ｂの他
側面は前記一側面と平行に形成される。このような構造
の薄膜磁気ヘッドは、電極２１ａ，２１ｂの露出面積を
小さくでき、ＡＢＳ９の研磨精度及びパターニング位置
合わせ精度による露出面積のばらつきを抑制できる。ま
た、ウエハ工程時に電極２２ａ，２２ｂを切断すること
によって電極２２ａ，２２ｂの幅寸法を設定することが
できる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、磁気
抵抗効果素子の作用領域を決定する両電極の対向する面
を平行にして、磁気記録媒体へ臨ませる面に露出する電
極の端面の面積を小さくすることにより、電極の耐食性
及び耐酸化性を向上させ、ヘッドの異物付着による不良
を防止する等、本発明は優れた効果を奏するものであ
る。
抵抗効果素子の作用領域を決定する両電極の対向する面
を平行にして、磁気記録媒体へ臨ませる面に露出する電
極の端面の面積を小さくすることにより、電極の耐食性
及び耐酸化性を向上させ、ヘッドの異物付着による不良
を防止する等、本発明は優れた効果を奏するものであ
る。
【図１】第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドの研磨加工後
の電極長手方向の模式的端面図である。
の電極長手方向の模式的端面図である。
【図２】図１のII−II線から見た薄膜磁気ヘッドの研磨
加工前の模式的横断面図である。
加工前の模式的横断面図である。
【図３】図２の薄膜磁気ヘッドの研磨加工後の模式的横
断面図である。
断面図である。
【図４】第２実施例に係る薄膜磁気ヘッドの研磨加工前
の模式的横断面図である。
の模式的横断面図である。
【図５】第３実施例に係る薄膜磁気ヘッドの研磨加工前
の模式的横断面図である。
の模式的横断面図である。
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの研磨加工後の電極長手
方向の模式的端面図である。
方向の模式的端面図である。
【図７】図６の VII−VII 線から見た研磨加工前の模式
的横断面図である。
的横断面図である。
【図８】図７の薄膜磁気ヘッドの研磨加工後の模式的横
断面図である。
断面図である。
【図９】従来の薄膜磁気ヘッドの模式的横断面図であ
る。
る。
１ ＭＲ層 ３ 上部絶縁層 ４ 下部絶縁層 ５ 上部磁気シールド層 ６ 下部磁気シールド層 ７ 基板 ８ 保護層 ２０ａ，２０ｂ 電極 Ｍ 磁気ディスク
Claims (1)
- 【請求項１】 一対の電極が、その対向する面を平行に
して磁気抵抗素子の一面に積層され、前記磁気抵抗素子
の磁気記録媒体に臨ませるべき端面側に、前記両電極の
長手方向の端面を位置させてなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記両電極は夫々、前記対向面と他側の面とが非平行に
形成されて、前記両電極の長手方向の端面の面積を、前
記端面に平行な断面の面積よりも小さくしてあることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9561693A JPH06282823A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9561693A JPH06282823A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06282823A true JPH06282823A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=14142487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9561693A Pending JPH06282823A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06282823A (ja) |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP9561693A patent/JPH06282823A/ja active Pending
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