JPH06283436A - プラズマｃｖｄ法及びプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ法及びプラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH06283436A JPH06283436A JP5068320A JP6832093A JPH06283436A JP H06283436 A JPH06283436 A JP H06283436A JP 5068320 A JP5068320 A JP 5068320A JP 6832093 A JP6832093 A JP 6832093A JP H06283436 A JPH06283436 A JP H06283436A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜質を低下させずに高い成膜速度で非晶質薄
膜を成膜できるプラズマＣＶＤ法及びこの方法に用いる
プラズマＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 反応容器１内に反応ガスを導入し、この反応
容器１内に設けられた放電用電極２とこれに平行に支持
された基板加熱用ヒータ３との間でグロー放電プラズマ
を発生させて反応ガスを分解させ、基板加熱用ヒータ３
上に支持された基板９上に非晶質薄膜を形成するにあた
り、反応容器１内に導入する反応ガスを加熱する。
膜を成膜できるプラズマＣＶＤ法及びこの方法に用いる
プラズマＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 反応容器１内に反応ガスを導入し、この反応
容器１内に設けられた放電用電極２とこれに平行に支持
された基板加熱用ヒータ３との間でグロー放電プラズマ
を発生させて反応ガスを分解させ、基板加熱用ヒータ３
上に支持された基板９上に非晶質薄膜を形成するにあた
り、反応容器１内に導入する反応ガスを加熱する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの
各種電子デバイスに使用される薄膜の製造に適したプラ
ズマＣＶＤ法及びこの方法に用いられるプラズマＣＶＤ
装置に関する。
太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの
各種電子デバイスに使用される薄膜の製造に適したプラ
ズマＣＶＤ法及びこの方法に用いられるプラズマＣＶＤ
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと
記す）薄膜を製造するために、従来より用いられている
プラズマＣＶＤ装置の構成を図５を参照して説明する。
記す）薄膜を製造するために、従来より用いられている
プラズマＣＶＤ装置の構成を図５を参照して説明する。
【０００３】反応容器１内には、高周波電極２と基板加
熱用ヒータ３とが平行に配置されている。高周波電極２
には、高周波電源４からインピーダンス整合器５を介し
て例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。
基板加熱用ヒータ３は、反応容器１とともに接地され、
接地電極となっている。したがって、高周波電極２と基
板加熱用ヒータ３との間でグロー放電プラズマが発生す
る。反応容器１内には、図示しないボンベから反応ガス
導入管６を通して例えばモノシランと水素との混合ガス
が供給される。反応容器１内のガスは、排気管７を通し
て真空ポンプ８により排気される。基板９は、基板加熱
用ヒータ３上に保持され、所定の温度に加熱される。
熱用ヒータ３とが平行に配置されている。高周波電極２
には、高周波電源４からインピーダンス整合器５を介し
て例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。
基板加熱用ヒータ３は、反応容器１とともに接地され、
接地電極となっている。したがって、高周波電極２と基
板加熱用ヒータ３との間でグロー放電プラズマが発生す
る。反応容器１内には、図示しないボンベから反応ガス
導入管６を通して例えばモノシランと水素との混合ガス
が供給される。反応容器１内のガスは、排気管７を通し
て真空ポンプ８により排気される。基板９は、基板加熱
用ヒータ３上に保持され、所定の温度に加熱される。
【０００４】この装置を用い、以下のようにして薄膜を
製造する。真空ポンプ８を駆動して反応容器１内を排気
する。反応ガス導入管６を通して例えばモノシランと水
素との混合ガスを供給して反応容器内の圧力を０．０５
〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、高周波電源４から高周波電極
２に電圧を印加すると、グロー放電プラズマが発生す
る。反応ガス導入管６から供給されたガスのうち、モノ
シランガスは高周波電極２−基板加熱用ヒータ３間に生
じるグロー放電プラズマによって分解される。この結
果、ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 などのＳｉを含むラジカルが発
生し、基板９表面に付着して、ａ−Ｓｉ薄膜が形成され
る。
製造する。真空ポンプ８を駆動して反応容器１内を排気
する。反応ガス導入管６を通して例えばモノシランと水
素との混合ガスを供給して反応容器内の圧力を０．０５
〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、高周波電源４から高周波電極
２に電圧を印加すると、グロー放電プラズマが発生す
る。反応ガス導入管６から供給されたガスのうち、モノ
シランガスは高周波電極２−基板加熱用ヒータ３間に生
じるグロー放電プラズマによって分解される。この結
果、ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 などのＳｉを含むラジカルが発
生し、基板９表面に付着して、ａ−Ｓｉ薄膜が形成され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の装置に
は、次のような問題がある。すなわち、従来の装置にお
いて、反応容器内の圧力、ガス流量などを変えずに成膜
速度を向上させるためには、高周波電極に印加する高周
波電力を上げ、グロー放電プラズマ中の電子密度を向上
させることにより反応ガスの分解を促進している。しか
し、電子密度を上げると必然的にイオン密度も増大する
ので、基板上に堆積中の膜に多量のイオンが衝突する。
この結果、成膜された膜は、ストレスなどが増大し、膜
質が低下してしまう。したがって、膜質を低下させずに
成膜速度を向上させることは非常に困難であった。
は、次のような問題がある。すなわち、従来の装置にお
いて、反応容器内の圧力、ガス流量などを変えずに成膜
速度を向上させるためには、高周波電極に印加する高周
波電力を上げ、グロー放電プラズマ中の電子密度を向上
させることにより反応ガスの分解を促進している。しか
し、電子密度を上げると必然的にイオン密度も増大する
ので、基板上に堆積中の膜に多量のイオンが衝突する。
この結果、成膜された膜は、ストレスなどが増大し、膜
質が低下してしまう。したがって、膜質を低下させずに
成膜速度を向上させることは非常に困難であった。
【０００６】本発明はこのような問題を解決するために
なされたものであり、膜質を低下させずに高い成膜速度
で非晶質薄膜を成膜できるプラズマＣＶＤ法及びこの方
法に用いるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的と
する。
なされたものであり、膜質を低下させずに高い成膜速度
で非晶質薄膜を成膜できるプラズマＣＶＤ法及びこの方
法に用いるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
法は、反応容器内に反応ガスを導入し、該反応容器内に
設けられた放電用電極とこれに平行に支持された基板加
熱用ヒータとの間でグロー放電プラズマを発生させて反
応ガスを分解させ、基板加熱用ヒータ上に支持された基
板上に非晶質薄膜を形成するにあたり、前記反応容器内
に導入する反応ガスを加熱することを特徴とするもので
ある。
法は、反応容器内に反応ガスを導入し、該反応容器内に
設けられた放電用電極とこれに平行に支持された基板加
熱用ヒータとの間でグロー放電プラズマを発生させて反
応ガスを分解させ、基板加熱用ヒータ上に支持された基
板上に非晶質薄膜を形成するにあたり、前記反応容器内
に導入する反応ガスを加熱することを特徴とするもので
ある。
【０００８】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、反応容器
と、反応容器内に反応ガスを導入し、排出する手段と、
前記反応容器内に収容された放電用電極と、放電用電極
にグロー放電用電力を供給する電源と、前記放電用電極
と平行に支持された基板加熱用ヒータとを有し、基板加
熱用ヒータ上に支持された基板上に非晶質薄膜を形成す
るプラズマＣＶＤ装置において、前記反応容器内に反応
ガス加熱用ヒータを設けたことを特徴とするものであ
る。本発明において、反応ガス加熱用ヒータの反応ガス
と接する部分の温度は、反応ガスの熱分解温度以下であ
ることが好ましい。
と、反応容器内に反応ガスを導入し、排出する手段と、
前記反応容器内に収容された放電用電極と、放電用電極
にグロー放電用電力を供給する電源と、前記放電用電極
と平行に支持された基板加熱用ヒータとを有し、基板加
熱用ヒータ上に支持された基板上に非晶質薄膜を形成す
るプラズマＣＶＤ装置において、前記反応容器内に反応
ガス加熱用ヒータを設けたことを特徴とするものであ
る。本発明において、反応ガス加熱用ヒータの反応ガス
と接する部分の温度は、反応ガスの熱分解温度以下であ
ることが好ましい。
【０００９】
【作用】グロー放電プラズマにより分解・生成されるラ
ジカル密度[Radical] は、反応ガス密度をＮ、電子密度
をｎe 、電子のエネルギー分布関数をｆ（ε）、電子と
反応ガス分子とが衝突してラジカルが生成される時の反
応衝突断面積をσ（ε）とすると、次式で表せる。
ジカル密度[Radical] は、反応ガス密度をＮ、電子密度
をｎe 、電子のエネルギー分布関数をｆ（ε）、電子と
反応ガス分子とが衝突してラジカルが生成される時の反
応衝突断面積をσ（ε）とすると、次式で表せる。
【００１０】
【数１】
【００１１】ここで、Ｅ0 はラジカルを生成するのに要
する最低の電子エネルギーである。図３にグロー放電プ
ラズマ中の電子エネルギー分布関数を示す。上式におい
て、反応ガスを加熱しない場合のＥ0 を図３中のＥ1 と
する。一方、本発明のように反応容器内に導入する反応
ガスの温度を上げると、反応ガス分子の内部エネルギー
が増加するので、ラジカルを生成するのに要する最低の
電子エネルギーは実効的に例えばＥ2 まで低下する。こ
の結果、図３の斜線部で示す部分に含まれる電子も新た
にラジカル生成に寄与する。したがって、全体の電子密
度を変えずに成膜速度を向上できる。
する最低の電子エネルギーである。図３にグロー放電プ
ラズマ中の電子エネルギー分布関数を示す。上式におい
て、反応ガスを加熱しない場合のＥ0 を図３中のＥ1 と
する。一方、本発明のように反応容器内に導入する反応
ガスの温度を上げると、反応ガス分子の内部エネルギー
が増加するので、ラジカルを生成するのに要する最低の
電子エネルギーは実効的に例えばＥ2 まで低下する。こ
の結果、図３の斜線部で示す部分に含まれる電子も新た
にラジカル生成に寄与する。したがって、全体の電子密
度を変えずに成膜速度を向上できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１３】図１は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ
装置の構成を示す断面図である。なお図５と同一部材に
は同一番号を付している。反応容器１内には、グロー放
電プラズマを発生させるために高周波電極２と基板加熱
用ヒータ３とで一対の平行平板型電極が構成されてい
る。高周波電極２には、高周波電源４から例えば１３．
５６ＭＨｚの周波数の電力がインピーダンス整合器５を
介して供給される。
装置の構成を示す断面図である。なお図５と同一部材に
は同一番号を付している。反応容器１内には、グロー放
電プラズマを発生させるために高周波電極２と基板加熱
用ヒータ３とで一対の平行平板型電極が構成されてい
る。高周波電極２には、高周波電源４から例えば１３．
５６ＭＨｚの周波数の電力がインピーダンス整合器５を
介して供給される。
【００１４】反応容器１内には、図示しないボンベから
反応ガス導入管６を通して、例えばモノシランと水素の
混合ガスが、ガス加熱用ヒータ１０に送られ加熱された
後、供給される。このガス加熱用ヒータ１０は、図２に
示すような構造となっている。すなわち、反応ガス導入
管６は、加熱板１１と向かい合った位置で開口してい
る。この結果、供給される反応ガスは加熱板１１により
十分加熱される。また、ガス加熱用ヒータ１０から成膜
空間への反応ガスの出口に、第１のスリット板１２及び
第２のスリット板１３が互いにスリット位置が重ならな
いように設置されており、これら第１及び第２のスリッ
ト板１２，１３は加熱されている。反応ガスは第１及び
第２のスリット板１２，１３のスリットを蛇行しながら
通過するので、加熱効率が上がる。反応容器１内のガス
は排気管７を通して真空ポンプ８に排気される。基板９
は、基板加熱用ヒータ３に保持され、所定の温度に保た
れる。
反応ガス導入管６を通して、例えばモノシランと水素の
混合ガスが、ガス加熱用ヒータ１０に送られ加熱された
後、供給される。このガス加熱用ヒータ１０は、図２に
示すような構造となっている。すなわち、反応ガス導入
管６は、加熱板１１と向かい合った位置で開口してい
る。この結果、供給される反応ガスは加熱板１１により
十分加熱される。また、ガス加熱用ヒータ１０から成膜
空間への反応ガスの出口に、第１のスリット板１２及び
第２のスリット板１３が互いにスリット位置が重ならな
いように設置されており、これら第１及び第２のスリッ
ト板１２，１３は加熱されている。反応ガスは第１及び
第２のスリット板１２，１３のスリットを蛇行しながら
通過するので、加熱効率が上がる。反応容器１内のガス
は排気管７を通して真空ポンプ８に排気される。基板９
は、基板加熱用ヒータ３に保持され、所定の温度に保た
れる。
【００１５】なお、本実施例では、スリット板を使用し
たが、この代わりに直径０．３〜１ｍｍ程度の無数の穴
を開けた板を用いても良い。また、スリット板の枚数
は、２枚に限定されない。
たが、この代わりに直径０．３〜１ｍｍ程度の無数の穴
を開けた板を用いても良い。また、スリット板の枚数
は、２枚に限定されない。
【００１６】この装置を用いて、以下のようにして薄膜
を製造する。真空ポンプ８を駆動して反応容器１内を排
気する。反応ガス導入管６、ガス加熱用ヒータ１０を通
して例えばモノシランと水素の混合ガスを５０〜２００
ｃｃ／ｍｉｎ程度の流量で供給し、反応容器１内の圧力
を０．０５〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、高周波電源４から
インピーダンス整合器５を介して高周波電極２に電圧を
印加すると、高周波電極２と基板加熱用ヒータ３との間
にグロー放電プラズマが発生する。この結果、反応ガス
が分解して基板９上にａ−Ｓｉ薄膜が堆積する。ａ−Ｓ
ｉ薄膜の成膜速度の反応ガス温度に対する依存性を確認
するため、下記の条件で成膜実験を行った。
を製造する。真空ポンプ８を駆動して反応容器１内を排
気する。反応ガス導入管６、ガス加熱用ヒータ１０を通
して例えばモノシランと水素の混合ガスを５０〜２００
ｃｃ／ｍｉｎ程度の流量で供給し、反応容器１内の圧力
を０．０５〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、高周波電源４から
インピーダンス整合器５を介して高周波電極２に電圧を
印加すると、高周波電極２と基板加熱用ヒータ３との間
にグロー放電プラズマが発生する。この結果、反応ガス
が分解して基板９上にａ−Ｓｉ薄膜が堆積する。ａ−Ｓ
ｉ薄膜の成膜速度の反応ガス温度に対する依存性を確認
するため、下記の条件で成膜実験を行った。
【００１７】基板材料：ガラス、基板面積：５０×５０
ｍｍ、反応ガスの種類：水素希釈２０％ＳｉＨ4 、反応
ガス流量：７０ｃｃ／分、反応容器圧力：０．１Ｔｏｒ
ｒ、高周波電力：５０Ｗとし、ガス加熱用ヒータ１０の
温度を室温から４００℃の範囲に設定した。ガス加熱用
ヒータ温度と成膜速度との関係を図４に示す。
ｍｍ、反応ガスの種類：水素希釈２０％ＳｉＨ4 、反応
ガス流量：７０ｃｃ／分、反応容器圧力：０．１Ｔｏｒ
ｒ、高周波電力：５０Ｗとし、ガス加熱用ヒータ１０の
温度を室温から４００℃の範囲に設定した。ガス加熱用
ヒータ温度と成膜速度との関係を図４に示す。
【００１８】図４に示されるように、ガス加熱用ヒータ
温度が４００℃の場合、室温の場合と比較して、成膜速
度が約３．２倍に増加している。成膜速度は２〜６．５
オングストローム／ｓｅｃであった。
温度が４００℃の場合、室温の場合と比較して、成膜速
度が約３．２倍に増加している。成膜速度は２〜６．５
オングストローム／ｓｅｃであった。
【００１９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、反
応容器に導入する反応ガスを加熱することにより、反応
ガスを分解してラジカルを生成させるために必要なエネ
ルギーを下げることができ、高速でａ−Ｓｉ薄膜を成膜
することができる。したがって、ａ−Ｓｉ太陽電池、薄
膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの製造分野で工
業的価値が大きい。
応容器に導入する反応ガスを加熱することにより、反応
ガスを分解してラジカルを生成させるために必要なエネ
ルギーを下げることができ、高速でａ−Ｓｉ薄膜を成膜
することができる。したがって、ａ−Ｓｉ太陽電池、薄
膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの製造分野で工
業的価値が大きい。
【図１】本発明の一実施例に係るプラズマＣＶＤ装置の
構成を示す断面図。
構成を示す断面図。
【図２】同プラズマＣＶＤ装置に用いられるガス加熱用
ヒータの断面図。
ヒータの断面図。
【図３】グロー放電プラズマ中の電子エネルギーと電子
エネルギー分布関数ｆ（ε）との関係を示す特性図。
エネルギー分布関数ｆ（ε）との関係を示す特性図。
【図４】本発明の実施例における成膜速度とガス加熱用
ヒータとの関係を示す特性図。
ヒータとの関係を示す特性図。
【図５】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面
図。
図。
１…反応容器、２…高周波電極、３…基板加熱用ヒー
タ、４…高周波電源、５…インピーダンス整合器、６…
ガス導入管、７…排気管、８…真空ポンプ、９…基板、
１０…ガス加熱用ヒータ、１１…加熱板、１２…第１の
スリット板、１３…第２のスリット板。
タ、４…高周波電源、５…インピーダンス整合器、６…
ガス導入管、７…排気管、８…真空ポンプ、９…基板、
１０…ガス加熱用ヒータ、１１…加熱板、１２…第１の
スリット板、１３…第２のスリット板。
フロントページの続き (72)発明者 古城 大一 長崎県長崎市深堀町５丁目717番１号 三 菱重工業株式会社長崎研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器内に反応ガスを導入し、該反応
容器内に設けられた放電用電極とこれに平行に支持され
た基板加熱用ヒータとの間でグロー放電プラズマを発生
させて反応ガスを分解させ、基板加熱用ヒータ上に支持
された基板上に非晶質薄膜を形成するにあたり、前記反
応容器内に導入する反応ガスを加熱することを特徴とす
るプラズマＣＶＤ法。 - 【請求項２】 反応容器と、反応容器内に反応ガスを導
入し、排出する手段と、前記反応容器内に収容された放
電用電極と、放電用電極にグロー放電用電力を供給する
電源と、前記放電用電極と平行に支持された基板加熱用
ヒータとを有し、基板加熱用ヒータ上に支持された基板
上に非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置におい
て、前記反応容器内に反応ガス加熱用ヒータを設けたこ
とを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06832093A JP3276445B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06832093A JP3276445B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283436A true JPH06283436A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3276445B2 JP3276445B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=13370417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06832093A Expired - Fee Related JP3276445B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3276445B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002047445A3 (en) * | 2000-12-07 | 2002-08-15 | Axcelis Tech Inc | Chemical plasma cathode |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP06832093A patent/JP3276445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002047445A3 (en) * | 2000-12-07 | 2002-08-15 | Axcelis Tech Inc | Chemical plasma cathode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3276445B2 (ja) | 2002-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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