JPH06283442A - アルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置 - Google Patents
アルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置Info
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- JPH06283442A JPH06283442A JP7035393A JP7035393A JPH06283442A JP H06283442 A JPH06283442 A JP H06283442A JP 7035393 A JP7035393 A JP 7035393A JP 7035393 A JP7035393 A JP 7035393A JP H06283442 A JPH06283442 A JP H06283442A
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- JP
- Japan
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- forming
- thin film
- aluminum alloy
- aluminum
- alloy thin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 化学気相成長によって様々な成分でアルミニ
ウムの合金化が可能となるアルミニウム合金薄膜の形成
方法及びその装置を提供することにある。 【構成】 形成装置は、反応容器１０の内部に、接地電
位が与えられたサセプタ１１、及びサセプター１１に対
向して設けた高周波電極１２を配設している。高周波電
極１２は、アルミニウムに添加すべき金属としてＣｕに
よって形成されており、ＲＦ電源１４から高周波電圧が
印加される。この反応容器１０内に気化したＤＭＡＨを
導入し、このＤＭＡＨガスをプラズマ解離させると共
に、この発生したプラズマによって、高周波電極１２自
身にスパッタを施す。これによって、半導体基板１５上
にＡｌとＣｕが堆積することとなり、Ａｌ−Ｃｕ合金薄
膜が成膜される。
ウムの合金化が可能となるアルミニウム合金薄膜の形成
方法及びその装置を提供することにある。 【構成】 形成装置は、反応容器１０の内部に、接地電
位が与えられたサセプタ１１、及びサセプター１１に対
向して設けた高周波電極１２を配設している。高周波電
極１２は、アルミニウムに添加すべき金属としてＣｕに
よって形成されており、ＲＦ電源１４から高周波電圧が
印加される。この反応容器１０内に気化したＤＭＡＨを
導入し、このＤＭＡＨガスをプラズマ解離させると共
に、この発生したプラズマによって、高周波電極１２自
身にスパッタを施す。これによって、半導体基板１５上
にＡｌとＣｕが堆積することとなり、Ａｌ−Ｃｕ合金薄
膜が成膜される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ化学気相成長
によって被成膜基板上に、アルミニウムの合金薄膜を形
成するアルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置に
関するものである。
によって被成膜基板上に、アルミニウムの合金薄膜を形
成するアルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの微細化に伴い、集積回路装置の
配線用に用いられるＡｌ−Ｃｕ合金などのアルミニウム
合金薄膜を化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor D
eposition ）によって堆積させる技術が提案されている
（特開平２−１７０４１９号）。
配線用に用いられるＡｌ−Ｃｕ合金などのアルミニウム
合金薄膜を化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor D
eposition ）によって堆積させる技術が提案されている
（特開平２−１７０４１９号）。
【０００３】この方法に使用される装置構成の一例を図
２に示す。一方のバブラー５０内にはアルミニウム化合
物原料として、例えば、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウ
ムハイドライド）５１が封入され、他方のバブラー６０
内には、アルミニウムに添加すべき金属を含む化合物原
料として、例えば、ＣｐＣｕＴＥＰ（＝Ｃｕ（Ｃ
5 Ｈ5 ）・Ｐ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）６１が封入されている。
それぞれ適当なキャリアガスによってバブリングし、各
バブラーから発生した各原料ガス及びキャリアを混合し
て反応容器７０内に供給する。反応容器７０内では、Ｄ
ＭＡＨ及びＣｐＣｕＴＥＰが熱分解され、基板７１上に
Ａｌ及びＣｕが堆積し、これによってＡｌにＣｕが添加
されたアルミニウム合金が形成される。
２に示す。一方のバブラー５０内にはアルミニウム化合
物原料として、例えば、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウ
ムハイドライド）５１が封入され、他方のバブラー６０
内には、アルミニウムに添加すべき金属を含む化合物原
料として、例えば、ＣｐＣｕＴＥＰ（＝Ｃｕ（Ｃ
5 Ｈ5 ）・Ｐ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）６１が封入されている。
それぞれ適当なキャリアガスによってバブリングし、各
バブラーから発生した各原料ガス及びキャリアを混合し
て反応容器７０内に供給する。反応容器７０内では、Ｄ
ＭＡＨ及びＣｐＣｕＴＥＰが熱分解され、基板７１上に
Ａｌ及びＣｕが堆積し、これによってＡｌにＣｕが添加
されたアルミニウム合金が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この各原料の分解温度
は、ＤＭＡＨでは２００℃程度、ＣｐＣｕＴＥＰでは１
５０℃程度であり、このように両者の分解温度が異なっ
ている。従って、両原料ガスを反応容器内において熱分
解させる際、与える温度が高ければＣｐＣｕＴＥＰの熱
分解が過剰に進むために、Ｃ，Ｐなどの不純物が合金膜
中に混入してしまい、与える温度が低ければアルミニウ
ムが堆積しないという問題があった。
は、ＤＭＡＨでは２００℃程度、ＣｐＣｕＴＥＰでは１
５０℃程度であり、このように両者の分解温度が異なっ
ている。従って、両原料ガスを反応容器内において熱分
解させる際、与える温度が高ければＣｐＣｕＴＥＰの熱
分解が過剰に進むために、Ｃ，Ｐなどの不純物が合金膜
中に混入してしまい、与える温度が低ければアルミニウ
ムが堆積しないという問題があった。
【０００５】また、有機金属や金属水素化合物の熱分解
を利用する方法では、合金化に使用する各化合物原料の
組み合わせを特定する際に、このように各原料毎に熱分
解の開始温度が大きく異なるため、選択の自由度が低い
という欠点があった。
を利用する方法では、合金化に使用する各化合物原料の
組み合わせを特定する際に、このように各原料毎に熱分
解の開始温度が大きく異なるため、選択の自由度が低い
という欠点があった。
【０００６】本発明はこのような課題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的は、合金化させる原料の組み
合わせに自由度を高めると共に、様々な成分で合金化が
可能となり、しかも、良質なアルミニウム合金薄膜を形
成できるアルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置
を提供することにある。
れたものであり、その目的は、合金化させる原料の組み
合わせに自由度を高めると共に、様々な成分で合金化が
可能となり、しかも、良質なアルミニウム合金薄膜を形
成できるアルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明にかかる
アルミニウム合金薄膜の形成方法は、プラズマ気相成長
をよるアルミニウム合金薄膜を形成する方法であって、
反応容器内にアルミニウムを含む原料ガスを導入して、
この原料ガスをプラズマ解離させると共に、この発生し
たプラズマによって、このアルミニウムに添加すべき金
属で形成した添加金属部材にスパッタを施す。これによ
って、被成膜基板上にアルミニウム合金を堆積させる方
法を採用した。
アルミニウム合金薄膜の形成方法は、プラズマ気相成長
をよるアルミニウム合金薄膜を形成する方法であって、
反応容器内にアルミニウムを含む原料ガスを導入して、
この原料ガスをプラズマ解離させると共に、この発生し
たプラズマによって、このアルミニウムに添加すべき金
属で形成した添加金属部材にスパッタを施す。これによ
って、被成膜基板上にアルミニウム合金を堆積させる方
法を採用した。
【０００８】また、本発明にかかるアルミニウム合金薄
膜の形成装置は、プラズマ気相成長によって、被成膜基
板上にアルミニウム合金薄膜を成膜する装置であって、
反応容器内に配設され、被成膜基板を支持すると共に基
準電位が与えられた基板電極と、基板電極に対向して配
置され、高周波電源に接続された対向電極とを備えてお
り、この対向電極を、アルミニウムに添加すべき金属よ
りなる添加金属部材によって形成して構成する。
膜の形成装置は、プラズマ気相成長によって、被成膜基
板上にアルミニウム合金薄膜を成膜する装置であって、
反応容器内に配設され、被成膜基板を支持すると共に基
準電位が与えられた基板電極と、基板電極に対向して配
置され、高周波電源に接続された対向電極とを備えてお
り、この対向電極を、アルミニウムに添加すべき金属よ
りなる添加金属部材によって形成して構成する。
【０００９】
【作用】アルミニウム合金薄膜の形成方法では、アルミ
ニウムを含む原料ガスにプラズマ放電エネルギーを与え
て解離させる。一方、この発生したプラズマに対して、
添加すべき金属で形成した添加金属部材をさらす。例え
ば、この添加金属部材がＣｕ製の部材であれば、このＣ
ｕがスパッタされ、プラズマ解離されたＡｌと共に被成
膜基板上に堆積する。従って、この場合にはＡｌ−Ｃｕ
合金薄膜が形成されることとなる。
ニウムを含む原料ガスにプラズマ放電エネルギーを与え
て解離させる。一方、この発生したプラズマに対して、
添加すべき金属で形成した添加金属部材をさらす。例え
ば、この添加金属部材がＣｕ製の部材であれば、このＣ
ｕがスパッタされ、プラズマ解離されたＡｌと共に被成
膜基板上に堆積する。従って、この場合にはＡｌ−Ｃｕ
合金薄膜が形成されることとなる。
【００１０】また、アルミニウム合金薄膜の形成装置で
は、基板電極と対向電極によってプラズマを発生させ、
導入された原料ガスをプラズマ解離させる。このとき、
対向電極が添加すべき添加金属部材で形成されているの
で、この発生したプラズマによってこの対向電極にスパ
ッタが施され、被成膜基板上には、プラズマ解離された
Ａｌとスパッタされた金属原子とが堆積し、これによっ
てＡｌ合金薄膜が形成される。
は、基板電極と対向電極によってプラズマを発生させ、
導入された原料ガスをプラズマ解離させる。このとき、
対向電極が添加すべき添加金属部材で形成されているの
で、この発生したプラズマによってこの対向電極にスパ
ッタが施され、被成膜基板上には、プラズマ解離された
Ａｌとスパッタされた金属原子とが堆積し、これによっ
てＡｌ合金薄膜が形成される。
【００１１】
【実施例】以下、本実施例にかかるアルミニウム合金薄
膜の形成装置について添付図面を基に説明する。
膜の形成装置について添付図面を基に説明する。
【００１２】図１に、本実施例に使用するＲＦプラズマ
ＣＶＤ装置の構成を示す。このＣＶＤ装置は、化学気相
成長によって合金薄膜を形成する反応容器１０を備えて
おり、この内部には、接地電位が与えられた導電性のサ
セプタ１１、及びこのサセプター１１に対向して設けた
対向電極としての高周波電極１２を配設している。
ＣＶＤ装置の構成を示す。このＣＶＤ装置は、化学気相
成長によって合金薄膜を形成する反応容器１０を備えて
おり、この内部には、接地電位が与えられた導電性のサ
セプタ１１、及びこのサセプター１１に対向して設けた
対向電極としての高周波電極１２を配設している。
【００１３】サセプタ１１の内部にはヒータ１３を備え
ており、交流電圧を印加することにより発熱し、この上
にセットされた半導体基板１５を所定の温度に加熱する
ものである。
ており、交流電圧を印加することにより発熱し、この上
にセットされた半導体基板１５を所定の温度に加熱する
ものである。
【００１４】高周波電極１２は、アルミニウムに添加す
べき金属としてＣｕによって形成されており、ＲＦ電源
１４から高周波電圧が印加される。このＲＦ電源１４
は、ＤＣ電源１６を介して接地電位に接続されており、
このＤＣ電源１６の負バイアスレベルを変化させること
により、Ｃｕのスパッタ量を調節することが可能であ
る。なお、この負バイアスは、−１０〜−５００Ｖ程度
が望ましい。
べき金属としてＣｕによって形成されており、ＲＦ電源
１４から高周波電圧が印加される。このＲＦ電源１４
は、ＤＣ電源１６を介して接地電位に接続されており、
このＤＣ電源１６の負バイアスレベルを変化させること
により、Ｃｕのスパッタ量を調節することが可能であ
る。なお、この負バイアスは、−１０〜−５００Ｖ程度
が望ましい。
【００１５】また、バブラー容器２０には、アルミニウ
ム化合物原料としてＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハ
イドライド：ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 ）が封入されており、
温度コントロールされたオイルバス（図示せず）内に収
容されている。このバブラー容器２０に封入されたＤＭ
ＡＨに対し、水素などの適当なキャリアガスを供給して
バブリングを施す。ここで気化されたＤＭＡＨは、キャ
リアガスと共に輸送配管２１を輸送され、供給ノズル２
２を介して半導体基板１５上に導入される。また、供給
ノズル２２の対向側に配設した供給ノズル２３からは、
Ａｒ，Ｎ2 などのブラズマ発生のガスが導入される。こ
れらのガスを反応容器１０内に導入することにより、プ
ラズマを効率的に発生させることができるが、ＤＭＡＨ
のみを導入した場合にもプラズマが発生し、このプラズ
マによって高周波電極１２がスパッタされる。
ム化合物原料としてＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハ
イドライド：ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 ）が封入されており、
温度コントロールされたオイルバス（図示せず）内に収
容されている。このバブラー容器２０に封入されたＤＭ
ＡＨに対し、水素などの適当なキャリアガスを供給して
バブリングを施す。ここで気化されたＤＭＡＨは、キャ
リアガスと共に輸送配管２１を輸送され、供給ノズル２
２を介して半導体基板１５上に導入される。また、供給
ノズル２２の対向側に配設した供給ノズル２３からは、
Ａｒ，Ｎ2 などのブラズマ発生のガスが導入される。こ
れらのガスを反応容器１０内に導入することにより、プ
ラズマを効率的に発生させることができるが、ＤＭＡＨ
のみを導入した場合にもプラズマが発生し、このプラズ
マによって高周波電極１２がスパッタされる。
【００１６】以上のように構成するＣＶＤ装置を用い、
以下の条件で半導体基板１５上にＡｌ−Ｃｕ合金薄膜の
成膜を行った。キャリアガスとなる水素ガスは、流量調
節器（図示せず）により１００ｓｃｃｍに制御して流し
た。このときのＤＭＡＨ流量は１．７ｓｃｃｍであっ
た。また、バブラー容器２０内の圧力は、５００Ｔｏｒ
ｒ一定に制御し、オイルバスによってＤＭＡＨのバブリ
ング温度を５０℃に一定の制御した。反応容器１０内
は、圧力を２００ｍＴｏｒｒ、半導体基板１５を２００
℃に加熱した。
以下の条件で半導体基板１５上にＡｌ−Ｃｕ合金薄膜の
成膜を行った。キャリアガスとなる水素ガスは、流量調
節器（図示せず）により１００ｓｃｃｍに制御して流し
た。このときのＤＭＡＨ流量は１．７ｓｃｃｍであっ
た。また、バブラー容器２０内の圧力は、５００Ｔｏｒ
ｒ一定に制御し、オイルバスによってＤＭＡＨのバブリ
ング温度を５０℃に一定の制御した。反応容器１０内
は、圧力を２００ｍＴｏｒｒ、半導体基板１５を２００
℃に加熱した。
【００１７】以上のような成膜条件において高周波電極
１２に対してＲＦ電源１４から高周波電圧を印加した。
この結果、高周波電極１２とサセプタ１１の間にプラズ
マが発生し、高周波電極１２の形成材料であるＣｕが発
生したプラズマによってスパッタされ、半導体基板１５
上にはＡｌ−Ｃｕ合金薄膜が形成された。これによっ
て、プラズマＣＶＤによって半導体基板上に堆積するＡ
ｌに、高周波電極１２の形成材料であるＣｕが添加され
ることが確認できた。
１２に対してＲＦ電源１４から高周波電圧を印加した。
この結果、高周波電極１２とサセプタ１１の間にプラズ
マが発生し、高周波電極１２の形成材料であるＣｕが発
生したプラズマによってスパッタされ、半導体基板１５
上にはＡｌ−Ｃｕ合金薄膜が形成された。これによっ
て、プラズマＣＶＤによって半導体基板上に堆積するＡ
ｌに、高周波電極１２の形成材料であるＣｕが添加され
ることが確認できた。
【００１８】本実施例では、高周波電極１２自体を添加
すべき金属で形成する例を示したが、この構造に限定す
るものではなく、添加金属部材をプラズマに接するよう
に設置すればよく、例えばプラズマ内に挿入したり、接
地を施すなどを行えばよい。
すべき金属で形成する例を示したが、この構造に限定す
るものではなく、添加金属部材をプラズマに接するよう
に設置すればよく、例えばプラズマ内に挿入したり、接
地を施すなどを行えばよい。
【００１９】また、添加金属部材の材質も、Ｃｕに限定
するものではなく、添加を希望する様々な金属を用いる
ことができる。しかも、異種の添加金属を反応容器内に
同時に配設するか、或いは、添加金属部材自体を所定の
合金材料で形成するなど、様々に応用することができ
る。
するものではなく、添加を希望する様々な金属を用いる
ことができる。しかも、異種の添加金属を反応容器内に
同時に配設するか、或いは、添加金属部材自体を所定の
合金材料で形成するなど、様々に応用することができ
る。
【００２０】また、この添加金属部材の形状も、図示し
た例に限定するものではなく、用いられるＣＶＤ装置に
対応して、適宜、最適な形状、配設位置を決定すればよ
い。ここで、適用可能なアルミニウムの化合物原料を例
示しておく。アルミ化合物原料としては、例示したＤＭ
ＡＨのほか、ＡｌＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）2， Ａｌ（ＣＨ3 ）
3 ，Ａｌ（Ｃ4 Ｈ9 ）3 ，ＡｌＨ3 Ｎ（ＣＨ3 ）3 ，Ａ
ｌ（ＯＣ3 Ｈ7 ）3 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）ＡｌＣｌ2 ，
（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＡｌＣｌなどが適用できる。
た例に限定するものではなく、用いられるＣＶＤ装置に
対応して、適宜、最適な形状、配設位置を決定すればよ
い。ここで、適用可能なアルミニウムの化合物原料を例
示しておく。アルミ化合物原料としては、例示したＤＭ
ＡＨのほか、ＡｌＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）2， Ａｌ（ＣＨ3 ）
3 ，Ａｌ（Ｃ4 Ｈ9 ）3 ，ＡｌＨ3 Ｎ（ＣＨ3 ）3 ，Ａ
ｌ（ＯＣ3 Ｈ7 ）3 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）ＡｌＣｌ2 ，
（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＡｌＣｌなどが適用できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明にかかるアルミニウム合金薄膜の
形成方法は、アルミニウムを含む原料ガスをプラズマ解
離させると共に、この発生したプラズマによって、アル
ミニウムに添加すべき金属で形成した添加金属部材にス
パッタを施す方法を採用したので、１つの反応容器内に
おいてＣＶＤとＰＶＤを同時に実施でき、この２つの成
膜法を同時に進行させることにより、堆積するＡｌを合
金化させることが可能となる。また、この方法によれ
ば、従来のように、添加すべき原料を気化させてアルミ
の原料ガスと混合させる必要がないため、両者の分解温
度の差異によらず、添加すべき金属を広い範囲で選択す
ることが可能となる。また、プラズマを利用して成膜す
ることにより、開示された従来の成膜方法に比べ高速に
成膜することができる。さらに、様々な種類の金属をア
ルミニウムに添加することが可能となるなどの数多くの
優れた効果を奏するものである。
形成方法は、アルミニウムを含む原料ガスをプラズマ解
離させると共に、この発生したプラズマによって、アル
ミニウムに添加すべき金属で形成した添加金属部材にス
パッタを施す方法を採用したので、１つの反応容器内に
おいてＣＶＤとＰＶＤを同時に実施でき、この２つの成
膜法を同時に進行させることにより、堆積するＡｌを合
金化させることが可能となる。また、この方法によれ
ば、従来のように、添加すべき原料を気化させてアルミ
の原料ガスと混合させる必要がないため、両者の分解温
度の差異によらず、添加すべき金属を広い範囲で選択す
ることが可能となる。また、プラズマを利用して成膜す
ることにより、開示された従来の成膜方法に比べ高速に
成膜することができる。さらに、様々な種類の金属をア
ルミニウムに添加することが可能となるなどの数多くの
優れた効果を奏するものである。
【００２２】また、本発明にかかるアルミニウム合金薄
膜の形成装置によれば、反応容器内に基板電極と対向電
極を備え、この対向電極を、アルミニウムに添加すべき
金属によって形成したので、基板電極と対向電極との間
に発生するプラズマによって、アルミニウムを含む原料
ガスをプラズマ解離させると共に、このプラズマによっ
て対向電極にスパッタを施すことができる。これによっ
て、スパッタされた金属も、被成膜基板上に堆積するの
で、この部位に堆積するＡｌを合金化することが可能と
なる。
膜の形成装置によれば、反応容器内に基板電極と対向電
極を備え、この対向電極を、アルミニウムに添加すべき
金属によって形成したので、基板電極と対向電極との間
に発生するプラズマによって、アルミニウムを含む原料
ガスをプラズマ解離させると共に、このプラズマによっ
て対向電極にスパッタを施すことができる。これによっ
て、スパッタされた金属も、被成膜基板上に堆積するの
で、この部位に堆積するＡｌを合金化することが可能と
なる。
【図１】本実施例に使用するＲＦプラズマＣＶＤ装置を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図２】従来のアルミニウム合金薄膜の形成装置を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
１０…反応容器、１１…サセプタ（基板電極）、１２…
高周波電極（対向電極）、１５…半導体基板（被成膜基
板）。
高周波電極（対向電極）、１５…半導体基板（被成膜基
板）。
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ気相成長によって、被成膜基板
上にアルミニウム合金を成膜するアルミニウム合金薄膜
の形成方法において、 反応容器内にアルミニウムを含む原料ガスを導入し、こ
の原料ガスをプラズマ解離させると共に、この発生した
プラズマによって、前記アルミニウムに添加すべき金属
で形成した添加金属部材にスパッタを施すことにより、 前記被成膜基板上にアルミニウム合金を堆積させること
を特徴とするアルミニウム合金薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 プラズマ気相成長によって、被成膜基板
上にアルミニウム合金薄膜を成膜するアルミニウム合金
薄膜の形成装置において、 この形成装置は、 反応容器内に配設され、前記被成膜基板を支持すると共
に基準電位が与えられた基板電極と、 前記基板電極に対向して配置され、高周波電源に接続さ
れた対向電極と、 を備えており、 前記対向電極を、アルミニウムに添加すべき金属よりな
る添加金属部材によって形成したものであることを特徴
とするアルミニウム合金薄膜の形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7035393A JPH06283442A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | アルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7035393A JPH06283442A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | アルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283442A true JPH06283442A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13428990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7035393A Pending JPH06283442A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | アルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283442A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100388294B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2003-06-19 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 회로기판용 폴리이미드 위에 금속 박막을 증착하는 방법 |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP7035393A patent/JPH06283442A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100388294B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2003-06-19 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 회로기판용 폴리이미드 위에 금속 박막을 증착하는 방법 |
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