JPH06283531A - Ａｌ薄膜形成方法 - Google Patents
Ａｌ薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH06283531A JPH06283531A JP7191193A JP7191193A JPH06283531A JP H06283531 A JPH06283531 A JP H06283531A JP 7191193 A JP7191193 A JP 7191193A JP 7191193 A JP7191193 A JP 7191193A JP H06283531 A JPH06283531 A JP H06283531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- mtorr
- substrate
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ジメチルアルミニウムハイドライ
ドを原料ガスとしたＣＶＤ法において、Ａｌ薄膜を選択
性よく形成する方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明に係るＡｌ薄膜形成方法、ジメチルア
ルミニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を含む
原料ガスを反応容器内に供給し、基板上の所望の領域に
化学気相成長法によってＡｌまたはＡｌ合金を堆積させ
て純Ａｌ膜又はＡｌ合金膜を形成するＡｌ薄膜形成方法
において、基板の温度は１８０℃〜２２０℃であるとと
もに、ジメチルアルミニウムハイドライドのガスの分圧
は１ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒであることを特徴と
する。
ドを原料ガスとしたＣＶＤ法において、Ａｌ薄膜を選択
性よく形成する方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明に係るＡｌ薄膜形成方法、ジメチルア
ルミニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を含む
原料ガスを反応容器内に供給し、基板上の所望の領域に
化学気相成長法によってＡｌまたはＡｌ合金を堆積させ
て純Ａｌ膜又はＡｌ合金膜を形成するＡｌ薄膜形成方法
において、基板の温度は１８０℃〜２２０℃であるとと
もに、ジメチルアルミニウムハイドライドのガスの分圧
は１ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒであることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ法）を用いた純Ａｌ膜又はＡｌ合金膜の形成方法に関
するものであり、特に半導体装置に用いる配線に関する
ものである。
Ｄ法）を用いた純Ａｌ膜又はＡｌ合金膜の形成方法に関
するものであり、特に半導体装置に用いる配線に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板上に金属薄膜を形成する技術
として、有機金属ガスを原料としたＣＶＤ法を用いる技
術が提案されている。
として、有機金属ガスを原料としたＣＶＤ法を用いる技
術が提案されている。
【０００３】特に半導体装置の製造分野では、半導体素
子の高密度化、高集積化にともない多層配線技術及び金
属配線の微細化に関する技術が要求されていることか
ら、従来のスパッタ法を用いた技術では対応できなくな
りつつあり、これに代わるものとしてＣＶＤ法を用いる
技術が注目されている。
子の高密度化、高集積化にともない多層配線技術及び金
属配線の微細化に関する技術が要求されていることか
ら、従来のスパッタ法を用いた技術では対応できなくな
りつつあり、これに代わるものとしてＣＶＤ法を用いる
技術が注目されている。
【０００４】そこで、提案されているのが、原料ガスと
してジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）を
用いてＡｌ薄膜を形成するＣＶＤ法（例えば、特開平３
−２９１９２０等）である。このＣＶＤ法は、配線の微
細化のみならず、微細孔に対して十分な埋め込みを行う
技術としても有効なものである。
してジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）を
用いてＡｌ薄膜を形成するＣＶＤ法（例えば、特開平３
−２９１９２０等）である。このＣＶＤ法は、配線の微
細化のみならず、微細孔に対して十分な埋め込みを行う
技術としても有効なものである。
【０００５】ここで、従来技術で開示されているＣＶＤ
法によれば、ＤＭＡＨを原料としてＡｌを堆積させると
きの条件は、基板温度は２３０℃〜３００℃の間、ま
た、ＤＭＡＨのガスの分圧も１００ｍＴｏｒｒ〜５００
ｍＴｏｒｒの間で行われているか、あるいは０．１ｍＴ
ｏｒｒ〜１ｍＴｏｒｒの間で行われていた。より具体的
には、基板温度については、２６０℃で行われているも
の（特開平３−２９１９２０、特開平０３−１５５１３
３等）がある。また、ＤＭＡＨのガスの分圧について
も、具体的には０．１５ｍＴｏｒｒで行われているもの
（特開平０３−３７１２１、特開平０３−１１０８３８
等）や、５００ｍＴｏｒｒで行われているもの（特開平
０４−２９１９２０等）がある。
法によれば、ＤＭＡＨを原料としてＡｌを堆積させると
きの条件は、基板温度は２３０℃〜３００℃の間、ま
た、ＤＭＡＨのガスの分圧も１００ｍＴｏｒｒ〜５００
ｍＴｏｒｒの間で行われているか、あるいは０．１ｍＴ
ｏｒｒ〜１ｍＴｏｒｒの間で行われていた。より具体的
には、基板温度については、２６０℃で行われているも
の（特開平３−２９１９２０、特開平０３−１５５１３
３等）がある。また、ＤＭＡＨのガスの分圧について
も、具体的には０．１５ｍＴｏｒｒで行われているもの
（特開平０３−３７１２１、特開平０３−１１０８３８
等）や、５００ｍＴｏｒｒで行われているもの（特開平
０４−２９１９２０等）がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＤＭＡＨを原
料としてＣＶＤ法を用いてＡｌを堆積する際に、基板温
度を２３０℃〜３００℃の間に設定すると、基板上に付
着したＤＭＡＨ分子が直ちに反応して基板上に析出して
しまい、その結果、核が生成されてＣＶＤ法の利点とさ
れる選択性が損なわれることになった。また、選択成長
が起きる際の核が生成されるかどうかは気相中のガス濃
度によって決定されることから、ＤＭＡＨの分圧によっ
て選択性の良否が決まることになる。ＤＭＡＨの分圧が
低い場合、即ち、ガス濃度が低い場合には核生成が不十
分になったり十分な成膜速度を得られない一方、ガス濃
度が高い場合には必要以上に核生成が生じて選択性が阻
害されてしまうことになる。
料としてＣＶＤ法を用いてＡｌを堆積する際に、基板温
度を２３０℃〜３００℃の間に設定すると、基板上に付
着したＤＭＡＨ分子が直ちに反応して基板上に析出して
しまい、その結果、核が生成されてＣＶＤ法の利点とさ
れる選択性が損なわれることになった。また、選択成長
が起きる際の核が生成されるかどうかは気相中のガス濃
度によって決定されることから、ＤＭＡＨの分圧によっ
て選択性の良否が決まることになる。ＤＭＡＨの分圧が
低い場合、即ち、ガス濃度が低い場合には核生成が不十
分になったり十分な成膜速度を得られない一方、ガス濃
度が高い場合には必要以上に核生成が生じて選択性が阻
害されてしまうことになる。
【０００７】そこで、本発明は、このような問題点を解
決するＡｌ薄膜形成方法を提供することを目的とする。
決するＡｌ薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明に係るＡｌ薄膜形成方法、ジメチルアルミ
ニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を含む原料
ガスを反応容器内に供給し、基板上の所望の領域に化学
気相成長法によってＡｌまたはＡｌ合金を堆積させて純
Ａｌ膜又はＡｌ合金膜を形成するＡｌ薄膜形成方法にお
いて、基板の温度は１８０℃〜２２０℃であるととも
に、ジメチルアルミニウムハイドライドのガスの分圧は
１ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒであることを特徴とす
る。
めに、本発明に係るＡｌ薄膜形成方法、ジメチルアルミ
ニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を含む原料
ガスを反応容器内に供給し、基板上の所望の領域に化学
気相成長法によってＡｌまたはＡｌ合金を堆積させて純
Ａｌ膜又はＡｌ合金膜を形成するＡｌ薄膜形成方法にお
いて、基板の温度は１８０℃〜２２０℃であるととも
に、ジメチルアルミニウムハイドライドのガスの分圧は
１ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒであることを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】上記の方法によれば、ＤＭＡＨを原料としたＣ
ＶＤ法を用いてＡｌを堆積する際のＤＭＡＨのガスの分
圧は１ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒの範囲であるとと
もに、基板の温度の範囲は１８０℃〜２２０℃なので、
選択性が損なわれずに核生成が成されてＡｌ膜を形成す
ることができる。
ＶＤ法を用いてＡｌを堆積する際のＤＭＡＨのガスの分
圧は１ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒの範囲であるとと
もに、基板の温度の範囲は１８０℃〜２２０℃なので、
選択性が損なわれずに核生成が成されてＡｌ膜を形成す
ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１１】なお、本発明に係るＡｌ薄膜を形成するに
あたっては、基本的には次の工程によって行う。各工程
については図１及び図２に基づいて説明する。
あたっては、基本的には次の工程によって行う。各工程
については図１及び図２に基づいて説明する。
【００１２】まず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
１０の表面に下地絶縁膜２０を形成し、この下地絶縁膜
２０上にスパッタ法でＡｌ合金を３００ないし８００ｎ
ｍの膜厚に堆積させ、Ａｌ合金膜３１を形成する。次
に、Ａｌ合金膜３１を所定の配線パターンに加工して下
層金属配線３０を形成する。配線パターンの形成は、露
光装置を用いてレジストパターンを形成した後、塩素系
のガスを用いたＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチ
ング）によってなされる。次に、図１（ｂ）に示すよう
に、下層金属配線３０の形成された下地絶縁膜２０上に
厚さ８０００オングストロームの絶縁膜４０を形成す
る。この絶縁膜４０は、プラズマＣＶＤ法によってＳｉ
Ｏ2 を堆積させてＳｉＯ2膜を形成し、ＳＯＧ（Ｓｐｉ
ｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を塗布してＳＯＧ膜を形成し、
必要な温度で加熱処理を行うことによって形成される。
その後、再びプラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ2 を堆積
させてＳｉＯ2 膜を形成する。
１０の表面に下地絶縁膜２０を形成し、この下地絶縁膜
２０上にスパッタ法でＡｌ合金を３００ないし８００ｎ
ｍの膜厚に堆積させ、Ａｌ合金膜３１を形成する。次
に、Ａｌ合金膜３１を所定の配線パターンに加工して下
層金属配線３０を形成する。配線パターンの形成は、露
光装置を用いてレジストパターンを形成した後、塩素系
のガスを用いたＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチ
ング）によってなされる。次に、図１（ｂ）に示すよう
に、下層金属配線３０の形成された下地絶縁膜２０上に
厚さ８０００オングストロームの絶縁膜４０を形成す
る。この絶縁膜４０は、プラズマＣＶＤ法によってＳｉ
Ｏ2 を堆積させてＳｉＯ2膜を形成し、ＳＯＧ（Ｓｐｉ
ｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を塗布してＳＯＧ膜を形成し、
必要な温度で加熱処理を行うことによって形成される。
その後、再びプラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ2 を堆積
させてＳｉＯ2 膜を形成する。
【００１３】次に、絶縁膜４０の上にフォトマスクをセ
ットし、露光装置を用いてレジストパターンを形成した
後、ＲＩＥ室でフッ素系のガスを用いたＲＩＥによって
図２（ａ）に示すように、絶縁膜４０に、内径が０．５
μｍのヴィア孔５０を形成する。次に、塩素系ガスを用
いたプラズマエッチングによりヴィア孔５０底部に露出
した下層金属配線３０（Ａｌ合金膜）の清浄化処理を行
う。この清浄化処理を行うのは、ヴィア孔５０底部に露
出した下層金属配線３０の表面には、ＲＩＥを行った際
及びＲＩＥの後に大気に曝した際に堆積物やアルミナ膜
等が付着し、これらの堆積物やアルミナ膜はＣＶＤ法に
おけるＡｌ堆積を阻害するため除去する必要があるから
である。
ットし、露光装置を用いてレジストパターンを形成した
後、ＲＩＥ室でフッ素系のガスを用いたＲＩＥによって
図２（ａ）に示すように、絶縁膜４０に、内径が０．５
μｍのヴィア孔５０を形成する。次に、塩素系ガスを用
いたプラズマエッチングによりヴィア孔５０底部に露出
した下層金属配線３０（Ａｌ合金膜）の清浄化処理を行
う。この清浄化処理を行うのは、ヴィア孔５０底部に露
出した下層金属配線３０の表面には、ＲＩＥを行った際
及びＲＩＥの後に大気に曝した際に堆積物やアルミナ膜
等が付着し、これらの堆積物やアルミナ膜はＣＶＤ法に
おけるＡｌ堆積を阻害するため除去する必要があるから
である。
【００１４】次に、Ａｌ原料であるＤＭＡＨのガスと、
水素とを原料とする熱ＣＶＤ法でヴィア孔５０内にのみ
底面から選択的にＡｌを堆積させることによって図２
（ｂ）に示すように、ヴィア孔５０内にヴィアプラグ５
２を形成する。
水素とを原料とする熱ＣＶＤ法でヴィア孔５０内にのみ
底面から選択的にＡｌを堆積させることによって図２
（ｂ）に示すように、ヴィア孔５０内にヴィアプラグ５
２を形成する。
【００１５】このときのＣＶＤを行う条件は、水素ガス
流量１００ｓｃｃｍ、バブリング温度２５℃で行う。な
お、この成膜を行うＣＶＤ反応容器内の全圧は２Ｔｏｒ
ｒである。そして、このときのＤＭＡＨの分圧及び基板
温度は、後述するように変化させる。
流量１００ｓｃｃｍ、バブリング温度２５℃で行う。な
お、この成膜を行うＣＶＤ反応容器内の全圧は２Ｔｏｒ
ｒである。そして、このときのＤＭＡＨの分圧及び基板
温度は、後述するように変化させる。
【００１６】以上の工程によって得られるヴィアプラグ
５２の形成に関するＣＶＤ条件を次のように変えたとこ
ろ、そのときの成膜速度及び成膜後の選択性について以
下のような結果が得られた。なお、ここで、堆積時間に
ついては、それぞれ行うＣＶＤ条件によって異なるので
特定することはできないが、予め行う予備調査によって
ヴィア孔が丁度埋まる程度の時間体積を行った。また、
選択性に関する評価は、成膜後のＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡：Ｓｃａｎｎｉｎｇ ＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｙ）観察によって１００μｍ四方の絶縁膜上の
析出物を観察し、ヴィア孔以外の絶縁膜上に１箇所でも
０．５μｍ径以上の寸法のＡｌの析出があるものは不合
格と判断することとした。
５２の形成に関するＣＶＤ条件を次のように変えたとこ
ろ、そのときの成膜速度及び成膜後の選択性について以
下のような結果が得られた。なお、ここで、堆積時間に
ついては、それぞれ行うＣＶＤ条件によって異なるので
特定することはできないが、予め行う予備調査によって
ヴィア孔が丁度埋まる程度の時間体積を行った。また、
選択性に関する評価は、成膜後のＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡：Ｓｃａｎｎｉｎｇ ＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｙ）観察によって１００μｍ四方の絶縁膜上の
析出物を観察し、ヴィア孔以外の絶縁膜上に１箇所でも
０．５μｍ径以上の寸法のＡｌの析出があるものは不合
格と判断することとした。
【００１７】まず、ＤＭＡＨの分圧を３３ｍＴｏｒｒに
固定して、基板温度を変化させたところ表１に示すよう
な結果が得られた。
固定して、基板温度を変化させたところ表１に示すよう
な結果が得られた。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に、基板温度を２２０℃に固定して、Ｄ
ＭＡＨの分圧を変化させたところ表２に示すような結果
が得られた。
ＭＡＨの分圧を変化させたところ表２に示すような結果
が得られた。
【００２０】
【表２】
【００２１】そして、基板温度及びＤＭＡＨの分圧をそ
れぞれ変化させてＣＶＤ法で成膜したところ表３に示す
ような結果が得られた。
れぞれ変化させてＣＶＤ法で成膜したところ表３に示す
ような結果が得られた。
【００２２】
【表３】
【００２３】そこで、ＤＭＡＨを原料としたＣＶＤ法を
用いてＡｌを堆積する際に、基板の温度の範囲は１８０
℃〜２２０℃であるとともに、ＤＭＡＨのガスの分圧は
１ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒの範囲とすれば、選択
性が損なわれずに核生成が成される。これは、本発明の
発明者らの鋭意努力によって見出だされたものである。
用いてＡｌを堆積する際に、基板の温度の範囲は１８０
℃〜２２０℃であるとともに、ＤＭＡＨのガスの分圧は
１ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒの範囲とすれば、選択
性が損なわれずに核生成が成される。これは、本発明の
発明者らの鋭意努力によって見出だされたものである。
【００２４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、ＤＭＡＨを原料としたＣＶＤ法を用いてＡｌを
堆積する際のＤＭＡＨのガスの分圧は１ｍＴｏｒｒ〜１
００ｍＴｏｒｒの範囲であるとともに、基板の温度の範
囲は１８０℃〜２２０℃なので、選択性が損なわれずに
核生成が成される。このため選択性を阻害することなく
所望の領域にＡｌ膜を形成することができる。なお、こ
のときのＣＶＤ条件である基板の温度及びＤＭＡＨのガ
スの分圧の範囲は、本発明の発明者らの鋭意努力によっ
て見出だされた。
よれば、ＤＭＡＨを原料としたＣＶＤ法を用いてＡｌを
堆積する際のＤＭＡＨのガスの分圧は１ｍＴｏｒｒ〜１
００ｍＴｏｒｒの範囲であるとともに、基板の温度の範
囲は１８０℃〜２２０℃なので、選択性が損なわれずに
核生成が成される。このため選択性を阻害することなく
所望の領域にＡｌ膜を形成することができる。なお、こ
のときのＣＶＤ条件である基板の温度及びＤＭＡＨのガ
スの分圧の範囲は、本発明の発明者らの鋭意努力によっ
て見出だされた。
【図１】本発明の実施例に係るＡｌ薄膜の各形成工程を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の実施例に係るＡｌ薄膜の各形成工程を
示す図である。
示す図である。
１０…Ｓｉ基板、２０…下地絶縁膜、３０…下層金属配
線、４０…絶縁膜、５０…ヴィア孔、５１…Ａｌ膜
線、４０…絶縁膜、５０…ヴィア孔、５１…Ａｌ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 浩 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内 (72)発明者 太田 与洋 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内
Claims (1)
- 【請求項１】 ジメチルアルミニウムハイドライド（Ａ
ｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を含む原料ガスを反応容器内に供給
し、基板上の所望の領域に化学気相成長法によってＡｌ
またはＡｌ合金を堆積させて純Ａｌ膜又はＡｌ合金膜を
形成するＡｌ薄膜形成方法において、 前記基板の温度は１８０℃〜２２０℃であるとともに、
前記ジメチルアルミニウムハイドライドのガスの分圧は
１ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒであることを特徴とす
るＡｌ薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7191193A JPH06283531A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Ａｌ薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7191193A JPH06283531A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Ａｌ薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283531A true JPH06283531A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13474198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7191193A Pending JPH06283531A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Ａｌ薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283531A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100298128B1 (ko) * | 1998-04-16 | 2001-08-07 | 정명식 | 알루미늄 박막의 제조에 전구체로 유용한 디메틸알루미늄 하이드라이드의 점도 저하 방법 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7191193A patent/JPH06283531A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100298128B1 (ko) * | 1998-04-16 | 2001-08-07 | 정명식 | 알루미늄 박막의 제조에 전구체로 유용한 디메틸알루미늄 하이드라이드의 점도 저하 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5407698A (en) | Deposition of tungsten | |
| US6602770B2 (en) | Silicon layer to improve plug filling by CVD | |
| US6399490B1 (en) | Highly conformal titanium nitride deposition process for high aspect ratio structures | |
| JPH0390572A (ja) | 半導体ウェーハ上へのタングステン層のｃｖｄ蒸着方法 | |
| KR920018852A (ko) | 저항 및 결함밀도가 낮은 텅스텐 접점을 실리콘 반도체 웨이퍼에 형성하기 위한 방법 | |
| US6025269A (en) | Method for depositioning a substantially void-free aluminum film over a refractory metal nitride layer | |
| JPH04348557A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3628570B2 (ja) | タングステン薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法 | |
| JPH06283531A (ja) | Ａｌ薄膜形成方法 | |
| JP3149912B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2937998B1 (ja) | 配線の製造方法 | |
| JPH0722416A (ja) | アルミニウム配線の形成方法 | |
| JP3287042B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3058053B2 (ja) | アルミニウム薄膜の形成方法 | |
| JPH06275727A (ja) | 高融点金属膜の堆積方法 | |
| JPH06275624A (ja) | 導電層の形成方法 | |
| JPH053170A (ja) | ブランケツトタングステンプラグ形成法 | |
| JPH0864676A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05343354A (ja) | 半導体装置の密着層及びメタルプラグ形成方法 | |
| JPH10223556A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4248056B2 (ja) | Ｃｖｄ法による金属銅薄膜作製方法およびｃｖｄ装置 | |
| JP2701722B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0529316A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3214146B2 (ja) | 窒化チタン成膜の前処理方法および窒化チタン膜の成膜方法 | |
| JPH06224150A (ja) | 多層配線構造の形成方法 |