JPH0628726A - 光磁気記録媒体の記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 垂直磁気異方性を有する第１および第２磁性
薄膜と、その間に挟まれた第３磁性薄膜からなる磁性膜
層を有する光磁気記録媒体であって、第３磁性薄膜が、
その有効磁気異方性定数の温度特性曲線と第１磁性薄膜
の有効磁気異方性定数の温度特性曲線とが交差する温度
Ｔ以上で、第１磁性薄膜に比べて大きい有効磁気異方性
を有する光磁気記録媒体を用い、記録しようとする情報
信号に応じて、温度Ｔ以上で第２磁性薄膜の磁気モーメ
ントが反転しない温度に加熱する第１加熱状態と、温度
Ｔ以上で第２磁性薄膜の磁気モーメントが反転する温度
に加熱する第２加熱状態とに、光磁気記録媒体を加熱
し、第１又は第２加熱状態から冷却することにより、第
１磁性薄膜を第２磁性薄膜の磁化に追従させて磁化形成
をする光磁気記録媒体の記録方法。 【効果】 第１磁性薄膜のキュリー温度を単層のまま高
くすることを可能とし、光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比を向
上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、光磁気記録媒体の記録方
法に関し、さらに詳しくは、レーザー光照射などによる
媒体の加熱温度を切替え制御することにより光磁気記録
媒体に記録を行う光磁気記録媒体の記録方法に関するも
のである。

【０００２】

【発明の技術的背景】光磁気相互作用によって情報ピッ
ト（磁区）の読み出しを行う光磁気記録方法では、垂直
磁化膜からなる磁性薄膜を有する記録媒体に対し、その
磁化の方向を膜面に垂直な一方向に予め揃えるいわゆる
初期化を施しておき、この磁化方向と反対向きの垂直磁
化を有する磁区をレーザー光照射などの局部加熱手段に
より形成することによって、２値化された情報ピットと
して情報を記録している。

【０００３】このような光磁気記録媒体では、記録され
た情報を書換える際には、情報の書換に先立ち、記録さ
れた情報の消去（上記初期化に相当）の過程、すなわち
消去のための時間を要するため、高い転送レートでの記
録ができないという問題がある。そこで、このような独
立の消去過程が不必要な重ね書きによる記録方法、いわ
ゆるオーバーライト方式による記録方法が種々提案され
ている。このオーバーライト方式の中で有望視されてい
る方法としては、外部磁界変調法、記録用のヘッドの他
に消去用ヘッドを設ける２ヘッド法、レーザー光照射な
どによる媒体の加熱温度を切り替え制御するのみで書換
えを行う方法などがある。

【０００４】外部磁界変調法とは、例えば特公昭６０−
４８８０６号公報に開示されているように、膜面に垂直
な磁化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に
対する昇温用ビームの照射領域に、入力デジタル信号電
流に対応する極性の磁場を印加することにより記録を行
うものである。ところが、このような外部磁場変調法に
よって高い転送レートで記録を行おうとすると、例えば
ＭＨｚオーダーで動作する電磁石が必要となる。しか
し、このような電磁石の製作は困難であり、たとえ製作
できたとしても消費電力量および発熱量が大きく実用的
でないという問題点がある。

【０００５】また、２ヘッド法では、記録用ヘッド以外
の余分なヘッドを必要とし、２つのヘッドを離して設置
しなければならず、ドライブシステムへの負担が大き
く、経済性も悪く、量産にも向かないなどの問題点を有
している。

【０００６】レーザー光等による媒体の加熱温度を切り
替え制御するのみで書換えを行う方法とは、例えば特開
平２−２４８０１号公報に開示されているように、第１
磁性薄膜および第２磁性薄膜が、第３磁性薄膜を介して
順次磁気的に結合されて積層された積層膜において、第
１磁性薄膜のキュリー温度以上でかつ第２磁性薄膜の磁
気モーメントの反転の生じない温度に加熱する第１加熱
状態と、第１磁性薄膜のキュリー温度以上でかつ第２磁
性薄膜の磁気モーメントを反転させるのに充分な温度に
加熱する第２加熱状態とを、記録しようとする情報信号
に応じて変調し、それぞれの加熱状態から冷却すること
により熱磁気記録媒体に記録磁化を形成する方法であ
る。この方式では、第１加熱温度が第２磁性薄膜の磁気
モーメントが反転する温度から充分低い温度であること
が必要であり、かつ第１磁性薄膜のキュリー温度が、第
１加熱状態での温度以下であることが必要となる。

【０００７】ところで、読み出し信号の大きさは、第１
磁性薄膜の有するカー回転角に比例するため、第１磁性
薄膜の有するカー回転角は大きいほど好ましい。希土類
−遷移金属薄膜のカー回転角は、そのキュリー温度に依
存し、キュリー温度が高いほどカー回転角も大きくなる
ことが、例えば、電子情報技術報告 vol８５ ＭＲ８５
−４７、Ｐ１７に示されている。したがって、この方式
では、第１磁性薄膜のキュリー温度を高くすることがで
きないため、カー回転角を大きくし、Ｃ／Ｎ比を上げる
ことができないという問題点がある。

【０００８】この問題を解決する方法としては、例え
ば、特開昭６３−４８６３７公報に開示されているよう
な、第１磁性薄膜上に再生層としてキュリー温度が高い
再生層すなわちカー回転角の大きい再生層を設けるとい
う方法や、特開平２−１８７９４７号公報に開示されて
いるような、カー回転角を大きくするか、あるいは、記
録ピットの安定性を向上させるため、第１磁性薄膜を多
層にする方法が提案されている。しかし、このような第
１磁性薄膜を多層化することによりカー回転角の向上を
図る方法は、製造設備が複雑となり、またトータルの磁
性薄膜の膜厚を厚くすることになる。

【０００９】

【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、第３磁性薄膜として、その有
効磁気異方性定数Ｋ3 と第１磁性薄膜の有効磁気異方性
定数Ｋ1 の温度特性曲線とが、第２磁性薄膜の磁気モー
メントの反転が生じない温度Ｔcross で交差し、かつ、
温度Ｔcross 以上で第３磁性薄膜の有効磁気異方性定数
Ｋ3 が第１磁性薄膜の有効磁気異方性定数Ｋ1 より大き
くなるような磁性薄膜を用いることにより、第１加熱状
態を第１磁性薄膜のキュリー温度Ｔc1以下でも書換え可
能となるようにして、第１磁性薄膜のキュリー温度Ｔc1
を単層のまま高くすることを可能とし、光磁気記録媒体
のＣ／Ｎ比を向上させることができるような光磁気記録
媒体を提供することを目的としている。

【００１０】

【発明の概要】本発明に係る光磁気記録媒体の記録方法
は、垂直磁気異方性を有する第１磁性薄膜と、垂直磁気
異方性を有する第２磁性薄膜と、第１および第２磁性薄
膜に挟まれた第３磁性薄膜からなる磁性膜層を有する光
磁気記録媒体であって、上記第３磁性薄膜が、その有効
磁気異方性定数Ｋ3 の温度特性曲線と上記第１磁性薄膜
の有効磁気異方性定数Ｋ1 の温度特性曲線とが交差する
温度Ｔcross 以上で、上記第１磁性薄膜に比べて大きい
有効磁気異方性を有する光磁気記録媒体を用い、記録し
ようとする情報信号に応じて、上記温度Ｔcross 以上
で、かつ上記第２磁性薄膜の磁気モーメントの反転を生
じない温度Ｔ1 に加熱する第１加熱状態と、上記温度Ｔ
cross 以上でかつ上記第２磁性薄膜の磁気モーメントを
反転させるに充分な温度Ｔ2 に加熱する第２加熱状態と
に、光磁気記録媒体を加熱し、上記第１加熱状態または
第２加熱状態から冷却することにより、上記第１磁性薄
膜を第２磁性薄膜の磁化に追従させて磁化形成をするこ
とを特徴としている。

【００１１】本発明では、上記第１加熱状態の温度Ｔ1
がＴcross 以上であり、かつ第１磁性薄膜のキュリー温
度Ｔc1未満であることが好ましく、また、上記第１加熱
状態の温度Ｔ1 がＴcross 以上であり、かつ第１磁性薄
膜のキュリー温度Ｔc1未満であり、かつ第３磁性膜のキ
ュリー温度Ｔc3未満であることが好ましい。

【００１２】このような本発明によれば、第１加熱状態
の温度Ｔ1 を、第１磁性薄膜のキュリー温度Ｔc1未満の
温度とすることが可能であるため、第１磁性薄膜のキュ
リー温度Ｔc1を高くすることができ、第１磁性薄膜のカ
ー回転角を大きくして、光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比を向
上させることができる。

【００１３】

【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光磁気記録媒
体の記録方法について具体的に説明する。図１は、本発
明で用いられる光磁気記録媒体の一例を示す概略断面図
である。本発明で用いられる光磁気記録媒体１０は、例
えば、図１に示すように基板１４上に第１磁性薄膜１
１、第３磁性薄膜１３および第２磁性薄膜１２がこの順
序で積層されてなる磁性膜層１５を有している。すなわ
ち光磁気記録媒体１０は、基板１４上に、垂直磁気異方
性を有する第１磁性薄膜１１と、垂直磁気異方性を有す
る第２磁性薄膜１２と、第１磁性薄膜１１および第２磁
性薄膜１２に挟まれた第３磁性薄膜１３とからなる磁性
膜層１５を有し、この第３磁性薄膜１３は、その有効磁
気異方性定数Ｋ3 の温度特性曲線と上記第１磁性薄膜１
１の有効磁気異方性定数Ｋ1 の温度特性曲線とが交差す
る温度Ｔcross 以上で、上記第１磁性薄膜１１に比べて
大きい有効磁気異方性を有している。

【００１４】このような光磁気記録媒体１０は、上記の
第１ないし第３磁性薄膜からなる磁性膜層１５に加え
て、エンハンス膜（保護膜）、金属膜などを有していて
もよく、例えば下記のような構造であってもよい。

【００１５】すなわち、基板１４の側からレーザー光が
照射される場合には、 （Ａ）基板／エンハンス膜（保護膜）／第１磁性薄膜／
第３磁性薄膜／第２磁性薄膜 （Ｂ）基板／第１磁性薄膜／第３磁性薄膜／第２磁性薄
膜／金属膜 （Ｃ）基板／エンハンス膜（保護膜）／第１磁性薄膜／
第３磁性薄膜／第２磁性薄膜／金属膜 （Ｄ）基板／エンハンス膜（保護膜）／第１磁性薄膜／
第３磁性薄膜／第２磁性薄膜／エンハンス膜（保護膜）
／金属膜 などの構造を挙げることができる。

【００１６】基板１４とは反対側の表面にレーザー光が
照射される場合には、 （Ｅ）基板／エンハンス膜（保護膜）／第２磁性薄膜／
第３磁性薄膜／第１磁性薄膜 （Ｆ）基板／金属膜／第２磁性薄膜／第３磁性薄膜／第
１磁性薄膜記録層 （Ｇ）基板／保護膜／金属膜／第２磁性薄膜／第３磁性
薄膜／第１磁性薄膜 （Ｈ）基板／保護膜／金属膜／第２磁性薄膜／第３磁性
薄膜／第１磁性薄膜／エンハンス膜（保護膜） などの構造を挙げることができる。

【００１７】また、これらの光磁気記録媒体の最外層に
耐傷性を付与するための保護コートや保護ラベルを形成
したような構造のものが可能となる。次に、本発明で用
いられる光磁気記録媒体を構成する、基板、第１〜第３
磁性薄膜、エンハンス膜（保護膜）、金属膜について具
体的に説明する。

【００１８】基板１４としては、ガラスやアルミニウム
等の無機材料の他に、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマーアロ
イ、米国特許第4,614,778号明細書に示されるような非
晶質エチレン−環状オレフィン共重合体、例えば、エチ
レンと1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒ
ドロナフタレン（テトラシクロドデセン）との共重合
体、エチレンと2-メチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4
a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン（メチルテトラシク
ロドデセン）との共重合体、エチレンと2-エチル-1,4,
5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタ
レンとの共重合体など、またはポリ4-メチル-1-ペンテ
ン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサル
フォン、ポリエーテルイミド等の有機材料などが使用で
きる。このような基板１４の厚さは、特に限定されない
が、通常０.５ｍｍ〜５ｍｍ、好ましくは１ｍｍ〜２ｍ
ｍである。

【００１９】第１磁性薄膜１１としては、垂直磁気異方
性が大きな磁性薄膜が用いられる。このような磁性薄膜
としては、３ｄ遷移金属と希土類元素との合金膜が例示
できる。ここで３ｄ遷移元素として具体的には、例え
ば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが挙げ
られ、好ましくはＦｅ、Ｃｏである。また希土類元素と
して具体的には、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ
が挙げられ、好ましくはＧｄ、Ｔｂ、Ｎｄ、Ｄｙであ
る。

【００２０】このような第１磁性薄膜１１に用いられる
磁性薄膜のさらに具体的な例としては、Ｔｂ_x（Ｆｅ_yＣ
ｏ_100-y）_100-xからなる磁性薄膜が挙げられる。ただ
し、ｘは１５＜ｘ＜３０（原子比）の範囲であり、ｙは
０＜ｙ＜１００（原子比）の範囲である。また、本発明
では上記一般式中、Ｔｂに代えてＧｄ、Ｄｙ、Ｎｄなど
の他の希土類元素を用いた磁性薄膜を用いることもで
き、また、Ｔｂに代えてＴｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｎｄなどの
希土類元素を２種以上組み合わせて用いた磁性薄膜を用
いることもできる。さらに、他の遷移金属やその他の元
素を添加することもできる。

【００２１】本発明で用いられる第１磁性薄膜１１のキ
ュリー温度（Ｔc1）は、第２磁性薄膜１２のキュリー温
度（Ｔc2）よりも高くすることも可能であり、具体的に
は１００〜４００℃の範囲にあることが望ましく、特に
好ましくは１５０〜３００℃の範囲にあることが望まし
い。また、第１磁性薄膜１１の室温での保磁力（Ｈc1）
は、第２磁性薄膜１２の保磁力（Ｈc2）よりも高く、具
体的には３.０ｋOe以上、好ましくは１０.０ｋOe以上で
あることが望ましい。

【００２２】このような第１磁性薄膜１１の膜厚は、通
常１００〜１０００Åの範囲にあることが望ましく、特
に好ましくは２００〜５００Åの範囲にあることが望ま
しい。

【００２３】第２磁性薄膜１２としては、垂直磁気異方
性が大きな磁性薄膜が用いられる。このような磁性薄膜
としては、３ｄ遷移金属と希土類元素との合金膜が例示
できる。ここで３ｄ遷移元素として具体的には、例え
ば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが挙げ
られ、好ましくはＦｅ、Ｃｏである。また希土類元素と
して具体的には、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ
が挙げられ、好ましくはＧｄ、Ｔｂ、Ｎｄ、Ｄｙであ
る。

【００２４】このような第２磁性薄膜１２に用いられる
磁性薄膜の具体的な例としては、Ｔｂ_x（Ｆｅ_yＣｏ
_100-y）_100-xからなる磁性薄膜が挙げられる。ただし、
ｘは１０＜ｘ＜２３（原子比）またはｘは２５＜ｘ＜４
０（原子比）の範囲であり、ｙは０＜ｙ＜１００（原子
比）の範囲である。また、本発明では上記一般式中、Ｔ
ｂに代えてＧｄ、Ｄｙ、Ｎｄなどの他の希土類元素を用
いた磁性薄膜を用いることもでき、また、Ｔｂに代えて
Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｎｄなどの希土類元素を２種以上組
み合わせて用いた磁性薄膜を用いることもできる。さら
に、他の遷移金属やその他の元素を添加することもでき
る。

【００２５】本発明で用いられる第２磁性薄膜１２のキ
ュリー温度（Ｔc2）は、具体的には２００〜５００℃の
範囲にあることが望ましく、特に好ましくは２５０〜４
００℃の範囲にあることが望ましい。また第２磁性薄膜
１２の室温での保磁力（Ｈc2）は、０.５〜３.０ｋOeの
範囲にあることが望ましく、特に好ましくは１.０〜２.
０ｋOeの範囲にあることが望ましい。

【００２６】このような第２磁性薄膜１２の膜厚は、通
常３００〜１５００Åの範囲にあることが望ましく、特
に好ましくは４００〜８００Åの範囲にあることが望ま
しい。

【００２７】第３磁性薄膜１３としては、その有効磁気
異方性定数Ｋ3 の温度特性曲線と第１磁性薄膜１１の有
効磁気異方性定数Ｋ1 の温度特性曲線とが交差する温度
Ｔcross 以上で、上記第１磁性薄膜１１に比べて大きい
有効磁気異方性を有する磁性薄膜が用いられる。

【００２８】このような磁性薄膜としては、３ｄ遷移金
属と希土類元素との合金膜を例示できる。ここで３ｄ遷
移元素として具体的には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが挙げられ、好ましくはＦｅ、
Ｃｏである。また希土類元素として具体的には、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕが挙げられ、好ましくはＧ
ｄ、Ｔｂ、Ｎｄ、Ｄｙである。

【００２９】このような第３磁性薄膜１３に用いられる
磁性薄膜の具体的な例としては、Ｔｂ_x（Ｆｅ_yＣｏ
_100-y）_100-xからなる磁性薄膜が挙げられる。ただし、
ｘは２５＜ｘ＜５０（原子比）の範囲であり、ｙは０＜
ｙ＜１００（原子比）の範囲である。また、本発明では
上記一般式中、Ｔｂに代えてＧｄ、Ｄｙ、Ｎｄなどの他
の希土類元素を用いた磁性薄膜を用いることもでき、ま
た、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｎｄなどの希土類元素を２種以
上組み合わせて用いた磁性薄膜を用いることもできる。
さらに、他の遷移金属やその他の元素を添加することも
できる。

【００３０】本発明で用いられる第３磁性薄膜１３のキ
ュリー温度（Ｔc3）は、具体的には１００〜５００℃の
範囲にあることが望ましく、特に好ましくは２００〜４
００℃の範囲にあることが望ましい。また第３磁性薄膜
１３の室温での保磁力（Ｈc3）は、０〜１.０ｋOeの範
囲にあることが望ましく、特に好ましくは０〜０.５ｋO
eの範囲にあることが望ましい。

【００３１】このような第３磁性薄膜１３の膜厚は、通
常５０〜５００Åの範囲にあることが望ましく、特に好
ましくは１００〜３００Åの範囲にあることが望まし
い。本発明では、図２に示すように第１磁性薄膜１１の
有効磁気異方性定数Ｋ1 の温度特性曲線と第３磁性薄膜
１３の有効磁気異方性定数Ｋ3 の温度特性曲線が、第２
磁性薄膜１２の磁気モーメントの反転が生じない温度で
交差し、かつ第３磁性薄膜１３の有効磁気異方性定数Ｋ
3 の温度特性曲線と上記第１磁性薄膜１１の有効磁気異
方性定数Ｋ1 の温度特性曲線とが交差する温度Ｔcross
以上で、第１磁性薄膜１１に比べて大きい垂直磁気異方
性を有し、かつ第３磁性薄膜１３のキュリー温度Ｔc3
が、第１磁性薄膜１１のキュリー温度Ｔc1未満であるよ
うな第３磁性薄膜１３が用いられるか、あるいは図３に
示すように第１磁性薄膜１１の有効磁気異方性定数Ｋ1
の温度特性曲線と第３磁性薄膜１３の有効磁気異方性定
数Ｋ3 の温度特性曲線が、第２磁性薄膜１２の磁気モー
メントの反転が生じない温度で交差し、かつ第３磁性薄
膜１３の有効磁気異方性定数Ｋ3 の温度特性曲線と上記
第１磁性薄膜１１の有効磁気異方性定数Ｋ1 の温度特性
曲線とが交差する温度Ｔcross 以上で、第１磁性薄膜１
１に比べて大きい垂直磁気異方性を有するような第３磁
性薄膜１３が用いられる。本発明では、Ｔcross 以上の
温度における第３磁性薄膜１３の有効磁気異方性定数Ｋ
3 と第１磁性薄膜１１の有効磁気異方性定数Ｋ1 との差
（Ｋ3 −Ｋ1 ）の最大値が１.０×１０⁴ erg／cc以上と
なるような第１磁性薄膜および第３磁性薄膜を用いるこ
とが好ましい。

【００３２】第３磁性薄膜１３は、温度Ｔcross 以上で
第１磁性薄膜１１に比べて大きい垂直磁気異方性を有し
ているので、第１磁性薄膜１１のキュリー温度Ｔc1未満
の温度でも第１磁性薄膜１１の磁化方向を第２磁性薄膜
１２の磁化方向と同一にすることができる。このため、
第１磁性薄膜１１のキュリー温度Ｔc1を高くすることが
でき、カー回転角を大きくして、光磁気記録媒体のＣ／
Ｎ比を上げることができる。

【００３３】なお、情報記録時の第１加熱状態の温度Ｔ
1 は、第３有効磁気異方性定数Ｋ3と第１磁性薄膜１１
の有効磁気異方性定数Ｋ1 との差（Ｋ3 −Ｋ1 ）が最大
になる温度であることが好ましい。

【００３４】エンハンス膜（保護膜）としてはその屈折
率が基板の屈折率よりも大きいものであればよく、有機
または無機のいずれの材料であってもよい。エンハンス
膜（保護膜）の具体例としては、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ、Ｔ
ｉＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ₂、Ｔａ ₂Ｏ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＣｅＯ₂
、ＳｎＯ₂ 、ＴｅＯ₂ 等の酸化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＮ
ｘ（０＜Ｘ≦４／３）ＡｌＮ、ＢＮ等の窒化物、Ｚｎ
Ｓ、ＣｄＳ等の硫化物、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、Ｓｉなどが
ある。また、コバルトフェライトに代表されるフェライ
ト類、Ｂｉ置換ガーネットに代表されるガーネット類等
のファラデー効果を有する透明材料をエンハンス膜とし
て使用してもよい。

【００３５】金属膜としては、例えば、アルミニウム系
合金（Ａｌ系合金）またはニッケル系合金（Ｎｉ系合
金）等が用いられる。この金属膜は、熱伝導膜または反
射膜としての機能を有しているものであり、例えばＡｌ
系合金膜は熱伝導膜としての機能を有し、Ｎｉ系合金膜
は反射膜としての機能を有している。

【００３６】次に、本発明で用いられる係る光磁気記録
媒体の製造方法について説明する。本発明で用いられる
光磁気記録媒体は、例えば、下記のようにして製造する
ことができる。すなわち、基板温度を室温程度に保ち、
光磁気記録媒体の第１ないし第３磁性薄膜を構成する各
元素からなるチップを所定割合で配置した複合ターゲッ
トまたは所定割合の組成からなる合金ターゲットあるい
は各元素のターゲット等を組み合わせて所定の位置に配
置して、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法あるいは
真空同時蒸着法などの従来公知の成膜条件を採用して自
公転している基板（基板は固定していてもよいが、この
場合は各ターゲット上のシャッターを交互に開閉する）
上に所定組成の薄膜を順次被着させることにより、光磁
気記録媒体の第１ないし第３磁性薄膜を形成することが
できる。

【００３７】このような第１ないし第３磁性薄膜は、常
温での成膜が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持
たせるために成膜後にアニール処理などの熱処理をする
必要がない。

【００３８】なお必要に応じては、基板温度を５０〜６
００℃に加熱しながらまたは−５０℃まで冷却しなが
ら、基板上に記録層および再生層を成膜することもでき
る。またスパッタリング時に、基板を負電位になるよう
にバイアスすることもできる。このようにすると、電界
で加速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲ
ット物質ばかりでなく成膜されつつある第１ないし第３
磁性薄膜をもたたくことになり、優れた特性を有する光
磁気記録媒体が得られることがある。

【００３９】本発明では、上記のような光磁気記録媒体
１０に対してレーザー光照射などにより、第３磁性薄膜
１３の有効磁気異方性定数Ｋ3 と第１磁性薄膜１１の有
効磁気異方性定数Ｋ1 の温度特性曲線の交差する温度Ｔ
cross 以上でかつ第２磁性薄膜１２の磁気モーメントの
反転を生じない温度Ｔ1 に加熱する第１加熱状態と、Ｔ
cross 以上でかつ上記第２磁性薄膜１２の磁気モーメン
トを反転させるに充分な温度Ｔ2 に加熱する第２加熱状
態とに、光磁気記録媒体を加熱し、上記第１加熱状態ま
たは第２加熱状態から冷却することにより光磁気記録媒
体に記録磁化を形成する。

【００４０】具体的には、図４または図５に示すように
行われる。なお、図４および図５は、光磁気記録媒体の
１つの磁区における、第１磁性薄膜１１および第２磁性
薄膜１２の磁化状態を矢印をもって模式的に示したもの
である。

【００４１】第１磁性薄膜１１および第２磁性薄膜１２
は、状態Ａに示すように、互いの磁化方向が同一である
状態と、状態Ｂに示すように、互いの磁化方向が逆であ
る状態とを、例えば「０」、「１」に対応させることに
より情報の記録が行われる。そして、この情報の記録
は、外部磁場の印加と、レーザー光照射などにより温度
Ｔ1 または温度Ｔ2 に加熱することにより行われる。例
えば、まず状態Ａにある磁区に対してレーザー光を照射
して、このレーザー光の強度または照射時間を記録信号
に応じて変調することにより、第３磁性薄膜１３の有効
磁気異方性定数Ｋ3 と第１磁性薄膜１１の有効磁気異方
性定数Ｋ1 の温度特性曲線の交差する温度Ｔcross 以上
でかつ第２磁性薄膜１２の磁気モーメントが外部磁場に
よって反転を生じない温度Ｔ1 に加熱する。この加熱温
度Ｔ1 が図４に示すように、Ｔcross 以上でかつＴc1未
満の場合、第３磁性薄膜１３の磁気エネルギーが第１磁
性薄膜より大きくなるため、第１磁性薄膜１１は、第２
磁性薄膜１２と同一方向の磁化が生じ、状態Ａとなり、
例えば「０」の情報が記録される。また、加熱温度Ｔ1
が図５に示すように、Ｔc1以上の場合、第１磁性薄膜１
１は磁化を失いＣの状態になる。この加熱が終了し磁性
薄膜の温度がＴc1に下がると、第１磁性薄膜１１は、第
２磁性薄膜１２による交換結合力によって、第２磁性薄
膜１２と同一方向の磁化が生じ、状態Ａとなる。

【００４２】一方、状態Ａにある磁区を、上記温度Ｔ1
より高く、かつ第２磁性薄膜１２の磁化を外部磁場によ
り反転させるのに充分な温度Ｔ2 に加熱すると、第１磁
性薄膜１１は磁化を失い、第２磁性薄膜１２の磁化が反
転した状態Ｄが生じる。この加熱が終了し磁性薄膜の温
度がＴc1に下がると、第１磁性薄膜１１は、第２磁性薄
膜１２による交換結合力によって、第２磁性薄膜１２と
同一方向の磁化が生じ、状態Ｅとなる。これにほぼ室温
にて外部補助磁界を印加して、第２磁性薄膜１２の磁化
の向きを反転させて、第１および第２磁性薄膜１１、１
２の磁化方向が逆であるＢの状態として、例えば「１」
の情報の記録を行う。

【００４３】このようにして状態Ａおよび状態Ｂによ
り、「０」および「１」の情報が記録される。そして状
態Ａおよび状態Ｂのいずれの状態においても、これを温
度Ｔ1または温度Ｔ2 に加熱することによりオーバーラ
イトが可能である。すなわち、初期の状態が状態Ａであ
るか状態Ｂであるかを問わず、温度Ｔ1 に加熱すること
により状態Ａとすることができ、また、温度Ｔ2 に加熱
することにより状態Ｂとすることができる。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、第３磁性薄膜としてそ
の有効磁気異方性定数Ｋ3 の温度特性曲線と第１磁性薄
膜の有効磁気異方性定数Ｋ1 の温度特性曲線が、第２磁
性薄膜の磁気モーメントが反転しない温度Ｔcross で交
差する磁性薄膜を用いているので、第１加熱温度Ｔ1 の
温度を低くすることができ、このため第１磁性薄膜のキ
ュリー温度Ｔc1を高くすることが可能となり、第１磁性
薄膜を多層化する事なくＣ／Ｎ比を上げることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で用いられる光磁気記録媒体の一例を示
す概略断面図である。

【図２】第１磁性薄膜および第３磁性薄膜の有効磁気異
方性定数の温度特性曲線を示す図である。

【図３】第１磁性薄膜および第３磁性薄膜の有効磁気異
方性定数の温度特性曲線を示す図である。

【図４】磁性薄膜の磁化状態を示す概略説明図である。

【図５】磁性薄膜の磁化状態を示す概略説明図である。

【符号の説明】

１０ 光磁気記録媒体 １１ 第１磁性薄膜 １２ 第２磁性薄膜 １３ 第３磁性薄膜 １４ 基板 １５ 磁性膜層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 垂直磁気異方性を有する第１磁性薄膜
   と、垂直磁気異方性を有する第２磁性薄膜と、第１およ
   び第２磁性薄膜に挟まれた第３磁性薄膜とからなる磁性
   膜層を有する光磁気記録媒体であって、上記第３磁性薄
   膜が、その有効磁気異方性定数Ｋ3 の温度特性曲線と上
   記第１磁性薄膜の有効磁気異方性定数Ｋ1 の温度特性曲
   線とが交差する温度Ｔcross 以上で、上記第１磁性薄膜
   に比べて大きい有効磁気異方性を有する光磁気記録媒体
   を用い、 記録しようとする情報信号に応じて、上記温度Ｔcross
   以上で、かつ上記第２磁性薄膜の磁気モーメントの反転
   を生じない温度Ｔ1 に加熱する第１加熱状態と、上記温
   度Ｔcross 以上でかつ上記第２磁性薄膜の磁気モーメン
   トを反転させるに充分な温度Ｔ2 に加熱する第２加熱状
   態とに、光磁気記録媒体を加熱し、 上記第１加熱状態または第２加熱状態から冷却すること
   により、上記第１磁性薄膜を第２磁性薄膜の磁化に追従
   させて磁化形成をすることを特徴とする光磁気記録媒体
   の記録方法。
2. 【請求項２】 上記第１加熱状態の温度Ｔ1 がＴcross
   以上であり、かつ第１磁性薄膜のキュリー温度Ｔc1未満
   である請求項１に記載の光磁気記録媒体の記録方法。
3. 【請求項３】 上記第１加熱状態の温度Ｔ1 がＴcross
   以上であり、かつ第１磁性薄膜のキュリー温度Ｔc1未満
   であり、かつ第３磁性膜のキュリー温度Ｔc3未満である
   請求項１に記載の光磁気記録媒体の記録方法。