JPH06287739A - 溶射装置 - Google Patents
溶射装置Info
- Publication number
- JPH06287739A JPH06287739A JP5076737A JP7673793A JPH06287739A JP H06287739 A JPH06287739 A JP H06287739A JP 5076737 A JP5076737 A JP 5076737A JP 7673793 A JP7673793 A JP 7673793A JP H06287739 A JPH06287739 A JP H06287739A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 緻密な溶射皮膜を得ることができると共に、
溶射材料として酸化物を使用した場合の組成変化を回避
できる溶射装置を提供する。 【構成】 減圧装置により、チャンバー１０内は例えば
１００ｔｏｒｒの圧力に維持されるようになっている。
また、このチャンバー１０内には、空気又は酸素分圧を
調整したガスが３０乃至２００リットル／分の流量で供給さ
れる。溶射トーチ１及び被溶射体（基盤）３はこのチャ
ンバー１０内に配置される。
溶射材料として酸化物を使用した場合の組成変化を回避
できる溶射装置を提供する。 【構成】 減圧装置により、チャンバー１０内は例えば
１００ｔｏｒｒの圧力に維持されるようになっている。
また、このチャンバー１０内には、空気又は酸素分圧を
調整したガスが３０乃至２００リットル／分の流量で供給さ
れる。溶射トーチ１及び被溶射体（基盤）３はこのチャ
ンバー１０内に配置される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ又はレーザ等
を使用して金属又は金属化合物等の溶射材料を溶融又は
半溶融状態にし、この溶射材料を被溶射体の表面に吹き
付け溶着させて溶射皮膜を形成する溶射装置に関する。
を使用して金属又は金属化合物等の溶射材料を溶融又は
半溶融状態にし、この溶射材料を被溶射体の表面に吹き
付け溶着させて溶射皮膜を形成する溶射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】溶射装置は、金属又は金属化合物等の溶
射材料を溶融又は半溶融状態にし、被溶射体の表面に吹
き付け溶着させて溶射皮膜を形成するものである。前記
溶射材料を溶融又は半溶融状態とするための溶射熱源と
しては、燃焼ガスの炎、プラズマ及びレーザ等が使用さ
れている。
射材料を溶融又は半溶融状態にし、被溶射体の表面に吹
き付け溶着させて溶射皮膜を形成するものである。前記
溶射材料を溶融又は半溶融状態とするための溶射熱源と
しては、燃焼ガスの炎、プラズマ及びレーザ等が使用さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
溶射装置においては、溶射皮膜の組織が緻密でないとい
う問題点がある。減圧したチャンバー内で溶射を行うこ
とにより溶射皮膜の組織を緻密化することも考えられる
が、そうすると、チャンバー内が還元性雰囲気となっ
て、溶射材料として酸化物を使用した場合に、所望の組
成の溶射皮膜を得ることができないという問題点があ
る。即ち、例えばプラズマ溶射装置ではプラズマガン
（溶射トーチ）に、アルゴンガス、水素ガス又はヘリウ
ムガス等を供給し、直流電流によってこれらのガスのプ
ラズマを発生させる。このため、チャンバー内が還元性
雰囲気となり、酸化物が還元され、組成が変化してしま
う。従って、所望の組成の溶射皮膜を得ることができな
い。
溶射装置においては、溶射皮膜の組織が緻密でないとい
う問題点がある。減圧したチャンバー内で溶射を行うこ
とにより溶射皮膜の組織を緻密化することも考えられる
が、そうすると、チャンバー内が還元性雰囲気となっ
て、溶射材料として酸化物を使用した場合に、所望の組
成の溶射皮膜を得ることができないという問題点があ
る。即ち、例えばプラズマ溶射装置ではプラズマガン
（溶射トーチ）に、アルゴンガス、水素ガス又はヘリウ
ムガス等を供給し、直流電流によってこれらのガスのプ
ラズマを発生させる。このため、チャンバー内が還元性
雰囲気となり、酸化物が還元され、組成が変化してしま
う。従って、所望の組成の溶射皮膜を得ることができな
い。
【０００４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、緻密な溶射皮膜を形成することができると
共に、溶射材料として酸化物を使用した場合に酸化物の
還元を回避できて所望の組成の溶射皮膜を得ることがで
きる溶射装置を提供することを目的とする。
のであって、緻密な溶射皮膜を形成することができると
共に、溶射材料として酸化物を使用した場合に酸化物の
還元を回避できて所望の組成の溶射皮膜を得ることがで
きる溶射装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る溶射装置
は、チャンバーと、このチャンバー内を減圧状態に維持
する減圧手段と、このチャンバー内に酸素を供給する酸
素供給手段と、前記チャンバー内に配置され溶射材料を
溶融又は半溶融状態にして被溶射体に吹き付ける溶射ト
ーチとを有することを特徴とする。
は、チャンバーと、このチャンバー内を減圧状態に維持
する減圧手段と、このチャンバー内に酸素を供給する酸
素供給手段と、前記チャンバー内に配置され溶射材料を
溶融又は半溶融状態にして被溶射体に吹き付ける溶射ト
ーチとを有することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明に係る溶射装置は、減圧手段により減圧
状態に維持されたチャンバーを有し、溶射トーチはこの
チャンバー内に配設されている。そして、この減圧状態
のチャンバー内において、前記溶射トーチから溶融又は
半溶融状態の溶射材料を被溶射体に吹き付け溶着させ
て、溶射皮膜を形成する。このように、減圧状態で溶射
を行うことにより、組織が緻密な溶射皮膜を得ることが
できる。
状態に維持されたチャンバーを有し、溶射トーチはこの
チャンバー内に配設されている。そして、この減圧状態
のチャンバー内において、前記溶射トーチから溶融又は
半溶融状態の溶射材料を被溶射体に吹き付け溶着させ
て、溶射皮膜を形成する。このように、減圧状態で溶射
を行うことにより、組織が緻密な溶射皮膜を得ることが
できる。
【０００７】この場合に、本発明においては、酸素供給
手段により、前記チャンバー内に酸素を供給する。これ
により、溶射材料として酸化物を使用した場合も、酸化
物の還元を回避できて、所望の組成の溶射皮膜を得るこ
とができる。
手段により、前記チャンバー内に酸素を供給する。これ
により、溶射材料として酸化物を使用した場合も、酸化
物の還元を回避できて、所望の組成の溶射皮膜を得るこ
とができる。
【０００８】なお、酸化物の組成変化を回避するために
は、例えばキャリヤガス中に酸素を含有させることも考
えられる。しかし、例えばプラズマガンは高電圧及び高
温に曝されるため、キャリヤガス中に酸素を含有させる
と、酸化によりプラズマガンの寿命が著しく短縮してし
まう。このため、キャリアガス中に酸素を含有させるこ
とは好ましくない。
は、例えばキャリヤガス中に酸素を含有させることも考
えられる。しかし、例えばプラズマガンは高電圧及び高
温に曝されるため、キャリヤガス中に酸素を含有させる
と、酸化によりプラズマガンの寿命が著しく短縮してし
まう。このため、キャリアガス中に酸素を含有させるこ
とは好ましくない。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１０】図１は本発明の実施例に係る溶射装置を示
す模式図である。なお、本実施例は本発明をプラズマ溶
射装置に適用したものである。
す模式図である。なお、本実施例は本発明をプラズマ溶
射装置に適用したものである。
【００１１】プラズマガン１（トーチ）及び被溶射体３
（基盤）はチャンバー１０内に配置されている。このチ
ャンバー１０は減圧装置（図示せず）に接続されてお
り、内部の圧力が略一定（例えば、１００ｔｏｒｒ）に
維持されるようになっている。また、このチャンバー１
０にはエアー供給装置（図示せず）に接続されており、
このエアー供給装置から所定の流量で空気が供給され
て、チャンバー１０内が空気雰囲気に維持されるように
なっている。
（基盤）はチャンバー１０内に配置されている。このチ
ャンバー１０は減圧装置（図示せず）に接続されてお
り、内部の圧力が略一定（例えば、１００ｔｏｒｒ）に
維持されるようになっている。また、このチャンバー１
０にはエアー供給装置（図示せず）に接続されており、
このエアー供給装置から所定の流量で空気が供給され
て、チャンバー１０内が空気雰囲気に維持されるように
なっている。
【００１２】プラズマガン１には、アルゴン、水素又は
ヘリウム等のガスが供給される。そして、プラズマガン
１は、直流電流によりこれらのガスをプラズマ状態に
し、高温のプラズマ炎を噴射する。また、このプラズマ
ガン１には、溶射材料として、例えばイットリア安定化
ジルコニア（ＹＳＺ）が供給され、プラズマ炎により溶
射材料を溶融又は半溶融状態にして被溶射体３に吹き付
けるようになっている。
ヘリウム等のガスが供給される。そして、プラズマガン
１は、直流電流によりこれらのガスをプラズマ状態に
し、高温のプラズマ炎を噴射する。また、このプラズマ
ガン１には、溶射材料として、例えばイットリア安定化
ジルコニア（ＹＳＺ）が供給され、プラズマ炎により溶
射材料を溶融又は半溶融状態にして被溶射体３に吹き付
けるようになっている。
【００１３】本実施例においては、減圧雰囲気において
溶射皮膜を形成するため、組織が緻密な皮膜を得ること
ができる。また、チャンバー内が空気雰囲気に維持され
るため、溶射材料として酸化物を使用しても、酸化物の
還元を回避できて、所望の組成の溶射皮膜を得ることが
できる。
溶射皮膜を形成するため、組織が緻密な皮膜を得ること
ができる。また、チャンバー内が空気雰囲気に維持され
るため、溶射材料として酸化物を使用しても、酸化物の
還元を回避できて、所望の組成の溶射皮膜を得ることが
できる。
【００１４】次に、上述の装置を使用して実際にイット
リア安定化ジルコニアの溶射を行った結果について説明
する。
リア安定化ジルコニアの溶射を行った結果について説明
する。
【００１５】チャンバー１０内に空気を３０乃至２００
リットル／分の流量で流入させつつ、チャンバー内を１００
ｔｏｒｒの圧力に維持した。そして、プラズマガン１か
ら被溶射体３に向けて溶融又は半溶融状態のイットリア
安定化ジルコニアを吹き付け、溶射皮膜を形成した。そ
の結果、イットリア安定化ジルコニアの還元を回避でき
て、所望の組成であり、且つ、組織が緻密な溶射皮膜を
得ることができた。
リットル／分の流量で流入させつつ、チャンバー内を１００
ｔｏｒｒの圧力に維持した。そして、プラズマガン１か
ら被溶射体３に向けて溶融又は半溶融状態のイットリア
安定化ジルコニアを吹き付け、溶射皮膜を形成した。そ
の結果、イットリア安定化ジルコニアの還元を回避でき
て、所望の組成であり、且つ、組織が緻密な溶射皮膜を
得ることができた。
【００１６】なお、上述の実施例においては、チャンバ
ー内に供給するガスとして空気を使用した場合について
説明したが、前記チャンバー内に供給するガスとして
は、酸素分圧を例えば空気中における酸素分圧と略等し
く調整した空気以外のガスであってもよい。また、上述
の実施例においてはプラズマ溶射装置の場合について説
明したが、これにより本発明がプラズマ溶射装置に限定
されるものではなく、本発明は例えばレーザ式の溶射装
置に適用することもできる。
ー内に供給するガスとして空気を使用した場合について
説明したが、前記チャンバー内に供給するガスとして
は、酸素分圧を例えば空気中における酸素分圧と略等し
く調整した空気以外のガスであってもよい。また、上述
の実施例においてはプラズマ溶射装置の場合について説
明したが、これにより本発明がプラズマ溶射装置に限定
されるものではなく、本発明は例えばレーザ式の溶射装
置に適用することもできる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る溶射装
置は、減圧手段により減圧状態に維持されたチャンバー
内に配置された溶射トーチと、前記チャンバー内に酸素
を供給する酸素供給手段とを備えているから、組織が緻
密な溶射皮膜を形成することができる。また、溶射材料
として酸化物を使用する場合も、酸化物の還元を回避で
きて、所望の組成の溶射皮膜を形成することができる。
置は、減圧手段により減圧状態に維持されたチャンバー
内に配置された溶射トーチと、前記チャンバー内に酸素
を供給する酸素供給手段とを備えているから、組織が緻
密な溶射皮膜を形成することができる。また、溶射材料
として酸化物を使用する場合も、酸化物の還元を回避で
きて、所望の組成の溶射皮膜を形成することができる。
【図１】本発明の実施例に係る溶射装置を示す模式図で
ある。
ある。
１；トーチ ３；被溶射体 １０；チャンバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 武憲 東京都江東区木場１丁目５番１号 株式会 社フジクラ内 (72)発明者 山岡 悟 東京都江東区木場１丁目５番１号 株式会 社フジクラ内
Claims (1)
- 【請求項１】 チャンバーと、このチャンバー内を減圧
状態に維持する減圧手段と、このチャンバー内に酸素を
供給する酸素供給手段と、前記チャンバー内に配置され
溶射材料を溶融又は半溶融状態にして被溶射体に吹き付
ける溶射トーチとを有することを特徴とする溶射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07673793A JP3236398B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | 溶射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07673793A JP3236398B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | 溶射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06287739A true JPH06287739A (ja) | 1994-10-11 |
| JP3236398B2 JP3236398B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=13613913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07673793A Expired - Fee Related JP3236398B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | 溶射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3236398B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7364798B2 (en) | 1999-12-10 | 2008-04-29 | Tocalo Co., Ltd. | Internal member for plasma-treating vessel and method of producing the same |
| US7552521B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
| US7560376B2 (en) | 2003-03-31 | 2009-07-14 | Tokyo Electron Limited | Method for adjoining adjacent coatings on a processing element |
| US7566368B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-07-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
| US7566379B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-07-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
| US7601242B2 (en) | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
| JP2012201986A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Sulzer Markets & Technology Ag | イオン伝導膜を製造するためのプラズマスプレー法 |
| US8877002B2 (en) | 2002-11-28 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
-
1993
- 1993-04-02 JP JP07673793A patent/JP3236398B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7364798B2 (en) | 1999-12-10 | 2008-04-29 | Tocalo Co., Ltd. | Internal member for plasma-treating vessel and method of producing the same |
| US7566368B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-07-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
| US7566379B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-07-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
| US8877002B2 (en) | 2002-11-28 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
| US7560376B2 (en) | 2003-03-31 | 2009-07-14 | Tokyo Electron Limited | Method for adjoining adjacent coatings on a processing element |
| US7552521B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
| US7601242B2 (en) | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
| JP2012201986A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Sulzer Markets & Technology Ag | イオン伝導膜を製造するためのプラズマスプレー法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3236398B2 (ja) | 2001-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |