JPH06289064A - ファブリ−ペロ−共振器型電界センサ− - Google Patents
ファブリ−ペロ−共振器型電界センサ−Info
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- JPH06289064A JPH06289064A JP5074383A JP7438393A JPH06289064A JP H06289064 A JPH06289064 A JP H06289064A JP 5074383 A JP5074383 A JP 5074383A JP 7438393 A JP7438393 A JP 7438393A JP H06289064 A JPH06289064 A JP H06289064A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 入射光の周波数を制御せずに電界センサ−の
光学的な共振器長を制御して共振周波数を入射光の周波
数に同調させて高感度なファブリ−ペロ−共振器型の電
界センサ−を提供する。 【構成】 第一の電気光学結晶の両側に配設された透明
電極に波長変動に対応するフィ−ドバック信号電圧をか
けて第一の電気光学結晶の屈折率を変化させて光学的な
共振器長を制御し、入射光の周波数に共振器の共振周波
数を同調させ更に第二の電気光学結晶で空間電界、表面
電位の高感度な測定を行なえるようにした。
光学的な共振器長を制御して共振周波数を入射光の周波
数に同調させて高感度なファブリ−ペロ−共振器型の電
界センサ−を提供する。 【構成】 第一の電気光学結晶の両側に配設された透明
電極に波長変動に対応するフィ−ドバック信号電圧をか
けて第一の電気光学結晶の屈折率を変化させて光学的な
共振器長を制御し、入射光の周波数に共振器の共振周波
数を同調させ更に第二の電気光学結晶で空間電界、表面
電位の高感度な測定を行なえるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光応用計測に利用され
る空間電界、表面電位を測定する電界センサ−に関す
る。
る空間電界、表面電位を測定する電界センサ−に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の空間電界の測定方法には、静電誘
導を用いたものから電界の力やイオンの運動を利用した
ものなど様々なものが挙げられる。最近では、その応答
性の速さから電気光学効果を利用した方法が高速な電子
デバイスの評価方法として利用されているが、この方法
は電気光学サンプリング法と呼ばれる方法で、電気光学
結晶などの電気光学効果を有する光学素子を電子デバイ
スからの漏れ電界を検知する電界センサ−として、複屈
折によるプロ−ブ光の位相変化や偏光状態の変化を検出
することにより、電界を測定する方法である。この方法
では検出感度を上げるために電気光学結晶の電気光学定
数を大きなものとしなければならないが、実際には電気
光学定数の大きな電気光学結晶は存在せず、そのため、
微小な電界の測定は困難とされている。このような問題
を解決したものとしては、例えば、本出願人の特願平４
−１２２３０９号に示されているようなファブリ−ペロ
−共振器型の電界センサ−がある。この方法は、共振器
内部に電気光学結晶を配設し、この電気光学結晶に電界
が加わると、共振器の光路長の変化に従って共振器から
の透過光または反射光の強度が変わり、これを検出する
ことで電界の測定を行なうことができるものである。
導を用いたものから電界の力やイオンの運動を利用した
ものなど様々なものが挙げられる。最近では、その応答
性の速さから電気光学効果を利用した方法が高速な電子
デバイスの評価方法として利用されているが、この方法
は電気光学サンプリング法と呼ばれる方法で、電気光学
結晶などの電気光学効果を有する光学素子を電子デバイ
スからの漏れ電界を検知する電界センサ−として、複屈
折によるプロ−ブ光の位相変化や偏光状態の変化を検出
することにより、電界を測定する方法である。この方法
では検出感度を上げるために電気光学結晶の電気光学定
数を大きなものとしなければならないが、実際には電気
光学定数の大きな電気光学結晶は存在せず、そのため、
微小な電界の測定は困難とされている。このような問題
を解決したものとしては、例えば、本出願人の特願平４
−１２２３０９号に示されているようなファブリ−ペロ
−共振器型の電界センサ−がある。この方法は、共振器
内部に電気光学結晶を配設し、この電気光学結晶に電界
が加わると、共振器の光路長の変化に従って共振器から
の透過光または反射光の強度が変わり、これを検出する
ことで電界の測定を行なうことができるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では入射光の波長変動があった場合、正確な電界の測
定を行なうことができない。そのため、入射光を共振周
波数近傍で安定させなければならいという問題を抱えて
おり、この問題がファブリ−ペロ−共振器型電界センサ
−の実用化を妨げている。この発明は上記の問題点に鑑
みてなされたものであり、入射光の周波数を制御するの
ではなく、電界センサ−の光学的な共振器長を制御する
ことにより上記の問題点を解決した実用的なファブリ−
ペロ−共振器型の電界センサ−を提供することを目的と
する。
法では入射光の波長変動があった場合、正確な電界の測
定を行なうことができない。そのため、入射光を共振周
波数近傍で安定させなければならいという問題を抱えて
おり、この問題がファブリ−ペロ−共振器型電界センサ
−の実用化を妨げている。この発明は上記の問題点に鑑
みてなされたものであり、入射光の周波数を制御するの
ではなく、電界センサ−の光学的な共振器長を制御する
ことにより上記の問題点を解決した実用的なファブリ−
ペロ−共振器型の電界センサ−を提供することを目的と
する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明では、誘
電体ミラ−間に電気光学結晶を有するファブリ−ペロ−
共振器型の電界センサ−において、第一の電気光学結晶
の両側に第１及び第２の透明電極を配設し前記第１の透
明電極と前記第一の電気光学結晶の間に第一の誘電体ミ
ラ−を配設し、前記第一の電気光学結晶の近傍に第二の
電気光学結晶を配置し、前記第二の電気光学結晶の一方
の側面に誘電体体ミラ−配設し、前記第２の透明電極と
前記第二の電気光学結晶の間に空隙を設け、前記第一の
電気光学結晶の両側に配設された透明電極に波長変動に
対応するフィ−ドバック信号電圧をかけて前記第一の電
気光学結晶の屈折率を変化させて光学的な共振器長を制
御させるようにした。
電体ミラ−間に電気光学結晶を有するファブリ−ペロ−
共振器型の電界センサ−において、第一の電気光学結晶
の両側に第１及び第２の透明電極を配設し前記第１の透
明電極と前記第一の電気光学結晶の間に第一の誘電体ミ
ラ−を配設し、前記第一の電気光学結晶の近傍に第二の
電気光学結晶を配置し、前記第二の電気光学結晶の一方
の側面に誘電体体ミラ−配設し、前記第２の透明電極と
前記第二の電気光学結晶の間に空隙を設け、前記第一の
電気光学結晶の両側に配設された透明電極に波長変動に
対応するフィ−ドバック信号電圧をかけて前記第一の電
気光学結晶の屈折率を変化させて光学的な共振器長を制
御させるようにした。
【０００５】請求項２の発明では、電圧を印加する共振
器長制御用の電気光学結晶には、点群４、４ｍｍ、３、
３ｍ、６、６ｍｍに属する電気光学結晶を用いることに
した。
器長制御用の電気光学結晶には、点群４、４ｍｍ、３、
３ｍ、６、６ｍｍに属する電気光学結晶を用いることに
した。
【０００６】請求項３の発明では、ファブリ−ペロ−共
振器型電界センサ−において、第二の電気光学結晶で空
間電界を測定することにした。
振器型電界センサ−において、第二の電気光学結晶で空
間電界を測定することにした。
【０００７】請求項４の発明では、第二の電気光学結晶
の一方の側面に透明体ミラ−配設し他方の側面に透明電
極を配設して表面電位を測定ことすることにした。
の一方の側面に透明体ミラ−配設し他方の側面に透明電
極を配設して表面電位を測定ことすることにした。
【０００８】請求項５の発明では、第一の電気光学結晶
に配設された第２透明電極と第二の電気光学結晶に配設
された第３透明電極を共通にして表面電位を測定ことす
ることにした。
に配設された第２透明電極と第二の電気光学結晶に配設
された第３透明電極を共通にして表面電位を測定ことす
ることにした。
【０００９】
【作用】請求項１の発明においては、誘電体ミラ−間に
電気光学結晶を有するファブリ−ペロ−共振器型の電界
センサ−において、第一の電気光学結晶の両側に第１及
び第２の透明電極を配設し前記第１の透明電極と前記第
一の電気光学結晶の間に第一の誘電体ミラ−を配設し、
前記第一の電気光学結晶の近傍に第二の電気光学結晶を
配置し、第二の電気光学結晶の一方の側面に誘電体ミラ
−配設し、前記第２の透明電極と前記第二の電気光学結
晶の間に空隙を設け、前記第一の電気光学結晶の両側に
配設された透明電極に波長変動に対応するフィ−ドバッ
ク信号電圧をかけて前記第一の電気光学結晶の屈折率を
変化させて光学的な共振器長を制御することが可能とな
る。
電気光学結晶を有するファブリ−ペロ−共振器型の電界
センサ−において、第一の電気光学結晶の両側に第１及
び第２の透明電極を配設し前記第１の透明電極と前記第
一の電気光学結晶の間に第一の誘電体ミラ−を配設し、
前記第一の電気光学結晶の近傍に第二の電気光学結晶を
配置し、第二の電気光学結晶の一方の側面に誘電体ミラ
−配設し、前記第２の透明電極と前記第二の電気光学結
晶の間に空隙を設け、前記第一の電気光学結晶の両側に
配設された透明電極に波長変動に対応するフィ−ドバッ
ク信号電圧をかけて前記第一の電気光学結晶の屈折率を
変化させて光学的な共振器長を制御することが可能とな
る。
【０００１０】請求項２の発明においては、第一の電気
光学結晶として点群４、４ｍｍ、３、３ｍ、６、６ｍｍ
に属するものを用いたので、第二の電気光学結晶だけの
複屈折を利用し電界の測定を行うことが可能となる。
光学結晶として点群４、４ｍｍ、３、３ｍ、６、６ｍｍ
に属するものを用いたので、第二の電気光学結晶だけの
複屈折を利用し電界の測定を行うことが可能となる。
【０００１１】請求項３の発明においては、第一の電気
光学結晶の透明電極に入射レ−ザ−光の波長変動に応じ
た直流電圧を印加して共振器長を制御し、更に、第二の
電気光学結晶により空間電界の測定を行うことが可能と
なる。
光学結晶の透明電極に入射レ−ザ−光の波長変動に応じ
た直流電圧を印加して共振器長を制御し、更に、第二の
電気光学結晶により空間電界の測定を行うことが可能と
なる。
【０００１２】請求項４の発明においては、第二の電気
光学結晶の一方の側面に誘電体ミラ−配設し他方の側面
に透明電極を配設して表面電位を測定を行うことが可能
となる。
光学結晶の一方の側面に誘電体ミラ−配設し他方の側面
に透明電極を配設して表面電位を測定を行うことが可能
となる。
【０００１３】請求項５の発明においては、第一の電気
光学結晶に配設された第２の透明電極と第二の電気光学
結晶に配設された第３の透明電極を共通にして第二の電
気光学結晶により表面電位の測定を行うことが可能とな
る。
光学結晶に配設された第２の透明電極と第二の電気光学
結晶に配設された第３の透明電極を共通にして第二の電
気光学結晶により表面電位の測定を行うことが可能とな
る。
【０００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本発明
は、高感度な電界測定に用いられるファブリ−ペロ−共
振器型の電界センサ−において、電界センサ−の光学的
な共振器長を制御し、更に、電位、電界の測定ができる
ようにしたものである。
は、高感度な電界測定に用いられるファブリ−ペロ−共
振器型の電界センサ−において、電界センサ−の光学的
な共振器長を制御し、更に、電位、電界の測定ができる
ようにしたものである。
【０００１５】ファブリ−ペロ−共振器型の電界センサ
−は、図４に示すように共振器内部に電気光学結晶が挿
入された構造を持っている。この電気光学結晶に電界が
加わると、共振器の光路長の変化に従って共振器からの
透過光または反射光の強度や位相が変わり、これを検出
することで電界の測定を行なうことができる。ファブリ
−ペロ−共振器型の電界センサ−は、ミラ−の反射率を
高く、また共振器長を長くすることで電界に対して更
に、高い感度を持った電界センサ−を実現できる。
−は、図４に示すように共振器内部に電気光学結晶が挿
入された構造を持っている。この電気光学結晶に電界が
加わると、共振器の光路長の変化に従って共振器からの
透過光または反射光の強度や位相が変わり、これを検出
することで電界の測定を行なうことができる。ファブリ
−ペロ−共振器型の電界センサ−は、ミラ−の反射率を
高く、また共振器長を長くすることで電界に対して更
に、高い感度を持った電界センサ−を実現できる。
【０００１６】図１に本発明の構成を示す。図１は空間
電界内に置かれたファブリ−ペロ−共振器型電界センサ
−である。第一の電気光学結晶５の両側には透明電極
１，２が設けられており透明電極１と第一の電気光学結
晶５の間には誘電体ミラ−３配設されている。また第一
の電気光学結晶５の近傍には第二の電気光学結晶６が配
置されており、第二の電気光学結晶６の一方の側面に設
けられた誘電体ミラ−とで光学的共振器を構成してい
る。第一の電気光学結晶５の材料としては例えば、Ｌｉ
ＮｂＯ3があり、第二の電気光学結晶６の材料としては
例えば、ＫＤＰ、ＡＤＰが挙げられる。
電界内に置かれたファブリ−ペロ−共振器型電界センサ
−である。第一の電気光学結晶５の両側には透明電極
１，２が設けられており透明電極１と第一の電気光学結
晶５の間には誘電体ミラ−３配設されている。また第一
の電気光学結晶５の近傍には第二の電気光学結晶６が配
置されており、第二の電気光学結晶６の一方の側面に設
けられた誘電体ミラ−とで光学的共振器を構成してい
る。第一の電気光学結晶５の材料としては例えば、Ｌｉ
ＮｂＯ3があり、第二の電気光学結晶６の材料としては
例えば、ＫＤＰ、ＡＤＰが挙げられる。
【０００１７】このような構成において空間電界内に置
かれたファブリ−ペロ−共振器型電界センサ−にレ−ザ
−光を入射させると空間電界の強度に応じて共振器の光
路長が変化し、光路長の変化に応じて共振器からの透過
光または反射光の強度や位相が変わり、これを検出する
ことで電界の測定を行なうことができる。また、入射レ
−ザ−光に波長変動が生じた場合には第一の電気光学結
晶の両側に配設された透明電極１，２に直流電圧を印加
し共振器長を制御する。このように、図４の構成に電極
を備えた電気光学結晶をもう１つ共振器内に挿入し、こ
の電気光学結晶に波長変動に対応するフィ−ドバック信
号電圧をかけて屈折率を変化させ光学的な共振器長を制
御することが可能となる。尚、共振器長制御のための電
圧印加のしかたは図２と同様にすればよい。
かれたファブリ−ペロ−共振器型電界センサ−にレ−ザ
−光を入射させると空間電界の強度に応じて共振器の光
路長が変化し、光路長の変化に応じて共振器からの透過
光または反射光の強度や位相が変わり、これを検出する
ことで電界の測定を行なうことができる。また、入射レ
−ザ−光に波長変動が生じた場合には第一の電気光学結
晶の両側に配設された透明電極１，２に直流電圧を印加
し共振器長を制御する。このように、図４の構成に電極
を備えた電気光学結晶をもう１つ共振器内に挿入し、こ
の電気光学結晶に波長変動に対応するフィ−ドバック信
号電圧をかけて屈折率を変化させ光学的な共振器長を制
御することが可能となる。尚、共振器長制御のための電
圧印加のしかたは図２と同様にすればよい。
【０００１８】共振器長制御用の電気光学結晶の選択に
おいては、これによる複屈折が生じないようにしておか
なければならず、そのための電気光学結晶としては、点
群４、４ｍｍ、３、３ｍ、６、６ｍｍに属する電気光学
結晶を用い、光学軸をプロ−ブ光の方向と一致させた縦
型変調器の構成とする。これは、光学軸方向に電界を印
加する場合には、これらの結晶の屈折率楕円体は、電界
の有無に関わらず等方的であることを利用したものであ
る。
おいては、これによる複屈折が生じないようにしておか
なければならず、そのための電気光学結晶としては、点
群４、４ｍｍ、３、３ｍ、６、６ｍｍに属する電気光学
結晶を用い、光学軸をプロ−ブ光の方向と一致させた縦
型変調器の構成とする。これは、光学軸方向に電界を印
加する場合には、これらの結晶の屈折率楕円体は、電界
の有無に関わらず等方的であることを利用したものであ
る。
【０００１９】第２図は本発明の電界センサ−を表面電
位センサ−として使用する場合の例である。第一の電気
光学結晶５の両側には透明電極１，２が設けられており
透明電極１と第一電気光学結晶５の間には誘電体ミラ−
３配設されている。また第一の電気光学結晶５の近傍に
は第二の電気光学結晶６が配置されており、第二の電気
光学結晶６の一方の側面に設けられた透明体ミラ−とで
光学的共振器を構成している。第１図との相違点は、第
２図においては第二の電気光学結晶６の誘電体ミラ−７
が配設された反対面に透明電極８を配設した点である。
電界測定用の電気光学結晶をプロ−ブ光と同方向の電界
に対してのみ屈折率が変化する縦型変調の構成にすると
結晶の両面に加わる電圧によって複屈折の大きさが決定
される。従って、結晶の上側の面に透明電極を設けて電
位の基準を作ることで結晶底面上の電位を測定すること
ができる。つまりこのセンサ−を表面電位センサ−とし
て使用することができる。換言すると、図２のように誘
電体ミラ−に対向する共振器内部の面に透明電極を設け
ることで、この電極の電位に対する電界測定用の電気光
学結晶の誘電体ミラ−面上の電位を測定することができ
る。
位センサ−として使用する場合の例である。第一の電気
光学結晶５の両側には透明電極１，２が設けられており
透明電極１と第一電気光学結晶５の間には誘電体ミラ−
３配設されている。また第一の電気光学結晶５の近傍に
は第二の電気光学結晶６が配置されており、第二の電気
光学結晶６の一方の側面に設けられた透明体ミラ−とで
光学的共振器を構成している。第１図との相違点は、第
２図においては第二の電気光学結晶６の誘電体ミラ−７
が配設された反対面に透明電極８を配設した点である。
電界測定用の電気光学結晶をプロ−ブ光と同方向の電界
に対してのみ屈折率が変化する縦型変調の構成にすると
結晶の両面に加わる電圧によって複屈折の大きさが決定
される。従って、結晶の上側の面に透明電極を設けて電
位の基準を作ることで結晶底面上の電位を測定すること
ができる。つまりこのセンサ−を表面電位センサ−とし
て使用することができる。換言すると、図２のように誘
電体ミラ−に対向する共振器内部の面に透明電極を設け
ることで、この電極の電位に対する電界測定用の電気光
学結晶の誘電体ミラ−面上の電位を測定することができ
る。
【０００２０】ここで透明電極１，２に印加する電圧を
具体的に説明する。第二の電気光学結晶６の後に偏光ビ
−ムスプリッタ−９を配置し第二の電気光学結晶６から
出射したレ−ザ−光を透過光と反射光に分けそれぞれの
光をフォトダイオ−ドなどの光センサ−１１（ＰＤ
１）、１２（ＰＤ２）で受光し１１、１２の出力信号の
差信号ＰＤ１−ＰＤ２をフィ−ドバック信号として透明
電極１，２に印加する。こうして入射光の周波数に対応
した共振器長の制御が可能となる。また、ＰＤ１の出力
信号を電界強度を表わす信号として取り出すことができ
る。この場合も、測定される電位は透明電極８を基準に
した電位となる。
具体的に説明する。第二の電気光学結晶６の後に偏光ビ
−ムスプリッタ−９を配置し第二の電気光学結晶６から
出射したレ−ザ−光を透過光と反射光に分けそれぞれの
光をフォトダイオ−ドなどの光センサ−１１（ＰＤ
１）、１２（ＰＤ２）で受光し１１、１２の出力信号の
差信号ＰＤ１−ＰＤ２をフィ−ドバック信号として透明
電極１，２に印加する。こうして入射光の周波数に対応
した共振器長の制御が可能となる。また、ＰＤ１の出力
信号を電界強度を表わす信号として取り出すことができ
る。この場合も、測定される電位は透明電極８を基準に
した電位となる。
【０００２１】第３図は第２図の変形例である。第３図
ではレ−ザ−光入射側から透明電極１、誘電体ミラ−
３、第一の電気光学結晶５、透明電極１０、第二の電気
光学結晶６、誘電体ミラ−７の順に構成されている。第
２図との相違点は、第一の電気光学結晶５に設けられた
透明電極２と、第二の電気光学結晶６に設けられた透明
電極８との間に空隙部がなく透明電極が共用されている
点である。一般的には第２図に示された構成の方が検出
感度は高いが、検出感度をさほど考慮しなくてもよい用
途の場合は、空隙部を排することができるので電界セン
サ−を小型にでき、また、透明電極を共用したので、経
済的にも安価にすることができる。
ではレ−ザ−光入射側から透明電極１、誘電体ミラ−
３、第一の電気光学結晶５、透明電極１０、第二の電気
光学結晶６、誘電体ミラ−７の順に構成されている。第
２図との相違点は、第一の電気光学結晶５に設けられた
透明電極２と、第二の電気光学結晶６に設けられた透明
電極８との間に空隙部がなく透明電極が共用されている
点である。一般的には第２図に示された構成の方が検出
感度は高いが、検出感度をさほど考慮しなくてもよい用
途の場合は、空隙部を排することができるので電界セン
サ−を小型にでき、また、透明電極を共用したので、経
済的にも安価にすることができる。
【０００２２】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、第一の電気光学
結晶に、該電気光学結晶を挟むように透明電極を設け、
前記透明電極に直流電圧を印加し、プロ−ブ用レ−ザ−
光の波長変動に追従するように該ファブリ−ペロ−共振
器の光学的共振器長の制御を行うようにしたのでレ−ザ
−光の波長変動があっても光学的共振器長を一定に保つ
ことができるので、ＳＮ比が改善され感度を向上させる
ことができる。
結晶に、該電気光学結晶を挟むように透明電極を設け、
前記透明電極に直流電圧を印加し、プロ−ブ用レ−ザ−
光の波長変動に追従するように該ファブリ−ペロ−共振
器の光学的共振器長の制御を行うようにしたのでレ−ザ
−光の波長変動があっても光学的共振器長を一定に保つ
ことができるので、ＳＮ比が改善され感度を向上させる
ことができる。
【０００２３】請求項２記載の発明は、点群４、４ｍ
ｍ、３、３ｍ、６、６ｍｍに属する電気光学結晶を用い
たので複屈折を起こさずに共振器長の制御ができる。
ｍ、３、３ｍ、６、６ｍｍに属する電気光学結晶を用い
たので複屈折を起こさずに共振器長の制御ができる。
【０００２４】請求項３記載の発明は、光学的共振器長
の制御ができ、更に、第二の電気光学結晶により空間電
界を測定することができる。
の制御ができ、更に、第二の電気光学結晶により空間電
界を測定することができる。
【０００２５】請求項４記載の発明は、第二の電気光学
結晶の一方の側面に誘電体ミラ−を配設し他方の側面に
透明電極を配設したので表面電位を測定ことすることが
できる。
結晶の一方の側面に誘電体ミラ−を配設し他方の側面に
透明電極を配設したので表面電位を測定ことすることが
できる。
【０００２６】請求項５記載の発明は、第一の電気光学
結晶に配設された第２の透明電極と第二の電気光学結晶
に配設された第３の透明電極を共通にしたので両者の間
にある空隙部がなくなるので装置が小型化されさらに透
明電極が共通化されるので経済的にも安価にすることが
できる。
結晶に配設された第２の透明電極と第二の電気光学結晶
に配設された第３の透明電極を共通にしたので両者の間
にある空隙部がなくなるので装置が小型化されさらに透
明電極が共通化されるので経済的にも安価にすることが
できる。
【図１】請求項１記載の発明の一実施例を示す図であ
る。
る。
【図２】請求項４記載の発明の一実施例を示す図であ
る。
る。
【図３】請求項５記載の発明の一実施例を示す図であ
る。
る。
【図４】従来の誘電体ミラ−間に電気光学結晶を有する
ファブリ−ペロ−共振器型の電界センサ−の基本構成を
示す図である。
ファブリ−ペロ−共振器型の電界センサ−の基本構成を
示す図である。
１，２，８，１０ 透明電極 ３，４，７ 誘電体ミラ− ５ 第一の電気光学結晶 ６ 第二の電気光学結晶 ９ 偏光ビ−ムスプリッタ− １１， 電圧印加手段 １２，１３ 光センサ−
Claims (5)
- 【請求項１】誘電体ミラ−間に電気光学結晶を有するフ
ァブリ−ペロ−共振器型の電界センサ−において、第一
の電気光学結晶の両側に第１及び第２の透明電極を配設
し前記第１の透明電極と前記第一の電気光学結晶の間に
第一の誘電体ミラ−を配設し、前記第一の電気光学結晶
の近傍に第二の電気光学結晶を配置し、前記第二の電気
光学結晶の一方の側面に誘電体ミラ−配設し、前記第２
の透明電極と前記第二の電気光学結晶の間に空隙を設
け、前記第一の電気光学結晶の両側に配設された透明電
極に波長変動に対応するフィ−ドバック信号電圧をかけ
て前記第一の電気光学結晶の屈折率を変化させて光学的
な共振器長を制御することを特徴とするファブリ−ペロ
−共振器型電界センサ−。 - 【請求項２】電圧を印加する共振器長制御用の電気光学
結晶には、点群４、４ｍｍ、３、３ｍ、６、６ｍｍに属
する電気光学結晶を用いることを特徴とする請求項１に
記載のファブリ−ペロ−共振器型電界センサ−。 - 【請求項３】第二の電気光学結晶で空間電界を測定する
ことを特徴とする請求項１記載のファブリ−ペロ−共振
器型電界センサ−。 - 【請求項４】第二の電気光学結晶の一方の側面に誘電体
ミラ−配設し他方の側面に透明電極を配設して表面電位
を測定ことすることを特徴とする請求項１記載のファブ
リ−ペロ−共振器型電界センサ−。 - 【請求項５】第一の電気光学結晶に配設された第２の透
明電極と第二の電気光学結晶に配設された第３の透明電
極を共通にしたことを特徴とする請求項４記載のファブ
リ−ペロ−共振器型電界センサ−。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5074383A JPH06289064A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | ファブリ−ペロ−共振器型電界センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5074383A JPH06289064A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | ファブリ−ペロ−共振器型電界センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06289064A true JPH06289064A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13545595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5074383A Pending JPH06289064A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | ファブリ−ペロ−共振器型電界センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06289064A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007098602A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | UNIVERSITé LAVAL | Method and apparatus for spatially modulated electric field generation and electro-optical tuning using liquid crystals |
| CN106970253A (zh) * | 2017-04-10 | 2017-07-21 | 哈尔滨理工大学 | 一种新型膜片结构的交流高电压传感器及测量方法 |
| CN112433102A (zh) * | 2020-10-15 | 2021-03-02 | 西安理工大学 | 一种基于f-p干涉原理的光纤电场传感器及其方法 |
| CN112763812A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-07 | 西安理工大学 | 一种基于光学干涉原理的静电扫描测量系统 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP5074383A patent/JPH06289064A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8553197B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-10-08 | Universite Laval | Method and apparatus for spatially modulated electric field generation and electro-optical tuning using liquid crystals |
| CN106970253A (zh) * | 2017-04-10 | 2017-07-21 | 哈尔滨理工大学 | 一种新型膜片结构的交流高电压传感器及测量方法 |
| CN106970253B (zh) * | 2017-04-10 | 2019-08-09 | 哈尔滨理工大学 | 一种新型膜片结构的交流高电压传感器及测量方法 |
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| CN112763812B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-10-14 | 西安理工大学 | 一种基于光学干涉原理的静电扫描测量系统 |
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