JPH0628941B2 - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高信頼性回路基板に係り、特に回路基板の銅配
線と樹脂との高接着力を確保するのに好適な銅配線の表
面処理法に関する。
線と樹脂との高接着力を確保するのに好適な銅配線の表
面処理法に関する。
樹脂に対する銅の接着力を高めるためにしばしば銅の表
面を粗化し、樹脂に対する銅の投錨作用を高め、しかも
配位結合著しくは水素結合により樹脂に対する銅の化学
的結合力を高める方法が用いられている。樹脂に対する
銅の投錨作用を高めるためには粗化された銅表面の凹凸
が樹脂に対して機械的に食い込んだ形状であり、しかも
凹凸自身が機械的に強いことが必要とされる。従来多層
プリント板の銅配線と樹脂との接着力を高めるための銅
配線表面の粗化処理膜として特開昭６１−１７６１９２
号においては、銅配線表面をエツチングにより粗化した
後、その上に銅酸化膜を形成し、更に銅酸化膜の化学的
安定性を高めるために還元した処理膜を用いる方法が示
されている。しかし、この処理膜は化学的な活性が乏し
く、また凹凸自身の機械的な強度が十分でないため、一
段優れた高信頼性多層プリント板を作成する上で不十分
であつた。なお、これとは別に、特開昭52-79271号公報
には銅配線上に化学めつきにより粗面化すること、若し
くはあらかじめ粗化された銅配線上に化学めつきするこ
とにより樹脂と銅配線との接着力が高められることが述
べられているが、実施において、十分な条件が開示され
ていなく、実施はできなかつた。また、上記特開昭５２
−７９２７１号公報記載の方法では、銅上に化学還元め
つき法を使つてニツケルあるいはその他の金属をめつき
することもできる。いずれの化学めつき法を使用して
も、めつき条件を制御することにより、銅箔上に表面が
凹凸でしかも比較的ポーラスな金属層をめつきすること
ができる、ということが示されているが、実施に際して
の具体的な条件が示されていないため、技術的に目的と
する処理膜を作成することはほとんど不可能である。
面を粗化し、樹脂に対する銅の投錨作用を高め、しかも
配位結合著しくは水素結合により樹脂に対する銅の化学
的結合力を高める方法が用いられている。樹脂に対する
銅の投錨作用を高めるためには粗化された銅表面の凹凸
が樹脂に対して機械的に食い込んだ形状であり、しかも
凹凸自身が機械的に強いことが必要とされる。従来多層
プリント板の銅配線と樹脂との接着力を高めるための銅
配線表面の粗化処理膜として特開昭６１−１７６１９２
号においては、銅配線表面をエツチングにより粗化した
後、その上に銅酸化膜を形成し、更に銅酸化膜の化学的
安定性を高めるために還元した処理膜を用いる方法が示
されている。しかし、この処理膜は化学的な活性が乏し
く、また凹凸自身の機械的な強度が十分でないため、一
段優れた高信頼性多層プリント板を作成する上で不十分
であつた。なお、これとは別に、特開昭52-79271号公報
には銅配線上に化学めつきにより粗面化すること、若し
くはあらかじめ粗化された銅配線上に化学めつきするこ
とにより樹脂と銅配線との接着力が高められることが述
べられているが、実施において、十分な条件が開示され
ていなく、実施はできなかつた。また、上記特開昭５２
−７９２７１号公報記載の方法では、銅上に化学還元め
つき法を使つてニツケルあるいはその他の金属をめつき
することもできる。いずれの化学めつき法を使用して
も、めつき条件を制御することにより、銅箔上に表面が
凹凸でしかも比較的ポーラスな金属層をめつきすること
ができる、ということが示されているが、実施に際して
の具体的な条件が示されていないため、技術的に目的と
する処理膜を作成することはほとんど不可能である。
樹脂と銅配線との接着力は界面を構成する両者の機械的
特性と、化学的及び物理的結合力とにより支配される。
銅配線に対し、親和力が乏しいような樹脂では十分な化
学的及び物理的な結合力を確保することは困難である。
また、仮にこれらの力が強いとしても熱的に変化を伴う
ような場合には樹脂の熱膨張率及び弾性率について考慮
する必要があり、樹脂の弾性率が大きく、しかも銅配線
の熱膨張率に比べ樹脂の熱膨張率が大きく異なるような
場合には十分な接着力の確保が困難である。
特性と、化学的及び物理的結合力とにより支配される。
銅配線に対し、親和力が乏しいような樹脂では十分な化
学的及び物理的な結合力を確保することは困難である。
また、仮にこれらの力が強いとしても熱的に変化を伴う
ような場合には樹脂の熱膨張率及び弾性率について考慮
する必要があり、樹脂の弾性率が大きく、しかも銅配線
の熱膨張率に比べ樹脂の熱膨張率が大きく異なるような
場合には十分な接着力の確保が困難である。
本発明の目的は上記したように樹脂の弾性率が大きく、
しかも銅配線の熱膨張率に比べ樹脂の熱膨張率が大きく
異なるような場合においても十分な接着力を確保するこ
とを目的とする。
しかも銅配線の熱膨張率に比べ樹脂の熱膨張率が大きく
異なるような場合においても十分な接着力を確保するこ
とを目的とする。
本発明を概設すれば、本発明の第１の発明は回路基板に
関する発明であつて、絶縁基板上の銅配線の粗化された
表面全体に、銅酸化膜又はその銅還元膜を有し、更にそ
の上に、パラジウム触媒を含まない化学ニツケル又はコ
バルトめつき膜を有しており、かつ該化学めつき膜にお
けるニツケル又はコバルト量が、５×１０-7〜１０-4g/
cm2であつて、該銅配線が、該ニツケル又はコバルトめ
つき層を介して樹脂層に接着されていることを特徴とす
る。
関する発明であつて、絶縁基板上の銅配線の粗化された
表面全体に、銅酸化膜又はその銅還元膜を有し、更にそ
の上に、パラジウム触媒を含まない化学ニツケル又はコ
バルトめつき膜を有しており、かつ該化学めつき膜にお
けるニツケル又はコバルト量が、５×１０-7〜１０-4g/
cm2であつて、該銅配線が、該ニツケル又はコバルトめ
つき層を介して樹脂層に接着されていることを特徴とす
る。
本発明の第２の発明は、上記第１の発明の回路基板を製
造する方法に関する発明であつて、回路基板を製造する
方法において、絶縁基板上の銅配線の表面を粗化する工
程、その粗化された面を酸化して銅酸化膜を形成させる
工程、及びその後、銅配線の表面上にパラジウム触媒を
使用しない化学ニツケル又はコバルトめつきを行つて相
当するめつき膜を形成させる工程の各工程を包含するこ
とを特徴とする。
造する方法に関する発明であつて、回路基板を製造する
方法において、絶縁基板上の銅配線の表面を粗化する工
程、その粗化された面を酸化して銅酸化膜を形成させる
工程、及びその後、銅配線の表面上にパラジウム触媒を
使用しない化学ニツケル又はコバルトめつきを行つて相
当するめつき膜を形成させる工程の各工程を包含するこ
とを特徴とする。
また、本発明の第３の発明は、多層回路基板に関する発
明であつて、本発明の第１の発明の回路基板が、絶縁樹
脂により多層化接着されていることを特徴とする。
明であつて、本発明の第１の発明の回路基板が、絶縁樹
脂により多層化接着されていることを特徴とする。
更に、本発明の第４の発明は、上記第３の発明の多層回
路基板を製造する方法に関する発明であつて、第１の発
明の回路基板同士を、半硬化性絶縁樹脂で積層接着する
工程を包含することを特徴とする。
路基板を製造する方法に関する発明であつて、第１の発
明の回路基板同士を、半硬化性絶縁樹脂で積層接着する
工程を包含することを特徴とする。
以下、本発明を具体的に説明する。
まず、本発明の回路基板における銅配線の形成及びその
上に銅酸化膜を形成するのは常法で行つてよい。例え
ば、レジストパターンを用いる方法で銅配線を形成し、
それをエツチングにより粗化し、次いで酸化して銅酸化
膜を形成させる。本発明において、この銅酸化膜に直接
次の化学めつきを行つてよい。その代りに、銅酸化膜を
常法により還元処理して、銅還元膜を形成させてから化
学めつき処理を行つてもよい。
上に銅酸化膜を形成するのは常法で行つてよい。例え
ば、レジストパターンを用いる方法で銅配線を形成し、
それをエツチングにより粗化し、次いで酸化して銅酸化
膜を形成させる。本発明において、この銅酸化膜に直接
次の化学めつきを行つてよい。その代りに、銅酸化膜を
常法により還元処理して、銅還元膜を形成させてから化
学めつき処理を行つてもよい。
なお、本発明における各処理で銅配線上に形成された凹
凸の状態は、すべて第２図に示すようにJIS B 0601に準
じて測定される。すなわち第２図は、銅配線表面を処理
した時の凹凸状態を示すための測定場所を指示した図で
あり、Ｌは基準長さ、Rmは最大高さを意味し、３が銅配
線を意味する。
凸の状態は、すべて第２図に示すようにJIS B 0601に準
じて測定される。すなわち第２図は、銅配線表面を処理
した時の凹凸状態を示すための測定場所を指示した図で
あり、Ｌは基準長さ、Rmは最大高さを意味し、３が銅配
線を意味する。
次いで、本発明の最も主要な処理である、パラジウム触
媒を用いない化学ニツケル又はコバルトめつきを行う。
本発明において最も優れた還元剤はホウ素化合物であつ
た。従来常用の次亜リン酸は不適当であることが判明し
た。なお、次亜リン酸については、後述するように、ホ
ウ素化合物との２段法で併用すると優れた効果を発揮す
る。
媒を用いない化学ニツケル又はコバルトめつきを行う。
本発明において最も優れた還元剤はホウ素化合物であつ
た。従来常用の次亜リン酸は不適当であることが判明し
た。なお、次亜リン酸については、後述するように、ホ
ウ素化合物との２段法で併用すると優れた効果を発揮す
る。
ホウ素化合物の例にはジメチルアミンボラン、ジエチル
アミンボラン、アンモニアボラン及びホウ水素化ナトリ
ウムよりなる群から選択した１種以上が挙げられる。
アミンボラン、アンモニアボラン及びホウ水素化ナトリ
ウムよりなる群から選択した１種以上が挙げられる。
更に本発明においては、上記の化学めつきを行つた後、
その上に更にリン化合物、例えば次亜リン酸を用いる化
学ニツケル又はコバルトめつきを行うと、樹脂の接着力
が更に強化されることを見出した。
その上に更にリン化合物、例えば次亜リン酸を用いる化
学ニツケル又はコバルトめつきを行うと、樹脂の接着力
が更に強化されることを見出した。
これら化学めつき膜におけるニツケル又はコバルトの量
は、５×１０-7〜１０-4g/cm2が好ましい。
は、５×１０-7〜１０-4g/cm2が好ましい。
絶縁樹脂としては、通常のエポキシ系、ポリイミド系な
どいずれのものでもよいが、中でも、付加型のビスマレ
イミドとポリビニルブロモフエノール誘導体とを必須成
分とする熱硬化性樹脂が最適であることを見出した。
どいずれのものでもよいが、中でも、付加型のビスマレ
イミドとポリビニルブロモフエノール誘導体とを必須成
分とする熱硬化性樹脂が最適であることを見出した。
次に、本発明の多層回路基板は、プリプレグ樹脂法を用
いる常法の多層化接着方法で、単板の回路基板を多層化
接着する工程を含む方法によつて作製することができ
る。
いる常法の多層化接着方法で、単板の回路基板を多層化
接着する工程を含む方法によつて作製することができ
る。
もちろん、多層化接接着後、常法に従つてスルーホール
形成、層間接続の各処理を行つてよいことは当然のこと
である。その代りに、スルーホールをあらかじめ形成
し、位置合せをして多層化接着を行つてもよい。
形成、層間接続の各処理を行つてよいことは当然のこと
である。その代りに、スルーホールをあらかじめ形成
し、位置合せをして多層化接着を行つてもよい。
本発明に従つて、銅配線上に形成された凹凸状の銅層、
若しくは銅及びニツケル（コバルト）層は、被覆（封
止）樹脂に対して、優れた投錨作用を有し、しかもこれ
らの金属層は強度が高いため、弾性率の高い当該樹脂が
熱膨張により界面で変化しようとしても、それを抑制し
て高い接着力を維持させることができる。
若しくは銅及びニツケル（コバルト）層は、被覆（封
止）樹脂に対して、優れた投錨作用を有し、しかもこれ
らの金属層は強度が高いため、弾性率の高い当該樹脂が
熱膨張により界面で変化しようとしても、それを抑制し
て高い接着力を維持させることができる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
なお、第１図及び第３図は、本発明の１実施例のプロセ
スを各断面図で示す工程図である。
スを各断面図で示す工程図である。
各図において、符号１は銅箔、２はガラスクロスで補強
された樹脂、３は銅配線、４は化学ニツケルめつき液に
より還元された銅還元膜及びニツケルめつき膜からなる
層、５はレジスト、６は化学銅めつき膜を意味する。
された樹脂、３は銅配線、４は化学ニツケルめつき液に
より還元された銅還元膜及びニツケルめつき膜からなる
層、５はレジスト、６は化学銅めつき膜を意味する。
例１ 片面が粗化された銅箔（膜厚７０μｍ）を用い、樹脂材
料として クレゾールノボラツクエポキシ変性ポリブタジエン ３０重量％ ポリ（４−ビニルブロモフエニルメタクリレート ２０重量％ 2,2′−ビス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フエ
ニル〕プロパン ５０重量％ パーヘキシン−２５Ｂ 0.5 phr ベンゾグアナミン 0.2 phr （phr：レジン１００ｇに対する重量比）からなるガラ
スクロスで補強された半硬化性樹脂（プリプレグ樹脂）
を用い、銅箔の粗化面をプリプレグ側に向けて３０kg/c
m2加圧下で２２０℃、２ｈホットプレスし、両面が銅箔
で接着された樹脂基板（ＭＣＬ基板）を作成する（第１
図ａ）。基板上の銅箔をレジストによりマスクし、エツ
チングにより所定のパターンに銅配線を形成する（第１
図ｂ）。次に、銅配線を形成した基板をCuCl2・2H2O
４０g/17.5％HCl、１液により、銅をエツチング粗化
し、次に 組成液Ｉ NaOH ３０g/ Na3PO4・12H2O ６０g/ NaClO2 １８０g/ のような各組成液に浸漬し（以下特に示さない限り、ｌ
は水１を示す）、銅配線上に銅酸化膜を形成する。次
に、これらの基板を NiSO4・6H2O １２g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ N3BO3 ３０g/ (CH3)2NHBH3 １０g/ PH（NaOHで調製） 9.5 を含む化学ニツケルめつき液により銅酸化膜を還元し、
かつパラジウム触媒を用いずに、銅配線上にのみニツケ
ルめつき膜を直接形成する（第１図ｃ）。この膜を介し
て、上記ガラスクロスで補強したプリプレグ樹脂を用い
て３０kg/cm2加圧下で２２０℃で、２ｈホツトプレスし
多層化接着する（第１図ｄ）。以下スルーホール形成、
めつきによる導通化処理、外層銅箔上にレジストパター
ンを形成し、エツチングにより所定の銅配線を形成し、
多層回路基板を形成する。樹脂の熱膨張率は7.5×１０
-5／℃（室温〜１２５℃）であり、弾性率は３１０kg/c
m2（室温）であつた。銅酸化膜の凹凸は第２図において
JIS B 0601に準じて、基準長さＬが１μｍにおいて、最
大高さRmがそれぞれ0.005、0.05、0.1、0.5、1.0μｍで
あつた。
料として クレゾールノボラツクエポキシ変性ポリブタジエン ３０重量％ ポリ（４−ビニルブロモフエニルメタクリレート ２０重量％ 2,2′−ビス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フエ
ニル〕プロパン ５０重量％ パーヘキシン−２５Ｂ 0.5 phr ベンゾグアナミン 0.2 phr （phr：レジン１００ｇに対する重量比）からなるガラ
スクロスで補強された半硬化性樹脂（プリプレグ樹脂）
を用い、銅箔の粗化面をプリプレグ側に向けて３０kg/c
m2加圧下で２２０℃、２ｈホットプレスし、両面が銅箔
で接着された樹脂基板（ＭＣＬ基板）を作成する（第１
図ａ）。基板上の銅箔をレジストによりマスクし、エツ
チングにより所定のパターンに銅配線を形成する（第１
図ｂ）。次に、銅配線を形成した基板をCuCl2・2H2O
４０g/17.5％HCl、１液により、銅をエツチング粗化
し、次に 組成液Ｉ NaOH ３０g/ Na3PO4・12H2O ６０g/ NaClO2 １８０g/ のような各組成液に浸漬し（以下特に示さない限り、ｌ
は水１を示す）、銅配線上に銅酸化膜を形成する。次
に、これらの基板を NiSO4・6H2O １２g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ N3BO3 ３０g/ (CH3)2NHBH3 １０g/ PH（NaOHで調製） 9.5 を含む化学ニツケルめつき液により銅酸化膜を還元し、
かつパラジウム触媒を用いずに、銅配線上にのみニツケ
ルめつき膜を直接形成する（第１図ｃ）。この膜を介し
て、上記ガラスクロスで補強したプリプレグ樹脂を用い
て３０kg/cm2加圧下で２２０℃で、２ｈホツトプレスし
多層化接着する（第１図ｄ）。以下スルーホール形成、
めつきによる導通化処理、外層銅箔上にレジストパター
ンを形成し、エツチングにより所定の銅配線を形成し、
多層回路基板を形成する。樹脂の熱膨張率は7.5×１０
-5／℃（室温〜１２５℃）であり、弾性率は３１０kg/c
m2（室温）であつた。銅酸化膜の凹凸は第２図において
JIS B 0601に準じて、基準長さＬが１μｍにおいて、最
大高さRmがそれぞれ0.005、0.05、0.1、0.5、1.0μｍで
あつた。
上記樹脂と銅箔とのピール強度は上記と同じ方法にした
がつて処理した面を上記半硬化性の樹脂面に対向させて
上記ホツトプレス条件により接着し、銅箔の幅が１cmに
なるように試料を作成し、樹脂から銅箔を引きはがす時
の引張速度を５cm/minとして測定した。処理膜表面の凹
凸と化学ニツケルめつき膜の厚さとピール強度との関係
を表１に示す。
がつて処理した面を上記半硬化性の樹脂面に対向させて
上記ホツトプレス条件により接着し、銅箔の幅が１cmに
なるように試料を作成し、樹脂から銅箔を引きはがす時
の引張速度を５cm/minとして測定した。処理膜表面の凹
凸と化学ニツケルめつき膜の厚さとピール強度との関係
を表１に示す。
また、基板上への化学ニツケルめつき膜の均一形成性を
調べるため、絶縁樹脂基板上に１mm□の電気的に絶縁さ
れた銅電極５００ケを用い、その上に上記方法と同じよ
うに処理して化学ニツケルめつき膜を0.2μｍ形成し
て、17.5％HCl液中に１分間浸漬し、電極の外観の色調
が変化しない場所を均一形成とし、色調が変化する場合
を不均一形成と判定し、評価した。その結果も表１に示
す。それらを合せて総合判定した。
調べるため、絶縁樹脂基板上に１mm□の電気的に絶縁さ
れた銅電極５００ケを用い、その上に上記方法と同じよ
うに処理して化学ニツケルめつき膜を0.2μｍ形成し
て、17.5％HCl液中に１分間浸漬し、電極の外観の色調
が変化しない場所を均一形成とし、色調が変化する場合
を不均一形成と判定し、評価した。その結果も表１に示
す。それらを合せて総合判定した。
例２ 例１において銅酸化膜形成用の組成液として組成液Ｉを
用い、化学ニツケルめつき液の代りに次のような化学コ
バルトめつき液 CoSO4・7H2O １５g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ H3BO3 ３０g/ (CH3)2NHBH3 ２０g/ PH（NaOHで調製） 10.5 を含む化学コバルトめつき液により銅酸化膜を還元し、
かつパラジウム触媒を用いずに、銅配線上にのみコバル
トめつき膜を直接形成した。それ以外は例１と同条件で
実施した。その結果を表２に示す。
用い、化学ニツケルめつき液の代りに次のような化学コ
バルトめつき液 CoSO4・7H2O １５g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ H3BO3 ３０g/ (CH3)2NHBH3 ２０g/ PH（NaOHで調製） 10.5 を含む化学コバルトめつき液により銅酸化膜を還元し、
かつパラジウム触媒を用いずに、銅配線上にのみコバル
トめつき膜を直接形成した。それ以外は例１と同条件で
実施した。その結果を表２に示す。
例３ 例１において、銅酸化膜形成用の組成液として組成液Ｉ
を用い、例１で用いた化学ニツケルめつき液の代りに、
次の NiSO4・6H2O １５g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ H3BO3 ３０g/ NaBH4 ５g/ pH（NaOHで調整） 9.5 ような組成液を用い、銅表面の粗さとして、Ｌ＝１μｍ
の時、Rmを0.1μｍとし、それ以外は例１と同じ条件に
より実施した。その結果を表３に示す。
を用い、例１で用いた化学ニツケルめつき液の代りに、
次の NiSO4・6H2O １５g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ H3BO3 ３０g/ NaBH4 ５g/ pH（NaOHで調整） 9.5 ような組成液を用い、銅表面の粗さとして、Ｌ＝１μｍ
の時、Rmを0.1μｍとし、それ以外は例１と同じ条件に
より実施した。その結果を表３に示す。
例４ 例１において銅上に組成液Ｉの液を用い銅酸化膜を形成
した後、次の ジメチルアミンボラン １０g/ ような組成の液を用い、銅酸化膜を還元し、銅表面の粗
さとして、Ｌ＝１μｍの時のRmを0.1μｍとし、以下例
１に従つて、化学ニツケルめつき以下の工程に従つて実
施した。その結果を表４に示す。
した後、次の ジメチルアミンボラン １０g/ ような組成の液を用い、銅酸化膜を還元し、銅表面の粗
さとして、Ｌ＝１μｍの時のRmを0.1μｍとし、以下例
１に従つて、化学ニツケルめつき以下の工程に従つて実
施した。その結果を表４に示す。
例５ 例１において、組成液Ｉの液を用いて銅上に銅酸化膜を
形成した後、例１に記載した化学ニツケルめつき液によ
りニツケルめつき膜を１×１０-6ｇ／cm2めつきした
後、その上に NiSO4・6H2O １０g/ Na3C6H5O7・2H2O ７０g/ H3BO3 ３０g/ NaH2PO2・H2O １２g/ pH（NaOHで調整） 9.5 ような液により、化学ニツケルめつきをし（第３図）、
以下例１と同じ条件により実施した。その結果を表５に
示す。銅表面の粗さとしてＬ＝１μｍの時のRmが0.1μ
ｍのものを用いた。
形成した後、例１に記載した化学ニツケルめつき液によ
りニツケルめつき膜を１×１０-6ｇ／cm2めつきした
後、その上に NiSO4・6H2O １０g/ Na3C6H5O7・2H2O ７０g/ H3BO3 ３０g/ NaH2PO2・H2O １２g/ pH（NaOHで調整） 9.5 ような液により、化学ニツケルめつきをし（第３図）、
以下例１と同じ条件により実施した。その結果を表５に
示す。銅表面の粗さとしてＬ＝１μｍの時のRmが0.1μ
ｍのものを用いた。
例６ 例１で用いた片面が粗化された銅箔を用いる代りに両面
が平滑な銅箔（膜厚１，２，１０，２０，３０μｍ）を
用い、例１において用いた塩化第２銅のエツチング液を
用い、銅箔の片面をエツチングし、次に例１において用
いた組成液Ｉを用いエツチングした銅箔面上に銅酸化膜
を形成し、更に例１で用いた化学ニツケルめつき液によ
り銅酸化膜を形成した銅箔側に化学ニツケルめつき膜を
形成し、この銅箔を用いて例１と同じ条件によりホツト
プレスし、両面が銅箔で接着された樹脂基板（ＭＣＬ基
板）を作成する（第３図ａ）。このＭＣＬ基板を用い、
例１で用いた塩化第二銅のエツチング液により、表面を
エツチングする。次に、非回路部に相当する部分にレジ
ストによりマスクパターンを形成し、次の CuSO4・5H2O ４g/ エチレンジアミン４酢酸・２ナトリウム １００g/ 2,2′−ジピリジル ０．１０g/ ポリエチレングリコール（平均分子量600）６０ml/ ホルマリン ４〜６ml/ pH（NaOHにより調整） 12.5 のような化学めつき液により、化学銅めつき膜５０μｍ
を厚づけ形成する（第３図ｂ）。次に、レジストを除去
し、例１で用いたエツチング液により銅をエツチング
し、銅配線を形成する。次に、例１で用いた組成液Ｉに
より銅配線上に銅酸化膜を形成し、以下例１における化
学ニツケルめつき以下の工程に従つて多層回路板を形成
する。その結果、化学銅めつき膜を厚づけ形成した時の
状態で銅配線のパターン精度は樹脂と接着する部分の銅
配線の下部の幅をｂとし、上部の幅をａとすると、a/b
の比は表６のようであり、マスク用銅配線の幅が２０μ
ｍ以下でパターン精度が良好であつた。銅表面の粗さは
Ｌが１μｍにおいて最大高さRmが0.1μｍであり、化学
ニツケルめつき膜の単位面積当りのNi量は2.5×１０-5
ｇ／cm2であつた。また樹脂と銅との接着強度を調べる
ため、各銅箔の片面に上記条件と同じ条件により、すな
わち銅箔の片面を塩化第２銅液によりエツチングし、次
いで銅酸化膜を形成し、その後、ニツケルめつき膜を形
成し、樹脂と接着し、その反対側の面の各銅箔の表面上
に化学めつきにより銅を厚づけ形成して、それぞれ下地
銅箔と合せて膜厚が70μｍになるようにして以下例１に
従つて樹脂に対する銅箔の接着強度を調べた。その結果
を表６にまとめて示す。
が平滑な銅箔（膜厚１，２，１０，２０，３０μｍ）を
用い、例１において用いた塩化第２銅のエツチング液を
用い、銅箔の片面をエツチングし、次に例１において用
いた組成液Ｉを用いエツチングした銅箔面上に銅酸化膜
を形成し、更に例１で用いた化学ニツケルめつき液によ
り銅酸化膜を形成した銅箔側に化学ニツケルめつき膜を
形成し、この銅箔を用いて例１と同じ条件によりホツト
プレスし、両面が銅箔で接着された樹脂基板（ＭＣＬ基
板）を作成する（第３図ａ）。このＭＣＬ基板を用い、
例１で用いた塩化第二銅のエツチング液により、表面を
エツチングする。次に、非回路部に相当する部分にレジ
ストによりマスクパターンを形成し、次の CuSO4・5H2O ４g/ エチレンジアミン４酢酸・２ナトリウム １００g/ 2,2′−ジピリジル ０．１０g/ ポリエチレングリコール（平均分子量600）６０ml/ ホルマリン ４〜６ml/ pH（NaOHにより調整） 12.5 のような化学めつき液により、化学銅めつき膜５０μｍ
を厚づけ形成する（第３図ｂ）。次に、レジストを除去
し、例１で用いたエツチング液により銅をエツチング
し、銅配線を形成する。次に、例１で用いた組成液Ｉに
より銅配線上に銅酸化膜を形成し、以下例１における化
学ニツケルめつき以下の工程に従つて多層回路板を形成
する。その結果、化学銅めつき膜を厚づけ形成した時の
状態で銅配線のパターン精度は樹脂と接着する部分の銅
配線の下部の幅をｂとし、上部の幅をａとすると、a/b
の比は表６のようであり、マスク用銅配線の幅が２０μ
ｍ以下でパターン精度が良好であつた。銅表面の粗さは
Ｌが１μｍにおいて最大高さRmが0.1μｍであり、化学
ニツケルめつき膜の単位面積当りのNi量は2.5×１０-5
ｇ／cm2であつた。また樹脂と銅との接着強度を調べる
ため、各銅箔の片面に上記条件と同じ条件により、すな
わち銅箔の片面を塩化第２銅液によりエツチングし、次
いで銅酸化膜を形成し、その後、ニツケルめつき膜を形
成し、樹脂と接着し、その反対側の面の各銅箔の表面上
に化学めつきにより銅を厚づけ形成して、それぞれ下地
銅箔と合せて膜厚が70μｍになるようにして以下例１に
従つて樹脂に対する銅箔の接着強度を調べた。その結果
を表６にまとめて示す。
例７ 例６において厚さ１，２，１０，２０，３０μｍの平滑
な銅箔を用い、銅箔の片面に銅酸化膜を形成する際、組
成液Ｉを用いる代りに、カセイソーダによりpH１２に調
整した液を用い、この液中で基板を陽極にし、対極にス
テンレス板を用い、1.0A/dm2で定電流通電し、銅箔上に
銅の酸化膜を形成した。また、例６において銅箔上にニ
ツケルめつき膜を形成する際に用いた化学ニツケルめつ
き液を用いる代りに、次の NiSO4・6H2O ２４０g/ NiCl2・6H2O ４５g/ H3BO3 ３０g/ ような組成液により銅箔を陰極にして、対極にニツケル
板を用い、2.5A/dm2で定電流通電した。銅箔表面の粗さ
はＬが１μｍの時最大高さRmが0.1μｍであり、ニツケ
ルめつき膜の単位面積当りのNi量は2.5×１０-5g/cm2で
あつた。例６と同条件により樹脂と接着させた後、更
に、例６において、回路部に相当する部分に銅を厚づけ
形成する際、化学銅めつき液を用いる代りに、次の CuSO4・5H2O ２００g/ H2SO4 ５０g/ NaCl ６０mg/ ような組成液により、基板上の銅箔を陰極にし、対極に
銅板を用い、陰極電流密度３Ａ／dm2により定電流通電
し、回路部に相当する部分に銅を厚づけ形成した。その
他の条件は例６と同じ条件により実施した。評価した結
果を表７に示す。
な銅箔を用い、銅箔の片面に銅酸化膜を形成する際、組
成液Ｉを用いる代りに、カセイソーダによりpH１２に調
整した液を用い、この液中で基板を陽極にし、対極にス
テンレス板を用い、1.0A/dm2で定電流通電し、銅箔上に
銅の酸化膜を形成した。また、例６において銅箔上にニ
ツケルめつき膜を形成する際に用いた化学ニツケルめつ
き液を用いる代りに、次の NiSO4・6H2O ２４０g/ NiCl2・6H2O ４５g/ H3BO3 ３０g/ ような組成液により銅箔を陰極にして、対極にニツケル
板を用い、2.5A/dm2で定電流通電した。銅箔表面の粗さ
はＬが１μｍの時最大高さRmが0.1μｍであり、ニツケ
ルめつき膜の単位面積当りのNi量は2.5×１０-5g/cm2で
あつた。例６と同条件により樹脂と接着させた後、更
に、例６において、回路部に相当する部分に銅を厚づけ
形成する際、化学銅めつき液を用いる代りに、次の CuSO4・5H2O ２００g/ H2SO4 ５０g/ NaCl ６０mg/ ような組成液により、基板上の銅箔を陰極にし、対極に
銅板を用い、陰極電流密度３Ａ／dm2により定電流通電
し、回路部に相当する部分に銅を厚づけ形成した。その
他の条件は例６と同じ条件により実施した。評価した結
果を表７に示す。
例８ 例３において、銅酸化膜の形成用組成液として組成液Ｉ
を用い、例１で用いた化学ニツケルめつきの代りに、次
の CoSO4・7H2O １５g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ H3BO3 ３０g/ NaBH4 １５g/ pH（NaOHで調整） 8.5 ような組成液を用いた。銅表面の粗さは基準長さＬが１
μｍの時、最大高さが0.1μｍであつた。それ以外は例
１と同じ条件により実施した。その結果を表８に示す。
を用い、例１で用いた化学ニツケルめつきの代りに、次
の CoSO4・7H2O １５g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ H3BO3 ３０g/ NaBH4 １５g/ pH（NaOHで調整） 8.5 ような組成液を用いた。銅表面の粗さは基準長さＬが１
μｍの時、最大高さが0.1μｍであつた。それ以外は例
１と同じ条件により実施した。その結果を表８に示す。
参考例１ 例１において銅上に、次の NiSO4・6H2O １０g/ Na3C6H5O7・2H2O ７０g/ H3BO3 ３０g/ NaH2PO2・H2O １２g/ pH（NaOHで調整） 9.5 ような液により直接化学ニツケルめつき膜を形成しよう
としたが、非回路部に相当する絶縁樹脂基板上への析出
を防止し、銅上にのみ選択的に析出させることはできな
かつた。銅上に無理に化学ニツケルめつき膜を形成しよ
うとすると、上記めつき液が不安定になり、液が分解し
た。
としたが、非回路部に相当する絶縁樹脂基板上への析出
を防止し、銅上にのみ選択的に析出させることはできな
かつた。銅上に無理に化学ニツケルめつき膜を形成しよ
うとすると、上記めつき液が不安定になり、液が分解し
た。
参考例２ 例１において、例１で用いた化学ニツケルめつき液の代
りに、例６で用いた化学銅めつき液を用いて樹脂との接
着力を調べた。銅表面の粗さは基準長さＬが１μｍの時
最大高さが0.1μｍであつた。評価した結果を表９に示
す。
りに、例６で用いた化学銅めつき液を用いて樹脂との接
着力を調べた。銅表面の粗さは基準長さＬが１μｍの時
最大高さが0.1μｍであつた。評価した結果を表９に示
す。
例９ 例１において、銅酸化膜の形成用組成液として組成液Ｉ
を用い、例１で用いた化学ニツケルめつき液の代りに、
次の NiSO4・6H2O １０g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ H3BO3 ３０g/ (C2H5)2NHBH3 １０g/ pH（NaOHで調整） 9.5 ような組成液を用いた。それ以外は例１と同じ条件によ
り実施した。その結果を表１０に示す。
を用い、例１で用いた化学ニツケルめつき液の代りに、
次の NiSO4・6H2O １０g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ H3BO3 ３０g/ (C2H5)2NHBH3 １０g/ pH（NaOHで調整） 9.5 ような組成液を用いた。それ以外は例１と同じ条件によ
り実施した。その結果を表１０に示す。
例１０ 例９において化学ニツケルめつき膜の厚さを１×１０-6
g/cm2形成した後、更にその上に例５で用いた次亜リン
酸を還元剤とする化学めつき液により化学ニツケルめつ
き膜を厚づけ形成し、以下例１と同じ条件により実施し
た。その結果を表１１に示す。
g/cm2形成した後、更にその上に例５で用いた次亜リン
酸を還元剤とする化学めつき液により化学ニツケルめつ
き膜を厚づけ形成し、以下例１と同じ条件により実施し
た。その結果を表１１に示す。
例１１ 例９において、銅酸化膜の形成用組成液として組成液Ｉ
を用い、例１で用いた化学ニツケルめつき液の代りに、
次の NiSO4・6H2O １０g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ H3BO3 ３０g/ BH3NH3 ５g/ pH（NaOHで調整） 9.1 ような組成液を用いた。それ以外は例１と同じ条件によ
り実施した。その結果を表１２に示す。
を用い、例１で用いた化学ニツケルめつき液の代りに、
次の NiSO4・6H2O １０g/ Na3C6H5O7・2H2O ６０g/ H3BO3 ３０g/ BH3NH3 ５g/ pH（NaOHで調整） 9.1 ような組成液を用いた。それ以外は例１と同じ条件によ
り実施した。その結果を表１２に示す。
〔発明の効果〕 本発明によれば、熱膨張率が大きく、かつ弾性率の大き
い樹脂に対しても銅配線を強固に接着できるので、機械
的および熱的に信頼性の高い多層プリント板を形成でき
る。また、本発明を用いることにより、これらの樹脂を
用い、高精細な銅配線を形成した多層プリント板を形成
できる。
い樹脂に対しても銅配線を強固に接着できるので、機械
的および熱的に信頼性の高い多層プリント板を形成でき
る。また、本発明を用いることにより、これらの樹脂を
用い、高精細な銅配線を形成した多層プリント板を形成
できる。
【図面の簡単な説明】 第１図及び第３図は本発明の１実施例のプロセスを各断
面図で示す工程図、第２図は銅配線表面を処理した時の
凹凸の状態を示すための測定場所を指示した図である。 １……銅箔、２……ガラスクロスで補強された樹脂、３
……銅配線、４……化学ニツケルめつき液により還元さ
れた銅還元膜及びニツケルめつきからなる層、５……レ
ジスト、６……化学銅めつき膜。
面図で示す工程図、第２図は銅配線表面を処理した時の
凹凸の状態を示すための測定場所を指示した図である。 １……銅箔、２……ガラスクロスで補強された樹脂、３
……銅配線、４……化学ニツケルめつき液により還元さ
れた銅還元膜及びニツケルめつきからなる層、５……レ
ジスト、６……化学銅めつき膜。
フロントページの続き (72)発明者 赤星 晴夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 永井 晃 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 昭雄 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 天城 滋夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 奈良原 俊和 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 和嶋 元世 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所神奈川工場内 (72)発明者 古川 清則 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所神奈川工場内 (56)参考文献 特開 昭57−177593（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−104745（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−218124（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−131080（ＪＰ，Ａ) 特公 昭58−35374（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭60−27758（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (13)
- 【請求項１】絶縁基板上の銅配線の粗化された表面全体
に、銅酸化膜又はその銅還元膜を有し、更にその上に、
パラジウム触媒を含まない化学ニッケル又はコバルトめ
っき膜を有しており、かつ該化学めっき膜におけるニッ
ケル又はコバルト量が、５×１０-7〜１０-4g/cm2であ
って、該銅配線が、該ニッケル又はコバルトめっき層を
介して樹脂膜に接着されていることを特徴とする回路基
板。 - 【請求項２】該化学めっき膜が、ホウ素を含有するもの
である請求項１記載の回路基板。 - 【請求項３】該化学めっき膜が、ホウ素及びリンを含有
するものである請求項１記載の回路基板。 - 【請求項４】該ホウ素が、銅と接する側に偏って分布し
ている請求項３記載の回路基板。 - 【請求項５】該回路基板の少なくとも一部が、絶縁樹脂
で被覆されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の
回路基板。 - 【請求項６】該絶縁樹脂が、付加型のビスマレイミドと
ポリビニルブロモフェノール誘導体とを必須成分とする
熱硬化性樹脂である請求項５記載の回路基板。 - 【請求項７】請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路
基板を製造する方法において、絶縁基板上の銅配線の表
面を粗化する工程、その粗化された面を酸化して銅酸化
膜を形成させる工程、及びその後、銅配線の表面上にパ
ラジウム触媒を使用しない化学ニッケル又はコバルトめ
っきを行って相当するめっき膜を形成させる工程の各工
程を包含することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 【請求項８】該化学めっき工程が、ホウ素化合物を還元
剤とする化学めっきである請求項７記載の回路基板の製
造方法。 - 【請求項９】該化学めっき工程が、ホウ素化合物を還元
剤とする化学めっきを行い、次いでリン化合物を還元剤
とする化学めっきを行う二段法である請求項７記載の回
路基板の製造方法。 - 【請求項１０】該ホウ素化合物が、ジメチルアミンボラ
ン、ジエチルアミンボラン、アンモニアボラン及びホウ
水素化ナトリウムよりなる群から選択した１種以上であ
る請求項８又は９記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項１１】該リン化合物が、次亜リン酸である請求
項９記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項１２】請求項１〜４のいずれか１項に記載の回
路基板が、絶縁樹脂により多層化接着されていることを
特徴とする多層回路基板。 - 【請求項１３】請求項１２に記載の多層回路基板を製造
する方法において、該回路基板同士を、半硬化性絶縁樹
脂で積層接着する工程を包含することを特徴とする多層
回路基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233630A JPH0628941B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 回路基板及びその製造方法 |
| US07/408,530 US5021296A (en) | 1988-09-20 | 1989-09-18 | Circuit board and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233630A JPH0628941B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 回路基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281627A JPH0281627A (ja) | 1990-03-22 |
| JPH0628941B2 true JPH0628941B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=16958054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63233630A Expired - Fee Related JPH0628941B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 回路基板及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5021296A (ja) |
| JP (1) | JPH0628941B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008248269A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅表面の処理方法およびこの方法を用いた配線基板 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139975A (en) * | 1988-07-18 | 1992-08-18 | International Business Machines Corporation | Sintering arrangement for enhancing removal of carbon from ceramic substrate laminates |
| DE69535768D1 (de) * | 1994-12-01 | 2008-07-24 | Ibiden Co Ltd | Mehrschichtige leiterplatte und verfahren für deren herstellung |
| KR20000057687A (ko) * | 1996-12-19 | 2000-09-25 | 엔도 마사루 | 프린트 배선판 및 그 제조방법 |
| US5920037A (en) * | 1997-05-12 | 1999-07-06 | International Business Machines Corporation | Conductive bonding design for metal backed circuits |
| US6141870A (en) | 1997-08-04 | 2000-11-07 | Peter K. Trzyna | Method for making electrical device |
| MY144574A (en) * | 1998-09-14 | 2011-10-14 | Ibiden Co Ltd | Printed circuit board and method for its production |
| KR20000071383A (ko) * | 1999-02-26 | 2000-11-25 | 마쯔노고오지 | 배선층 전사용 복합재와 그 제조방법 및 장치 |
| JP2001251040A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | 高周波用回路基板及びその製造方法 |
| US6373137B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-04-16 | Micron Technology, Inc. | Copper interconnect for an integrated circuit and methods for its fabrication |
| US6713688B2 (en) * | 2000-12-27 | 2004-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit board and its manufacture method |
| US6610417B2 (en) * | 2001-10-04 | 2003-08-26 | Oak-Mitsui, Inc. | Nickel coated copper as electrodes for embedded passive devices |
| US6596384B1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Selectively roughening conductors for high frequency printed wiring boards |
| EP1357773A3 (en) * | 2002-04-25 | 2005-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wiring transfer sheet and method for producing the same, and wiring board and method for producing the same |
| JP4426900B2 (ja) * | 2004-05-10 | 2010-03-03 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線基板、その製造方法および半導体装置 |
| US20060110525A1 (en) * | 2004-11-19 | 2006-05-25 | Robert Indech | Nanotechnological processing to a copper oxide superconductor increasing critical transition temperature |
| US7704562B2 (en) * | 2006-08-14 | 2010-04-27 | Cordani Jr John L | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
| KR20130007022A (ko) * | 2011-06-28 | 2013-01-18 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
| KR101310256B1 (ko) | 2011-06-28 | 2013-09-23 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 무전해 표면처리 도금층 및 이의 제조방법 |
| KR101574475B1 (ko) * | 2013-02-14 | 2015-12-03 | 미쓰이금속광업주식회사 | 표면 처리 구리박 및 표면 처리 구리박을 사용해서 얻어지는 동장 적층판 |
| JP6079329B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2017-02-15 | 大日本印刷株式会社 | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
| JP2015041729A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
| KR20160099381A (ko) * | 2015-02-12 | 2016-08-22 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조 방법 |
| JP2016207893A (ja) * | 2015-04-24 | 2016-12-08 | イビデン株式会社 | プリント配線板およびその製造方法 |
| JP6510884B2 (ja) * | 2015-05-19 | 2019-05-08 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 |
| JP7051508B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2022-04-11 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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| JPS60102794A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | ブラザー工業株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| JPS61176192A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | 株式会社日立製作所 | 銅と樹脂との接着方法 |
| US4806432A (en) * | 1985-11-21 | 1989-02-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Copper-foiled laminated sheet for flexible printed circuit board |
| JPS63103075A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-05-07 | エドワ−ド アドラ− | マイクロ樹枝状体配列を介して結合された金属層で被覆可能とされる表面を有する樹脂製品並びに該金属層被覆樹脂製品 |
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1988
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-
1989
- 1989-09-18 US US07/408,530 patent/US5021296A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008248269A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅表面の処理方法およびこの方法を用いた配線基板 |
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