JPH06290897A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JPH06290897A JPH06290897A JP5074586A JP7458693A JPH06290897A JP H06290897 A JPH06290897 A JP H06290897A JP 5074586 A JP5074586 A JP 5074586A JP 7458693 A JP7458693 A JP 7458693A JP H06290897 A JPH06290897 A JP H06290897A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ分布のバラツキを少なくして高レー
トでのエッチングレートの均一性を維持できると共に、
ディバイスのダメージを少なくして、装置自体の重量が
軽く、発散磁場が少なく、装置の構造が簡易であるプラ
ズマ発生装置を提供することにある。 【構成】 平行平板形の電極の電界と垂直な方向に、一
対の主磁極が互いに対向して配置されていると共に、一
対の補助磁極が一対の主磁極の対向方向にほぼ垂直な方
向に対向するように配置されている。これらの磁界方向
が2通りに切換えられている。エッチング室の外周囲を
取り囲むように配置されたループ状鉄心に、エッチング
室の外側で相互に対向して配置された第1乃至第4の磁
極が形成されており、ループ状鉄心の所定箇所に第1乃
至第4のコイルが巻回されている。これらの磁界方向が
2通りに切換えられている。
トでのエッチングレートの均一性を維持できると共に、
ディバイスのダメージを少なくして、装置自体の重量が
軽く、発散磁場が少なく、装置の構造が簡易であるプラ
ズマ発生装置を提供することにある。 【構成】 平行平板形の電極の電界と垂直な方向に、一
対の主磁極が互いに対向して配置されていると共に、一
対の補助磁極が一対の主磁極の対向方向にほぼ垂直な方
向に対向するように配置されている。これらの磁界方向
が2通りに切換えられている。エッチング室の外周囲を
取り囲むように配置されたループ状鉄心に、エッチング
室の外側で相互に対向して配置された第1乃至第4の磁
極が形成されており、ループ状鉄心の所定箇所に第1乃
至第4のコイルが巻回されている。これらの磁界方向が
2通りに切換えられている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高真空中でプラズマを
発生させ、スパッタ又はこれと併用された化学反応によ
ってドライエッチングを行う際のプラズマ発生装置に関
し、特に、磁力線を利用したプラズマ発生装置に関す
る。
発生させ、スパッタ又はこれと併用された化学反応によ
ってドライエッチングを行う際のプラズマ発生装置に関
し、特に、磁力線を利用したプラズマ発生装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】高真空中でプラズマを発生させ、スパッ
タ又はこれと併用された化学反応によってドライエッチ
ングを行うエッチング装置には、高真空下で磁力線によ
りプラズマを高密度化して、高エッチングレートでのエ
ッチングを可能にしたものがある。
タ又はこれと併用された化学反応によってドライエッチ
ングを行うエッチング装置には、高真空下で磁力線によ
りプラズマを高密度化して、高エッチングレートでのエ
ッチングを可能にしたものがある。
【0003】具体的な平行平板形プラズマエッチング装
置では、図10に示すように、エッチング室1の外側で
互いに対向するようにして、一対の電磁石(又は永久磁
石)2,3が配置され、図の左側の電磁石2がN極、図
の右側の電磁石3がS極として、電磁石2から電磁石3
に磁力線が図10に実線で示すようにかけられる。ま
た、紙面に垂直な方向に電界がかけられる。これによ
り、エッチング室1内で発生されているプラズマの電界
中の電子は、図10破線で示すように、電界に垂直で磁
力線に垂直な方向に進行する。その結果、図10の上方
の方ではプラズマの密度が密になり、図10の下方の方
では疎となる。そのため、エッチング時に、電極5a
(ウェハ4)の上では、図10の符号aで示す部分の方
が符号bで示す部分よりエッチングレートが高くなり、
ウェハ4を回転することにより又は磁界の方向を反転す
ることにより、ウェハ4全体としては、高エッチングレ
ートでのエッチングが可能になっている。
置では、図10に示すように、エッチング室1の外側で
互いに対向するようにして、一対の電磁石(又は永久磁
石)2,3が配置され、図の左側の電磁石2がN極、図
の右側の電磁石3がS極として、電磁石2から電磁石3
に磁力線が図10に実線で示すようにかけられる。ま
た、紙面に垂直な方向に電界がかけられる。これによ
り、エッチング室1内で発生されているプラズマの電界
中の電子は、図10破線で示すように、電界に垂直で磁
力線に垂直な方向に進行する。その結果、図10の上方
の方ではプラズマの密度が密になり、図10の下方の方
では疎となる。そのため、エッチング時に、電極5a
(ウェハ4)の上では、図10の符号aで示す部分の方
が符号bで示す部分よりエッチングレートが高くなり、
ウェハ4を回転することにより又は磁界の方向を反転す
ることにより、ウェハ4全体としては、高エッチングレ
ートでのエッチングが可能になっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図10
に示すように、電極5a(ウェハ4)の面上では、磁力
線が広がりをもっているため、プラズマの電界中の電子
は、磁力線に垂直な方向に進行しようとすることから、
破線c及び破線dで示すように、左右にわかれるように
進行し、結果的に、電界中の電子の進行方向は、2通り
できてしまう。その結果、プラズマは、電極5a(ウェ
ハ4)の面上で種々の分布をもち、プラズマ分布にバラ
ツキが生じてしまう。即ち、プラズマの密度が局所的に
異なる部分が現れる。そのため、エッチングレートの均
一性が悪化することがあるという問題がある。
に示すように、電極5a(ウェハ4)の面上では、磁力
線が広がりをもっているため、プラズマの電界中の電子
は、磁力線に垂直な方向に進行しようとすることから、
破線c及び破線dで示すように、左右にわかれるように
進行し、結果的に、電界中の電子の進行方向は、2通り
できてしまう。その結果、プラズマは、電極5a(ウェ
ハ4)の面上で種々の分布をもち、プラズマ分布にバラ
ツキが生じてしまう。即ち、プラズマの密度が局所的に
異なる部分が現れる。そのため、エッチングレートの均
一性が悪化することがあるという問題がある。
【0005】また、従来における、プラズマに磁界をか
けるための装置自体としては、種々のものがあるが、装
置自体の重量が重い、発散磁場が大きい、装置の構造が
複雑で装置化が困難であるといった問題もあった。
けるための装置自体としては、種々のものがあるが、装
置自体の重量が重い、発散磁場が大きい、装置の構造が
複雑で装置化が困難であるといった問題もあった。
【0006】本発明の目的は、上述したような事情に鑑
みてなされたものであって、プラズマ分布のバラツキを
少なくして高レートでのエッチングレートの均一性を維
持できると共に、ディバイスのダメージを少なくして、
装置自体の重量が軽く、発散磁場が少なく、装置の構造
が簡易であるプラズマ発生装置を提供することにある。
みてなされたものであって、プラズマ分布のバラツキを
少なくして高レートでのエッチングレートの均一性を維
持できると共に、ディバイスのダメージを少なくして、
装置自体の重量が軽く、発散磁場が少なく、装置の構造
が簡易であるプラズマ発生装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の請求項1は、高真空中でプラズマを発生さ
せてスパッタ又は化学反応によってドライエッチングを
行う際、磁力線によってプラズマを高密度化するプラズ
マ発生装置において、エッチング室の外側で電界に垂直
な方向で互いに対向して配置された一対の主磁極を有す
る主磁石と、これら一対の主磁石の対向方向にほぼ垂直
な方向に対向するようにエッチング室の外側に配置され
た一対の補助磁極を有する磁石と、を具備することを特
徴としている。
め、本発明の請求項1は、高真空中でプラズマを発生さ
せてスパッタ又は化学反応によってドライエッチングを
行う際、磁力線によってプラズマを高密度化するプラズ
マ発生装置において、エッチング室の外側で電界に垂直
な方向で互いに対向して配置された一対の主磁極を有す
る主磁石と、これら一対の主磁石の対向方向にほぼ垂直
な方向に対向するようにエッチング室の外側に配置され
た一対の補助磁極を有する磁石と、を具備することを特
徴としている。
【0008】また、本発明の請求項2は、一方の主磁石
が他方の主磁石及び一対の補助磁石から磁力線を受ける
場合と、他方の主磁石が一方の主磁石及び一対の補助磁
石から磁力線を受ける場合とを切換えるように、これら
主磁石及び補助磁石を制御する制御手段をさらに具備す
ることを特徴としている。
が他方の主磁石及び一対の補助磁石から磁力線を受ける
場合と、他方の主磁石が一方の主磁石及び一対の補助磁
石から磁力線を受ける場合とを切換えるように、これら
主磁石及び補助磁石を制御する制御手段をさらに具備す
ることを特徴としている。
【0009】さらに、本発明の請求項3は、高真空中で
プラズマを発生させてスパッタ又は化学反応によってド
ライエッチングを行う際、磁力線によってプラズマを高
密度化するプラズマ発生装置において、エッチング室の
外周囲を取り囲むように配置されたループ状鉄心と、エ
ッチング室の外側で電界に垂直な方向で相互に対向して
配置され、このループ状鉄心に形成された第1乃至第4
の磁極と、これら第1乃至第4の磁極の各々の間でルー
プ状鉄心に巻回された第1乃至第4のコイルと、を具備
することを特徴としている。
プラズマを発生させてスパッタ又は化学反応によってド
ライエッチングを行う際、磁力線によってプラズマを高
密度化するプラズマ発生装置において、エッチング室の
外周囲を取り囲むように配置されたループ状鉄心と、エ
ッチング室の外側で電界に垂直な方向で相互に対向して
配置され、このループ状鉄心に形成された第1乃至第4
の磁極と、これら第1乃至第4の磁極の各々の間でルー
プ状鉄心に巻回された第1乃至第4のコイルと、を具備
することを特徴としている。
【0010】さらに、本発明の請求項4は、第1乃至第
4の磁極のうち、いずれか1つの磁極が残りの3つの磁
極から磁力線を受けるように第1乃至第4の磁極を順次
切り換える第1乃至第4のコイルの制御手段をさらに具
備することを特徴としている。
4の磁極のうち、いずれか1つの磁極が残りの3つの磁
極から磁力線を受けるように第1乃至第4の磁極を順次
切り換える第1乃至第4のコイルの制御手段をさらに具
備することを特徴としている。
【0011】
【作用】先ず、請求項1では、一対の主磁極が互いに対
向して配置されていると共に、一対の補助磁極が一対の
主磁極の対向方向にほぼ垂直な方向に対向するように配
置されている。そのため、一方の主磁極が他方の主磁極
及び一対の補助磁極から磁力線を受ける場合には、電界
内(平行平板電極内)では、従来のように、磁力線が広
がりをもつことがなく、磁力線を任意に制御できる。そ
のため、プラズマの電界中の電子は、被処理物上では、
1つの方向に進むようになり、従来のように2つの方向
に分けられることがない。その結果、プラズマは、電界
中の電子の進行方向に緩やかな傾斜をもって密に集めら
れているが、プラズマ分布にバラツキが少なくなる。即
ち、プラズマの密度が局所的に異なるといったことを有
効に防止できる。これにより、被処理物でのエッチング
レートを均一にすることができる。また、プラズマの分
布がなだらかなため、被処理物のダメージ低減にも有効
である。
向して配置されていると共に、一対の補助磁極が一対の
主磁極の対向方向にほぼ垂直な方向に対向するように配
置されている。そのため、一方の主磁極が他方の主磁極
及び一対の補助磁極から磁力線を受ける場合には、電界
内(平行平板電極内)では、従来のように、磁力線が広
がりをもつことがなく、磁力線を任意に制御できる。そ
のため、プラズマの電界中の電子は、被処理物上では、
1つの方向に進むようになり、従来のように2つの方向
に分けられることがない。その結果、プラズマは、電界
中の電子の進行方向に緩やかな傾斜をもって密に集めら
れているが、プラズマ分布にバラツキが少なくなる。即
ち、プラズマの密度が局所的に異なるといったことを有
効に防止できる。これにより、被処理物でのエッチング
レートを均一にすることができる。また、プラズマの分
布がなだらかなため、被処理物のダメージ低減にも有効
である。
【0012】また、請求項2では、磁界方向が2通りに
切換えられている。これにより、電界中の電子の進行方
向が切り換えられ、電界中の電子の進行方向に密に集め
られるプラズマは、被処理物上で均一に分布することが
できる。エッチングレートの均一性はより一層向上す
る。
切換えられている。これにより、電界中の電子の進行方
向が切り換えられ、電界中の電子の進行方向に密に集め
られるプラズマは、被処理物上で均一に分布することが
できる。エッチングレートの均一性はより一層向上す
る。
【0013】さらに、請求項3では、エッチング室の外
周囲を取り囲むように配置されたループ状鉄心に、エッ
チング室の外側で相互に対向して配置された第1乃至第
4の磁極が形成されており、ループ状鉄心の所定箇所に
第1乃至第4のコイルが巻回されている。そのため、プ
ラズマ分布にバラツキを少なくし、即ち、プラズマの密
度が局所的に異なることを有効に防止しながら、つま
り、被処理物でのエッチングレートを均一にしながら、
装置自体の重量を軽く、発散磁場を少なく、装置の構造
を簡易にすることができる。
周囲を取り囲むように配置されたループ状鉄心に、エッ
チング室の外側で相互に対向して配置された第1乃至第
4の磁極が形成されており、ループ状鉄心の所定箇所に
第1乃至第4のコイルが巻回されている。そのため、プ
ラズマ分布にバラツキを少なくし、即ち、プラズマの密
度が局所的に異なることを有効に防止しながら、つま
り、被処理物でのエッチングレートを均一にしながら、
装置自体の重量を軽く、発散磁場を少なく、装置の構造
を簡易にすることができる。
【0014】さらに、請求項4では、磁界方向が4通り
に切換えられている。これにより、請求項2の場合に比
べて被処理物上でのプラズマの分布をより一層均一にす
ることができる。
に切換えられている。これにより、請求項2の場合に比
べて被処理物上でのプラズマの分布をより一層均一にす
ることができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例に係るプラズマ発生装
置を図面を参照しつつ説明する。
置を図面を参照しつつ説明する。
【0016】先ず、図1乃至図4を参照して、本発明の
第1の実施例に係るプラズマ発生装置を説明する。図1
は、本発明の第1の実施例にプラズマ発生装置の模式的
平面断面図であり、図2は、図1に示すプラズマ発生装
置の模式的正面断面図であり、図3は、図1に示すプラ
ズマ発生装置の模式的側面図である。なお、従来と同じ
部材については、同じ符号を付してある。
第1の実施例に係るプラズマ発生装置を説明する。図1
は、本発明の第1の実施例にプラズマ発生装置の模式的
平面断面図であり、図2は、図1に示すプラズマ発生装
置の模式的正面断面図であり、図3は、図1に示すプラ
ズマ発生装置の模式的側面図である。なお、従来と同じ
部材については、同じ符号を付してある。
【0017】図1乃至図3に示すように、エッチング室
1内では、被処理物4及び電極5aが配置されており、
電極5aに対向して、対向電極5bが配置されている。
これにより、紙面に垂直に電界がかけられている。プラ
ズマ発生装置には、エッチング室1を跨ぐように配置さ
れた主電磁石10が配置されている。この主電磁石10
は、エッチング室1の上方を跨ぐように配置され且つエ
ッチング室1の両側に主磁極12,13が位置するよう
に延ばされた鉄心11と、この鉄心11に巻回された複
数のコイル14,14…とからなっている。主磁極1
2,13は互いに対向して配置されている。
1内では、被処理物4及び電極5aが配置されており、
電極5aに対向して、対向電極5bが配置されている。
これにより、紙面に垂直に電界がかけられている。プラ
ズマ発生装置には、エッチング室1を跨ぐように配置さ
れた主電磁石10が配置されている。この主電磁石10
は、エッチング室1の上方を跨ぐように配置され且つエ
ッチング室1の両側に主磁極12,13が位置するよう
に延ばされた鉄心11と、この鉄心11に巻回された複
数のコイル14,14…とからなっている。主磁極1
2,13は互いに対向して配置されている。
【0018】さらに、本実施例では、エッチング室1の
両外側で互いに対向するように、一対の補助電磁石1
5,16が配置されている。これらの補助電磁石15,
16は、各々、補助磁極21,22を有する鉄心17,
18と、これに巻回されたコイル19,20とからなっ
ている。
両外側で互いに対向するように、一対の補助電磁石1
5,16が配置されている。これらの補助電磁石15,
16は、各々、補助磁極21,22を有する鉄心17,
18と、これに巻回されたコイル19,20とからなっ
ている。
【0019】このように構成された主電磁石10及び補
助電磁石15,16は、図示しない制御手段によって、
これらにかけられる電流を制御されるように構成されて
いる。
助電磁石15,16は、図示しない制御手段によって、
これらにかけられる電流を制御されるように構成されて
いる。
【0020】先ず、各磁極が図1に示すようになってい
る場合について説明する。主磁極12及び主磁極13
は、各々、主電磁石10のコイル14に電流が流される
ことにより、N極及びS極を取る。一方、補助磁石1
5,16のコイル19,20に電流が流され、この電流
の強さが調整されることにより、補助磁極21,22
は、主磁極12のN極に対してはS極をとるが、主磁極
13のS極に対しては見かけ上のN極をとっている。こ
れにより、図1に実線で示すように、主磁極12からの
磁力線は、主磁極13、補助磁極21,22に受けいれ
られ、補助磁石21,22からの磁力線も主磁極13に
受け入れられる。その結果、電界内では、従来のよう
に、磁力線が広がりをもつことがなく、磁力線を任意に
制御できる。そのため、プラズマの電界中の電子は、図
1に破線で示すように、電界内では、1つの方向に進む
ようになり、従来のように2つの方向に分けられること
がない。その結果、プラズマは、電界中の電子の進行方
向に緩やかな傾斜をもって密に集められている(即ち、
図1の上方にプラズマが集められる)が、プラズマ分布
にバラツキが少なくなる。即ち、プラズマの密度が局所
的に異なるといったことを有効に防止できる。したがっ
て、電界内でのエッチングレートを均一にすることがで
きる。また、プラズマの分布がなだらかなため、ウェハ
4のダメージ低減にも有効である。
る場合について説明する。主磁極12及び主磁極13
は、各々、主電磁石10のコイル14に電流が流される
ことにより、N極及びS極を取る。一方、補助磁石1
5,16のコイル19,20に電流が流され、この電流
の強さが調整されることにより、補助磁極21,22
は、主磁極12のN極に対してはS極をとるが、主磁極
13のS極に対しては見かけ上のN極をとっている。こ
れにより、図1に実線で示すように、主磁極12からの
磁力線は、主磁極13、補助磁極21,22に受けいれ
られ、補助磁石21,22からの磁力線も主磁極13に
受け入れられる。その結果、電界内では、従来のよう
に、磁力線が広がりをもつことがなく、磁力線を任意に
制御できる。そのため、プラズマの電界中の電子は、図
1に破線で示すように、電界内では、1つの方向に進む
ようになり、従来のように2つの方向に分けられること
がない。その結果、プラズマは、電界中の電子の進行方
向に緩やかな傾斜をもって密に集められている(即ち、
図1の上方にプラズマが集められる)が、プラズマ分布
にバラツキが少なくなる。即ち、プラズマの密度が局所
的に異なるといったことを有効に防止できる。したがっ
て、電界内でのエッチングレートを均一にすることがで
きる。また、プラズマの分布がなだらかなため、ウェハ
4のダメージ低減にも有効である。
【0021】次に、主電磁石10への電流の方向を切換
えて、各磁極が図4に示すようになっている場合につい
て説明する。この場合には、主磁極13がN極を取り、
主磁極12がS極を取り、補助磁石15,16のコイル
19,20への電流を調整して、補助磁極21,22
は、主磁極13のN極に対してはS極をとるが、主磁極
12のS極に対しては見かけ上のN極をとっている。こ
の場合にも、図4に実線で示すように、主磁極13から
の磁力線は、主磁極12、補助磁極21,22に受けい
れられ、補助磁石21,22からの磁力線も主磁極12
に受け入れられる。その結果、電界内では、磁力線が密
に集められ、プラズマの電界中の電子は、図4に破線で
示すように、電界内では、1つの方向に進み、その結
果、プラズマは、電界中の電子の進行方向に緩やかな傾
斜をもって密に集められている(即ち、図4の下方にプ
ラズマが集められる)が、プラズマ分布にバラツキが少
なくなり、したがって、ウェハ4でのエッチングレート
を均一にすることができる。
えて、各磁極が図4に示すようになっている場合につい
て説明する。この場合には、主磁極13がN極を取り、
主磁極12がS極を取り、補助磁石15,16のコイル
19,20への電流を調整して、補助磁極21,22
は、主磁極13のN極に対してはS極をとるが、主磁極
12のS極に対しては見かけ上のN極をとっている。こ
の場合にも、図4に実線で示すように、主磁極13から
の磁力線は、主磁極12、補助磁極21,22に受けい
れられ、補助磁石21,22からの磁力線も主磁極12
に受け入れられる。その結果、電界内では、磁力線が密
に集められ、プラズマの電界中の電子は、図4に破線で
示すように、電界内では、1つの方向に進み、その結
果、プラズマは、電界中の電子の進行方向に緩やかな傾
斜をもって密に集められている(即ち、図4の下方にプ
ラズマが集められる)が、プラズマ分布にバラツキが少
なくなり、したがって、ウェハ4でのエッチングレート
を均一にすることができる。
【0022】また、このように、図1の場合と図4の場
合とに2通りに切換えることにより、プラズマが密に集
められる箇所が上方(図1の場合)から下方(図4の場
合)に切換えることができ、これにより、プラズマは、
電界内で均一に分布することができ、エッチングレート
の均一性をより一層向上させることができる。
合とに2通りに切換えることにより、プラズマが密に集
められる箇所が上方(図1の場合)から下方(図4の場
合)に切換えることができ、これにより、プラズマは、
電界内で均一に分布することができ、エッチングレート
の均一性をより一層向上させることができる。
【0023】なお、補助電磁石15,16は、永久磁石
であってもよい。また、補助電磁石15,16の補助磁
極21,22は、N極、S極のいずれに固定してもよ
く、主電磁石10の切換え時に、同時に、補助磁極2
1,22が反転されてもよい。
であってもよい。また、補助電磁石15,16の補助磁
極21,22は、N極、S極のいずれに固定してもよ
く、主電磁石10の切換え時に、同時に、補助磁極2
1,22が反転されてもよい。
【0024】次に、図5乃至図9を参照して、本発明の
第2の実施例に係るプラズマ発生装置について説明す
る。図5は、本発明の第2の実施例に係るプラズマ発生
装置の模式的平面断面図であり、図6は、図5に示すプ
ラズマ発生装置の模式的側面断面図である。
第2の実施例に係るプラズマ発生装置について説明す
る。図5は、本発明の第2の実施例に係るプラズマ発生
装置の模式的平面断面図であり、図6は、図5に示すプ
ラズマ発生装置の模式的側面断面図である。
【0025】エッチング室1内では、被処理物4及び電
極5aが配置されており、電極5aに対向して、対向電
極5bが配置されている。これにより、紙面に垂直に電
界がかけられている。本実施例では、エッチング室1の
四方側面を取り囲むように配置されたループ状鉄心30
が設けられている。このループ状鉄心30から、エッチ
ング室1の各側面に対向するように、第1乃至第4の磁
極31,32,33,34が突出されている。これら第
1乃至第4の磁極31,32,33,34の各々の間
で、ループ状鉄心に30のコーナー部には、第1乃至第
4のコイル35,36,37,38が巻回されている。
これらの第1乃至第4のコイル35,36,37,38
は、おのおの独立しており、個々に電流の方向、大きさ
が調整されることができ、これらコイルにより形成され
る磁力線は、第1の実施例と同等のものである。
極5aが配置されており、電極5aに対向して、対向電
極5bが配置されている。これにより、紙面に垂直に電
界がかけられている。本実施例では、エッチング室1の
四方側面を取り囲むように配置されたループ状鉄心30
が設けられている。このループ状鉄心30から、エッチ
ング室1の各側面に対向するように、第1乃至第4の磁
極31,32,33,34が突出されている。これら第
1乃至第4の磁極31,32,33,34の各々の間
で、ループ状鉄心に30のコーナー部には、第1乃至第
4のコイル35,36,37,38が巻回されている。
これらの第1乃至第4のコイル35,36,37,38
は、おのおの独立しており、個々に電流の方向、大きさ
が調整されることができ、これらコイルにより形成され
る磁力線は、第1の実施例と同等のものである。
【0026】次に、作用を説明する。
【0027】第1乃至第4のコイル35,36,37,
38に流す電流として、第1のコイル35と第4のコイ
ル38とを同じ電流方向に、第2のコイル36と第3の
コイル37とを同じ電流方向に設定し、電流の強さとし
て、第1のコイル35と第2のコイル36とを同じ電流
の強さとし、第3のコイル37と第4のコイル38とを
同じ電流の強さとし、さらに、第1のコイル35の電流
の強さを第4のコイル37の電流の強さより小さく設定
する。
38に流す電流として、第1のコイル35と第4のコイ
ル38とを同じ電流方向に、第2のコイル36と第3の
コイル37とを同じ電流方向に設定し、電流の強さとし
て、第1のコイル35と第2のコイル36とを同じ電流
の強さとし、第3のコイル37と第4のコイル38とを
同じ電流の強さとし、さらに、第1のコイル35の電流
の強さを第4のコイル37の電流の強さより小さく設定
する。
【0028】これにより、第3の磁極33は、見かけ上
N極を取り、第2及び第4の磁極32,34は、第3の
磁極に対してはS極となるが、見かけ上N極を取り、第
1の磁極31は、S極を取る。したがって、エッチング
室1内では、図5に実線で示すように、第3の磁極33
からの磁力線は、第1、第2、及び第4の磁極31,3
2,34に受け入れられ、第2及び第4の磁極32,3
4からの磁力線は、第1の磁極31に受け入れられる。
その結果、電界内では、従来のように、磁力線が広がり
をもつことがなく、磁力線が密に集められている。その
ため、プラズマの電界中の電子は、図5に破線で示すよ
うに、電界内では、1つの方向に進むようになり、プラ
ズマは、電界中の電子の進行方向に緩やかな傾斜をもっ
て密に集められている(即ち、図5の右上方にプラズマ
が集められる)が、プラズマ分布にバラツキが少なくな
り、したがって、ウェハ4でのエッチングレートを均一
にすることができる。また、プラズマの分布がなだらか
なため、ウェハ4のダメージ低減にも有効である。
N極を取り、第2及び第4の磁極32,34は、第3の
磁極に対してはS極となるが、見かけ上N極を取り、第
1の磁極31は、S極を取る。したがって、エッチング
室1内では、図5に実線で示すように、第3の磁極33
からの磁力線は、第1、第2、及び第4の磁極31,3
2,34に受け入れられ、第2及び第4の磁極32,3
4からの磁力線は、第1の磁極31に受け入れられる。
その結果、電界内では、従来のように、磁力線が広がり
をもつことがなく、磁力線が密に集められている。その
ため、プラズマの電界中の電子は、図5に破線で示すよ
うに、電界内では、1つの方向に進むようになり、プラ
ズマは、電界中の電子の進行方向に緩やかな傾斜をもっ
て密に集められている(即ち、図5の右上方にプラズマ
が集められる)が、プラズマ分布にバラツキが少なくな
り、したがって、ウェハ4でのエッチングレートを均一
にすることができる。また、プラズマの分布がなだらか
なため、ウェハ4のダメージ低減にも有効である。
【0029】次に、第1乃至第4のコイル35,36,
37,38に流す電流の強さ及び方向を切換えて、第1
乃至第4の磁極31,32,33,34が図7に示すよ
うなN,S極を取るようにする。この場合には、第4の
磁極34がS極となっており、この第4の磁極34に磁
力線が集まるため、プラズマは、図7の左上方に密に集
められると共に、プラズマ分布にバラツキが少なくな
り、ウェハ4でのエッチングレートを均一にすることが
できる。
37,38に流す電流の強さ及び方向を切換えて、第1
乃至第4の磁極31,32,33,34が図7に示すよ
うなN,S極を取るようにする。この場合には、第4の
磁極34がS極となっており、この第4の磁極34に磁
力線が集まるため、プラズマは、図7の左上方に密に集
められると共に、プラズマ分布にバラツキが少なくな
り、ウェハ4でのエッチングレートを均一にすることが
できる。
【0030】同様に、第1乃至第4のコイル35,3
6,37,38に流す電流の強さ及び方向を切換えて、
第1乃至第4の磁極31,32,33,34が図8に示
すようなN,S極を取るようにする。この場合には、第
3の磁極33がS極となっており、この第3の磁極33
に磁力線が集まるため、プラズマは、図8の左下方に密
に集められると共に、プラズマ分布にバラツキが少なく
なり、ウェハ4でのエッチングレートを均一にすること
ができる。
6,37,38に流す電流の強さ及び方向を切換えて、
第1乃至第4の磁極31,32,33,34が図8に示
すようなN,S極を取るようにする。この場合には、第
3の磁極33がS極となっており、この第3の磁極33
に磁力線が集まるため、プラズマは、図8の左下方に密
に集められると共に、プラズマ分布にバラツキが少なく
なり、ウェハ4でのエッチングレートを均一にすること
ができる。
【0031】さらに、同様に、第1乃至第4のコイル3
5,36,37,38に流す電流の強さ及び方向を切換
えて、第1乃至第4の磁極31,32,33,34が図
9に示すようなN,S極を取るようにする。この場合に
は、第2の磁極32がS極となっており、この第2の磁
極32に磁力線が集まるため、プラズマは、図9の右下
方に密に集められると共に、プラズマ分布にバラツキが
少なくなり、ウェハ4でのエッチングレートを均一にす
ることができる。
5,36,37,38に流す電流の強さ及び方向を切換
えて、第1乃至第4の磁極31,32,33,34が図
9に示すようなN,S極を取るようにする。この場合に
は、第2の磁極32がS極となっており、この第2の磁
極32に磁力線が集まるため、プラズマは、図9の右下
方に密に集められると共に、プラズマ分布にバラツキが
少なくなり、ウェハ4でのエッチングレートを均一にす
ることができる。
【0032】このように、磁界の方向が4通りに切換え
ることにより、プラズマが密に集められる箇所が右上方
(図5の場合)、左上方(図7の場合)、左下方(図8
の場合)、右下方(図9の場合)に切換えることがで
き、これにより、プラズマは、電界内トータルとして均
一に分布することができ、エッチングレートの均一性を
より一層向上させることができる。
ることにより、プラズマが密に集められる箇所が右上方
(図5の場合)、左上方(図7の場合)、左下方(図8
の場合)、右下方(図9の場合)に切換えることがで
き、これにより、プラズマは、電界内トータルとして均
一に分布することができ、エッチングレートの均一性を
より一層向上させることができる。
【0033】さらに、本実施例のプラズマ発生装置は、
鉄心30がループ状であるため、第1の実施例の場合に
比べて、鉄心の総重量を軽減することができ、その形状
もコンパクトになり、装置化が容易になっている。さら
に、鉄心30がループ状になっていることと、第1乃至
第4のコイル35,36,37,38が分散巻きになっ
ていることとにより、外部への発散磁場を少なくするこ
とができる。
鉄心30がループ状であるため、第1の実施例の場合に
比べて、鉄心の総重量を軽減することができ、その形状
もコンパクトになり、装置化が容易になっている。さら
に、鉄心30がループ状になっていることと、第1乃至
第4のコイル35,36,37,38が分散巻きになっ
ていることとにより、外部への発散磁場を少なくするこ
とができる。
【0034】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れないのは勿論であり、種々変形可能である。
れないのは勿論であり、種々変形可能である。
【0035】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項1で
は、磁力線が広がりをもつことがなく、磁力線を任意に
制御できる。そのため、プラズマの電界中の電子は、電
界内で相対的に1つの方向に進むようになり、その結
果、プラズマは、電界中の電子の進行方向に緩やかな傾
斜をもって密に集められている。即ち、プラズマの密度
が局所的に異なるといったことを有効に防止できる。こ
れにより、被処理物でのエッチングレートを均一にする
ことができる。また、プラズマの分布がなだらかなた
め、被処理物のダメージ低減にも有効である。
は、磁力線が広がりをもつことがなく、磁力線を任意に
制御できる。そのため、プラズマの電界中の電子は、電
界内で相対的に1つの方向に進むようになり、その結
果、プラズマは、電界中の電子の進行方向に緩やかな傾
斜をもって密に集められている。即ち、プラズマの密度
が局所的に異なるといったことを有効に防止できる。こ
れにより、被処理物でのエッチングレートを均一にする
ことができる。また、プラズマの分布がなだらかなた
め、被処理物のダメージ低減にも有効である。
【0036】また、請求項2では、磁界方向が2通りに
切換えられている。これにより、電界中の電子の進行方
向が切り換えられ、電界中の電子の進行方向に密に集め
られるプラズマは、結果的に電界内で均一に分布するこ
とができる。エッチングレートの均一性はより一層向上
する。
切換えられている。これにより、電界中の電子の進行方
向が切り換えられ、電界中の電子の進行方向に密に集め
られるプラズマは、結果的に電界内で均一に分布するこ
とができる。エッチングレートの均一性はより一層向上
する。
【0037】さらに、請求項3では、エッチング室の外
周囲を取り囲むように配置されたループ状鉄心に、エッ
チング室の外側で相互に対向して配置された第1乃至第
4の磁極が形成されており、ループ状鉄心の所定箇所に
第1乃至第4のコイルが巻回されている。そのため、プ
ラズマ分布にバラツキを少なくし、即ち、プラズマの密
度が局所的に異なることを有効に防止しながら、つま
り、被処理物でのエッチングレートを均一にしながら、
装置自体の重量を軽く、発散磁場を少なく、装置の構造
を簡易にすることができる。
周囲を取り囲むように配置されたループ状鉄心に、エッ
チング室の外側で相互に対向して配置された第1乃至第
4の磁極が形成されており、ループ状鉄心の所定箇所に
第1乃至第4のコイルが巻回されている。そのため、プ
ラズマ分布にバラツキを少なくし、即ち、プラズマの密
度が局所的に異なることを有効に防止しながら、つま
り、被処理物でのエッチングレートを均一にしながら、
装置自体の重量を軽く、発散磁場を少なく、装置の構造
を簡易にすることができる。
【0038】さらに、請求項4では、磁界方向が4通り
に切換えられている。これにより、請求項2の場合に比
べて被処理物上でのプラズマの分布をより一層均一にす
ることができる。
に切換えられている。これにより、請求項2の場合に比
べて被処理物上でのプラズマの分布をより一層均一にす
ることができる。
【図1】本発明の第1の実施例にプラズマ発生装置の模
式的平面断面図。
式的平面断面図。
【図2】図1に示すプラズマ発生装置の模式的正面断面
図。
図。
【図3】図1に示すプラズマ発生装置の模式的側面図。
【図4】図1に示すプラズマ発生装置の模式的平面断面
図であって、コイルへの電流が切換えられた場合を示す
図。
図であって、コイルへの電流が切換えられた場合を示す
図。
【図5】本発明の第2の実施例に係るプラズマ発生装置
の模式的平面断面図。
の模式的平面断面図。
【図6】図5に示すプラズマ発生装置の模式的側面断面
図。
図。
【図7】図5に示すプラズマ発生装置の模式的平面断面
図であって、コイルへの電流が切換えられた場合を示す
図。
図であって、コイルへの電流が切換えられた場合を示す
図。
【図8】図5に示すプラズマ発生装置の模式的平面断面
図であって、コイルへの電流が切換えられた場合を示す
図。
図であって、コイルへの電流が切換えられた場合を示す
図。
【図9】図5に示すプラズマ発生装置の模式的平面断面
図であって、コイルへの電流が切換えられた場合を示す
図。
図であって、コイルへの電流が切換えられた場合を示す
図。
【図10】従来に係るプラズマ発生装置の模式的平面断
面図。
面図。
1 エッチング室 10 主電磁石(主磁石) 12 主磁極 13 主磁極 15 補助電磁石(補助磁石) 16 補助電磁石(補助磁石) 21 補助磁極 22 補助磁極 30 ループ状鉄心 31 第1の磁極 32 第2の磁極 33 第3の磁極 34 第4の磁極 35 第1のコイル 36 第2のコイル 37 第3のコイル 38 第4のコイル
Claims (4)
- 【請求項1】高真空中でプラズマを発生させてスパッタ
又は化学反応によってドライエッチングを行う際、磁力
線によってプラズマを高密度化するプラズマ発生装置に
おいて、 エッチング室の外側で電界に垂直な方向で互いに対向し
て配置された一対の主磁極を有する主磁石と、 これら一対の主磁石の対向方向にほぼ垂直な方向に対向
するようにエッチング室の外側に配置された一対の補助
磁極を有する磁石と、を具備することを特徴とするプラ
ズマ発生装置。 - 【請求項2】一方の主磁石が他方の主磁石及び一対の補
助磁石から磁力線を受ける場合と、他方の主磁石が一方
の主磁石及び一対の補助磁石から磁力線を受ける場合と
を切換えるように、これら主磁石及び補助磁石を制御す
る制御手段をさらに具備することを特徴とする請求項1
に記載のプラズマ発生装置。 - 【請求項3】高真空中でプラズマを発生させてスパッタ
又は化学反応によってドライエッチングを行う際、磁力
線によってプラズマを高密度化するプラズマ発生装置に
おいて、 エッチング室の外周囲を取り囲むように配置されたルー
プ状鉄心と、 エッチング室の外側で電界に垂直な方向で相互に対向し
て配置され、このループ状鉄心に形成された第1乃至第
4の磁極と、 これら第1乃至第4の磁極の各々の間でループ状鉄心に
巻回された第1乃至第4のコイルと、を具備することを
特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項4】第1乃至第4の磁極のうち、いずれか1つ
の磁極が残りの3つの磁極から磁力線を受けるように第
1乃至第4の磁極を順次切り換える第1乃至第4のコイ
ルの制御手段をさらに具備することを特徴とする請求項
3に記載のプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5074586A JPH06290897A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5074586A JPH06290897A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | プラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06290897A true JPH06290897A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13551418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5074586A Pending JPH06290897A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06290897A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013511812A (ja) * | 2009-11-18 | 2013-04-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマ源デザイン |
| JP2014132570A (ja) * | 2013-01-04 | 2014-07-17 | Psk Inc | プラズマチャンバー及び基板処理装置 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP5074586A patent/JPH06290897A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013511812A (ja) * | 2009-11-18 | 2013-04-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマ源デザイン |
| JP2014132570A (ja) * | 2013-01-04 | 2014-07-17 | Psk Inc | プラズマチャンバー及び基板処理装置 |
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