JPH06291111A - 半導体基板の処理装置 - Google Patents
半導体基板の処理装置Info
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- JPH06291111A JPH06291111A JP7566593A JP7566593A JPH06291111A JP H06291111 A JPH06291111 A JP H06291111A JP 7566593 A JP7566593 A JP 7566593A JP 7566593 A JP7566593 A JP 7566593A JP H06291111 A JPH06291111 A JP H06291111A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の処理装置において、処理室内へ
の大気の混入を防止すること。 【構成】 縦長の処理室内に複数枚の半導体基板５４を
保持し、処理室内に処理ガスを流して、基板５４に対し
前記処理ガスの処理効果を与えるものであって、半導体
基板５４を、処理室内で基板の面が垂直方向とほぼ平行
になるように保持する保持装置１を設けたもの。
の大気の混入を防止すること。 【構成】 縦長の処理室内に複数枚の半導体基板５４を
保持し、処理室内に処理ガスを流して、基板５４に対し
前記処理ガスの処理効果を与えるものであって、半導体
基板５４を、処理室内で基板の面が垂直方向とほぼ平行
になるように保持する保持装置１を設けたもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板を熱処理す
るための装置に関する。
るための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおい
て、熱酸化処理や拡散処理等を行うための熱処理装置
が、例えば特開平４−３０２４１８号公報（Ｈ０１Ｌ２
１／２２）に示されており、これを図５に基づいて説明
する。５１は縦型円筒状の処理室であり、下面に半導体
基板の出入口５２を有している。５３は前記処理室５１
内で半導体基板５４・・・を保持するための保持装置で
あり、これにより、半導体基板５４・・・は処理室５１
内で垂直方向に互いに間隔を置いて支持される。５５は
前記処理室５１の頂上部に設けられた導入部であり、こ
こから処理ガスが導入管５６を通して導入される。５７
は前記処理室５１の下部に設けられ、室内の処理ガスを
室外に排出するための排出部である。
て、熱酸化処理や拡散処理等を行うための熱処理装置
が、例えば特開平４−３０２４１８号公報（Ｈ０１Ｌ２
１／２２）に示されており、これを図５に基づいて説明
する。５１は縦型円筒状の処理室であり、下面に半導体
基板の出入口５２を有している。５３は前記処理室５１
内で半導体基板５４・・・を保持するための保持装置で
あり、これにより、半導体基板５４・・・は処理室５１
内で垂直方向に互いに間隔を置いて支持される。５５は
前記処理室５１の頂上部に設けられた導入部であり、こ
こから処理ガスが導入管５６を通して導入される。５７
は前記処理室５１の下部に設けられ、室内の処理ガスを
室外に排出するための排出部である。
【０００３】５８は前記処理室５１を内包するように配
設された円筒状の均熱管（例えば材質としてシリコンカ
ーバイト（ＳｉＣ）が用いられている）、５９はこの均
熱管５８を内包するように配設された円筒状の加熱装置
であり、ドーナツ状のヒータ６０〜６４を積み重ねるこ
とにより構成されている。而して、半導体基板５４・・
・の熱処理は、前記加熱装置５９により処理室５１内が
６００℃〜８００℃程度の安定温度になるまで加熱した
後、処理室５１内に半導体基板５４・・・（保持装置５
３）を挿入し、処理室５１内の温度を処理温度まで引き
上げ、処理ガスを導入する。
設された円筒状の均熱管（例えば材質としてシリコンカ
ーバイト（ＳｉＣ）が用いられている）、５９はこの均
熱管５８を内包するように配設された円筒状の加熱装置
であり、ドーナツ状のヒータ６０〜６４を積み重ねるこ
とにより構成されている。而して、半導体基板５４・・
・の熱処理は、前記加熱装置５９により処理室５１内が
６００℃〜８００℃程度の安定温度になるまで加熱した
後、処理室５１内に半導体基板５４・・・（保持装置５
３）を挿入し、処理室５１内の温度を処理温度まで引き
上げ、処理ガスを導入する。
【０００４】処理ガスは前記処理室５１内をほぼ上下
（垂直）方向に流れ、その間に前記半導体基板５４・・
・に対し処理効果を与える。処理後は処理室５１内を引
き出し温度まで低下させ、基板５４・・・（保持装置５
３）を処理室５１から引き出す。
（垂直）方向に流れ、その間に前記半導体基板５４・・
・に対し処理効果を与える。処理後は処理室５１内を引
き出し温度まで低下させ、基板５４・・・（保持装置５
３）を処理室５１から引き出す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例にあっては、処
理室５１内において、半導体基板５４・・・を、基板の
面が水平方向に平行になるように保持していたので、次
のような不具合が生じる。 保持装置５３を処理室５１内に挿入する際に、各基板
５４・・・間に溜っていた空気が抜けきらずに、処理室
５１内に大量の空気が混入することがある。
理室５１内において、半導体基板５４・・・を、基板の
面が水平方向に平行になるように保持していたので、次
のような不具合が生じる。 保持装置５３を処理室５１内に挿入する際に、各基板
５４・・・間に溜っていた空気が抜けきらずに、処理室
５１内に大量の空気が混入することがある。
【０００６】保持装置５３と基板５４・・・との接触
部に圧力が加わって、図６のようなスリップ転位等の欠
陥６５が発生する。 本発明は、半導体処理装置の改良に関し、このような問
題点を解消するものである。
部に圧力が加わって、図６のようなスリップ転位等の欠
陥６５が発生する。 本発明は、半導体処理装置の改良に関し、このような問
題点を解消するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、縦長の処理室
内に複数枚の半導体基板を保持し、前記処理室内に処理
ガスを流して、前記基板に対し前記処理ガスの処理効果
を与える半導体基板の処理装置であって、前記半導体基
板を、基板の面が垂直方向とほぼ平行になるように保持
したものである。
内に複数枚の半導体基板を保持し、前記処理室内に処理
ガスを流して、前記基板に対し前記処理ガスの処理効果
を与える半導体基板の処理装置であって、前記半導体基
板を、基板の面が垂直方向とほぼ平行になるように保持
したものである。
【０００８】
【作用】即ち、半導体基板を、基板の面が垂直方向とほ
ぼ平行になるように保持することにより、半導体基板を
処理室内に挿入する際に、基板間の空気が抜けやすくな
る。また、保持している間は、基板の面に圧力が加わら
ず、基板の外周端面に圧力が加わるので、強度的にも耐
えることができる。
ぼ平行になるように保持することにより、半導体基板を
処理室内に挿入する際に、基板間の空気が抜けやすくな
る。また、保持している間は、基板の面に圧力が加わら
ず、基板の外周端面に圧力が加わるので、強度的にも耐
えることができる。
【０００９】
【実施例】本発明の第１実施例を図１および図２に基づ
いて説明する。但し、従来例と異なる点は、半導体基板
の保持装置の構造のみであるので、その他の構造につい
ては説明を省略する。本実施例の保持装置１は石英製の
キャリア２を複数個積み重ねることにより構成されてい
る。
いて説明する。但し、従来例と異なる点は、半導体基板
の保持装置の構造のみであるので、その他の構造につい
ては説明を省略する。本実施例の保持装置１は石英製の
キャリア２を複数個積み重ねることにより構成されてい
る。
【００１０】前記キャリア２は図２の通り、両端部に正
方形の枠部３、４を有し、各枠部３、４を繋ぐ４本の横
桟部５〜８には、半導体基板５４・・・を、基板の面が
垂直方向に平行となるように支持するための溝９・・・
が形成されている。この溝９・・・は１つのキャリア２
で基板５４・・・を多数支持できるように、等間隔で多
数設けられている。
方形の枠部３、４を有し、各枠部３、４を繋ぐ４本の横
桟部５〜８には、半導体基板５４・・・を、基板の面が
垂直方向に平行となるように支持するための溝９・・・
が形成されている。この溝９・・・は１つのキャリア２
で基板５４・・・を多数支持できるように、等間隔で多
数設けられている。
【００１１】前記枠部３、４の上端部には凸部１０が形
成されていると共に下端部には凹部１１が設けられてい
る。即ち、キャリア２同士を積み重ねたとき、下方のキ
ャリア２の凸部１０と上方のキャリア２の凹部１１とが
嵌まり合って、崩れないように結合する。而して、半導
体基板５４・・・は保持装置１に図１の如く保持され、
前記処理室５１内に挿入される。
成されていると共に下端部には凹部１１が設けられてい
る。即ち、キャリア２同士を積み重ねたとき、下方のキ
ャリア２の凸部１０と上方のキャリア２の凹部１１とが
嵌まり合って、崩れないように結合する。而して、半導
体基板５４・・・は保持装置１に図１の如く保持され、
前記処理室５１内に挿入される。
【００１２】前記処理室５１内では処理ガスが上から下
へほぼ垂直方向に流れているが、基板５４・・・も、そ
の面が垂直方向に平行となるように支持されているの
で、上方の基板が処理ガスの流れを阻害することなく、
円滑に全基板に対し処理効果を与える。また、前記保持
装置１は複数のキャリア２に分割することにより、各キ
ャリア２を基板５４の搬送用として利用することができ
る。例えば、熱処理工程の前には洗浄工程が必要である
が、洗浄装置内に基板５４をキャリア２ごと持ち込むよ
うにすれば、洗浄装置から熱処理装置へ基板を移し替え
る手間を省くことができ、また移し替え作業によって基
板が汚染することない。
へほぼ垂直方向に流れているが、基板５４・・・も、そ
の面が垂直方向に平行となるように支持されているの
で、上方の基板が処理ガスの流れを阻害することなく、
円滑に全基板に対し処理効果を与える。また、前記保持
装置１は複数のキャリア２に分割することにより、各キ
ャリア２を基板５４の搬送用として利用することができ
る。例えば、熱処理工程の前には洗浄工程が必要である
が、洗浄装置内に基板５４をキャリア２ごと持ち込むよ
うにすれば、洗浄装置から熱処理装置へ基板を移し替え
る手間を省くことができ、また移し替え作業によって基
板が汚染することない。
【００１３】尚、前記キャリア２の材質は、石英以外に
もＳｉＣでもよく、１０００℃以上の高温に耐えること
のできるものであればよい。ところで、前記熱処理工程
以外にも、半導体装置の製造過程においては、半導体基
板を薬液処理した後、純水で洗浄してこの薬液を除去す
る工程がある。この処理装置を図３および図４に基づい
て説明する。
もＳｉＣでもよく、１０００℃以上の高温に耐えること
のできるものであればよい。ところで、前記熱処理工程
以外にも、半導体装置の製造過程においては、半導体基
板を薬液処理した後、純水で洗浄してこの薬液を除去す
る工程がある。この処理装置を図３および図４に基づい
て説明する。
【００１４】１２は３つの立方体を逆Ｌ字形状に接続し
て構成された処理槽であり、縦方向に伸びる２／３の領
域を純水洗浄層１３として、横方向に突出する１／３の
領域を薬液処理槽１４として使用する。１５は前記純水
洗浄槽１３と薬液処理槽１４との間を仕切る仕切板であ
り、前記処理槽１２に対し着脱自在に設けられ、この仕
切板１５を取り外したときには、前記純水洗浄槽１３と
薬液処理槽１４とが完全に連通する。
て構成された処理槽であり、縦方向に伸びる２／３の領
域を純水洗浄層１３として、横方向に突出する１／３の
領域を薬液処理槽１４として使用する。１５は前記純水
洗浄槽１３と薬液処理槽１４との間を仕切る仕切板であ
り、前記処理槽１２に対し着脱自在に設けられ、この仕
切板１５を取り外したときには、前記純水洗浄槽１３と
薬液処理槽１４とが完全に連通する。
【００１５】前記純水洗浄槽１３は、洗浄される半導体
基板５４の径の約２．５倍の深さ（高さ）を有してい
る。１６は前記洗浄槽１３の側壁における１／２の深さ
位置に設けられた排水部であり、夫々排水弁１７により
開閉することができる。１８は前記薬液処理槽１４の底
部に設けられた排液部であり、排液弁１９によって開閉
することができる。２０は基板５４を前記処理槽１２内
で搬送するための保持具である。
基板５４の径の約２．５倍の深さ（高さ）を有してい
る。１６は前記洗浄槽１３の側壁における１／２の深さ
位置に設けられた排水部であり、夫々排水弁１７により
開閉することができる。１８は前記薬液処理槽１４の底
部に設けられた排液部であり、排液弁１９によって開閉
することができる。２０は基板５４を前記処理槽１２内
で搬送するための保持具である。
【００１６】斯かる構成の洗浄装置において、薬液処理
および純水洗浄工程は、図４の通り行われる。まず、前
記仕切板１５を装着し、前記薬液処理槽１４に薬液を、
純水洗浄槽１３に純水を夫々満たす。前記薬液処理槽１
４内に基板５４（保持具２０）を浸漬し、薬液処理した
後（図４Ａ）、前記仕切板１５を取り去り、そのまま基
板５４を薬液処理槽１４から純水洗浄槽１３へ平行移動
させる（図４Ｂ）。
および純水洗浄工程は、図４の通り行われる。まず、前
記仕切板１５を装着し、前記薬液処理槽１４に薬液を、
純水洗浄槽１３に純水を夫々満たす。前記薬液処理槽１
４内に基板５４（保持具２０）を浸漬し、薬液処理した
後（図４Ａ）、前記仕切板１５を取り去り、そのまま基
板５４を薬液処理槽１４から純水洗浄槽１３へ平行移動
させる（図４Ｂ）。
【００１７】再び仕切板１５を装着し、前記基板５４を
純水洗浄槽１３の下半領域に移動させた後、前記排液弁
１９を開放して前記薬液処理槽１４内の薬液を排出する
と共に、前記排水弁１７を開放して、前記純水洗浄槽１
３内の上半領域に純水を排出する（図４Ｃ）。その後、
排水弁１７を閉じ、純水洗浄槽１３内に純水を供給し、
純水を洗浄槽１３の上端からオーバーフローさせながら
基板５４の純水洗浄を行う（図２Ｄ）。
純水洗浄槽１３の下半領域に移動させた後、前記排液弁
１９を開放して前記薬液処理槽１４内の薬液を排出する
と共に、前記排水弁１７を開放して、前記純水洗浄槽１
３内の上半領域に純水を排出する（図４Ｃ）。その後、
排水弁１７を閉じ、純水洗浄槽１３内に純水を供給し、
純水を洗浄槽１３の上端からオーバーフローさせながら
基板５４の純水洗浄を行う（図２Ｄ）。
【００１８】洗浄を終えると乾燥を行う。以上のよう
に、本実施例の洗浄装置にあっては、半導体基板を大気
に触れさせることなく、薬液処理および純水洗浄を行う
ことができるので、大気や洗浄水に浮遊しているパーテ
ィクル等の汚染物質が基板５４に付着することを防止で
きる。
に、本実施例の洗浄装置にあっては、半導体基板を大気
に触れさせることなく、薬液処理および純水洗浄を行う
ことができるので、大気や洗浄水に浮遊しているパーテ
ィクル等の汚染物質が基板５４に付着することを防止で
きる。
【００１９】
【発明の効果】本発明の半導体基板の処理装置にあって
は、半導体基板を、基板の面が垂直方向とほぼ平行にな
るように保持することにより、半導体基板を処理室内に
挿入する際に、基板間の空気が抜けやすくなるので、処
理室内に空気が混入してガス処理に支障を来すことを防
止できる。
は、半導体基板を、基板の面が垂直方向とほぼ平行にな
るように保持することにより、半導体基板を処理室内に
挿入する際に、基板間の空気が抜けやすくなるので、処
理室内に空気が混入してガス処理に支障を来すことを防
止できる。
【００２０】また、保持している間は、基板の面に圧力
が加わらず、基板の外周端面に圧力が加わるので、強度
的にも耐えることができる。
が加わらず、基板の外周端面に圧力が加わるので、強度
的にも耐えることができる。
【図１】本発明の実施例における半導体基板の保持装置
の側面図である。
の側面図である。
【図２】同じくキャリアの斜視図である。
【図３】同じく基板の薬液処理兼純水洗浄装置の斜視図
である。
である。
【図４】同じく基板の薬液処理および純水洗浄工程の説
明図である。
明図である。
【図５】従来例における熱処理装置の内部機構図であ
る。
る。
【図６】従来例における保持装置で保持した基板の平面
図である。
図である。
１ 保持装置 ５１ 処理室 ５４ 半導体基板
Claims (1)
- 【請求項１】 縦長の処理室内に複数枚の半導体基板を
保持し、前記処理室内に処理ガスを流して、前記基板に
対し前記処理ガスの処理効果を与えるものであって、前
記半導体基板を、前記処理室内で、基板の面が垂直方向
とほぼ平行になるように保持する保持装置を設けたこと
を特徴とする半導体基板の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7566593A JPH06291111A (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | 半導体基板の処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7566593A JPH06291111A (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | 半導体基板の処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291111A true JPH06291111A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13582743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7566593A Pending JPH06291111A (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | 半導体基板の処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291111A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235934A (ja) * | 2008-05-26 | 2008-10-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、ボート、熱処理方法、及び半導体の製造方法 |
| US7699067B2 (en) * | 2005-12-02 | 2010-04-20 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Clamping apparatus for washing optical members |
-
1993
- 1993-04-01 JP JP7566593A patent/JPH06291111A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7699067B2 (en) * | 2005-12-02 | 2010-04-20 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Clamping apparatus for washing optical members |
| JP2008235934A (ja) * | 2008-05-26 | 2008-10-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、ボート、熱処理方法、及び半導体の製造方法 |
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