JPH0629121A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0629121A JPH0629121A JP1137291A JP1137291A JPH0629121A JP H0629121 A JPH0629121 A JP H0629121A JP 1137291 A JP1137291 A JP 1137291A JP 1137291 A JP1137291 A JP 1137291A JP H0629121 A JPH0629121 A JP H0629121A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高保磁力と低記録再生ノイズの特性を有し、
かつ、保磁力角型性を改善した磁気記録媒体を得る。 【構成】 非磁性支持体の上に下地膜、磁性膜、保護膜
が順次形成された磁気記録媒体であって、磁性膜がＣｏ
ＮｉＣｒＴａからなる合金膜で、原子％でＮｉが５〜３
５％、Ｃｒが７〜１４％、Ｔａが０．３〜０．９％含ま
れる磁気記録媒体。
かつ、保磁力角型性を改善した磁気記録媒体を得る。 【構成】 非磁性支持体の上に下地膜、磁性膜、保護膜
が順次形成された磁気記録媒体であって、磁性膜がＣｏ
ＮｉＣｒＴａからなる合金膜で、原子％でＮｉが５〜３
５％、Ｃｒが７〜１４％、Ｔａが０．３〜０．９％含ま
れる磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置などの
磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体に関し、特に磁
気特性及び記録再生特性が向上した磁気記録媒体に関す
る。
磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体に関し、特に磁
気特性及び記録再生特性が向上した磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体における記録媒体として、
従来より、非磁性支持体の表面に、酸化鉄粉末と有機バ
インダーとからなる磁性膜を形成した所謂塗布型磁気記
録媒体が使用されてきたが、近年磁気記録の高密度化の
要請から、強磁性金属薄膜を磁性膜とする金属薄膜型磁
気記録媒体へと変わりつつある。その非磁性支持体上に
形成される磁性膜の成分，組成は磁気的性質、記録再生
特性、耐候性等を総合的に評価して決定され、最も一般
的なＣｏＮｉ合金やＣｏＮｉＣｒ合金などのＣｏＮｉ系
合金、ノイズ特性に優れたＣｏＣｒＴａ合金やＣｏＣｒ
Ｚｒ合金などのＣｏＣｒ系合金、及び下地膜が不用でか
つ優れた特性をもつＣｏＮｉＰｔ合金やＣｏＣｒＰｔ合
金などのＣｏＰｔ系合金が使用されている。そして前記
ＣｏＮｉＣｒ合金のノイズ特性を改良するために、Ｃｏ
ＮｉＣｒ合金にＴａを１〜３原子％添加したＣｏＮｉＣ
ｒＴａ合金を用いたものが知られている。（特開平２−
２３５１１号公報））
従来より、非磁性支持体の表面に、酸化鉄粉末と有機バ
インダーとからなる磁性膜を形成した所謂塗布型磁気記
録媒体が使用されてきたが、近年磁気記録の高密度化の
要請から、強磁性金属薄膜を磁性膜とする金属薄膜型磁
気記録媒体へと変わりつつある。その非磁性支持体上に
形成される磁性膜の成分，組成は磁気的性質、記録再生
特性、耐候性等を総合的に評価して決定され、最も一般
的なＣｏＮｉ合金やＣｏＮｉＣｒ合金などのＣｏＮｉ系
合金、ノイズ特性に優れたＣｏＣｒＴａ合金やＣｏＣｒ
Ｚｒ合金などのＣｏＣｒ系合金、及び下地膜が不用でか
つ優れた特性をもつＣｏＮｉＰｔ合金やＣｏＣｒＰｔ合
金などのＣｏＰｔ系合金が使用されている。そして前記
ＣｏＮｉＣｒ合金のノイズ特性を改良するために、Ｃｏ
ＮｉＣｒ合金にＴａを１〜３原子％添加したＣｏＮｉＣ
ｒＴａ合金を用いたものが知られている。（特開平２−
２３５１１号公報））
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記金
属薄膜型磁気記録媒体は、これまでの塗布型磁気記録媒
体にまさる高密度記録が可能であるが、以下に示すよう
な欠点をもっていた。ＣｏＮｉＣｒなどのＣｏＮｉ系合
金は組成を選ぶことで、保磁力Ｈｃ及び保磁力角型性Ｓ
* を大きくできるため、高周波数での出力が低下せず高
密度記録が可能であるが、記録再生ノイズを下げるには
限界があり、より大きな保磁力Ｈｃ及び保磁力角型性Ｓ
* を有し、かつ低ノイズの磁気記録媒体を実現すること
が困難であった。また、ＣｏＣｒＴａなどのＣｏＣｒ系
合金は記録再生ノイズは低くできるが、磁気特性の保磁
力Ｈｃや保磁力角型性Ｓ* がＣｏＮｉＣｒなどに比べ、
かなり小さいため、高周波域での特性が余り良くなかっ
た。さらに、ＣｏＮｉＰｔなどのＣｏＰｔ系合金は保磁
力角型性Ｓ* が小さいこと以外は特性としては良いが、
コスト的に材料費が極めて高くつくという欠点があっ
た。また、ＣｏＮｉＣｒＴａ合金は、Ｔａを１〜３原子
％添加し、Ｔａを粒界に偏析させることによりＣｏＮｉ
Ｃｒ合金の特性をある程度維持しつつ、ノイズ特性を改
良したものであるが、やはりノイズを小さくしようとす
ると保磁力角型性Ｓ* が小さくなり、高周波域での記録
再生特性がそれほど改善されないという問題があった。
属薄膜型磁気記録媒体は、これまでの塗布型磁気記録媒
体にまさる高密度記録が可能であるが、以下に示すよう
な欠点をもっていた。ＣｏＮｉＣｒなどのＣｏＮｉ系合
金は組成を選ぶことで、保磁力Ｈｃ及び保磁力角型性Ｓ
* を大きくできるため、高周波数での出力が低下せず高
密度記録が可能であるが、記録再生ノイズを下げるには
限界があり、より大きな保磁力Ｈｃ及び保磁力角型性Ｓ
* を有し、かつ低ノイズの磁気記録媒体を実現すること
が困難であった。また、ＣｏＣｒＴａなどのＣｏＣｒ系
合金は記録再生ノイズは低くできるが、磁気特性の保磁
力Ｈｃや保磁力角型性Ｓ* がＣｏＮｉＣｒなどに比べ、
かなり小さいため、高周波域での特性が余り良くなかっ
た。さらに、ＣｏＮｉＰｔなどのＣｏＰｔ系合金は保磁
力角型性Ｓ* が小さいこと以外は特性としては良いが、
コスト的に材料費が極めて高くつくという欠点があっ
た。また、ＣｏＮｉＣｒＴａ合金は、Ｔａを１〜３原子
％添加し、Ｔａを粒界に偏析させることによりＣｏＮｉ
Ｃｒ合金の特性をある程度維持しつつ、ノイズ特性を改
良したものであるが、やはりノイズを小さくしようとす
ると保磁力角型性Ｓ* が小さくなり、高周波域での記録
再生特性がそれほど改善されないという問題があった。
【０００４】上記の保磁力Ｈｃや保磁力角型性Ｓ* につ
いての問題は、特にヘッドの飛行高さを低減するため
に、より平滑な非磁性支持体として有望なガラス基板を
用いる場合に、より重大な問題となる。
いての問題は、特にヘッドの飛行高さを低減するため
に、より平滑な非磁性支持体として有望なガラス基板を
用いる場合に、より重大な問題となる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性支持体
上に非磁性下地膜、合金磁性膜、保護膜が順次形成され
ている磁気記録媒体であって、前記合金磁性膜の組成
が、下記の化学式で表わした磁気記録媒体である。ここ
で
上に非磁性下地膜、合金磁性膜、保護膜が順次形成され
ている磁気記録媒体であって、前記合金磁性膜の組成
が、下記の化学式で表わした磁気記録媒体である。ここ
で
【０００６】
【化１】Ｘは５〜３５、Ｙは７〜１４、Ｚは０．３〜
０．９で原子％で表わした値である。
０．９で原子％で表わした値である。
【０００７】本発明の磁気記録媒体の合金磁性膜は、Ｃ
ｏＮｉＣｒ系合金にＴａが添加された４元系合金であ
る。ＣｏＮｉＣｒ系３元合金は、磁性膜として望まれる
高い保磁力Ｈｃ及び高い残留磁束密度Ｂｒを有する合金
であり、第４元素としてＴａを添加することにより、Ｃ
ｏＮｉＣｒ系３元合金磁性膜の磁気特性、すなわち高い
保磁力Ｈｃと高い保磁力角型性Ｓ* を損なうことなく、
記録再生ノイズを顕著に低減することが出来る。これは
Ｔａを適量添加することによって、磁性膜の結晶粒界に
Ｔａが偏析し、結晶粒界が適度な大きさになるためと考
えられる。
ｏＮｉＣｒ系合金にＴａが添加された４元系合金であ
る。ＣｏＮｉＣｒ系３元合金は、磁性膜として望まれる
高い保磁力Ｈｃ及び高い残留磁束密度Ｂｒを有する合金
であり、第４元素としてＴａを添加することにより、Ｃ
ｏＮｉＣｒ系３元合金磁性膜の磁気特性、すなわち高い
保磁力Ｈｃと高い保磁力角型性Ｓ* を損なうことなく、
記録再生ノイズを顕著に低減することが出来る。これは
Ｔａを適量添加することによって、磁性膜の結晶粒界に
Ｔａが偏析し、結晶粒界が適度な大きさになるためと考
えられる。
【０００８】本発明に係る磁性膜のＣｏＮｉＣｒＴａ系
合金の組成において、Ｎｉの原子％は５〜３５％であ
る。５％より小さいと、磁性膜の耐候性が悪くなり、ま
た３５％を越えると飽和磁束密度Ｂｓが減少するため、
十分な出力が得られない。
合金の組成において、Ｎｉの原子％は５〜３５％であ
る。５％より小さいと、磁性膜の耐候性が悪くなり、ま
た３５％を越えると飽和磁束密度Ｂｓが減少するため、
十分な出力が得られない。
【０００９】更に、Ｎｉの量は、高い保磁力Ｈｃと高い
保磁力角型性Ｓ* を有し、かつ、低い記録再生ノイズ特
性を得るために、２０〜３０％が好ましい。また、Ｃｒ
の原子％は、７〜１４％である。７％より小さいと磁性
膜の耐候性が劣化し、一方１４％より大きいと保磁力角
型性Ｓ* が低下し記録再生特性が劣化する。更に、合金
膜中のＣｒの量は、保磁力角型性を０．８５以上とする
ためには７〜１１％が好ましい。
保磁力角型性Ｓ* を有し、かつ、低い記録再生ノイズ特
性を得るために、２０〜３０％が好ましい。また、Ｃｒ
の原子％は、７〜１４％である。７％より小さいと磁性
膜の耐候性が劣化し、一方１４％より大きいと保磁力角
型性Ｓ* が低下し記録再生特性が劣化する。更に、合金
膜中のＣｒの量は、保磁力角型性を０．８５以上とする
ためには７〜１１％が好ましい。
【００１０】また、Ｔａの量は、０．３〜０．９原子％
である。０．３％より小さいとＴａの効果がほとんどな
く、０．９％を越えるとＣｒを多量に添加した場合と同
様に偏析が多くなり膜の結晶粒界が大きくなるため、保
磁力角型性Ｓ* が低下し記録再生特性が劣化する。更
に、Ｔａの量は、保磁力角型性Ｓ* が０．８５以上とす
るためには０．３〜０．７５原子％が好ましい。
である。０．３％より小さいとＴａの効果がほとんどな
く、０．９％を越えるとＣｒを多量に添加した場合と同
様に偏析が多くなり膜の結晶粒界が大きくなるため、保
磁力角型性Ｓ* が低下し記録再生特性が劣化する。更
に、Ｔａの量は、保磁力角型性Ｓ* が０．８５以上とす
るためには０．３〜０．７５原子％が好ましい。
【００１１】本発明の磁気記録媒体に用いられる非磁性
下地膜としては、非磁性下地膜を２層の積層構造とし、
前記合金磁性膜と接する側の第１の下地膜を結晶性の金
属膜または合金膜とし、前記非磁性支持体に接する側の
第２の下地膜を少なくとも前記第１の下地膜と接する界
面で非晶質とした合金膜であることが、磁気特性を良く
する上で好ましい。ここで第１の下地膜としては、Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれた少なくとも１種以上を含
む結晶性の膜を好んで用いることができる。また、第２
の下地膜は、膜方向全体にわたって非晶質であってもよ
く、第１の下地膜との界面近傍でのみ非晶質であっても
よい。そして、第２の下地膜としてはＴｉとＹとからな
る非晶質合金膜やＴｉとＳｉとからなる非晶質合金膜を
好んで用いることができる。とりわけ、保磁力角型性Ｓ
* を大きくするには、ＴｉとＳｉとからなる膜が最も好
ましい。
下地膜としては、非磁性下地膜を２層の積層構造とし、
前記合金磁性膜と接する側の第１の下地膜を結晶性の金
属膜または合金膜とし、前記非磁性支持体に接する側の
第２の下地膜を少なくとも前記第１の下地膜と接する界
面で非晶質とした合金膜であることが、磁気特性を良く
する上で好ましい。ここで第１の下地膜としては、Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれた少なくとも１種以上を含
む結晶性の膜を好んで用いることができる。また、第２
の下地膜は、膜方向全体にわたって非晶質であってもよ
く、第１の下地膜との界面近傍でのみ非晶質であっても
よい。そして、第２の下地膜としてはＴｉとＹとからな
る非晶質合金膜やＴｉとＳｉとからなる非晶質合金膜を
好んで用いることができる。とりわけ、保磁力角型性Ｓ
* を大きくするには、ＴｉとＳｉとからなる膜が最も好
ましい。
【００１２】また、本発明の磁気記録媒体の保護膜とし
ては、カーボン膜やＳｉＯ2 膜を用いることができ、と
りわけカーボン膜が自己潤滑性が優れているので好まし
く用いられる。
ては、カーボン膜やＳｉＯ2 膜を用いることができ、と
りわけカーボン膜が自己潤滑性が優れているので好まし
く用いられる。
【００１３】さらに非磁性支持体と非磁性下地膜との間
に保護膜の表面に凹凸を形成するための凹凸形成物を設
けてもよい。例えば有機金属化合物の溶液にコロイダル
シリカやアルミナゾルなどの微粒子を添加した溶液を、
非磁性支持体上に塗布することにより凹凸を形成した
り、非磁性支持体上にＡｌ、Ａｇ等の低融点金属を島状
に蒸着やスパッタリングにより形成したものが凹凸形成
物として用いられる。
に保護膜の表面に凹凸を形成するための凹凸形成物を設
けてもよい。例えば有機金属化合物の溶液にコロイダル
シリカやアルミナゾルなどの微粒子を添加した溶液を、
非磁性支持体上に塗布することにより凹凸を形成した
り、非磁性支持体上にＡｌ、Ａｇ等の低融点金属を島状
に蒸着やスパッタリングにより形成したものが凹凸形成
物として用いられる。
【００１４】また、本発明の合金磁性膜の膜厚は、使用
するヘッドやドライブの周速度にもよるため一義的に定
めることはできないが、通常の条件下では十分な出力を
得るために３０〜８０ｎｍが好ましい。
するヘッドやドライブの周速度にもよるため一義的に定
めることはできないが、通常の条件下では十分な出力を
得るために３０〜８０ｎｍが好ましい。
【００１５】本発明にかかる非磁性支持体としては、例
えば、ガラス板、セラミック板、アルミニウム板、チタ
ニウム金属板が挙げられる。これらの中でも、表面の平
坦性が良いことからガラス板が好ましく、またガラス板
の中でもとりわけフロート法で製造されたソーダライム
組成のガラス板は最も安価に入手できるので特に好まし
い。本発明の磁気記録媒体の非磁性下地膜、合金磁性
膜、保護膜はいずれも公知のスパッタリング法や真空蒸
着法で形成することができる。
えば、ガラス板、セラミック板、アルミニウム板、チタ
ニウム金属板が挙げられる。これらの中でも、表面の平
坦性が良いことからガラス板が好ましく、またガラス板
の中でもとりわけフロート法で製造されたソーダライム
組成のガラス板は最も安価に入手できるので特に好まし
い。本発明の磁気記録媒体の非磁性下地膜、合金磁性
膜、保護膜はいずれも公知のスパッタリング法や真空蒸
着法で形成することができる。
【００１６】
【作用】本発明の合金磁性膜中に含まれるＴａ成分は、
保磁力角型性Ｓ* を大きく維持したまま、前記合金磁性
膜の結晶粒界を大きくして記録再生ノイズを低減する。
保磁力角型性Ｓ* を大きく維持したまま、前記合金磁性
膜の結晶粒界を大きくして記録再生ノイズを低減する。
【００１７】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。図１
は、本発明の磁気記録媒体の一実施例の一部断面図で、
フロートガラス板を円盤状に加工し化学強化したガラス
板１の上にガラス板表面から放出される不純ガスが合金
磁性膜３に拡散しないようにするためにガス吸臓性の金
属膜６が被覆され、金属膜６の上に保護膜４の表面に凹
凸を形成するための凹凸形成物５が形成され、さらに第
１の下地膜２１と第２の下地膜２２の２層からなる非磁
性下地膜２が形成され、非磁性下地膜２の上に順次合金
磁性膜３と保護膜４が形成されている。図２は、本発明
の磁気記録媒体の他の実施例の一部断面図で、ガラス板
１の上に第１の下地膜２１と第２の下地膜２２の２層か
らなる非磁性下地膜２が形成され、さらに合金磁性膜３
と保護膜４とが順次形成されている。
は、本発明の磁気記録媒体の一実施例の一部断面図で、
フロートガラス板を円盤状に加工し化学強化したガラス
板１の上にガラス板表面から放出される不純ガスが合金
磁性膜３に拡散しないようにするためにガス吸臓性の金
属膜６が被覆され、金属膜６の上に保護膜４の表面に凹
凸を形成するための凹凸形成物５が形成され、さらに第
１の下地膜２１と第２の下地膜２２の２層からなる非磁
性下地膜２が形成され、非磁性下地膜２の上に順次合金
磁性膜３と保護膜４が形成されている。図２は、本発明
の磁気記録媒体の他の実施例の一部断面図で、ガラス板
１の上に第１の下地膜２１と第２の下地膜２２の２層か
らなる非磁性下地膜２が形成され、さらに合金磁性膜３
と保護膜４とが順次形成されている。
【００１８】実施例１ よく洗浄された円盤状に加工され化学強化されたソーダ
ライム組成のガラス基板を、インライン型スパッタリン
グ装置にセットし、アルゴンガスを用いた直流スパッタ
リングにより連続してガラス基板上に、３０ｎｍの厚み
のＴｉ膜、アルミニウム（Ａｌ）の凹凸形成物、２０ｎ
ｍの厚みのＴｉとＳｉとからなる第２の下地膜、６０ｎ
ｍの厚みのＣｒからなる第１の下地膜、６０ｎｍの厚み
のＣｏ６３．５％Ｎｉ２５％Ｃｒ１１％Ｔａ０．８％の
原子組成を有する合金磁性膜、３０ｎｍの厚みのカーボ
ン膜を順次形成した。Ｔｉ膜を形成する前の真空度のバ
ックグラウンドを０．０００１３Ｐａとし、Ｔｉ膜の形
成はガラス基板を２００℃に加熱しておこない、Ａｌの
凹凸形成物は、約１５ｎｍの連続した平滑なＡｌ膜が形
成されるＡｌ量をＡｌターゲットを用いてスパッタリン
グし、ガラス基板を２００℃にすることによりＡｌがＴ
ｉ膜上に付着する時に島状に凝縮するようにし、不連続
な凹凸形成物とした。またＴｉとＳｉからなる膜は、チ
タニウムシリサイドをターゲットに用いガラス基板温度
を２００℃として形成し、合金磁性膜はＣｏ６３．５％
Ｎｉ２５％Ｃｒ１１％Ｔａ０．８％の合金をターゲット
に用いガラス基板温度を３５０℃にして形成し、カーボ
ン膜はカーボンをターゲットとしてガラス基板温度を３
５０℃にして形成した。
ライム組成のガラス基板を、インライン型スパッタリン
グ装置にセットし、アルゴンガスを用いた直流スパッタ
リングにより連続してガラス基板上に、３０ｎｍの厚み
のＴｉ膜、アルミニウム（Ａｌ）の凹凸形成物、２０ｎ
ｍの厚みのＴｉとＳｉとからなる第２の下地膜、６０ｎ
ｍの厚みのＣｒからなる第１の下地膜、６０ｎｍの厚み
のＣｏ６３．５％Ｎｉ２５％Ｃｒ１１％Ｔａ０．８％の
原子組成を有する合金磁性膜、３０ｎｍの厚みのカーボ
ン膜を順次形成した。Ｔｉ膜を形成する前の真空度のバ
ックグラウンドを０．０００１３Ｐａとし、Ｔｉ膜の形
成はガラス基板を２００℃に加熱しておこない、Ａｌの
凹凸形成物は、約１５ｎｍの連続した平滑なＡｌ膜が形
成されるＡｌ量をＡｌターゲットを用いてスパッタリン
グし、ガラス基板を２００℃にすることによりＡｌがＴ
ｉ膜上に付着する時に島状に凝縮するようにし、不連続
な凹凸形成物とした。またＴｉとＳｉからなる膜は、チ
タニウムシリサイドをターゲットに用いガラス基板温度
を２００℃として形成し、合金磁性膜はＣｏ６３．５％
Ｎｉ２５％Ｃｒ１１％Ｔａ０．８％の合金をターゲット
に用いガラス基板温度を３５０℃にして形成し、カーボ
ン膜はカーボンをターゲットとしてガラス基板温度を３
５０℃にして形成した。
【００１９】得られた磁気記録媒体の保磁力を測定した
ところ、１５００Ｏｅであり、保磁力角型性Ｓ* は０．
９１で良好な値であった。また、この磁気記録媒体を評
価したところ、グライド特性は２マイクロインチであ
り、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気記録媒体表面
の間の距離フライングハイトを３マイクロインチとして
測定したところ、Ｓ／Ｎ比の値が３０ｄＢ、Ｄ５０（出
力が低周波数での値の１／２になる周波数）が６３ｋＦ
ＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）であった。
ところ、１５００Ｏｅであり、保磁力角型性Ｓ* は０．
９１で良好な値であった。また、この磁気記録媒体を評
価したところ、グライド特性は２マイクロインチであ
り、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気記録媒体表面
の間の距離フライングハイトを３マイクロインチとして
測定したところ、Ｓ／Ｎ比の値が３０ｄＢ、Ｄ５０（出
力が低周波数での値の１／２になる周波数）が６３ｋＦ
ＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）であった。
【００２０】実施例２ よく洗浄された円盤状に加工され化学強化されたソーダ
ライム組成のガラス基板を、インライン型スパッタリン
グ装置にセットし、アルゴンガスを用いた直流スパッタ
リングにより連続してガラス基板上に３０ｎｍの厚みの
ＴｉとＳｉとからなる第２の下地膜、１０ｎｍの厚みの
Ｃｒからなる第１の下地膜、６０ｎｍの厚みのＣｏ６
３．６％Ｎｉ２６％Ｃｒ１０％Ｔａ０．４％の原子組成
を有する合金磁性膜、３０ｎｍの厚みのカーボン膜を順
次形成した。ＴｉとＳｉからなる膜はチタニウムシリサ
イドをターゲットに用いガラス基板温度を２００℃に形
成した。その後ガラス基板温度を３５０℃に維持して、
Ｃｒ膜はＣｒをターゲットに用い、合金磁性膜はＣｏ６
３．６％Ｎｉ２６％Ｃｒ１０％Ｔａ０．４％の組成の合
金をターゲットに用い、カーボン膜はカーボンをターゲ
ットに用いて形成した。得られた磁気記録媒体の保磁力
を測定したところ、１５００Ｏｅであり、保磁力角型比
Ｓ* は０．９４で良好な値であった。また、この磁気記
録媒体を評価したところ、グライド特性は２マイクロイ
ンチ以下であり、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気
ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マイクロ
インチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３２ｄＢ、Ｄ
５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波数）が
６５ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）であっ
た。
ライム組成のガラス基板を、インライン型スパッタリン
グ装置にセットし、アルゴンガスを用いた直流スパッタ
リングにより連続してガラス基板上に３０ｎｍの厚みの
ＴｉとＳｉとからなる第２の下地膜、１０ｎｍの厚みの
Ｃｒからなる第１の下地膜、６０ｎｍの厚みのＣｏ６
３．６％Ｎｉ２６％Ｃｒ１０％Ｔａ０．４％の原子組成
を有する合金磁性膜、３０ｎｍの厚みのカーボン膜を順
次形成した。ＴｉとＳｉからなる膜はチタニウムシリサ
イドをターゲットに用いガラス基板温度を２００℃に形
成した。その後ガラス基板温度を３５０℃に維持して、
Ｃｒ膜はＣｒをターゲットに用い、合金磁性膜はＣｏ６
３．６％Ｎｉ２６％Ｃｒ１０％Ｔａ０．４％の組成の合
金をターゲットに用い、カーボン膜はカーボンをターゲ
ットに用いて形成した。得られた磁気記録媒体の保磁力
を測定したところ、１５００Ｏｅであり、保磁力角型比
Ｓ* は０．９４で良好な値であった。また、この磁気記
録媒体を評価したところ、グライド特性は２マイクロイ
ンチ以下であり、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気
ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マイクロ
インチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３２ｄＢ、Ｄ
５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波数）が
６５ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）であっ
た。
【００２１】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、ＣｏＮｉＣｒ
３元合金磁性膜の優れた磁気特性及び記録再生特性を凌
ぐ良好な特性を有しており、記録再生ノイズや保磁力Ｈ
ｃなどの特性を維持したまま、保磁力角型性Ｓ* が改善
されているため、より高周波域での記録再生においてピ
ークシフトを小さく抑えることができ、フェーズマージ
ン特性が向上し、より高密度で記録再生が可能となる。
３元合金磁性膜の優れた磁気特性及び記録再生特性を凌
ぐ良好な特性を有しており、記録再生ノイズや保磁力Ｈ
ｃなどの特性を維持したまま、保磁力角型性Ｓ* が改善
されているため、より高周波域での記録再生においてピ
ークシフトを小さく抑えることができ、フェーズマージ
ン特性が向上し、より高密度で記録再生が可能となる。
【図１】本発明の一実施例の一部断面図
【図２】本発明の他の実施例の一部断面図
１ 非磁性支持体 ２ 非磁性下地膜 ２１ 第１の下地膜 ２２ 第２の下地膜 ３ 合金磁性膜 ４ 保護膜 ５ 凹凸形成物 ６ 金属膜
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に非磁性下地膜、合金磁
性膜、保護膜がこの順序で形成された磁気記録媒体であ
って、前記合金磁性膜の組成が下記の化学式で表わした
磁気記録媒体。 【化１】 ただし，Ｘは５〜３５、Ｙは７〜１４、Ｚは０．３〜
０．９で原子％で表わした値とする。 - 【請求項２】 前記非磁性下地膜が積層された２つの膜
からなり、前記合金磁性膜と接する側の第１の下地膜
が、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれた少なくとも１種以
上を含む結晶性の膜であり、前記非磁性支持体に接する
側の第２の下地膜が、少なくとも前記第１の下地膜と接
する界面で非晶質とした合金膜であることを特徴とする
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記第２の下地膜がＴｉとＳｉとからな
ることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137291A JP2909485B2 (ja) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137291A JP2909485B2 (ja) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629121A true JPH0629121A (ja) | 1994-02-04 |
| JP2909485B2 JP2909485B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=11776188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1137291A Expired - Lifetime JP2909485B2 (ja) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2909485B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132177B2 (en) | 2001-07-11 | 2006-11-07 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and fabrication method thereof |
-
1991
- 1991-01-07 JP JP1137291A patent/JP2909485B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132177B2 (en) | 2001-07-11 | 2006-11-07 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and fabrication method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2909485B2 (ja) | 1999-06-23 |
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