JPH06291417A - オプトエレクトロニックデバイス及びその製造方法 - Google Patents

オプトエレクトロニックデバイス及びその製造方法

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JPH06291417A
JPH06291417A JP5225957A JP22595793A JPH06291417A JP H06291417 A JPH06291417 A JP H06291417A JP 5225957 A JP5225957 A JP 5225957A JP 22595793 A JP22595793 A JP 22595793A JP H06291417 A JPH06291417 A JP H06291417A
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layer
insulating material
optoelectronic device
strip
electrically insulating
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Slimane Loualiche
スリマーヌ、ルアリッシュ
Claude Vaudry
クロード、ボドリー
Loic Henry
ロワ、アンリー
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France Telecom R&D SA
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France Telecom SA
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 エピタキシ成長を再開することを必要とする
ことなく、また動作において完全に安定であるストリッ
プ形状のアクティブ領域を含む新たな半導体オプトエレ
トクロニックデバイス構造を提案する。 【構成】 本発明によるプロセスは１）単一のエピタキ
シ成長によってオプトエレクトロニックデバイスの完全
な構造を構成する各種の層（１２０、１３０、１４０、
１５０、１６０）を製造する過程；２）過程１において
得られた構造をオプトエレクトロニックデバイスのアク
ティブ層（１３０）のベースまでこのアクティブ層内の
ストリップを分離するためにエッチングする過程；及び
３）エッチングされた領域上に制御された屈折率を持つ
電気的な絶縁材料（１７０）を堆積する過程を含む。本
発明は、また、こうして得られたデバイスにも関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はストリップ形状にて一つ
のアクティブ領域を持つ半導体オプトエレクトロニック
デバイスの分野に関する。本発明は、より詳細には、半
導体レーザに関するが、ただし、これに限定されるもの
ではない。
【０００２】
【従来の技術】今日使用されている最も一般的なレーザ
構造は二重ヘテロ接合によって形成される。
【０００３】付属の図１及び２から分かるように、二重
ヘテロ接合によって構成される半導体レーザは、一般的
に、半導体基板１０上に低エネルギギャップ半導体材料
で製造されたアクティブ層１４を含む。刺激された放射
（電子／正孔対の再結合の結果としてこの材料のエネル
ギギャップに近いエネルギの光の放射が生ずる）による
反射光を増幅するこのアクティブ層１４は、その主面１
３、１５の各面が高エネルギギャップ半導体材料によっ
て製造された層１２、１６によってそれぞれ囲まれてい
る。
【０００４】半導体レーザは通常ＧａＡｓ或はＩｎＰ基
板１０上に作りあげられる。１３００ｎｍから１５００
ｎｍの波長にて動作する電気通信で採用されるレーザの
場合は、基板１０はＩｎＰで製造される。８５０ｎｍ及
び最高６３０ｎｍまでの波長にて動作するレーザ（例え
ば、コンパクトディスク用のレーザ）の場合は、基板１
０はＧａＡｓで製造される。
【０００５】アクティブ層１４とその下の層１２との間
の界面はレーザのｐ−ｎ接合を構成する。高エネルギギ
ャップの二つの層１２、１６は構造の横方向の閉じ込め
(confinement) 、つまり、アクティブ層１４と高エネル
ギギャップの隣接した層１２との間に形成される接合に
対して垂直方向の閉じ込めを確保する。
【０００６】アクティブ層１４は１０００ｎｍ以下（典
型的には、２００ｎｍ）の厚さである。これを囲む層１
２及び１６はこれよりも厚く、通常は、１０００ｎｍ以
上（典型的には、１５００から２０００ｎｍ）の厚さで
ある。
【０００７】アクティブゾーン１４はまた包囲ゾーン１
２及び１６よりも高い屈折率を持つ。例えば、１５００
ｎｍにて放射するＩｎＰ基板１０上に製造された二重ヘ
テロ構造レーザの場合、ＧａＩｎＡｓＰアクティブゾー
ン１４は２００ｎｍの厚さ及び３．５の屈折率を持ち、
ＩｎＰ内に製造される光学的及び電気的拘束層１２及び
１６は約１５００ｎｍの厚さ及び３．２の屈折率を持
つ。
【０００８】キャリア、ホール及び電子の再結合によっ
てアクティブ領域１５内で放射される光は低屈折率の閉
じ込め層１２及び１６によってガイドされる。好ましく
は、フォトンが放出されるアクティブ利得ゾーン１４と
ガイド層１２及び１６との間に大きな重ね合せ(overla
p) が求められる。
【０００９】アクティブ領域１４はまた長さ方向及び横
方向の両方において閉じ込められる。長さ方向の閉じ込
めはアクティブ領域１４をつくり上げている結晶構造を
二つの反射器が形成されるように面１１０或は１−１０
に沿って切り開くことによって得られる。
【００１０】光線は従って一般にアクティブ層１４の最
も大きな寸法(dimension) に対応する１００の方向に伝
播する。この寸法は短いレーザの場合の０．０５ｍｍか
ら長いレーザの場合の１ｍｍまでの範囲を持つ。
【００１１】横方向の閉じ込めによって画定されるアク
ティブ層１４の幅は、一般的には、１０００から２００
０ｎｍまでの範囲内である。
【００１２】アクティブ層１４の横方向の閉じ込めを確
保するため、つまり、基板１０よりも狭いストリップ形
状のアクティブゾーンを画定するために様々な技法が提
案されている。
【００１３】５つの周知の横方向閉じ込め技法が図３か
ら７に簡略的に示される。
【００１４】図３に示される第一の周知の技法による
と、長方形のストリップがベース基板にエッチングさ
れ、次にアクティブゾーンがこのストリップ内にエピタ
キシ成長される。この技法はチャネル状基板プレーナレ
ーザを得ることを可能にする。
【００１５】図４に示される第二の周知の技法による
と、レーザ構造全体が単一の成長によって製造される。
次に、光学的な横方向の閉じ込めが構造全体をストリッ
プの回りのアクティブゾーンの上約２００ｎｍまでエッ
チングすることによって提供される。ストリップは安定
したモードを提供するために約１０００ｎｍから３００
０ｎｍの厚さにされる。酸化層が次にストリップ上を除
く全ての所を電気的に絶縁するために堆積される。スト
リップの上方のコンタクトが電流を供給するために使用
される。このゾーンの上のアクティブゾーンに接近した
（２００或は３００ｎｍで）低屈折率の絶縁が光学モー
ドが横方向にストリップの外側に広がることを阻止す
る。この構造の長所はこれがエピタキシを再開すること
なく製造できることであり、ストリップ構造（リッジ導
波体レーザ）として知られている。
【００１６】図５に示される第三の周知の方法において
は、Ｖ−形状がエピタキシ成長された層内にエッチング
される。次に、二重ヘテロ構造がこのＶ−形状にエッチ
ングされた構造の上にＬＰＥ（液相成長、liquid phase
epitaxy）を使用して、良好な横方向の電気的閉じ込め
を得るために、ｎゾーンがＶ構造内にＶ構造の外側に位
置するｐゾーンの前に置かれる或はこの逆に置かれると
いう規則を尊重してエピタキシ成長を再開することによ
って製造される。これは、エピタキシ成長が再開された
とき、これら層がＶ構造の中心の所においてその端の所
よりも厚いという事実によって可能とされる。これは、
これら層に三日月形状（crescent shape）（従って、埋
め込み三日月レーザの名前がある）を与える。
【００１７】図６に示される第四の周知の技法による
と、ＤＣＰＢＨ構造（二重チャネルプレート埋込みヘテ
ロ構造レーザ、Double Channel Planar Buried Heteros
tructure Laser）として知られる構造が二つのチャネル
をアクティブゾーンとして機能するストリップの各サイ
ド上にエッチングすることによって得られる。Ｎ及びＰ
ゾーンエピタキシ成長がレーザの光学的及び電気的閉じ
込めを確保するためにエッチングされたチャネル上のス
トリップの回りに再開される。エピタキシル成長はＬＰ
Ｅによって再開される。
【００１８】図７に示される第五番目の技法によると、
ＢＲＳ（埋込みリッジ構造、BuriedRidge Structure）
として知られる構造を生成するため二重エピタキシ成長
が使用される。第一のエピタキシ成長がバッファ層、及
びこれに続いてアクティブゾーンを包囲する光学的及び
電気的閉じ込めゾーンを成長するために使用される。次
に、１０００から２０００ｎｍのストリップがこのスト
リップの回りの材料をエッチングし、（アクティブゾー
ンの上下の閉じ込めゾーンと同一の）低屈折率の材料に
てエピタキシ成長を再開することによって画定される。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】上述した様々な技法は
多大な貢献をしてきたが、しかしながら、完全に満足で
きるというものではない。
【００２０】第一に、図５、６及び７に示される異なる
屈折率でガイドする構造はエピタキシ成長の再開を要求
するが、これは、これら技法の良さを減らし、製造時間
を増加させる。
【００２１】さらに、図３及び４に示される構造は、エ
ピタキシ成長の再開なしに製造されるが、この光学ガイ
ドは利得によって達成され、従って低く、動作において
非常に安定であるとはいえない。
【００２２】
【発明の概要】上記の問題が本発明によって解決される
が、本発明の目的は、エピタキシ成長を再開することを
必要とすることなく、また動作において完全に安定であ
るストリップ形状のアクティブ領域を含む新たな半導体
オプトエレトクロニックデバイス構造を提案することに
ある。
【００２３】この目的は、本発明に従って、ストリップ
形状のアクティブ領域を含む半導体オプトエレクトロニ
ックデバイスを製造するためのプロセスを利用して達成
されるが、このプロセスは：１）単一のエピタキシ成長
にてオプトエレクトロニックデバイスの完全な構造を構
成する様々な層を製造する過程、２）過程１）において
得られた構造をオプトエレクトロニックデバイスのアク
ティブ層の基板までこの中のストリップを分離するため
にエッチングする過程、及び３）エッチングされたゾー
ン上に制御された屈折率を持つ電気的に絶縁材料を堆積
する過程を含む。
【００２４】本発明は、また上のプロセスを実施するこ
とによって得られる半導体オプトエレクトロニックデバ
イスに関する。本発明は、特にこの明細書の導入の所で
述べられたように、半導体レーザの製造に関する。本発
明の他の特徴、目的及び長所は、付属の図面との関連で
以下の制限を目的とするのではない本発明の幾つかの実
施例の詳細な説明から完全に理解できるものである。
【００２５】
【実施例】前に述べられまた図８に示されるように、本
発明によるストリップ形状のアクティブ領域を含む半導
体オプトエレクトロニックデバイスを製造するためのプ
ロセスは、本質的に：１）図８の過程１００に示される
ように、単一のエピタキシによってオプトエレクトロニ
ックデバイスの完全な構造を形成する種々の層を製造す
る過程、２）上記過程１において得られた構造を図８の
過程１０２に簡略的に示されるように、この構造内のス
トリップを分離するためにオプトエレクトロニックデバ
イスのアクティブ層のベースまでエッチングする過程、
及び３）図８の過程１０４によって簡略的に示されるよ
うに、エッチングされたゾーン上に制御された屈折率の
電気的の絶縁材料を堆積する過程を含む。
【００２６】レーザを製造する用途としてのフレームワ
ーク内においては、過程１）は、より厳密には、好まし
くは、単一のエピタキシの際に第一の閉じ込め層（conf
inement layer ）、アクティブゾーン、第二の閉じ込め
層、及び少なくとも一つのオーミックコンタクトゾーン
（ohmic contact zone）から構成される一つの完全なレ
ーザ構造を製造することから成る。
【００２７】一例として、本発明の一つの特定の実施例
が図１０から１５との関連で以下に詳細に説明される。
制御された屈折率を持つ電気的絶縁材料は、当業者にお
いて周知の任意の適当な技法を使用して過程３）におい
て堆積することができる。これは、これに限定されるも
のではないが、電子銃(electron gun)によって、或はＣ
ＶＤ（ChemicalVapor Deposition ）或はＭＯＣＶＤ（M
etal Organic Chemical Vapor Deposition ）という名
前で知られている技法を使用して堆積することができ
る。制御された屈折率を持つ閉じ込め材料の使用は良好
な光学閉じ込めを得ることを可能にする。さらに、過程
３）において堆積された絶縁材料の高い電気抵抗特性は
良好な電気的閉じ込めを提供する。過程３）において堆
積された電気絶縁材料の屈折率はその厚さを通じて一定
であり得る。バリエーションとして、その厚さを通じて
変動する屈折率を持つ材料を光学閉じ込め特性を改良す
るために使用することもできるが、この場合、材料の屈
折率は、過程３）における堆積段階の際に変化させられ
る。本発明の好ましい実施例によると、過程３）におい
て堆積される制御された屈折率を持つ電気材料は、窒化
ケイ素とされる。
【００２８】本発明者はこの特定の材料を多くのテスト
の結果として選択した。窒化ケイ素は本発明の実現のフ
レームワーク内においては多くの長所を持つが、以下に
は、これらの幾つかが示される。−エッチングされたス
トリップのエッジに、この上に欠陥を生成することな
く、完全に順応する。−材料の屈折率がアモルファスシ
リコンの３．８から窒化ケイ素Ｓｉ3 Ｎ4 の２．８まで
変動できるため屈折率の変化の範囲が大きい。窒化ケイ
素は、従って、１５５０ｎｍの波長において屈折率がお
おむね３から３．５まで変動するIII-IV族半導体材料の
代わりに使用するのに適当である。 −窒化ケイ素の抵抗は１０9 Ωｃｍより大きい。 −窒化ケイ素は産業上見つけることができる最も純粋な
基本材料の一つである。 −窒化ケイ素は蒸発させるのが簡単である。 −窒化ケイ素は高価ではない。 −窒化ケイ素は毒性ではない。 窒化ケイ素の組成、及び、従ってその屈折率は、窒素流
のレート（流速、流量，flow rate)によって簡単に制御
することができる。窒化ケイ素の加工技術、より具体的
には、エッチング、アニーリングなどはマイクロエレク
トロニクスにおいて周知である。
【００２９】本発明者は電子銃によって堆積された窒化
ケイ素の屈折率を窒素の流速の関数として調べた。結果
としての測定された曲線が図９に示される。図９は過程
３）において堆積される材料の屈折率が窒素の流速によ
って簡単に制御できることを示す。明らかに、本発明
は、この特定の実施例に制限されるものではなく、周囲
雰囲気の制御によって過程３）において堆積される電気
抵抗材料の屈折率を制御するというより一般的な方法に
拡張できるものであり、この周囲雰囲気はもっぱら窒素
のみで構成されるというものではない。
【００３０】一例として、本発明が次に図１０から１５
を参照しながらより詳細に説明される。これら図面に示
される実施例によると、本発明者は、ガス状ソース分子
線エピタキシ（gaseous source molecular beam epitax
y 、ＧＳＭＢＥ）を使用する単一のエピタキシによって
一つの完全な二重ヘテト構造をベースとしたレーザ構造
を構成する種々の層を製造した。
【００３１】より詳細には、図１０に示されるように、
本発明者はｎ+ ＩｎＰ基板１１０から開始し、この上に
最初に一つの閉じ込め層として機能する厚さ１０００ｎ
ｍのｎ+ ＩｎＰバッファ層１２０を成長させた。層１２
０に続いて約１５０ｎｍの厚さの未ドープのＧａＩｎＡ
ｓＰ４成分層１３０が成長された。この層１３０はアク
ティブゾーンを形成し、１５００ｎｍの波長のレーザ放
射を提供する。本発明者は次にｐ−ドープされた２００
０ｎｍの厚さの第二の閉じ込め層１４０を堆積し、そし
て、最後に、オーミックコンタクト接続として機能する
約１００ｎｍの厚さの３成分のＧａＩｎＡｓ層１５０を
堆積した。
【００３２】エピタキシが完了した後に、図１１に示さ
れるように、本発明者は、オーミックコンタクト層１５
０上への１５００ｎｍの厚さのＴｉ／Ｐｔ／Ｔｉ金属ス
トリップ１６０の堆積へと進んだ。この金属ストリップ
はストリップレーザの横方向の寸法を定める。これは図
１１から分かる通りである。ストリップ１６０はまたＰ
ｔ／Ｔｉ／Ｐｔの形として製造することができる。堆積
された金属ストリップ１６０は４００度Ｃにおいて二分
間アニール処理された。この構造が、次に、メタン＋水
素＋アルゴンの反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：ＣＨ
4 ＋Ｈ2 ＋Ａｒ）によってエッチングされた。
【００３３】この彫り込み処理（engraving operation
）の際に、金属ストリップ１６０はエッチングマスク
として機能する。エッチングはアクティブゾーン１３０
の底面の所で、つまり、図１２に示される下側の閉じ込
め層１２０に到達したときに停止される。場合によって
は、要求されるデバイスの特性しだいで、エッチングを
アクティブゾーン１３０を越えて閉じ込め層１２０内ま
で継続することもできる。
【００３４】こうして過程２）のプロセスを終了した
後、本発明者は、図１３に示されるように、エッチング
過程において形成されたストリップも含めて、デバイス
の全表面を通じて、電子銃によって、約１０００ｎｍの
厚さにＳｉＮの層を堆積した。こうして堆積された窒化
ケイ素の屈折率は閉じ込め層を形成するＩｎＰの屈折率
と等しくなるように、つまり、１５５０ｎｍの動作波長
において、３．２になるように制御された。過程３）に
おいて堆積された窒化ケイ素層は図１３において参照番
号１７０にて示される。
【００３５】本発明者は、次に、図１４に示されるよう
に、この構造を平坦化するためにデバイス全体を通じて
約５０００ｎｍの厚さのレジン１８０の堆積を行った。
この構造は次にマスクなしに図１４に簡略的に示される
ようにドライエッチング（ＲＩＥ）によって全ての表面
に渡ってエッチングされた。このエッチング過程の際
に、レジン層１８０がストリップの外側に堆積された窒
化ケイ素層を保護する。図１４に示されるように、レジ
ン層１８０は彫り込みされたストリップの外側におい
て、彫り込みされたストリップの垂直の所よりも厚い。
過程１４において実行されるエッチングはストリップを
覆う金属１６０に到達した時点で停止された。この金属
層１６０はＲＩＥによってエッチングされないことに注
意する。
【００３６】本発明者は次に化学溶剤を使用してレジン
１８０の残りの層を除去した。こうして得られた構造は
窒化ケイ素１７０によって包囲された目に見えるオーミ
ックコンタクト金属ストリップ１６０を含むが、これ
は、その３．２の屈折率ｎのために光学的な横方向の閉
じ込め、及びその高い抵抗のために、電気的な横方向の
閉じ込めを提供する。
【００３７】図１５に簡略的に示されるように、本発明
者は、次に金属層１６０及びこれを取り巻く窒化ケイ素
上に幅の広い金の金属ストリップを堆積した。この金の
ストリップは典型的には０．１ｍｍの幅及び３００ｎｍ
の厚さを持つ。これは半田付けされた金属ワイヤのコン
タクトポイントとしての機能も果たす。好ましくは、基
板１１０と対面する面上のコンタクトはＡｕＧｅ或はこ
れと等価な純度の高い層を連続的に堆積し、その後、金
或はプラチナの厚さを増すための層を堆積することによ
って保証される。
【００３８】制御電流の関数としてのこうして形成され
たレーザ構造の出力パワーが図１７に示される。テスト
された構造の平均閾値電流はレーザ当り約５０ｍＡであ
り、最良のレーザで３５ｍＡであった。後者は０．２Ｗ
／Ａの効率を持つ。レーザダイオードの直列抵抗は、
０．３ｍｍのストリップ長に対して２から４Ωの間で変
動する。レーザは１５００ｎｍの波長で放射する。
【００３９】本発明によって製造された構造に関して行
われたテストは以下のポイントを示す。 −特に窒化ケイ素１７０の屈折率ガイディングによって
得られた良好な横方向光学的作用のためにレーザ出力の
非常に良好な安定性が得られる。 −窒化ケイ素１７０にて得られる良好な電気的閉じ込
め。 −誘電性材料１７０に起因する漂遊容量の低減のために
閉じ込めデバイスの動作周波数を増すことが可能にな
る。 −単一の薄いマスク（約１５００ｎｍ）を使用する自己
整合タイプの製造プロセスの単純さ。
【００４０】
【発明の効果】本発明によると、窒化ケイ素の屈折率が
窒素の流速によって制御でき、たまこの屈折率が実質的
にIII −IV族の材料の任意の値から再生できるため、本
発明は、優れた柔軟性を提供する。また本発明による方
法では複数の堆積技術が使用できるため製造が簡単にな
る。さらに、光学モードの次元の良好な制御が材料の屈
折率を制御することによって得られる。最後に、本発明
は、窒化ケイ素１７０の高い抵抗のために漏れ電流を低
減することを可能にする。本発明は、勿論、窒化ケイ素
１７０の特定の使用にのみ限定されるものではなく、一
般的に、任意の等価の材料の使用に拡張できるものであ
る。さらに、本発明は、レーザ構造の製造にのみ制約さ
れるものではなく、ストリップを含み、光学変調器及び
増幅器などのような電気的及び光学的な閉じ込めを必要
とする任意の半導体オプトエレクトロニックデバイスの
製造に拡張できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術を示す説明図である。
【図２】従来技術を示す説明図である。
【図３】従来技術を示す説明図である。
【図４】従来技術を示す説明図である。
【図５】従来技術を示す説明図である。
【図６】従来技術を示す説明図である。
【図７】従来技術を示す説明図である。
【図８】本発明によるプロセスの大まかな流れを示すフ
ローチャートである。
【図９】窒素流レートの関数としての窒化ケイ素の屈折
率の変化を示すグラフである。
【図１０】本発明に従うプロセスの過程を説明する略断
面図を示す。
【図１１】本発明に従うプロセスの過程を説明する略断
面図を示す。
【図１２】本発明に従うプロセスの過程を説明する略断
面図を示す。
【図１３】本発明に従うプロセスの過程を説明する略断
面図を示す。
【図１４】本発明に従うプロセスの過程を説明する略断
面図を示す。
【図１５】本発明に従うプロセスの過程を説明する略断
面図を示す。
【図１６】こうして得られたレーザの略斜視図を示す。
【図１７】制御電流の関数としてのレーザの出力パワー
の変化を簡略的に示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロワ、アンリー フランス国ラニオン、レジダンス、デュ、 ルー、16

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ストリップ形状にてアクティブ領域を持つ
    半導体オプトエレクトロニックデバイスを製造するため
    のプロセスであって、このプロセスが： １）単一のエピタキシによって種々の層を製造してオプ
    トエレクトロニックデバイスの完全な構造を作り上げる
    過程、 ２）前記の過程１）において得られた構造をオプトエレ
    クトロニックデバイスのアクティブ層の底面までこの構
    造内のストリップを分離するためにエッチングする過
    程、及び ３）エッチングされた領域上に制御された屈折率の電気
    的な絶縁材料を堆積する過程を含むことを特徴とするプ
    ロセス。
  2. 【請求項２】半導体オプトエレクトロニックデバイスが
    レーザであることを特徴とする請求項１記載のプロセ
    ス。
  3. 【請求項３】前記の過程１）が順番に第一の横方向の閉
    じ込め層、アクティブ材料の層、第二の横方向の閉じ込
    め層及び少なくとも一つのオーミックコンタクト層を堆
    積する過程から成ることを特徴とする請求項１及び２の
    いずれか一つに記載のプロセス。
  4. 【請求項４】前記の過程３）において堆積された電気的
    な絶縁材料の屈折率がその厚さを通じて一定であること
    を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載のプ
    ロセス。
  5. 【請求項５】前記の過程３）において堆積された電気的
    な絶縁材料の屈折率が実質的に少なくとも閉じ込め層の
    屈折率に等しいことを特徴とする請求項４記載のプロセ
    ス。
  6. 【請求項６】前記の過程３）において堆積された電気的
    な絶縁材料の屈折率がその厚さを通じて変動することを
    特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載のプロ
    セス。
  7. 【請求項７】前記の過程３）において堆積された電気的
    な絶縁材料が窒化ケイ素であることを特徴とする請求項
    １乃至６のいずれか一つに記載のプロセス。
  8. 【請求項８】前記の過程３）において堆積された電気的
    な絶縁材料の屈折率が前記の過程３）の際に周囲雰囲気
    によって制御されることを特徴とする請求項１乃至７の
    いずれか一つに記載のプロセス。
  9. 【請求項９】前記の過程３）において堆積された電気的
    な絶縁材料がその屈折率が窒素の流れのレートによって
    制御される窒化ケイ素であることを特徴とする請求項１
    乃至８のいずれか一つに記載のプロセス。
  10. 【請求項１０】前記の過程１）が順番に第一のＩｎＰの
    ｎ+ タイプ閉じ込め層、ＧａＩｎＡｓＰ４成分アクティ
    ブ層、第二のＩｎＰのｐタイプ閉じ込め層、及びオーミ
    ックコンタクト接続のためのＧａＩｎＡｓ３成分層を堆
    積する過程から成ることを特徴とする請求項１乃至９の
    いずれか一つに記載のプロセス。
  11. 【請求項１１】前記の過程２）がインオエッチングの前
    にマスクとして機能する金属ストリップを堆積する過程
    を含むことを特徴とする請求項１０記載のプロセス。
  12. 【請求項１２】前記の過程３）が約１０００ｎｍの厚さ
    に窒化ケイ素の層を堆積する過程を含むことを特徴とす
    る請求項１０及び１１のいずれか１つに記載のプロセ
    ス。
  13. 【請求項１３】得られた構造の表面全体上にこの構造を
    平坦化するためにレジン層を堆積する過程、前記のエッ
    チング過程２）の際にエッチングマスクとして機能する
    金属層を露出するためにエッチングを実行する過程、 溶剤の助けをかりて残りのレジン層を除去する過程、及
    び、 コンタクト接続を堆積する過程がさらに含まれることを
    特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一つに記載の
    プロセス。
  14. 【請求項１４】請求項１乃至１３のいずれか一つに記載
    のプロセスの実施によって製造されたオプトエレトクロ
    ニックデバイス。
  15. 【請求項１５】それがレーザから構成されることを特徴
    とする請求項１４に記載のオプトエレクトロニックデバ
    イス。
  16. 【請求項１６】請求項１４或は１５記載のオプトエレト
    クロニックデバイスのいずれか一つであって、これが単
    一のエピタキシによって製造される一つの完全なデバイ
    ス構造であり、このデバイスのアクティブ層の底面まで
    ストリップがエッチングされ、このストリップの各側面
    は屈折率が制御された電気絶縁材の堆積によって囲まれ
    ることを特徴とするデバイス。
  17. 【請求項１７】前記の屈折率が制御された電気絶縁材料
    が窒化ケイ素であることを特徴とする請求項１４乃至１
    ６のいずれか一つに記載のデバイス。
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