JPH0629191A - 露光装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
露光装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH0629191A JPH0629191A JP4183546A JP18354692A JPH0629191A JP H0629191 A JPH0629191 A JP H0629191A JP 4183546 A JP4183546 A JP 4183546A JP 18354692 A JP18354692 A JP 18354692A JP H0629191 A JPH0629191 A JP H0629191A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フォトリソグラフィによって微細なレジストパ
ターンを形成する。 【構成】微細なパターンをフォトマスクによってフォト
レジストに露光する際、パターンを１３及び１４の２つ
のフォトマスクに分割し、片一方のフォトマスク１４の
み位相コントロール膜をを介した光を当て、その２つの
フォトマスクの像を光学的に重ね合わせて、同時に同じ
位置に露光する。また他の方法として全く位相シフトマ
スクを使用せずに、２つのフォトマスクに同一光源から
光を透過させる際、光源から２つのフォトマスクに至る
までの間に光路差を作り、互いに波長を半波長ずらした
光を当てる。 【効果】従来の様な複雑な構造を持ち製造が困難であっ
た位相シフトマスクを使用せずに、通常使用されるクロ
ム膜のみでパターニングされたフォトマスクを利用し、
従来の位相シフトマスクと同等な微細パターンを形成す
ることができる。
ターンを形成する。 【構成】微細なパターンをフォトマスクによってフォト
レジストに露光する際、パターンを１３及び１４の２つ
のフォトマスクに分割し、片一方のフォトマスク１４の
み位相コントロール膜をを介した光を当て、その２つの
フォトマスクの像を光学的に重ね合わせて、同時に同じ
位置に露光する。また他の方法として全く位相シフトマ
スクを使用せずに、２つのフォトマスクに同一光源から
光を透過させる際、光源から２つのフォトマスクに至る
までの間に光路差を作り、互いに波長を半波長ずらした
光を当てる。 【効果】従来の様な複雑な構造を持ち製造が困難であっ
た位相シフトマスクを使用せずに、通常使用されるクロ
ム膜のみでパターニングされたフォトマスクを利用し、
従来の位相シフトマスクと同等な微細パターンを形成す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置などの製造に
利用される露光装置及び半導体装置の製造方法に関す
る。
利用される露光装置及び半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の露光装置の概略図を図５及び図６
に示す。図５に於て、１の光源から放出された光は２の
位相シフト膜の付いたフォトマスクを通って、さらに３
の縮小レンズ系を通り４のウエハーに到達する。その
際、図６の様に、光が素ガラス５とクロムパターン６と
位相シフト膜７から成る位相シフトマスクを通る時、光
の振幅は８に示す様に位相シフト膜の存在するパターン
と存在しないパターンで振幅が逆になり、結果的に光の
強度は９の様に分布する。
に示す。図５に於て、１の光源から放出された光は２の
位相シフト膜の付いたフォトマスクを通って、さらに３
の縮小レンズ系を通り４のウエハーに到達する。その
際、図６の様に、光が素ガラス５とクロムパターン６と
位相シフト膜７から成る位相シフトマスクを通る時、光
の振幅は８に示す様に位相シフト膜の存在するパターン
と存在しないパターンで振幅が逆になり、結果的に光の
強度は９の様に分布する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の様な方
法では、前記の様な複雑な構造の位相シフトマスクが必
要であり、その位相シフトマスクは、位相シフト膜の形
成が困難であるばかりか、位相シフト膜の欠陥を検査す
る方法がまだまだ確立されていない等、多くの問題点を
持っている。
法では、前記の様な複雑な構造の位相シフトマスクが必
要であり、その位相シフトマスクは、位相シフト膜の形
成が困難であるばかりか、位相シフト膜の欠陥を検査す
る方法がまだまだ確立されていない等、多くの問題点を
持っている。
【０００４】そこで本発明は、複雑な構造の位相シフト
マスクを必要とせずに、かつ従来の位相シフトマスクを
利用した場合と同等なレベルの微細パターンを形成する
ことが可能な露光方法を持つ露光装置を提供することを
目的とする。
マスクを必要とせずに、かつ従来の位相シフトマスクを
利用した場合と同等なレベルの微細パターンを形成する
ことが可能な露光方法を持つ露光装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の露光装置は、 （１）半導体装置の製造などに用いられる露光装置に於
て、微細パターンをレジストに露光する際に、近接する
パターンを（位相シフトマスクにおける０゜位相パター
ンと９０゜位相パターンを）２枚のフォトマスクに分
け、その２つのフォトマスクに同一光源から、片方のフ
ォトマスクのみ位相コントロール膜を通して波長を半波
長ずらした光を当て、縮小光学系及び各種ミラー系を介
して、ウエハー等の対象物に２つのフォトマスクのパタ
ーンを同時に同一場所に露光することを特徴とする。
め、本発明の露光装置は、 （１）半導体装置の製造などに用いられる露光装置に於
て、微細パターンをレジストに露光する際に、近接する
パターンを（位相シフトマスクにおける０゜位相パター
ンと９０゜位相パターンを）２枚のフォトマスクに分
け、その２つのフォトマスクに同一光源から、片方のフ
ォトマスクのみ位相コントロール膜を通して波長を半波
長ずらした光を当て、縮小光学系及び各種ミラー系を介
して、ウエハー等の対象物に２つのフォトマスクのパタ
ーンを同時に同一場所に露光することを特徴とする。
【０００６】（２）上記の（１）記載の露光装置を使用
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０００７】（３）半導体装置の製造などに用いられる
露光装置に於て、微細パターンをレジストに露光する際
に、近接するパターンを（位相シフトマスクにおける０
゜位相パターンと９０゜位相パターンを）２枚のフォト
マスクに分け、その２つのフォトマスクに同一光源から
光を透過させる際、光源から２つのフォトマスクに至る
までの間に光路差を作り、互いに波長を半波長ずらした
光を当て、縮小光学系及び各種ミラー系を介して、ウエ
ハー等の対象物に２つのフォトマスクのパターンを同時
に同一場所に露光することを特徴とする。
露光装置に於て、微細パターンをレジストに露光する際
に、近接するパターンを（位相シフトマスクにおける０
゜位相パターンと９０゜位相パターンを）２枚のフォト
マスクに分け、その２つのフォトマスクに同一光源から
光を透過させる際、光源から２つのフォトマスクに至る
までの間に光路差を作り、互いに波長を半波長ずらした
光を当て、縮小光学系及び各種ミラー系を介して、ウエ
ハー等の対象物に２つのフォトマスクのパターンを同時
に同一場所に露光することを特徴とする。
【０００８】（４）上記の（３）記載の露光装置を使用
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０００９】
【実施例】図１及び図２に本発明の実施例を載せる。
【００１０】図１は本発明の露光装置の概略図である。
１０は光源、１１及び１２は光源の光を集めさらにその
光を２つのフォトマスクに導くためのミラー、２５は位
相コントロール膜、１３及び１４はフォトマスク、１５
及び１６は縮小レンズ系、１７、１８及び１９は２つの
縮小光をウエハーの同一場所に導くためのミラー、２０
はレジスト付きウエハーである。
１０は光源、１１及び１２は光源の光を集めさらにその
光を２つのフォトマスクに導くためのミラー、２５は位
相コントロール膜、１３及び１４はフォトマスク、１５
及び１６は縮小レンズ系、１７、１８及び１９は２つの
縮小光をウエハーの同一場所に導くためのミラー、２０
はレジスト付きウエハーである。
【００１１】１０の光源から発生する光は、１１及び１
２のミラーを介して、直接１３のフォトマスク、及び２
５の位相コントロール膜を通って１４のフォトマスクに
導かれる。ここで２５の位相コントロール膜を通って１
４のフォトマスクに至る光は、２５の位相コントロール
膜により１３のフォトマスクを通った光と逆の（半波長
ずれた）位相になり、さらに１５及び１６の縮小光学系
を通って１７及び１８のミラーを介して１９のミラーに
集められ、ここでパターンが合成され２０のレジスト付
きウエハーに当たる。
２のミラーを介して、直接１３のフォトマスク、及び２
５の位相コントロール膜を通って１４のフォトマスクに
導かれる。ここで２５の位相コントロール膜を通って１
４のフォトマスクに至る光は、２５の位相コントロール
膜により１３のフォトマスクを通った光と逆の（半波長
ずれた）位相になり、さらに１５及び１６の縮小光学系
を通って１７及び１８のミラーを介して１９のミラーに
集められ、ここでパターンが合成され２０のレジスト付
きウエハーに当たる。
【００１２】図２に、ここで使用されているフォトマス
ク及び、光の振幅と強度について示す。２１及び２３は
素ガラス、２２及び２４はクロム面、２５は位相コント
ロール膜、２６は合成された光の振幅、２７は合成され
た光の強度である。
ク及び、光の振幅と強度について示す。２１及び２３は
素ガラス、２２及び２４はクロム面、２５は位相コント
ロール膜、２６は合成された光の振幅、２７は合成され
た光の強度である。
【００１３】フォトマスクは、微細なパターンを１つお
きに（従来の位相シフトマスクにおける０゜位相パター
ンと９０゜位相パターンを）２つのフォトマスクに分け
てパターニングを行なう。その後、どちらか一方のフォ
トマスクに前記の図１の様な光学系の露光装置により位
相コントロール膜を通した光を当てて合成すると、合成
された光は２６の様な振幅になる。つまり、この様な２
つのフォトマスクによって合成された光は、従来の位相
シフトマスクの技術によって得られた光の振幅と全く同
様なものになる。従ってウエハーに届く光の強度は２７
の様になり、従来の位相シフトマスクを利用して露光を
行なったときと全く同様のパターンを形成することが出
来る。
きに（従来の位相シフトマスクにおける０゜位相パター
ンと９０゜位相パターンを）２つのフォトマスクに分け
てパターニングを行なう。その後、どちらか一方のフォ
トマスクに前記の図１の様な光学系の露光装置により位
相コントロール膜を通した光を当てて合成すると、合成
された光は２６の様な振幅になる。つまり、この様な２
つのフォトマスクによって合成された光は、従来の位相
シフトマスクの技術によって得られた光の振幅と全く同
様なものになる。従ってウエハーに届く光の強度は２７
の様になり、従来の位相シフトマスクを利用して露光を
行なったときと全く同様のパターンを形成することが出
来る。
【００１４】ここで重要となるのは、従来の位相シフト
マスクの様に、位相シフト膜自体をパターニングする必
要がまったくないと言う点である。従来の様に位相シフ
ト膜をパターニングすることは、単にフォトマスク製造
の工程数が増えるばかりでなく、それ自体の形成方法も
容易でなく、また、位相シフト膜のパターン欠陥による
歩留りの低下も免れない。そればかりか、位相シフト膜
の欠陥を検査する方法がまだまだ確立されていない等の
問題が多く残っている。
マスクの様に、位相シフト膜自体をパターニングする必
要がまったくないと言う点である。従来の様に位相シフ
ト膜をパターニングすることは、単にフォトマスク製造
の工程数が増えるばかりでなく、それ自体の形成方法も
容易でなく、また、位相シフト膜のパターン欠陥による
歩留りの低下も免れない。そればかりか、位相シフト膜
の欠陥を検査する方法がまだまだ確立されていない等の
問題が多く残っている。
【００１５】しかし、本発明の露光装置を利用すれば、
位相シフト膜をフォトマスクに形成する必要がまったく
無く、位相シフト膜形成の際の欠陥の発生を完全に回避
でき、その膜の欠陥検査についても、従来の欠陥検査装
置などで容易に行なうことが可能である。
位相シフト膜をフォトマスクに形成する必要がまったく
無く、位相シフト膜形成の際の欠陥の発生を完全に回避
でき、その膜の欠陥検査についても、従来の欠陥検査装
置などで容易に行なうことが可能である。
【００１６】以上、本発明の一実施例について説明して
きたが、この他にも図３の様に２５の位相コントロール
膜をフォトマスクのガラス面側でなくパターン面側に配
置したもの、また、縮小光学系中、或はその後に位相コ
ントロール膜を配置したものについても本発明の一実施
例として適用する。
きたが、この他にも図３の様に２５の位相コントロール
膜をフォトマスクのガラス面側でなくパターン面側に配
置したもの、また、縮小光学系中、或はその後に位相コ
ントロール膜を配置したものについても本発明の一実施
例として適用する。
【００１７】更に、図４に本発明のもう一つの実施例を
載せる。
載せる。
【００１８】図４は本発明の露光装置の概略図である。
１０は光源、１１及び１２は光源の光を集めさらにその
光を２つのフォトマスクに導くためのミラー、１３及び
１４はフォトマスク、１５及び１６は縮小レンズ系、１
７、１８及び１９は２つの縮小光をウエハーの同一場所
に導くためのミラー、２０はレジスト付きウエハーであ
る。
１０は光源、１１及び１２は光源の光を集めさらにその
光を２つのフォトマスクに導くためのミラー、１３及び
１４はフォトマスク、１５及び１６は縮小レンズ系、１
７、１８及び１９は２つの縮小光をウエハーの同一場所
に導くためのミラー、２０はレジスト付きウエハーであ
る。
【００１９】１０の光源から発生する光は、１１及び１
２のミラーを介して、直接１３及び１４のフォトマスク
に導かれる。ここで、２８、２９の矢印に示すように、
１０の光源の位置及び光学系全体の左右の位置を調整す
ることにより、１３のフォトマスクに至る光と１４のフ
ォトマスクに至る光は逆の（半波長ずれた）位相（半波
長ずれた）になり、さらに１５及び１６の縮小光学系を
通って１７及び１８のミラーを介して１９のミラーに集
められ、ここでパターンが合成され２０のレジスト付き
ウエハーに当たる。
２のミラーを介して、直接１３及び１４のフォトマスク
に導かれる。ここで、２８、２９の矢印に示すように、
１０の光源の位置及び光学系全体の左右の位置を調整す
ることにより、１３のフォトマスクに至る光と１４のフ
ォトマスクに至る光は逆の（半波長ずれた）位相（半波
長ずれた）になり、さらに１５及び１６の縮小光学系を
通って１７及び１８のミラーを介して１９のミラーに集
められ、ここでパターンが合成され２０のレジスト付き
ウエハーに当たる。
【００２０】このような、位相コントロール膜を使用し
ない、光路差のみで位相を反転させて２枚のフォトマス
クに光を当て露光の際に合成する露光装置についても本
発明の一実施例とする。
ない、光路差のみで位相を反転させて２枚のフォトマス
クに光を当て露光の際に合成する露光装置についても本
発明の一実施例とする。
【００２１】また、この実施例では、光がフォトマスク
を通過する前に位相を反転させたが、光がフォトマスク
を通過した後に位相を反転させる露光装置についても本
発明の実施例とする。
を通過する前に位相を反転させたが、光がフォトマスク
を通過した後に位相を反転させる露光装置についても本
発明の実施例とする。
【００２２】更に、上記の本発明の露光装置を利用して
製造される半導体装置及び各種のフォトリソグラフィー
工程を利用して構成される素子についても本発明の実施
例とする。
製造される半導体装置及び各種のフォトリソグラフィー
工程を利用して構成される素子についても本発明の実施
例とする。
【００２３】
【発明の効果】このように、本発明の露光装置を用いて
フォトリソ工程を行なうと、従来の様な複雑な構造を持
ち製造が困難であった位相シフトマスクを使用せずに、
通常使用されるクロム膜のみでパターニングされたフォ
トマスクを利用することによって、従来の位相シフトマ
スクと同等な微細パターンを形成することができるとい
う効果がある。
フォトリソ工程を行なうと、従来の様な複雑な構造を持
ち製造が困難であった位相シフトマスクを使用せずに、
通常使用されるクロム膜のみでパターニングされたフォ
トマスクを利用することによって、従来の位相シフトマ
スクと同等な微細パターンを形成することができるとい
う効果がある。
【図１】本発明の露光装置の概略図。
【図２】本発明で使用するフォトマスクの構造図及び本
発明の露光装置で露光した場合の光の位相及び強度分布
図。
発明の露光装置で露光した場合の光の位相及び強度分布
図。
【図３】本発明の露光装置の概略図。
【図４】本発明の露光装置の概略図。
【図５】従来の露光装置の概略図。
【図６】従来の位相シフトマスクの構造図及び従来の露
光装置で露光した場合の光の位相及び強度分布図。
光装置で露光した場合の光の位相及び強度分布図。
１‥‥光源 ２‥‥位相シフトマスク ３‥‥縮小レンズ系 ４‥‥ウエハー ５‥‥素ガラス ６‥‥クロムパターン ７‥‥位相シフト膜 ８‥‥光の振幅 ９‥‥光の強度 １０‥‥光源 １１‥‥ミラー １２‥‥ミラー １３‥‥フォトマスク １４‥‥フォトマスク １５‥‥縮小レンズ系 １６‥‥縮小レンズ系 １７‥‥ミラー １８‥‥ミラー １９‥‥ミラー ２０‥‥ウエハー ２１‥‥素ガラス ２２‥‥クロム面 ２３‥‥素ガラス ２４‥‥クロム面 ２５‥‥位相コントロール膜 ２６‥‥光の振幅 ２７‥‥光の強度
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置の製造などに用いられる露光
装置に於て、微細パターンをレジストに露光する際に、
近接するパターンを（位相シフトマスクにおける０゜位
相パターンと９０゜位相パターンを）２枚のフォトマス
クに分け、その２つのフォトマスクに同一光源から、片
方のフォトマスクのみ位相コントロール膜を通して波長
を半波長ずらした光を当て、縮小光学系及び各種ミラー
系を介して、ウエハー等の対象物に２つのフォトマスク
のパターンを同時に同一場所に露光することを特徴とす
る露光装置。 - 【請求項２】 上記の請求項１記載の露光装置を使用す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体装置の製造などに用いられる露光
装置に於て、微細パターンをレジストに露光する際に、
近接するパターンを（位相シフトマスクにおける０゜位
相パターンと９０゜位相パターンを）２枚のフォトマス
クに分け、その２つのフォトマスクに同一光源から光を
透過させる際、光源から２つのフォトマスクに至るまで
の間に光路差を作り、互いに波長を半波長ずらした光を
当て、縮小光学系及び各種ミラー系を介して、ウエハー
等の対象物に２つのフォトマスクのパターンを同時に同
一場所に露光することを特徴とする露光装置。 - 【請求項４】 上記の請求項３記載の露光装置を使用す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183546A JPH0629191A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 露光装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183546A JPH0629191A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 露光装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629191A true JPH0629191A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16137705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4183546A Pending JPH0629191A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 露光装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629191A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1564040A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-08-17 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Shock absorber with adjustable damping force |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP4183546A patent/JPH0629191A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1564040A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-08-17 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Shock absorber with adjustable damping force |
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