JPH0629249A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0629249A JPH0629249A JP28915091A JP28915091A JPH0629249A JP H0629249 A JPH0629249 A JP H0629249A JP 28915091 A JP28915091 A JP 28915091A JP 28915091 A JP28915091 A JP 28915091A JP H0629249 A JPH0629249 A JP H0629249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetic field
- electromagnets
- pair
- parallel plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】プラズマ中の荷電粒子のチャージアップによる
絶縁膜の絶縁耐性を劣化を起こさせることなく、均一な
エッチングを行うことを目的とする。 【構成】少なくとも一対の電磁石の上部を真空処理槽側
に倒して傾斜させ、少なくとも一対の電磁石によって形
成される平行平板電極間の磁場を基板側に凸状に湾曲さ
せると共に、磁場の凸状に湾曲した頂点と基板の中心と
をずらし、更に、磁場および基板の少なくとも一方を回
転させたことを特徴とするものである。また、少なくと
も一対の電磁石の中心線が平行平板電極間以外のところ
に存在するように一対の電磁石を配置したものである。
絶縁膜の絶縁耐性を劣化を起こさせることなく、均一な
エッチングを行うことを目的とする。 【構成】少なくとも一対の電磁石の上部を真空処理槽側
に倒して傾斜させ、少なくとも一対の電磁石によって形
成される平行平板電極間の磁場を基板側に凸状に湾曲さ
せると共に、磁場の凸状に湾曲した頂点と基板の中心と
をずらし、更に、磁場および基板の少なくとも一方を回
転させたことを特徴とするものである。また、少なくと
も一対の電磁石の中心線が平行平板電極間以外のところ
に存在するように一対の電磁石を配置したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマエッチング
装置に関するものである。
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマエッチング装置は図７お
よび図８に示されており、これらの図において、真空処
理槽１内には平行平板電極２、３が上下に対向して配置
されているが、上方の平板電極２は接地され、下方の平
板電極３は高周波電源４に接続されている。下方の平板
電極３には基板５が載置されている。真空処理槽１外の
左右両側には電磁石６ａ、６ｂが配置され、また、前後
両側には電磁石６ｃ、６ｄが配置されている。電磁石６
ａ、６ｂによって形成される磁場と、電磁石６ｃ、６ｄ
によって形成される磁場とは平行平板電極２、３間でこ
れらと平行になっている。
よび図８に示されており、これらの図において、真空処
理槽１内には平行平板電極２、３が上下に対向して配置
されているが、上方の平板電極２は接地され、下方の平
板電極３は高周波電源４に接続されている。下方の平板
電極３には基板５が載置されている。真空処理槽１外の
左右両側には電磁石６ａ、６ｂが配置され、また、前後
両側には電磁石６ｃ、６ｄが配置されている。電磁石６
ａ、６ｂによって形成される磁場と、電磁石６ｃ、６ｄ
によって形成される磁場とは平行平板電極２、３間でこ
れらと平行になっている。
【０００３】このようなプラズマエッチング装置におい
ては、上方の平板電極２がアノードとなり、また、下方
の平板電極３がカソードとなり、これらの電極２、３間
に生じる電場によって、プラズマが発生するようになる
が、電場と、電磁石６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄによって形
成される磁場とにより、電子がサイクロイド運動を行う
ため、そのプラズマは高密度になる。そして、このよう
にして高密度になったプラズマ中のイオンが基板５に作
用して、基板５をエッチングするようになる。
ては、上方の平板電極２がアノードとなり、また、下方
の平板電極３がカソードとなり、これらの電極２、３間
に生じる電場によって、プラズマが発生するようになる
が、電場と、電磁石６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄによって形
成される磁場とにより、電子がサイクロイド運動を行う
ため、そのプラズマは高密度になる。そして、このよう
にして高密度になったプラズマ中のイオンが基板５に作
用して、基板５をエッチングするようになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマエッチ
ング装置は、上記のように電場と、電磁石６ａ、６ｂ、
６ｃ、６ｄによって形成される磁場とにより、電子をサ
イクロイド運動させることにより、高密度のプラズマを
発生させて、基板５をエッチングするようにしている
が、磁場が平行平板電極２、３と平行に形成されている
場合には、真空処理槽１の電極外では壁面の効果や電場
の消失によって電子のサイクロイド運動が制限され、プ
ラズマの分布に不均一性が生じる。そのため、基板５周
囲を図９に示すようにＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄとすると、基板５
におけるエッチング分布図１０に示されるようになり、
エッチングに大きな不均一性が生じる問題が起きた。
ング装置は、上記のように電場と、電磁石６ａ、６ｂ、
６ｃ、６ｄによって形成される磁場とにより、電子をサ
イクロイド運動させることにより、高密度のプラズマを
発生させて、基板５をエッチングするようにしている
が、磁場が平行平板電極２、３と平行に形成されている
場合には、真空処理槽１の電極外では壁面の効果や電場
の消失によって電子のサイクロイド運動が制限され、プ
ラズマの分布に不均一性が生じる。そのため、基板５周
囲を図９に示すようにＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄとすると、基板５
におけるエッチング分布図１０に示されるようになり、
エッチングに大きな不均一性が生じる問題が起きた。
【０００５】そこで、この不均一なエッチングをなくす
るために、電磁石に印加する電流の位相をずらし、基板
全面にわたって回転磁界を発生させ、時間平均で均一な
プラズマを得る試みがなされ、図１１に示されるような
均一なエッチングが行なわれてきた。
るために、電磁石に印加する電流の位相をずらし、基板
全面にわたって回転磁界を発生させ、時間平均で均一な
プラズマを得る試みがなされ、図１１に示されるような
均一なエッチングが行なわれてきた。
【０００６】しかしながら、基板全面に沿って回転磁界
を発生させて、時間平均で均一なプラズマを起こし、均
一なエッチングが行なっても、プラズマ中の荷電粒子に
よるチャージアップが発生し、ＭＯＳトランジスタ構造
のゲート電極下の絶縁膜の絶縁耐性を劣化する問題が起
きた。
を発生させて、時間平均で均一なプラズマを起こし、均
一なエッチングが行なっても、プラズマ中の荷電粒子に
よるチャージアップが発生し、ＭＯＳトランジスタ構造
のゲート電極下の絶縁膜の絶縁耐性を劣化する問題が起
きた。
【０００７】プラズマ中の荷電粒子によるチャージアッ
プの測定には、Ｓｉ基板に二酸化珪素膜、窒化珪素膜、
金属膜を形成したいわゆるＭＮＯＳダイオードが用いら
れるので、このＭＮＯＳダイオードを用いたチャージア
ップの測定例を図１２および図１３に示すが、これらの
図において、縦軸はダイオードのフラットバンド電圧で
ある。
プの測定には、Ｓｉ基板に二酸化珪素膜、窒化珪素膜、
金属膜を形成したいわゆるＭＮＯＳダイオードが用いら
れるので、このＭＮＯＳダイオードを用いたチャージア
ップの測定例を図１２および図１３に示すが、これらの
図において、縦軸はダイオードのフラットバンド電圧で
ある。
【０００８】この発明の目的は、従来の上記問題を解決
して、プラズマ中の荷電粒子のチャージアップによる絶
縁膜の絶縁耐性を劣化を起こさせることなく、均一なエ
ッチングを行うプラズマエッチング装置を提供すること
にある。
して、プラズマ中の荷電粒子のチャージアップによる絶
縁膜の絶縁耐性を劣化を起こさせることなく、均一なエ
ッチングを行うプラズマエッチング装置を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１番目は、真空処理槽内に平行平板電
極を対向して上下に配置すると共に、その平行平板電極
の一方の電極上に基板を載置し、更に、真空処理槽外の
両側にそれぞれ電磁石を配置して、基板をエッチングす
るプラズマエッチング装置において、上記少なくとも一
対の電磁石の上部を真空処理槽に倒して一対の電磁石を
傾斜させ、少なくとも一対の電磁石によって形成される
上記平行平板電極間の磁場を上記基板側に凸状に湾曲さ
せると共に、上記磁場の湾曲した頂点と上記基板の中心
とをずらし、更に、上記磁場および上記基板の少なくと
も一方を回転させたことを特徴とするものである。
に、この発明の第１番目は、真空処理槽内に平行平板電
極を対向して上下に配置すると共に、その平行平板電極
の一方の電極上に基板を載置し、更に、真空処理槽外の
両側にそれぞれ電磁石を配置して、基板をエッチングす
るプラズマエッチング装置において、上記少なくとも一
対の電磁石の上部を真空処理槽に倒して一対の電磁石を
傾斜させ、少なくとも一対の電磁石によって形成される
上記平行平板電極間の磁場を上記基板側に凸状に湾曲さ
せると共に、上記磁場の湾曲した頂点と上記基板の中心
とをずらし、更に、上記磁場および上記基板の少なくと
も一方を回転させたことを特徴とするものである。
【００１０】次に、この発明の第２番目は、真空処理槽
内に平行平板電極を対向して上下に配置すると共に、そ
の平行平板電極の一方の電極上に基板を載置し、更に、
真空処理槽外に少なくとも一対の電磁石を配置して、一
対の電磁石の中間に真空処理槽を位置させ、基板をエッ
チングするプラズマエッチング装置において、少なくと
も一対の電磁石の中心線が平行平板電極間以外のところ
に存在するように一対の電磁石を配置して、少なくとも
一対の電磁石によって形成される上記平行平板電極間の
磁場を上記基板側に凸状に湾曲させると共に、上記磁場
の湾曲した頂点と上記基板の中心とをずらし、更に、上
記磁場および上記基板の少なくとも一方を回転させたこ
とを特徴とするものである。
内に平行平板電極を対向して上下に配置すると共に、そ
の平行平板電極の一方の電極上に基板を載置し、更に、
真空処理槽外に少なくとも一対の電磁石を配置して、一
対の電磁石の中間に真空処理槽を位置させ、基板をエッ
チングするプラズマエッチング装置において、少なくと
も一対の電磁石の中心線が平行平板電極間以外のところ
に存在するように一対の電磁石を配置して、少なくとも
一対の電磁石によって形成される上記平行平板電極間の
磁場を上記基板側に凸状に湾曲させると共に、上記磁場
の湾曲した頂点と上記基板の中心とをずらし、更に、上
記磁場および上記基板の少なくとも一方を回転させたこ
とを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】この発明の第１番目および第２番目おいては、
平行平板電極間の電場によりプラズマが発生するように
なるが、その電場と電磁石による磁場とにより、プラズ
マは高密度になり、そして、基板をエッチングするよう
になる。その場合、磁場の回転が停止状態であれば、プ
ラズマ中の電子は、垂直成分がない磁場領域でサイクロ
イド運動を運動をするが、垂直成分がある磁場領域では
磁力線に沿った方向へ移動してゆく。その結果、例え
ば、ＭＮＯＳダイオードの基板でのフラットバンド電圧
を調べると、基板の周縁部では電子の枯渇が生じ、反対
に、基板の中央部では電子の集中から負にチャージアッ
プするようになる。次に、この状態から磁場および基板
の少なくとも一方を回転すると、時間平均で正負のチャ
ージが互いに補足しあい基板のチャージアップが消滅す
るようになる。そのとき、特に、磁場の湾曲した頂点と
基板の中心とをずらして、回転させているので、基板全
域においてチャージアップのない状態で、エッチングが
可能になる。
平行平板電極間の電場によりプラズマが発生するように
なるが、その電場と電磁石による磁場とにより、プラズ
マは高密度になり、そして、基板をエッチングするよう
になる。その場合、磁場の回転が停止状態であれば、プ
ラズマ中の電子は、垂直成分がない磁場領域でサイクロ
イド運動を運動をするが、垂直成分がある磁場領域では
磁力線に沿った方向へ移動してゆく。その結果、例え
ば、ＭＮＯＳダイオードの基板でのフラットバンド電圧
を調べると、基板の周縁部では電子の枯渇が生じ、反対
に、基板の中央部では電子の集中から負にチャージアッ
プするようになる。次に、この状態から磁場および基板
の少なくとも一方を回転すると、時間平均で正負のチャ
ージが互いに補足しあい基板のチャージアップが消滅す
るようになる。そのとき、特に、磁場の湾曲した頂点と
基板の中心とをずらして、回転させているので、基板全
域においてチャージアップのない状態で、エッチングが
可能になる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の第１実施例のプラズマエ
ッチング装置は図１および図２に示されており、これら
の図において、真空処理槽１内には平行平板電極２、３
が上下に対向して配置されているが、上方の平板電極２
は接地され、下方の平板電極３は高周波電源４に接続さ
れている。下方の平板電極３には基板５が載置されてい
る。真空処理槽１外の左右両側には電磁石６ａ、６ｂが
その上部を真空処理槽１側に倒され傾斜して配置されて
いる。また、真空処理槽１外の前後両側にも電磁石６
ｃ、６ｄがその上部を真空処理槽１側に倒され傾斜して
配置されている。そのため、電磁石６ａ、６ｂによって
形成される平行平板電極２、３間の磁場と、電磁石６
ｃ、６ｄによって形成される平行平板電極２、３間の磁
場とは、基板５側に凸状に湾曲をし、基板５の中央部で
は磁場の垂直成分がゼロで、水平成分だけになるのに対
して、基板５の周縁部では磁場の垂直成分と水平成分と
が存在するようになる。また、磁場の湾曲形状の頂点と
基板５の中心とはずらされている。電磁石６ａ、６ｂ
と、電磁石６ｃ、６ｄとは９０度だけ位相をずらした交
流電圧が印加され、その磁場が基板５上で回転させられ
ている。なお、電磁石６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄの傾斜
は、磁場強度、電磁石間距離、電磁石の大きさによって
変化するものである。
しながら説明する。この発明の第１実施例のプラズマエ
ッチング装置は図１および図２に示されており、これら
の図において、真空処理槽１内には平行平板電極２、３
が上下に対向して配置されているが、上方の平板電極２
は接地され、下方の平板電極３は高周波電源４に接続さ
れている。下方の平板電極３には基板５が載置されてい
る。真空処理槽１外の左右両側には電磁石６ａ、６ｂが
その上部を真空処理槽１側に倒され傾斜して配置されて
いる。また、真空処理槽１外の前後両側にも電磁石６
ｃ、６ｄがその上部を真空処理槽１側に倒され傾斜して
配置されている。そのため、電磁石６ａ、６ｂによって
形成される平行平板電極２、３間の磁場と、電磁石６
ｃ、６ｄによって形成される平行平板電極２、３間の磁
場とは、基板５側に凸状に湾曲をし、基板５の中央部で
は磁場の垂直成分がゼロで、水平成分だけになるのに対
して、基板５の周縁部では磁場の垂直成分と水平成分と
が存在するようになる。また、磁場の湾曲形状の頂点と
基板５の中心とはずらされている。電磁石６ａ、６ｂ
と、電磁石６ｃ、６ｄとは９０度だけ位相をずらした交
流電圧が印加され、その磁場が基板５上で回転させられ
ている。なお、電磁石６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄの傾斜
は、磁場強度、電磁石間距離、電磁石の大きさによって
変化するものである。
【００１３】このような第１実施例においては、平行平
板電極間２、３の電場によりプラズマが発生するように
なるが、その電場と電磁石６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄによ
る磁場とにより、プラズマが高密度になって、基板５を
エッチングするようになる。その場合、磁場の回転が停
止状態であれば、プラズマ中の電子は、垂直成分がない
磁場領域でサイクロイド運動を運動をするが、垂直成分
がある磁場領域では磁力線に沿った方向へ移動してゆ
く。このような状態におけるＭＮＯＳダイオードの基板
でのフラットバンド電圧を図３に示している。同図によ
れば、基板の周縁部では電子の枯渇が生じ、反対に、基
板の中央部では電子の集中から負にチャージアップする
ようになる。次に、この状態から電磁石６ａ、６ｂと、
電磁石６ｃ、６ｄとに９０度だけ位相をずらした交流電
圧を印加して、磁場を回転させると、時間平均で正負の
チャージが互いに補足しあい、図４に示されるように基
板５のチャージアップが消滅するようになる。特に、磁
場の湾曲した頂点と基板５の中心とをずらして、回転さ
せているので、基板４の全域においてチャージアップの
ない状態で、エッチングが可能になる。
板電極間２、３の電場によりプラズマが発生するように
なるが、その電場と電磁石６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄによ
る磁場とにより、プラズマが高密度になって、基板５を
エッチングするようになる。その場合、磁場の回転が停
止状態であれば、プラズマ中の電子は、垂直成分がない
磁場領域でサイクロイド運動を運動をするが、垂直成分
がある磁場領域では磁力線に沿った方向へ移動してゆ
く。このような状態におけるＭＮＯＳダイオードの基板
でのフラットバンド電圧を図３に示している。同図によ
れば、基板の周縁部では電子の枯渇が生じ、反対に、基
板の中央部では電子の集中から負にチャージアップする
ようになる。次に、この状態から電磁石６ａ、６ｂと、
電磁石６ｃ、６ｄとに９０度だけ位相をずらした交流電
圧を印加して、磁場を回転させると、時間平均で正負の
チャージが互いに補足しあい、図４に示されるように基
板５のチャージアップが消滅するようになる。特に、磁
場の湾曲した頂点と基板５の中心とをずらして、回転さ
せているので、基板４の全域においてチャージアップの
ない状態で、エッチングが可能になる。
【００１４】次に、この発明の第２実施例のプラズマエ
ッチング装置は図５および図６に示されている。これら
の図において、真空処理槽１外の左右両側の電磁石６
ａ、６ｂと、前後両側の電磁石６ｃ、６ｄとは中心線が
平行平板電極２、３間以外のところに存在するように配
置され、電磁石６ａ、６ｂによって形成される平行平板
電極２、３間の磁場と、電磁石６ｃ、６ｄの磁場とが基
板５側に凸状に湾曲すると共に、磁場の湾曲した頂点と
基板５の中心とがずれ、磁場を回転基板５上で回転させ
られている。その他は第１実施例と同様につきその説明
を省略する。
ッチング装置は図５および図６に示されている。これら
の図において、真空処理槽１外の左右両側の電磁石６
ａ、６ｂと、前後両側の電磁石６ｃ、６ｄとは中心線が
平行平板電極２、３間以外のところに存在するように配
置され、電磁石６ａ、６ｂによって形成される平行平板
電極２、３間の磁場と、電磁石６ｃ、６ｄの磁場とが基
板５側に凸状に湾曲すると共に、磁場の湾曲した頂点と
基板５の中心とがずれ、磁場を回転基板５上で回転させ
られている。その他は第１実施例と同様につきその説明
を省略する。
【００１５】ところで、上記各実施例は磁場を回転する
ようにしているが、その代わりに、基板５を回転しても
よく、また、磁場と基板５とを回転してもよい。更に、
各電磁石６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは空心コイルを使用し
ているが、その代わりに、磁性体を芯材に使用したもの
等のいかなる構成の電磁石であってもよい。更にその
上、上記各実施例はプラズマエッチング装置に限らず、
プラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置等に使用してもよ
い。
ようにしているが、その代わりに、基板５を回転しても
よく、また、磁場と基板５とを回転してもよい。更に、
各電磁石６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは空心コイルを使用し
ているが、その代わりに、磁性体を芯材に使用したもの
等のいかなる構成の電磁石であってもよい。更にその
上、上記各実施例はプラズマエッチング装置に限らず、
プラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置等に使用してもよ
い。
【００１６】
【発明の効果】この発明は、上記のように各電磁石によ
って形成される平行平板電極間の磁場が基板側に凸状に
湾曲させると共に、磁場の湾曲した頂点と基板の中心と
をずらし、更に、磁場および基板の少なくとも一方を回
転させているので、基板全域においてチャージアップの
ない状態でのエッチングが可能になり、プラズマ中の荷
電粒子のチャージアップによる絶縁膜の絶縁耐性を劣化
を起こさせることなく、均一なエッチングを行うことが
可能になる。
って形成される平行平板電極間の磁場が基板側に凸状に
湾曲させると共に、磁場の湾曲した頂点と基板の中心と
をずらし、更に、磁場および基板の少なくとも一方を回
転させているので、基板全域においてチャージアップの
ない状態でのエッチングが可能になり、プラズマ中の荷
電粒子のチャージアップによる絶縁膜の絶縁耐性を劣化
を起こさせることなく、均一なエッチングを行うことが
可能になる。
【図１】この発明の第１実施例を示す正面図
【図２】この発明の第１実施例を示す平面図
【図３】磁場の回転前のＭＮＯＳダイオードの基板での
フラットバンド電圧を示す説明図
フラットバンド電圧を示す説明図
【図４】磁場の回転後のＭＮＯＳダイオードの基板での
フラットバンド電圧を示す説明図
フラットバンド電圧を示す説明図
【図５】この発明の第２実施例を示す正面図
【図６】この発明の第２実施例を示す平面図
【図７】従来のプラズマエッチング装置を示す正面図
【図８】従来のプラズマエッチング装置を示す平面図
【図９】従来のプラズマエッチング装置に用いる基板の
平面図
平面図
【図１０】従来のプラズマエッチング装置によるエッチ
ング速度分布図
ング速度分布図
【図１１】従来のプラズマエッチング装置によるエッチ
ング速度分布図
ング速度分布図
【図１２】従来のプラズマエッチング装置によるＭＮＯ
Ｓダイオードのチャージアップの測定例
Ｓダイオードのチャージアップの測定例
【図１３】従来のプラズマエッチング装置によるＭＮＯ
Ｓダイオードのチャージアップの測定例 １・・・・・・・真空処理槽 ２・・・・・・・平板電極 ３・・・・・・・平板電極 ４・・・・・・・高周波電源 ５・・・・・・・基板 ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ・・・・電磁石
Ｓダイオードのチャージアップの測定例 １・・・・・・・真空処理槽 ２・・・・・・・平板電極 ３・・・・・・・平板電極 ４・・・・・・・高周波電源 ５・・・・・・・基板 ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ・・・・電磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田辺 正文 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 砂田 剛 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 林 俊雄 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 法元 寛 東京都港区虎の門１丁目７番12号沖電気工 業株式会社内 (72)発明者 折田 敏幸 東京都港区虎の門１丁目７番12号沖電気工 業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】真空処理槽内に平行平板電極を対向して上
下に配置すると共に、その平行平板電極の一方の電極上
に基板を載置し、更に、真空処理槽外に少なくとも一対
の電磁石を配置して、一対の電磁石の中間に真空処理槽
を位置させ、基板をエッチングするプラズマエッチング
装置において、少なくとも一対の電磁石の上部を真空処
理槽に倒して一対の電磁石を傾斜させ、少なくとも一対
の電磁石によって形成される上記平行平板電極間の磁場
を上記基板側に凸状に湾曲させると共に、上記磁場の湾
曲した頂点と上記基板の中心とをずらし、更に、上記磁
場および上記基板の少なくとも一方を回転させたことを
特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項２】真空処理槽内に平行平板電極を対向して上
下に配置すると共に、その平行平板電極の一方の電極上
に基板を載置し、更に、真空処理槽外に少なくとも一対
の電磁石を配置して、一対の電磁石の中間に真空処理槽
を位置させ、基板をエッチングするプラズマエッチング
装置において、少なくとも一対の電磁石の中心線が平行
平板電極間以外のところに存在するように一対の電磁石
を配置して、少なくとも一対の電磁石によって形成され
る上記平行平板電極間の磁場を上記基板側に凸状に湾曲
させると共に、上記磁場の湾曲した頂点と上記基板の中
心とをずらし、更に、上記磁場および上記基板の少なく
とも一方を回転させたことを特徴とするプラズマエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28915091A JPH0629249A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28915091A JPH0629249A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629249A true JPH0629249A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=17739413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28915091A Pending JPH0629249A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629249A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970070242A (ko) * | 1996-04-22 | 1997-11-07 | 모치즈키 아키히로 | 플라즈마 에칭 전극 |
| JP2006508242A (ja) * | 2002-11-29 | 2006-03-09 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 真空中の表面のプラズマ処理方法およびそのための装置 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP28915091A patent/JPH0629249A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970070242A (ko) * | 1996-04-22 | 1997-11-07 | 모치즈키 아키히로 | 플라즈마 에칭 전극 |
| JP2006508242A (ja) * | 2002-11-29 | 2006-03-09 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 真空中の表面のプラズマ処理方法およびそのための装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6344105B1 (en) | Techniques for improving etch rate uniformity | |
| KR100499763B1 (ko) | 플라즈마 에칭장치 | |
| KR100403074B1 (ko) | 마그네트론 플라즈마 처리 장치 | |
| JP4285853B2 (ja) | 処理方法 | |
| US6113731A (en) | Magnetically-enhanced plasma chamber with non-uniform magnetic field | |
| US4631106A (en) | Plasma processor | |
| US20090183833A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR0127663B1 (ko) | 플라즈마발생장치 및 플라즈마발생방법 | |
| JPH08288096A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH07288195A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0629249A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP4408987B2 (ja) | スパッタ処理応用のプラズマ処理装置 | |
| US20020038691A1 (en) | Plasma processing system | |
| JP3170319B2 (ja) | マグネトロンプラズマ処理装置 | |
| JPH06283474A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0781187B2 (ja) | 真空プロセス装置 | |
| JPH1192927A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH0620794A (ja) | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 | |
| JPH0850997A (ja) | 高周波放電用電極及び高周波プラズマ基板処理装置 | |
| JPS63186429A (ja) | ドライプロセス装置 | |
| JPH0727894B2 (ja) | 回転磁界を用いた放電反応装置 | |
| JPH0578171B2 (ja) | ||
| JPS6342707B2 (ja) | ||
| JP2003318165A (ja) | プラズマ生成用ポイントカスプ磁界を作るマグネット配列およびプラズマ処理装置 | |
| JPS6372870A (ja) | プラズマ処理装置 |