JPH06294848A - 電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法 - Google Patents
電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
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- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＳＩその他の半導体装置の表面に形成され
る電極の電位を測定するに際して、測定されるべき半導
体装置の表面を覆っている保護絶縁膜に生ずる帯電電荷
を少なくする電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電
低減方法を提供する。 【構成】 電子ビームテスタ４０を使用して半導体装置
ＬＳＩの表面電位を測定するに際して、観察倍率に自動
的に連動して２次電子引出電界強度を変化せしめる電子
ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法。
る電極の電位を測定するに際して、測定されるべき半導
体装置の表面を覆っている保護絶縁膜に生ずる帯電電荷
を少なくする電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電
低減方法を提供する。 【構成】 電子ビームテスタ４０を使用して半導体装置
ＬＳＩの表面電位を測定するに際して、観察倍率に自動
的に連動して２次電子引出電界強度を変化せしめる電子
ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子ビームテスタに
おける絶縁性膜の帯電低減方法に関し、特に、ＬＳＩそ
の他の半導体装置の表面に形成される電極の電位を測定
するに際して、測定されるべき半導体装置の表面を覆っ
ている保護膜その他の絶縁膜に生ずる帯電電荷を少なく
する電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法
に関する。
おける絶縁性膜の帯電低減方法に関し、特に、ＬＳＩそ
の他の半導体装置の表面に形成される電極の電位を測定
するに際して、測定されるべき半導体装置の表面を覆っ
ている保護膜その他の絶縁膜に生ずる帯電電荷を少なく
する電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯
電低減方法の従来例を説明するのに先だって、図４を参
照して電子ビームテスタの原理を極く簡単に説明してお
く。図４において、４０は電子ビームテスタを示す。こ
の電子ビームテスタ４０は走査コイル４１を介して電子
ビーム５を被測定部上を２次元的に走査を行い、拡大像
を得る。拡大像により被測定配線上に電子ビームを確実
にスポット状に照射する。この例においてはＬＳＩ１の
表面の電極２上の保護絶縁膜３に照射し、その表面から
放出される電極電位に対応したエネルギ分布を有する２
次電子ビーム７を２次電子検出器４３により検出してこ
れを処理し、電子ビームテスタ画面上に電極電位に対応
した表示をすることができるものである。
電低減方法の従来例を説明するのに先だって、図４を参
照して電子ビームテスタの原理を極く簡単に説明してお
く。図４において、４０は電子ビームテスタを示す。こ
の電子ビームテスタ４０は走査コイル４１を介して電子
ビーム５を被測定部上を２次元的に走査を行い、拡大像
を得る。拡大像により被測定配線上に電子ビームを確実
にスポット状に照射する。この例においてはＬＳＩ１の
表面の電極２上の保護絶縁膜３に照射し、その表面から
放出される電極電位に対応したエネルギ分布を有する２
次電子ビーム７を２次電子検出器４３により検出してこ
れを処理し、電子ビームテスタ画面上に電極電位に対応
した表示をすることができるものである。
【０００３】この電子ビームテスタ４０は、実際は、走
査コイル４１とＬＳＩ１表面との間に図５に示される如
くに２次電子ビーム７を引き出す２次電子引出電極６が
具備されている。２次電子引出電極６の２次電子引出電
圧は、観察及び計測中は一定値に保たれている。図５に
おいて、保護絶縁膜３に電子ビーム５を照射した場合、
その表面から２次電子ビーム７が放出され、２次電子引
出電極６に印加される電圧により形成される電界により
引き出されて２次電子検出器４３に到達し、ここにおい
て検出される。入射した電子ビーム５の電荷と放出され
た２次電子ビーム７の電荷が等量であれば、保護絶縁膜
３に帯電することはない。
査コイル４１とＬＳＩ１表面との間に図５に示される如
くに２次電子ビーム７を引き出す２次電子引出電極６が
具備されている。２次電子引出電極６の２次電子引出電
圧は、観察及び計測中は一定値に保たれている。図５に
おいて、保護絶縁膜３に電子ビーム５を照射した場合、
その表面から２次電子ビーム７が放出され、２次電子引
出電極６に印加される電圧により形成される電界により
引き出されて２次電子検出器４３に到達し、ここにおい
て検出される。入射した電子ビーム５の電荷と放出され
た２次電子ビーム７の電荷が等量であれば、保護絶縁膜
３に帯電することはない。
【０００４】しかし、１ｋｖ程度の加速電圧により電子
ビームを加速して電子ビーム照射をする場合、SiN 、 S
iO2 より成る保護絶縁膜３は２次電子放出率が１以上で
あるために、これら保護絶縁膜３の表面は正に帯電する
に到る。ＬＳＩ１の保護絶縁膜３表面に帯電すると、こ
のＬＳＩ１の保護絶縁膜３の下方の電極２の電位を観
察、計測するに多くの困難を伴うこととなる。保護絶縁
膜３表面に電荷が帯電すると、２次電子ビーム７に対す
る帯電電荷の影響が大きくなることに起因して配線電極
２の電位の影響が正常に保護膜上に反映せず、それだけ
観察、計測は困難となる。帯電量は入射する入射電子ビ
ーム量、入射電子ビーム加速電圧、２次電子ビーム引出
電界強度、入射ビーム照射領域、電子ビーム照射走査速
度、保護絶縁膜の種類、その他のパラメータに依存して
複雑に変化する。
ビームを加速して電子ビーム照射をする場合、SiN 、 S
iO2 より成る保護絶縁膜３は２次電子放出率が１以上で
あるために、これら保護絶縁膜３の表面は正に帯電する
に到る。ＬＳＩ１の保護絶縁膜３表面に帯電すると、こ
のＬＳＩ１の保護絶縁膜３の下方の電極２の電位を観
察、計測するに多くの困難を伴うこととなる。保護絶縁
膜３表面に電荷が帯電すると、２次電子ビーム７に対す
る帯電電荷の影響が大きくなることに起因して配線電極
２の電位の影響が正常に保護膜上に反映せず、それだけ
観察、計測は困難となる。帯電量は入射する入射電子ビ
ーム量、入射電子ビーム加速電圧、２次電子ビーム引出
電界強度、入射ビーム照射領域、電子ビーム照射走査速
度、保護絶縁膜の種類、その他のパラメータに依存して
複雑に変化する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】電子ビームテスタは、
従来、２次電子引出電極６の２次電子引出電圧を観察、
計測中一定値に保持し、入射電子ビーム加速電圧を低加
速電圧に設定し、或は入射電子ビーム電流量を極力少く
して保護絶縁膜３表面の帯電電荷による影響を少くして
いた。しかし、何れの対策も不充分なものであった。
従来、２次電子引出電極６の２次電子引出電圧を観察、
計測中一定値に保持し、入射電子ビーム加速電圧を低加
速電圧に設定し、或は入射電子ビーム電流量を極力少く
して保護絶縁膜３表面の帯電電荷による影響を少くして
いた。しかし、何れの対策も不充分なものであった。
【０００６】この発明は、２次電子ビーム引出電界強
度、入射電子ビーム照射領域に着目して保護絶縁膜表面
の帯電を減少せしめる電子ビームテスタにおける絶縁性
膜の帯電低減方法を提供するものである。
度、入射電子ビーム照射領域に着目して保護絶縁膜表面
の帯電を減少せしめる電子ビームテスタにおける絶縁性
膜の帯電低減方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】電子ビームテスタ４０を
使用して半導体装置ＬＳＩの表面電位を測定するに際し
て、観察倍率に自動的に連動して２次電子引出電界強度
を変化せしめる電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯
電低減方法を構成した。ここで、観察領域が小さくなる
程２次電子引出電界強度を増大せしめる電子ビームテス
タにおける絶縁性膜の帯電低減方法を構成した。更に、
この電子ビームにおける絶縁性膜の帯電低減方法におい
て、或る一定値Ｍ0 以上の観察倍率においては２次電子
引出電界強度を一定値に保持する電子ビームテスタにお
ける絶縁性膜の帯電低減方法も構成した。
使用して半導体装置ＬＳＩの表面電位を測定するに際し
て、観察倍率に自動的に連動して２次電子引出電界強度
を変化せしめる電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯
電低減方法を構成した。ここで、観察領域が小さくなる
程２次電子引出電界強度を増大せしめる電子ビームテス
タにおける絶縁性膜の帯電低減方法を構成した。更に、
この電子ビームにおける絶縁性膜の帯電低減方法におい
て、或る一定値Ｍ0 以上の観察倍率においては２次電子
引出電界強度を一定値に保持する電子ビームテスタにお
ける絶縁性膜の帯電低減方法も構成した。
【０００８】
【実施例】この発明の実施例を図を参照して説明する。
この発明を要約するに、図３に示される如く、入射電子
ビーム照射領域に対応して自動的に２次電子ビーム引出
電界強度を変化せしめる。電子ビーム照射領域が大領域
になるにつれて２次電子ビーム引出電界強度が小さくな
る様にダイナミック制御をする。この様にすることによ
りＬＳＩ表面近傍の電界強度は常に最適に保たれ、保護
絶縁膜３表面の帯電を防止することができる。
この発明を要約するに、図３に示される如く、入射電子
ビーム照射領域に対応して自動的に２次電子ビーム引出
電界強度を変化せしめる。電子ビーム照射領域が大領域
になるにつれて２次電子ビーム引出電界強度が小さくな
る様にダイナミック制御をする。この様にすることによ
りＬＳＩ表面近傍の電界強度は常に最適に保たれ、保護
絶縁膜３表面の帯電を防止することができる。
【０００９】以下、この発明の実施例を特に図１を参照
して詳細に説明する。図１（ａ）はＬＳＩ全面の電位分
布を示す図、（ｂ）はＬＳＩ全面近傍の電位分布を示す
図である。ＬＳＩ１の保護絶縁膜３表面の電位Ｖs が０
であり、２次電子引出電極６の引出電圧Ｖext が正であ
る場合、保護絶縁膜３表面の前面には放射２次電子７に
対する加速電界のみが存在する。この場合、保護絶縁膜
３表面に電子ビーム５を照射すると、上述した通りＬＳ
Ｉ１の保護絶縁膜３として採用される絶縁膜は通常２次
電子放出率が１以上であるために、これら保護絶縁膜３
表面の入射電子ビーム照射領域自体は正に帯電するに到
る。この帯電量が増大するにつれて、保護絶縁膜３の電
子ビーム照射領域の前面の電界は正から負に逆転するこ
ととなる。しかし、保護絶縁膜３の電子ビーム照射領域
から更に離れた前面における電界は正である。即ち、電
位鞍点Ｆs が生ずるに到る。
して詳細に説明する。図１（ａ）はＬＳＩ全面の電位分
布を示す図、（ｂ）はＬＳＩ全面近傍の電位分布を示す
図である。ＬＳＩ１の保護絶縁膜３表面の電位Ｖs が０
であり、２次電子引出電極６の引出電圧Ｖext が正であ
る場合、保護絶縁膜３表面の前面には放射２次電子７に
対する加速電界のみが存在する。この場合、保護絶縁膜
３表面に電子ビーム５を照射すると、上述した通りＬＳ
Ｉ１の保護絶縁膜３として採用される絶縁膜は通常２次
電子放出率が１以上であるために、これら保護絶縁膜３
表面の入射電子ビーム照射領域自体は正に帯電するに到
る。この帯電量が増大するにつれて、保護絶縁膜３の電
子ビーム照射領域の前面の電界は正から負に逆転するこ
ととなる。しかし、保護絶縁膜３の電子ビーム照射領域
から更に離れた前面における電界は正である。即ち、電
位鞍点Ｆs が生ずるに到る。
【００１０】電位鞍点Ｆs において、放射された２次電
子ビーム７は押し戻される。その結果、１次電子ビーム
５と２次電子７との間の入出力のバランスは保たれる方
向に移行し、保護絶縁膜３の表面の帯電はそれだけ少な
くなる。この電位鞍点Ｆs の位置および電位は、帯電量
と２次電子ビーム引出電界強度と電子ビーム照射領域の
大きさに強く依存する。電子ビーム照射領域の大きさを
変化せしめたとき２次電子引出電界強度をダイナミック
に追従変化せしめ、最適値に設定することにより表面帯
電を減少させることがこの発明の主旨である。これにつ
いて、簡単のために図１の１次元モデルを参照して座標
軸をＬＳＩ表面に垂直にＺ軸、平行にＸ軸を採用してＬ
ＳＩ表面を１次元として説明する。
子ビーム７は押し戻される。その結果、１次電子ビーム
５と２次電子７との間の入出力のバランスは保たれる方
向に移行し、保護絶縁膜３の表面の帯電はそれだけ少な
くなる。この電位鞍点Ｆs の位置および電位は、帯電量
と２次電子ビーム引出電界強度と電子ビーム照射領域の
大きさに強く依存する。電子ビーム照射領域の大きさを
変化せしめたとき２次電子引出電界強度をダイナミック
に追従変化せしめ、最適値に設定することにより表面帯
電を減少させることがこの発明の主旨である。これにつ
いて、簡単のために図１の１次元モデルを参照して座標
軸をＬＳＩ表面に垂直にＺ軸、平行にＸ軸を採用してＬ
ＳＩ表面を１次元として説明する。
【００１１】保護絶縁膜３表面に帯電することにより、
電子ビーム照射領域が２ａ、電子ビーム照射領域の電位
がＶs になり、２次電子引出電界強度Ｆ［v/mm］が存在
した場合、（ｚ、ｘ）平面における電位は次式により表
現することができる。
電子ビーム照射領域が２ａ、電子ビーム照射領域の電位
がＶs になり、２次電子引出電界強度Ｆ［v/mm］が存在
した場合、（ｚ、ｘ）平面における電位は次式により表
現することができる。
【００１２】
【数１】 電位鞍点Ｆs の位置座標と電位をそれぞれ（Ｚm 、
０）、φm とすると
０）、φm とすると
【００１３】
【数２】 これらの関係は図２に示される如きものである。図２は
電子ビーム照射領域をパラメータとする電位鞍点ＦSに
おける電位障壁ｖと２次電子ビーム引出電界強度Ｆの関
係を示す図である。φm とＶs の差分は電位障壁とな
り、２次電子ビームを抑制する様に作用する。
電子ビーム照射領域をパラメータとする電位鞍点ＦSに
おける電位障壁ｖと２次電子ビーム引出電界強度Ｆの関
係を示す図である。φm とＶs の差分は電位障壁とな
り、２次電子ビームを抑制する様に作用する。
【００１４】図２において、２次電子ビーム引出電界強
度Ｆが一定の場合、即ち横軸の引出電界強度Ｆの或る１
点例えばＦ＝２００Ｖ／ｍｍに着目して縦軸の電位障壁
Ｖに着目すると、照射領域＝２μｍの場合はＶ＝３.
５、５μｍの場合はＶ＝２. ５Ｖ、１０μｍの場合はＶ
＝１. ２Ｖ、２０μｍの場合はＶ＝０. ５Ｖである。照
射領域が増大するにつれて電位障壁Ｖの高さは小さくな
っている。電位障壁Ｖが小さいということはＬＳＩ１の
保護絶縁膜３から放出される２次電子ビームは引出電界
Ｆに引き出され易いということであるから、この場合の
保護絶縁膜３表面の帯電量はより大きいということにな
る。逆に、電位障壁Ｖが大きいということはＬＳＩ１の
保護絶縁膜３から放出される２次電子ビームは引出電界
Ｆに引き出され難いということであるから、この場合は
保護絶縁膜３表面の帯電量はより小さいということにな
る。
度Ｆが一定の場合、即ち横軸の引出電界強度Ｆの或る１
点例えばＦ＝２００Ｖ／ｍｍに着目して縦軸の電位障壁
Ｖに着目すると、照射領域＝２μｍの場合はＶ＝３.
５、５μｍの場合はＶ＝２. ５Ｖ、１０μｍの場合はＶ
＝１. ２Ｖ、２０μｍの場合はＶ＝０. ５Ｖである。照
射領域が増大するにつれて電位障壁Ｖの高さは小さくな
っている。電位障壁Ｖが小さいということはＬＳＩ１の
保護絶縁膜３から放出される２次電子ビームは引出電界
Ｆに引き出され易いということであるから、この場合の
保護絶縁膜３表面の帯電量はより大きいということにな
る。逆に、電位障壁Ｖが大きいということはＬＳＩ１の
保護絶縁膜３から放出される２次電子ビームは引出電界
Ｆに引き出され難いということであるから、この場合は
保護絶縁膜３表面の帯電量はより小さいということにな
る。
【００１５】以上を要約するに、電位鞍点における電位
障壁Ｖの高さは照射領域の大きさに依存し、照射領域が
増大するにつれて、即ち観察倍率が小さくなる程保護絶
縁膜３表面の帯電量は増加する。ここで、この発明は、
照射領域が増大するにつれて保護絶縁膜３表面の帯電量
が増加するという不都合を回避するために、照射領域が
増大するにつれて、この増大に自動的に連動して２次電
子ビーム引出電界強度を小さくする様に構成した。一例
として、電位障壁＝２ｖが適正であるものとすると、図
２の縦軸の電位障壁＝２ｖの点を通る横軸に平行の直線
との間の交点から、照射領域＝２μｍの場合はＦ＝６６
０Ｖ／ｍｍ、５μｍの場合はＦ＝２８０Ｖ／ｍｍ、１０
μｍの場合はＦ＝１３０Ｖ／ｍｍ、２０μｍの場合はＦ
＝８０Ｖ／ｍｍ、５０μｍの場合はＦ＝３０Ｖ／ｍｍに
それぞれ制御するのである。この制御を一般的に示す
と、図３の如くになる。図３は観察倍率或は電子ビーム
照射領域と２次電子引出電界強度Ｆの関係を示す図であ
る。この様に、電位障壁の高さを同一レベルに保持する
ことにより電子ビーム照射領域増大に伴う帯電量の増加
を防止することができる。
障壁Ｖの高さは照射領域の大きさに依存し、照射領域が
増大するにつれて、即ち観察倍率が小さくなる程保護絶
縁膜３表面の帯電量は増加する。ここで、この発明は、
照射領域が増大するにつれて保護絶縁膜３表面の帯電量
が増加するという不都合を回避するために、照射領域が
増大するにつれて、この増大に自動的に連動して２次電
子ビーム引出電界強度を小さくする様に構成した。一例
として、電位障壁＝２ｖが適正であるものとすると、図
２の縦軸の電位障壁＝２ｖの点を通る横軸に平行の直線
との間の交点から、照射領域＝２μｍの場合はＦ＝６６
０Ｖ／ｍｍ、５μｍの場合はＦ＝２８０Ｖ／ｍｍ、１０
μｍの場合はＦ＝１３０Ｖ／ｍｍ、２０μｍの場合はＦ
＝８０Ｖ／ｍｍ、５０μｍの場合はＦ＝３０Ｖ／ｍｍに
それぞれ制御するのである。この制御を一般的に示す
と、図３の如くになる。図３は観察倍率或は電子ビーム
照射領域と２次電子引出電界強度Ｆの関係を示す図であ
る。この様に、電位障壁の高さを同一レベルに保持する
ことにより電子ビーム照射領域増大に伴う帯電量の増加
を防止することができる。
【００１６】この発明は、電子ビーム照射領域が増大す
るにつれて電子ビーム引出電界強度を減少せしめるもの
であるが、この引出電界強度は、この減少に伴い極性を
反転した引出電界強度、即ち抑制電界強度としても、同
様にＬＳＩ１の保護絶縁膜３表面の帯電防止の機能を発
揮することができる。上述の制御を実施するに際して観
察倍率なる数値を導入する。観察倍率は、電子ビームテ
スタのディスプレイにおける画像幅を電子ビームの走査
幅即ち電子ビーム照射領域で除した値として定義する。
ディスプレイにおける画像幅はｃｍのオーダーの値であ
り、電子ビーム照射領域はμｍのオーダーの値である。
この定義によると、電子ビーム照射領域と観察倍率とは
互いに反比例の関係にある。従って、例えば「この発明
は、電子ビーム照射領域が増大するにつれて２次電子引
出電界強度を減少せしめる」という上述の表現は「この
発明は、観察倍率が増大するにつれて２次電子引出電界
強度を増大せしめる」となる。観察倍率なる数値の導入
は、この発明の表現および実施をするに際してその理解
を直感的、容易にする。
るにつれて電子ビーム引出電界強度を減少せしめるもの
であるが、この引出電界強度は、この減少に伴い極性を
反転した引出電界強度、即ち抑制電界強度としても、同
様にＬＳＩ１の保護絶縁膜３表面の帯電防止の機能を発
揮することができる。上述の制御を実施するに際して観
察倍率なる数値を導入する。観察倍率は、電子ビームテ
スタのディスプレイにおける画像幅を電子ビームの走査
幅即ち電子ビーム照射領域で除した値として定義する。
ディスプレイにおける画像幅はｃｍのオーダーの値であ
り、電子ビーム照射領域はμｍのオーダーの値である。
この定義によると、電子ビーム照射領域と観察倍率とは
互いに反比例の関係にある。従って、例えば「この発明
は、電子ビーム照射領域が増大するにつれて２次電子引
出電界強度を減少せしめる」という上述の表現は「この
発明は、観察倍率が増大するにつれて２次電子引出電界
強度を増大せしめる」となる。観察倍率なる数値の導入
は、この発明の表現および実施をするに際してその理解
を直感的、容易にする。
【００１７】ところで、この発明は、観察倍率が増大す
るにつれて２次電子引出電界強度を増大せしめるのであ
るが、この引き出し電界は電子レンズの光軸に一致して
いても、微少な軸ずれが引出電界強度変化時に観察像、
計測ポイント位置をシフトさせることがある。そのため
に、例えばＣＡＤレイアウトとＳＥＭ像のマッチングず
れ、プローブ点のシフトの如き不都合が生ずるので、こ
の様な場合は或る一定値以上の観察倍率においては２次
電子引出電界強度を一定値に保持するのが好適で現実的
である。
るにつれて２次電子引出電界強度を増大せしめるのであ
るが、この引き出し電界は電子レンズの光軸に一致して
いても、微少な軸ずれが引出電界強度変化時に観察像、
計測ポイント位置をシフトさせることがある。そのため
に、例えばＣＡＤレイアウトとＳＥＭ像のマッチングず
れ、プローブ点のシフトの如き不都合が生ずるので、こ
の様な場合は或る一定値以上の観察倍率においては２次
電子引出電界強度を一定値に保持するのが好適で現実的
である。
【００１８】
【発明の効果】この発明の電子ビームテスタにおける絶
縁性膜の帯電低減方法は、表面に保護絶縁膜を形成した
ＬＳＩの配線電極の電位を電子ビームテスタを使用して
観察、計測するに際して保護絶縁膜表面に帯電した電荷
の影響を極力少なくすることができて、配線電極電位の
高品質、安定な観察、計測をすることが可能である。
縁性膜の帯電低減方法は、表面に保護絶縁膜を形成した
ＬＳＩの配線電極の電位を電子ビームテスタを使用して
観察、計測するに際して保護絶縁膜表面に帯電した電荷
の影響を極力少なくすることができて、配線電極電位の
高品質、安定な観察、計測をすることが可能である。
【図１】電位分布を示す図であり、（ａ）はＬＳＩ全面
の電位分布を示す図、（ｂ）はＬＳＩ全面近傍の電位分
布を示す図である。
の電位分布を示す図、（ｂ）はＬＳＩ全面近傍の電位分
布を示す図である。
【図２】電位鞍点における電位障壁と２次電子ビーム引
出電界強度の関係を示す図。
出電界強度の関係を示す図。
【図３】観察倍率或は電子ビーム照射領域と２次電子ビ
ーム引出電界強度の関係を示す図。
ーム引出電界強度の関係を示す図。
【図４】電子ビームテスタを説明する図。
【図５】ＬＳＩ表面と２次電子ビーム引出電極を示す
図。
図。
１ ＬＳＩ ３ 保護絶縁膜 ５ 電子ビーム ６ ２次電子引出電極 ７ 放射２次電子 Ｆ ２次電子引出電界強度 Ｆs 電位鞍点
Claims (3)
- 【請求項１】 電子ビームテスタを使用して半導体装置
の表面電位を測定するに際して、観察倍率に自動的に連
動して試料より放出される２次電子の引出電界強度を変
化せしめることを特徴とする電子ビームテスタにおける
絶縁性膜の帯電低減方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載される電子ビームテスタ
における絶縁性膜の帯電低減方法において、観察領域が
小さくなる程２次電子引出電界強度を増大せしめること
を特徴とする電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電
低減方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載される電子ビームテスタ
における絶縁性膜の帯電低減方法において、或る一定値
以上の観察倍率においては２次電子引出電界強度を一定
値に保持することを特徴とする電子ビームテスタにおけ
る絶縁性膜の帯電低減方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5084599A JPH06294848A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法 |
| DE19944412415 DE4412415A1 (de) | 1993-04-12 | 1994-04-11 | Verfahren zur Reduzierung elektrischer Ladung auf einem Isolationsfilm während der Analyse in einem Elektronenstrahl-Testgerät |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5084599A JPH06294848A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06294848A true JPH06294848A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13835156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5084599A Pending JPH06294848A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06294848A (ja) |
| DE (1) | DE4412415A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003509811A (ja) * | 1999-09-10 | 2003-03-11 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | サンプルの走査時に電荷の蓄積を制御するための電極を有する走査型電子ビーム顕微鏡 |
| JP2005338096A (ja) * | 2001-07-12 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | パターン測定方法、及び荷電粒子線装置 |
| US7700918B2 (en) | 2001-07-12 | 2010-04-20 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5973323A (en) | 1997-11-05 | 1999-10-26 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for secondary electron emission microscope |
| US6664546B1 (en) | 2000-02-10 | 2003-12-16 | Kla-Tencor | In-situ probe for optimizing electron beam inspection and metrology based on surface potential |
| EP2287883B1 (en) | 2004-04-15 | 2017-08-16 | Carl Zeiss SMT GmbH | Apparatus and method for investigating or modifying a surface with a beam of charged particles |
| US7232997B2 (en) | 2004-04-15 | 2007-06-19 | Nawotec Gmbh | Apparatus and method for investigating or modifying a surface with a beam of charged particles |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4103410C1 (ja) * | 1991-02-05 | 1992-08-06 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP5084599A patent/JPH06294848A/ja active Pending
-
1994
- 1994-04-11 DE DE19944412415 patent/DE4412415A1/de not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003509811A (ja) * | 1999-09-10 | 2003-03-11 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | サンプルの走査時に電荷の蓄積を制御するための電極を有する走査型電子ビーム顕微鏡 |
| JP4972262B2 (ja) * | 1999-09-10 | 2012-07-11 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | サンプル上に蓄積される電荷を制御する方法およびサンプルの画像を生成するための電子ビーム装置 |
| JP2005338096A (ja) * | 2001-07-12 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | パターン測定方法、及び荷電粒子線装置 |
| US7700918B2 (en) | 2001-07-12 | 2010-04-20 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
| US8835844B2 (en) | 2001-07-12 | 2014-09-16 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4412415A1 (de) | 1994-10-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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