JPH0629577A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

半導体発光素子の製造方法

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JPH0629577A
JPH0629577A JP20748792A JP20748792A JPH0629577A JP H0629577 A JPH0629577 A JP H0629577A JP 20748792 A JP20748792 A JP 20748792A JP 20748792 A JP20748792 A JP 20748792A JP H0629577 A JPH0629577 A JP H0629577A
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JP
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light emitting
spherical lens
center
light
adhesive
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JP20748792A
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Toshiyuki Nitta
俊之 新田
Takashi Iwasaki
孝 岩崎
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses

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  • Led Device Packages (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 狭い発光領域を有する面発光型の半導体発光
素子に球状レンズを接着するために従来は面方向に球状
レンズが移動できないように嵌合穴を設けるかあるいは
複数の突起を形成しておりこれらによって球状レンズを
位置決めしていた。しかし嵌合穴、突起の中心と発光領
域の中心が食い違う場合がある。嵌合穴や突起を形成す
ることなく、最適の結合状態にできるようにした球状レ
ンズの接着法を提供する。 【構成】 発光面の上に嵌合穴や突起を設けない。予め
発光領域の中心を求めておき、接着剤を塗付した後発光
領域の中心の位置へ球状レンズを置き接着剤を硬化させ
球状レンズを固定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は光通信等に用いる発光
素子の製造方法に関する。半導体の発光素子としては発
光ダイオ−ドと半導体レ−ザがある。また材料としては
GaAs、GaP、InP系等がある。発光素子には面
発光型のものと、端面発光型の物がある。ここで対象と
するのは面発光型である。この場合光が狭い発光領域か
ら四方へ拡がってしまうのでレンズによって収束させ光
ファイバのコアに効率良く入射させる必要がある。光通
信や光計測に用いる場合は、発光素子チップの上に直接
に球状レンズを固定し光ファイバに結合している。発光
素子の発光領域での光の角度分散が大きく光ファイバの
コアが小さいので、焦点距離が短く方向性の問題になら
ない球状レンズを直接に発光素子チップに固定する。ケ
−シングに発光素子チップを固定しレンズを有する蓋を
ケ−シングに取り付けるというように間接的な固定では
ない。
【0002】
【従来の技術】特公昭57−29067号は、発光素子
チップの発光領域の上に嵌合穴を形成し、接着剤を塗付
し嵌合穴に球状レンズを内接させて固定する構造を提案
している。嵌合穴の縁にレンズが内接するので完全な位
置決めがなされる。発光領域の中心と嵌合穴の中心が一
致していれば球状レンズの中心と発光領域の中心が一致
する筈である。しかしながらこれは嵌合穴に接着剤を入
れてから球状レンズを嵌合させるので、粘度の高い接着
剤の場合は穴から接着剤が十分に排除されず球状レンズ
が穴の縁から浮いてしまうことがある。
【0003】もうひとつの難点は発光領域の中心と嵌合
穴の中心のずれの問題である。つねに発光素子チップの
発光領域の中心と嵌合穴の中心が面と垂直な方向に合致
するとは限らない。もしも発光領域の中心と嵌合穴の中
心がずれていると、球状レンズの中心と発光領域の中心
がずれてしまい収束された光が面と直角な方向に出射さ
れない。
【0004】特開昭60−161684号は嵌合穴から
接着剤が完全に出ないという難点を解決しようとするも
のである。嵌合穴を発光素子に彫るのではなく、発光素
子の面に幾つかの突起を形成する。突起の上に接着剤を
塗付し球状レンズを上に置きこれを接着する。突起の位
置はそれらの中心が発光領域の中心に合致するように決
められる。また球状レンズがすべての突起と面とに接触
するように位置が決まっている。つまり球状レンズが発
光素子の上で動く余地は全くなく突起によって完全に位
置決めされる。一義的な位置決めがなされる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような発光素子は
発光領域の面積が小さく、これに接続すべき光ファイバ
のコアの面積も小さい。両者を効率良く結合するために
は球状レンズの位置制御は面と平行な方向に2μm以内
の誤差範囲にある必要がある。ところが発光素子に球状
レンズを直接に取り付けるタイプのものは、発光領域と
レンズの取付位置が反対側になるのでウエハプロセスが
2重になり表裏での位置合わせをしなければならない。
これについて説明する。
【0006】発光素子を作るためのウエハは化合物半導
体のウエハを用いる。これは始めは400μm〜600
μmの厚みを持っている。エピタキシャル成長やエッチ
ング、電極の形成等のウエハプロセスによってチップに
対応する単位部分に発光素子を製作した後裏面を研磨に
よって除去する。これは発光領域と球状レンズの距離を
規定の値にするためである。
【0007】前述のように球状レンズを定置するために
チップの裏面に嵌合穴や突起を設けるものは、発光素子
が製作されたウエハを治具から外して、ウエハを裏返
し、発光領域のある面を治具に固定する。そして裏面を
研磨などによって除去し100μm〜200μmに薄く
する。さらに各チップの発光領域に対応する位置に前記
の嵌合穴や突起の中心が合致するように位置決めしてこ
れら嵌合穴や突起を形成する。つまり発光領域をつくる
ウエハプロセスと突起を作るウエハプロセスが異なる面
に対して行われる。このようにウエハプロセスが表面と
裏面について行われる。このような発光素子の製造は表
裏2重のウエハプロセスを必要とするのである。
【0008】ウエハは2〜3インチの直径を持つがチッ
プは300〜500μm角の小さいものである。発光領
域や電極を形成したのちウエハを裏返して裏面を研磨し
て100〜200μmに薄くし、発光領域の丁度上に当
たる部分に複数の突起をエッチングや蒸着とホトリソグ
ラフィによって形成する。前述のように発光領域と突起
の中心の上下での位置誤差が2μm以内になければなら
ないが、ウエハは直径が大きく、厚みが極めて小さいの
で、反りが著しくなる。であるから表裏での位置合わせ
誤差が大きくなる。ために表面と裏面から別々に形成し
た発光領域の中心と突起の中心が合致しにくくなる。位
置誤差が前記の2μmを越えることがしばしばある。
【0009】従来はこのような表裏の位置合わせを行っ
て嵌合穴や突起を形成し、これらに球状レンズをはめ込
み固定することにより発光素子を製造していた。しかし
前述のように球状レンズの中心と発光領域の中心とが必
ずしも合致しているとは限らないので、チップに球状レ
ンズを取り付けた後に光を通して結合効率の低いものを
除くという作業を行う必要があった。位置ずれを修正す
ることができないので従来の方法は製品の歩留りが低か
った。
【0010】発光素子チップの上に直接に球状レンズを
取り付ける半導体発光素子において、位置ずれの起こり
易い表裏2重のウエハプロセスを行うことなく、発光領
域の中心と球状レンズの中心が上下方向に合致し、常に
最適の位置決めができるようにした半導体発光素子の製
造方法を提供することが本発明の目的である。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の発光素子の製造
方法は、半導体ウエハの上に発光領域を形成した後、裏
面を高精度に研磨し、これを個々のチップに切り出し、
チップを治具に取り付けて、電極に電流を流して発光領
域を実際に発光させ、これをテレビカメラで発光面(発
光領域から遠い側)側から観察し、これを画像処理して
発光領域の中心を求め、これを記憶しておく。発光面に
は接着剤を予め塗付しておき、球状レンズはコレットで
掴み球状レンズとチップ面とを相対移動させて発光領域
の中心に当たる箇所に球状レンズを停止させる。この状
態で接着剤を硬化させる。接着剤は所望の位置にきた時
に瞬間的に硬化するものが望ましいので紫外線硬化樹脂
を用いるのが良い。この場合は、真空コレットで球状レ
ンズを発光領域の中心の直上部に運んだ時に紫外線を樹
脂に当ててこれを硬化させる。
【0012】
【作用】半導体ウエハの発光領域が存在する面と反対側
の面を高精度に研磨することにより、発光領域からその
面(発光面)までの距離を全てのウエハおよびウエハの
全面について等しくする。これは面と垂直方向の球状レ
ンズと発光領域との位置関係を正しく規定するためのも
のである。球状レンズを発光面に接触させると球状レン
ズの中心と発光領域の中心との距離が一定になる。
【0013】従来は、球状レンズを取り付ける前に、発
光素子を発光させないので正確な発光中心が分からなか
ったのである。しかし本発明では、発光素子チップを適
当な治具に取り付けてから通電し発光させる。そして上
方からテレビカメラで観察して画像処理し発光中心の座
標を求める。これは治具に対する座標として計算され記
憶される。本発明はこのように個々の発光素子チップに
ついて実際の発光中心を求めてから球状レンズを取り付
けるから、発光中心と球状レンズの中心のずれが生じな
い。このような手法は従来にないものである。
【0014】
【実施例】以下本発明の実施例を図面によって説明す
る。半導体ウエハの上に各チップごとの発光領域を形成
する。これを別の治具に取り付けて、裏面を所望の厚み
まで高精度に研磨する。これによりこのウエハに含まれ
るチップ半導体全て同じ厚みとなる。それだけでなく異
なるウエハの間でも厚みが同じになる。裏面つまり発光
面は研磨するだけで突起や嵌合穴を形成しない。発光面
は平坦である。このウエハを切断して個々のチップ4と
する。これを治具に取付て、図1の(a)のように発光
させる。これを発光面の側に設けられたカメラ5によっ
て観察する。画像として発光パタ−ンが得られるのでこ
れを画像処理して発光の中心の位置を求める。
【0015】この場合の処理は例えばテレビ画面のなか
で光の像を得て適当な閾値で二値画像とし、光の存在す
る部分の輪郭線を求めその重心を計算するという方法で
発光中心を求めうる。あるいは輝度についてのデ−タを
求め等輝度曲線の極限を求めるという手続によっても発
行の中心を決めることができる。この際カメラは固定さ
れている。発光の中心Cを予め定められた定位置Oにな
るように治具を動かす。図3にこれを示す。または固定
治具にし、発光中心Cが固定治具の定位置Oに一致する
ように発光素子チップ4を固定する。図4にこれを示
す。何れにしても発光素子の発光中心Cが定位置Oにあ
る。
【0016】次に図1の(b)に示すように、紫外線硬
化樹脂6を発光素子チップ4の発光面に塗付する。この
紫外線硬化樹脂は、発光素子チップの屈折率と球状レン
ズの屈折率に適合したものを選んで使用する。屈折率が
異なると接着剤とレンズ、チップの境界で光が反射され
て損失が増えるからである。
【0017】接着剤は単に球状レンズを固定するだけで
なく、発光素子チップを保護するパッシベ−ション膜と
しての機能もある。発光素子チップ4において、pn接
合側の界面が露出している。これに水分等が付着すると
発光素子が劣化する。接着剤はチップのpn接合側を完
全に覆い、水分や外気の進入を防ぐ。このため接着剤と
しては紫外線硬化樹脂であってしかも素子を保護するパ
ッシベ−ション機能のあるものを選ぶべきである。
【0018】次に図1(c)のように真空コレット7で
球状レンズ2を掴み、前記の画像処理によって求めた発
光中心Cの上に運び、素子の発光面3に球状レンズ2を
押し付けてこのまま保持する。前述のように発光中心C
を定位置Oに一致させているので、真空コレット7で球
状レンズ2を運ぶ位置は常に同一である。この状態で1
図(d)に示すように紫外線を紫外線硬化樹脂6に当て
てこれを硬化させる。球状レンズ2が紫外線を良く通す
ものであれば上方から紫外線を照射すれば良い。もしも
球状レンズがたとえば、BK7やサファイヤのように紫
外線を通し難いものであれば、側方から紫外線を照射す
る。接着剤が硬化する。その後真空コレット7を球状レ
ンズ2から取り外す。こうして、発光領域の直上の位置
に球状レンズを固定できる。図2はこのように球状レン
ズを固定した状態の断面図である。嵌合穴や突起はなく
平坦な面に球状レンズが固定される。
【0019】
【発明の効果】本発明は狭い発光領域を持つ発光素子チ
ップの上に球状レンズを固定する場合、予め発光領域の
中心を求めこの位置へと球状レンズを真空コレットで搬
送し接着剤を硬化させるようになっているから、発光領
域と球状レンズの中心の位置が上下方向に合致し最良の
結合効率が得られる。また接着剤によって発光素子のp
n接合部を被覆できるので、パッシベ−ション膜として
の機能をも果たすことができる。従来法のようにウエハ
の表面と裏面の双方にウエハプロセスを行うのではない
から表裏の位置ずれの問題がない。また嵌合穴や突起を
形成する工程を省くことが出来るので取付作業が短時間
で済む。従来法のように製作してから発光させ結合効率
を試験するのでは不良品がでるのもやむを得ないが、本
発明は始めから発光素子を発光させて発光の中心を知っ
てから球状レンズを位置決めするので不良品が出ない。
製品歩留りが高い。また球状レンズの実装と同時に電気
的光学的な試験を行うことができるようになり検査の工
数をも減ずることが可能である。本発明は歩留りの高い
生産効率の高い方法を提供でき優れた発明である。光通
信等の光源として好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の工程を説明するための図。(a)はカ
メラで発光素子の発光中心を観察している状態を示す
図。(b)は接着剤を塗付した状態を示す図。(c)は
真空コレットで球状レンズを掴んで発光素子の上へ置い
た状態を示す図。(d)は位置決めした後紫外線をあて
て接着剤を硬化させる状態を示す図。
【図2】球状レンズをチップに固定した後の図。
【図3】治具とともに発光素子チップを動かし発光中心
を定位置に合致させるようにする状態の図。(a)、
(b) はチップ発光中心、治具中心の関係の異なる2つ
の例を示す。
【図4】発光素子チップの中心を定位置に合致させるよ
うにチップを治具に固定する状態の図。(a)、(b)は
チップ発光中心、治具中心の関係の異なる2つの例を示
す。
【符号の説明】
1 発光領域 2 球状レンズ 3 発光面 4 発光素子チップ 5 カメラ 6 接着剤(紫外線硬化樹脂) 7 真空コレット
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年7月20日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】削除
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0018
【補正方法】変更
【補正内容】
【0018】次に図1(c)のように真空コレット7で
球状レンズ2を掴み、前記の画像処理によって求めた発
光中心Cと球状レンズの中心を一致させて、素子の発光
面3に球状レンズ2を押し付けてこのまま保持する。こ
の状態で1図(d)に示すように紫外線を紫外線硬化樹
脂6に当ててこれを硬化させる。球状レンズ2が紫外線
を良く通すものであれば上方から紫外線を照射すれば良
い。もしも球状レンズがたとえば、BK7やサファイヤ
のように紫外線を通し難いものであれば、側方から紫外
線を照射する。接着剤が硬化する。その後真空コレット
7を球状レンズ2から取り外す。こうして、発光領域の
直上の位置に球状レンズを固定できる。図2はこのよう
に球状レンズを固定した状態の断面図である。嵌合穴や
突起はなく平坦な面に球状レンズが固定される。
【手続補正4】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図3
【補正方法】削除
【手続補正5】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図4
【補正方法】削除 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年7月26日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の工程を説明するための図。(a)はカ
メラで発光素子の発光中心を観察している状態を示す
図。(b)は接着剤を塗付した状態を示す図。(c)は
真空コレットで球状レンズを掴んで発光素子の上へ置い
た状態を示す図。(d)は位置決めした後紫外線をあて
て接着剤を硬化させる状態を示す図。
【図2】球状レンズをチップに固定した後の図。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 面発光型であって内部の狭い領域に発光
    領域を有する半導体発光素子を形成した半導体ウエハの
    発光領域に遠い面を研磨して薄くし、個々のチップに切
    断し、テレビカメラで発光素子チップを観察しながら発
    光素子を発光させ、発光領域の中心Cを求め、発光面に
    接着剤を塗付してから前記の発光面の発光領域の中心C
    の上へ球状レンズを置き、接着剤を硬化させて、発光領
    域の直上位置の発光面に球状レンズを接着することを特
    徴とする半導体発光素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 面発光型であって内部の狭い領域に発光
    領域を有する半導体発光素子を形成した半導体ウエハの
    発光領域に遠い面を研磨して薄くし、個々のチップに切
    断し、テレビカメラで発光素子チップを観察しながら発
    光素子を発光させ、発光領域の中心Cを求め、発光領域
    の中心Cが治具上の定位置Oに重なるようにチップを移
    動して治具に固定し、発光面に接着剤を塗付してから前
    記の治具上の定点Oの位置に球状レンズを置き、接着剤
    を硬化させて、発光領域の直上位置の発光面に球状レン
    ズを接着することを特徴とする半導体発光素子の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 面発光型であって内部の狭い領域に発光
    領域を有する半導体発光素子を形成した半導体ウエハの
    発光領域に遠い面を研磨して薄くし、個々のチップに切
    断し、発光素子チップを治具に固定し、テレビカメラで
    発光素子チップを観察しながら発光素子を発光させ、発
    光領域の中心Cを求め、発光領域の中心Cが、三次元空
    間中の定位置Oに重なるように発光素子チップの固定さ
    れた治具を移動させ、発光面に接着剤を塗付してから前
    記の治具上の定点Oの位置に球状レンズを置き、接着剤
    を硬化させて、発光領域の直上位置の発光面に球状レン
    ズを接着することを特徴とする半導体発光素子の製造方
    法。
  4. 【請求項4】 接着剤が、重金属を含まず、パッシベ−
    ション機能を持つ紫外線硬化樹脂であって、球状レンズ
    の位置合わせをした後紫外線を照射することにより紫外
    線硬化樹脂を硬化させ、球状レンズの固定と同時に素子
    のパッシベ−ションを行うこととした請求項1〜3の何
    れかに記載の半導体発光素子の製造方法。
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CA002100115A CA2100115C (en) 1992-07-10 1993-07-08 Method for producing a semiconductor light emitting device
DE69309817T DE69309817T2 (de) 1992-07-10 1993-07-08 Herstellungsverfahren einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung
US08/088,639 US5403773A (en) 1992-07-10 1993-07-09 Method for producing a semiconductor light emitting device
KR1019930013052A KR970005155B1 (ko) 1992-07-10 1993-07-10 반도체발광소자의 제조방법

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996003776A1 (en) * 1994-07-21 1996-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and production method thereof
US6136626A (en) * 1994-06-09 2000-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and production method thereof
JP2009537991A (ja) * 2006-05-17 2009-10-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ケイ素含有組成物を有する発光デバイスの製造方法
JP2010245467A (ja) * 2009-04-10 2010-10-28 Siix Corp 透明部品の実装方法
JP2012256899A (ja) * 2000-09-12 2012-12-27 Philips Lumileds Lightng Co Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
JP2015233121A (ja) * 2014-06-09 2015-12-24 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 光源モジュールの不良検査方法及び光源モジュールの製造方法
JP2021015910A (ja) * 2019-07-12 2021-02-12 Dowaエレクトロニクス株式会社 発光素子ランプ及びその製造方法

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3412224B2 (ja) * 1994-01-07 2003-06-03 住友電気工業株式会社 レンズ実装方法と装置
US6809010B1 (en) * 1996-02-29 2004-10-26 Kyocera Corporation Sapphire single crystal, semiconductor laser diode using the same for substrate, and method for manufacturing the same
US6326647B1 (en) * 1999-04-01 2001-12-04 Stmicroelectronics, Inc. Packaging and mounting of spherical semiconductor devices
WO2001091193A2 (en) * 2000-05-23 2001-11-29 Atmel Corporation Integrated ic chip package for electronic image sensor die
JP3538602B2 (ja) * 2000-06-28 2004-06-14 シャープ株式会社 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置
GB0209016D0 (en) 2002-04-19 2002-05-29 Zarlink Semiconductor Ab Optical transducer with farfield modifier
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7329982B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element
US20060091412A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Wheatley John A Polarized LED
US7304425B2 (en) * 2004-10-29 2007-12-04 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with compound optical element(s)
US20060091414A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J LED package with front surface heat extractor
US7330319B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with multiple optical elements
US20060091411A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
US7314770B2 (en) * 2004-11-18 2008-01-01 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US20060105483A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Leatherdale Catherine A Encapsulated light emitting diodes and methods of making
US7192795B2 (en) * 2004-11-18 2007-03-20 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US20060187653A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Olsson Mark S LED illumination devices
US7411668B2 (en) * 2005-09-26 2008-08-12 Zaps Technologies Incorporated Light returning target for a photometer
US20070092736A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US20070092737A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US20070092636A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
US7595515B2 (en) * 2005-10-24 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
US7798678B2 (en) * 2005-12-30 2010-09-21 3M Innovative Properties Company LED with compound encapsulant lens
US20070258241A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with non-bonded converging optical element
US20070257270A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with wedge-shaped optical element
US7953293B2 (en) * 2006-05-02 2011-05-31 Ati Technologies Ulc Field sequence detector, method and video device
US7390117B2 (en) * 2006-05-02 2008-06-24 3M Innovative Properties Company LED package with compound converging optical element
US20070257271A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with encapsulated converging optical element
US7525126B2 (en) 2006-05-02 2009-04-28 3M Innovative Properties Company LED package with converging optical element
US7423297B2 (en) * 2006-05-03 2008-09-09 3M Innovative Properties Company LED extractor composed of high index glass
US8141384B2 (en) * 2006-05-03 2012-03-27 3M Innovative Properties Company Methods of making LED extractor arrays
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
WO2008011377A2 (en) * 2006-07-17 2008-01-24 3M Innovative Properties Company Led package with converging extractor
US8092735B2 (en) * 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
US8172434B1 (en) 2007-02-23 2012-05-08 DeepSea Power and Light, Inc. Submersible multi-color LED illumination system
US20090065792A1 (en) 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
TWI462340B (zh) * 2010-09-08 2014-11-21 晶元光電股份有限公司 一種發光結構及其製造方法
JP7549808B2 (ja) * 2021-07-05 2024-09-12 ウシオ電機株式会社 紫外線照射装置及び露光装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6033318B2 (ja) * 1978-07-14 1985-08-02 三菱電機株式会社 半導体発光装置の製造方法
GB2035595B (en) * 1978-11-29 1982-12-01 Plessey Co Ltd Optical positioning apparatus
JPS5729067A (en) * 1980-07-30 1982-02-16 Fuji Xerox Co Ltd Heat fixing device for electrophotographic copier
JPS60413A (ja) * 1983-06-16 1985-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd レンズ装荷方法
JPH0634410B2 (ja) * 1984-02-02 1994-05-02 住友電気工業株式会社 半導体発光素子
NL8403535A (nl) * 1984-11-21 1986-06-16 Philips Nv Inrichting voor het optisch koppelen van een stralingsbron aan een optische transmissievezel.
US4772123A (en) * 1986-11-24 1988-09-20 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Alignment of optical components
US4989051A (en) * 1990-02-13 1991-01-29 The Univ. Of Delaware Bi-directional, feed through emitter-detector for optical fiber transmission lines
US5181263A (en) * 1990-05-21 1993-01-19 Motorola, Inc. Wave-guide I/O for optical or electro-optical components
US5194105A (en) * 1991-08-29 1993-03-16 American Telephone And Telegraph Company Placement and bonding technique for optical elements

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6136626A (en) * 1994-06-09 2000-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and production method thereof
WO1996003776A1 (en) * 1994-07-21 1996-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and production method thereof
US5751013A (en) * 1994-07-21 1998-05-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and production method thereof
US5895225A (en) * 1994-07-21 1999-04-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and production method thereof
US6133058A (en) * 1994-07-21 2000-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fabrication of semiconductor light-emitting device
JP2012256899A (ja) * 2000-09-12 2012-12-27 Philips Lumileds Lightng Co Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US10312422B2 (en) 2000-09-12 2019-06-04 Lumileds Llc Light emitting devices with optical elements and bonding layers
JP2009537991A (ja) * 2006-05-17 2009-10-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ケイ素含有組成物を有する発光デバイスの製造方法
JP2010245467A (ja) * 2009-04-10 2010-10-28 Siix Corp 透明部品の実装方法
JP2015233121A (ja) * 2014-06-09 2015-12-24 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 光源モジュールの不良検査方法及び光源モジュールの製造方法
JP2021015910A (ja) * 2019-07-12 2021-02-12 Dowaエレクトロニクス株式会社 発光素子ランプ及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA2100115C (en) 1998-06-16
CA2100115A1 (en) 1994-01-11
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EP0587277B1 (en) 1997-04-16
US5403773A (en) 1995-04-04

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