JPH06295890A - 半導体ウェーハの加工方法 - Google Patents
半導体ウェーハの加工方法Info
- Publication number
- JPH06295890A JPH06295890A JP10895992A JP10895992A JPH06295890A JP H06295890 A JPH06295890 A JP H06295890A JP 10895992 A JP10895992 A JP 10895992A JP 10895992 A JP10895992 A JP 10895992A JP H06295890 A JPH06295890 A JP H06295890A
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- JP
- Japan
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- wafer
- semiconductor
- lapping
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- semiconductor wafer
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- Pending
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体インゴットからスライシング工程、ラ
ッピング工程を経て所要の半導体ウェーハを得る加工方
法において、ウェーハの反りを著しく低減できる半導体
ウェーハの加工方法の提供。 【構成】 予めスライシング加工工程での切り出し時に
ウェーハの表裏両面が凸型形状あるいは凹型形状となる
ように加工しておき、図２のＡに示す如くラッピング時
にウェーハ１，２の表面中央部あるいは周辺部からラッ
プ定盤３，４に当接させることにより、ラッピング時に
弾性変形せず、ラップ定盤３，４に当たっている部分か
ら削られていくため、図２のＢに示す如く反り形状の小
さなウェーハ５を形成できる。
ッピング工程を経て所要の半導体ウェーハを得る加工方
法において、ウェーハの反りを著しく低減できる半導体
ウェーハの加工方法の提供。 【構成】 予めスライシング加工工程での切り出し時に
ウェーハの表裏両面が凸型形状あるいは凹型形状となる
ように加工しておき、図２のＡに示す如くラッピング時
にウェーハ１，２の表面中央部あるいは周辺部からラッ
プ定盤３，４に当接させることにより、ラッピング時に
弾性変形せず、ラップ定盤３，４に当たっている部分か
ら削られていくため、図２のＢに示す如く反り形状の小
さなウェーハ５を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ウェーハの反りを低
減した両面ラッピングによる半導体ウェーハの加工方法
に係り、半導体ウェーハの切り出し時のスライシング工
程でウェーハ形状を所定の形状に制御しておくことによ
り、ラッピング工程でのウェーハ反りを著しく低減した
半導体ウェーハの加工方法に関する。
減した両面ラッピングによる半導体ウェーハの加工方法
に係り、半導体ウェーハの切り出し時のスライシング工
程でウェーハ形状を所定の形状に制御しておくことによ
り、ラッピング工程でのウェーハ反りを著しく低減した
半導体ウェーハの加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハを得るには、まず半導体
インゴットを例えば内周刃切断装置で所要厚みのウェー
ハに切り出したのち、その両面をラッピング装置で平坦
に加工していた。すなわち、半導体インゴットからスラ
イシング工程、ラッピング工程を経て所要の半導体ウェ
ーハを得ていた。
インゴットを例えば内周刃切断装置で所要厚みのウェー
ハに切り出したのち、その両面をラッピング装置で平坦
に加工していた。すなわち、半導体インゴットからスラ
イシング工程、ラッピング工程を経て所要の半導体ウェ
ーハを得ていた。
【０００３】従って、半導体インゴットからスライシン
グ工程での切断精度がウェーハの反りの発生を左右する
ことになる。切断精度を向上させる具体的な従来の方法
としては、内周刃の刃先に複数の変位センサーを付け、
それをモニタリングしながらエアーノズルを使用して、
その変位を０とするようにエアーノズルで内周刃ブレー
ドの刃先位置を制御する方法が採用されていた。
グ工程での切断精度がウェーハの反りの発生を左右する
ことになる。切断精度を向上させる具体的な従来の方法
としては、内周刃の刃先に複数の変位センサーを付け、
それをモニタリングしながらエアーノズルを使用して、
その変位を０とするようにエアーノズルで内周刃ブレー
ドの刃先位置を制御する方法が採用されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、内周
刃ブレードの刃先変位をいくら０に近づけても、ウェー
ハの反りの発生を低減することは困難であった。すなわ
ち、従来のスライシング法で得られた半導体ウェーハに
発生した反りは、両面ラッピングを施して高精度に平坦
加工しても、先の反りが解消せずに残ってしまう問題が
あった。
刃ブレードの刃先変位をいくら０に近づけても、ウェー
ハの反りの発生を低減することは困難であった。すなわ
ち、従来のスライシング法で得られた半導体ウェーハに
発生した反りは、両面ラッピングを施して高精度に平坦
加工しても、先の反りが解消せずに残ってしまう問題が
あった。
【０００５】この発明は、半導体インゴットからスライ
シング工程、ラッピング工程を経て所要の半導体ウェー
ハを得る加工方法において、ウェーハの反りを著しく低
減できる半導体ウェーハの加工方法の提供を目的として
いる。
シング工程、ラッピング工程を経て所要の半導体ウェー
ハを得る加工方法において、ウェーハの反りを著しく低
減できる半導体ウェーハの加工方法の提供を目的として
いる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体イン
ゴットからスライシング工程、ラッピング工程を経て半
導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの加工方法にお
いて、被研磨ウェーハの形状を、予めスライシング加工
工程での切り出し時にウェーハの表裏両面が凸型形状あ
るいは凹型形状となるように加工しておき、ラッピング
時にウェーハの表面中央部あるいは周辺部からラップ定
盤に当接させて反りを防止することを特徴とする半導体
ウェーハの加工方法である。
ゴットからスライシング工程、ラッピング工程を経て半
導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの加工方法にお
いて、被研磨ウェーハの形状を、予めスライシング加工
工程での切り出し時にウェーハの表裏両面が凸型形状あ
るいは凹型形状となるように加工しておき、ラッピング
時にウェーハの表面中央部あるいは周辺部からラップ定
盤に当接させて反りを防止することを特徴とする半導体
ウェーハの加工方法である。
【０００７】また、この発明は、上記の構成において、
スライシング加工工程での切り出し時に、内周刃ブレー
ドの刃先にドレッシングやエアーノズルでの吸引制御、
押圧制御を行い、刃先を強制的に変位させて、ウェーハ
の表裏両面が凸型形状あるいは凹型形状からなるウェー
ハを得ることを特徴とする半導体ウェーハの加工方法で
ある。
スライシング加工工程での切り出し時に、内周刃ブレー
ドの刃先にドレッシングやエアーノズルでの吸引制御、
押圧制御を行い、刃先を強制的に変位させて、ウェーハ
の表裏両面が凸型形状あるいは凹型形状からなるウェー
ハを得ることを特徴とする半導体ウェーハの加工方法で
ある。
【０００８】また、この発明は、上記の構成において、
スライシング加工工程での切り出し時に、インゴット端
面研削機構を有する内周刃切断装置を使用してウェーハ
の表裏両面が凸型形状からなるウェーハを得ることを特
徴とする半導体ウェーハの加工方法である。
スライシング加工工程での切り出し時に、インゴット端
面研削機構を有する内周刃切断装置を使用してウェーハ
の表裏両面が凸型形状からなるウェーハを得ることを特
徴とする半導体ウェーハの加工方法である。
【０００９】この発明において、スライシング工程で表
裏両面が凸型形状あるいは凹型形状からなる半導体ウェ
ーハを得る方法には、ドレッシングやエアーノズルで内
周刃ブレードの刃先を変位させる前記従来装置用いて、
従来とは逆に積極的に刃先を変位させたり、さらにはイ
ンゴット端面研削機構を利用するなどの方法を適用する
が、図１のＡ，Ｂに誇張して図示する半導体ウェーハ
１，２の表裏両面の凸型形状あるいは凹型形状におけ
る、突出あるいは凹み量は５〜５０μｍが好ましい。
裏両面が凸型形状あるいは凹型形状からなる半導体ウェ
ーハを得る方法には、ドレッシングやエアーノズルで内
周刃ブレードの刃先を変位させる前記従来装置用いて、
従来とは逆に積極的に刃先を変位させたり、さらにはイ
ンゴット端面研削機構を利用するなどの方法を適用する
が、図１のＡ，Ｂに誇張して図示する半導体ウェーハ
１，２の表裏両面の凸型形状あるいは凹型形状におけ
る、突出あるいは凹み量は５〜５０μｍが好ましい。
【００１０】
【作用】従来の方法で切断したウェーハ、例えば弓形に
反った両面同一方向の表面形状を持ったウェーハでは、
発生した反りは上下ラップ定盤の平坦面でラッピングし
てもウェーハが弾性変形するのみ、反りは残存し形状と
して改善されないものであった。
反った両面同一方向の表面形状を持ったウェーハでは、
発生した反りは上下ラップ定盤の平坦面でラッピングし
てもウェーハが弾性変形するのみ、反りは残存し形状と
して改善されないものであった。
【００１１】これに対してこの発明方法の場合は、予め
スライシング加工工程での切り出し時にウェーハの表裏
両面が凸型形状あるいは凹型形状となるように加工して
おき、図２のＡに示す如くラッピング時にウェーハ１，
２の表面中央部あるいは周辺部からラップ定盤３，４に
当接させることにより、ラッピング時に弾性変形せず、
ラップ定盤３，４に当たっている部分から削られていく
ため、図２のＢに示す如く反り形状の小さな半導体ウェ
ーハ５を形成できる。
スライシング加工工程での切り出し時にウェーハの表裏
両面が凸型形状あるいは凹型形状となるように加工して
おき、図２のＡに示す如くラッピング時にウェーハ１，
２の表面中央部あるいは周辺部からラップ定盤３，４に
当接させることにより、ラッピング時に弾性変形せず、
ラップ定盤３，４に当たっている部分から削られていく
ため、図２のＢに示す如く反り形状の小さな半導体ウェ
ーハ５を形成できる。
【００１２】
【実施例】ウェーハの反りを低減するための加工方法と
して、半導体インゴットからウェーハに切断する工程に
おいて、内周刃ブレードを使用して切断する際にウェー
ハを一枚切断するごとに内周刃ブレードの刃先を片側ず
つ交互にドレッシングして、刃先を強制的に毎回逆に変
位させることによって、図１のＡ，Ｂに示すようなウェ
ーハの表裏両面が凸型形状のウェーハ１あるいは凹型形
状のウェーハ２を形成することができる。
して、半導体インゴットからウェーハに切断する工程に
おいて、内周刃ブレードを使用して切断する際にウェー
ハを一枚切断するごとに内周刃ブレードの刃先を片側ず
つ交互にドレッシングして、刃先を強制的に毎回逆に変
位させることによって、図１のＡ，Ｂに示すようなウェ
ーハの表裏両面が凸型形状のウェーハ１あるいは凹型形
状のウェーハ２を形成することができる。
【００１３】また、図３に示すような内周刃ブレード１
０の両側をエアーノズル１１，１２ではさみ込み、両側
からエアーにより、刃先やブレード全体を吸引制御や押
圧制御を行ない、内周刃ブレードをコントロールするこ
とによって、図１のＡ，Ｂに示すようなウェーハの表裏
両面が凸型形状のウェーハ１あるいは凹型形状のウェー
ハ２を形成することができる。
０の両側をエアーノズル１１，１２ではさみ込み、両側
からエアーにより、刃先やブレード全体を吸引制御や押
圧制御を行ない、内周刃ブレードをコントロールするこ
とによって、図１のＡ，Ｂに示すようなウェーハの表裏
両面が凸型形状のウェーハ１あるいは凹型形状のウェー
ハ２を形成することができる。
【００１４】また、図４に示すようなインゴット１３の
端面を研削する研削機１４を備えた内周刃スライス機に
おいて、インゴット１３端面を凸型に研削加工できるよ
うに研削機構や砥石を調整し、内周刃ブレード１０をイ
ンゴット側に変位させるようにドレッシングやエアーノ
ズルによる吸引、押圧制御で内周刃ブレードをコントロ
ールして、図１のＡに示すようなウェーハの表裏両面が
凸型形状のウェーハ１を形成することができる。
端面を研削する研削機１４を備えた内周刃スライス機に
おいて、インゴット１３端面を凸型に研削加工できるよ
うに研削機構や砥石を調整し、内周刃ブレード１０をイ
ンゴット側に変位させるようにドレッシングやエアーノ
ズルによる吸引、押圧制御で内周刃ブレードをコントロ
ールして、図１のＡに示すようなウェーハの表裏両面が
凸型形状のウェーハ１を形成することができる。
【００１５】上述のこの発明によるスライシング工程で
ウェーハの表裏両面が凸型形状のウェーハ１あるいは凹
型形状のウェーハ２を形成する際に、各ウェーハの凸状
または凹状反り値として、片側約５μｍずつ反らせて切
断した。これらのウェーハを用いて両面ラッピングを施
した。その結果、加工したウェーハの１０μｍ以上の反
りの発生は皆無（０／１００）であった。これに対し
て、従来のスライシング工程とラッピング工程を経て得
られたウェーハの１０μｍ以上の反りの発生は５０／１
００であった。
ウェーハの表裏両面が凸型形状のウェーハ１あるいは凹
型形状のウェーハ２を形成する際に、各ウェーハの凸状
または凹状反り値として、片側約５μｍずつ反らせて切
断した。これらのウェーハを用いて両面ラッピングを施
した。その結果、加工したウェーハの１０μｍ以上の反
りの発生は皆無（０／１００）であった。これに対し
て、従来のスライシング工程とラッピング工程を経て得
られたウェーハの１０μｍ以上の反りの発生は５０／１
００であった。
【００１６】
【発明の効果】この発明は、予めスライシング加工工程
での切り出し時にウェーハの表裏両面が凸型形状あるい
は凹型形状となるように加工しておき、ラッピング時に
ウェーハの表面中央部あるいは周辺部からラップ定盤に
当接させて研削するため、反り形状の小さなウェーハを
形成できる。
での切り出し時にウェーハの表裏両面が凸型形状あるい
は凹型形状となるように加工しておき、ラッピング時に
ウェーハの表面中央部あるいは周辺部からラップ定盤に
当接させて研削するため、反り形状の小さなウェーハを
形成できる。
【図１】この発明の加工方法に使用するウェーハの断面
形状の説明図であり、Ａは表裏両面が凸型形状、Ｂは凹
型形状の場合を示しており、いずれも誇張して表示して
ある。
形状の説明図であり、Ａは表裏両面が凸型形状、Ｂは凹
型形状の場合を示しており、いずれも誇張して表示して
ある。
【図２】Ａはこの発明の加工方法におけるラッピング状
態を示す説明図、Ｂはラッピング後のウェーハの断面形
状の説明図である。
態を示す説明図、Ｂはラッピング後のウェーハの断面形
状の説明図である。
【図３】この発明の加工方法のスライシング加工工程で
使用する内周刃ブレードの説明図である。
使用する内周刃ブレードの説明図である。
【図４】この発明の加工方法のスライシング加工工程で
使用する内周刃スライス機の説明図である。
使用する内周刃スライス機の説明図である。
１，２ 半導体ウェーハ ３，４ ラップ定盤 ５ 半導体ウェーハ １０ 内周刃ブレード １１，１２ エアーノズル １３ インゴット １４ 研削機
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体インゴットからスライシング工
程、ラッピング工程を経て半導体ウェーハを製造する半
導体ウェーハの加工方法において、被研磨ウェーハの形
状を、予めスライシング加工工程での切り出し時にウェ
ーハの表裏両面が凸型形状あるいは凹型形状となるよう
に加工しておき、ラッピング時にウェーハの表面中央部
あるいは周辺部からラップ定盤に当接させて反りを防止
することを特徴とする半導体ウェーハの加工方法。 - 【請求項２】 スライシング加工工程での切り出し時
に、内周刃ブレードの刃先にドレッシングやエアーノズ
ルでの吸引制御、押圧制御を行い、刃先を強制的に変位
させて、ウェーハの表裏両面が凸型形状あるいは凹型形
状からなるウェーハを得ることを特徴とする請求項１記
載の半導体ウェーハの加工方法。 - 【請求項３】 スライシング加工工程での切り出し時
に、インゴット端面研削機構を有する内周刃切断装置を
使用してウェーハの表裏両面が凸型形状からなるウェー
ハを得ることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェー
ハの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10895992A JPH06295890A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 半導体ウェーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10895992A JPH06295890A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 半導体ウェーハの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295890A true JPH06295890A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=14498002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10895992A Pending JPH06295890A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 半導体ウェーハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06295890A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57133634A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Hitachi Ltd | Crystal cutting device |
| JPS61163641A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-24 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体ウエハの製造方法及びその中間体 |
| JPH04216011A (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | スライシングマシンの切断方法 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP10895992A patent/JPH06295890A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57133634A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Hitachi Ltd | Crystal cutting device |
| JPS61163641A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-24 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体ウエハの製造方法及びその中間体 |
| JPH04216011A (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | スライシングマシンの切断方法 |
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