JPH06295945A - 半導体製造プロセスの評価方法および装置 - Google Patents
半導体製造プロセスの評価方法および装置Info
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- JPH06295945A JPH06295945A JP5107289A JP10728993A JPH06295945A JP H06295945 A JPH06295945 A JP H06295945A JP 5107289 A JP5107289 A JP 5107289A JP 10728993 A JP10728993 A JP 10728993A JP H06295945 A JPH06295945 A JP H06295945A
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- H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウエーハ面のシャロウピット密度を
簡便・迅速・高精度に測定できる測定方法、測定装置お
よびこれによる熱処理炉の清浄度評価方法を提供する。 【構成】 顕微鏡観察により得たシャロウピット密度の
ウエーハ面内平均値と、光ビームを利用したウエーハ表
面検査システムにより測定して得た散乱光のウエーハ面
内平均値との相関関係を求めておき、品質評価対象のウ
エーハについては前記検査システムにより散乱光のウエ
ーハ面内平均値を測定し、該測定値と前記相関関係とに
基づいてシャロウピット密度を求める。散乱光のウエー
ハ面内平均値の測定に当たっては、散乱光の大きさに応
じて検査感度の調整を行う。
簡便・迅速・高精度に測定できる測定方法、測定装置お
よびこれによる熱処理炉の清浄度評価方法を提供する。 【構成】 顕微鏡観察により得たシャロウピット密度の
ウエーハ面内平均値と、光ビームを利用したウエーハ表
面検査システムにより測定して得た散乱光のウエーハ面
内平均値との相関関係を求めておき、品質評価対象のウ
エーハについては前記検査システムにより散乱光のウエ
ーハ面内平均値を測定し、該測定値と前記相関関係とに
基づいてシャロウピット密度を求める。散乱光のウエー
ハ面内平均値の測定に当たっては、散乱光の大きさに応
じて検査感度の調整を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスの
評価方法に関し、詳しくはシリコンウエーハのシャロウ
ピット密度測定方法、シリコンウエーハのシャロウピッ
ト密度測定装置および、シリコンウエーハの熱処理炉ま
たはその付属装置の清浄度評価方法に関する。
評価方法に関し、詳しくはシリコンウエーハのシャロウ
ピット密度測定方法、シリコンウエーハのシャロウピッ
ト密度測定装置および、シリコンウエーハの熱処理炉ま
たはその付属装置の清浄度評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程において、シ
リコンウエーハには酸化膜形成のための熱酸化処理や、
不純物を拡散させるための熱拡散処理が施され、このた
めの装置として酸化炉や拡散炉が使用されている。一
方、半導体デバイスを歩留り良く生産するためには、シ
リコンウエーハ表面に金属等の汚染物が付着したり、こ
れらがシリコンウエーハ内部に拡散することがないよう
に製造工程や装置を管理することは極めて重要である。
リコンウエーハには酸化膜形成のための熱酸化処理や、
不純物を拡散させるための熱拡散処理が施され、このた
めの装置として酸化炉や拡散炉が使用されている。一
方、半導体デバイスを歩留り良く生産するためには、シ
リコンウエーハ表面に金属等の汚染物が付着したり、こ
れらがシリコンウエーハ内部に拡散することがないよう
に製造工程や装置を管理することは極めて重要である。
【０００３】ところが、上記製造装置の構成部材の表面
または内部に重金属（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等）が存在する
場合には、熱処理中にシリコンウエーハ表面に例えばＮ
ｉやＣｕのシリサイドが析出して微小欠陥群となり、目
に見える程度のヘイズ（ウエーハ表面の極めて細かな凹
凸）が発生する。また、これらの重金属が核となって積
層欠陥が発生する場合もある。ヘイズや積層欠陥等の結
晶欠陥が発生するとシリコンウエーハの機械的性質や電
気的性質が悪化し、歩留りが低下する問題があった。
または内部に重金属（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等）が存在する
場合には、熱処理中にシリコンウエーハ表面に例えばＮ
ｉやＣｕのシリサイドが析出して微小欠陥群となり、目
に見える程度のヘイズ（ウエーハ表面の極めて細かな凹
凸）が発生する。また、これらの重金属が核となって積
層欠陥が発生する場合もある。ヘイズや積層欠陥等の結
晶欠陥が発生するとシリコンウエーハの機械的性質や電
気的性質が悪化し、歩留りが低下する問題があった。
【０００４】したがって、前記酸化炉等の熱処理炉の清
浄度を高く保つことは、上記問題の発生を防止するうえ
で重要であり、その清浄度を的確に評価する技術の確立
が必要となる。
浄度を高く保つことは、上記問題の発生を防止するうえ
で重要であり、その清浄度を的確に評価する技術の確立
が必要となる。
【０００５】ところで、前記評価技術として特公平５−
２９３７号公報に、シリコンウエーハを熱処理炉を用い
て酸化性雰囲気中で熱処理し、熱処理後のシリコンウエ
ーハを選択エッチングしてその表面に生じたシャロウピ
ットを顕微鏡観察し、その数を目視でカウントすること
によりシャロウピット密度を測定することを特徴するも
のが開示されている。
２９３７号公報に、シリコンウエーハを熱処理炉を用い
て酸化性雰囲気中で熱処理し、熱処理後のシリコンウエ
ーハを選択エッチングしてその表面に生じたシャロウピ
ットを顕微鏡観察し、その数を目視でカウントすること
によりシャロウピット密度を測定することを特徴するも
のが開示されている。
【０００６】また、光学的な測定手段を利用して自動的
にシャロウピットのようなシリコンウエーハ上のピット
を判定できる装置として、ウエーハ表面検査システムが
知られている（詳しくは、月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｗｏｒｌｄ，３月号，１９８６，ｐ．１０９〜１
１５または、日経Ｍｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅｓ，７月号，
１９８６，ｐ．１６５〜１７０を参照）。これらの報告
には、レーザー光によって検査された散乱断面積すなわ
ちピットのサイズは、ピットの深さが判っていないとシ
ャロウピット密度の測定には全く使いものにならないこ
とが記述されている。
にシャロウピットのようなシリコンウエーハ上のピット
を判定できる装置として、ウエーハ表面検査システムが
知られている（詳しくは、月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｗｏｒｌｄ，３月号，１９８６，ｐ．１０９〜１
１５または、日経Ｍｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅｓ，７月号，
１９８６，ｐ．１６５〜１７０を参照）。これらの報告
には、レーザー光によって検査された散乱断面積すなわ
ちピットのサイズは、ピットの深さが判っていないとシ
ャロウピット密度の測定には全く使いものにならないこ
とが記述されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このシ
ャロウピット密度の定量的測定方法は熟練を要するもの
であり、データが測定者により大きく異なる場合が多
く、信頼性の高い測定を行うのが難しいうえ、測定が面
倒で時間がかかるという問題があった。
ャロウピット密度の定量的測定方法は熟練を要するもの
であり、データが測定者により大きく異なる場合が多
く、信頼性の高い測定を行うのが難しいうえ、測定が面
倒で時間がかかるという問題があった。
【０００８】また、前記ウエーハ表面検査システムを利
用した測定時間を短縮しても、手間と熟練を要する顕微
鏡観察によって求められたシャロウピット密度と、前記
検査システムで求められた散乱光の大きさ（散乱光強度
を入射光強度で除したもの）との関係が不明確であると
いう問題もあった。
用した測定時間を短縮しても、手間と熟練を要する顕微
鏡観察によって求められたシャロウピット密度と、前記
検査システムで求められた散乱光の大きさ（散乱光強度
を入射光強度で除したもの）との関係が不明確であると
いう問題もあった。
【０００９】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、シャロウピット密度を定量化するに当
たって、簡便・迅速に、かつ高精度に測定することがで
きる方法、この測定方法に基づく前記酸化炉等の清浄度
を評価する方法および装置を提供し、もって半導体製造
プロセスを的確に評価できるようにすることにある。
で、その目的は、シャロウピット密度を定量化するに当
たって、簡便・迅速に、かつ高精度に測定することがで
きる方法、この測定方法に基づく前記酸化炉等の清浄度
を評価する方法および装置を提供し、もって半導体製造
プロセスを的確に評価できるようにすることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
製造プロセスの評価方法は、シリコンウエーハを半導体
製造工程において酸化性雰囲気中で熱処理した後、選択
エッチングを行い、このシリコンウエーハについて、顕
微鏡観察によって求められたシリコンウエーハ表面のシ
ャロウピット密度のウエーハ面内平均値と、光ビームを
利用したウエーハ表面検査システムにおいて、前記シャ
ロウピットにより生じた散乱光の大きさのウエーハ面内
平均値との相関関係を求めておき、評価対象のシリコン
ウエーハについて前記ウエーハ表面検査システムによっ
て散乱光の大きさのウエーハ面内平均値を求め、該ウエ
ーハ面内平均値と前記相関関係に基づいてシリコンウエ
ーハのシャロウピット密度を求めることを特徴とする。
製造プロセスの評価方法は、シリコンウエーハを半導体
製造工程において酸化性雰囲気中で熱処理した後、選択
エッチングを行い、このシリコンウエーハについて、顕
微鏡観察によって求められたシリコンウエーハ表面のシ
ャロウピット密度のウエーハ面内平均値と、光ビームを
利用したウエーハ表面検査システムにおいて、前記シャ
ロウピットにより生じた散乱光の大きさのウエーハ面内
平均値との相関関係を求めておき、評価対象のシリコン
ウエーハについて前記ウエーハ表面検査システムによっ
て散乱光の大きさのウエーハ面内平均値を求め、該ウエ
ーハ面内平均値と前記相関関係に基づいてシリコンウエ
ーハのシャロウピット密度を求めることを特徴とする。
【００１１】請求項２に記載の半導体製造プロセスの評
価装置は、光ビームを利用したウエーハ表面検査システ
ムにおいて、シリコンウエーハ表面のシャロウピットに
よる散乱光の大きさに応じて検査感度の調整ができる検
出手段を有することを特徴とする。
価装置は、光ビームを利用したウエーハ表面検査システ
ムにおいて、シリコンウエーハ表面のシャロウピットに
よる散乱光の大きさに応じて検査感度の調整ができる検
出手段を有することを特徴とする。
【００１２】請求項３に記載の半導体製造プロセスの評
価方法は、半導体製造工程におけるシリコンウエーハの
熱処理炉またはその付属装置の清浄度を検査する方法で
あって、請求項１に記載の評価方法により、または請求
項２に記載の評価装置を使用して請求項１に記載の方法
により求められたシリコンウエーハ表面におけるシャロ
ウピットの密度をもって、前記熱処理炉またはその付属
装置の清浄度の合否判定をすることを特徴とする。
価方法は、半導体製造工程におけるシリコンウエーハの
熱処理炉またはその付属装置の清浄度を検査する方法で
あって、請求項１に記載の評価方法により、または請求
項２に記載の評価装置を使用して請求項１に記載の方法
により求められたシリコンウエーハ表面におけるシャロ
ウピットの密度をもって、前記熱処理炉またはその付属
装置の清浄度の合否判定をすることを特徴とする。
【００１３】
【作用】前記ウエーハ表面検査システムは、通常シリコ
ンウエーハ表面に付着したパーティクル（ゴミ）をカウ
ントするためのもので、その測定原理は、レーザービー
ムにより一定周期で直線の走査を繰り返すと共に、シリ
コンウエーハを該走査と直交する方向に動かしながらシ
リコンウエーハ全面について走査を行い、パーティクル
から出る散乱光強度に基づく散乱断面積（散乱光強度を
入射光強度で除したもので、単位は通常μｍ2 である）
を測定しながら比較し、該散乱断面積がレーザービーム
の走査方向および、その直交方向で極大値になれば、
「パーティクル１個あり」と判定するものである。
ンウエーハ表面に付着したパーティクル（ゴミ）をカウ
ントするためのもので、その測定原理は、レーザービー
ムにより一定周期で直線の走査を繰り返すと共に、シリ
コンウエーハを該走査と直交する方向に動かしながらシ
リコンウエーハ全面について走査を行い、パーティクル
から出る散乱光強度に基づく散乱断面積（散乱光強度を
入射光強度で除したもので、単位は通常μｍ2 である）
を測定しながら比較し、該散乱断面積がレーザービーム
の走査方向および、その直交方向で極大値になれば、
「パーティクル１個あり」と判定するものである。
【００１４】このシステムでは、レーザービームの波長
より大きいサイズのスクラッチや光沢性の欠陥、該波長
と同じか、またはこれより小さい孤立したパーティク
ル、該波長よりもはるかに小さく表面の広範囲に亘るヘ
イズを区別して測定可能なように、測定モードを切り換
えてセットできるようにしてある。
より大きいサイズのスクラッチや光沢性の欠陥、該波長
と同じか、またはこれより小さい孤立したパーティク
ル、該波長よりもはるかに小さく表面の広範囲に亘るヘ
イズを区別して測定可能なように、測定モードを切り換
えてセットできるようにしてある。
【００１５】また、このシステムによる測定結果はＣＲ
Ｔ上にシリコンウエーハの画像と共に表示され、この画
像がコンピュータで処理されて散乱断面積のシリコンウ
エーハ面内平均値、散乱断面積とパーティクルの個数の
ヒストグラム、最大の散乱断面積、散乱の位置等がマッ
プ出力としてプリントアウトされるものである（以上、
ウエーハ表面検査システムについての作用説明では、日
経Ｍｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅｓ，７月号，１９８６，ｐ．
１６５〜１７０を参照した）。
Ｔ上にシリコンウエーハの画像と共に表示され、この画
像がコンピュータで処理されて散乱断面積のシリコンウ
エーハ面内平均値、散乱断面積とパーティクルの個数の
ヒストグラム、最大の散乱断面積、散乱の位置等がマッ
プ出力としてプリントアウトされるものである（以上、
ウエーハ表面検査システムについての作用説明では、日
経Ｍｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅｓ，７月号，１９８６，ｐ．
１６５〜１７０を参照した）。
【００１６】本発明に係るシャロウピットはウェーハ表
面の極めて細かな凹凸である前記ヘイズとは別の極微小
なピット群であるが、上記モードのヘイズの範疇に属す
るものである。従って、前記シリコンウエーハ表面検査
システムをヘイズ測定モードにセットすることで、シャ
ロウピットの定量化が可能となる。なお通常、ヘイズに
よる散乱光の大きさは入射光強度に対する比で表し、例
えば、入射光強度１に対し強度がその１００万分の１の
散乱光では、散乱光の大きさを１ｐｐｍとして表す。
面の極めて細かな凹凸である前記ヘイズとは別の極微小
なピット群であるが、上記モードのヘイズの範疇に属す
るものである。従って、前記シリコンウエーハ表面検査
システムをヘイズ測定モードにセットすることで、シャ
ロウピットの定量化が可能となる。なお通常、ヘイズに
よる散乱光の大きさは入射光強度に対する比で表し、例
えば、入射光強度１に対し強度がその１００万分の１の
散乱光では、散乱光の大きさを１ｐｐｍとして表す。
【００１７】しかしながら、シャロウピット密度が高い
シリコンウエーハにおいては、ピットのみならず、シリ
コンウエーハ表面の凹凸の度合いも増加しており、重金
属汚染物によって発生したピットのみを分離して測定す
ることができないため、正確なシャロウピット密度の定
量化が困難となる。また、ピットと凹凸の相乗効果によ
ってコンピュータが同時に処理できるデータ数をはるか
に超えてしまい、マッピングが欠けて不完全となりウエ
ーハ全体を観察することができなくなる（データ処理容
量を増加させても限度があり、データ処理容量の問題点
を解決できても画像処理速度が極端に遅くなり、実用的
でなくなる）。
シリコンウエーハにおいては、ピットのみならず、シリ
コンウエーハ表面の凹凸の度合いも増加しており、重金
属汚染物によって発生したピットのみを分離して測定す
ることができないため、正確なシャロウピット密度の定
量化が困難となる。また、ピットと凹凸の相乗効果によ
ってコンピュータが同時に処理できるデータ数をはるか
に超えてしまい、マッピングが欠けて不完全となりウエ
ーハ全体を観察することができなくなる（データ処理容
量を増加させても限度があり、データ処理容量の問題点
を解決できても画像処理速度が極端に遅くなり、実用的
でなくなる）。
【００１８】本発明の請求項２に記載した評価装置は、
これらの問題点を解決するためのもので、シャロウピッ
ト密度に応じて、凹凸による散乱を排除してピットのみ
の情報を得るために、検査感度の変化を検出しながら測
定するようにしたものである。
これらの問題点を解決するためのもので、シャロウピッ
ト密度に応じて、凹凸による散乱を排除してピットのみ
の情報を得るために、検査感度の変化を検出しながら測
定するようにしたものである。
【００１９】そして、上記評価装置によって測定された
散乱光の大きさのウエーハ面内平均値と、顕微鏡観察に
よって求められたシャロウピット密度のウエーハ面内平
均値との間に相関関係が得られるようにし、得られた相
関関係に基づいてシャロウピット密度の自動測定による
定量化ができるようにしたものである。
散乱光の大きさのウエーハ面内平均値と、顕微鏡観察に
よって求められたシャロウピット密度のウエーハ面内平
均値との間に相関関係が得られるようにし、得られた相
関関係に基づいてシャロウピット密度の自動測定による
定量化ができるようにしたものである。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて、さらに具体
的に説明する。 実施例１ まず、シャロウピット密度のウエーハ面内平均値と、散
乱光の大きさのウエーハ面内平均値との関係を求める手
順を示す。シリコンウエーハは、ＦＺ法で得られポリッ
シュにより鏡面仕上げを行ったＮ型＜１００＞の５イン
チφウエーハであり、抵抗率は１〜１００Ωｃｍであ
る。このウエーハを評価対象の熱処理炉にセットし、１
１５０℃で１００分間、ウエット酸素雰囲気中で熱処理
した。ついで、この熱処理後のシリコンウエーハについ
てセコ液（Ｓｅｃｃｏ液、重クロム酸水溶液（０．１５
ｍｏｌ％）：フッ化水素酸水溶液（５０％）＝１：２）
で１分間のエッチングを行った。この場合、様々なシャ
ロウピット密度のシリコンウエーハを得るために、熱処
理炉については洗浄や空焼き等を施して清浄化した状態
のものから、使用頻度が高く汚染された状態のものまで
様々な使用状態のものを選んで熱処理した。その結果、
６種類のシャロウピットレベルを有するシリコンウエー
ハが得られた。
的に説明する。 実施例１ まず、シャロウピット密度のウエーハ面内平均値と、散
乱光の大きさのウエーハ面内平均値との関係を求める手
順を示す。シリコンウエーハは、ＦＺ法で得られポリッ
シュにより鏡面仕上げを行ったＮ型＜１００＞の５イン
チφウエーハであり、抵抗率は１〜１００Ωｃｍであ
る。このウエーハを評価対象の熱処理炉にセットし、１
１５０℃で１００分間、ウエット酸素雰囲気中で熱処理
した。ついで、この熱処理後のシリコンウエーハについ
てセコ液（Ｓｅｃｃｏ液、重クロム酸水溶液（０．１５
ｍｏｌ％）：フッ化水素酸水溶液（５０％）＝１：２）
で１分間のエッチングを行った。この場合、様々なシャ
ロウピット密度のシリコンウエーハを得るために、熱処
理炉については洗浄や空焼き等を施して清浄化した状態
のものから、使用頻度が高く汚染された状態のものまで
様々な使用状態のものを選んで熱処理した。その結果、
６種類のシャロウピットレベルを有するシリコンウエー
ハが得られた。
【００２１】つぎに、顕微鏡観察およびウエーハ表面検
査システムにより観察した結果について示す。顕微鏡観
察においては、拡大倍率を５００倍とし、図２に示すシ
リコンウエーハ１の面の外周部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄおよび中
心部Ｅの５箇所について目視でシャロウピット密度を測
定し、この５箇所の平均値をウエーハ面内平均値とし
た。なお、シリコンウエーハ全面について観察すれば高
精度の測定が行えるが、この場合膨大な手間と長時間が
かかり、また特にその必要もないので上記のように５箇
所の観察で十分であると判断した。なお、図２において
２は、オリエンテーションフラットである。
査システムにより観察した結果について示す。顕微鏡観
察においては、拡大倍率を５００倍とし、図２に示すシ
リコンウエーハ１の面の外周部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄおよび中
心部Ｅの５箇所について目視でシャロウピット密度を測
定し、この５箇所の平均値をウエーハ面内平均値とし
た。なお、シリコンウエーハ全面について観察すれば高
精度の測定が行えるが、この場合膨大な手間と長時間が
かかり、また特にその必要もないので上記のように５箇
所の観察で十分であると判断した。なお、図２において
２は、オリエンテーションフラットである。
【００２２】ウエーハ表面検査システムにおいては、検
査装置を図１に示すようにヘイズモードにセットし、シ
ャロウピット密度に応じて検査感度を調整することによ
り前記凹凸を分離除去しながら散乱光の読み込みを行っ
た。その結果、図３に示すように、スポットライト照射
で観察される模様とほぼ同じマッピングを得ることがで
きた。また、顕微鏡観察で得られたシャロウピット密度
のウエーハ面内平均値と、ウエーハ表面検査システムで
得られた散乱光の大きさのウエーハ面内平均値との関係
は図４に示す通り（図中、●印）となり、強い正の相関
関係を得ることができた。図４に示す関係から、本発明
のウエーハ表面検査システムにおける測定により、シャ
ロウピット密度の自動測定ができることが判明した。し
たがって、半導体製造プロセスについては、この相関関
係に基づいてその評価を行えばよい。
査装置を図１に示すようにヘイズモードにセットし、シ
ャロウピット密度に応じて検査感度を調整することによ
り前記凹凸を分離除去しながら散乱光の読み込みを行っ
た。その結果、図３に示すように、スポットライト照射
で観察される模様とほぼ同じマッピングを得ることがで
きた。また、顕微鏡観察で得られたシャロウピット密度
のウエーハ面内平均値と、ウエーハ表面検査システムで
得られた散乱光の大きさのウエーハ面内平均値との関係
は図４に示す通り（図中、●印）となり、強い正の相関
関係を得ることができた。図４に示す関係から、本発明
のウエーハ表面検査システムにおける測定により、シャ
ロウピット密度の自動測定ができることが判明した。し
たがって、半導体製造プロセスについては、この相関関
係に基づいてその評価を行えばよい。
【００２３】実施例２ 半導体製造プロセスにおいて処理されたシリコンウエー
ハのシャロウピット密度が、どの程度のレベルでデバイ
ス特性に影響を及ぼすかの調査を行った。シリコンウエ
ーハは、実施例１で使用した６種類のものと同一バッチ
で作製、処理されたものである。但し、選択エッチング
は施していない。ＭＯＳダイオードを作製するに当たっ
ては、上記シリコンウエーハの酸化膜を除去し清浄化し
た後、１０００℃で６０分間、乾燥酸素雰囲気中で膜厚
５０ｎｍのゲート酸化膜を、真空蒸着法により膜厚１μ
ｍのアルミニウム電極をそれぞれ形成し、裏面の酸化膜
を除去した後、４００℃で３０分間、水素・窒素混合雰
囲気中（水素の割合は３％）で熱処理を施した。
ハのシャロウピット密度が、どの程度のレベルでデバイ
ス特性に影響を及ぼすかの調査を行った。シリコンウエ
ーハは、実施例１で使用した６種類のものと同一バッチ
で作製、処理されたものである。但し、選択エッチング
は施していない。ＭＯＳダイオードを作製するに当たっ
ては、上記シリコンウエーハの酸化膜を除去し清浄化し
た後、１０００℃で６０分間、乾燥酸素雰囲気中で膜厚
５０ｎｍのゲート酸化膜を、真空蒸着法により膜厚１μ
ｍのアルミニウム電極をそれぞれ形成し、裏面の酸化膜
を除去した後、４００℃で３０分間、水素・窒素混合雰
囲気中（水素の割合は３％）で熱処理を施した。
【００２４】シャロウピット密度のウエーハ面内平均値
と、ＭＯＳ Ｃ−ｔ法による少数キャリアの発生ライフ
タイムτｇとの関係を図５に示す。この場合、各シリコ
ンウエーハについて図２に示した５箇所のＣ−ｔ特性を
測定し、シャロウピット密度の最も低いウエーハの少数
キャリア発生ライフタイムの平均値を１として規格化
し、図５のグラフを作成した。この結果から、シャロウ
ピット密度のウエーハ面内平均値が１．０５×１０6個
／ｃｍ2 以上の範囲で発生ライフタイムτｇのばらつき
が大きくなるとともに、τｇが小さくなることがわか
る。さらに、清浄度の度合いを示すシャロウピット密度
が１０4 から１０6 まで変化しているにもかかわらず、
τｇの変化がほとんどないことから、シャロウピット密
度の測定による半導体製造プロセスの評価方法が極めて
高感度であることを示唆している。一方、Ｃ−Ｖ法によ
る酸化膜中の固定電荷や可動イオン（アルカリ系金属イ
オン）についても測定を行ったが、この場合にはシャロ
ウピット密度との関係はみられなかった。以上の結果か
ら、シャロウピット密度の測定による半導体製造プロセ
スの評価方法はデバイス特性、例えば前記ＭＯＳダイオ
ード特性を測定して評価する方法と比較して、極めて高
感度で優れた方法であることが判明した。
と、ＭＯＳ Ｃ−ｔ法による少数キャリアの発生ライフ
タイムτｇとの関係を図５に示す。この場合、各シリコ
ンウエーハについて図２に示した５箇所のＣ−ｔ特性を
測定し、シャロウピット密度の最も低いウエーハの少数
キャリア発生ライフタイムの平均値を１として規格化
し、図５のグラフを作成した。この結果から、シャロウ
ピット密度のウエーハ面内平均値が１．０５×１０6個
／ｃｍ2 以上の範囲で発生ライフタイムτｇのばらつき
が大きくなるとともに、τｇが小さくなることがわか
る。さらに、清浄度の度合いを示すシャロウピット密度
が１０4 から１０6 まで変化しているにもかかわらず、
τｇの変化がほとんどないことから、シャロウピット密
度の測定による半導体製造プロセスの評価方法が極めて
高感度であることを示唆している。一方、Ｃ−Ｖ法によ
る酸化膜中の固定電荷や可動イオン（アルカリ系金属イ
オン）についても測定を行ったが、この場合にはシャロ
ウピット密度との関係はみられなかった。以上の結果か
ら、シャロウピット密度の測定による半導体製造プロセ
スの評価方法はデバイス特性、例えば前記ＭＯＳダイオ
ード特性を測定して評価する方法と比較して、極めて高
感度で優れた方法であることが判明した。
【００２５】上記したように、ＭＯＳ Ｃ−ｔ法による
少数キャリアの発生ライフタイムτｇに影響を及ぼすシ
ャロウピット密度は約５×１０5 個／ｃｍ2 以上である
と考えられので、シャロウピット密度が４×１０5 個／
ｃｍ2 以下であれば、半導体製造プロセスは合格である
と判定するものである。
少数キャリアの発生ライフタイムτｇに影響を及ぼすシ
ャロウピット密度は約５×１０5 個／ｃｍ2 以上である
と考えられので、シャロウピット密度が４×１０5 個／
ｃｍ2 以下であれば、半導体製造プロセスは合格である
と判定するものである。
【００２６】比較例１ シリコンウエーハは、実施例１で使われた６種類のもの
である。ウエーハ表面検査システムにおける測定に当た
っては、ヘイズモードにセットし、シャロウピット密度
に無関係に検査感度を一定とし、前記凹凸を分離除去し
ないで測定した。その結果、シャロウピット密度（散乱
光の大きさが２５２ｐｐｍ以上に相当）が高いシリコン
ウエーハにおいては、ピットのみならずシリコンウエー
ハ表面の凹凸の度合いも増加しており、重金属汚染物に
よって発生したピットのみの測定が行われなかったた
め、正確なシャロウピット密度の定量化は不可能であっ
た。またデータ数が、コンピュータが同時に処理できる
データ数をはるかに超えてしまったため、図６に示すよ
うにマッピングが欠けて不完全となり、ウエーハー全面
を観察することはできなかった。また、データ処理容量
を増加させても限度があるうえ、データ処理容量の問題
点を解決できても画像処理速度が極端に遅くなるため、
この比較例の方法は実用的な測定方法とはなり得ない。
さらに、この比較例では顕微鏡観察で得られたシャロウ
ピット密度のウエーハ面内平均値と、ウエーハ表面検査
システムで得られた散乱光の大きさのウエーハ面内平均
値との関係は図４に示す通り（図中、○印）となり、シ
ャロウピット密度の低い範囲で正の相関関係を得ること
はできたが、シャロウピット密度の高い範囲では相関関
係を得ることができなかった。
である。ウエーハ表面検査システムにおける測定に当た
っては、ヘイズモードにセットし、シャロウピット密度
に無関係に検査感度を一定とし、前記凹凸を分離除去し
ないで測定した。その結果、シャロウピット密度（散乱
光の大きさが２５２ｐｐｍ以上に相当）が高いシリコン
ウエーハにおいては、ピットのみならずシリコンウエー
ハ表面の凹凸の度合いも増加しており、重金属汚染物に
よって発生したピットのみの測定が行われなかったた
め、正確なシャロウピット密度の定量化は不可能であっ
た。またデータ数が、コンピュータが同時に処理できる
データ数をはるかに超えてしまったため、図６に示すよ
うにマッピングが欠けて不完全となり、ウエーハー全面
を観察することはできなかった。また、データ処理容量
を増加させても限度があるうえ、データ処理容量の問題
点を解決できても画像処理速度が極端に遅くなるため、
この比較例の方法は実用的な測定方法とはなり得ない。
さらに、この比較例では顕微鏡観察で得られたシャロウ
ピット密度のウエーハ面内平均値と、ウエーハ表面検査
システムで得られた散乱光の大きさのウエーハ面内平均
値との関係は図４に示す通り（図中、○印）となり、シ
ャロウピット密度の低い範囲で正の相関関係を得ること
はできたが、シャロウピット密度の高い範囲では相関関
係を得ることができなかった。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
に記載の半導体製造プロセスの評価方法、請求項２に記
載の半導体製造プロセスの評価装置によれば、顕微鏡観
察により得られるシャロウピット密度のウエーハ面内平
均値と、ウエーハ表面検査システムのヘイズモードで測
定して得られる散乱光の大きさのウエーハ面内平均値と
の相関関係を求めておき、評価対象のウエーハ半導体製
造プロセスにおいて処理されたシリコンウエーハについ
ては、散乱光の大きさのウエーハ面内平均値を測定し、
該測定データと前記相関関係とに基づいてシャロウピッ
ト密度を求められるようにしたので、短時間で自動測定
ができるうえ、従来の目視による判断や測定に比べて測
定精度の向上と測定時間の大幅な短縮が可能となる効果
がある。また、請求項３に記載の半導体製造プロセスの
評価方法では、半導体製造プロセスで処理されたシリコ
ンウエーハのシャロウピットの密度をもって半導体製造
プロセスの合否判定をするようにしたので、従来のデバ
イス特性、例えば前記ＭＯＳダイオード特性を測定して
評価する方法と比較して、極めて高感度で優れた評価方
法となる効果がある。
に記載の半導体製造プロセスの評価方法、請求項２に記
載の半導体製造プロセスの評価装置によれば、顕微鏡観
察により得られるシャロウピット密度のウエーハ面内平
均値と、ウエーハ表面検査システムのヘイズモードで測
定して得られる散乱光の大きさのウエーハ面内平均値と
の相関関係を求めておき、評価対象のウエーハ半導体製
造プロセスにおいて処理されたシリコンウエーハについ
ては、散乱光の大きさのウエーハ面内平均値を測定し、
該測定データと前記相関関係とに基づいてシャロウピッ
ト密度を求められるようにしたので、短時間で自動測定
ができるうえ、従来の目視による判断や測定に比べて測
定精度の向上と測定時間の大幅な短縮が可能となる効果
がある。また、請求項３に記載の半導体製造プロセスの
評価方法では、半導体製造プロセスで処理されたシリコ
ンウエーハのシャロウピットの密度をもって半導体製造
プロセスの合否判定をするようにしたので、従来のデバ
イス特性、例えば前記ＭＯＳダイオード特性を測定して
評価する方法と比較して、極めて高感度で優れた評価方
法となる効果がある。
【図１】ウエーハ表面検査システムによるシャロウピッ
ト密度の測定動作を説明するフローチャトである。
ト密度の測定動作を説明するフローチャトである。
【図２】実施例１における、顕微鏡観察によるシャロウ
ピット密度の測定箇所を示す説明図である。
ピット密度の測定箇所を示す説明図である。
【図３】実施例１において、ＣＲＴ上に表示されたシリ
コンウエーハの一画像例である。
コンウエーハの一画像例である。
【図４】実施例１および比較例１において得られた、シ
ャロウピット密度のウエーハ面内平均値と、散乱光の大
きさのウエーハ面内平均値との関係を示すグラフであ
る。
ャロウピット密度のウエーハ面内平均値と、散乱光の大
きさのウエーハ面内平均値との関係を示すグラフであ
る。
【図５】実施例２における、シャロウピット密度のウエ
ーハ面内平均値と少数キャリアの発生ライフタイムとの
関係を示すグラフである。
ーハ面内平均値と少数キャリアの発生ライフタイムとの
関係を示すグラフである。
【図６】比較例１においてＣＲＴ上に表示されたシリコ
ンウエーハの画像例である。
ンウエーハの画像例である。
１ シリコンウエーハ ２ オリエンテーションフラット
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンウエーハを半導体製造工程にお
いて酸化性雰囲気中で熱処理した後、選択エッチングを
行い、このシリコンウエーハについて、 顕微鏡観察によって求められたシリコンウエーハ表面の
シャロウピット密度のウエーハ面内平均値と、 光ビームを利用したウエーハ表面検査システムにおい
て、前記シャロウピットにより生じた散乱光の大きさ
（散乱光強度を入射光強度で除したもの）のウエーハ面
内平均値との相関関係を求めておき、 評価対象のシリコンウエーハについて前記ウエーハ表面
検査システムによって散乱光の大きさのウエーハ面内平
均値を求め、 該ウエーハ面内平均値と前記相関関係に基づいてシリコ
ンウエーハのシャロウピット密度を求めることを特徴と
する半導体製造プロセスの評価方法。 - 【請求項２】 光ビームを利用したウエーハ表面検査シ
ステムにおいて、シリコンウエーハ表面のシャロウピッ
トによる散乱光の大きさに応じて検査感度の調整ができ
る検出手段を有することを特徴とする半導体製造プロセ
スの評価装置。 - 【請求項３】 半導体製造工程におけるシリコンウエー
ハの熱処理炉またはその付属装置の清浄度を検査する方
法であって、請求項１に記載の評価方法により、または
請求項２に記載の評価装置を使用して請求項１に記載の
方法により求められたシリコンウエーハ表面におけるシ
ャロウピットの密度をもって、前記熱処理炉またはその
付属装置の清浄度の合否判定をすることを特徴とする半
導体製造プロセスの評価方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5107289A JPH06295945A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | 半導体製造プロセスの評価方法および装置 |
| US08/223,053 US5464779A (en) | 1993-04-08 | 1994-04-05 | Method and apparatus for evaluation of semiconductor production process |
| EP94302428A EP0619603A1 (en) | 1993-04-08 | 1994-04-06 | Method and apparatus for evaluation of semiconductor production process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5107289A JPH06295945A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | 半導体製造プロセスの評価方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295945A true JPH06295945A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=14455326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5107289A Pending JPH06295945A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | 半導体製造プロセスの評価方法および装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5464779A (ja) |
| EP (1) | EP0619603A1 (ja) |
| JP (1) | JPH06295945A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012138493A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Sumco Corp | ウェーハの欠陥検出方法 |
| JP2015188003A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 新日鐵住金株式会社 | ＳｉＣ板状体における転位の面内分布評価方法 |
| JP2015215352A (ja) * | 2008-07-24 | 2015-12-03 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ウェーハを検査しかつ／または分類するコンピュータ実装方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665609A (en) * | 1995-04-21 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Prioritizing efforts to improve semiconductor production yield |
| US5971586A (en) * | 1995-04-21 | 1999-10-26 | Sony Corporation | Identifying causes of semiconductor production yield loss |
| US5716856A (en) * | 1995-08-22 | 1998-02-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Arrangement and method for detecting sequential processing effects in manufacturing using predetermined sequences within runs |
| US5913105A (en) * | 1995-11-29 | 1999-06-15 | Advanced Micro Devices Inc | Method and system for recognizing scratch patterns on semiconductor wafers |
| JPH10335402A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体装置の製造方法及びその方法により製造された半導体装置 |
| KR100301040B1 (ko) * | 1998-05-19 | 2001-09-06 | 윤종용 | 반도체기판상에존재하는얕은핏트의인라인모니터링방법 |
| TW459390B (en) * | 1998-09-04 | 2001-10-11 | Canon Kk | Semiconductor substrate and method for producing the same |
| US6552337B1 (en) * | 1999-11-02 | 2003-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods and systems for measuring microroughness of a substrate combining particle counter and atomic force microscope measurements |
| US6538730B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Defect detection system |
| US6794203B2 (en) * | 2002-08-15 | 2004-09-21 | Macronix International Co., Ltd. | Method of calculating the real added defect counts |
| US7486391B2 (en) * | 2006-09-13 | 2009-02-03 | Samsung Austin Semiconductor, L.P. | System and method for haze control in semiconductor processes |
| CN102567990B (zh) * | 2011-12-08 | 2014-07-16 | 宁波大学 | 一种立体图像客观质量评价方法 |
| CN103543154B (zh) * | 2013-11-04 | 2015-11-11 | 攀钢集团成都钢钒有限公司 | 一种冷拔钢管缺陷形成工序的判定方法 |
| JP6827818B2 (ja) * | 2017-01-13 | 2021-02-10 | キヤノン株式会社 | 計測装置、情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム |
| CN113048921A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-06-29 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种晶圆表面粗糙度的测量方法和测量系统 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4194127A (en) * | 1976-01-20 | 1980-03-18 | Swiss Aluminium Ltd. | Process and device for checking substrate wafers |
| JP2680482B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-11-19 | 株式会社東芝 | 半導体基板、半導体基板と半導体装置の製造方法、並びに半導体基板の検査・評価方法 |
| US4378159A (en) * | 1981-03-30 | 1983-03-29 | Tencor Instruments | Scanning contaminant and defect detector |
| US4963500A (en) * | 1988-02-02 | 1990-10-16 | Sera Solar Corporation | Method of monitoring semiconductor manufacturing processes and test sample therefor |
| US4899055A (en) * | 1988-05-12 | 1990-02-06 | Tencor Instruments | Thin film thickness measuring method |
| US4925298A (en) * | 1988-08-05 | 1990-05-15 | Paolo Dobrilla | Etch pit density measuring method |
| US5233191A (en) * | 1990-04-02 | 1993-08-03 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of inspecting foreign matters during mass production start-up and mass production line in semiconductor production process |
| JPH04125946A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Toshiba Corp | 半導体基板の評価方法 |
| US5198869A (en) * | 1990-10-15 | 1993-03-30 | Vlsi Standards, Inc. | Reference wafer for haze calibration |
| JP2653566B2 (ja) * | 1991-03-27 | 1997-09-17 | 株式会社東芝 | 半導体基板評価方法及び装置 |
-
1993
- 1993-04-08 JP JP5107289A patent/JPH06295945A/ja active Pending
-
1994
- 1994-04-05 US US08/223,053 patent/US5464779A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-06 EP EP94302428A patent/EP0619603A1/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015215352A (ja) * | 2008-07-24 | 2015-12-03 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ウェーハを検査しかつ／または分類するコンピュータ実装方法 |
| JP2012138493A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Sumco Corp | ウェーハの欠陥検出方法 |
| JP2015188003A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 新日鐵住金株式会社 | ＳｉＣ板状体における転位の面内分布評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0619603A1 (en) | 1994-10-12 |
| US5464779A (en) | 1995-11-07 |
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