JPH06296101A - ローデッドライン形半導体移相器 - Google Patents
ローデッドライン形半導体移相器Info
- Publication number
- JPH06296101A JPH06296101A JP8070093A JP8070093A JPH06296101A JP H06296101 A JPH06296101 A JP H06296101A JP 8070093 A JP8070093 A JP 8070093A JP 8070093 A JP8070093 A JP 8070093A JP H06296101 A JPH06296101 A JP H06296101A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- phase shifter
- loading
- switching element
- type semiconductor
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- Pending
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体スイッチング素子をオン、オフと切換
えることによって透過位相を制御するローデッドライン
形半導体移相器において、小さい移相量の移相器を容易
に得ることを目的とする。 【構成】 誘電体基板の裏面を地導体とし、表面にマイ
クロストリップ線路で構成される主線路に装荷線路を並
列に接続し、その装荷線路の一部を結合線路としてその
先端をＰＩＮダイオード等の半導体スイッチング素子に
接続する。ＰＩＮダイオードのもう一端は接地用線路を
介して金リボン等でマイクロ波的に接地する。
えることによって透過位相を制御するローデッドライン
形半導体移相器において、小さい移相量の移相器を容易
に得ることを目的とする。 【構成】 誘電体基板の裏面を地導体とし、表面にマイ
クロストリップ線路で構成される主線路に装荷線路を並
列に接続し、その装荷線路の一部を結合線路としてその
先端をＰＩＮダイオード等の半導体スイッチング素子に
接続する。ＰＩＮダイオードのもう一端は接地用線路を
介して金リボン等でマイクロ波的に接地する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フェーズドアレーア
ンテナの位相制御等に用いられるローデッドライン形半
導体移相器の小移相量化に関するものである。
ンテナの位相制御等に用いられるローデッドライン形半
導体移相器の小移相量化に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のローデッドライン形半導体
移相器を示す斜視図であり、図において、１は誘電体基
板、２はこの誘電体基板１の裏面に施された地導体、３
は誘電体基板１の表面にマイクロストリップ線路として
構成される主線路、４ａ、４ｂは中心周波数の約４分の
１波長の間隔で主線路３に並列に接続される装荷線路、
５ａ、５ｂは装荷線路４ａ、４ｂの先端に各々直列に接
続されるスイッチング半導体素子であるＰＩＮダイオー
ド、６ａ、６ｂはＰＩＮダイオード５ａ、５ｂに各々直
列に接続される接地用線路、７ａ、７ｂは接地用線路６
ａ、６ｂと地導体２を接続するための金リボンである。
なお、実際にはＰＩＮダイオードに直流バイアスを印加
するためのバイアス回路がつくが、ここでは省略するこ
とにする。
移相器を示す斜視図であり、図において、１は誘電体基
板、２はこの誘電体基板１の裏面に施された地導体、３
は誘電体基板１の表面にマイクロストリップ線路として
構成される主線路、４ａ、４ｂは中心周波数の約４分の
１波長の間隔で主線路３に並列に接続される装荷線路、
５ａ、５ｂは装荷線路４ａ、４ｂの先端に各々直列に接
続されるスイッチング半導体素子であるＰＩＮダイオー
ド、６ａ、６ｂはＰＩＮダイオード５ａ、５ｂに各々直
列に接続される接地用線路、７ａ、７ｂは接地用線路６
ａ、６ｂと地導体２を接続するための金リボンである。
なお、実際にはＰＩＮダイオードに直流バイアスを印加
するためのバイアス回路がつくが、ここでは省略するこ
とにする。
【０００３】次に動作について説明する。ローデッドラ
イン形半導体移相器は、ＰＩＮダイオードをオン、オフ
と切換えた時のインピーダンスの差異を利用して、主線
路から見た装荷線路のサセプタンス値を切換えて主線路
の透過位相を制御するものである。ＰＩＮダイオード５
ａ、５ｂは、オン、オフに相当する直流バイアスを印加
することにより、オン時には１Ω程度の小さな純抵抗、
オフ時には０．１ｐＦ程度の小さな容量成分として働
く。また、ＰＩＮダイオード５ａ、５ｂの一端は、接地
用線路６ａ、６ｂに接線され、さらに金リボン７ａ、７
ｂで地導体２に接続されているので、ダイオード５ａ、
５ｂはマイクロ波的に接地される。そのため、装荷線路
４ａ、４ｂからＰＩＮダイオード５ａ、５ｂに伝搬する
マイクロ波は、ほぼ完全反射の状態で装荷線路４ａ、４
ｂに戻って行く。この際、オン時とオフ時ではダイオー
ドインピーダンスが異なるため、反射位相は違う値とな
る。装荷線路４ａ、４ｂは主線路３に各々並列に接続さ
れているので、主線路３から見た装荷線路４ａ、４ｂの
サセプタンス値はオン時とオフ時で異なる値となる。主
線路３に並列にサセプタンスが装荷されると、その値に
より主線路３の透過位相は変化することから、オン時と
オフ時で主線路３の透過位相は異なる値となり、移相器
として働く。なお、装荷線路４ａ、４ｂは中心周波数の
約４分の１波長の間隔で主線路３に並列に接続されてお
り、装荷線路４ａ、４ｂで生じる反射を打ち消すような
構成となっている。
イン形半導体移相器は、ＰＩＮダイオードをオン、オフ
と切換えた時のインピーダンスの差異を利用して、主線
路から見た装荷線路のサセプタンス値を切換えて主線路
の透過位相を制御するものである。ＰＩＮダイオード５
ａ、５ｂは、オン、オフに相当する直流バイアスを印加
することにより、オン時には１Ω程度の小さな純抵抗、
オフ時には０．１ｐＦ程度の小さな容量成分として働
く。また、ＰＩＮダイオード５ａ、５ｂの一端は、接地
用線路６ａ、６ｂに接線され、さらに金リボン７ａ、７
ｂで地導体２に接続されているので、ダイオード５ａ、
５ｂはマイクロ波的に接地される。そのため、装荷線路
４ａ、４ｂからＰＩＮダイオード５ａ、５ｂに伝搬する
マイクロ波は、ほぼ完全反射の状態で装荷線路４ａ、４
ｂに戻って行く。この際、オン時とオフ時ではダイオー
ドインピーダンスが異なるため、反射位相は違う値とな
る。装荷線路４ａ、４ｂは主線路３に各々並列に接続さ
れているので、主線路３から見た装荷線路４ａ、４ｂの
サセプタンス値はオン時とオフ時で異なる値となる。主
線路３に並列にサセプタンスが装荷されると、その値に
より主線路３の透過位相は変化することから、オン時と
オフ時で主線路３の透過位相は異なる値となり、移相器
として働く。なお、装荷線路４ａ、４ｂは中心周波数の
約４分の１波長の間隔で主線路３に並列に接続されてお
り、装荷線路４ａ、４ｂで生じる反射を打ち消すような
構成となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のローデッドライ
ン形半導体移相器は以上のように構成されているので、
１１．２５°のような小さい移相量を実現するにはＰＩ
Ｎダイオードのオン、オフのインピーダンスの差異を小
さく見せるために装荷線路のインピーダンスを高くする
必要があった。そのためにはマイクロストリップの線路
幅を細くすることになるが、製造上の限界があるため小
さい移相量の移相器を構成することが困難であるという
問題点があった。
ン形半導体移相器は以上のように構成されているので、
１１．２５°のような小さい移相量を実現するにはＰＩ
Ｎダイオードのオン、オフのインピーダンスの差異を小
さく見せるために装荷線路のインピーダンスを高くする
必要があった。そのためにはマイクロストリップの線路
幅を細くすることになるが、製造上の限界があるため小
さい移相量の移相器を構成することが困難であるという
問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、小さな移相量のローデッドライ
ン形半導体移相器を得ることを目的とする。
ためになされたもので、小さな移相量のローデッドライ
ン形半導体移相器を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るローデッ
ドライン形半導体移相器は、装荷線路の一部を、中心周
波数の約４分の１波長の長さを持つ結合線路としたもの
である。
ドライン形半導体移相器は、装荷線路の一部を、中心周
波数の約４分の１波長の長さを持つ結合線路としたもの
である。
【０００７】この発明に係るローデッドライン形半導体
移相器は、装荷線路の一部を、中心周波数の約４分の１
波長の長さを持つ結合線路とし、結合線路の開放端に先
端開放線路を接続したものである。
移相器は、装荷線路の一部を、中心周波数の約４分の１
波長の長さを持つ結合線路とし、結合線路の開放端に先
端開放線路を接続したものである。
【０００８】この発明に係るローデッドライン形半導体
移相器は、装荷線路の一部を、中心周波数の約４分の１
波長の長さを持つ結合線路とし、結合線路上に誘電体基
板を装着したものである。
移相器は、装荷線路の一部を、中心周波数の約４分の１
波長の長さを持つ結合線路とし、結合線路上に誘電体基
板を装着したものである。
【０００９】この発明に係るローデッドライン形半導体
移相器は、装荷線路の一部を、中心周波数の約４分の１
波長の長さを持つ結合線路とし、結合線路上に空間を介
して、金属板を装着したものである。
移相器は、装荷線路の一部を、中心周波数の約４分の１
波長の長さを持つ結合線路とし、結合線路上に空間を介
して、金属板を装着したものである。
【００１０】
【作用】この発明における結合線路は、中心周波数の約
４分の１波長の長さを持っているため、方向性結合器と
して作用し、装荷線路へ伝搬されたマイクロ波は方向性
結合器の通過端、結合端へ分配される。しかし、通過端
も結合端も開放端となっているためそこで完全反射して
アイソレーション端で合成される。この時、通過端、結
合端への分配比が等分配であれば、すべての電力がアイ
ソレーション端で合成されてダイオードの方向へ伝搬さ
れる。しかし、方向性結合器の結合度を小さくすること
によってマイクロ波は全てダイオードの方向へ伝搬され
ず、直接入力側へ戻ってゆくことになるため、ダイオー
ドのインピーダンスの寄与は小さくなる。即ちダイオー
ドのオン時、オフ時のインピーダンスの差異が大きくて
も結合線路を介した装荷線路を構成することによって主
線路から見た時の装荷線路のサセプタンス値のオン時、
オフ時の変化が小さくできる。これにより、小さな移相
量の移相器を構成することが可能となる。
４分の１波長の長さを持っているため、方向性結合器と
して作用し、装荷線路へ伝搬されたマイクロ波は方向性
結合器の通過端、結合端へ分配される。しかし、通過端
も結合端も開放端となっているためそこで完全反射して
アイソレーション端で合成される。この時、通過端、結
合端への分配比が等分配であれば、すべての電力がアイ
ソレーション端で合成されてダイオードの方向へ伝搬さ
れる。しかし、方向性結合器の結合度を小さくすること
によってマイクロ波は全てダイオードの方向へ伝搬され
ず、直接入力側へ戻ってゆくことになるため、ダイオー
ドのインピーダンスの寄与は小さくなる。即ちダイオー
ドのオン時、オフ時のインピーダンスの差異が大きくて
も結合線路を介した装荷線路を構成することによって主
線路から見た時の装荷線路のサセプタンス値のオン時、
オフ時の変化が小さくできる。これにより、小さな移相
量の移相器を構成することが可能となる。
【００１１】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、８ａ、８ｂは装荷線路の一部を構
成する結合線路である。９ａ、９ｂは入力端、１０ａ、
１０ｂは通過端、１１ａ、１１ｂは結合端、１２ａ、１
２ｂはアイソレーション端である。
する。図１において、８ａ、８ｂは装荷線路の一部を構
成する結合線路である。９ａ、９ｂは入力端、１０ａ、
１０ｂは通過端、１１ａ、１１ｂは結合端、１２ａ、１
２ｂはアイソレーション端である。
【００１２】次に動作について説明する。主線路３に並
列に接続される装荷線路４ａ、４ｂに伝搬されるマイク
ロ波は結合線路８ａ、８ｂに供給される。この時、結合
線路８ａ、８ｂの長さは中心周波数の約４分の１波長と
なっているため方向性結合器として作用する。マイクロ
波は、入力端９ａ、９ｂに入射すると、通過端１０ａ、
１０ｂ、結合端１１ａ、１１ｂに分配される。しかしど
ちらも開放端であるため完全反射してアイソレーション
端１２ａ、１２ｂに合成される。この時方向性結合器の
分配比が等分配であれば、全てのマイクロ波はアイソレ
ーション端１２ａ、１２ｂに合成され、ＰＩＮダイオー
ド５ａ、５ｂの方向へ伝搬される。しかし、方向性結合
器の結合度を小さくすると不等分配となり、一部のマイ
クロ波はＰＩＮダイオード５ａ、５ｂの方向へ伝搬する
が、それ以外のマイクロ波は直接入力端９ａ、９ｂに戻
って行く。結局、ＰＩＮダイオード５ａ、５ｂに関係な
く主線路３の方向に戻るマイクロ波と、ＰＩＮダイオー
ド５ａ、５ｂの反射位相の寄与を受けて主線路３の方向
に戻るマイクロ波の合成から、主線路３から見た装荷線
路４ａ、４ｂのサセプタンス値が決定する。オン時、オ
フ時のサセプタンス値の変化は、結合線路８ａ、８ｂの
結合度を小さくすることによって小さくなるので、主線
路３の透過位相の変化も小さくなり、小さな移相量の移
相器が実現できる。なお、装荷線路は２本でなく、１本
もしくは３本以上でも構成可能である。
列に接続される装荷線路４ａ、４ｂに伝搬されるマイク
ロ波は結合線路８ａ、８ｂに供給される。この時、結合
線路８ａ、８ｂの長さは中心周波数の約４分の１波長と
なっているため方向性結合器として作用する。マイクロ
波は、入力端９ａ、９ｂに入射すると、通過端１０ａ、
１０ｂ、結合端１１ａ、１１ｂに分配される。しかしど
ちらも開放端であるため完全反射してアイソレーション
端１２ａ、１２ｂに合成される。この時方向性結合器の
分配比が等分配であれば、全てのマイクロ波はアイソレ
ーション端１２ａ、１２ｂに合成され、ＰＩＮダイオー
ド５ａ、５ｂの方向へ伝搬される。しかし、方向性結合
器の結合度を小さくすると不等分配となり、一部のマイ
クロ波はＰＩＮダイオード５ａ、５ｂの方向へ伝搬する
が、それ以外のマイクロ波は直接入力端９ａ、９ｂに戻
って行く。結局、ＰＩＮダイオード５ａ、５ｂに関係な
く主線路３の方向に戻るマイクロ波と、ＰＩＮダイオー
ド５ａ、５ｂの反射位相の寄与を受けて主線路３の方向
に戻るマイクロ波の合成から、主線路３から見た装荷線
路４ａ、４ｂのサセプタンス値が決定する。オン時、オ
フ時のサセプタンス値の変化は、結合線路８ａ、８ｂの
結合度を小さくすることによって小さくなるので、主線
路３の透過位相の変化も小さくなり、小さな移相量の移
相器が実現できる。なお、装荷線路は２本でなく、１本
もしくは３本以上でも構成可能である。
【００１３】実施例２．図２は、この発明の他の実施例
を示すものである。図において、１３ａ、１３ｂは方向
性結合器の通過端１０ａ、１０ｂ、結合端１１ａ、１１
ｂに接続される先端開放線路である。動作の概要は、図
１で示した実施例とほぼ同じであるが、先端開放線路１
３ａ、１３ｂを付加することによって、ＰＩＮダイオー
ド５ａ、５ｂに関係なく直接主線路３の方向に戻るマイ
クロ波と、ＰＩＮダイオード５ａ、５ｂの寄与を受けて
戻るマイクロ波の位相関係が変化するため、先端開放線
路１３ａ、１３ｂの長さを可変することによって、移相
量を調整することが可能となる。
を示すものである。図において、１３ａ、１３ｂは方向
性結合器の通過端１０ａ、１０ｂ、結合端１１ａ、１１
ｂに接続される先端開放線路である。動作の概要は、図
１で示した実施例とほぼ同じであるが、先端開放線路１
３ａ、１３ｂを付加することによって、ＰＩＮダイオー
ド５ａ、５ｂに関係なく直接主線路３の方向に戻るマイ
クロ波と、ＰＩＮダイオード５ａ、５ｂの寄与を受けて
戻るマイクロ波の位相関係が変化するため、先端開放線
路１３ａ、１３ｂの長さを可変することによって、移相
量を調整することが可能となる。
【００１４】実施例３．この発明の他の実施例を示す正
面図を図３に、側面図を図４に示す。図において、１４
ａ、１４ｂは結合線路８ａ、８ｂの上に装着される誘電
体である。この誘電体１４ａ、１４ｂによって結合度が
変化し、移相器の移相量を調整することが可能となる。
面図を図３に、側面図を図４に示す。図において、１４
ａ、１４ｂは結合線路８ａ、８ｂの上に装着される誘電
体である。この誘電体１４ａ、１４ｂによって結合度が
変化し、移相器の移相量を調整することが可能となる。
【００１５】実施例４．この発明の他の実施例を示す正
面図を図５に、側面図を図６に示す。図において、１５
ａ、１６ａは結合線路８ａ、８ｂの上部に空気層を介し
て装着される金属板である。この金属板１４ａ、１４ｂ
によって結合度が変化し、移相器の移相量を調整するこ
とが可能となる。なお、空気層のかわりに誘電体層とし
ても良い。
面図を図５に、側面図を図６に示す。図において、１５
ａ、１６ａは結合線路８ａ、８ｂの上部に空気層を介し
て装着される金属板である。この金属板１４ａ、１４ｂ
によって結合度が変化し、移相器の移相量を調整するこ
とが可能となる。なお、空気層のかわりに誘電体層とし
ても良い。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、装荷
線路の一部を結合線路で構成したので、容易に小さな移
相量の移相器を得られる効果がある。
線路の一部を結合線路で構成したので、容易に小さな移
相量の移相器を得られる効果がある。
【図１】この発明の実施例１におけるローデッドライン
形半導体移相器の斜視図である。
形半導体移相器の斜視図である。
【図２】この発明の実施例２におけるローデッドライン
形半導体移相器の斜視図である。
形半導体移相器の斜視図である。
【図３】この発明の実施例３におけるローデッドライン
形半導体移相器の正面図である。
形半導体移相器の正面図である。
【図４】この発明の実施例３におけるローデッドライン
形半導体移相器の側面図である。
形半導体移相器の側面図である。
【図５】この発明の実施例４におけるローデッドライン
形半導体移相器の正面図である。
形半導体移相器の正面図である。
【図６】この発明の実施例４におけるローデッドライン
形半導体移相器の側面図である。
形半導体移相器の側面図である。
【図７】従来のローデッドライン形半導体移相器の斜視
図である。
図である。
１ 誘電体基板 ２ 地導体 ３ 主線路 ４ 装荷線路 ５ ＰＩＮダイオード ８ 結合線路 １３ 先端開放線路 １４ 誘電体 １５ 金属板
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体基板と、この誘電体基板の一方面
に施される地導体と、この誘電体基板の他方面にマイク
ロストリップ線路として構成される主線路と、この主線
路に並列に接続される１本あるいは複数本の装荷線路
と、上記装荷線路の先端に直列に接続されるＰＩＮダイ
オード等の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイ
ッチング素子のもう一端をマイクロ波的に接地する手
段、および半導体スイッチング素子に直流バイアスを印
加する手段を具備するローデッドライン形半導体移相器
において、装荷線路の一部を中心周波数の約４分の１波
長の長さの結合線路で構成することを特徴とするローデ
ッドライン形半導体移相器。 - 【請求項２】 誘電体基板と、この誘電体基板の一方面
に施される地導体と、この誘電体基板の他方面にマイク
ロストリップ線路として構成される主線路と、この主線
路に並列に接続される１本あるいは複数本の装荷線路
と、上記装荷線路の先端に直列に接続されるＰＩＮダイ
オード等の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイ
ッチング素子のもう一端をマイクロ波的に接地する手
段、および半導体スイッチング素子に直流バイアスを印
加する手段を具備するローデッドライン形半導体移相器
において、装荷線路の一部を中心周波数の約４分の１波
長の長さの結合線路で構成し、かつ上記結合線路の開放
端に先端開放線路を接続したことを特徴とするローデッ
ドライン形半導体移相器。 - 【請求項３】 誘電体基板と、この誘電体基板の一方面
に施される地導体と、この誘電体基板の他方面にマイク
ロストリップ線路として構成される主線路と、この主線
路に並列に接続される１本あるいは複数本の装荷線路
と、上記装荷線路の先端に直列に接続されるＰＩＮダイ
オード等の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイ
ッチング素子のもう一端をマイクロ波的に接地する手
段、および半導体スイッチング素子に直流バイアスを印
加する手段を具備するローデッドライン形半導体移相器
において、装荷線路の一部を中心周波数の約４分の１波
長の長さの結合線路で構成し、かつ上記結合線路の部分
に誘電体を装着することを特徴とするローデッドライン
形半導体移相器。 - 【請求項４】 誘電体基板と、この誘電体基板の一方面
に施される地導体と、この誘電体基板の他方面にマイク
ロストリップ線路として構成される主線路と、この主線
路に並列に接続される１本あるいは複数本の装荷線路
と、上記装荷線路の先端に直列に接続されるＰＩＮダイ
オード等の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイ
ッチング素子のもう一端をマイクロ波的に接地する手
段、および半導体スイッチング素子に直流バイアスを印
加する手段を具備するローデッドライン形半導体移相器
において、装荷線路の一部を中心周波数の約４分の１波
長の長さの結合線路で構成し、かつ上記結合線路の部分
に空気層あるいは誘電体層を介して金属板を装着するこ
とを特徴とするローデッドライン形半導体移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8070093A JPH06296101A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | ローデッドライン形半導体移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8070093A JPH06296101A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | ローデッドライン形半導体移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06296101A true JPH06296101A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13725610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8070093A Pending JPH06296101A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | ローデッドライン形半導体移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06296101A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100581271B1 (ko) * | 1998-09-04 | 2006-05-22 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 반사 모드 위상 시프터 |
| KR100974438B1 (ko) * | 2008-05-30 | 2010-08-06 | 전자부품연구원 | 메타머티리얼 소자를 포함하는 위상 조정기 |
| WO2017199429A1 (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | 三菱電機株式会社 | 電力増幅器 |
| CN116632478A (zh) * | 2023-07-04 | 2023-08-22 | 合肥工业大学 | 一种功能与性能均可重构的微波无源器件 |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP8070093A patent/JPH06296101A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100581271B1 (ko) * | 1998-09-04 | 2006-05-22 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 반사 모드 위상 시프터 |
| KR100974438B1 (ko) * | 2008-05-30 | 2010-08-06 | 전자부품연구원 | 메타머티리얼 소자를 포함하는 위상 조정기 |
| WO2017199429A1 (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | 三菱電機株式会社 | 電力増幅器 |
| CN116632478A (zh) * | 2023-07-04 | 2023-08-22 | 合肥工业大学 | 一种功能与性能均可重构的微波无源器件 |
| CN116632478B (zh) * | 2023-07-04 | 2025-09-19 | 合肥工业大学 | 一种功能与性能均可重构的微波无源器件 |
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