JPH0629808B2 - 圧覚センサ - Google Patents
圧覚センサInfo
- Publication number
- JPH0629808B2 JPH0629808B2 JP4673287A JP4673287A JPH0629808B2 JP H0629808 B2 JPH0629808 B2 JP H0629808B2 JP 4673287 A JP4673287 A JP 4673287A JP 4673287 A JP4673287 A JP 4673287A JP H0629808 B2 JPH0629808 B2 JP H0629808B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon chip
- pressure sensor
- pressure
- silicon
- bridge circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Manipulator (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は圧覚センサに関し、詳しくはロボットハンド等
に装着され、把持した物体からの受圧力の検知が可能な
圧覚センサに関する。
に装着され、把持した物体からの受圧力の検知が可能な
圧覚センサに関する。
近年においては産業用ロボットに関する技術の進展が著
しく、特に注目される点は圧覚センサをロボットハンド
に取付けることにより、触角、圧覚といった知覚情報が
得られるようになり、その知能化することが進められて
いることである。そこで、かかる圧覚を検知するセンサ
としての必要な条件を述べると、高感度、高分解能、広
いダイナミックレンジ、耐熱性、直線性、応答性、柔軟
性、すべり感覚等を具え、しかも小型軽量でかつ低コス
トで得られ信頼性の高いこと等を挙げることができる。
しく、特に注目される点は圧覚センサをロボットハンド
に取付けることにより、触角、圧覚といった知覚情報が
得られるようになり、その知能化することが進められて
いることである。そこで、かかる圧覚を検知するセンサ
としての必要な条件を述べると、高感度、高分解能、広
いダイナミックレンジ、耐熱性、直線性、応答性、柔軟
性、すべり感覚等を具え、しかも小型軽量でかつ低コス
トで得られ信頼性の高いこと等を挙げることができる。
いま、数多く提案若しくは開発されているこの種の圧覚
センサのうちから代表的な数種のものを第５Ａ図〜第５
Ｃ図によって示す。第５Ａ図は押ボタン式センサを示
し、ここで、１はそのボタン、２および３はプラスおよ
びマイナス電極、４はコイルばねであり、その右側は図
示しない把持物と無接触の状態、その左側は把持物によ
りボタン１が押圧された状態を示している。
センサのうちから代表的な数種のものを第５Ａ図〜第５
Ｃ図によって示す。第５Ａ図は押ボタン式センサを示
し、ここで、１はそのボタン、２および３はプラスおよ
びマイナス電極、４はコイルばねであり、その右側は図
示しない把持物と無接触の状態、その左側は把持物によ
りボタン１が押圧された状態を示している。
すなわち、ハンドにより物体が把持されると、ボタン１
が押込まれることによってプラス極２とマイナス極３と
の間の電気的導通がしゃ断されることによりその把持状
態が検知される。
が押込まれることによってプラス極２とマイナス極３と
の間の電気的導通がしゃ断されることによりその把持状
態が検知される。
第５Ｂ図は導電性ゴムを利用した方式のセンサを示し、
ここで５はその導電ゴム層である。そこで、第５Ｂ図の
右側に示すようにプラス極２の層側から把持物体によっ
て力を受けると、導電ゴム層５の位置で導電率、換言す
ると電気抵抗が変化することによって、把持状態が検知
される。
ここで５はその導電ゴム層である。そこで、第５Ｂ図の
右側に示すようにプラス極２の層側から把持物体によっ
て力を受けると、導電ゴム層５の位置で導電率、換言す
ると電気抵抗が変化することによって、把持状態が検知
される。
第５Ｃ図は光学的検知手段と組合せて構成された圧覚セ
ンサの例を示す。本例ではアクリル板６の上下にシリコ
ンゴム板７と受光素子列８とが設けられており、アクリ
ル板６を光通路とする光源９がその側方に配設されてい
る。また、シリコンゴム板７にはその下面側に円錐状を
なす突起７Ａが形成されており、その突起７Ａの先端部
がアクリル板６の上面と軽く接触を保つようにしてあ
る。
ンサの例を示す。本例ではアクリル板６の上下にシリコ
ンゴム板７と受光素子列８とが設けられており、アクリ
ル板６を光通路とする光源９がその側方に配設されてい
る。また、シリコンゴム板７にはその下面側に円錐状を
なす突起７Ａが形成されており、その突起７Ａの先端部
がアクリル板６の上面と軽く接触を保つようにしてあ
る。
そこで、把持物体によってシリコンゴム板７が加圧され
ると、その突起７Ａが図に示すように圧縮されて変形す
る。いま、加圧前の状態においては光源９からの光はア
クリル板６内で均一に反射され、その反射光が受光素子
列８を形成している個々の受光素子８Ａに受光される
が、上述の加圧力が加わると、その突起７Ａが変形した
部分において乱反射するため、その部分に配置された受
光素子８Ａでは受光感度が変化するので、これによって
力の大きさならびに分布を検知することができる。
ると、その突起７Ａが図に示すように圧縮されて変形す
る。いま、加圧前の状態においては光源９からの光はア
クリル板６内で均一に反射され、その反射光が受光素子
列８を形成している個々の受光素子８Ａに受光される
が、上述の加圧力が加わると、その突起７Ａが変形した
部分において乱反射するため、その部分に配置された受
光素子８Ａでは受光感度が変化するので、これによって
力の大きさならびに分布を検知することができる。
しかしながら、上述したような圧覚センサのうち、第５
Ａ図に示す方式のものは、ボタン１による“オン”と
“オフ”との２つの状態から加圧力の有無が検知される
のみで、連続的に力の強弱を検知することができず、ま
た、第５Ｂ図に示す方式のものは力とゴム層５の導電率
との間の関係に非直線性やヒステリシスの問題があり、
正確に力の大きさとその分布を検出することが難しい。
更にまた、第５Ｃ図に示す方式のものにも同様に非直線
性やヒステリシスの問題があり、この場合は構造が複雑
な上に柔軟性に乏しい。また、ここでは例示しなかった
もので提案または開示されている圧覚センサの数は多い
が、特に柔軟性に富み、上述したような色々の条件を満
足する信頼性の高い圧覚センサは大方無いといっても換
言ではない。
Ａ図に示す方式のものは、ボタン１による“オン”と
“オフ”との２つの状態から加圧力の有無が検知される
のみで、連続的に力の強弱を検知することができず、ま
た、第５Ｂ図に示す方式のものは力とゴム層５の導電率
との間の関係に非直線性やヒステリシスの問題があり、
正確に力の大きさとその分布を検出することが難しい。
更にまた、第５Ｃ図に示す方式のものにも同様に非直線
性やヒステリシスの問題があり、この場合は構造が複雑
な上に柔軟性に乏しい。また、ここでは例示しなかった
もので提案または開示されている圧覚センサの数は多い
が、特に柔軟性に富み、上述したような色々の条件を満
足する信頼性の高い圧覚センサは大方無いといっても換
言ではない。
本発明の目的は、上述したような従来の問題点に着目
し、その解決を図るべく、圧力と出力との関係が直線性
を有し、ヒステリシスがなく、構造が簡単でしかも柔軟
性に富み、廉価で信頼性の高い圧覚センサを提供するこ
とにある。
し、その解決を図るべく、圧力と出力との関係が直線性
を有し、ヒステリシスがなく、構造が簡単でしかも柔軟
性に富み、廉価で信頼性の高い圧覚センサを提供するこ
とにある。
かかる目的を達成するために、本発明は、溝によって分
割されたシリコンチップをマトリックス状に配設し、シ
リコンチップの各々の受圧面中央部に凹部を設けてこの
凹部に受圧ボタンを嵌合し、凹部に対応するシリコンチ
ップの背面に複数の半導体歪ゲージによるブリッジ回路
を配設し、ブリッジ回路に接続されるスイッチ手段およ
び接続電極を背面側に設けると共に複数の歪ゲージを柔
軟性のある弾性材料の基板によって支持させ、シリコン
チップの各々の間を電気的に接続するようにしたことを
特徴とする。
割されたシリコンチップをマトリックス状に配設し、シ
リコンチップの各々の受圧面中央部に凹部を設けてこの
凹部に受圧ボタンを嵌合し、凹部に対応するシリコンチ
ップの背面に複数の半導体歪ゲージによるブリッジ回路
を配設し、ブリッジ回路に接続されるスイッチ手段およ
び接続電極を背面側に設けると共に複数の歪ゲージを柔
軟性のある弾性材料の基板によって支持させ、シリコン
チップの各々の間を電気的に接続するようにしたことを
特徴とする。
本発明圧覚センサにおいては、溝によって分割された形
態のシリコンチップ背面側にブリッジ回路に組込まれた
歪ゲージおよびこれに接続されるスイッチ手段、接続電
極が設けられていて、歪ゲージの設けられる範囲が柔軟
な弾性基板によって支持されるので、高感度の出力が得
られ、かつ、上記の溝によって分割された形態であるた
めに全体に柔軟性を保たせることができて、しかも小型
化、薄型化することができる。
態のシリコンチップ背面側にブリッジ回路に組込まれた
歪ゲージおよびこれに接続されるスイッチ手段、接続電
極が設けられていて、歪ゲージの設けられる範囲が柔軟
な弾性基板によって支持されるので、高感度の出力が得
られ、かつ、上記の溝によって分割された形態であるた
めに全体に柔軟性を保たせることができて、しかも小型
化、薄型化することができる。
以下に、図面に基づいて本発明の実施例を詳細かつ具体
的に説明する。
的に説明する。
第１Ａ図は本発明の一実施例を示す。ここで、１１は半
導体のシリコンチップであり、シリコンチップ１１の下
面側には複数の歪ゲージ１２および電極１３が形成され
ている。１４はエポキシ樹脂等によって成形したモール
ド基板であり、１５はこのモールド基板１４のうちの歪
ゲージ１２と接する範囲に設けられ、例えばシリコンゴ
ム等の弾性体で成形された弾性基板である。また、シリ
コンチップ１１の下面側に設けられている電極１３は、
その隣接するセンサユニット１０間を電気的に接続する
ための金またはアルミニウム等のボンディングワイヤ１
７によってボンディングされている。
導体のシリコンチップであり、シリコンチップ１１の下
面側には複数の歪ゲージ１２および電極１３が形成され
ている。１４はエポキシ樹脂等によって成形したモール
ド基板であり、１５はこのモールド基板１４のうちの歪
ゲージ１２と接する範囲に設けられ、例えばシリコンゴ
ム等の弾性体で成形された弾性基板である。また、シリ
コンチップ１１の下面側に設けられている電極１３は、
その隣接するセンサユニット１０間を電気的に接続する
ための金またはアルミニウム等のボンディングワイヤ１
７によってボンディングされている。
１８はセンサユニット１０間を画成している切込溝であ
り、この切込溝１８を設けることによって、センサ全体
に柔軟性が保たれるようにしており、またこの切込溝１
８を設けるためにボンディングワイヤ１７には切損され
ないように撓みが持たせてある。１９は受圧ボタンであ
り、シリコンチップ１１の上面に設けた凹部１１Ａに摺
動自在に保持される。
り、この切込溝１８を設けることによって、センサ全体
に柔軟性が保たれるようにしており、またこの切込溝１
８を設けるためにボンディングワイヤ１７には切損され
ないように撓みが持たせてある。１９は受圧ボタンであ
り、シリコンチップ１１の上面に設けた凹部１１Ａに摺
動自在に保持される。
一方、上述した複数の歪ゲージ１２間には第２Ａ図に示
すようなホィートストンブリッジ回路が構成されるもの
で、第２Ａ図においては４つの歪ゲージ１２がＲ１，Ｒ
２，Ｒ３およびＲ４の抵抗として示されている。またこ
こで、ＳＶ，ＳA2，ＳA1およびＳＧは電界効果型トラン
ジスタＦＥＴによるアナログスイッチであり、これらの
スイッチの配列により隣接センサユニット１０への信号
のまわり込みを防止し、個々のユニット１０における信
号の独立性が保たれるようにしてある。なお、ＳＸおよ
びＳＹは行および列の指令選択手段であり、後述するよ
うにしてこれらの指令選択手段ＳＸおよびＳＹを介して
所定の行および列を指定することによりそのブリッジ回
路からの出力Ｅを得ることができる。
すようなホィートストンブリッジ回路が構成されるもの
で、第２Ａ図においては４つの歪ゲージ１２がＲ１，Ｒ
２，Ｒ３およびＲ４の抵抗として示されている。またこ
こで、ＳＶ，ＳA2，ＳA1およびＳＧは電界効果型トラン
ジスタＦＥＴによるアナログスイッチであり、これらの
スイッチの配列により隣接センサユニット１０への信号
のまわり込みを防止し、個々のユニット１０における信
号の独立性が保たれるようにしてある。なお、ＳＸおよ
びＳＹは行および列の指令選択手段であり、後述するよ
うにしてこれらの指令選択手段ＳＸおよびＳＹを介して
所定の行および列を指定することによりそのブリッジ回
路からの出力Ｅを得ることができる。
第２Ｂ図および第２Ｃ図は上述の歪ゲージ１２が抵抗Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４としてシリコンチップ１１の下面
に配設された状態およびその受圧状態を示すもので、こ
のような受圧によってシリコンチップ１１が撓み、その
結果、ゲージＲ１およびＲ３には引張応力、ゲージＲ２
およびＲ４には圧縮応力が発生し、第２Ｄ図に示すよう
な高感度の出力Ｅを得ることができる。
１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４としてシリコンチップ１１の下面
に配設された状態およびその受圧状態を示すもので、こ
のような受圧によってシリコンチップ１１が撓み、その
結果、ゲージＲ１およびＲ３には引張応力、ゲージＲ２
およびＲ４には圧縮応力が発生し、第２Ｄ図に示すよう
な高感度の出力Ｅを得ることができる。
そこで、Ｒ１〜Ｒ４で示される歪ゲージ１２およびアナ
ログスイッチＳＶ，ＳA2，ＳA1，ＳＧに対して指令ＳＸ
およびＳＹを供給すべく電極１３ と上述の歪ゲージ１２およびアナログスイッチ間に第１
Ｂ図に示すような配線を設けることにより個々のセンサ
ユニット１０から出力Ｅを得ることが可能となる。
ログスイッチＳＶ，ＳA2，ＳA1，ＳＧに対して指令ＳＸ
およびＳＹを供給すべく電極１３ と上述の歪ゲージ１２およびアナログスイッチ間に第１
Ｂ図に示すような配線を設けることにより個々のセンサ
ユニット１０から出力Ｅを得ることが可能となる。
第３図は、第１Ｂ図によって示したような回路を行列的
に３×３の配列としたセンサユニット１０間の全体の配
線図を一例として示したもので、行の指令選択手段ＳX1
〜ＳX3のうちから１つを選択し、更に列の指令選択手段
ＳY1〜ＳY3のうちから１つを選択することにより、３×
３のセンサユニット１０のうちからいずれか１つのセン
サユニット１０のブリッジ回路を介して任意選択的に出
力を得ることができ、また、行の指令選択手段を順次に
選択しながら１つの選択時に列の指令選択手段を次々と
選択することにより１行ずつ、３列のセンサユニット１
０からその順番で出力Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３を次々と得るこ
とができる。
に３×３の配列としたセンサユニット１０間の全体の配
線図を一例として示したもので、行の指令選択手段ＳX1
〜ＳX3のうちから１つを選択し、更に列の指令選択手段
ＳY1〜ＳY3のうちから１つを選択することにより、３×
３のセンサユニット１０のうちからいずれか１つのセン
サユニット１０のブリッジ回路を介して任意選択的に出
力を得ることができ、また、行の指令選択手段を順次に
選択しながら１つの選択時に列の指令選択手段を次々と
選択することにより１行ずつ、３列のセンサユニット１
０からその順番で出力Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３を次々と得るこ
とができる。
次に第４Ａ図〜第４Ｅ図にしたがって本発明圧覚センサ
を製造する手順について説明する。
を製造する手順について説明する。
まず、第４Ａ図に示すようにシリコンウエハ１１０の一
方の面にレジスト層１１１を形成すると共に他方の面に
歪ゲージ１２と電極１３とを薄膜技術によって形成し、
その点線で示した部分をエッチングによって取除き、第
４Ｂ図で示すように凹部１１Ａを形成する。次に、この
ようにして得られたシリコンウエハ１１０を天地して歪
ゲージ１２とそのブリッジ回路が設けられた上から薄い
シリコンゴムフィルム等弾性体の層を設け、弾性基板１
５を形成する。
方の面にレジスト層１１１を形成すると共に他方の面に
歪ゲージ１２と電極１３とを薄膜技術によって形成し、
その点線で示した部分をエッチングによって取除き、第
４Ｂ図で示すように凹部１１Ａを形成する。次に、この
ようにして得られたシリコンウエハ１１０を天地して歪
ゲージ１２とそのブリッジ回路が設けられた上から薄い
シリコンゴムフィルム等弾性体の層を設け、弾性基板１
５を形成する。
更にまた隣接する電極１３間をボンディングワイヤ１７
によって接続した後、シリコンウエハ１１０の周囲を第
４Ｃ図に示すようにして比較的軟質の材料による弾性枠
１１２で取囲み、軟質エポキシ樹脂等の弾性材料を上面
にモールドしてモールド基板１４を形成する。しかして
ここで再度天地して第４Ｄ図の状態とする。
によって接続した後、シリコンウエハ１１０の周囲を第
４Ｃ図に示すようにして比較的軟質の材料による弾性枠
１１２で取囲み、軟質エポキシ樹脂等の弾性材料を上面
にモールドしてモールド基板１４を形成する。しかして
ここで再度天地して第４Ｄ図の状態とする。
次に、点線で示した部分に切込溝１８を刻設する。なお
溝１８の形成にあたっては先に配設したボンディングワ
イヤ１７を切断しないよう砥石等を用いて切込めばよ
く、かくすることによってセンサ全体に柔軟性を付与
し、撓みを可能とし、例えばロボットハンドの指部に巻
着することも可能となる。第４Ｅ図は第４Ｄ図の状態と
したものに受圧ボタン１９を嵌込み、その上部を皮膜１
１３で被覆した状態を示し、このようにして実用可能な
状態の圧覚センサを得ることができる。
溝１８の形成にあたっては先に配設したボンディングワ
イヤ１７を切断しないよう砥石等を用いて切込めばよ
く、かくすることによってセンサ全体に柔軟性を付与
し、撓みを可能とし、例えばロボットハンドの指部に巻
着することも可能となる。第４Ｅ図は第４Ｄ図の状態と
したものに受圧ボタン１９を嵌込み、その上部を皮膜１
１３で被覆した状態を示し、このようにして実用可能な
状態の圧覚センサを得ることができる。
以上説明してきたように、本発明によれば、溝により分
割されたシリコンチップをマトリックス状に配設し、個
々のシリコンチップの受圧面中央部に凹部を設けて受圧
ボタンを嵌合し、その凹部に対応するシリコンチップの
背面側にはブリッジ回路に組込んだ複数の半導体の歪ゲ
ージを配設し、ブリッジ回路に接続されるスイッチ手段
および接続電極を上記背面側に設けると共に上記複数の
歪ゲージを柔軟性のある弾性材料の基板によって支持さ
せ、個々のシリコンチップ間を電気的に接続するように
したので、薄型で柔軟性に富み実用性の高い理想的な圧
覚センサを提供することが可能となり、ロボットハンド
に適用すれば高度のマニピュレーション作業が可能であ
ってロボットの知能化に貢献することができる。
割されたシリコンチップをマトリックス状に配設し、個
々のシリコンチップの受圧面中央部に凹部を設けて受圧
ボタンを嵌合し、その凹部に対応するシリコンチップの
背面側にはブリッジ回路に組込んだ複数の半導体の歪ゲ
ージを配設し、ブリッジ回路に接続されるスイッチ手段
および接続電極を上記背面側に設けると共に上記複数の
歪ゲージを柔軟性のある弾性材料の基板によって支持さ
せ、個々のシリコンチップ間を電気的に接続するように
したので、薄型で柔軟性に富み実用性の高い理想的な圧
覚センサを提供することが可能となり、ロボットハンド
に適用すれば高度のマニピュレーション作業が可能であ
ってロボットの知能化に貢献することができる。
第１Ａ図は本発明圧覚センサの構成の一例を示す断面
図、 第１Ｂ図はそのシリコンチップにおける配線図、 第２Ａ図は本発明に適用される歪ゲージ組込みのブリッ
ジ回路とスイッチ手段との間の原理的な回路構成図、 第２Ｂ図はその歪ゲージの配置の一例を示す模式図、 第２Ｃ図はその１つのシリコンチップを模式に示す断面
図、 第２Ｄ図はその歪ゲージに発生する応力の一例を示す特
性曲線図、 第３図はその圧覚センサを駆動するための回路図、 第４Ａ図〜第４Ｅ図は本発明圧覚センサを製造するとき
の過程をその断面により順を追って示す説明図、 第５Ａ図〜第５Ｃ図は従来の圧覚センサの３つの形態を
それぞれ模式に示す断面図である。 １１……シリコンチップ、 １１Ａ……凹部、 １２，Ｒ１〜Ｒ４……歪ゲージ、 １３……電極、 １４……モールド基板、 １５……弾性基板、 １７……ボンディングワイヤ、 １８……切込溝、 １９……受圧ボタン、 ＳＶ，ＳAl，ＳA2，ＳＧ……スイッチ（手段）、 １１０……シリコンウエハ、 １１１……レジスト層、 １１２……弾性枠、 １１３……皮膜。
図、 第１Ｂ図はそのシリコンチップにおける配線図、 第２Ａ図は本発明に適用される歪ゲージ組込みのブリッ
ジ回路とスイッチ手段との間の原理的な回路構成図、 第２Ｂ図はその歪ゲージの配置の一例を示す模式図、 第２Ｃ図はその１つのシリコンチップを模式に示す断面
図、 第２Ｄ図はその歪ゲージに発生する応力の一例を示す特
性曲線図、 第３図はその圧覚センサを駆動するための回路図、 第４Ａ図〜第４Ｅ図は本発明圧覚センサを製造するとき
の過程をその断面により順を追って示す説明図、 第５Ａ図〜第５Ｃ図は従来の圧覚センサの３つの形態を
それぞれ模式に示す断面図である。 １１……シリコンチップ、 １１Ａ……凹部、 １２，Ｒ１〜Ｒ４……歪ゲージ、 １３……電極、 １４……モールド基板、 １５……弾性基板、 １７……ボンディングワイヤ、 １８……切込溝、 １９……受圧ボタン、 ＳＶ，ＳAl，ＳA2，ＳＧ……スイッチ（手段）、 １１０……シリコンウエハ、 １１１……レジスト層、 １１２……弾性枠、 １１３……皮膜。
Claims (1)
- 【請求項１】溝によって分割されたシリコンチップをマ
トリックス状に配設し、前記シリコンチップの各々の受
圧面中央部に凹部を設けて該凹部に受圧ボタンを嵌合
し、前記凹部に対応する前記シリコンチップの背面に複
数の半導体歪ゲージによるブリッジ回路を配設し、該ブ
リッジ回路に接続されるスイッチ手段および接続電極を
前記背面側に設けると共に前記複数の歪ゲージを柔軟性
のある弾性材料の基板によって支持させ、前記シリコン
チップの各々の間を電気的に接続するようにしたことを
特徴とする圧覚センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4673287A JPH0629808B2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 圧覚センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4673287A JPH0629808B2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 圧覚センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63214631A JPS63214631A (ja) | 1988-09-07 |
| JPH0629808B2 true JPH0629808B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=12755505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4673287A Expired - Lifetime JPH0629808B2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 圧覚センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629808B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008093480A1 (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-07 | Tokyo Denki University | 触覚センサ |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2783623B2 (ja) * | 1989-12-04 | 1998-08-06 | 株式会社東芝 | インバータ装置 |
| US5656547A (en) * | 1994-05-11 | 1997-08-12 | Chipscale, Inc. | Method for making a leadless surface mounted device with wrap-around flange interface contacts |
| JP5149081B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2013-02-20 | 株式会社日立エンジニアリング・アンド・サービス | ひずみ量測定機能付き締結具 |
| JP7287664B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2023-06-06 | 国立大学法人 香川大学 | 触覚センサおよび触覚測定方法 |
| JP7525153B2 (ja) * | 2020-10-14 | 2024-07-30 | 国立大学法人 香川大学 | 触覚センサ |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP4673287A patent/JPH0629808B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008093480A1 (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-07 | Tokyo Denki University | 触覚センサ |
| JP2008185399A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Tokyo Denki Univ | 触覚センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63214631A (ja) | 1988-09-07 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |