JPH06300933A - 薄膜導波路型偏光フィルタ - Google Patents
薄膜導波路型偏光フィルタInfo
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- JPH06300933A JPH06300933A JP8488593A JP8488593A JPH06300933A JP H06300933 A JPH06300933 A JP H06300933A JP 8488593 A JP8488593 A JP 8488593A JP 8488593 A JP8488593 A JP 8488593A JP H06300933 A JPH06300933 A JP H06300933A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】簡便なプロセスで製作でき、ＴＭモード及び高
次モードをフィルタリングして、ＴＥモード及び基本モ
ード光を伝播させることが可能な薄膜導波路型偏光フィ
ルタを提供すること。 【構成】導波光を伝播する導波層１３と、導波層１３の
一方の面に接するように設けられ導波層１３よりも低屈
折率の材料で形成された中間層１２と、中間層１２の他
方の面に接するように設けられ導波層１３よりも高屈折
率の材料で形成された基板１１とを備えている。
次モードをフィルタリングして、ＴＥモード及び基本モ
ード光を伝播させることが可能な薄膜導波路型偏光フィ
ルタを提供すること。 【構成】導波光を伝播する導波層１３と、導波層１３の
一方の面に接するように設けられ導波層１３よりも低屈
折率の材料で形成された中間層１２と、中間層１２の他
方の面に接するように設けられ導波層１３よりも高屈折
率の材料で形成された基板１１とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光集積回路、光デバイ
ス、光センサなどの薄膜型光素子に組み込まれる薄膜導
波路型偏光フィルタに関する。
ス、光センサなどの薄膜型光素子に組み込まれる薄膜導
波路型偏光フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、金属を導波層表面に装荷し、
光が金属中を透過する際大きな吸収を受ける金属クラッ
ディング（metal cladding）を利用したＴＥ透過ＴＭ吸
収用の薄膜導波路型偏光フィルタが知られている。
光が金属中を透過する際大きな吸収を受ける金属クラッ
ディング（metal cladding）を利用したＴＥ透過ＴＭ吸
収用の薄膜導波路型偏光フィルタが知られている。
【０００３】図８はこのような薄膜導波路型偏光フィル
タの構成を示す図である。図示の如く、基板１とこの基
板１上に形成された導波層２とによって、一般的な構造
の導波路が構成されている。導波層２の表面には、バッ
ファ層（buffer layer）３を介してアルミニウム等の金
属４が成膜されている。バッファ層３は、導波層２に直
接金属４を装荷すると、減衰が大きくなり過ぎるため、
金属の影響をやわらげる目的で設けられており、バッフ
ァ層３を省略しても、素子の機能は変わらない。
タの構成を示す図である。図示の如く、基板１とこの基
板１上に形成された導波層２とによって、一般的な構造
の導波路が構成されている。導波層２の表面には、バッ
ファ層（buffer layer）３を介してアルミニウム等の金
属４が成膜されている。バッファ層３は、導波層２に直
接金属４を装荷すると、減衰が大きくなり過ぎるため、
金属の影響をやわらげる目的で設けられており、バッフ
ァ層３を省略しても、素子の機能は変わらない。
【０００４】このような従来の薄膜導波路型偏光フィル
タでは、次のような原理でＴＥ透過ＴＭ吸収を実現す
る。すなわち、導波層を伝播する導波光は偏光状態で２
種類に分けられ、ＴＭモード５光とＴＥモード光６とが
存在する。
タでは、次のような原理でＴＥ透過ＴＭ吸収を実現す
る。すなわち、導波層を伝播する導波光は偏光状態で２
種類に分けられ、ＴＭモード５光とＴＥモード光６とが
存在する。
【０００５】これらＴＭモード光５及びＴＥモード光６
は導波層２の内部に完全には閉じ込められず、図に示す
ように吸収光７として基板１、バッファ層３、金属４内
にしみ出し、図中８に示すような電界分布となる。この
とき、金属４内に伝播する光は金属４に吸収され、減衰
することになる。このとき、ＴＥモード光６に比べてＴ
Ｍモード光５の方が、金属内で吸収される量が多いた
め、ＴＭモード光５をより多く吸収し、ＴＥモード光６
を透過させる薄膜導波路型偏光フィルタとして機能す
る。なお、バッファ層３を省略しても、偏光フィルタと
して機能するが、金属を直接装荷すると、ＴＥモードに
対する吸収も大きくなるので、バッファ層３の厚さを調
節することにより減衰率を定めている。
は導波層２の内部に完全には閉じ込められず、図に示す
ように吸収光７として基板１、バッファ層３、金属４内
にしみ出し、図中８に示すような電界分布となる。この
とき、金属４内に伝播する光は金属４に吸収され、減衰
することになる。このとき、ＴＥモード光６に比べてＴ
Ｍモード光５の方が、金属内で吸収される量が多いた
め、ＴＭモード光５をより多く吸収し、ＴＥモード光６
を透過させる薄膜導波路型偏光フィルタとして機能す
る。なお、バッファ層３を省略しても、偏光フィルタと
して機能するが、金属を直接装荷すると、ＴＥモードに
対する吸収も大きくなるので、バッファ層３の厚さを調
節することにより減衰率を定めている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の薄膜導
波路型偏光フィルタにあっては次のような問題があっ
た。すなわち、この場合、作製プロセスにおいて、基板
１上にバッファ層３及び金属層４の成膜が行われる。こ
のため、偏光フィルタと他の導波路型素子、例えば、変
調器とを一枚の基板上に集積化する場合、変調器の構成
要素の１つであるアルミニウム蒸着膜で形成された電極
との整合性が問題になる。したがって、金属層４を基板
全体に成膜できないので、偏光フィルタを作製する部分
に、金属層４をパターニングすることになり、工程が増
えるという問題があった。
波路型偏光フィルタにあっては次のような問題があっ
た。すなわち、この場合、作製プロセスにおいて、基板
１上にバッファ層３及び金属層４の成膜が行われる。こ
のため、偏光フィルタと他の導波路型素子、例えば、変
調器とを一枚の基板上に集積化する場合、変調器の構成
要素の１つであるアルミニウム蒸着膜で形成された電極
との整合性が問題になる。したがって、金属層４を基板
全体に成膜できないので、偏光フィルタを作製する部分
に、金属層４をパターニングすることになり、工程が増
えるという問題があった。
【０００７】一方、センサ化等のために、基本モード光
（０次モード光）のみが存在し、高次モード光（１次モ
ード光以上）が存在しないシングルモード導波路の作製
を作成しようとすると、プロセス上のわずかな誤差で高
次モード光が存在するマルチモード導波路となってしま
い、シングルモード導波路の作製が困難であった。
（０次モード光）のみが存在し、高次モード光（１次モ
ード光以上）が存在しないシングルモード導波路の作製
を作成しようとすると、プロセス上のわずかな誤差で高
次モード光が存在するマルチモード導波路となってしま
い、シングルモード導波路の作製が困難であった。
【０００８】そこで本発明は、簡便なプロセスで製作で
き、ＴＭモード及び高次モードをフィルタリングして、
ＴＥモード及び基本モード光を伝播させることが可能な
薄膜導波路型偏光フィルタを提供することを目的として
いる。
き、ＴＭモード及び高次モードをフィルタリングして、
ＴＥモード及び基本モード光を伝播させることが可能な
薄膜導波路型偏光フィルタを提供することを目的として
いる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明は、導波光を伝播する導波層
と、この導波層の一方の面に接するように設けられ上記
導波層よりも低屈折率の材料で形成された中間層と、こ
の中間層の他方の面に接するように設けられ前記導波層
よりも高屈折率の材料で形成された基板とを備えるよう
にした。
達成するために、本発明は、導波光を伝播する導波層
と、この導波層の一方の面に接するように設けられ上記
導波層よりも低屈折率の材料で形成された中間層と、こ
の中間層の他方の面に接するように設けられ前記導波層
よりも高屈折率の材料で形成された基板とを備えるよう
にした。
【００１０】
【作用】上記手段を講じた結果、次のような作用が生じ
る。すなわち、導波層の外側にしみ出し、基板に到達し
た導波光は、屈折率の高い基板内へ放射モード光として
放射され、その分だけ導波光は減衰する。このとき、Ｔ
Ｍモード光は、ＴＥモード光と比べて光の閉じ込めが弱
いため、基板に放射される放射モード光の量が多い。し
たがって、同じ距離だけ伝播したＴＭモード光はＴＥモ
ード光よりも、より大きく減衰されることになり、ＴＥ
透過ＴＭ吸収型の偏光フィルタとして機能する。
る。すなわち、導波層の外側にしみ出し、基板に到達し
た導波光は、屈折率の高い基板内へ放射モード光として
放射され、その分だけ導波光は減衰する。このとき、Ｔ
Ｍモード光は、ＴＥモード光と比べて光の閉じ込めが弱
いため、基板に放射される放射モード光の量が多い。し
たがって、同じ距離だけ伝播したＴＭモード光はＴＥモ
ード光よりも、より大きく減衰されることになり、ＴＥ
透過ＴＭ吸収型の偏光フィルタとして機能する。
【００１１】同様にして、基本モード光は、高次モード
光と比べて光の閉じ込めが弱いため、基板に放射される
放射モード光の量が多い。したがって、高次モード光の
方が、常に放射モードに変換される量が多くなり、導波
光の減衰が大きい。このため、高次モード光に対しての
偏光フィルタとして機能する。
光と比べて光の閉じ込めが弱いため、基板に放射される
放射モード光の量が多い。したがって、高次モード光の
方が、常に放射モードに変換される量が多くなり、導波
光の減衰が大きい。このため、高次モード光に対しての
偏光フィルタとして機能する。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の第１実施例に係る薄膜導波路
型偏光フィルタの構成を示す断面図である。図に示すよ
うに薄膜導波路型偏光フィルタは、基板１１と、この基
板１１の上に成膜された中間層１２と、この中間層１２
の上に成膜された導波層１３とから構成されている。こ
れらは後述するような材料で形成されている。また、１
４はＴＥモード光、１５はＴＭモード光、１６は放射モ
ード光、１７は薄膜導波路型偏光フィルタを通過したＴ
Ｅモード光を示している。なお、１８は導波光の電界分
布を示している。
型偏光フィルタの構成を示す断面図である。図に示すよ
うに薄膜導波路型偏光フィルタは、基板１１と、この基
板１１の上に成膜された中間層１２と、この中間層１２
の上に成膜された導波層１３とから構成されている。こ
れらは後述するような材料で形成されている。また、１
４はＴＥモード光、１５はＴＭモード光、１６は放射モ
ード光、１７は薄膜導波路型偏光フィルタを通過したＴ
Ｅモード光を示している。なお、１８は導波光の電界分
布を示している。
【００１３】図２は本実施例に係る上述した構成の薄膜
導波路型偏光フィルタの使用例を示す図である。すなわ
ち、薄膜型光源等の光素子Ａ２１と、薄膜導波路型偏光
フィルタ２２と、変調器や方向性結合器等のような単一
の偏光が要求される光素子Ｂ２３が直列に配置されてお
り、光素子Ａ２１から出射した導波路２４を伝播する導
波光２５が透過する如く形成されている。
導波路型偏光フィルタの使用例を示す図である。すなわ
ち、薄膜型光源等の光素子Ａ２１と、薄膜導波路型偏光
フィルタ２２と、変調器や方向性結合器等のような単一
の偏光が要求される光素子Ｂ２３が直列に配置されてお
り、光素子Ａ２１から出射した導波路２４を伝播する導
波光２５が透過する如く形成されている。
【００１４】ここで、薄膜導波路型偏光フィルタを形成
する材料及び成膜法の一例を示す。
する材料及び成膜法の一例を示す。
【００１５】 基板１１：ＬｉＮｂＯ3 （ニオブ酸リチウム） 屈折率ｎs ＝2.287 ：ＴＥモード ＝2.203 ：ＴＭモード 中間層１２：ＳｉＯ2 （石英） 屈折率ｎi ＝1.444 スパッタ法で成膜（膜厚１〜２μｍ） 導波層１３：ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート） 屈折率ｎf ＝1.486 垂直引上げ法で成膜（膜厚１．２μｍ） となっている。この他の組み合わせも可能で屈折率が、 基板１１の屈折率＞導波層１３の屈折率＞中間層１２の
屈折率 となっていればよい。なお、本実施例で使用した導波光
の波長は0.633 μｍである。
屈折率 となっていればよい。なお、本実施例で使用した導波光
の波長は0.633 μｍである。
【００１６】導波層１３を伝播するＴＥモード光１４、
ＴＭモード光１５が基板１１内へ放射される割合は、図
３に示すような公知のプリズム結合の解析法により計算
できる。すなわち、基板３２上に成膜された導波層３１
を伝播する導波光３５は、プリズム３３を導波層３１上
に波長程度のギャップ３４を介して装荷すると、放射光
３６に変換されて、外部へ取りだすことができる。この
ときギャップ部分の屈折率は、プリズム３３の屈折率＞
導波層３１の屈折率＞ギャップ３４の屈折率となってい
る。したがって、本実施例に当てはめると、中間層１２
はギャップ３４、基板１１はプリズム３３、導波層１３
は導波層３１となる。
ＴＭモード光１５が基板１１内へ放射される割合は、図
３に示すような公知のプリズム結合の解析法により計算
できる。すなわち、基板３２上に成膜された導波層３１
を伝播する導波光３５は、プリズム３３を導波層３１上
に波長程度のギャップ３４を介して装荷すると、放射光
３６に変換されて、外部へ取りだすことができる。この
ときギャップ部分の屈折率は、プリズム３３の屈折率＞
導波層３１の屈折率＞ギャップ３４の屈折率となってい
る。したがって、本実施例に当てはめると、中間層１２
はギャップ３４、基板１１はプリズム３３、導波層１３
は導波層３１となる。
【００１７】図４は、本実施例における中間層１２の厚
さと導波光の放射損失との関係を、ＴＥモードおよびＴ
Ｍモードに関して理論計算した結果と、試作した実施例
にプリズム結合法で光を導波層に伝播させ、出力側プリ
ズムを移動させることにより伝播損失を実測した結果と
を示す図である。
さと導波光の放射損失との関係を、ＴＥモードおよびＴ
Ｍモードに関して理論計算した結果と、試作した実施例
にプリズム結合法で光を導波層に伝播させ、出力側プリ
ズムを移動させることにより伝播損失を実測した結果と
を示す図である。
【００１８】図４から分かるように、中間層の厚さを調
節することで損失を変えられることと、ＴＭモードはＴ
Ｅモードよりも大きな損失を生じることで、本実施例の
構造でＴＥ透過ＴＭ吸収型の偏光フィルタとして機能し
ている。また、中間層の厚さが大きい領域では実測値の
損失が一定値になっているが、これは実測される損失は
放射損失に加え、吸収損失と散乱損失とが存在するため
で、この領域では放射損失は理論どおりに小さくなって
おり吸収損失と散乱損失が支配的となるためである。こ
のため、上記の吸収・散乱損失は中間層の厚さに依存し
ない。
節することで損失を変えられることと、ＴＭモードはＴ
Ｅモードよりも大きな損失を生じることで、本実施例の
構造でＴＥ透過ＴＭ吸収型の偏光フィルタとして機能し
ている。また、中間層の厚さが大きい領域では実測値の
損失が一定値になっているが、これは実測される損失は
放射損失に加え、吸収損失と散乱損失とが存在するため
で、この領域では放射損失は理論どおりに小さくなって
おり吸収損失と散乱損失が支配的となるためである。こ
のため、上記の吸収・散乱損失は中間層の厚さに依存し
ない。
【００１９】したがって、図２に示すように本実施例に
よれば導波光２５を薄膜導波路型偏光フィルタ２２を透
過させることにより、ＴＥモード光のみを透過させて、
変調器や方向性結合器等のような単一の偏光が要求され
る光素子ＢにＴＥモード光のみを伝播させることが可能
になる。また、これらの素子を直列に接続する以外に素
子の基板側に偏光子構造を形成し、常に偏光フィルタと
して機能させることも可能である。
よれば導波光２５を薄膜導波路型偏光フィルタ２２を透
過させることにより、ＴＥモード光のみを透過させて、
変調器や方向性結合器等のような単一の偏光が要求され
る光素子ＢにＴＥモード光のみを伝播させることが可能
になる。また、これらの素子を直列に接続する以外に素
子の基板側に偏光子構造を形成し、常に偏光フィルタと
して機能させることも可能である。
【００２０】図５は本発明の第２実施例に係る薄膜導波
路型偏光フィルタの構成を示す図である。図に示すよう
に薄膜導波路型偏光フィルタは、基板４１と、この基板
４１の上に成膜された中間層４２と、この中間層４２の
上に成膜された導波層４３とから構成されている。これ
らは後述するような材料で形成されている。また、４４
は基本モード光、４５は高次モード光、４６は放射モー
ド光、４７は薄膜導波路型偏光フィルタを通過した基本
モード光を示している。
路型偏光フィルタの構成を示す図である。図に示すよう
に薄膜導波路型偏光フィルタは、基板４１と、この基板
４１の上に成膜された中間層４２と、この中間層４２の
上に成膜された導波層４３とから構成されている。これ
らは後述するような材料で形成されている。また、４４
は基本モード光、４５は高次モード光、４６は放射モー
ド光、４７は薄膜導波路型偏光フィルタを通過した基本
モード光を示している。
【００２１】図６は本実施例に係る上述した構成の薄膜
導波路型偏光フィルタの使用例を示す図である。すなわ
ち、薄膜型光源等の光素子Ａ５１と、薄膜導波路型偏光
フィルタ５２と、変調器や方向性結合器等のような単一
の偏光が要求される光素子Ｂ５３とが直列に配置されて
おり、光素子Ａ５１から出射した導波路５４を伝播する
導波光５５が透過する如く形成されている。
導波路型偏光フィルタの使用例を示す図である。すなわ
ち、薄膜型光源等の光素子Ａ５１と、薄膜導波路型偏光
フィルタ５２と、変調器や方向性結合器等のような単一
の偏光が要求される光素子Ｂ５３とが直列に配置されて
おり、光素子Ａ５１から出射した導波路５４を伝播する
導波光５５が透過する如く形成されている。
【００２２】ここで、薄膜導波路型偏光フィルタを形成
する材料及び成膜法の一例を示す。
する材料及び成膜法の一例を示す。
【００２３】 基板４１：ＬｉＮｂＯ3 （ニオブ酸リチウム） 屈折率ｎ1 ＝2.29 中間層４２：ＳｉＯ2 （石英） 屈折率ｎ2 ＝1.45 スパッタ法で成膜 導波層４３：ＰＭＭＡ（メタクリル酸メチル） 屈折率ｎ3 ＝1.49 垂直引き上げ法で成膜（膜厚を１．５μｍ） となっている。なお、本実施例で使用した導波光は波長
６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ光である。
６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ光である。
【００２４】図７は本実施例における放射モード変換に
よる伝播損失を計算した結果を示す図である。この結果
から分かるように、本実施例に係る薄膜導波路型偏光フ
ィルタは高次モードの偏光フィルタとして機能してい
る。
よる伝播損失を計算した結果を示す図である。この結果
から分かるように、本実施例に係る薄膜導波路型偏光フ
ィルタは高次モードの偏光フィルタとして機能してい
る。
【００２５】したがって、図６に示すように本実施例に
よれば薄膜型光源等の光素子Ａ５１から出射した導波路
５４を伝播する導波光５５を本実施例に係る薄膜導波路
型偏光フィルタ５２を透過させることにより、基本モー
ド光４７のみを透過させて、光素子Ｂ５３に伝播させる
ことが可能となる。
よれば薄膜型光源等の光素子Ａ５１から出射した導波路
５４を伝播する導波光５５を本実施例に係る薄膜導波路
型偏光フィルタ５２を透過させることにより、基本モー
ド光４７のみを透過させて、光素子Ｂ５３に伝播させる
ことが可能となる。
【００２６】なお、本発明は前記各実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変
形実施可能であるのは勿論である。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変
形実施可能であるのは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、簡単な作製プロセスで
構成できるとともに、ＴＭモード及び高次モードの導波
光は屈折率の高い基板内へ放射モード光として放射され
減衰させるような構成となっているため、ＴＭモード及
び高次モードをフィルタリングして、ＴＥモード及び基
本モード光を伝播させることが可能である。
構成できるとともに、ＴＭモード及び高次モードの導波
光は屈折率の高い基板内へ放射モード光として放射され
減衰させるような構成となっているため、ＴＭモード及
び高次モードをフィルタリングして、ＴＥモード及び基
本モード光を伝播させることが可能である。
【図１】本発明の第１実施例に係る薄膜導波路型偏光フ
ィルタの構成を示す図。
ィルタの構成を示す図。
【図２】同薄膜導波路型偏光フィルタの使用例を示す
図。
図。
【図３】プリズム結合において導波光が放射光に変換さ
れる原理を示す図。
れる原理を示す図。
【図４】同実施例の理論計算及び実験結果を示す図。
【図５】本発明の第２実施例に係る薄膜導波路型偏光フ
ィルタの構成を示す図。
ィルタの構成を示す図。
【図６】同薄膜導波路型偏光フィルタの使用例を示す
図。
図。
【図７】同実施例のフィルタ効果を示す理論計算を示す
図。
図。
【図８】従来の偏光フィルタを示す構成図。
１１，４１…基板 １２，４２…中間
層 １３，４３…導波層 １４、１７…ＴＥ
モード光 １５…ＴＭモード光 １６…放射モード
光 １８…導波光の電界分布 ２１，５１…光素
子Ａ ２２，５２…薄膜導波路型偏光フィルタ ２３，５３…光素子Ｂ ２４，５４…導波
路 ２５，５５…導波光 ４４，４７…基本
モード光 ４５…高次モード光 ４６…放射モード
光
層 １３，４３…導波層 １４、１７…ＴＥ
モード光 １５…ＴＭモード光 １６…放射モード
光 １８…導波光の電界分布 ２１，５１…光素
子Ａ ２２，５２…薄膜導波路型偏光フィルタ ２３，５３…光素子Ｂ ２４，５４…導波
路 ２５，５５…導波光 ４４，４７…基本
モード光 ４５…高次モード光 ４６…放射モード
光
Claims (1)
- 【請求項１】導波光を伝播する導波層と、この導波層の
一方の面に接するように設けられ上記導波層よりも低屈
折率の材料で形成された中間層と、この中間層の他方の
面に接するように設けられ前記導波層よりも高屈折率の
材料で形成された基板と、を備えてなることを特徴とす
る薄膜導波路型偏光フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8488593A JPH06300933A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 薄膜導波路型偏光フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8488593A JPH06300933A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 薄膜導波路型偏光フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06300933A true JPH06300933A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13843223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8488593A Withdrawn JPH06300933A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 薄膜導波路型偏光フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06300933A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3079037A1 (fr) * | 2018-03-15 | 2019-09-20 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Dispositif de terminaison de guide d'onde |
| FR3079036A1 (fr) * | 2018-03-15 | 2019-09-20 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Dispositif de filtrage dans un guide d'onde |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP8488593A patent/JPH06300933A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3079037A1 (fr) * | 2018-03-15 | 2019-09-20 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Dispositif de terminaison de guide d'onde |
| FR3079036A1 (fr) * | 2018-03-15 | 2019-09-20 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Dispositif de filtrage dans un guide d'onde |
| US10705294B2 (en) | 2018-03-15 | 2020-07-07 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Waveguide termination device |
| US11169325B2 (en) | 2018-03-15 | 2021-11-09 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Filtering device in a waveguide |
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|---|---|---|---|
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