JPH0630175B2 - 平板状情報記録担体の基板作成方法 - Google Patents

平板状情報記録担体の基板作成方法

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JPH0630175B2
JPH0630175B2 JP5675585A JP5675585A JPH0630175B2 JP H0630175 B2 JPH0630175 B2 JP H0630175B2 JP 5675585 A JP5675585 A JP 5675585A JP 5675585 A JP5675585 A JP 5675585A JP H0630175 B2 JPH0630175 B2 JP H0630175B2
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flat
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清 谷井
俊昭 樫原
美恵子 小深田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、異なる深さの溝やピット列をもつ平板状情報
記録担体の基板作成方法に関するものである。
従来の技術 光ディスクは、直径が1μm以下という微小なレーザー
スポットを用いて情報の記録再生ができることから、大
容量かつ高密度の記録が可能であり、このため、多量の
情報量を必要とする画像や文書などのファイルシステム
として実用化されている。
この光ディスクの情報記録面には、同心円状あるいは螺
旋状の溝やピット列が形成されており、これに沿って前
記のレーザースポットが照射されることにより、情報が
読み出される。ビデオディスクなどの再生専用光ディス
クでは、微小なピットの凹凸として情報が記録されてお
り、また情報の追加記録が行なえる追記型光ディスクで
は、記録面にある膜の物性的変化として情報が記録され
るが、この場合でも情報が一定間隔で高密度に記録でき
るように記録面上に案内用の溝が形成されている。この
ピット列や案内用の溝の間隔を狭くすれば記録密度が上
昇するが、その間隔がレーザースポットの大きさに近く
なると、情報の読み出し時に読み取りを行なっている溝
(またはピット列)上をレーザースポットが照射されて
いても、一部の光束が隣接する溝(またはピット列)に
かかるため、その影響が再生信号のクロストークとなっ
て現われる。このクロストークを低減させるため、隣接
する溝やピット列に対し、その深さを交互に変化させる
ことが光ディスクの高密度化の方法として注目されてい
る。(特開昭54−136303号公報参照) このような異なる深さの溝やピット列を一枚のディスク
上に作成する従来の方法を第2図を参照しながら説明す
る。
まず、高精度に研磨されたガラス板1の表面にフォトレ
ジスト2を均一に塗布する(第2図a)。その後、フォ
トレジスト2は所望のピット列、溝の構造に対応して変
調を受けたレーザー光3によって露光される(第2図
b)。この時、レーザー強度を変化させて露光させる
と、現像の段階で除去されるフォトレジスト2の量が露
出量によって変化するため、それに応じて形成される溝
の深さが異なる(第2図c)。この凹凸パターンを金属
板4に転写し(第2図d)、さらにそれをアクリル等の
基板5に転写する(第2図e)ことで、所望の構造、深
さをもつ光ディスク基板が作製できる。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、このような従来の作成方法においては、
フォトレジストの現像量が現像液の状態や外界の環境な
どの変化に対し非常に敏感であるため、所定の溝深さを
得るための現像量制御が非常に難かしいという問題があ
った。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、異なる幅をもつ
マスクを設けた基板に対してプラズマ気体を反応させ
て、異なる深さを有する溝やピット列を形成するように
したことを特長とするものである。
作 用 この手段による作用は以下のようになる。表面がフォト
レジスト等によってマスキングされた基板に対し、プラ
ズマ状の気体を作用させると、プラズマの衝突や、基板
とプラズマとの化学的反応により、基板表面のマスキン
グされていない部分がエッチングされる。このエッチン
グパターンは実際には、元のマスクパターンとは形状が
大きく変化するが、これは、反応過程の等方性や、プラ
ズマイオンビームの入射角に対するエッチング量の変化
などの影響によるものである。
これらの影響は、プラズマとして用いる気体の種類、圧
力や、プラズマを発生させるための放電電力、プラズマ
を作用させる時間などにより変化するが、これらの因子
を適当に選択することによって、マスクパターンの変化
に対して形成されるエッチングパターンの深さが変化す
るようなエッチング条件が見出せる。これを利用するこ
とにより、基板上に形成したマスクパターンの幅を変え
ることによって、同一基板上に異なる深さの溝やピット
列を作成することができる。
実施例 以下、本発明の実施例について、第1図を参照しながら
説明する。
フォトレジスト2を塗布したガラス板1にレーザー光3
を照射する過程は従来の方式と同様である(第1図a,
b)。ただし、本例においては、照射するレーザー光の
スポット径を変化させて、露光される領域の幅を変えて
いる。フォトレジスト2として、ポジ型フォトレジスト
を用いれば、露光された部分が現像により除去される
が、この時ガラス板1の表面が露光するまで現像を進行
させることにより、ガラス板1の表面に所定の幅をもっ
たマスクパターンが形成される。
次に、このマスクパターン付きガラス板をドライエッチ
ング装置内のカソード電極上に置き、真空状態にした後
ガスを導入して放電させエッチングを行なう。本実施例
では、エッチング用のガスとして、CHF3を用いている。
この場合、放電によりCHF3が解離して生ずるプラズマ
は、ガラス板1の表面に衝突してガラスをスパッタリン
グすると同時に、ガラスの主成分であるSiO2と選択的に
反応してこれを分解する作用をもつ。このため、ガラス
板1のエッチング速度を、フォトレジスト2のエッチン
グ速度より大きくすることができ、より深い溝作成が可
能となる。なお、本実施例に用いているガラス板1は、
普通のソーダガラス材料を用いており、この場合でも十
分なエッチング速度が得られる。
所定の深さまでエッチングを進行させた(第1図d)
後、残留したフォトレジスト2をOガスによるプラズ
マアッシングにより除去すれば、ガラス板1の表面に異
なる深さを有した溝やピット列が形成されている(第1
図e)。
平板状情報記録担体の基板としては、このガラス板1を
そのまま用いる以外に、従来の方法のように、このガラ
ス板1から凹凸パターンを転写したものを用いることも
できる。
なお、エッチング用のガスとしては、本実施例のCHF3
外に、CF4,C2F6,C3F8,NF3などを用いることができ
る。また、Ar のような不活性ガスを用いた場合、SiO2
の分解効果がないため、ガラス板1のエッチング速度は
小さくなるがパターンの形成は可能である。
さらに、ガラス板1としては、本実施例のように安価な
ソーダガラスが利用できるほか、より深い溝を形成する
ために、エッチング速度の大きな石英ガラスなどを用い
ることもできる。
発明の効果 以上のように本発明は、異なる幅を有するマスクを設け
た平板状基板に対してプラズマ気体を作用させ、マスク
幅に対応した深さの溝やピット列を形成することによ
り、同一基板上に異なる深さの溝やピット列をもった光
ディスク基板を容易に作成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における平板状情報記録担体
の基板作成方法を示す工程図、第2図は従来の平板状情
報記録担体の基板作成方法を示す工程図である。 1……ガラス板、2……フォトレジスト、3……レーザ
ー光、4……金属板、5……アクリル基板。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】幅の異なる連続的または断続的な開口部を
    有するマスクを設けた平板状基板にプラズマ状態の気体
    を作用させて、前記開口部の幅に対応した異なる深さを
    有する溝またはピット列を形成することを特徴とする平
    板状情報記録担体の基板作成方法。
  2. 【請求項2】マスクとして、ポジ型フォトレジストを用
    いることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の平
    板状情報記録担体の基板作成方法。
  3. 【請求項3】平板状基板は、少なくとも溝またはピット
    列を形成する部位がSiO2を主成分とする材料で形成され
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    平板状情報記録担体の基板作成方法。
  4. 【請求項4】平板状基板は、少なくとも溝またはピット
    列を形成する部位がSiO2およびNa2Oを主成分とする材料
    で形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項に記載の平板状情報記録担体の基板作成方法。
  5. 【請求項5】プラズマ状態の気体としてCHF3,CF4,C2F
    6,C3F8,NFのうち少なくとも一つを用いることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載の平板状情報記録
    担体の基板作成方法。
  6. 【請求項6】プラズマ状態の気体として、Ar を用いる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の平板状
    情報記録担体の基板作成方法。
JP5675585A 1985-03-20 1985-03-20 平板状情報記録担体の基板作成方法 Expired - Lifetime JPH0630175B2 (ja)

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JPS61214250A JPS61214250A (ja) 1986-09-24
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