JPH06302010A - 光情報検出装置 - Google Patents
光情報検出装置Info
- Publication number
- JPH06302010A JPH06302010A JP5091226A JP9122693A JPH06302010A JP H06302010 A JPH06302010 A JP H06302010A JP 5091226 A JP5091226 A JP 5091226A JP 9122693 A JP9122693 A JP 9122693A JP H06302010 A JPH06302010 A JP H06302010A
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- optical
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 光源から放射された光束を光情報記録媒体に
収束させる第１手段と、前記光情報記録媒体からの光情
報を受け取った反射光を検出光学系に導き、前記光情報
を検出する第２手段とを具備し、前記第１および第２手
段によって共焦点光学系を構成した光情報検出装置にお
いて、検出側の焦平面を含む光軸上に、透過率が光線の
入射角に大きく依存する誘電体多層膜を有する入射角依
存透過板を配置する。 【効果】 光軸方向のみの調整で高解像の光磁気信号検
出が可能になり、光情報検出装置の組み立て調整が極め
て容易にできる。
収束させる第１手段と、前記光情報記録媒体からの光情
報を受け取った反射光を検出光学系に導き、前記光情報
を検出する第２手段とを具備し、前記第１および第２手
段によって共焦点光学系を構成した光情報検出装置にお
いて、検出側の焦平面を含む光軸上に、透過率が光線の
入射角に大きく依存する誘電体多層膜を有する入射角依
存透過板を配置する。 【効果】 光軸方向のみの調整で高解像の光磁気信号検
出が可能になり、光情報検出装置の組み立て調整が極め
て容易にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体上に情報を
記録、再生する装置に関し、詳しくは、高密度に記録さ
れた情報を高品質に検出するための装置に関する。
記録、再生する装置に関し、詳しくは、高密度に記録さ
れた情報を高品質に検出するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体上に高密度に記録された情報
を検出するには、短波長のレーザー光を利用することが
最も一般的である。また、共焦点光学系や、アポディゼ
イションと共焦点光学系を組み合わせた高解像の検出も
知られている。
を検出するには、短波長のレーザー光を利用することが
最も一般的である。また、共焦点光学系や、アポディゼ
イションと共焦点光学系を組み合わせた高解像の検出も
知られている。
【０００３】図５に、光磁気記録における共焦点光学系
とピンホールによる高解像検出を行う従来の光情報検出
装置の光学系構成を示す。光磁気記録媒体からの反射光
は１／２波長板２６を通過し、集光レンズ２７によって
収束光に変換されピンホール２８を通過することによっ
て記録ピット間の干渉が除去され、さらに集光レンズ２
９を通過し偏光ビームスプリッター３０より偏光成分に
従って反射光と透過光に変換され、それぞれ集光レンズ
３１および集光レンズ３２によりフォトディテクター３
３およびフォトディテクター３４に入射し差動アンプに
よって差動検出される。
とピンホールによる高解像検出を行う従来の光情報検出
装置の光学系構成を示す。光磁気記録媒体からの反射光
は１／２波長板２６を通過し、集光レンズ２７によって
収束光に変換されピンホール２８を通過することによっ
て記録ピット間の干渉が除去され、さらに集光レンズ２
９を通過し偏光ビームスプリッター３０より偏光成分に
従って反射光と透過光に変換され、それぞれ集光レンズ
３１および集光レンズ３２によりフォトディテクター３
３およびフォトディテクター３４に入射し差動アンプに
よって差動検出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術による共焦
点光学系とピンホールを組み合わせた方法では、ピンホ
ールの調整を三次元で行わねばならない。特に、ピンホ
ールの中心と収束光のビームウェストの中心を一致させ
るのは非常に困難である。また、ピンホールの径と収束
光のビームウェストの径を大きくし調整を容易にしよう
とすると集光レンズの焦点距離が長くなり、小型化に不
向きであった。
点光学系とピンホールを組み合わせた方法では、ピンホ
ールの調整を三次元で行わねばならない。特に、ピンホ
ールの中心と収束光のビームウェストの中心を一致させ
るのは非常に困難である。また、ピンホールの径と収束
光のビームウェストの径を大きくし調整を容易にしよう
とすると集光レンズの焦点距離が長くなり、小型化に不
向きであった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するため、従来の共焦点光学系とピンホールを組み
合わせた方法について鋭意検討し、ピンホールの代わり
に、透過率が入射光線の入射角に大きく依存する誘電体
多層膜を平面透明部材上に積層してなる入射角依存透過
板を用いることを見い出し、本発明に至った。
解決するため、従来の共焦点光学系とピンホールを組み
合わせた方法について鋭意検討し、ピンホールの代わり
に、透過率が入射光線の入射角に大きく依存する誘電体
多層膜を平面透明部材上に積層してなる入射角依存透過
板を用いることを見い出し、本発明に至った。
【０００６】すなわち、本発明は上記課題を解決するた
めに、光源から放射された光束を光情報記録媒体に収束
させる第１手段と、前記光情報記録媒体からの光情報を
受け取った反射光を検出光学系に導き、収束光に変換
し、前記光情報を検出する第２手段とを具備し、前記第
１および第２手段によって共焦点光学系を構成した光情
報検出装置において、検出側の焦平面を含む光軸上に、
透過率が光線の入射角に大きく依存する誘電体多層膜を
有する入射角依存透過板を配置したことを特徴とする光
情報検出装置を提供する。
めに、光源から放射された光束を光情報記録媒体に収束
させる第１手段と、前記光情報記録媒体からの光情報を
受け取った反射光を検出光学系に導き、収束光に変換
し、前記光情報を検出する第２手段とを具備し、前記第
１および第２手段によって共焦点光学系を構成した光情
報検出装置において、検出側の焦平面を含む光軸上に、
透過率が光線の入射角に大きく依存する誘電体多層膜を
有する入射角依存透過板を配置したことを特徴とする光
情報検出装置を提供する。
【０００７】
【作用】ピンホールの代わりに透過率が入射光線の入射
角に大きく依存する誘電体多層膜が平板の透明部材上に
積層してなる入射角依存透過板を用いることにより、光
軸に垂直な面において光束と入射角依存透過板の光学的
関係は相対的に不動であるため、光軸に垂直な面内での
位置合わせが不要になる。
角に大きく依存する誘電体多層膜が平板の透明部材上に
積層してなる入射角依存透過板を用いることにより、光
軸に垂直な面において光束と入射角依存透過板の光学的
関係は相対的に不動であるため、光軸に垂直な面内での
位置合わせが不要になる。
【０００８】共焦点光学系の信号検出側焦平面における
光束は平面波であるため、前記入射角依存透過板の誘電
体多層膜面が、共焦点光学系の信号検出側焦平面に一致
する場合、透過率の入射角依存性はない。そこで、焦平
面から僅かに離れた位置では、もはや平面波ではなく、
離れるに従って球面波に近ずく。
光束は平面波であるため、前記入射角依存透過板の誘電
体多層膜面が、共焦点光学系の信号検出側焦平面に一致
する場合、透過率の入射角依存性はない。そこで、焦平
面から僅かに離れた位置では、もはや平面波ではなく、
離れるに従って球面波に近ずく。
【０００９】また、幾何光学的な収束光の影の領域で
は、焦平面から離れた場所においても回折光が存在し、
その回折光も、もはや平面波ではなく、球面波に近ず
く。
は、焦平面から離れた場所においても回折光が存在し、
その回折光も、もはや平面波ではなく、球面波に近ず
く。
【００１０】したがって、前記入射角依存透過板はその
回折光の入射角が大きくなるに従って反射効果が高ま
り、回折光は光軸から離れるに従って透過量が減少す
る。このため、共焦点光学系に準じた効果が現れ、ピッ
ト間干渉およびトラック間干渉が抑圧され高解像の信号
検出が達成される。
回折光の入射角が大きくなるに従って反射効果が高ま
り、回折光は光軸から離れるに従って透過量が減少す
る。このため、共焦点光学系に準じた効果が現れ、ピッ
ト間干渉およびトラック間干渉が抑圧され高解像の信号
検出が達成される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例により、図面を用いて
本発明を詳しく説明する。
本発明を詳しく説明する。
【００１２】（実施例１）図１は、本発明の一実施例の
要部を示すブロックダイアグラムである。回折限界に絞
り込まれた光束が光磁気情報記録媒体から反射され、さ
らに分岐された光束は、図１に示す光学系に導かれる。
１／２波長板１の結晶軸は光束の電気ベクトルが偏光ビ
ームスプリッター２の分離層における入射面に対して平
均的に４５度になるように調整されている。偏光ビーム
スプリッター２により光磁気検波され、反射および透過
した光束はそれぞれ集光レンズ３および４により収束光
に変換され入射角依存透過板５および６に入射する。
要部を示すブロックダイアグラムである。回折限界に絞
り込まれた光束が光磁気情報記録媒体から反射され、さ
らに分岐された光束は、図１に示す光学系に導かれる。
１／２波長板１の結晶軸は光束の電気ベクトルが偏光ビ
ームスプリッター２の分離層における入射面に対して平
均的に４５度になるように調整されている。偏光ビーム
スプリッター２により光磁気検波され、反射および透過
した光束はそれぞれ集光レンズ３および４により収束光
に変換され入射角依存透過板５および６に入射する。
【００１３】このとき、集光レンズ３および４によって
ほぼ回折限界まで絞り込まれた収束光のビームウェスト
位置と、入射角依存透過板５および６の入射面とが、集
光レンズ３および４の焦点距離をｆ、レンズ半径をａと
したとき、λ／π（ｆ／ａ）（ｆ／ａ）以上離れるよう
に、互いに配置されている。入射角依存透過板５、６を
透過した光束は、フォトダイオード７および８により光
電流に変換された後、プリアンプ、差動アンプを介し
て、高解像の光磁気信号検出がなされる。
ほぼ回折限界まで絞り込まれた収束光のビームウェスト
位置と、入射角依存透過板５および６の入射面とが、集
光レンズ３および４の焦点距離をｆ、レンズ半径をａと
したとき、λ／π（ｆ／ａ）（ｆ／ａ）以上離れるよう
に、互いに配置されている。入射角依存透過板５、６を
透過した光束は、フォトダイオード７および８により光
電流に変換された後、プリアンプ、差動アンプを介し
て、高解像の光磁気信号検出がなされる。
【００１４】図２は、本発明で使用し、本発明の根幹を
なす素子である入射角依存透過板の模式断面図である。
入射角依存透過板は、誘電体多層膜９を構成する材料と
して、例えば、フッ化マグネシウム、酸化ケイ素、ガラ
スなどを、平板の透明部材１０上に蒸着等の技術によっ
て積層することにより、図６に示した入射角依存透過板
における入射光の入射角と透過率の関係を満たすもので
ある。なお、図６に示した入射角と透過率の関係は、設
定波長を７８０nm±１０nmとした場合であり、縦軸の透
過率は垂直入射を１００％としたときの相対透過率であ
る。図６から分かるように、透過率の入射角依存性は、
透過率の波長依存性とほぼ同等の振る舞いをするので、
波長を固定した場合、入射角が増加するに従い透過率が
減少する。また、誘電体多層膜９が、収束光のビームウ
ェスト位置との関係において上記式の条件を満たしてい
れば、光束の出射側に位置しても同じ効果が得られる。
これは、以下の実施例においても同様である。
なす素子である入射角依存透過板の模式断面図である。
入射角依存透過板は、誘電体多層膜９を構成する材料と
して、例えば、フッ化マグネシウム、酸化ケイ素、ガラ
スなどを、平板の透明部材１０上に蒸着等の技術によっ
て積層することにより、図６に示した入射角依存透過板
における入射光の入射角と透過率の関係を満たすもので
ある。なお、図６に示した入射角と透過率の関係は、設
定波長を７８０nm±１０nmとした場合であり、縦軸の透
過率は垂直入射を１００％としたときの相対透過率であ
る。図６から分かるように、透過率の入射角依存性は、
透過率の波長依存性とほぼ同等の振る舞いをするので、
波長を固定した場合、入射角が増加するに従い透過率が
減少する。また、誘電体多層膜９が、収束光のビームウ
ェスト位置との関係において上記式の条件を満たしてい
れば、光束の出射側に位置しても同じ効果が得られる。
これは、以下の実施例においても同様である。
【００１５】（実施例２）次に、本発明の別の一実施例
を説明する。図３に、その要部のブロックダイアグラム
を示した。光磁気情報記録媒体から反射された光束は、
１／２波長板１１を通過し、集光レンズ１４によって収
束光に変換され、実施例１と同様の条件で入射角依存透
過板１３に入射し、再び集光レンズ１４により平面波に
変換され、偏光ビームスプリッター１５に入射する。偏
光ビームスプリッター１５により光磁気検波された反射
および透過した光束は、それぞれ集光レンズ１６および
１７によって収束光となり、フォトダイオード１８およ
び１９に入射し光電流に変換された後、プリアンプ、差
動アンプを介して、高解像の光磁気信号検出がなされ
る。
を説明する。図３に、その要部のブロックダイアグラム
を示した。光磁気情報記録媒体から反射された光束は、
１／２波長板１１を通過し、集光レンズ１４によって収
束光に変換され、実施例１と同様の条件で入射角依存透
過板１３に入射し、再び集光レンズ１４により平面波に
変換され、偏光ビームスプリッター１５に入射する。偏
光ビームスプリッター１５により光磁気検波された反射
および透過した光束は、それぞれ集光レンズ１６および
１７によって収束光となり、フォトダイオード１８およ
び１９に入射し光電流に変換された後、プリアンプ、差
動アンプを介して、高解像の光磁気信号検出がなされ
る。
【００１６】（実施例３）さらに、本発明の別の一実施
例を説明する。図４に、その要部のブロックダイアグラ
ムを示した。光磁気情報記録媒体から反射された光束
は、１／２波長板２０を透過した後、光磁気検波して２
光束に分岐させるウォランストプリズム２１に入射す
る。２光束に分岐した光束は、集光レンズ２２により収
束光に変換され、それぞれの光束は、実施例１で示した
のと同様の条件で、入射角依存透過板２３に入射する。
出射光は、さらに集光レンズ２４によって収束光とな
り、２分割フォトダイオード２５の各受光面に２光束の
各々が入射し、光電流に変換された後、プリアンプ、差
動アンプを介して、高解像の光磁気信号検出がなされ
る。
例を説明する。図４に、その要部のブロックダイアグラ
ムを示した。光磁気情報記録媒体から反射された光束
は、１／２波長板２０を透過した後、光磁気検波して２
光束に分岐させるウォランストプリズム２１に入射す
る。２光束に分岐した光束は、集光レンズ２２により収
束光に変換され、それぞれの光束は、実施例１で示した
のと同様の条件で、入射角依存透過板２３に入射する。
出射光は、さらに集光レンズ２４によって収束光とな
り、２分割フォトダイオード２５の各受光面に２光束の
各々が入射し、光電流に変換された後、プリアンプ、差
動アンプを介して、高解像の光磁気信号検出がなされ
る。
【００１７】
【発明の効果】共焦点光学系を備えた光情報検出装置で
は、対物レンズによって回折限界まで絞り込まれたビー
ムスポットを記録済みの光磁気情報記録媒体の記録面に
照射し、記録面から反射された光磁気情報を含む光束が
集光レンズによってほぼ回折限界まで絞り込まれると、
そのビームウェスト位置近辺での回折像の各点は、記録
済みの記録面に回折限界まで絞り込まれたビームスポッ
トが照射された直後のビームウェスト位置での光軸に垂
直な面内における各点にほぼ一対一で対応し、各点にお
ける偏光状態も保存されている。
は、対物レンズによって回折限界まで絞り込まれたビー
ムスポットを記録済みの光磁気情報記録媒体の記録面に
照射し、記録面から反射された光磁気情報を含む光束が
集光レンズによってほぼ回折限界まで絞り込まれると、
そのビームウェスト位置近辺での回折像の各点は、記録
済みの記録面に回折限界まで絞り込まれたビームスポッ
トが照射された直後のビームウェスト位置での光軸に垂
直な面内における各点にほぼ一対一で対応し、各点にお
ける偏光状態も保存されている。
【００１８】したがって、高密度に記録された光磁気情
報の場合、記録面に照射されたビームスポット内に複数
の磁気ドメインが存在することになるが、上述の如く共
焦点光学系の検出側のビームウェスト位置での回折像は
一対一に対応しているため、本発明に示されるように透
過率が光束の入射角に大きく依存する入射角依存透過板
を、集光レンズによってほぼ回折限界に絞り込まれ平面
波となるビームウェスト位置からλ／π（ｆ／ａ）（ｆ
／ａ）以上離れた位置に配置することにより球面波入射
させることができ、入射角の大きい周辺部分は透過しに
くいため、ビームの中心部分が相対的に強調され、結果
的に高解像の信号検出が達成される。
報の場合、記録面に照射されたビームスポット内に複数
の磁気ドメインが存在することになるが、上述の如く共
焦点光学系の検出側のビームウェスト位置での回折像は
一対一に対応しているため、本発明に示されるように透
過率が光束の入射角に大きく依存する入射角依存透過板
を、集光レンズによってほぼ回折限界に絞り込まれ平面
波となるビームウェスト位置からλ／π（ｆ／ａ）（ｆ
／ａ）以上離れた位置に配置することにより球面波入射
させることができ、入射角の大きい周辺部分は透過しに
くいため、ビームの中心部分が相対的に強調され、結果
的に高解像の信号検出が達成される。
【００１９】すなわち、光情報検出装置において、共焦
点光学系と光束の入射角が大きくなるに従って透過率が
低下するように機能する誘電体多層膜を平板の透明部材
上に積層してなる入射角依存透過板を組み合わせること
によって、従来のピンホール方式ではピンホールを光軸
に垂直な面内および光軸方向の三次元の調整が必要であ
ったものを、光軸方向のみの調整で高解像の光磁気信号
検出が可能になり、組み立て調整が極めて容易な光情報
検出装置を提供できる。
点光学系と光束の入射角が大きくなるに従って透過率が
低下するように機能する誘電体多層膜を平板の透明部材
上に積層してなる入射角依存透過板を組み合わせること
によって、従来のピンホール方式ではピンホールを光軸
に垂直な面内および光軸方向の三次元の調整が必要であ
ったものを、光軸方向のみの調整で高解像の光磁気信号
検出が可能になり、組み立て調整が極めて容易な光情報
検出装置を提供できる。
【図１】実施例１に示される本発明の要部のブロックダ
イアグラムである。
イアグラムである。
【図２】本発明で使用する入射角依存透過板の模式断面
図である。
図である。
【図３】実施例２に示される本発明の要部のブロックダ
イアグラムである。
イアグラムである。
【図４】実施例３に示される本発明の要部のブロックダ
イアグラムである。
イアグラムである。
【図５】従来の光情報検出装置の光学系構成を示すブロ
ックダイアグラムである。
ックダイアグラムである。
【図６】本発明で使用する入射角依存透過板における入
射光の入射角と透過率の関係を示した図表である。
射光の入射角と透過率の関係を示した図表である。
１ １／２波長板 ２ 偏光ビームスプリッター ３ 集光レンズ ４ 集光レンズ ５ 入射角依存透過板 ６ 入射角依存透過板 ７ フォトダイオード ８ フォトダイオード ９ 誘電体多層膜 １０ 透明部材 １１ １／２波長板 １２ 集光レンズ １３ 入射角依存透過板 １４ 集光レンズ １５ 偏光ビームスプリッター １６ 集光レンズ １７ 集光レンズ １８ フォトダイオード １９ フォトダイオード ２０ １／２波長板 ２１ ウォランストンプリズム ２２ 集光レンズ ２３ 入射角依存透過板 ２４ 集光レンズ ２５ ２分割フォトダイオード ２６ １／２波長板 ２７ 集光レンズ ２８ ピンホール ２９ 集光レンズ ３０ 偏光ビームスプリッター ３１ 集光レンズ ３２ 集光レンズ ３３ フォトダイオード ３４ フォトダイオード
Claims (1)
- 【請求項１】 光源から放射された光束を光情報記録媒
体に収束させる第１手段と、前記光情報記録媒体からの
光情報を受け取った反射光を検出光学系に導き、収束光
に変換し、前記光情報を検出する第２手段とを具備し、
前記第１および第２手段によって共焦点光学系を構成し
た光情報検出装置において、検出側の焦平面を含む光軸
上に、透過率が光線の入射角に大きく依存する誘電体多
層膜を有する入射角依存透過板を配置したことを特徴と
する光情報検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5091226A JPH06302010A (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 光情報検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5091226A JPH06302010A (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 光情報検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302010A true JPH06302010A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14020514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5091226A Pending JPH06302010A (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 光情報検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302010A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6560189B2 (en) | 2000-02-18 | 2003-05-06 | Fujitsu Limited | Optical information storage apparatus |
| JP2007093947A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | インナードラム露光装置および露光方法 |
| JP2016051132A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-11 | 日本電気硝子株式会社 | 光拡散防止部材および発光装置 |
-
1993
- 1993-04-19 JP JP5091226A patent/JPH06302010A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6560189B2 (en) | 2000-02-18 | 2003-05-06 | Fujitsu Limited | Optical information storage apparatus |
| JP2007093947A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | インナードラム露光装置および露光方法 |
| JP2016051132A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-11 | 日本電気硝子株式会社 | 光拡散防止部材および発光装置 |
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