JPH06302797A - イメ−ジセンサ− - Google Patents
イメ−ジセンサ−Info
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- JPH06302797A JPH06302797A JP5114262A JP11426293A JPH06302797A JP H06302797 A JPH06302797 A JP H06302797A JP 5114262 A JP5114262 A JP 5114262A JP 11426293 A JP11426293 A JP 11426293A JP H06302797 A JPH06302797 A JP H06302797A
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- JP
- Japan
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- image sensor
- oxytitanium phthalocyanine
- photosensitive element
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】直読可能な原稿幅サイズのイメ−ジセンサ−を
提供することである。 【構成】絶縁性基体上に少なくとも個別電極、共通電極
及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジセンサ−にお
いて、前記感光素子がオキシチタニウムフタロシアニン
と下記構造式のヒドラゾン化合物を有効成分として含有
する光導電膜を有することを特徴とするイメ−ジセンサ
−。
提供することである。 【構成】絶縁性基体上に少なくとも個別電極、共通電極
及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジセンサ−にお
いて、前記感光素子がオキシチタニウムフタロシアニン
と下記構造式のヒドラゾン化合物を有効成分として含有
する光導電膜を有することを特徴とするイメ−ジセンサ
−。
Description
【産業上の利用分野】本発明はイメ−ジセンサ−に関
し、詳しくは絶縁性基体上に少なくとも個別電極、共通
電極及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジセンサ−
に関する。
し、詳しくは絶縁性基体上に少なくとも個別電極、共通
電極及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジセンサ−
に関する。
【０００２】
【従来の技術】感光素子に光導電材料を用いたイメ−ジ
センサ−は、小型化高信頼化に優れ、また、量産効果に
よる低価格化も容易なことから、ファクシミリなどにお
ける画像読み取り装置に広く用いられている。
センサ−は、小型化高信頼化に優れ、また、量産効果に
よる低価格化も容易なことから、ファクシミリなどにお
ける画像読み取り装置に広く用いられている。
【０００３】従来感光素子として知られているものとし
ては、硫化カドミウム、アモルファスシリコンを用いた
感光素子として特開昭５９−５４３７３号公報（電電公
社）、特開昭５９−１１２６５１号公報（富士通
（株））、特開昭５９−１１０１７７号公報（東芝
（株））などがあり、Ｐ−Ｃ−Ｓｉを使用した感光素子
としては特開昭５８−１１８１１６（キヤノン（株））
が挙げられる。また「日経エレクトロニクス」（１９８
２年４月２６日）では上記硫化カドミウム、アモルファ
スシリコンの他にＣｄＳｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅなどを用
いた感光素子を紹介している。
ては、硫化カドミウム、アモルファスシリコンを用いた
感光素子として特開昭５９−５４３７３号公報（電電公
社）、特開昭５９−１１２６５１号公報（富士通
（株））、特開昭５９−１１０１７７号公報（東芝
（株））などがあり、Ｐ−Ｃ−Ｓｉを使用した感光素子
としては特開昭５８−１１８１１６（キヤノン（株））
が挙げられる。また「日経エレクトロニクス」（１９８
２年４月２６日）では上記硫化カドミウム、アモルファ
スシリコンの他にＣｄＳｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅなどを用
いた感光素子を紹介している。
【０００４】しかしながら、上記の光導電材料を用いた
イメ−ジセンサ−は成膜方法、感光特性などから感光素
子を大きく作成することは困難であり、原稿読み取りに
縮小光学レンズを必要とし、焦点距離を確保するために
画像読み取り装置全体の大きさが大きくなる問題点があ
った。
イメ−ジセンサ−は成膜方法、感光特性などから感光素
子を大きく作成することは困難であり、原稿読み取りに
縮小光学レンズを必要とし、焦点距離を確保するために
画像読み取り装置全体の大きさが大きくなる問題点があ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、直読
の可能な原稿幅サイズイメ−ジセンサ−を提供すること
である。
の可能な原稿幅サイズイメ−ジセンサ−を提供すること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁性基体上に
少なくとも個別電極、共通電極及び感光素子を設けて構
成されるイメ−ジセンサ−において、前記感光素子がオ
キシチタニウムフタロシアニンと、一般式（１）
少なくとも個別電極、共通電極及び感光素子を設けて構
成されるイメ−ジセンサ−において、前記感光素子がオ
キシチタニウムフタロシアニンと、一般式（１）
【化５】 一般式（２）
【化６】 一般式（３）
【化７】 及び一般式（４）
【化８】 （式中、Ａは置換基を有してもよいアリ−ル基、スチリ
ル基あるいはカルバゾ−ル環またはインド−ル環を表わ
し、Ｒ1はアルキル基、アリ−ル基またはベンジル基を
表わし、Ｒ2はベンゼン環と環を形成する、）で表わさ
れるヒドラゾン化合物の群から選ばれるヒドラゾン化合
物の１種を有効成分として含有する光導電膜を有するこ
とを特徴とするイメ−ジセンサ−から構成される。
ル基あるいはカルバゾ−ル環またはインド−ル環を表わ
し、Ｒ1はアルキル基、アリ−ル基またはベンジル基を
表わし、Ｒ2はベンゼン環と環を形成する、）で表わさ
れるヒドラゾン化合物の群から選ばれるヒドラゾン化合
物の１種を有効成分として含有する光導電膜を有するこ
とを特徴とするイメ−ジセンサ−から構成される。
【０００７】上記一般式（１）〜（４）において、Ａに
おける置換基としてはメチル、エチル、プロピルなどの
アルキル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲ
ン原子、アセチル、ベンジルなどのアシル基、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノなどのアルキルアミノ基、フェ
ニルカルバモイル基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオ
ロメチルなどのハロアルキル基などが挙げられる。また
Ｒ2がベンゼン環と共に形成する環としてはインド−ル
環、イソインド−ル環、カルバゾ−ル環、インドリン
環、イソインドリン環などが挙げられる。
おける置換基としてはメチル、エチル、プロピルなどの
アルキル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲ
ン原子、アセチル、ベンジルなどのアシル基、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノなどのアルキルアミノ基、フェ
ニルカルバモイル基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオ
ロメチルなどのハロアルキル基などが挙げられる。また
Ｒ2がベンゼン環と共に形成する環としてはインド−ル
環、イソインド−ル環、カルバゾ−ル環、インドリン
環、イソインドリン環などが挙げられる。
【０００８】本発明者らは、直読可能な原稿幅サイズの
イメ−ジセンサ−を作成すべく、オキシチタニウムフタ
ロシアニンを利用した感光素子用の光導電材料について
研究の結果、オキシチタニウムフタロシアニン単体を主
成分とした光導電膜よりも、オキシチタニウムフタロシ
アニンとヒドラゾン化合物を主成分とした光導電膜が、
とりわけ、Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニンとヒド
ラゾン化合物を主成分とする光導電膜がキヤリアの移動
度が大きく、応答速度が改善され、繰り返し使用時のＳ
Ｎ比低下、強露光時の光メモリ−特性においても改善さ
れ、感光素子用の光導電材料として好適の用いられるこ
とを見い出し、本発明に到達したものである。
イメ−ジセンサ−を作成すべく、オキシチタニウムフタ
ロシアニンを利用した感光素子用の光導電材料について
研究の結果、オキシチタニウムフタロシアニン単体を主
成分とした光導電膜よりも、オキシチタニウムフタロシ
アニンとヒドラゾン化合物を主成分とした光導電膜が、
とりわけ、Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニンとヒド
ラゾン化合物を主成分とする光導電膜がキヤリアの移動
度が大きく、応答速度が改善され、繰り返し使用時のＳ
Ｎ比低下、強露光時の光メモリ−特性においても改善さ
れ、感光素子用の光導電材料として好適の用いられるこ
とを見い出し、本発明に到達したものである。
【０００９】本発明のイメ−ジセンサ−を用いた画像読
取装置の構成について説明すると、図３は本発明のイメ
−ジセンサ−を用いた画像読取装置の１例の概略構成図
である。この例の画像読取装置は、照明光源８、導光系
としてのロッドレンズアレイ１０、アレイ状に感光素子
が設けられたイメ−ジセンサ−９を有し、その他イメ−
ジセンサ−駆動のために不図示の読取回路および走査回
路が必要となる。照明光源８から放出された光は原稿７
を反射し、ロッドレンズアレイ１０を通ってイメ−ジセ
ンサ−９に照射される。このイメ−ジセンサ−９から読
出回路を用いて原稿７の情報が読出されるわけである
が、読出方式には、リアルタイム方式と電荷蓄積方式の
２方式がある。
取装置の構成について説明すると、図３は本発明のイメ
−ジセンサ−を用いた画像読取装置の１例の概略構成図
である。この例の画像読取装置は、照明光源８、導光系
としてのロッドレンズアレイ１０、アレイ状に感光素子
が設けられたイメ−ジセンサ−９を有し、その他イメ−
ジセンサ−駆動のために不図示の読取回路および走査回
路が必要となる。照明光源８から放出された光は原稿７
を反射し、ロッドレンズアレイ１０を通ってイメ−ジセ
ンサ−９に照射される。このイメ−ジセンサ−９から読
出回路を用いて原稿７の情報が読出されるわけである
が、読出方式には、リアルタイム方式と電荷蓄積方式の
２方式がある。
【００１０】図４の（Ａ）はリアルタイム方式の読出回
路の１例を示す回路図であり、図４の（Ｂ）は電荷蓄積
方式の読出回路の１例を示す回路図である。
路の１例を示す回路図であり、図４の（Ｂ）は電荷蓄積
方式の読出回路の１例を示す回路図である。
【００１１】図４の（Ａ）においてイメ−ジセンサ−９
の各感光素子１７の一方に直列にブロッキングダイオ−
ド１５の陰極を接続し、他方に切換スイッチ１６を個別
電極１４を介して接続し、ブロッキングダイオ−ド１５
の陽極側を共通電極１３に接続する。共通電極１３は電
源１１、負荷抵抗１２、電流検知手段１８を介して、切
換スイッチ１６の他方と共通に接続される。リアルタイ
ム方式は上記回路構成により、切換スイッチ１６を順次
切換えることによって、感光素子１７の抵抗変化を電流
変化に変換し、電流検知手段１８によって光電変換出力
信号として取出すものである。
の各感光素子１７の一方に直列にブロッキングダイオ−
ド１５の陰極を接続し、他方に切換スイッチ１６を個別
電極１４を介して接続し、ブロッキングダイオ−ド１５
の陽極側を共通電極１３に接続する。共通電極１３は電
源１１、負荷抵抗１２、電流検知手段１８を介して、切
換スイッチ１６の他方と共通に接続される。リアルタイ
ム方式は上記回路構成により、切換スイッチ１６を順次
切換えることによって、感光素子１７の抵抗変化を電流
変化に変換し、電流検知手段１８によって光電変換出力
信号として取出すものである。
【００１２】次に、本発明のイメ−ジセンサ−の構成の
１例を説明すると、図１の（Ａ）〜（Ｄ）は構成の１例
を説明するための概略的部分構成図である。感光素子の
光導電膜の構成例として、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に単
層方式、図１の（Ｃ）及び（Ｄ）に積層方式を示した。
１例を説明すると、図１の（Ａ）〜（Ｄ）は構成の１例
を説明するための概略的部分構成図である。感光素子の
光導電膜の構成例として、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に単
層方式、図１の（Ｃ）及び（Ｄ）に積層方式を示した。
【００１３】単層方式は同一光導電層１内に本発明にお
ける光導電材料を分散させて層形成する場合に用い、積
層方式は本発明における光導電材料を各光導電層（ここ
では第一の光導電層１ａと第二の光導電層１ｂの２層）
ごとに組成比、材質などを代えて層形成する場合に用い
られるものである。
ける光導電材料を分散させて層形成する場合に用い、積
層方式は本発明における光導電材料を各光導電層（ここ
では第一の光導電層１ａと第二の光導電層１ｂの２層）
ごとに組成比、材質などを代えて層形成する場合に用い
られるものである。
【００１４】感光素子の構成としては、図１の（Ａ）及
び（Ｃ）に示したプレ−ナ−方式と図１の（Ｂ）及び
（Ｄ）に示したサンドイッチ方式とがある。サンドイッ
チ方式は絶縁性基板３上において、上部電極２ａと下部
電極２ｂ間に光導電層１または光導電層１ａ、１ｂを挟
んだものであり、サンドイッチ方式は光導電層厚が電極
間隔となるため電極間隔を高精度かつ容易に制御できる
長所がある。一方、プレ−ナ−方式は絶縁性基板３上で
電極２を同時に形成するものであり、サンドイッチ方式
に比して耐ピンホ−ル特性に優れ、電極を１回の工程で
作成できるので工程が容易化できる長所がある。
び（Ｃ）に示したプレ−ナ−方式と図１の（Ｂ）及び
（Ｄ）に示したサンドイッチ方式とがある。サンドイッ
チ方式は絶縁性基板３上において、上部電極２ａと下部
電極２ｂ間に光導電層１または光導電層１ａ、１ｂを挟
んだものであり、サンドイッチ方式は光導電層厚が電極
間隔となるため電極間隔を高精度かつ容易に制御できる
長所がある。一方、プレ−ナ−方式は絶縁性基板３上で
電極２を同時に形成するものであり、サンドイッチ方式
に比して耐ピンホ−ル特性に優れ、電極を１回の工程で
作成できるので工程が容易化できる長所がある。
【００１５】次に、感光素子を構成する材料及び処方に
ついて説明すると、本発明のイメ−ジセンサ−に用いる
絶縁性基板としては、例えば基板側から受光する場合に
は透光性のガラス、セラミック、プラスチックまたはこ
れらを組み合わせたものを用いる。なお、基板上に形成
される光導電膜側から光照射する場合は、非透光性の絶
縁性基板でもよく、また金属などの非絶縁性の基板上に
絶縁処理された基板であってもよい。
ついて説明すると、本発明のイメ−ジセンサ−に用いる
絶縁性基板としては、例えば基板側から受光する場合に
は透光性のガラス、セラミック、プラスチックまたはこ
れらを組み合わせたものを用いる。なお、基板上に形成
される光導電膜側から光照射する場合は、非透光性の絶
縁性基板でもよく、また金属などの非絶縁性の基板上に
絶縁処理された基板であってもよい。
【００１６】絶縁性基板上に設置されるセンサ−駆動用
の個別電極、共通電極としては、例えばアルミニウム、
チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバル
ト、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、スズ、銀、金、モリブデ
ン、タングステンなどの金属膜、これら金属及び合金２
種以上の多層膜が用いられ、必要に応じて、ＩＴＯ、酸
化インジウムなどの透光性導電膜が用いられる。これら
の導電膜はスパッタ−法、蒸着法、ＣＶＤ法などの方法
により成膜され、成膜後にフォトエッチング法などの方
法により所望の形状の電極に形成される。また、工業的
のもよく知られているマスク蒸着法、スクリ−ン印刷
法、リフトオフ法などの方法により電極を形成すること
もできる。導電膜の膜厚は０．００１〜１０μｍがよ
く、更に好ましくは０．０１〜５μｍがよい。
の個別電極、共通電極としては、例えばアルミニウム、
チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバル
ト、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、スズ、銀、金、モリブデ
ン、タングステンなどの金属膜、これら金属及び合金２
種以上の多層膜が用いられ、必要に応じて、ＩＴＯ、酸
化インジウムなどの透光性導電膜が用いられる。これら
の導電膜はスパッタ−法、蒸着法、ＣＶＤ法などの方法
により成膜され、成膜後にフォトエッチング法などの方
法により所望の形状の電極に形成される。また、工業的
のもよく知られているマスク蒸着法、スクリ−ン印刷
法、リフトオフ法などの方法により電極を形成すること
もできる。導電膜の膜厚は０．００１〜１０μｍがよ
く、更に好ましくは０．０１〜５μｍがよい。
【００１７】個別電極と共通電極が基板上に平面的に設
置されるプレ−ナ−型（図１の（Ａ）及び（Ｃ）図示）
の場合は、絶縁性基板上に光導電膜形成後、電極を積層
させてイメ−ジセンサ−を作成する。一方、基板上に上
部電極、光導電膜下部電極と積層するサンドイッチ型
（図１の（Ｂ）及び（Ｄ）図示）の場合は、下部電極を
形成し、次に光導電膜を形成した後、上部電極を前出の
材料及び方法で積層させてイメ−ジセンサ−を作成す
る。上部電極及び下部電極の材料は同一である必要はな
く、光導電膜の特性を妨げないものが望ましい。
置されるプレ−ナ−型（図１の（Ａ）及び（Ｃ）図示）
の場合は、絶縁性基板上に光導電膜形成後、電極を積層
させてイメ−ジセンサ−を作成する。一方、基板上に上
部電極、光導電膜下部電極と積層するサンドイッチ型
（図１の（Ｂ）及び（Ｄ）図示）の場合は、下部電極を
形成し、次に光導電膜を形成した後、上部電極を前出の
材料及び方法で積層させてイメ−ジセンサ−を作成す
る。上部電極及び下部電極の材料は同一である必要はな
く、光導電膜の特性を妨げないものが望ましい。
【００１８】光導電膜は、絶縁性樹脂及びオキシチタニ
ウムフタロシアニンと前記一般式（１）〜（４）で示さ
れるヒドラゾン化合物を有効成分として含有する。前述
のように光導電膜が同一層内に樹脂中に分散されたオキ
シチタニウムフタロシアニンと前記ヒドラゾン化合物を
含有する単層方式、光導電膜が樹脂中に分散されたオキ
シチタニウムフタロシアニンを含むオキシチタニウムフ
タロシアニン層と樹脂中に前記ヒドラゾン化合物を含有
するヒドラゾン層の積層構造により構成される積層方式
などの構成の光導電膜がある。
ウムフタロシアニンと前記一般式（１）〜（４）で示さ
れるヒドラゾン化合物を有効成分として含有する。前述
のように光導電膜が同一層内に樹脂中に分散されたオキ
シチタニウムフタロシアニンと前記ヒドラゾン化合物を
含有する単層方式、光導電膜が樹脂中に分散されたオキ
シチタニウムフタロシアニンを含むオキシチタニウムフ
タロシアニン層と樹脂中に前記ヒドラゾン化合物を含有
するヒドラゾン層の積層構造により構成される積層方式
などの構成の光導電膜がある。
【００１９】光導電膜に用いる絶縁性樹脂としては、例
えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリ
エステル、ポリカ−ボネ−ト、ポリアリレ−ト、ポリア
ミド、ポリイミド、ブチラ−ル樹脂、ベンザ−ル樹脂な
どが挙げられ、成膜性、感光素子としての電気的特性な
どから選択される。また、これら樹脂固有の特性を補う
目的で２種以上の絶縁性樹脂を用いたり、可塑剤、酸化
防止剤などを混合することも可能である。
えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリ
エステル、ポリカ−ボネ−ト、ポリアリレ−ト、ポリア
ミド、ポリイミド、ブチラ−ル樹脂、ベンザ−ル樹脂な
どが挙げられ、成膜性、感光素子としての電気的特性な
どから選択される。また、これら樹脂固有の特性を補う
目的で２種以上の絶縁性樹脂を用いたり、可塑剤、酸化
防止剤などを混合することも可能である。
【００２０】光導電膜が単層方式の場合、使用されるオ
キシチタニウムフタロシアニン及びヒドラゾン化合物と
絶縁性樹脂との混合重量比を示す。 オキシチタニウムフタロシアニン／絶縁性樹脂：１／５
〜５／１ ヒドラゾン化合物／絶縁性樹脂：１／５〜２／１
キシチタニウムフタロシアニン及びヒドラゾン化合物と
絶縁性樹脂との混合重量比を示す。 オキシチタニウムフタロシアニン／絶縁性樹脂：１／５
〜５／１ ヒドラゾン化合物／絶縁性樹脂：１／５〜２／１
【００２１】光導電膜が積層方式の場合、使用されるオ
キシチタニウムフタロシアニン及びヒドラゾン化合物と
絶縁性樹脂との混合重量比を示す。 オキシチタニウムフタロシアニン／絶縁性樹脂：１／１
０〜１０／１ ヒドラゾン化合物／絶縁性樹脂：１／５〜２／１
キシチタニウムフタロシアニン及びヒドラゾン化合物と
絶縁性樹脂との混合重量比を示す。 オキシチタニウムフタロシアニン／絶縁性樹脂：１／１
０〜１０／１ ヒドラゾン化合物／絶縁性樹脂：１／５〜２／１
【００２２】オキシチタニウムフタロシアニン及び前記
ヒドラゾン化合物の絶縁性樹脂に対する混合比率が多す
ぎると光導電膜と電極及び絶縁性基板との密着性が低下
し、信頼性が損なわれる。また、少なすぎると光導電率
が小さくなり、ＳＮ比（光電流／暗電流）を上げること
ができない。
ヒドラゾン化合物の絶縁性樹脂に対する混合比率が多す
ぎると光導電膜と電極及び絶縁性基板との密着性が低下
し、信頼性が損なわれる。また、少なすぎると光導電率
が小さくなり、ＳＮ比（光電流／暗電流）を上げること
ができない。
【００２３】光導電膜の膜厚は単層方式においては、
０．１〜５μｍ、好ましくは０．２〜２μｍがよく、光
導電膜が積層方式においては、オキシチタニウムフタロ
シアニン層の膜厚は０．０１〜２μｍ、好ましくは０．
０５〜１μｍがよく、ヒドラゾン化合物層は０．５〜５
０μｍ、好ましくは１〜２０μｍがよい。光導電膜の各
層は、例えばディッピング法、ドクタ−ブレ−ド法、ス
プレ−法、ロ−ルコ−ト法などの塗布方法により容易に
形成することができる。
０．１〜５μｍ、好ましくは０．２〜２μｍがよく、光
導電膜が積層方式においては、オキシチタニウムフタロ
シアニン層の膜厚は０．０１〜２μｍ、好ましくは０．
０５〜１μｍがよく、ヒドラゾン化合物層は０．５〜５
０μｍ、好ましくは１〜２０μｍがよい。光導電膜の各
層は、例えばディッピング法、ドクタ−ブレ−ド法、ス
プレ−法、ロ−ルコ−ト法などの塗布方法により容易に
形成することができる。
【００２４】本発明においては光導電膜には上記オキシ
チタニウムフタロシアニン及び前記ヒドラゾン化合物を
複数混合し、相互の特性を補うことも可能である。また
各種特性の向上及び安定化を図るために他の添加物を加
えてもよい。また、光導電層を環境及び外力から守るた
めの保護層及びピット間分離の機能を有する光遮断層な
どを光導電膜上に設けることもできる。また絶縁性基板
及び電極との密着性改善及び光導電膜と電極間の電気的
改質のために電極及び絶縁性基板と光導電層との間に新
たな層を設けることも可能である。
チタニウムフタロシアニン及び前記ヒドラゾン化合物を
複数混合し、相互の特性を補うことも可能である。また
各種特性の向上及び安定化を図るために他の添加物を加
えてもよい。また、光導電層を環境及び外力から守るた
めの保護層及びピット間分離の機能を有する光遮断層な
どを光導電膜上に設けることもできる。また絶縁性基板
及び電極との密着性改善及び光導電膜と電極間の電気的
改質のために電極及び絶縁性基板と光導電層との間に新
たな層を設けることも可能である。
【００２５】本発明において用いられるオキシチタニウ
ムフタロシアニンはα型（特開昭６１−２３９２４８号
公報）、Ａ型（特開昭６２−６７０９４号公報）などを
用いることができるが、Ｉ型（特開平３−１２８９７３
号公報）を用いることがより望ましい。
ムフタロシアニンはα型（特開昭６１−２３９２４８号
公報）、Ａ型（特開昭６２−６７０９４号公報）などを
用いることができるが、Ｉ型（特開平３−１２８９７３
号公報）を用いることがより望ましい。
【００２６】本発明において用いられるＩ型オキシチタ
ニウムフタロシアニンのＸ線回折パタ−ンは、図６に示
すようにブラッグ角（２θ±０．２°）の９．０°、１
４．２°、２３．９°及び２７．１°の位置に強いピ−
クを示す。上記ピ−クはピ−ク強度の強い上位４点を採
ったものであり、主要なピ−クとなっている。
ニウムフタロシアニンのＸ線回折パタ−ンは、図６に示
すようにブラッグ角（２θ±０．２°）の９．０°、１
４．２°、２３．９°及び２７．１°の位置に強いピ−
クを示す。上記ピ−クはピ−ク強度の強い上位４点を採
ったものであり、主要なピ−クとなっている。
【００２７】オキシチタニウムフタロシアニンの構造は
下記式で表わされる。
下記式で表わされる。
【化９】 式中、Ｘ１ 、Ｘ２ 、Ｘ３ 及びＸ４ は塩素原子ま
たは臭素原子を表わし、ｎ、ｍ、ｋ、ｐは０〜４の整数
である。
たは臭素原子を表わし、ｎ、ｍ、ｋ、ｐは０〜４の整数
である。
【００２８】本発明において用いられるヒドラゾン化合
物の具体例を表１〜３に示す。１３
物の具体例を表１〜３に示す。１３
【表１】
【表２】
【表３】
【００２９】
実施例１ ポリアミド（商品名ＣＭ−８０００、東レ（株）製）５
重量部、変性ポリアミド（商品名ＥＦ−３０Ｔ、帝国化
学（株）製）５重量部、メタノ−ル６０重量部、ｎ−ブ
チルアルコ−ル３０重量部の溶液を調製し、次いで、こ
の調製液をマイラ−基板上に図２の（Ａ）に示した共通
電極、個別電極となるＩｎ２Ｏ３電極５、６を有する基
板上に塗布し、乾燥後の膜厚を０．２μｍとした。
重量部、変性ポリアミド（商品名ＥＦ−３０Ｔ、帝国化
学（株）製）５重量部、メタノ−ル６０重量部、ｎ−ブ
チルアルコ−ル３０重量部の溶液を調製し、次いで、こ
の調製液をマイラ−基板上に図２の（Ａ）に示した共通
電極、個別電極となるＩｎ２Ｏ３電極５、６を有する基
板上に塗布し、乾燥後の膜厚を０．２μｍとした。
【００３０】次ぎに、Ｉ型オキシチタニウムフタロシア
ニン１０重量部、化合物例４のヒドラゾン化合物１０重
量部、ポリビニルブチラ−ル１５重量部、シクロヘキサ
ノン６５重量部を混合し、サンドミルにて十分に分散を
行った。更にテトラヒドロフランで希釈、固形分濃度を
２重量％とし、光導電膜用塗料を調製した。この塗料を
ポリアミド層を形成したマイラ−基板上にディピング法
にて塗布し、乾燥後の膜厚を５μｍとし、光導電膜４を
形成し、イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．１）を作成した。な
お、本実施例では電極、光導電膜の積層順が図１の
（Ａ）及び（Ｃ）とは逆となっている。
ニン１０重量部、化合物例４のヒドラゾン化合物１０重
量部、ポリビニルブチラ−ル１５重量部、シクロヘキサ
ノン６５重量部を混合し、サンドミルにて十分に分散を
行った。更にテトラヒドロフランで希釈、固形分濃度を
２重量％とし、光導電膜用塗料を調製した。この塗料を
ポリアミド層を形成したマイラ−基板上にディピング法
にて塗布し、乾燥後の膜厚を５μｍとし、光導電膜４を
形成し、イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．１）を作成した。な
お、本実施例では電極、光導電膜の積層順が図１の
（Ａ）及び（Ｃ）とは逆となっている。
【００３１】実施例２ Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニンと化合物例１５の
ヒドラゾン化合物を用いた他は、実施例１と同様な方法
でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．２）を作成した。
ヒドラゾン化合物を用いた他は、実施例１と同様な方法
でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．２）を作成した。
【００３２】実施例３ α型オキシチタニウムフタロシアニン（図７にＸ線回折
図を示す）と化合物例５のヒドラゾン化合物を用いた他
は、実施例１と同様な方法でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．
３）を作成した。
図を示す）と化合物例５のヒドラゾン化合物を用いた他
は、実施例１と同様な方法でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．
３）を作成した。
【００３３】比較例１ 実施例１と同様にしてＩｎ２Ｏ３電極の形成された基板
上に０．２μｍ厚のポリアミド層を形成した。次ぎに、
実施例１で使用したＩ型オキシチタニウムフタロシアニ
ン１０重量部、ポリビニルブチラ−ル１５重量部、シク
ロヘキサノン６５重量部を混合し、サンドミルにて十分
に分散を行った。更にテトラヒドロフランで希釈、固形
分濃度を２重量％とし、光導電膜用塗料を調製した。実
施例１と同様の方法で光導電膜を塗布し、乾燥後の膜厚
５μｍとし比較イメ−ジセンサ−サ−（Ｎｏ．４）を作
成した。
上に０．２μｍ厚のポリアミド層を形成した。次ぎに、
実施例１で使用したＩ型オキシチタニウムフタロシアニ
ン１０重量部、ポリビニルブチラ−ル１５重量部、シク
ロヘキサノン６５重量部を混合し、サンドミルにて十分
に分散を行った。更にテトラヒドロフランで希釈、固形
分濃度を２重量％とし、光導電膜用塗料を調製した。実
施例１と同様の方法で光導電膜を塗布し、乾燥後の膜厚
５μｍとし比較イメ−ジセンサ−サ−（Ｎｏ．４）を作
成した。
【００３４】比較例２ α型オキシチタニウムフタロシアニンを用いた他は、比
較例１と同様の方法で比較イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．
５）を作成した。
較例１と同様の方法で比較イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．
５）を作成した。
【００３５】実施例４ マイラ−基板上に図２の（Ｂ）に示した個別電極となる
アルミニウム電極６ａを有する基板を作成し、次に、Ｉ
型オキシチタニウムフタロシアニン１０重量部、ポリビ
ニ−ルブチラ−ル５重量部、シクロヘキサノン８５重量
部を混合し、サンドミルにて十分に分散し、さらにテト
ラヒドロフランで希釈、固形分濃度を１重量％とし、Ｉ
型オキシチタニウムフタロシアニン塗料を調製した。ア
ルミニウム電極６ａを有する基板上にＩ型オキシチタニ
ウムフタロシアニン塗料を塗布、乾燥して０．１μｍの
Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニン層を形成した。
アルミニウム電極６ａを有する基板を作成し、次に、Ｉ
型オキシチタニウムフタロシアニン１０重量部、ポリビ
ニ−ルブチラ−ル５重量部、シクロヘキサノン８５重量
部を混合し、サンドミルにて十分に分散し、さらにテト
ラヒドロフランで希釈、固形分濃度を１重量％とし、Ｉ
型オキシチタニウムフタロシアニン塗料を調製した。ア
ルミニウム電極６ａを有する基板上にＩ型オキシチタニ
ウムフタロシアニン塗料を塗布、乾燥して０．１μｍの
Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニン層を形成した。
【００３６】次に、化合物例１５のヒドラゾン化合物１
０重量部、ポリカ−ボネ−ト（商品名パンライトＬ−１
２５０、帝人化成（株）製）１０重量部、テトラヒドロ
フラン５０重量部を溶解し、ヒドラゾン化合物塗料を調
製し、この塗料を先のＩ型オキシチタニウムフタロシア
ニン層の上に塗布、乾燥して５μｍのヒドラゾン化合物
層を形成した。
０重量部、ポリカ−ボネ−ト（商品名パンライトＬ−１
２５０、帝人化成（株）製）１０重量部、テトラヒドロ
フラン５０重量部を溶解し、ヒドラゾン化合物塗料を調
製し、この塗料を先のＩ型オキシチタニウムフタロシア
ニン層の上に塗布、乾燥して５μｍのヒドラゾン化合物
層を形成した。
【００３７】更にヒドラゾン化合物層の上に図２の
（Ｂ）に示した共通電極となるＩｎ２Ｏ３電極５ａを蒸
着し、イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．６）を作成した。
（Ｂ）に示した共通電極となるＩｎ２Ｏ３電極５ａを蒸
着し、イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．６）を作成した。
【００３８】実施例５ Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニンと化合物例１９の
ヒドラゾン化合物を用いた他は、実施例４と同様の方法
でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．７）を作成した。
ヒドラゾン化合物を用いた他は、実施例４と同様の方法
でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．７）を作成した。
【００３９】実施例６ Ａ型オキシチタニウムフタロシアニン（図８にＸ線回折
図を示す）と化合物例２０のヒドラゾン化合物を用いた
他は、実施例４と同様の方法でイメ−ジセンサ−（Ｎ
ｏ．８）を作成した。
図を示す）と化合物例２０のヒドラゾン化合物を用いた
他は、実施例４と同様の方法でイメ−ジセンサ−（Ｎ
ｏ．８）を作成した。
【００４０】比較例３ 実施例４と同様にアルミニウム電極パタ−ンを有するマ
イラ−基板を作成し、実施例４と同様にＩ型オキシチタ
ニウムフタロシアニン層を塗布し、ヒドラゾン層を設け
ず、図２の（Ｂ）のＩｎ２Ｏ３共通電極を蒸着し、比較
イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．９）を作成した。
イラ−基板を作成し、実施例４と同様にＩ型オキシチタ
ニウムフタロシアニン層を塗布し、ヒドラゾン層を設け
ず、図２の（Ｂ）のＩｎ２Ｏ３共通電極を蒸着し、比較
イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．９）を作成した。
【００４１】比較例４ Ａ型オキシチタニウムフタロシアニンを用いた他は、比
較例３と同様な方法で比較イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．１
０）を作成した。
較例３と同様な方法で比較イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．１
０）を作成した。
【００４２】Ｎｏ．１〜１０のイメ−ジセンサ−につい
て、ＳＮ比（光電流／暗電流）、繰り返し１００回使用
後のＳＮ比、強露光１０００ルックス、５分照射後のＳ
Ｎ比及び光応答速度（立上り時間；Ｔｕ、立下り時間；
Ｔｄ）を表４〜表６に示す。
て、ＳＮ比（光電流／暗電流）、繰り返し１００回使用
後のＳＮ比、強露光１０００ルックス、５分照射後のＳ
Ｎ比及び光応答速度（立上り時間；Ｔｕ、立下り時間；
Ｔｄ）を表４〜表６に示す。
【００４３】ただし、実施例１、２、３、比較例１、２
の感光素子構造はプレ−ナ−型、実施例４、５、６、比
較例３、４の感光素子構造はサンドイッチ型であり、個
別電極間距離は１０μｍ、電極膜厚０．５μｍである。
の感光素子構造はプレ−ナ−型、実施例４、５、６、比
較例３、４の感光素子構造はサンドイッチ型であり、個
別電極間距離は１０μｍ、電極膜厚０．５μｍである。
【００４４】ＳＮ比は感光素子に直流電圧を印加し、電
界強度５×１０４Ｖ／ｃｍの電界下における光電流／暗
電流で表わした。また、光応答速度は５×１０４Ｖ／ｃ
ｍにおける光電流波形（図５参照）よりＴｕ、Ｔｄを求
めた。ここで、図５に示すように、Ｔｕは光電流が最大
電流値の１０％から９０％になるまでの時間、Ｔｄは光
電流が最大電流値の９０％から１０％になるまでの時間
をいう。ＳＮ比、光応答速度共に測定時の照射光量はタ
ングステンランプで１００ルックスである。
界強度５×１０４Ｖ／ｃｍの電界下における光電流／暗
電流で表わした。また、光応答速度は５×１０４Ｖ／ｃ
ｍにおける光電流波形（図５参照）よりＴｕ、Ｔｄを求
めた。ここで、図５に示すように、Ｔｕは光電流が最大
電流値の１０％から９０％になるまでの時間、Ｔｄは光
電流が最大電流値の９０％から１０％になるまでの時間
をいう。ＳＮ比、光応答速度共に測定時の照射光量はタ
ングステンランプで１００ルックスである。
【００４５】
【表４】
【表５】
【表６】
【００４６】表４〜６において、イメ−ジセンサ−Ｎ
ｏ．１、Ｎｏ．２およびＮｏ．３はオキシチタニウムフ
タロシアニンとヒドラゾン化合物とを同一層に分散させ
た単層方式を用いたが、ヒドラゾン化合物を含まない比
較イメ−ジセンサ−Ｎｏ．４、Ｎｏ．５、Ｎｏ．９及び
Ｎｏ．１０より優れ、高感度のＳＮ比、繰り返し特性、
耐強露光性能を示すことが知られる。特に積層方式であ
るＮｏ．６、Ｎｏ．７およびＮｏ．８では１０３ 台の
ＳＮ比が得られ、改善効果は著しい。応答速度において
も各実施例のイメ−ジセンサ−は比較例と比べ改善効果
は歴然としており、本発明における特定のオキシチタニ
ウムフタロシアニンとヒドラゾン化合物を有効成分とす
る効果が明らかである。また、特にＩ型オキシチタニウ
ムフタロシアニンと特定のヒドラゾン化合物を用いたＮ
ｏ．１、Ｎｏ．２、Ｎｏ．６及びＮｏ．７において、そ
の効果が著しい。
ｏ．１、Ｎｏ．２およびＮｏ．３はオキシチタニウムフ
タロシアニンとヒドラゾン化合物とを同一層に分散させ
た単層方式を用いたが、ヒドラゾン化合物を含まない比
較イメ−ジセンサ−Ｎｏ．４、Ｎｏ．５、Ｎｏ．９及び
Ｎｏ．１０より優れ、高感度のＳＮ比、繰り返し特性、
耐強露光性能を示すことが知られる。特に積層方式であ
るＮｏ．６、Ｎｏ．７およびＮｏ．８では１０３ 台の
ＳＮ比が得られ、改善効果は著しい。応答速度において
も各実施例のイメ−ジセンサ−は比較例と比べ改善効果
は歴然としており、本発明における特定のオキシチタニ
ウムフタロシアニンとヒドラゾン化合物を有効成分とす
る効果が明らかである。また、特にＩ型オキシチタニウ
ムフタロシアニンと特定のヒドラゾン化合物を用いたＮ
ｏ．１、Ｎｏ．２、Ｎｏ．６及びＮｏ．７において、そ
の効果が著しい。
【００４７】
【発明の効果】本発明のイメ−ジセンサ−は、光導電膜
の大面積な成膜が可能であり、その結果、長尺な等倍型
イメ−ジセンサ−を作成することが可能となる。更にま
た特定のオキシチタニウムフタロシアニンとヒドラゾン
化合物を用いることにより、ＳＮ比、繰り返し特性、耐
強露光性に優れた有機感光素子が得られるという顕著な
効果を奏する。
の大面積な成膜が可能であり、その結果、長尺な等倍型
イメ−ジセンサ−を作成することが可能となる。更にま
た特定のオキシチタニウムフタロシアニンとヒドラゾン
化合物を用いることにより、ＳＮ比、繰り返し特性、耐
強露光性に優れた有機感光素子が得られるという顕著な
効果を奏する。
【図１】本発明のイメ−ジセンサ−の１構成例を説明す
るための概略的部分的構成図である。
るための概略的部分的構成図である。
【図２】本発明のイメ−ジセンサ−のアレイ状構成を示
す概略的平面図である。
す概略的平面図である。
【図３】本発明のイメ−ジセンサ−を用いた画像読取装
置の１例を示す概略的構成図である。
置の１例を示す概略的構成図である。
【図４】読出回路の１例を示す回路図である。
【図５】５×１０４Ｖ／ｃｍの電界下における光電流の
波形図である。
波形図である。
【図６】Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニンのＸ線回
折図である。
折図である。
【図７】α型オキシチタニウムフタロシアニンのＸ線回
折図である。
折図である。
【図８】Ａ型オキシチタニウムフタロシアニンのＸ線回
折図である。
折図である。
１ 光導電層 １ａ 光導電層 １ｂ 光導電層 ２ 電極 ２ａ 上部電極 ２ｂ 下部電極 ３ 絶対性基板 ４ 光導電膜 ５ Ｉｎ2Ｏ3電極 ５ａ Ｉｎ2Ｏ3電極 ６ Ｉｎ2Ｏ3電極 ６ａ Ａｌ電極 ７ 原稿 ８ 光源 ９ イメ−ジセンサ− １０ ロッドレンズアレイ １１ 電源 １２ 負荷抵抗 １３ 共通電極 １４ 個別電極 １５ ブロッキングダイオ−ド １６ スイッチ １７ 感光素子 １８ 電流検知手段 １９ 電界効果型トランジスタ ２０ コンデンサ− ２１ 走査回路
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ 8721−5Ｃ (72)発明者 相野谷 英之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 平野 秀敏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 木村 まゆみ 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基体上に少なくとも個別電極、共
通電極及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジセンサ
−において、前記感光素子がオキシチタニウムフタロシ
アニンと、一般式（１） 【化１】 一般式（２） 【化２】 一般式（３） 【化３】 及び一般式（４） 【化４】 （式中、Ａは置換基を有してもよいアリ−ル基、スチリ
ル基あるいはカルバゾ−ル環またはインド−ル環を表わ
し、Ｒ1はアルキル基、アリ−ル基またはベンジル基を
表わし、Ｒ2はベンゼン環と環を形成する、）で表わさ
れるヒドラゾン化合物の群から選ばれるヒドラゾン化合
物の１種を有効成分として含有する光導電膜を有するこ
とを特徴とするイメ−ジセンサ−。 - 【請求項２】 請求項１記載のオキシチタニウムフタロ
シアニンがＣｕＫα特性のＸ線回折におけるブラッグ角
２θ±２°が９．０°、１４．２°、２３．９°及び２
７．１°に強いピ−クを有する結晶形のＩ型オキシチタ
ニウムフタロシアニンである請求項１記載のイメ−ジセ
ンサ−。 - 【請求項３】 請求項１記載の感光素子が、同一層内に
分散されたオキシチタニウムフタロシアニンと請求項１
記載のヒドラゾン化合物を含有する光導電膜を有する請
求項１または２記載のイメ−ジセンサ−。 - 【請求項４】 請求項１記載の感光素子が、分散された
オキシチタニウムフタロシアニンを含むオキシチタニウ
ムフタロシアニン層と分散された請求項１記載のヒドラ
ゾン化合物を含有する請求項１記載のヒドラゾン化合物
層との積層構造により構成される光導電膜を有する請求
項１または２記載のイメ−ジセンサ−。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11426293A JP3412862B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | イメ−ジセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11426293A JP3412862B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | イメ−ジセンサ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302797A true JPH06302797A (ja) | 1994-10-28 |
| JP3412862B2 JP3412862B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=14633398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11426293A Expired - Fee Related JP3412862B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | イメ−ジセンサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3412862B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220149513A (ko) | 2020-02-28 | 2022-11-08 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 이차 전지용 바인더 조성물, 이차 전지용 슬러리 조성물, 이차 전지용 기능층, 이차 전지용 세퍼레이터, 이차 전지용 전극 및 이차 전지 |
-
1993
- 1993-04-19 JP JP11426293A patent/JP3412862B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220149513A (ko) | 2020-02-28 | 2022-11-08 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 이차 전지용 바인더 조성물, 이차 전지용 슬러리 조성물, 이차 전지용 기능층, 이차 전지용 세퍼레이터, 이차 전지용 전극 및 이차 전지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3412862B2 (ja) | 2003-06-03 |
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Legal Events
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